JP2002029835A - Dielectric porcelain composition, laminated ceramic capacitor using the same and method for manufacturing that capacitor - Google Patents

Dielectric porcelain composition, laminated ceramic capacitor using the same and method for manufacturing that capacitor

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JP2002029835A
JP2002029835A JP2000212339A JP2000212339A JP2002029835A JP 2002029835 A JP2002029835 A JP 2002029835A JP 2000212339 A JP2000212339 A JP 2000212339A JP 2000212339 A JP2000212339 A JP 2000212339A JP 2002029835 A JP2002029835 A JP 2002029835A
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淳夫 長井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric porcelain composition, a laminated ceramic capacitor by using the composition and a method for manufacturing the capacitor such that even when the composition is calcined while using a base metal for inner electrodes 3, 4 and a base metal such as Cu is used to form external electrodes 8, 9 by baking, the dielectric layer 2 is not reduced but shows excellent insulation resistance characteristics. SOLUTION: The dielectric porcelain composition is prepared by adding a specified amount of Mg, Dy, Mn, V, Si and Al as sub components to barium titanate as the main component with the Ba/Ti molar ratio controlled to be 1.001 to 1.05. The laminated ceramic capacitor using the above composition and the method for manufacturing the capacitor are also provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器組成物及
びこれを用いて形成した積層セラミックコンデンサとそ
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric ceramic composition, a multilayer ceramic capacitor formed using the same, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は誘電体磁器組成物を用いて形成し
た従来の積層セラミックコンデンサの断面図である。図
2において、51は積層セラミックコンデンサであり、
誘電体磁器組成物をシート状に形成した誘電体層52に
内部電極53、54を交互に複数層重ね合わせて積層体
55を形成し、前記内部電極53、54を前記積層体5
5の対向する両面56、57に形成した外部電極58、
59にそれぞれ接続して構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional multilayer ceramic capacitor formed using a dielectric ceramic composition. In FIG. 2, reference numeral 51 denotes a multilayer ceramic capacitor;
A plurality of internal electrodes 53 and 54 are alternately stacked on a dielectric layer 52 in which a dielectric ceramic composition is formed in a sheet shape to form a laminate 55, and the internal electrodes 53 and 54 are connected to the laminate 5.
5, external electrodes 58 formed on opposing surfaces 56, 57,
59, respectively.

【0003】そして、前記内部電極53、54及び外部
電極58、59は高価な貴金属から安価なNiなどの卑
金属に置き換えられてきている。
The internal electrodes 53 and 54 and the external electrodes 58 and 59 have been replaced by expensive noble metals with inexpensive base metals such as Ni.

【0004】以上のように構成された従来の積層セラミ
ックコンデンサについて、以下にその製造方法を説明す
る。
A method of manufacturing a conventional multilayer ceramic capacitor having the above-described structure will be described below.

【0005】先ず、誘電体層52とNiなどの卑金属材
料よりなる内部電極53、54を交互に複数段重ね、こ
の最上段と最下段に無効層60,61を重ねて圧着し積
層体ブロック(図示せず)を得る。そして、この積層体
ブロックを所定サイズのチップ形状に切断した後に所定
の温度で焼成を行う。このとき、内部電極53、54の
酸化劣化を防止するために窒素ガス雰囲気などの還元性
雰囲気中で焼成を行う。
[0005] First, a dielectric layer 52 and internal electrodes 53 and 54 made of a base metal material such as Ni are alternately stacked in a plurality of stages, and the inactive layers 60 and 61 are stacked on the uppermost stage and the lowermost stage and press-bonded to form a laminate block ( (Not shown). Then, the laminate block is cut into a chip having a predetermined size, and then fired at a predetermined temperature. At this time, firing is performed in a reducing atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere in order to prevent the internal electrodes 53 and 54 from being oxidized and deteriorated.

【0006】次いで、内部電極53、54が露出した積
層体55の両面56、57に卑金属材料よりなる外部電
極ペーストを塗布し、外部電極58、59が酸化劣化し
ないように窒素ガス雰囲気などの還元性雰囲気中で焼き
付けを行う。
Next, an external electrode paste made of a base metal material is applied to both surfaces 56 and 57 of the laminate 55 where the internal electrodes 53 and 54 are exposed, and the external electrodes 58 and 59 are reduced in a nitrogen gas atmosphere or the like so as not to be oxidized and deteriorated. Perform baking in a neutral atmosphere.

【0007】前記誘電体層52の還元劣化を抑制する誘
電体磁器組成物として、特開昭61−155255号公
報に開示されたものがある。
As a dielectric porcelain composition for suppressing the reduction deterioration of the dielectric layer 52, there is one disclosed in JP-A-61-155255.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭61−155255号公報に示す誘電体磁器組成物
を用いた積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗特性
(IR寿命特性)の劣化が大きく、誘電体層を薄くして
いくと一層信頼性の確保が困難になり、静電容量の変化
率が大きいという問題点を有し、さらに、外部電極とし
て、内部電極にNiと固溶し易いCuを選択して還元性
雰囲気中で積層体に焼き付ける際に、誘電体層が還元さ
れて絶縁抵抗が小さくなるという問題点を有していた。
However, the multilayer ceramic capacitor using the dielectric ceramic composition disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-155255 has a large deterioration in insulation resistance characteristics (IR life characteristics), As the layer becomes thinner, it becomes more difficult to secure reliability, and the rate of change in capacitance is large. In addition, as the external electrode, Cu that easily forms a solid solution with Ni in the internal electrode is selected. When the laminated body is baked in a reducing atmosphere, the dielectric layer is reduced and the insulation resistance is reduced.

【0009】そこで本発明は、内部電極にNi等の卑金
属を用いて焼成し、外部電極にCu等の卑金属を用いて
焼き付けしても誘電体層が還元されず、優れた絶縁抵抗
特性を有する誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラ
ミックコンデンサとその製造方法を提供することを目的
とするものである。
Therefore, according to the present invention, even if the internal electrode is baked using a base metal such as Ni and the external electrode is baked using a base metal such as Cu, the dielectric layer is not reduced and has excellent insulation resistance characteristics. An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic composition, a multilayer ceramic capacitor using the same, and a method for manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を有するものである。
In order to achieve the above object, the present invention has the following arrangement.

【0011】本発明の請求項1に記載の発明は、主成分
チタン酸バリウム100モルに対し、副成分として少な
くともMgをMgOに換算して0.5〜5.0モル、D
yをDy23に換算して0.1〜3.0モル、MnをM
nO4/3に換算して0.01〜0.4モル、VをV25
に換算して、0.01〜0.26モル、SiをSiO 2
に換算して0.01〜3.5モル添加し、前記チタン酸
バリウムのBa/Tiのモル比は1.001〜1.05
モルとした誘電体磁器組成物の構成を有し、これによ
り、基本成分の過剰BaOとMnO4/3は誘電体組成物
の耐還元性を強化し、特にMnO4/3は中性雰囲気中あ
るいは還元性雰囲気中での大量焼成において、誘電体組
成の絶縁抵抗の劣化を防ぐとともに、積層セラミックコ
ンデンサの静電容量のバラツキを抑制し均質な焼結体を
形成する作用、効果を有し、MgO、Dy23の添加は
誘電率、静電容量温度特性、誘電正接等の満足した電気
特性を得る作用、効果を有し、また、SiO2は比較的
低い温度の焼成において誘電体組成の焼結を促進し、緻
密な焼結体を得て、絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満
足させる作用、効果を有し、さらにV25はTiO2
還元を抑制して絶縁抵抗の劣化を防止して、高い絶縁抵
抗を得る作用効果を有し、したがって、内部電極にNi
等の卑金属を用いて焼成し、外部電極にCu等の卑金属
を用いて焼き付けしても、誘電体層が還元されず、優れ
た絶縁抵抗特性を有する誘電体磁器組成物が得られる。
[0011] The invention described in claim 1 of the present invention is characterized in that:
For 100 moles of barium titanate, a small amount
At least 0.5 to 5.0 moles of Mg converted to MgO, D
y to DyTwoOThree0.1 to 3.0 mol in terms of
nO4/30.01 to 0.4 mol in terms ofTwoOFive
0.01 to 0.26 mol of Si, converted to SiO Two
The titanic acid was added in an amount of 0.01 to 3.5 mol in terms of
The Ba / Ti molar ratio of barium is 1.001 to 1.05.
Having the composition of a dielectric ceramic composition in the form of moles.
Excess BaO and MnO as basic components4/3Is a dielectric composition
In particular, MnO4/3Is in a neutral atmosphere
Or mass firing in a reducing atmosphere
Of the insulation resistance of the ceramic
Suppress variations in the capacitance of capacitors and produce a homogeneous sintered body.
It has the action and effect of forming, MgO, DyTwoOThreeThe addition of
Satisfactory electricity such as dielectric constant, capacitance temperature characteristic, dielectric tangent
It has the function and effect of obtaining the characteristics,TwoIs relatively
It promotes sintering of the dielectric composition at low temperature firing,
Obtain a dense sintered body, stabilize insulation resistance and satisfy electrical performance.
Has the effect and effect of addingTwoOFiveIs TiOTwoof
By suppressing the reduction and preventing the deterioration of the insulation resistance, a high insulation resistance
It has the effect of obtaining resistance, and therefore, Ni
Baking using a base metal such as
The dielectric layer is not reduced even when baked using
Thus, a dielectric ceramic composition having excellent insulation resistance characteristics can be obtained.

【0012】本発明の請求項2に記載の発明は、Alを
Al23に換算して、チタン酸バリウム100モルに対
して、さらに0.01〜3.0モル添加した請求項1に
記載の誘電体磁器組成物の構成を有し、これにより焼結
体の表面に析出する2次相を抑制して均質な焼結体が得
られる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method according to the first aspect, wherein Al is converted into Al 2 O 3 and 0.01 to 3.0 mol is further added to 100 mol of barium titanate. It has the configuration of the described dielectric ceramic composition, whereby a secondary phase precipitated on the surface of the sintered body is suppressed to obtain a homogeneous sintered body.

【0013】本発明の請求項3に記載の発明は、前記組
成において、Dyに代えて、DyとHoとをDy/(D
y+Ho)のモル比が0.3〜0.9となるように、そ
れぞれDy23、Ho23に換算して合計で主成分チタ
ン酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0モル添
加した請求項1に記載の誘電体磁器組成物であり、これ
により、誘電体層を薄膜化(特に5μm以下)した積層
体を還元雰囲気中で大量焼成しても、絶縁抵抗特性を損
ねることなく、静電容量温度変化率の小さい積層セラミ
ックコンデンサが得られる。
According to a third aspect of the present invention, in the above composition, Dy and Ho are replaced by Dy / (D
(y + Ho) so that the molar ratio becomes 0.3 to 0.9, the total is 0.1 to 3 in terms of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively, based on 100 mol of the main component barium titanate. 2. The dielectric porcelain composition according to claim 1, wherein 0 mol is added, whereby the insulation resistance characteristics can be improved even when a laminate in which the dielectric layer is thinned (in particular, 5 μm or less) is mass-fired in a reducing atmosphere. A multilayer ceramic capacitor having a small capacitance temperature change rate can be obtained without loss.

