JP2001339956A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
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- JP2001339956A JP2001339956A JP2000155568A JP2000155568A JP2001339956A JP 2001339956 A JP2001339956 A JP 2001339956A JP 2000155568 A JP2000155568 A JP 2000155568A JP 2000155568 A JP2000155568 A JP 2000155568A JP 2001339956 A JP2001339956 A JP 2001339956A
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- JP
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- circuit
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- diode
- capacitor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】入力電流の高調波歪を低減するとともに出力電
流波形を略一定として波高率を改善する。 【解決手段】制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰは、
ダイオードＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してInput
端子に入力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力交流
電圧Ｖinとの同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部でス
イッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交
流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作
周波数を高くするような周波数変調制御をプログラムに
従って実行している。その結果、リップル変動の少ない
略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善するこ
とができる。
流波形を略一定として波高率を改善する。 【解決手段】制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰは、
ダイオードＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してInput
端子に入力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力交流
電圧Ｖinとの同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部でス
イッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交
流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作
周波数を高くするような周波数変調制御をプログラムに
従って実行している。その結果、リップル変動の少ない
略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ回路を
用いて負荷に高周波電力を供給する電源装置に関するも
のである。
用いて負荷に高周波電力を供給する電源装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、交流電源を整流し平滑して得
た直流電源を、スイッチング素子をオン・オフさせると
ともに、インダクタンス要素、キャパシタンス要素並び
に負荷等の共振動作によって高周波の交流出力に変換す
るインバータ回路を用いた電源装置が知られている。こ
の種の電源装置では、交流電源からの入力電流の高調波
歪を改善することが要求されている。例えば、昇圧チョ
ッパ回路等のＤＣ−ＤＣコンバータを用いて入力電流の
高調波歪を改善しながら、インバータ回路に交流電源電
圧よりも昇圧され且つ安定した直流電源を供給するよう
にしたものがある。しかしながら、このような回路構成
では昇圧チョッパ回路等のＤＣ−ＤＣコンバータとイン
バータ回路の２種類の回路が電源装置に必要となり、こ
のために電源装置が大型化し、コストアップを招くとい
う欠点があった。
た直流電源を、スイッチング素子をオン・オフさせると
ともに、インダクタンス要素、キャパシタンス要素並び
に負荷等の共振動作によって高周波の交流出力に変換す
るインバータ回路を用いた電源装置が知られている。こ
