JP2001351941A - Mosfetデバイス上のフリップクリップアタッチおよび銅クリップアタッチ - Google Patents
Mosfetデバイス上のフリップクリップアタッチおよび銅クリップアタッチInfo
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Abstract
ードフレームへの直接取付けおよび一組のリードのバン
プ付きダイへのクリップを用いた取り付けを包含するそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】チップデバイスを作製する方法であって、
この方法は、複数のハンダバンプを有するバンプ付きダ
イを提供する工程と、ソースおよびゲート接続を備える
リードフレームを提供する工程と、このハンダバンプが
このソースおよびゲート接続と接触するように、このリ
ードフレーム上にこのバンプ付きダイを配置する工程
と、銅クリップを提供する工程と、この銅クリップがこ
のバンプ付きダイのドレイン領域およびリードレールと
接触するように、ハンダペーストを用いてこの銅クリッ
プをこのバンプ付きダイの裏面に取付ける工程と、この
ハンダペーストおよびこのハンダバンプをリフローイン
グする工程と、包含する。
Description
よびその製造方法に関する。より詳細には、チップデバ
イス、ならびにバンプ付きダイのリードフレームへの直
接取付けおよび一組のリードのバンプ付きダイへのクリ
ップを用いた取り付けを包含するその製造方法に関す
る。
に、電源MOSFETデバイスは、オン状態の抵抗の下
限を押し続ける。シリコン技術がここ十年間で顕著に発
達してきたが、数十年来の本質的に同じパッケージ技術
が主要なパッケージング手段として続いている。アルミ
ニウムまたは金ワイヤ相互接続とともにエポキシまたは
ハンダ付けされたダイアタッチは、なお好ましい電源デ
バイスパッケージ方法論である。
イを低抵抗ハンダ接続によって直接リード線に接続する
ことにより製造され、そしてパッケージングされてき
た。デバイスの導電体および第1のリードフレームを接
続するために第2のリードフレーム素子およびハンダを
使用することで、直接接続が可能となった。さらに、第
2のリードフレームのサイズおよび形状は、チップデバ
イスに適合し、その電気抵抗および熱抵抗を最小限にす
るように調整され得る。
なされる場合、接着剤の使用によって制御することが難
しく、ゲート接合の完全な接触を妨害し得る樹脂のたれ
が起こる。銀が充填された接着剤がソースおよびドレイ
ン接続に使用される場合、接着剤は選択的に流動しない
ので、得られたデバイスは概して、ゲートまたはドレイ
ン内でのソースのショートがより起こりやすくなる。さ
らに、接着剤は概して、ハンダと比較して劣った導電率
を有する。
続するために使用されてきた。概して、このような装置
を用いて、ダイの60%を超える領域が、下部に着剤を
有する銅ストラップにより占められている。このこと
は、内部アセンブリをしっかりと保持するために利用さ
れる成形プラスチックがより少ないことを意味する。接
着剤のためにより大きな領域が割当てられるので、これ
はまた、チップデバイスのボイド形成についての機会が
増えることを意味する。
な製造プロセスは、ダイの裏面をエポキシで取り付ける
工程を包含する。概して、このような接着剤は、ハンダ
と比較して劣った熱伝導率および導電率を有する。
プデバイス、ならびにバンプ付きダイのリードフレーム
への直接取付けおよび一組のリードのバンプ付きダイへ
のクリップを用いた取り付けを包含するその製造方法を
提供することである。
スを作製する方法を提供し、この方法は、複数のハンダ
バンプを有するバンプ付きダイを提供する工程と、ソー
スおよびゲート接続を備えるリードフレームを提供する
工程と、このハンダバンプがこのソースおよびゲート接
続と接触するように、このリードフレーム上にこのバン
プ付きダイを配置する工程と、銅クリップを提供する工
程と、この銅クリップがこのバンプ付きダイのドレイン
領域およびリードレールと接触するように、ハンダペー
ストを用いてこの銅クリップをこのバンプ付きダイの裏
面に取付ける工程と、このハンダペーストおよびこのハ
ンダバンプをリフローイングする工程と、包含する。
プを取付ける工程の前に、上記ハンダペーストが上記バ
ンプ付きダイの裏面に配置される。
プを取付ける工程の前に、上記ハンダペーストが上記銅
クリップに配置される。
プを取付ける工程の前に、上記ハンダバンプがリフロー
イングされる。
備えるリードフレームと、上面にハンダバンプを備える