【0014】本発明の請求項4に記載の発明は、Dyに
代えて、Dy/(Dy+Ho)のモル比が0.3〜0.
9となるDyとHoとを、それぞれDy23、Ho23
に換算した合計で主成分チタン酸バリウム100モルに
対して0.1〜3.0モル添加し、かつAlをAl23
に換算して、チタン酸バリウム100モルに対して、さ
らに0.01〜3.0モル添加した請求項1に記載の誘
電体磁気組成物であり、これにより、誘電体層を薄膜化
(特に5μm以下)した積層体を還元雰囲気中で大量焼
成しても、絶縁抵抗特性を損ねることなく静電容量温度
変化率の小さくしかも焼成体表面に析出する2次相の発
生を抑制された均質な焼成体からなる積層セラミックコ
ンデンサが得られる。
According to a fourth aspect of the present invention, in place of Dy, the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.1.
9 and Dy 2 Ho 3 and Ho 2 O 3 , respectively.
In total, 0.1 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate as a main component, and Al is added to Al 2 O 3.
The dielectric magnetic composition according to claim 1, further comprising 0.01 to 3.0 moles added to 100 moles of barium titanate, whereby the dielectric layer is thinned (particularly, Even if a large amount of the laminated body (5 μm or less) is fired in a reducing atmosphere, a uniform rate of change in capacitance with a small change in capacitance temperature without deteriorating the insulation resistance property and suppressing generation of a secondary phase deposited on the surface of the fired body is suppressed. A multilayer ceramic capacitor made of a fired body is obtained.

【0015】本発明の請求項5に記載の発明は、誘電体
層と卑金属を用いて作製した内部電極とを交互に積層し
た積層体と、この積層体の前記内部電極の露出した端面
に設けた外部電極とを備え、前記誘電体層は、主成分チ
タン酸バリウム100モルに対し、副成分として少なく
ともMgをMgOに換算して0.5〜5.0モル、Dy
をDy23に換算して0.1〜3.0モル、MnをMn
4/3に換算して0.01〜0.4モル、VをV25
換算して、0.01〜0.26モル、SiをSiO2
換算して0.01〜3.5モル添加して形成したもので
あり、Ba/Tiのモル比は1.001〜1.05モル
とした積層セラミックコンデンサであり、これにより、
絶縁性に優れ、静電容量の温度変化率の小さい信頼性の
優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a laminate in which dielectric layers and internal electrodes made of a base metal are alternately laminated, and a laminate provided on an exposed end face of the internal electrode of the laminate. An external electrode, wherein the dielectric layer is composed of at least 0.5 to 5.0 moles of Dy in terms of MgO as a subcomponent with respect to 100 moles of barium titanate as a main component.
Is converted to Dy 2 O 3 by 0.1 to 3.0 mol, and Mn is Mn.
0.01 to 0.4 mole in terms of O 4/3, in terms of V to V 2 O 5, in terms 0.01 to 0.26 mol, of Si to SiO 2 0.01 to 3 The multilayer ceramic capacitor was formed by adding 0.5 mol, and the molar ratio of Ba / Ti was 1.001 to 1.05 mol.
A highly reliable multilayer ceramic capacitor having excellent insulation properties and a small temperature change rate of capacitance can be obtained.

【0016】本発明の請求項6に記載の発明は、チタン
酸バリウムに対して、さらに、AlをAl23に換算し
て、0.01〜3.0モル添加した誘電体層からなる請
求項5に記載の積層セラミックコンデンサであり、これ
により焼結体の表面の2次相の発生が抑えられ、実装性
に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
The invention according to claim 6 of the present invention comprises a dielectric layer in which Al is added to barium titanate in an amount of 0.01 to 3.0 mol in terms of Al 2 O 3. The multilayer ceramic capacitor according to claim 5, whereby the generation of a secondary phase on the surface of the sintered body is suppressed, and a multilayer ceramic capacitor excellent in mountability is obtained.

【0017】本発明の請求項7に記載の発明は、Dyに
代えて、DyとHoとをDy/(Dy+Ho)のモル比
が0.3〜0.9となるように、それぞれDy23、H
23に換算して合計で主成分チタン酸バリウム100
モルに対して0.1〜3.0モル添加した請求項5に記
載の積層セラミックコンデンサであり、これにより、薄
層化した誘電体層でも絶縁抵抗特性に優れ、静電容量の
温度変化率の小さい信頼性の優れた積層セラミックコン
デンサが得られる。
According to a seventh aspect of the present invention, Dy and Ho are replaced with Dy 2 O such that the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9. 3 , H
converted to o 2 O 3 , the total of which is barium titanate 100
6. The multilayer ceramic capacitor according to claim 5, wherein 0.1 to 3.0 moles are added to the moles, whereby even a thin dielectric layer has excellent insulation resistance characteristics and a temperature change rate of capacitance. And a highly reliable multilayer ceramic capacitor having a small size.

【0018】本発明の請求項8に記載の発明は、Dyに
代えて、Dy/(Dy+Ho)のモル比が0.3〜0.
9となるDyとHoとを、それぞれDy23、Ho23
に換算した合計で主成分チタン酸バリウム100モルに
対して0.1〜3.0モル添加し、かつAlをAl23
に換算して、チタン酸バリウム100モルに対して、さ
らに0.01〜3.0モル添加した請求項5に記載の積
層セラミックコンデンサであり、これにより、薄層化し
た誘電体層でも絶縁抵抗特性に優れ、静電容量の温度変
化率の小さい信頼性に優れ、かつ焼結体表面に2次相の
発生の少ない均質な焼結体からなる積層セラミックコン
デンサが得られる。
According to the invention of claim 8 of the present invention, the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.1 instead of Dy.
9 and Dy 2 Ho 3 and Ho 2 O 3 , respectively.
In total, 0.1 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate as a main component, and Al is added to Al 2 O 3.
6. The multilayer ceramic capacitor according to claim 5, wherein 0.01 to 3.0 moles are further added to 100 moles of barium titanate, so that the dielectric resistance is reduced even if the dielectric layer is thinned. It is possible to obtain a multilayer ceramic capacitor made of a homogeneous sintered body having excellent characteristics, excellent reliability with a small rate of temperature change of capacitance, and little generation of a secondary phase on the surface of the sintered body.

【0019】本発明の請求項9に記載の発明は、誘電体
層と卑金属を用いて作製した内部電極とを交互に積層し
た積層体と、この積層体の前記内部電極層の露出した端
面に設けた外部電極とを備え、前記誘電体層は、主成分
チタン酸バリウム100モルに対し、副成分として少な
くともMgをMgOに換算して0.5〜5.0モル、D
yをDy23に換算して0.1〜3.0モル、MnをM
nO4/3に換算して0.01〜0.4モル、VをV25
に換算して、0.01〜0.26モル、SiをSiO2
に換算して0.01〜3.5モル添加して形成したもの
であり、Ba/Tiのモル比は1.001〜1.05モ
ルである誘電体材料を用いて、セラミックシートを作製
する第1工程と、次にこのセラミックシートと卑金属を
主成分とする内部電極層とを交互に積層した積層体を作
製する第2工程と、次いで前記積層体を焼成する第3工
程と、その後前記積層体の前記内部電極層の露出した端
面に外部電極を形成する第4工程を備える積層セラミッ
クコンデンサの製造方法であり、これにより、絶縁抵抗
特性に優れ、静電容量の温度変化率の小さい信頼性の優
れた積層セラミックコンデンサが得られる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a laminate comprising alternately laminated dielectric layers and internal electrodes formed by using a base metal, and a method of forming a laminate on the exposed end face of the internal electrode layer of the laminate. And an external electrode provided, wherein the dielectric layer is composed of at least 0.5 to 5.0 mol of Mg as MgO as a subcomponent with respect to 100 mol of barium titanate as a main component.
in terms of the y to Dy 2 O 3 0.1~3.0 mole, a Mn M
0.01 to 0.4 mol in terms of nO 4/3 , V is V 2 O 5
Converted from 0.01 to 0.26 mol, Si was converted to SiO 2
A ceramic sheet is formed using a dielectric material having a molar ratio of Ba / Ti of 1.001 to 1.05 mol, which is formed by adding 0.01 to 3.5 mol in terms of. A first step, a second step of forming a laminate in which the ceramic sheets and the internal electrode layers containing a base metal as a main component are alternately laminated, and a third step of firing the laminate, and thereafter, A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, comprising a fourth step of forming an external electrode on an exposed end face of the internal electrode layer of a multilayer body, whereby the reliability is excellent with an excellent insulation resistance characteristic and a small temperature change rate of capacitance. A multilayer ceramic capacitor having excellent properties can be obtained.

【0020】本発明の請求項10に記載の発明は、外部
電極をCuを主成分とする金属を用いて形成する請求項
9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であ
り、外部電極にCuを用いることにより、内部電極に卑
金属であるNiを用いた時でも合金化されるため、内部
電極と外部電極との接合がしっかりとしたものになり、
規定の静電容量を容易に得ることができ、静電容量値の
バラツキが少なく、熱衝撃や機械的ストレスにも耐久性
の優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to the ninth aspect, wherein the external electrode is formed using a metal containing Cu as a main component. By using the alloy, even when Ni, which is a base metal, is used for the internal electrode, the bonding between the internal electrode and the external electrode becomes firm,
A specified capacitance can be easily obtained, a variation in capacitance value is small, and a multilayer ceramic capacitor excellent in durability against thermal shock and mechanical stress can be obtained.

【0021】本発明の請求項11に記載の発明は、比表
面積が2〜5m2/gであるチタン酸バリウムを用いる
請求項9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法
であり、これにより、絶縁性に優れ、静電容量の温度変
化率の小さい信頼性の優れた積層セラミックコンデンサ
が得られる。
According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided the method for producing a multilayer ceramic capacitor according to the ninth aspect, wherein barium titanate having a specific surface area of 2 to 5 m 2 / g is used. A multilayer ceramic capacitor having excellent reliability and a small rate of change in capacitance with temperature can be obtained.

【0022】本発明の請求項12に記載の発明は、X線
回折チャートにおいて、回折角2θ45°における(2
00)面の回折線と(002)面の回折線のピークが2
つに分かれているチタン酸バリウムを用いる請求項9に
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、こ
れにより、焼成過程における結晶粒成長を抑え、均一な
誘電体が得られ、誘電体層を薄膜化しても静電容量の温
度特性の変化率の小さい積層セラミックコンデンサが得
られる。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the X-ray diffraction chart, (2
The peaks of the (00) plane diffraction line and the (002) plane diffraction line are 2
10. The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein barium titanate divided into two is used, whereby crystal grain growth in a firing process is suppressed, a uniform dielectric is obtained, and the dielectric layer is formed into a thin film. Thus, a multilayer ceramic capacitor having a small change rate of the temperature characteristic of the capacitance can be obtained.