の種の電源装置では、交流電源からの入力電流の高調波
歪を改善することが要求されている。例えば、昇圧チョ
ッパ回路等のＤＣ−ＤＣコンバータを用いて入力電流の
高調波歪を改善しながら、インバータ回路に交流電源電
圧よりも昇圧され且つ安定した直流電源を供給するよう
にしたものがある。しかしながら、このような回路構成
では昇圧チョッパ回路等のＤＣ−ＤＣコンバータとイン
バータ回路の２種類の回路が電源装置に必要となり、こ
のために電源装置が大型化し、コストアップを招くとい
う欠点があった。
【０００３】そこで、ＤＣ−ＤＣコンバータとインバー
タ回路を１つの回路にした複合化回路によって入力電流
の高調波歪を改善するようにした電源装置が提供されて
いる。例えば、図１７に示すような電源装置（以下、従
来例１という）がある。この電源装置は、スイッチング
素子Ｑ１，Ｑ２が交互にオンオフを繰り返すことにより
負荷である放電灯Ｌａ１を高周波点灯させるハーフブリ
ッジ型のインバータ回路ＩＮＶを備えたものであり、交
流電源ＥにコンデンサＣ１、チョークＬ１，Ｌ２からな
るフィルター回路Ｆを介してダイオードブリッジからな
る整流回路ＤＢを接続し、この整流回路ＤＢの直流出力
端にインバータ回路ＩＮＶを接続している。インバータ
回路ＩＮＶは整流回路ＤＢの対の直流出力端間にコンデ
ンサＣ２を接続するとともに、ＦＥＴからなるスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路を、ダイオードＤ１と、
ダイオードＤ２及びコンデンサＣ５からなる並列回路と
の直列回路を介して接続し、ダイオードＤ１とダイオー
ドＤ２との接続点とスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の接続
点との間に共振用チョークＬ３、２次巻線Ｎ２に蛍光灯
のような放電灯Ｌａ１及び共振用コンデンサＣ３が接続
されたトランスＴ１からなる共振回路を直流阻止用のコ
ンデンサＣ４を介して接続して構成される。
タ回路を１つの回路にした複合化回路によって入力電流
の高調波歪を改善するようにした電源装置が提供されて
いる。例えば、図１７に示すような電源装置（以下、従
来例１という）がある。この電源装置は、スイッチング
素子Ｑ１，Ｑ２が交互にオンオフを繰り返すことにより
負荷である放電灯Ｌａ１を高周波点灯させるハーフブリ
ッジ型のインバータ回路ＩＮＶを備えたものであり、交
流電源ＥにコンデンサＣ１、チョークＬ１，Ｌ２からな
るフィルター回路Ｆを介してダイオードブリッジからな
る整流回路ＤＢを接続し、この整流回路ＤＢの直流出力
端にインバータ回路ＩＮＶを接続している。インバータ
回路ＩＮＶは整流回路ＤＢの対の直流出力端間にコンデ
ンサＣ２を接続するとともに、ＦＥＴからなるスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路を、ダイオードＤ１と、
ダイオードＤ２及びコンデンサＣ５からなる並列回路と
の直列回路を介して接続し、ダイオードＤ１とダイオー
ドＤ２との接続点とスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の接続
点との間に共振用チョークＬ３、２次巻線Ｎ２に蛍光灯
のような放電灯Ｌａ１及び共振用コンデンサＣ３が接続
されたトランスＴ１からなる共振回路を直流阻止用のコ
ンデンサＣ４を介して接続して構成される。
【０００４】スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路に
は平滑コンデンサＣ６が並列に接続されている。両スイ
ッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、発振制御用のアナログ集積
回路ＩＣを主構成とする制御部ＣＮ’から出力される固
定周波数の駆動信号がドライバ回路ＤＲＶを介してゲー
トに与えられることで交互にオン・オフ駆動される。
は平滑コンデンサＣ６が並列に接続されている。両スイ
ッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、発振制御用のアナログ集積
回路ＩＣを主構成とする制御部ＣＮ’から出力される固
定周波数の駆動信号がドライバ回路ＤＲＶを介してゲー
トに与えられることで交互にオン・オフ駆動される。
【０００５】ところで、共振用チョークＬ３と共振用コ
ンデンサＣ３のみの共振周波数ｆ０１は下式で表され
る。
ンデンサＣ３のみの共振周波数ｆ０１は下式で表され
る。
【０００６】ｆ０１＝１／｛２π×（Ｌ３×Ｃ
３）1/2｝ しかしながら図１７に示す従来例では、スイッチング素
子Ｑ２とコンデンサＣ４との間に入力力率改善のために
コンデンサＣ５とダイオードＤ２の並列回路が挿入さ
れ、整流回路ＤＢとダイオードＤ２との間にダイオード
Ｄ１が挿入されているため、共振周波数ｆ０２は下式の
ようになる。
３）1/2｝ しかしながら図１７に示す従来例では、スイッチング素
子Ｑ２とコンデンサＣ４との間に入力力率改善のために