バンプ付きダイであって、このハンダバンプがこのソー
スおよびゲート接続に接触するようにこのリードフレー
ムに取付けられている、バンプ付きダイと、銅クリップ
がこのバンプ付きダイのドレイン領域およびリードレー
ルと接触するように、このバンプ付きダイの裏面に取付
けられた銅クリップと、を備えた、チップデバイスを提
供する。
プが、ハンダペーストを用いて上記バンプ付きダイに取
付けられる。
を提供する。ここで、バンプ付きダイ上に複数のハンダ
バンプを含むバンプ付きダイが提供され、ソース接続お
よびゲート接続を含むリードフレームもまた提供され
る。バンプ付きダイは、ハンダバンプがソース接続およ
びゲート接続と接触するように、リードフレーム上に配
置される。複数のリードを有するリードレールは、銅ク
リップとともに提供される。銅クリップは、ハンダペー
ストによってバンプ付きダイの裏面に取付けられ、それ
により銅クリップがバンプ付きダイのドレイン領域とリ
ードレールとを接触させ、さらにエッジに沿ってリード
レールに取り付けられる。
ストは、銅クリップを取付ける前にバンプ付きダイの裏
面に配置される。
ーストは、銅クリップを取付ける前に銅クリップ上に配
置される。
バンプは、銅クリップを取付ける前にリフローイングさ
れる。
スおよびそのチップデバイスを製造する方法を提供す
る。このプロセスは、ワイヤーボンディングをまったく
必要としない。なぜなら、ハンダリフローイング中、ド
レイン接続が銅クリップ上に直接ハンダ付けされ、一方
ソースバンプおよびゲートバンプがリードフレームに直
接接続されるからである。得られるゲート接続は、ゲー
トワイヤーボンディングプロセスによって製造されたゲ
ート接続と較べてより信頼性がある。さらに、ハンダ
は、ソース接続およびゲート接続の両方に用いられ、そ
のため、ぬれがハンダ付け可能な金属でのみ生じ得る。
これにより両方の接続がぬれのない領域で絶縁されてい
るため、ゲートをショートさせる可能性を低くする。さ
らに、ハンダ合金は、接着剤に較べてより良好な導電性
を有し、チップデバイスのRDSon性能を低下させ
る。
照して以下に見られる好適な例示的実施形態の詳細な説
明を読み、理解することによって理解される。図面中、
同様の参照符号は同様の要素を表す。
イス10を示す。チップデバイスは、複数のリード12
を含むリードフレーム11、および複数のリード14を
含む別個のリードレール13を含む。バンプ付きダイ1
5は、リードフレームに取付けられる。クリップ16
は、バンプ付きダイの裏面に配置され、そこに取付けら
れる。さらに、チップのエッジ17が、リードレールの
v字溝18内に配置される。
15は、複数のハンダバンプ20を含み、好ましくはダ
イの上部表面上のダイのソース領域21上に列状に並べ
られる。ハンダバンプ22はまた、ダイのゲート領域2
3上に配置され、このゲート領域23もまたダイの上部
表面上にある。
ットとして提供される。
ムであり、当該分野ではこのワンピースアイテムを「バ
ンプ付きダイ」と呼ぶ場合が多い。図2に示され得るよ
うに、バンプ付きダイは、ダイ15、ダイの上部表面と
ハンダバンプ22との間の中間層26として機能する
「アンダーバンプ材料」、およびハンダバンプ自身を含
む。好ましくは、アンダーバンプ材料は、TiW、C
u、Au、または均等物のいずれかである。図2に示さ
れる例では、アンダーバンプ材料は、3つの層(Cuめ
っき26a、スパッタされたCu 26b、およびスパ
ッタされたTi 26c)に分かれている。
11に分配された状態のリードフレーム11を示す。フ
ラックスは、例えば、マルチニードル分配ノズルを用い
るスタンピング、または当該分野で公知の任意の他の適
切な方法によって分配され得る。
ーム11にフリップチップ取付けされ、すなわちバンプ
付きダイは、鋸状テープからリードフレーム上へと「ひ
っくり返される」。バンプ付きダイは、ゲートハンダバ
ンプ22がリードフレーム上のゲート接続領域23と接
触し、一方ソースハンダバンプ20がリードフレーム上
のソース接続21と接触するようにリードフレーム上に
配置される。
裏面およびリードレール13内の細長いv字溝18に分
配される。クリップ16(好ましくは銅からなるクリッ
プ)は、ダイの裏面から(好ましくはリール状に)供給
され、ダイの裏面に選択して配置され、それにより銅ク
リップのエッジ17が細長いv字溝内に配置される。従
って、クリップは、(チップの裏面に配置される)チッ
プのドレイン領域と接触し、これらのドレイン領域をリ
ードレールのリード14に接続する。
イスの製造工程中、チップをバンプ付きダイの裏面およ