【0023】本発明の請求項13に記載の発明は、Mg
Oの代わりに、Mg(OH)2として、0.5〜5.0
モル添加する請求項9に記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法であり、これにより、誘電体中のMgOの
分散性を向上することができ、誘電体層を薄膜化(特に
5μm以下)した積層体を還元雰囲気中で一括して大量
焼成しても、均一な組成を維持できるため、絶縁抵抗特
性が良好であり、静電容量の温度特性が小さく、各電気
特性の安定した積層セラミックコンデンサが得られる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided
0.5 to 5.0 as Mg (OH) 2 instead of O
The method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein the dispersibility of MgO in the dielectric can be improved, and the dielectric layer is thinned (particularly, 5 μm or less). Even if a large amount is fired at once in a reducing atmosphere, a uniform composition can be maintained, so that a multilayer ceramic capacitor with good insulation resistance characteristics, small temperature characteristics of capacitance, and stable electric characteristics can be obtained. Can be

【0024】本発明の請求項14に記載の発明は、第1
工程でAl化合物をAl23に変換してチタン酸バリウ
ム100モルに対して、さらに0.1〜3.0モル添加
する請求項9に記載の積層セラミックコンデンサの製造
方法であり、これにより、Al23は多成分系誘電体磁
器組成物の焼成過程で、主成分以外の副成分に作用して
均一な成分相を形成し、焼結性と電気特性を安定させる
有効な作用を有し、機械強度の強い積層セラミックコン
デンサが得られる。
According to a fourteenth aspect of the present invention, the first aspect
The Al compound against 100 mol of barium titanate is converted to Al 2 O 3 in step a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, further 0.1 to 3.0 moles additive, thereby In the firing process of the multi-component dielectric ceramic composition, Al 2 O 3 acts on sub-components other than the main component to form a uniform component phase, and has an effective action to stabilize sinterability and electrical characteristics. Thus, a multilayer ceramic capacitor having high mechanical strength can be obtained.

【0025】本発明の請求項15に記載の発明は、Al
化合物は、他の誘電体材料の仮焼後に添加する請求項9
に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、
これにより、さらに静電容量の温度特性の良好な積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided
The compound is added after calcination of another dielectric material.
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to
As a result, a multilayer ceramic capacitor having better temperature characteristics of capacitance can be obtained.

【0026】本発明の請求項16に記載の発明は、Dy
に代えて、DyとHoとをDy/(Dy+Ho)のモル
比が0.3〜0.9となるように、それぞれDy23
Ho 23に換算して合計で主成分チタン酸バリウム10
0モルに対して0.1〜3.0モル添加する請求項9に
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、誘
電体層を薄膜化しても寿命特性を損ねることなく静電容
量の温度特性が優れた積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
[0026] The invention according to claim 16 of the present invention provides a method according to Dy.
In place of Dy and Ho, the moles of Dy / (Dy + Ho)
Dy so that the ratio becomes 0.3 to 0.9, respectively.TwoOThree,
Ho TwoOThreeConverted to a total of 10 barium titanate
10. The method according to claim 9, wherein 0.1 to 3.0 mol is added to 0 mol.
It is a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor described in
Capacitance without reducing the life characteristics even when the conductor layer is thinned
Of multilayer ceramic capacitor with excellent temperature characteristics
It is.

【0027】本発明の請求項17に記載の発明は、Dy
に代えて、Dy/(Dy+Ho)のモル比が0.3〜
0.9となるDyとHoとを、それぞれDy23、Ho
23に換算した合計で主成分チタン酸バリウム100モ
ルに対して0.1〜3.0モル添加し、かつAlをAl
23に換算して、チタン酸バリウム100モルに対し
て、さらに0.01〜3.0モル添加した請求項9に記
載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、これ
により誘電体層を薄膜化しても寿命特性を損ねることな
く静電容量の温度特性が優れ焼結体表面に2次相の発生
の少ない強度に優れた積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
According to a seventeenth aspect of the present invention, Dy
And the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to
0.9 and Dy 2 Ho 3 , respectively.
A total of 0.1 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate as a main component in terms of 2 O 3 , and Al is added to Al.
10. The method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein 0.01 to 3.0 mol is further added to 100 mol of barium titanate in terms of 2 O 3 , whereby the dielectric layer is formed into a thin film. Thus, a multilayer ceramic capacitor having excellent temperature characteristics of capacitance without deterioration of life characteristics and excellent strength with less generation of secondary phase on the surface of the sintered body can be obtained.

【0028】本発明の請求項18に記載の発明は、Dy
23、SiO2、Al23の各単独成分に代えて、Dy2
3・SiO2、Dy23・Al23の形にしてあらかじ
め混合された混合物を、合わせて0.1〜3.0モル添
加する請求項9に記載の積層セラミックコンデンサの製
造方法であり、有効層を薄膜化しても寿命特性を損ねる
ことなく静電容量温度特性の良好な積層セラミックコン
デンサが得られる。
[0028] The invention according to claim 18 of the present invention provides a Dy
In place of each single component of 2 O 3 , SiO 2 and Al 2 O 3 , Dy 2
O 3 · SiO 2, Dy 2 O 3 · Al 2 a O 3 mixture was thereby been premixed form of a combined total 0.1 to 3.0 manufacturing method of a multilayer ceramic capacitor according to claim 9 moles added Thus, a multilayer ceramic capacitor having good capacitance temperature characteristics can be obtained without impairing the life characteristics even when the effective layer is made thin.

【0029】本発明の請求項19に記載の発明は、Dy
23、Ho23、SiO2、Al2 3の各単独成分に代
えて、それぞれDy23・SiO2、Dy23・Al2
3、Ho23・SiO2、Ho23・Al23の形にして
あらかじめ混合された混合物を合わせて、DyとHoと
をDy/(Dy+Ho)のモル比が0.3〜0.9とな
るように0.1〜3.0モル添加する請求項9に記載の
積層セラミックコンデンサの製造方法であり、これによ
り、誘電体層を薄膜化しても、寿命特性を損ねることな
く、さらに、静電容量の温度特性の良好な積層セラミッ
クコンデンサが得られる。
[0029] The invention described in claim 19 of the present invention provides a method for producing
TwoOThree, HoTwoOThree, SiOTwo, AlTwoO ThreeFor each single component
And Dy eachTwoOThree・ SiOTwo, DyTwoOThree・ AlTwoO
Three, HoTwoOThree・ SiOTwo, HoTwoOThree・ AlTwoOThreeIn the form of
Combine the pre-mixed mixture and Dy and Ho
When the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9.
10. The method according to claim 9, wherein 0.1 to 3.0 moles are added so as to be added.
This is a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor.
Even if the dielectric layer is thinned, the life characteristics will not be impaired.
Layered ceramic with good temperature characteristics of capacitance.
A capacitor is obtained.

【0030】本発明の請求項20に記載の発明は、第3
工程の降温過程または、第3工程と第4工程の間に誘電
体層を再酸化する工程を設ける請求項9に記載の積層セ
ラミックコンデンサの製造方法であり、これにより、絶
縁抵抗特性の劣化を防止して高い絶縁抵抗特性を有し、
信頼性の優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
According to a twentieth aspect of the present invention, the third aspect
The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein a step of re-oxidizing the dielectric layer is provided between the third step and the fourth step, or a step of lowering the temperature of the step. Has high insulation resistance characteristics,
A highly reliable multilayer ceramic capacitor can be obtained.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、実施の形
態1を用いて、本発明の特に請求項1、5、9、10、
20に記載の発明について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The invention described in Item 20 will be described.

【0032】図1は本発明の実施の形態1における積層
セラミックコンデンサの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to Embodiment 1 of the present invention.

【0033】図1において、1は積層セラミックコンデ
ンサであり、誘電体磁器組成物をシート状に形成した誘
電体層2に、Niを主成分とする卑金属から成る内部電
極3、4を交互に重ね合わせて積層体5を形成し、前記
積層体5の対向する両面6、7に、Cuを主成分とする
卑金属で形成した外部電極8、9を形成して前記内部電
極3、4にそれぞれ接続し、この外部電極8、9の表面
にニッケルメッキ層10を、さらにこのニッケルメッキ
層10の表面に半田メッキ層11を形成している。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a multilayer ceramic capacitor, in which internal electrodes 3 and 4 made of a base metal mainly composed of Ni are alternately stacked on a dielectric layer 2 formed of a dielectric ceramic composition in a sheet shape. Together, a laminated body 5 is formed, and external electrodes 8 and 9 made of a base metal containing Cu as a main component are formed on opposing surfaces 6 and 7 of the laminated body 5 and connected to the internal electrodes 3 and 4, respectively. A nickel plating layer 10 is formed on the surfaces of the external electrodes 8 and 9, and a solder plating layer 11 is formed on the surface of the nickel plating layer 10.

【0034】以上のように構成された積層セラミックコ
ンデンサ1について、以下にその製造方法を説明する。
The manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor 1 configured as described above will be described below.

【0035】第1工程として、出発原料からセラミック
シートを作製する製造方法を説明する。
As a first step, a method for producing a ceramic sheet from starting materials will be described.

【0036】先ず、各出発原料をBaTiO3 100
モルに対し、(表1)に示す組成となるように、BaC
3、Dy23、MgO、MnO4/3、BaO・SiO2
・V25をそれぞれ秤量し、イットリア部分安定化ジル
コニアボールを媒体として、ボールミルで17h時間湿
式混合粉砕を行った後、乾燥する。
First, each starting material was made of BaTiO 3 100
With respect to the mole, BaC is selected so that the composition shown in (Table 1) is obtained.
O 3 , Dy 2 O 3 , MgO, MnO 4/3 , BaO · SiO 2
V 2 O 5 is weighed, and wet mixed and pulverized for 17 hours with a ball mill using yttria partially stabilized zirconia balls as a medium, and then dried.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】次に、この脱水乾燥した混合材料を解砕
し、32メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝
に入れ、1100℃の温度で2時間保持し仮焼した。こ
の仮焼は、炭酸化物を分解し、主成分チタン酸バリウム
と副成分とが適度に反応した状態となるような温度で行
い、この際、仮焼温度が高すぎると得られた積層セラミ
ックコンデンサの静電容量の温度変化率が大きくなりす
ぎることがあるため、注意が必要である。
Next, the dehydrated and dried mixed material was crushed, passed through a 32-mesh sieve, put into an alumina crucible, and kept at a temperature of 1100 ° C. for 2 hours and calcined. This calcination is performed at a temperature at which the carbonate is decomposed and the main component barium titanate and the subcomponents are in a state of being appropriately reacted. At this time, if the calcination temperature is too high, the obtained multilayer ceramic capacitor is obtained. Care must be taken because the temperature change rate of the capacitance may become too large.

【0039】次いで、仮焼原料を混合と同様、ボールミ
ルで平均粒径が1.0μm以下になるように湿式粉砕を
行った後、脱水乾燥と32メッシュ篩を全通させ、誘電
体材料を作製した。
Next, as in the case of mixing the calcined raw materials, the mixture is wet-pulverized by a ball mill so that the average particle size becomes 1.0 μm or less, then dehydrated and dried, and passed through a 32 mesh sieve to produce a dielectric material. did.

【0040】作製した誘電体材料にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸nブチル、可
塑剤としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア部分安
定化ジルコニアボールと共にボールミルで72時間混合
しスラリーを作製した。
A polyvinyl butyral resin as a binder, n-butyl acetate as a solvent, and dibutyl phthalate as a plasticizer were added to the prepared dielectric material, and mixed with a yttria partially stabilized zirconia ball in a ball mill for 72 hours to prepare a slurry.

【0041】得られたスラリーを、ドクターブレードに
より、図1に示す誘電体層2となるセラミックグリーン
シート(以降、グリーンシートと称する)をポリエステ
ルフィルム上に成形した。このグリーンシートは焼成後
14μmになる厚みに設定して作製した。
Using the obtained slurry, a ceramic green sheet (hereinafter, referred to as a green sheet) to be the dielectric layer 2 shown in FIG. 1 was formed on a polyester film using a doctor blade. This green sheet was produced by setting the thickness to be 14 μm after firing.