コンデンサＣ５とダイオードＤ２の並列回路が挿入さ
れ、整流回路ＤＢとダイオードＤ２との間にダイオード
Ｄ１が挿入されているため、共振周波数ｆ０２は下式の
ようになる。
【０００７】ｆ０２＝１／〔２π×｛Ｌ３×Ｃ３×Ｃ５
／（Ｃ３＋Ｃ５）｝1/2｝〕 ここで、コンデンサＣ５にダイオードＤ２が並列接続さ
れているため、このダイオードＤ２には交流電源Ｅから
の入力交流電圧に応じたリップルの電圧が印可され、入
力交流電圧のリップルに応じてコンデンサＣ５の充放電
が決定し、入力交流電圧の谷部と山部において共振周波
数が上記ｆ０１〜ｆ０２の間で変化する。而して、上記
従来例１ではアナログ集積回路ＩＣを主構成とする制御
部ＣＮ’が固定の周波数で両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ
２をスイッチングさせているため、出力電流（ランプ電
流）Ｉｌａが図１８に示すような波形、すなわち入力交
流電圧の山部で低下し、谷部でピークＩop1となるリッ
プル成分の大きな波形となる。このような波形を有する
出力電流Ｉｌａは、波高率（＝Ｉop1／Ｉｌａrms）の高
い波形となってしまう。
／（Ｃ３＋Ｃ５）｝1/2｝〕 ここで、コンデンサＣ５にダイオードＤ２が並列接続さ
れているため、このダイオードＤ２には交流電源Ｅから
の入力交流電圧に応じたリップルの電圧が印可され、入
力交流電圧のリップルに応じてコンデンサＣ５の充放電
が決定し、入力交流電圧の谷部と山部において共振周波
数が上記ｆ０１〜ｆ０２の間で変化する。而して、上記
従来例１ではアナログ集積回路ＩＣを主構成とする制御
部ＣＮ’が固定の周波数で両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ
２をスイッチングさせているため、出力電流（ランプ電
流）Ｉｌａが図１８に示すような波形、すなわち入力交
流電圧の山部で低下し、谷部でピークＩop1となるリッ
プル成分の大きな波形となる。このような波形を有する
出力電流Ｉｌａは、波高率（＝Ｉop1／Ｉｌａrms）の高
い波形となってしまう。
【０００８】そこで、上述のような出力電流Ｉｌａのリ
ップル成分を低減した電源装置として、図１９に示すよ
うな回路構成のものが、特開平４−１９３０６５号、特
開平５−５６６５９号並びに特開平８−１４９８４５号
の各公報に開示されている（以下、従来例２という）。
図１９に示す従来例２の電源装置は、従来例１における
平滑コンデンサＣ６の代わりに降圧チョッパ回路ＣＨを
用いたものであり、降圧チョッパ回路ＣＨによって出力
電流Ｉｌａの波形が入力交流電圧の山部および谷部でピ
ークＩop1，Ｉop3，…となるような波形に改善するもの
である。
ップル成分を低減した電源装置として、図１９に示すよ
うな回路構成のものが、特開平４−１９３０６５号、特
開平５−５６６５９号並びに特開平８−１４９８４５号
の各公報に開示されている（以下、従来例２という）。
図１９に示す従来例２の電源装置は、従来例１における
平滑コンデンサＣ６の代わりに降圧チョッパ回路ＣＨを
用いたものであり、降圧チョッパ回路ＣＨによって出力
電流Ｉｌａの波形が入力交流電圧の山部および谷部でピ
ークＩop1，Ｉop3，…となるような波形に改善するもの
である。
【０００９】ハイサイドのスイッチング素子Ｑ１には、
降圧チョッパ回路ＣＨを構成する降圧チョッパ用チョー
クＬ４、平滑コンデンサＣ６の直列回路をダイオードＤ
３を介して並列接続してある。またローサイドのスイッ
チング素子Ｑ２には、ダイオードＤ３を介してダイオー
ドＤ４を逆並列接続してあり、このダイオードＤ４が平
滑コンデンサＣ６の放電用ダイオードを構成する。そし
て降圧チョッパ用チョークＬ４、コンデンサＣ３、ダイ
オードＤ４の直列回路には小容量のコンデンサＣ８を並
列接続してある。
降圧チョッパ回路ＣＨを構成する降圧チョッパ用チョー
クＬ４、平滑コンデンサＣ６の直列回路をダイオードＤ
３を介して並列接続してある。またローサイドのスイッ
チング素子Ｑ２には、ダイオードＤ３を介してダイオー
ドＤ４を逆並列接続してあり、このダイオードＤ４が平
滑コンデンサＣ６の放電用ダイオードを構成する。そし
て降圧チョッパ用チョークＬ４、コンデンサＣ３、ダイ
オードＤ４の直列回路には小容量のコンデンサＣ８を並
列接続してある。
【００１０】この回路ではスイッチング素子Ｑ１がドラ
イバ回路ＤＲＶから出力される駆動信号によりオン駆動
されると、コンデンサＣ８の放電電流がコンデンサＣ８
→スイッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→トラン
スＴ１および放電灯Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並
列回路→コンデンサＣ４→コンデンサＣ５→コンデンサ
Ｃ８の経路で流れ、コンデンサＣ５を充電する。
イバ回路ＤＲＶから出力される駆動信号によりオン駆動
されると、コンデンサＣ８の放電電流がコンデンサＣ８
→スイッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→トラン
スＴ１および放電灯Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並
列回路→コンデンサＣ４→コンデンサＣ５→コンデンサ
Ｃ８の経路で流れ、コンデンサＣ５を充電する。
【００１１】このコンデンサＣ５の両端電圧と、コンデ
ンサＣ８の両端電圧と整流回路ＤＢの出力電圧との差と
が略等しくなると、続いて入力電流が交流電源Ｅ→フィ
ルター回路Ｆ→整流回路ＤＢ→スイッチング素子Ｑ１→
共振用チョークＬ３→トランスＴ１および放電灯Ｌａ１
と共振用コンデンサＣ３の並列回路→コンデンサＣ４→
ダイオードＤ１→整流回路ＤＢ→フィルター回路Ｆ→交
流電源Ｅの経路で流れる。
ンサＣ８の両端電圧と整流回路ＤＢの出力電圧との差と
が略等しくなると、続いて入力電流が交流電源Ｅ→フィ
ルター回路Ｆ→整流回路ＤＢ→スイッチング素子Ｑ１→
共振用チョークＬ３→トランスＴ１および放電灯Ｌａ１
と共振用コンデンサＣ３の並列回路→コンデンサＣ４→
ダイオードＤ１→整流回路ＤＢ→フィルター回路Ｆ→交
流電源Ｅの経路で流れる。
【００１２】そしてスイッチング素子Ｑ２がドライバ回
路ＤＲＶから出力される駆動信号によりオン駆動される
と、交流電源ＥからコンデンサＣ８への充電電流が、交
流電源Ｅ→フィルター回路Ｆ→整流回路ＤＢ→コンデン
サＣ８→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオード→共振
用チョークＬ３→トランスＴ１→コンデンサＣ４→ダイ
オードＤ１→整流回路ＤＢ→フィルター回路Ｆ→交流電
源Ｅの経路で流れる。
路ＤＲＶから出力される駆動信号によりオン駆動される
と、交流電源ＥからコンデンサＣ８への充電電流が、交
流電源Ｅ→フィルター回路Ｆ→整流回路ＤＢ→コンデン
サＣ８→スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオード→共振
用チョークＬ３→トランスＴ１→コンデンサＣ４→ダイ
オードＤ１→整流回路ＤＢ→フィルター回路Ｆ→交流電
源Ｅの経路で流れる。
【００１３】やがて共振電流が反転すると、共振用チョ
ークＬ３→スイッチング素子Ｑ２→コンデンサＣ５→コ
ンデンサＣ４→トランスＴ１および放電灯Ｌａ１と共振
用コンデンサＣ３の並列回路→共振用チョークＬ３の経
路で電流が流れ、この時コンデンサＣ５の電荷を放出す
る。
ークＬ３→スイッチング素子Ｑ２→コンデンサＣ５→コ
ンデンサＣ４→トランスＴ１および放電灯Ｌａ１と共振
用コンデンサＣ３の並列回路→共振用チョークＬ３の経
路で電流が流れ、この時コンデンサＣ５の電荷を放出す
る。
【００１４】続いて、スイッチング素子Ｑ１がオン駆動
されると、回生電流が共振用チョークＬ３→スイッチン
グ素子Ｑ１の寄生ダイオード→コンデンサＣ８→ダイオ
ードＤ２→コンデンサＣ４→トランスＴ１および放電灯
Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並列回路→共振用チョ
ークＬ３の経路で流れ、やがて共振電流が反転して、上
述のようにコンデンサＣ８の放電電流がコンデンサＣ８
→スイッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→トラン
スＴ１および放電灯Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並
列回路→コンデンサＣ４→コンデンサＣ５→コンデンサ
Ｃ８の経路で流れる。
されると、回生電流が共振用チョークＬ３→スイッチン
グ素子Ｑ１の寄生ダイオード→コンデンサＣ８→ダイオ
ードＤ２→コンデンサＣ４→トランスＴ１および放電灯
Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並列回路→共振用チョ
ークＬ３の経路で流れ、やがて共振電流が反転して、上
述のようにコンデンサＣ８の放電電流がコンデンサＣ８
→スイッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→トラン
スＴ１および放電灯Ｌａ１と共振用コンデンサＣ３の並
列回路→コンデンサＣ４→コンデンサＣ５→コンデンサ
Ｃ８の経路で流れる。
【００１５】このような動作を繰り返すことにより、放
電灯Ｌａ１に高周波の電力を供給して安定点灯させるの
である。
電灯Ｌａ１に高周波の電力を供給して安定点灯させるの
である。
【００１６】ここで平滑コンデンサＣ６の両端電圧がコ
ンデンサＣ８の両端電圧より低いとき、つまり交流電源
Ｅからの入力交流電圧のピーク付近において、スイッチ
ング素子Ｑ２がオンの時にコンデンサＣ８→降圧チョッ
パ用チョークＬ４→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ
３→スイッチング素子Ｑ２→コンデンサＣ８の経路によ
りコンデンサＣ８から放電電流が流れ、この時のコンデ