びリードレールに接続した後、バンプ付きダイ上のハン
ダバンプおよびダイの裏面上のハンダペーストの1回目
のリフローイングが行われる。別の実施形態において、
バンプ付きダイをリードフレームにフリップチップ取付
けした後、ハンダバンプがリフローイングされ得、次い
で、第2のリフローイングが、銅クリップをダイの裏面
に配置した後に行われる。
イスおよびそのチップデバイスを製造するための簡単な
方法を提供する。製造プロセスは、ワイヤーボンディン
グをまったく必要としない。なぜなら、ハンダリフロー
イング中、ドレイン接続が銅クリップ上に直接ハンダ付
けされ、一方ソースバンプおよびゲートバンプがリード
フレームに直接接続されるからである。得られるゲート
接続は、ゲートワイヤーボンディングプロセスによって
製造されたゲート接続と較べてより信頼性がある。さら
に、ハンダは、ソース接続およびドレイン接続の両方に
用いられ、そのため、ぬれがハンダ付け可能な金属での
み生じ得る。これにより両方の接続がぬれのない領域で
絶縁されているため、ゲートをショートさせる可能性を
低くする。さらに、ハンダ合金は、接着剤に較べてより
良好な導電性を有し、チップデバイスのRDSon性能
を低下させる。
ーム、ハンダバンプがソースおよびゲート接続に接触す
るようにリードフレームに取り付けられた上面上にある
ハンダバンプを含むバンプ付きダイ、および銅クリップ
がバンプ付きダイのドレイン領域およびリードレールに
接触するようにバンプ付きダイの裏面に取り付けられた
銅クリップを備えるチップデバイス。このチップデバイ
スは、バンプ付きダイをリードフレーム上へひっくり返
してチッピングし、トレンチダイの裏面がリードレール
に取り付けられるようにトレンチダイの裏面に銅チップ
を配置することで作製される。このプロセスは、バンプ
付きダイ上のハンダバンプ、および銅クリップとバンプ
付きダイの裏面との間に配置されたハンダペーストをリ
フローイングする工程を包含する。
て記載されてきたが、添付の特許請求の範囲内ですべて
の改変例および均等物を網羅するように意図されている
ことが理解される。
びにバンプ付きダイのリードフレームへの直接取付けお
よび一組のリードのバンプ付きダイへのクリップを用い
た取り付けを包含するその製造方法が提供される。
である。
ある。
るための、フラックスがリードフレーム上に分配された
状態のリードフレームの斜視図である。
るためのバンプ付きダイおよびリードフレームの分解図
である。
びリードフレームの斜視図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 チップデバイスを作製する方法であっ
て、該方法が以下、 複数のハンダバンプを有するバンプ付きダイを提供する
工程と、 ソースおよびゲート接続を備えるリードフレームを提供
する工程と、 該ハンダバンプが該ソースおよびゲート接続と接触する
ように、該リードフレーム上に該バンプ付きダイを配置
する工程と、 銅クリップを提供する工程と、 該銅クリップが該バンプ付きダイのドレイン領域および
リードレールと接触するように、ハンダペーストを用い
て該銅クリップを該バンプ付きダイの裏面に取り付ける
工程と、 該ハンダペーストおよび該ハンダバンプをリフローイン
グする工程と、を包含する、方法。 - 【請求項2】 前記銅クリップを取り付ける工程の前
に、前記ハンダペーストが前記バンプ付きダイの裏面に
配置される、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記銅クリップを取り付ける工程の前
に、前記ハンダペーストが前記銅クリップに配置され
る、請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】 前記銅クリップを取り付ける工程の前
に、前記ハンダバンプがリフローイングされる、請求項
1に記載の方法。 - 【請求項5】 ソースおよびゲート接続を備えるリード
フレームと、 上面にハンダバンプを備えるバンプ付きダイであって、
該ハンダバンプが該ソースおよびゲート接続に接触する
ように該リードフレームに取り付けられている、バンプ
付きダイと、 銅クリップが該バンプ付きダイのドレイン領域およびリ
ードレールと接触するように、該バンプ付きダイの裏面
に取り付けられた銅クリップと、を備えた、チップデバ
イス。 - 【請求項6】 前記銅クリップが、ハンダペーストを用
いて前記バンプ付きダイに取り付けられる、請求項5に
記載のチップデバイス。
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