【0042】次に、第2工程として、前記のグリーンシ
ートの表面にNiを主成分とする内部電極ペーストをス
クリーンで印刷し、乾燥を行った後にこのNi内部電極
ペーストを印刷したグリーンシートを、10枚積み重ね
て熱圧着し、グリーン積層体を形成した後、3.3mm
×1.7mmの積層体グリーンチップ(以降、グリーン
チップと称する)形状に切断を行った。
Next, as a second step, an internal electrode paste containing Ni as a main component is printed on the surface of the green sheet by a screen, and after drying, the green sheet on which the Ni internal electrode paste is printed is removed. After stacking 10 sheets and thermocompression bonding to form a green laminate, 3.3 mm
It was cut into a laminated green chip (hereinafter referred to as a green chip) shape of × 1.7 mm.

【0043】次に、第3工程として、前記グリーンチッ
プをジルコニア敷粉と混ぜ合わせアルミナ質のサヤにい
れ、ニッケルが過度に酸化されない雰囲気で有機物の除
去を行う。次に、引き続き窒素、水素に炭酸ガスまたは
水蒸気を混合して構成したニッケルが過度に酸化されず
誘電体層2が焼結できる還元雰囲気中、最高温度122
0〜1340℃で2時間保持し積層体5の焼結を行う。
次いで降温過程の800〜1200℃で1時間、窒素、
水素に炭酸ガスまたは水蒸気を用いて構成し、ニッケル
が過度に酸化されない雰囲気中で、還元雰囲気中の焼成
工程で還元された誘電体層2の再酸化を行った後、室温
まで冷却し焼結体を作製した。
Next, as a third step, the green chips are mixed with zirconia bedding powder and placed in an alumina sheath to remove organic substances in an atmosphere in which nickel is not excessively oxidized. Next, in a reducing atmosphere in which nickel formed by mixing carbon dioxide or water vapor with nitrogen and hydrogen is not excessively oxidized and the dielectric layer 2 can be sintered, the maximum temperature 122
The laminate 5 is held at 0 to 1340 ° C. for 2 hours to perform sintering.
Then, at a temperature of 800 to 1200 ° C. for 1 hour, nitrogen,
After reconstituting the dielectric layer 2 reduced in the firing step in a reducing atmosphere in an atmosphere in which nickel is not excessively oxidized, the structure is formed by using carbon dioxide gas or steam for hydrogen, and then cooled to room temperature and sintered. The body was made.

【0044】尚、各組成の最適焼成温度は、それぞれの
誘電体層2の焼結体密度が最大となる温度を用いた。
As the optimum firing temperature for each composition, the temperature at which the density of the sintered body of each dielectric layer 2 was maximized was used.

【0045】次に、第4工程として、前記焼結体をバレ
ル研磨機により表面および端面研磨した後、焼結体の端
面に露出した内部電極3、4と電気的に接続するよう
に、焼結体の対向する端面6、7に、Cu(銅)を主成
分とする外部電極ペーストを塗布し、窒素と酸素を混合
してCu(銅)が過度に酸化されない雰囲気を構成し、
この雰囲気中において、850℃で15分間の焼き付け
を行い、外部電極8、9を形成した。
Next, as a fourth step, after the surface and the end face of the sintered body are polished by a barrel polishing machine, the sintered body is sintered so as to be electrically connected to the internal electrodes 3 and 4 exposed on the end face of the sintered body. An external electrode paste containing Cu (copper) as a main component is applied to the facing end surfaces 6 and 7 of the body, and nitrogen and oxygen are mixed to form an atmosphere in which Cu (copper) is not excessively oxidized.
In this atmosphere, baking was performed at 850 ° C. for 15 minutes to form external electrodes 8 and 9.

【0046】次に、前記外部電極8、9の表面に、電解
メッキ法を用いてニッケルメッキ層10、更にニッケル
メッキ層10の表面に半田メッキ層11を形成し、図1
に示す積層セラミックコンデンサ1を完成した。
Next, a nickel plating layer 10 was formed on the surfaces of the external electrodes 8 and 9 by electrolytic plating, and a solder plating layer 11 was further formed on the surface of the nickel plating layer 10 as shown in FIG.
Has been completed.

【0047】得られた積層セラミックコンデンサ1を、
20℃(室温)、周波数1KHzにおける誘電率、誘電
正接(tanδ)のバラツキ、及び−55〜+125℃
間の20℃の静電容量に対する変化率を測定し、その結
果を(表2)に、また室温においてDC電圧25Vを印
加したときの絶縁抵抗値(IR)と、加速寿命試験とし
て125℃の温度下で、DC200Vの電圧を250時
間連続印加した後の絶縁抵抗を測定し、IRが1×10
7Ω以下に劣化したものを不良としてカウントし、この
結果を(表2)に示す。(表2)から明らかなように、
本発明による誘電体組成物は初期性能としての誘電率と
誘電正接(tanδ)のバラツキ、絶縁抵抗、静電容量
の温度変化率、加速寿命試験後の絶縁抵抗のいずれも良
好である。
The obtained multilayer ceramic capacitor 1 is
20 ° C. (room temperature), dielectric constant at a frequency of 1 KHz, variation in dielectric loss tangent (tan δ), and −55 to + 125 ° C.
The rate of change with respect to the capacitance at 20 ° C. during the measurement was measured, and the results are shown in (Table 2). The insulation resistance (IR) when a DC voltage of 25 V was applied at room temperature, and the 125 ° C. At a temperature, the insulation resistance after continuously applying a voltage of 200 V DC for 250 hours was measured.
Those degraded to 7 Ω or less were counted as defective, and the results are shown in (Table 2). As is clear from (Table 2),
The dielectric composition according to the present invention has good initial dielectric constant and dielectric tangent (tan δ) variations, insulation resistance, capacitance temperature change rate, and insulation resistance after an accelerated life test.

【0048】[0048]

【表2】 [Table 2]

【0049】ここで、MgOの添加が0.5モルより少
ないと焼結不十分となり、5モルを超えると、積層セラ
ミックコンデンサの静電容量温度変化率が大きくなると
共に、静電容量の経時変化が大きくなる。Dy23
0.1モル未満では静電容量の温度変化率が大きくなる
と共に、静電容量の経時変化率とtanδが大きくなり
3モルを超えると誘電率が2000以下に低下し実用的
でなくなる。従って、DyはDy23に換算して、チタ
ン酸バリウム100モルに対して、0.1〜3.0モル
添加することが望ましい。また、Dy23は、比表面積
が7〜15m2/gのものを用いることにより、分散性
が向上し、上記効果より顕著になる。
Here, if the addition of MgO is less than 0.5 mol, the sintering becomes insufficient, and if it exceeds 5 mol, the capacitance temperature change rate of the multilayer ceramic capacitor becomes large, and the capacitance changes with time. Becomes larger. If Dy 2 O 3 is less than 0.1 mol, the rate of change in capacitance with temperature increases, and the rate of change in capacitance with time and tan δ increase. If it exceeds 3 mol, the dielectric constant drops to 2000 or less, which is practical. No longer. Therefore, it is preferable that Dy is added in an amount of 0.1 to 3.0 mol in terms of Dy 2 O 3 based on 100 mol of barium titanate. In addition, by using Dy 2 O 3 having a specific surface area of 7 to 15 m 2 / g, the dispersibility is improved, and the effect is more remarkable.

【0050】さらにMnO4/3の添加は、TiO2の還元
を防止することができ、中性雰囲気中あるいは還元雰囲
気中で積層体を大量焼成したとしても、絶縁抵抗の劣化
を防ぐと共に静電容量のバラツキを抑制し、均質な焼結
体を得ることができるという効果がある。
Further, the addition of MnO 4/3 can prevent the reduction of TiO 2. Even if the laminate is fired in a large amount in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere, the insulation resistance can be prevented from deteriorating and the static electricity can be prevented. There is an effect that variation in capacity can be suppressed and a homogeneous sintered body can be obtained.

【0051】しかしながらその添加量が0.01モル未
満では焼結体が部分的に半導体化され静電容量のバラツ
キが大きく、また絶縁抵抗値が小さくなり、その結果加
速寿命試験において絶縁抵抗値が大幅に劣化する。ま
た、0.4モルを超えると静電容量の温度変化率、経時
変化率も大きく、また絶縁抵抗の劣化も大きくなる。従
って、MnはMnO4/3に換算して、チタン酸バリウム
100モルに対し、0.01〜0.4モル添加すると有
効である。
However, if the addition amount is less than 0.01 mol, the sintered body is partially converted into a semiconductor, and the variation in capacitance is large, and the insulation resistance value is reduced. As a result, the insulation resistance value in the accelerated life test is reduced. Degrades significantly. On the other hand, if it exceeds 0.4 mol, the rate of change in capacitance with temperature and the rate of change with time will be large, and the deterioration of insulation resistance will also be large. Therefore, it is effective to add 0.01 to 0.4 mol of Mn in terms of MnO 4/3 with respect to 100 mol of barium titanate.

【0052】また、V25の添加はTiO2の還元を抑
制し、絶縁抵抗を高くかつ絶縁抵抗の劣化を防止すると
いう効果を有する。しかしながら、V25添加量が0.
26モルを超えると、静電容量の温度変化率が大きくな
ると共に、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、0.01
モル未満だと絶縁抵抗が低い上に、加速試験において劣
化してしまう。従って、V25の添加量はチタン酸バリ
ウム100モルに対して0.01〜0.26モルが有効
である。
The addition of V 2 O 5 has the effect of suppressing the reduction of TiO 2 , increasing the insulation resistance and preventing the insulation resistance from deteriorating. However, when the added amount of V 2 O 5 is 0.
If it exceeds 26 moles, the rate of change in capacitance with temperature increases, and the insulation resistance deteriorates. Also, 0.01
If the amount is less than the mole, the insulation resistance is low, and the composition deteriorates in an accelerated test. Therefore, the addition amount of V 2 O 5 is from 0.01 to 0.26 mol is valid for 100 moles of barium titanate.

【0053】また、SiO2の添加は、比較的低い温度
の焼成において誘電体層2の焼結を促進し、静電容量、
絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果がある。
Further, the addition of SiO 2 promotes sintering of the dielectric layer 2 in firing at a relatively low temperature, and increases the capacitance,
This has the effect of reducing the variation in insulation resistance.

【0054】しかしながらその添加量は、0.01モル
未満では、十分な焼結体が得られず、静電容量、絶縁抵
抗にバラツキを生じ、実用的でなくなる。また、3.5
モルを超えると焼結性は向上するが誘電率が低下し、静
電容量の温度変化率が大きくなり実用的でない。従って
SiO2はチタン酸バリウム100モルに対して0.0
1〜3.5モルが有効である。
However, if the addition amount is less than 0.01 mol, a sufficient sintered body cannot be obtained, and the capacitance and insulation resistance vary, which is not practical. In addition, 3.5
If the molar ratio is exceeded, the sinterability is improved, but the dielectric constant is reduced, and the temperature change rate of the capacitance is increased, which is not practical. Therefore, SiO 2 is added in an amount of 0.0 with respect to 100 mol of barium titanate.
1-3.5 moles are effective.

【0055】本実施の形態1においては、SiO2を、
BaO・SiO2・Al23系ガラスの形で添加してお
り、ガラスと別に添加している炭酸バリウム量、チタン
酸バリウムに含まれる過剰BaO量(本実施の形態1で
は0)とを合わせて、Ba/Tiモル比が、1.001
〜1.05となるようにしたものである。
In the first embodiment, SiO 2 is
The amount of barium carbonate, which is added in the form of BaO.SiO 2 .Al 2 O 3 glass, and the amount of excess BaO contained in barium titanate (0 in the first embodiment) is added separately from the glass. Together, the molar ratio of Ba / Ti is 1.001.
1.01.05.