ンサＣ８の放電電流によりスイッチング素子Ｑ２を介し
て平滑コンデンサＣ６が充電される。続いてスイッチン
グ素子Ｑ１がオン駆動されると、回生電流が降圧チョッ
パ用チョークＬ４→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ
３→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオード→降圧チョ
ッパ用チョークＬ４の経路で流れる。
ンデンサＣ８の両端電圧より低いとき、つまり交流電源
Ｅからの入力交流電圧のピーク付近において、スイッチ
ング素子Ｑ２がオンの時にコンデンサＣ８→降圧チョッ
パ用チョークＬ４→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ
３→スイッチング素子Ｑ２→コンデンサＣ８の経路によ
りコンデンサＣ８から放電電流が流れ、この時のコンデ
ンサＣ８の放電電流によりスイッチング素子Ｑ２を介し
て平滑コンデンサＣ６が充電される。続いてスイッチン
グ素子Ｑ１がオン駆動されると、回生電流が降圧チョッ
パ用チョークＬ４→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ
３→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオード→降圧チョ
ッパ用チョークＬ４の経路で流れる。
【００１７】また平滑コンデンサＣ６の両端電圧がコン
デンサＣ８の両端電圧よりも高いとき、つまり交流電源
Ｅからの入力交流電圧のゼロクロス付近において、平滑
コンデンサＣ６→降圧チョッパ用チョークＬ４→コンデ
ンサＣ８→ダイオードＤ４→平滑コンデンサＣ６の経路
で平滑コンデンサＣ６が放電する。従って平滑コンデン
サＣ６の電荷は一度コンデンサＣ８に蓄えられ、コンデ
ンサＣ８から負荷回路へ供給されることになる。
デンサＣ８の両端電圧よりも高いとき、つまり交流電源
Ｅからの入力交流電圧のゼロクロス付近において、平滑
コンデンサＣ６→降圧チョッパ用チョークＬ４→コンデ
ンサＣ８→ダイオードＤ４→平滑コンデンサＣ６の経路
で平滑コンデンサＣ６が放電する。従って平滑コンデン
サＣ６の電荷は一度コンデンサＣ８に蓄えられ、コンデ
ンサＣ８から負荷回路へ供給されることになる。
【００１８】図２０は上記従来例２の出力電流Ｉｌａの
波形を表しており、上述のような動作によって交流電源
Ｅからの入力交流電圧Ｖinのゼロクロス付近（谷部）に
おいても出力電流ＩｌａのピークＩop3が現れ、従来例
１に比較して高調波歪および波高率が改善される。
波形を表しており、上述のような動作によって交流電源
Ｅからの入力交流電圧Ｖinのゼロクロス付近（谷部）に
おいても出力電流ＩｌａのピークＩop3が現れ、従来例
１に比較して高調波歪および波高率が改善される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例２においても波高率（＝Ｉop3／Ｉｌａrms）は約
２．０程度であり、一般的に良好な波高率の値とされて
いる１．７以下を満足することができない。
来例２においても波高率（＝Ｉop3／Ｉｌａrms）は約
２．０程度であり、一般的に良好な波高率の値とされて
いる１．７以下を満足することができない。
【００２０】そこで、出力電流Ｉｌａのリップル改善を
図った電源装置として、図２１および図２２に示すよう
な回路構成のものが提案されている。すなわち、これら
の電源装置では、発振制御用のアナログ集積回路ＩＣに
おいて抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の直列回路を介して整流回路
ＤＢの低電位側の脈流電圧を検出するとともに、抵抗Ｒ
１３，Ｒ１４の直列回路を介して整流回路ＤＢの高電位
側の脈流電圧を検出し、軽負荷時の昇圧のフィードバッ
ク制御や交流電源Ｅの入力交流電圧変動に対して出力の
変動を抑えるようにしているが、波高率を上記１．７以
下にまで改善することは非常に難しかった。
図った電源装置として、図２１および図２２に示すよう
な回路構成のものが提案されている。すなわち、これら
の電源装置では、発振制御用のアナログ集積回路ＩＣに
おいて抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の直列回路を介して整流回路
ＤＢの低電位側の脈流電圧を検出するとともに、抵抗Ｒ
１３，Ｒ１４の直列回路を介して整流回路ＤＢの高電位
側の脈流電圧を検出し、軽負荷時の昇圧のフィードバッ
ク制御や交流電源Ｅの入力交流電圧変動に対して出力の
変動を抑えるようにしているが、波高率を上記１．７以
下にまで改善することは非常に難しかった。
【００２１】また、従来例２のようにＤＣ−ＤＣコンバ
ータとインバータ回路を複合化した電源装置は他にも種
々提案されているが、入力電流の高調波歪をＩＥＣ（国
際電気標準会議）に規定されているクラスＣのレベルま
で低減し、且つ出力電流波形の波高率を改善すること
は、上記各従来例のようにアナログ集積回路ＩＣを用い