【0056】なお、本実施の形態1ではガラスの形態で
添加したが、仮焼合成物あるいは、Si化合物、Al化
合物の形でそれぞれ添加してもかまわない。
In the first embodiment, the metal is added in the form of glass. However, it may be added in the form of a calcined compound, a Si compound, or an Al compound.

【0057】(実施の形態2)以下、実施の形態2を用
いて、本発明の特に請求項11、12に記載の発明につ
いて説明する。
(Embodiment 2) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0058】尚、本実施の形態2の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態1と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。
The manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to the second embodiment is basically the same as that of the first embodiment, and therefore, detailed description is omitted, and the characteristic portions will be described here.

【0059】先ず、(表3)に示すBaTiO3を用意
し、次にこのBaTiO3 100モルに対して、BaC
3を0.2モル、MgOを2.5モル、Dy23
1.0モル、MnO4/3を0.2モル、V25を0.1
5モル、BaO・SiO2系化合物2.1モルを秤量
し、これらの出発原料に純水を加え、部分安定化ジルコ
ニア玉石を媒体としてボールミルで17時間湿式混合粉
砕を行った後、乾燥する。このときの各添加物は実施の
形態1と同様なものを使用した。
First, BaTiO 3 shown in (Table 3) was prepared, and then BaC was added to 100 moles of BaTiO 3.
O 3 0.2 mol, MgO 2.5 mol, 1.0 mol Dy 2 O 3, the MnO 4/3 0.2 mole, V 2 O 5 0.1
5 mol and 2.1 mol of a BaO.SiO 2 compound are weighed, pure water is added to these starting materials, and the mixture is wet-mixed and pulverized for 17 hours by a ball mill using partially stabilized zirconia balls as a medium, and then dried. At this time, the same additives as in Embodiment 1 were used.

【0060】[0060]

【表3】 [Table 3]

【0061】次に、この混合材料を用いて実施の形態1
と同様にして図1に示す積層セラミックコンデンサを作
製した。
Next, Embodiment 1 is performed using this mixed material.
The multilayer ceramic capacitor shown in FIG.

【0062】次いで、この積層セラミックコンデンサの
20℃(室温)、周波数1KHzにおける静電容量から
計算される誘電率、誘電正接(tanδ)、及び−55
〜+125℃間の20℃の静電容量に対する変化率を測
定し、その結果を(表4)に示した。また初期の絶縁抵
抗値(IR)と、加速寿命試験として125℃の温度下
で、DC200Vの電圧を250時間連続印加した後の
絶縁抵抗値を測定し、絶縁抵抗値IRが1×107Ω以
下に劣化したものを不良としてカウントし(表4)に示
した。
Next, the dielectric constant, dielectric loss tangent (tan δ), and −55 calculated from the capacitance of this multilayer ceramic capacitor at 20 ° C. (room temperature) and a frequency of 1 KHz.
The rate of change of the capacitance between 20 ° C. and + 125 ° C. was measured, and the results are shown in (Table 4). The initial insulation resistance (IR) and the insulation resistance after continuous application of a voltage of 200 V DC for 250 hours at 125 ° C. as an accelerated life test were measured, and the insulation resistance IR was 1 × 10 7 Ω. In the following, those that deteriorated were counted as defectives and are shown in Table 4.

【0063】[0063]

【表4】 [Table 4]

【0064】(表4)から明らかなように、本発明によ
る誘電体組成物は初期性能として誘電率が2000以上
と高く、静電容量バラツキも±5%以内と小さく、更に
静電容量の変化率が±15%以下と小さく、絶縁抵抗も
1×1012Ωと高く、劣化は認められない。これに対
し、BaTiO3中のBaO/TiO2のモル比が1.0
00より小さいと十分な絶縁抵抗が得られず、静電容量
変化率も大きく好ましくない。
As can be seen from Table 4, the dielectric composition according to the present invention has a high initial dielectric constant of 2000 or more, a small variation in capacitance of ± 5% or less, and a change in capacitance. The rate is as small as ± 15% or less, the insulation resistance is as high as 1 × 10 12 Ω, and no deterioration is observed. In contrast, the molar ratio of BaO / TiO 2 in BaTiO 3 is 1.0
If it is smaller than 00, sufficient insulation resistance cannot be obtained, and the rate of change in capacitance is large, which is not preferable.

【0065】さらに、比表面積が2m2/gより小さい
と十分な焼結体は得られず、5m2/gを超えると、誘
電率が下がり、温度変化率が大きくなってしまう。従っ
て、チタン酸バリウムの比表面積は2〜5m2/gの範
囲が有効である。
Further, if the specific surface area is smaller than 2 m 2 / g, a sufficient sintered body cannot be obtained, and if it exceeds 5 m 2 / g, the dielectric constant decreases and the temperature change rate increases. Therefore, the specific surface area of barium titanate is effectively in the range of 2 to 5 m 2 / g.

【0066】また、X線回折角2θが40〜50°にお
ける(002)面と(200)面のピークが分かれてい
ないものは、容量温度変化率が大きくなり実用的ではな
い。従ってX線回折角2θが40〜50°における(0
02)面と(200)面のピークが分かれているチタン
酸バリウムが有効である。
When the peak of the (002) plane and the peak of the (200) plane at an X-ray diffraction angle 2θ of 40 to 50 ° are not separated, the rate of change in capacitance with temperature is large, which is not practical. Therefore, when the X-ray diffraction angle 2θ is 40 to 50 °, (0
Barium titanate in which the peaks of the (02) plane and the (200) plane are separated is effective.

【0067】(実施の形態3)以下、実施の形態3を用
いて、本発明の特に請求項3、7、16に記載の発明に
ついて説明する。
Third Embodiment The third embodiment of the present invention will be described below with reference to the third embodiment.

【0068】尚、本実施の形態3の積層セラミックコン
デンサとその製造方法は、基本的に実施の形態1と同じ
構成であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴と
する部分について説明する。
Since the multilayer ceramic capacitor of the third embodiment and the method of manufacturing the same are basically the same as those of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted, and only the characteristic portions will be described. .

【0069】先ず、本発明の誘電体組成物はBaTiO
3 100モルに対しBaCO3を0.2モル、MgOを
2.5モル、MnO2を0.2モル、BaO・SiO2
化合物2.1モルを添加した。これに更に(表5)に示
す量のDy23、Ho23をそれぞれ秤量する。このと
き、実施の形態1と同様に調整されたBaTiO3を用
いた。
First, the dielectric composition of the present invention is made of BaTiO.
3 100 mol 0.2 mol of BaCO 3 to, MgO 2.5 mol, and the MnO 2 was added 0.2 mole, BaO · SiO 2 type compound 2.1 mol. Further, the amounts of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 shown in (Table 5) are weighed respectively. At this time, BaTiO 3 adjusted in the same manner as in Embodiment 1 was used.

【0070】[0070]

【表5】 [Table 5]

【0071】次いで、実施の形態1と同条件で材料粉末
を作製した後、誘電体層2の厚みは焼成後3μmとなる
ようにした。
Next, after preparing the material powder under the same conditions as in the first embodiment, the thickness of the dielectric layer 2 was set to 3 μm after firing.

【0072】その後、得られた積層セラミックコンデン
サの電気特性を実施の形態1と同様に評価した。但し、
加速寿命試験の印加電圧は、64Vとした。この結果を
(表6)に示した。
Thereafter, the electrical characteristics of the obtained multilayer ceramic capacitor were evaluated in the same manner as in the first embodiment. However,
The voltage applied in the accelerated life test was 64V. The results are shown in (Table 6).

【0073】[0073]

【表6】 [Table 6]

【0074】(表6)に示すように、Dy/(Dy+H
o)モル比が0.3〜0.9になるようにDy23とH
23を合わせて0.1〜3.0モル添加することで、
誘電体の厚みを5μm以下に薄膜化しても、絶縁抵抗の
劣化がなく高い絶縁抵抗を有し、静電容量の温度変化率
の小さい積層セラミックコンデンサが得られる。
As shown in Table 6, Dy / (Dy + H
o) Dy 2 O 3 and H so that the molar ratio is 0.3 to 0.9.
By adding 0.1 to 3.0 mol of o 2 O 3 in total,
Even when the thickness of the dielectric is reduced to 5 μm or less, a multilayer ceramic capacitor having high insulation resistance without deterioration of insulation resistance and a small rate of temperature change of capacitance can be obtained.

【0075】即ち、Dyは絶縁抵抗の劣化を防止する効
果を有するが、誘電体層2を薄層化すると静電容量の温
度特性が悪化する傾向にある。しかし、Hoを誘電体磁
器組成物に添加することにより、温度特性を向上させる
効果を有し、DyとHoの両方を添加することにより、
誘電体層2を薄層化したとしても静電容量の温度特性が
良好で、絶縁抵抗の高い積層セラミックコンデンサが得
られる。
That is, although Dy has the effect of preventing the insulation resistance from deteriorating, when the dielectric layer 2 is made thinner, the temperature characteristic of the capacitance tends to deteriorate. However, by adding Ho to the dielectric porcelain composition, it has the effect of improving the temperature characteristics, and by adding both Dy and Ho,
Even if the dielectric layer 2 is made thin, a multilayer ceramic capacitor having good temperature characteristics of capacitance and high insulation resistance can be obtained.

【0076】このとき、Dy/(Dy+Ho)モル比が
0.3未満では寿命特性の劣化を早めてしまい、0.9
を超えると静電容量の温度変化率が大きくなってしま
い、実用的に好ましくない。
At this time, if the Dy / (Dy + Ho) molar ratio is less than 0.3, the deterioration of the life characteristics is accelerated, and
If it exceeds, the temperature change rate of the capacitance increases, which is not practically preferable.

【0077】また、Dy23とHo23の合計添加量
が、0.1モル未満では静電容量の温度変化率が大きく
なると共に、静電容量の経時変化率とtanδが大きく
なり3モルを超えると誘電率が2000以下に低下し、
実用的に好ましくない。
If the total amount of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 is less than 0.1 mol, the rate of change of capacitance with temperature increases, and the rate of change of capacitance with time and tan δ also increase. If it exceeds 3 moles, the dielectric constant drops to 2000 or less,
Not practically preferable.

【0078】従って、Dy23とHo23の合計添加量
がチタン酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0
モル添加することが有効である。
Therefore, the total added amount of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 is 0.1 to 3.0 with respect to 100 mol of barium titanate.
It is effective to add it in molar.

【0079】なお、Dy23、Ho23とも比表面積が
7〜15m2/gであり、球状形状でかつ凝集粒子の少
ないものを用いることにより、分散性が向上し、上記効
果が顕著になる。
The specific surface area of each of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 is 7 to 15 m 2 / g, and the use of spherical and few agglomerated particles improves dispersibility. Become noticeable.

【0080】(実施の形態4)以下、実施の形態4を用
いて、本発明の特に請求項18、19に記載の発明につ
いて説明する。
(Embodiment 4) Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0081】尚、本実施の形態4の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態1と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。
The manufacturing method of the monolithic ceramic capacitor according to the fourth embodiment is basically the same as that of the first embodiment. Therefore, detailed description is omitted, and the characteristic portions will be described here.

【0082】先ず、本発明の誘電体組成物はBaTiO
3 100モルに対し、MnO2を0.2モル、MgOを
2.5モル添加し、Dy23・Al23、Dy23・S
iO 2混合物、およびHo23・Al23、Ho23
SiO2を、(表7)、(表8)に示す量を添加した。
また、さらにBa/Tiモル比は、1.03になるよう
にBaCO3を添加し、Siはトータル2.1モルにな
るように添加し、Dy2 3・SiO2、あるいは、Dy2
3・SiO2とHo23・SiO2を合わせて、Siが
2.1モルに満たない分はSiO2として補正添加し
た。また、Alも同様に、トータル2.1モルとなるよ
うにし、2.1モルに満たない場合はAl23として補
正添加した。
First, the dielectric composition of the present invention is made of BaTiO.
Three MnO per 100 molesTwo0.2 mol, MgO
Add 2.5 mol, DyTwoOThree・ AlTwoOThree, DyTwoOThree・ S
iO TwoMixture, and HoTwoOThree・ AlTwoOThree, HoTwoOThree
SiOTwoWas added in the amounts shown in (Table 7) and (Table 8).
Further, the Ba / Ti molar ratio is set to be 1.03.
To BaCOThreeAnd the total amount of Si is 2.1 mol.
DyTwoO Three・ SiOTwoOr DyTwo
OThree・ SiOTwoAnd HoTwoOThree・ SiOTwoTogether,
Less than 2.1 moles of SiOTwoAs correction added
Was. Similarly, Al is also 2.1 mol in total.
If less than 2.1 mol, AlTwoOThreeAs supplement
Positive addition.

【0083】[0083]

【表7】 [Table 7]

【0084】[0084]

【表8】 [Table 8]

【0085】次いで、実施の形態1と同条件で材料粉末
を作製した後、誘電体層2の厚みは焼成後3μmとなる
ようにした以外は、実施の形態1と同様にして積層セラ
ミックコンデンサを作製した。
Next, after a material powder was produced under the same conditions as in the first embodiment, the laminated ceramic capacitor was manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the thickness of the dielectric layer 2 was 3 μm after firing. Produced.

【0086】その後、実施の形態1と同様に得られた積
層セラミックコンデンサを評価した。但し、加速寿命試
験の印加電圧は、64Vとした。そのときの結果を(表
9)、(表10)に示した。
Thereafter, the multilayer ceramic capacitor obtained in the same manner as in the first embodiment was evaluated. However, the voltage applied in the accelerated life test was 64V. The results at that time are shown in (Table 9) and (Table 10).

【0087】[0087]

【表9】 [Table 9]

【0088】[0088]

【表10】 [Table 10]

【0089】(表9)、(表10)に示すように、Dy
23・Al23、Dy23・SiO 2混合物を合わせ
て、0.1〜3.0モル添加することで、誘電体の厚み
を5μm以下に薄膜化しても、高い絶縁抵抗と絶縁抵抗
の劣化がなく、静電容量の温度変化率の小さい積層セラ
ミックコンデンサが得られる。
As shown in (Table 9) and (Table 10), Dy
TwoOThree・ AlTwoOThree, DyTwoOThree・ SiO TwoCombine the mixture
The thickness of the dielectric by adding 0.1 to 3.0 moles.
High insulation resistance and insulation resistance even when the thickness is reduced to 5 μm or less.
Multilayer ceramic with low temperature change rate of capacitance without deterioration
A mic capacitor is obtained.

【0090】また、Dy/(Dy+Ho)モル比が0.
3〜0.9になるようにDy23・SiO2、Dy23
・Al23、Ho23・SiO2、Ho23・Al
23、Ho 23とを合わせて0.1〜3.0モル添加す
ることで、誘電体の厚みを5μm以下に薄膜化しても、
それぞれ単独で添加した場合に比較し、容量温度特性が
向上し、高い絶縁抵抗を維持し、信頼性の高い積層セラ
ミックコンデンサが得られる。
Further, the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.1.
Dy to be 3 to 0.9TwoOThree・ SiOTwo, DyTwoOThree
・ AlTwoOThree, HoTwoOThree・ SiOTwo, HoTwoOThree・ Al
TwoOThree, Ho TwoOThree0.1 to 3.0 moles in total
By doing so, even if the thickness of the dielectric is reduced to 5 μm or less,
Compared to the case of adding each alone, the capacity-temperature characteristics
Improve and maintain high insulation resistance, reliable multilayer ceramic
A mic capacitor is obtained.

【0091】何故ならば、Dy23・SiO2、Dy2
3・Al23、Ho23・SiO2、Ho23・Al23
は、粒子形状を非常に小さく作製することが可能であ
り、誘電体材料中での分散性が向上し、焼結状態がより
均一となるためである。
The reason is that Dy 2 O 3 .SiO 2 , Dy 2 O
3 · Al 2 O 3 , Ho 2 O 3 · SiO 2 , Ho 2 O 3 · Al 2 O 3
The reason for this is that the particle shape can be made very small, the dispersibility in the dielectric material is improved, and the sintered state becomes more uniform.

【0092】しかしながら、Dy23・SiO2、Dy2
3・Al23、Ho23・SiO2、Ho23・Al2
3は、それぞれ単独酸化物で添加した時と同様、チタ
ン酸バリウム100モルに対し、(Dy23・Si
2、Dy23・Al23)あるいは(Dy23・Si
2、Dy23・Al23)と(Ho23・SiO2、H
23・Al23)合わせて0.1モル未満では静電容
量の温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変
化率とtanδが大きくなり3モルを超えると誘電率が
2000以下に低下し実用的でなくなる。
However, Dy 2 O 3 .SiO 2 , Dy 2
O 3 · Al 2 O 3 , Ho 2 O 3 · SiO 2 , Ho 2 O 3 · Al 2
O 3 was added to (Dy 2 O 3 .Si
O 2 , Dy 2 O 3 .Al 2 O 3 ) or (Dy 2 O 3 .Si
O 2 , Dy 2 O 3 .Al 2 O 3 ) and (Ho 2 O 3 .SiO 2 , H
o 2 O 3 .Al 2 O 3 ) When the total amount is less than 0.1 mol, the temperature change rate of the capacitance increases, and the temporal change rate and tan δ of the capacitance increase. It is lowered to 2000 or less and is not practical.

【0093】従って、(Dy23・SiO2、Dy23
・Al23)あるいは(Dy23・SiO2、Dy23
・Al23)と(Ho23・SiO2、Ho23・Al2
3)合わせた添加量がチタン酸バリウム100モルに
対して0.1〜3.0モル添加することが有効である。
さらには、これらのDy混合物とHo混合物を合わせて
添加する場合は、添加比率はDy/(Dy+Ho)モル
比が0.3未満では寿命特性の劣化を早めてしまい、
0.9を超えると静電容量温度変化率が大きくなってし
まい、実用的ではなくなってしまう。
Therefore, (Dy 2 O 3 .SiO 2 , Dy 2 O 3
・ Al 2 O 3 ) or (Dy 2 O 3 .SiO 2 , Dy 2 O 3
· Al 2 O 3 ) and (Ho 2 O 3 · SiO 2 , Ho 2 O 3 · Al 2
O 3 ) It is effective to add 0.1 to 3.0 mol of the combined amount to 100 mol of barium titanate.
Furthermore, when these Dy mixture and Ho mixture are added together, if the addition ratio is Dy / (Dy + Ho) molar ratio less than 0.3, the deterioration of the life characteristics is accelerated,
If it exceeds 0.9, the temperature change rate of the capacitance becomes large, which is not practical.

【0094】従って、(Dy23・SiO2、Dy23
・Al23)と(Ho23・SiO2、Ho23・Al2
3)とを添加する場合は、その添加比率はDy/(D
y+Ho)モル比が0.3〜0.9の範囲となるように
添加することが有効である。なお、Dy23・Si
2、Dy23・Al23、Ho23・SiO2、Ho2
3・Al23とも比表面積が10〜40m2/gであ
り、分散性の良好な微粒子のものを用いることにより効
果はより顕著になる。
Therefore, (Dy 2 O 3 .SiO 2 , Dy 2 O 3
· Al 2 O 3 ) and (Ho 2 O 3 · SiO 2 , Ho 2 O 3 · Al 2
When O 3 ) is added, the addition ratio is Dy / (D
(y + Ho) It is effective to add such that the molar ratio is in the range of 0.3 to 0.9. Note that Dy 2 O 3 .Si
O 2 , Dy 2 O 3 .Al 2 O 3 , Ho 2 O 3 .SiO 2 , Ho 2
Both O 3 and Al 2 O 3 have a specific surface area of 10 to 40 m 2 / g, and the effect becomes more remarkable by using fine particles having good dispersibility.

【0095】(実施の形態5)以下、実施の形態5を用
いて、本発明の特に請求項13に記載の発明について説
明する。
(Embodiment 5) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to Embodiment 5.

【0096】尚、本実施の形態5の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態1と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。
The manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to the fifth embodiment has basically the same configuration as that of the first embodiment, and therefore detailed description is omitted, and the characteristic portions will be described here.

【0097】まず、チタン酸バリウム100モルに対
し、BaCO3を0.2モル、MnO4 /3を0.2モル、
BaO・SiO2系ガラスを2.1モル、Dy23、H
23をDy/(Dy+Ho)のモル比が0.75にな
るように、Dy23とHo23を合わせて1モルを添加
しさらに、気相法により合成したMg(OH)2を(表
11)に示す量を添加した。
[0097] First, with respect to 100 mol of barium titanate, BaCO 3 0.2 mol of MnO 4/3 0.2 mol,
2.1 mol of BaO · SiO 2 type glass, Dy 2 O 3, H
1 mol of Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 was added to o 2 O 3 so that the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) became 0.75, and Mg (OH) synthesized by a gas phase method was further added. 2 ) was added in the amounts shown in (Table 11).

【0098】[0098]

【表11】 [Table 11]

【0099】次いで、誘電体層2の厚みが3μmとなる
ようにした以外は実施の形態1と同条件で積層セラミッ
クコンデンサ1を作製した。
Next, a multilayer ceramic capacitor 1 was manufactured under the same conditions as in Embodiment 1 except that the thickness of the dielectric layer 2 was 3 μm.

【0100】その後、実施の形態1と同様に得られた積
層セラミックコンデンサを評価した。但し、加速寿命試
験の印加電圧は、64Vとした。そのときの結果を(表
12)に示した。
Thereafter, the multilayer ceramic capacitor obtained in the same manner as in the first embodiment was evaluated. However, the voltage applied in the accelerated life test was 64V. The results at that time are shown in (Table 12).

【0101】[0101]

【表12】 [Table 12]

【0102】(表12)に示すように、Mg化合物とし
てMg(OH)2を用いることにより、MgOを用いた
場合と比較すると、さらに容量温度特性が向上し、絶縁
抵抗の劣化防止にも効果がある。何故なら気相法により
合成したMg(OH)2は、その粒子形状が球状でかつ
凝集体を形成しにくいので、誘電体中の分散性が向上す
るからである。
As shown in Table 12, by using Mg (OH) 2 as the Mg compound, the capacitance-temperature characteristics are further improved as compared with the case using MgO, and the effect of preventing the deterioration of the insulation resistance is also obtained. There is. The reason is that Mg (OH) 2 synthesized by a gas phase method has a spherical particle shape and is hard to form an aggregate, so that the dispersibility in the dielectric is improved.