た制御部ＣＮ’によるフィードバック制御やフィードフ
ォワード制御等では非常に困難であった。
ータとインバータ回路を複合化した電源装置は他にも種
々提案されているが、入力電流の高調波歪をＩＥＣ（国
際電気標準会議）に規定されているクラスＣのレベルま
で低減し、且つ出力電流波形の波高率を改善すること
は、上記各従来例のようにアナログ集積回路ＩＣを用い
た制御部ＣＮ’によるフィードバック制御やフィードフ
ォワード制御等では非常に困難であった。
【００２２】本発明は上記事情に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、入力電流の高調波歪を
低減するとともに出力電流波形を略一定として波高率を
改善することができる電源装置を提供することにある。
あり、その目的とするところは、入力電流の高調波歪を
低減するとともに出力電流波形を略一定として波高率を
改善することができる電源装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、交流電源を整流する整流部と、
整流部から出力される脈流をスイッチング素子のオン・
オフ動作によって交流出力に変換するインバータ回路部
と、予め設定されたプログラムを実行して交流出力が略
一定となるようにインバータ回路部のスイッチング素子
の動作周波数を周波数変調する制御部とを備えたことを
特徴とし、プログラム制御によってきめ細やかな制御が
可能になることから、従来例に比較して入力電流の高調
波歪を低減するとともに出力電流波形を略一定として波
高率を改善することができる。
目的を達成するために、交流電源を整流する整流部と、
整流部から出力される脈流をスイッチング素子のオン・
オフ動作によって交流出力に変換するインバータ回路部
と、予め設定されたプログラムを実行して交流出力が略
一定となるようにインバータ回路部のスイッチング素子
の動作周波数を周波数変調する制御部とを備えたことを
特徴とし、プログラム制御によってきめ細やかな制御が
可能になることから、従来例に比較して入力電流の高調
波歪を低減するとともに出力電流波形を略一定として波
高率を改善することができる。
【００２４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、制御部は、予め設定されたプログラムを実行するマ
イクロプロセッサを具備することを特徴とし、請求項１
の発明と同様の作用を奏する。
て、制御部は、予め設定されたプログラムを実行するマ
イクロプロセッサを具備することを特徴とし、請求項１
の発明と同様の作用を奏する。
【００２５】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、制御部は、交流電源からの入力交流電圧の立
ち上がりを検出して入力交流電圧の山部と谷部との間で
周波数変調を行うことを特徴とし、請求項１又は２の発
明と同様の作用を奏する。
において、制御部は、交流電源からの入力交流電圧の立
ち上がりを検出して入力交流電圧の山部と谷部との間で
周波数変調を行うことを特徴とし、請求項１又は２の発
明と同様の作用を奏する。
【００２６】請求項４の発明は、請求項１又は２又は３
の発明において、制御部は、交流出力を検出する検出部
を有し、予め設定されたプログラムを実行して検出部の
検出値が所定値を越える場合にはスイッチング素子の動
作周波数を高くし、検出値が所定値を下回る場合にはス
イッチング素子の動作周波数を低く制御することを特徴
とし、負荷に異常が生じて交流出力が増大すればスイッ
チング素子の動作周波数を高くして交流出力を低下し、
交流出力が減少すればスイッチング素子の動作周波数を
低くして交流出力を増大するというように負荷の状態に
応じたきめ細やかな制御が可能となる。
の発明において、制御部は、交流出力を検出する検出部
を有し、予め設定されたプログラムを実行して検出部の
検出値が所定値を越える場合にはスイッチング素子の動
作周波数を高くし、検出値が所定値を下回る場合にはス
イッチング素子の動作周波数を低く制御することを特徴
とし、負荷に異常が生じて交流出力が増大すればスイッ
チング素子の動作周波数を高くして交流出力を低下し、
交流出力が減少すればスイッチング素子の動作周波数を
低くして交流出力を増大するというように負荷の状態に
応じたきめ細やかな制御が可能となる。
【００２７】請求項５の発明は、請求項１又は２又は３
の発明において、制御部は、予め設定されたプログラム
を実行し、交流出力が増加する場合にはスイッチング素
子の動作周波数を高くし、交流出力が減少する場合には
スイッチング素子の動作周波数を低く制御するととも
に、交流出力の変動に応じて周波数変調制御を行うこと
を特徴とし、負荷が放電灯である場合に初期点灯時には
光出力を抑えめにし、放電灯の累積点灯時間が増大して
寿命が短くなるにつれて光出力を増加する制御（いわゆ
る初期照度補正制御）が容易に実現できる。
の発明において、制御部は、予め設定されたプログラム
を実行し、交流出力が増加する場合にはスイッチング素
子の動作周波数を高くし、交流出力が減少する場合には
スイッチング素子の動作周波数を低く制御するととも
に、交流出力の変動に応じて周波数変調制御を行うこと
を特徴とし、負荷が放電灯である場合に初期点灯時には
光出力を抑えめにし、放電灯の累積点灯時間が増大して
寿命が短くなるにつれて光出力を増加する制御（いわゆ
る初期照度補正制御）が容易に実現できる。
【００２８】請求項６の発明は、請求項１〜５の何れか
の発明において、制御部は、プログラムを記憶する記憶
手段を備えたことを特徴とし、請求項１〜５の何れかの
発明と同様の作用を奏する。
の発明において、制御部は、プログラムを記憶する記憶
手段を備えたことを特徴とし、請求項１〜５の何れかの
発明と同様の作用を奏する。
【００２９】請求項７の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、整流部の低電位側
出力端にカソードが接続された第１のダイオードと、第
１のダイオードのアノードにカソードが接続されるとと
もにスイッチング素子の直列回路の低電位側にアノード
が接続された第２のダイオードと、２つのスイッチング
素子の接続点と第２のダイオードのカソードの間に直流
阻止用のコンデンサを介して接続され、共振回路を形成
する負荷回路と、第２のダイオードと並列接続される共
振用コンデンサとを具備したことを特徴とし、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の作用を奏する。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、整流部の低電位側
出力端にカソードが接続された第１のダイオードと、第
１のダイオードのアノードにカソードが接続されるとと
もにスイッチング素子の直列回路の低電位側にアノード
が接続された第２のダイオードと、２つのスイッチング
素子の接続点と第２のダイオードのカソードの間に直流
阻止用のコンデンサを介して接続され、共振回路を形成
する負荷回路と、第２のダイオードと並列接続される共
振用コンデンサとを具備したことを特徴とし、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の作用を奏する。
【００３０】請求項８の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、直流阻止用のコン
デンサを介して何れか一方のスイッチング素子と並列に
接続される共振用インダクタおよび共振用コンデンサ
と、共振用コンデンサに１次側が並列接続されるととも
に２次側に負荷が接続されたトランスと、トランスに設
けられた帰還巻線と、整流部の入力側あるいは出力側に
接続された帰還巻線を含む共振回路とを具備したことを
特徴とし、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を
奏する。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、直流阻止用のコン
デンサを介して何れか一方のスイッチング素子と並列に
接続される共振用インダクタおよび共振用コンデンサ
と、共振用コンデンサに１次側が並列接続されるととも
に２次側に負荷が接続されたトランスと、トランスに設
けられた帰還巻線と、整流部の入力側あるいは出力側に
接続された帰還巻線を含む共振回路とを具備したことを
特徴とし、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を
奏する。
【００３１】請求項９の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノー
ドが接続された第１のダイオードと、第１のダイオード
のカソードにアノードが接続された第２のダイオード
と、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回
路と、第１のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された第１の共振用コンデンサと、第
１および第２のスイッチング素子の接続点と第１の共振
用コンデンサの高電位側の一端の間に直流阻止用のコン
デンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、
共振用インダクタと共振回路を形成する第２の共振用コ
ンデンサを有した負荷回路とを具備したことを特徴と
し、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を奏す
る。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノー
ドが接続された第１のダイオードと、第１のダイオード
のカソードにアノードが接続された第２のダイオード
と、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回