【0103】従って誘電体層2の厚みを5μm以下に薄
層化しても、絶縁抵抗の劣化がなく高い絶縁抵抗を有
し、静電容量の温度変化率の小さい積層セラミックコン
デンサが得られる。
Therefore, even when the thickness of the dielectric layer 2 is reduced to 5 μm or less, a multilayer ceramic capacitor having a high insulation resistance without deterioration of the insulation resistance and a small temperature change rate of the capacitance can be obtained.

【0104】しかしながら、MgOと同様にMg(O
H)2添加量がチタン酸バリウム100モルに対して
0.5モル未満では焼結しない。また、5.0モルを超
えると、静電容量の温度変化率が大きくなってしまう。
従って、0.5〜5.0モルの範囲が有効である。
However, like MgO, Mg (O
H) If the amount of 2 added is less than 0.5 mol per 100 mol of barium titanate, sintering will not be performed. If it exceeds 5.0 mol, the rate of change in capacitance with temperature increases.
Therefore, the range of 0.5 to 5.0 mol is effective.

【0105】(実施の形態6)以下、実施の形態6を用
いて、本発明の特に請求項2、4、6、8、14、1
5、17に記載の発明について説明する。
(Embodiment 6) Hereinafter, the present invention will be described with reference to Embodiments 6, 4, 6, 8, 14, and 1.
The inventions described in 5, 17 will be described.

【0106】尚、本実施の形態6の誘電体磁器組成物と
これを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法は、
基本的に実施の形態2と同じ構成であるので、詳細な説
明は省略し、ここでは特徴とする部分について説明す
る。
The dielectric ceramic composition of the sixth embodiment and a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor using the same are as follows.
Since the configuration is basically the same as that of the second embodiment, a detailed description will be omitted, and a characteristic portion will be described here.

【0107】まず、実施の形態2で用いたチタン酸バリ
ウム100モルに対して、BaCO 3を0.2モル、M
gOを2.5モル、Dy23を1.0モル、MnO2
0.2モル、BaO・SiO2系化合物2.1モルを添
加したもの、また同BaTiO3に対してBaCO3
0.2モル、MgOを2.5モル、MnO2を0.2モ
ル、BaO・SiO2系化合物を2.1モル、Dy23
とHo23の比率が、Dy/(Dy+Ho)とあらわし
たとき、0.45となるようにDy23とHo23を合
わせて1.5モル添加し、仮焼後の粉砕時にさらに(表
13)に示す量のAl 23をそれぞれの組成に添加し
た。
First, the flash of titanate used in the second embodiment was used.
Per 100 moles of BaCO Three0.2 mol, M
2.5 mol of gO, DyTwoOThree1.0 mol, MnOTwoTo
0.2 mol, BaO.SiOTwo2.1 mol of compound
And the same BaTiOThreeAgainst BaCOThreeTo
0.2 mol, 2.5 mol of MgO, MnOTwo0.2 m
, BaO ・ SiOTwo2.1 mol of a compound based on DyTwoOThree
And HoTwoOThreeIs expressed as Dy / (Dy + Ho).
Dy so that it becomes 0.45TwoOThreeAnd HoTwoOThreeTogether
1.5 mol in total, and further pulverized after calcination (Table
13) The amount of Al shown in 13) TwoOThreeIs added to each composition
Was.

【0108】[0108]

【表13】 [Table 13]

【0109】次いで、実施の形態1と同様にして積層セ
ラミックコンデンサを作製した。その後、実施の形態1
と同様に得られた積層セラミックコンデンサを評価し、
その結果を(表14)に示した。
Next, a multilayer ceramic capacitor was manufactured in the same manner as in the first embodiment. Then, the first embodiment
Evaluate the obtained multilayer ceramic capacitor in the same way as
The results are shown in (Table 14).

【0110】[0110]

【表14】 [Table 14]

【0111】本発明の誘電体磁器組成物は2次相を発生
しやすいものである。2次相が形成されると積層セラミ
ックコンデンサの機械強度が劣化してしまう恐れがあ
る。しかしながら、(表14)に示すように、Al23
をさらに添加することにより、2次相の生成を抑制する
ことができ、特性を悪化させることなく機械的強度を向
上させることができる。
The dielectric porcelain composition of the present invention is liable to generate a secondary phase. When the secondary phase is formed, the mechanical strength of the multilayer ceramic capacitor may be deteriorated. However, as shown in (Table 14), Al 2 O 3
Is added, the formation of the secondary phase can be suppressed, and the mechanical strength can be improved without deteriorating the characteristics.

【0112】Al23の添加量が3.0モルを超える
と、静電容量の温度変化率と誘電損失が大きくなり、
0.1モル未満だと添加効果は顕著に表れない。
When the addition amount of Al 2 O 3 exceeds 3.0 mol, the temperature change rate of the capacitance and the dielectric loss increase,
If the amount is less than 0.1 mol, the effect of addition is not remarkably exhibited.

【0113】なお、このAl23は他の出発原料を仮焼
した後に添加した。他の出発原料と同様、最初に添加し
てもかまわないのであるが、仮焼後に添加することによ
りさらに静電容量の温度特性を向上させることができ
る。
Note that this Al 2 O 3 was added after calcining other starting materials. Like other starting materials, they may be added first, but if added after calcination, the temperature characteristics of capacitance can be further improved.

【0114】以上の結果から、本発明のBaTiO3
主成分とし、これにBaO、MgO、Dy23、MnO
2、SiO2、V25を添加することにより、還元性雰囲
気での大量焼成において、誘電体の還元を防止し絶縁抵
抗性能を向上させ、またAl 23を添加することにより
焼結体の表面に副成分の発生を抑制した積層セラミック
コンデンサが得られる、さらにはDy23の一部をHo
23に代えたり、Dy 23・SiO2、Dy23・Al2
3、Ho23・SiO2、Ho23・Al23に置き換
えたり、MgOをMg(OH)2に置き換えることによ
りさらに容量温度特性、絶縁抵抗に優れた積層セラミッ
クコンデンサが得られる。
From the above results, the BaTiO of the present invention wasThreeTo
The main component, which contains BaO, MgO, DyTwoOThree, MnO
Two, SiOTwo, VTwoOFive, Reducing atmosphere by adding
In mass firing with air, prevent dielectric reduction and prevent insulation
Improves anti-performance and also improves Al TwoOThreeBy adding
Multi-layer ceramic with suppressed generation of sub-components on the surface of sintered body
Capacitors are obtained, and DyTwoOThreePart of Ho
TwoOThreeOr Dy TwoOThree・ SiOTwo, DyTwoOThree・ AlTwo
OThree, HoTwoOThree・ SiOTwo, HoTwoOThree・ AlTwoOThreeReplace with
Or MgO to Mg (OH)TwoBy replacing
In addition, multilayer ceramics with excellent capacitance temperature characteristics and insulation resistance
A capacitor is obtained.

【0115】[0115]

【発明の効果】以上本発明によれば、内部電極にNi等
の卑金属を用いて焼成し、外部電極にCu等の卑金属を
用いて焼き付けしても、誘電体層が還元されず、優れた
絶縁抵抗特性を有する誘電体磁器組成物とこれを用いた
積層セラミックコンデンサとその製造方法が得られる。
As described above, according to the present invention, even when the internal electrode is baked using a base metal such as Ni and the external electrode is baked using a base metal such as Cu, the dielectric layer is not reduced, and the excellent performance is obtained. A dielectric ceramic composition having insulation resistance characteristics, a multilayer ceramic capacitor using the same, and a method of manufacturing the same are obtained.

【0116】また、膜厚5μm以下の誘電体層を形成し
ても、絶縁抵抗が高くて、静電容量のバラツキの小さ
い、さらに、温度特性が良好で経時変化率の小さい信頼
性に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
Even when a dielectric layer having a thickness of 5 μm or less is formed, the insulation resistance is high, the variation in capacitance is small, and the temperature characteristics are good and the reliability with a small rate of change over time is excellent. A multilayer ceramic capacitor is obtained.

【0117】尚、本発明は、積層セラミックコンデンサ
の外部電極に銀などの貴金属を用いて形成した場合にお
いても同様に優れた電気特性を有するものである。
It should be noted that the present invention also has excellent electrical characteristics when the external electrodes of the multilayer ceramic capacitor are formed using a noble metal such as silver.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における積層セラミック
コンデンサの断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来例の積層セラミックコンデンサの断面図FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional multilayer ceramic capacitor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 積層セラミックコンデンサ 2 誘電体層 3,4 内部電極 5 積層体 6,7 対向する両面 8,9 外部電極 10 ニッケルメッキ層 11 半田メッキ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multilayer ceramic capacitor 2 Dielectric layer 3,4 Internal electrode 5 Laminated body 6,7 Opposite both sides 8,9 External electrode 10 Nickel plating layer 11 Solder plating layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/12 364 H01G 4/30 301C 5G303 4/30 301 301E H05K 3/46 T H05K 3/46 H B28B 11/00 Z (72)発明者 小林 恵治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 倉光 秀紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4G031 AA03 AA06 AA07 AA11 AA13 AA19 AA29 AA30 BA09 GA02 4G055 AA08 AC09 BA22 BA29 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AE04 AJ01 AJ02 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC35 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG46 FG54 GG10 GG11 GG28 JJ06 JJ23 KK01 LL01 MM24 PP03 PP08 PP10 5E346 AA12 AA13 AA15 AA33 AA36 CC17 CC21 CC32 CC37 DD13 DD24 EE24 EE27 EE29 GG04 GG08 GG14 GG24 GG26 GG28 HH08 5G303 AA01 AB01 AB06 AB11 BA12 CA01 CB01 CB03 CB17 CB18 CB30 CB35 CB36 CB41 CB43──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 4/12 364 H01G 4/30 301C 5G303 4/30 301 301E H05K 3/46 T H05K 3/46 H B28B 11/00 Z (72) Inventor Keiji Kobayashi 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Kurumitsu 1006 Okadoma Kazuma Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 4G031 AA03 AA06 AA07 AA11 AA13 AA19 AA29 AA30 BA09 GA02 4G055 AA08 AC09 BA22 BA29 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AE04 AJ01 AJ02 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC35 EE04 EE11 GG23 GG01 GG23 5E346 AA12 AA13 AA15 AA33 AA36 CC17 CC21 CC32 CC37 DD13 DD24 EE24 EE27 EE29 GG04 GG08 GG14 GG2 4 GG26 GG28 HH08 5G303 AA01 AB01 AB06 AB11 BA12 CA01 CB01 CB03 CB17 CB18 CB30 CB35 CB36 CB41 CB43

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主成分チタン酸バリウム100モルに対
し、副成分として少なくともMgをMgOに換算して
0.5〜5.0モル、DyをDy23に換算して0.1
〜3.0モル、MnをMnO4/3に換算して0.01〜
0.4モル、VをV25に換算して0.01〜0.26
モル、SiをSiO2に換算して0.01〜3.5モル
添加し、前記チタン酸バリウムのBa/Tiのモル比は
1.001〜1.05モルとした誘電体磁器組成物。
At least 0.5 to 5.0 mol of Mg as a sub-component and 0.1 to 0.1 mol of Dy as Dy 2 O 3 as subcomponents relative to 100 mol of barium titanate as a main component.
~ 3.0 mol, Mn converted to MnO 4/3 , 0.01 ~
0.4 mol, V is converted to V 2 O 5 and 0.01 to 0.26
A dielectric porcelain composition wherein 0.01 to 3.5 moles of Si, in terms of SiO 2, are added, and the Ba / Ti mole ratio of the barium titanate is 1.001 to 1.05 mole.
【請求項2】 AlをAl23に換算して、チタン酸バ
リウム100モルに対して、さらに0.01〜3.0モ
ル添加した請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
2. The dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein Al is converted to Al 2 O 3 and 0.01 to 3.0 mol is further added to 100 mol of barium titanate.
【請求項3】 Dyに代えて、Dy/(Dy+Ho)の
モル比が、0.3〜0.9となるDyとHoとを、それ
ぞれDy23、Ho23に換算した合計で主成分チタン
酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0モル添加
した請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
3. A total of Dy and Ho in which the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9 instead of Dy, converted into Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively. The dielectric porcelain composition according to claim 1, wherein 0.1 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate as a main component.
【請求項4】 Dyに代えて、Dy/(Dy+Ho)の
モル比が0.3〜0.9となるDyとHoとを、それぞ
れDy23、Ho23に換算した合計で主成分チタン酸
バリウム100モルに対して0.1〜3.0モル添加
し、かつAlをAl23に換算して、チタン酸バリウム
100モルに対して、さらに0.01〜3.0モル添加
した請求項1に記載の誘電体磁気組成物。
4. A method in which Dy and Ho having a molar ratio of Dy / (Dy + Ho) of 0.3 to 0.9 are converted to Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively, in place of Dy. The component is added in an amount of 0.1 to 3.0 mol based on 100 mol of barium titanate, and Al is converted to Al 2 O 3. Further , 0.01 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate. The dielectric magnetic composition according to claim 1, which is added.
【請求項5】 誘電体層と卑金属を用いて作製した内部
電極とを交互に積層した積層体と、この積層体の前記内
部電極の露出した端面に設けた外部電極とを備え、前記
誘電体層は、主成分チタン酸バリウム100モルに対
し、副成分として少なくともMgをMgOに換算して
0.5〜5.0モル、DyをDy23に換算して0.1
〜3.0モル、MnをMnO4/3に換算して0.01〜
0.4モル、VをV25に換算して、0.01〜0.2
6モル、SiをSiO2に換算して0.01〜3.5モ
ル添加して形成したものであり、前記主成分チタン酸バ
リウムのBa/Tiのモル比は1.001〜1.05モ
ルとした積層セラミックコンデンサ。
5. A laminate comprising: a laminate in which dielectric layers and internal electrodes made of a base metal are alternately laminated; and an external electrode provided on an exposed end face of the internal electrode of the laminate. The layer is composed of at least 0.5 to 5.0 mol of Mg as MgO and 0.1 mol of Dy as Dy 2 O 3 as sub-components with respect to 100 mol of barium titanate as a main component.
~ 3.0 mol, Mn converted to MnO 4/3 , 0.01 ~
0.4 mol, V is converted to V 2 O 5 and 0.01 to 0.2
It is formed by adding 6 mol and 0.01 to 3.5 mol of Si in terms of SiO 2 , and the molar ratio of Ba / Ti of the main component barium titanate is 1.001 to 1.05 mol. And multilayer ceramic capacitors.
【請求項6】 チタン酸バリウムに対して、さらに、A
lをAl23に換算して、0.01〜3.0モル添加し
た誘電体層からなる請求項5に記載の積層セラミックコ
ンデンサ。
6. The barium titanate further comprises A
in terms of l to Al 2 O 3, the laminated ceramic capacitor according to claim 5 consisting of 0.01 to 3.0 mol per mol of the dielectric layer.
【請求項7】 Dyに代えて、DyとHoとをDy/
(Dy+Ho)のモル比が0.3〜0.9となるよう
に、それぞれDy23、Ho23に換算して合計で主成
分チタン酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0
モル添加した請求項5に記載の積層セラミックコンデン
サ。
7. Dy and Ho are replaced by Dy / Ho instead of Dy.
Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively, so that the molar ratio of (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9, and the total is 0.1 to 3 based on 100 mol of the main component barium titanate. .0
The multilayer ceramic capacitor according to claim 5, which is added in a molar amount.
【請求項8】 Dyに代えて、Dy/(Dy+Ho)の
モル比が0.3〜0.9となるDyとHoとを、それぞ
れDy23、Ho23に換算した合計で主成分チタン酸
バリウム100モルに対して0.1〜3.0モル添加
し、かつAlをAl23に換算して、チタン酸バリウム
100モルに対して、さらに0.01〜3.0モル添加
した請求項5に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. The total of Dy and Ho in which the molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9 instead of Dy, converted to Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively. The component is added in an amount of 0.1 to 3.0 mol based on 100 mol of barium titanate, and Al is converted to Al 2 O 3. Further , 0.01 to 3.0 mol is added to 100 mol of barium titanate. The multilayer ceramic capacitor according to claim 5, wherein the capacitor is added.
【請求項9】 誘電体層と卑金属を用いて作製した内部
電極とを交互に積層した積層体の前記内部電極の露出し
た端面に外部電極を設けたコンデンサの製造方法におい
て、セラミックシートを作製する第1工程と、次にこの
セラミックシートと卑金属を主成分とする内部電極とを
交互に積層した積層体を作製する第2工程と、次いで前
記積層体を焼成する第3工程と、その後前記積層体の前
記内部電極の露出した端面に外部電極を形成する第4工
程を備え、前記誘電体層は、主成分チタン酸バリウム1
00モルに対し、副成分として少なくともMgをMgO
に換算して0.5〜5.0モル、DyをDy23に換算
して0.1〜3.0モル、MnをMnO4/3に換算して
0.01〜0.4モル、VをV25に換算して、0.0
1〜0.26モル、SiをSiO2に換算して0.01
〜3.5モル添加して形成したものであり、前記主成分
チタン酸バリウムのBa/Tiのモル比は1.001〜
1.05モルの誘電体材料を用いる積層セラミックコン
デンサの製造方法。
9. A method for manufacturing a capacitor in which an external electrode is provided on an exposed end face of an internal electrode of a laminate obtained by alternately laminating dielectric layers and internal electrodes manufactured using a base metal, wherein a ceramic sheet is manufactured. A first step, a second step of forming a laminate in which the ceramic sheets and the internal electrodes containing a base metal as a main component are alternately laminated, and a third step of firing the laminate, and then the lamination A fourth step of forming an external electrode on an exposed end face of the internal electrode of the body, wherein the dielectric layer comprises barium titanate 1 as a main component.
At least Mg is added as MgO
0.01 to 0.4 mole of 0.5 to 5.0 mol in terms, from 0.1 to 3.0 mol in terms of Dy to Dy 2 O 3, and Mn in terms of MnO 4/3 to , V converted to V 2 O 5 ,
1 to 0.26 mol, 0.01 of Si converted to SiO 2
To 3.5 mol, and the main component barium titanate has a Ba / Ti molar ratio of 1.001 to
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor using 1.05 mol of a dielectric material.
【請求項10】 外部電極をCuを主成分とする金属を
用いて形成する請求項9に記載の積層セラミックコンデ
ンサの製造方法。
10. The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein the external electrodes are formed using a metal containing Cu as a main component.
【請求項11】 比表面積が2〜5m2/gであるチタ
ン酸バリウムを用いる請求項9に記載の積層セラミック
コンデンサの製造方法。
11. The method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein barium titanate having a specific surface area of 2 to 5 m 2 / g is used.
【請求項12】 X線回折チャートにおいて、回折角2
θ 45°における(200)面の回折線と(002)
面の回折線のピークが2つに分かれているチタン酸バリ
ウムを用いる請求項9に記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法。
12. In the X-ray diffraction chart, a diffraction angle of 2
Diffraction line of (200) plane at θ 45 ° and (002)
The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein barium titanate having a surface diffraction line peak divided into two is used.
【請求項13】 MgOに代えて、Mg(OH)2
0.5〜5.0モル添加する請求項9に記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法。
13. The method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein 0.5 to 5.0 mol of Mg (OH) 2 is added instead of MgO.
【請求項14】 第1工程でAl化合物をAl23に変
換してチタン酸バリウム100モルに対して、さらに
0.1〜3.0モル添加する請求項9に記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法。
14. The multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein the Al compound is converted to Al 2 O 3 in the first step, and 0.1 to 3.0 mol is further added to 100 mol of barium titanate. Production method.
【請求項15】 Al化合物を他の誘電体材料の仮焼後
に添加する請求項9に記載の積層セラミックコンデンサ
の製造方法。
15. The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein the Al compound is added after calcining another dielectric material.
【請求項16】 Dyに代えて、DyとHoとをDy/
(Dy+Ho)のモル比が0.3〜0.9となるよう
に、それぞれDy23、Ho23に換算して合計で主成
分チタン酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0
モル添加する請求項9に記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法。
16. Dy and Ho are replaced by Dy / Ho instead of Dy.
Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively, so that the molar ratio of (Dy + Ho) is 0.3 to 0.9, and the total is 0.1 to 3 based on 100 mol of the main component barium titanate. .0
The method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein a molar amount is added.
【請求項17】 Dyに代えて、Dy/(Dy+Ho)
のモル比が0.3〜0.9となるDyとHoとを、それ
ぞれDy23、Ho23に換算した合計で主成分チタン
酸バリウム100モルに対して0.1〜3.0モル添加
し、かつAlをAl23に換算して、チタン酸バリウム
100モルに対して、さらに0.01〜3.0モル添加
した請求項9に記載の積層セラミックコンデンサの製造
方法。
17. Dy / (Dy + Ho) instead of Dy
Are converted into Dy 2 O 3 and Ho 2 O 3 , respectively, in a total of 0.1 to 3.0 mol per 100 mol of barium titanate. 0 mole added, and in terms of Al to Al 2 O 3, the method of production of a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, with respect to 100 moles of barium titanate, and further 0.01 to 3.0 mol per mol.
【請求項18】 Dy23、SiO2、Al23の各単
独成分に代えて、Dy23・SiO2、Dy23・Al2
3の形にしてあらかじめ混合された混合物を合わせて
0.1〜3.0モル添加する請求項9に記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法。
18. Dy 2 O 3, instead of the single components of SiO 2, Al 2 O 3, Dy 2 O 3 · SiO 2, Dy 2 O 3 · Al 2
The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein a total of 0.1 to 3.0 mol of a mixture previously mixed in the form of O 3 is added.
【請求項19】 Dy23、Ho23、SiO2、Al2
3の各単独成分に代えて、Dy23・SiO2、Dy2
3・Al23、Ho23・SiO2、Ho23・Al2
3の形にしてあらかじめ混合された混合物を合わせ
て、DyとHoとをDy/(Dy+Ho)のモル比が
0.3〜0.9となるように0.1〜3.0モル添加す
る請求項9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方
法。
19. Dy 2 O 3 , Ho 2 O 3 , SiO 2 , Al 2
Instead of the single components of O 3, Dy 2 O 3 · SiO 2, Dy 2
O 3 · Al 2 O 3 , Ho 2 O 3 · SiO 2 , Ho 2 O 3 · Al 2
In the form of O 3 combined premixed mixture, and Dy and Ho molar ratio of Dy / (Dy + Ho) is 0.1 to 3.0 mol added to a 0.3 to 0.9 A method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor according to claim 9.
【請求項20】 第3工程の降温過程または第3工程と
第4工程の間に誘電体層を再酸化する工程を設ける請求
項9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
20. The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to claim 9, wherein a step of reoxidizing the dielectric layer is provided between the third step and the temperature decreasing step of the third step or between the third step and the fourth step.
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