路と、第１のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された第１の共振用コンデンサと、第
１および第２のスイッチング素子の接続点と第１の共振
用コンデンサの高電位側の一端の間に直流阻止用のコン
デンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、
共振用インダクタと共振回路を形成する第２の共振用コ
ンデンサを有した負荷回路とを具備したことを特徴と
し、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を奏す
る。
【００３２】請求項１０の発明は、請求項１〜６の何れ
かの発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバ
ータ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備
え、インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にア
ノードが接続された第１のダイオードと、第１のダイオ
ードのカソードにアノードが接続された第２のダイオー
ドと、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列
回路と、第１および第２のスイッチング素子の接続点と
第１のダイオードのカソードの間に直流阻止用のコンデ
ンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共
振用インダクタと共振回路を形成する共振用コンデンサ
を有した負荷回路と、第２のダイオードに並列接続され
た第２の共振用コンデンサとを具備したことを特徴と
し、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を奏す
る。
かの発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバ
ータ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備
え、インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にア
ノードが接続された第１のダイオードと、第１のダイオ
ードのカソードにアノードが接続された第２のダイオー
ドと、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列
回路と、第１および第２のスイッチング素子の接続点と
第１のダイオードのカソードの間に直流阻止用のコンデ
ンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共
振用インダクタと共振回路を形成する共振用コンデンサ
を有した負荷回路と、第２のダイオードに並列接続され
た第２の共振用コンデンサとを具備したことを特徴と
し、請求項１〜６の何れかの発明と同様の作用を奏す
る。
【００３３】請求項１１の発明は、請求項１〜１０の何
れかの発明において、整流部の出力電圧をスイッチング
素子のスイッチング動作により充電し平滑する平滑コン
デンサを備えたことを特徴とし、請求項１〜１０の何れ
かの発明と同様の作用を奏する。
れかの発明において、整流部の出力電圧をスイッチング
素子のスイッチング動作により充電し平滑する平滑コン
デンサを備えたことを特徴とし、請求項１〜１０の何れ
かの発明と同様の作用を奏する。
【００３４】請求項１２の発明は、請求項１１の発明に
おいて、スイッチング素子の直列回路と並列に接続され
るチョークコイル、平滑コンデンサおよび第１のダイオ
ードの直列回路と、平滑コンデンサと第１のダイオード
の接続点と２つのスイッチング素子の接続点の間に挿入
された第２のダイオードとを具備し、スイッチング素子
のスイッチング動作で平滑コンデンサを充電する降圧チ
ョッパ回路を備えたことを特徴とし、請求項１１の発明
と同様の作用を奏する。
おいて、スイッチング素子の直列回路と並列に接続され
るチョークコイル、平滑コンデンサおよび第１のダイオ
ードの直列回路と、平滑コンデンサと第１のダイオード
の接続点と２つのスイッチング素子の接続点の間に挿入
された第２のダイオードとを具備し、スイッチング素子
のスイッチング動作で平滑コンデンサを充電する降圧チ
ョッパ回路を備えたことを特徴とし、請求項１１の発明
と同様の作用を奏する。
【００３５】請求項１３の発明は、請求項１〜１２の何
れかの発明において、制御部は、予め設定されたプログ
ラムを実行し、外部から与えられる信号に応じたレベル
にインバータ回路部の出力を可変し且つ出力が当該レベ
ルに略一定となるようにスイッチング素子のスイッチン
グ動作を制御することを特徴とし、例えば、負荷である
放電灯を外部から与えられる調光信号によって調光する
ような場合においても、入力電流の高調波歪を低減する
とともに出力電流波形を略一定として波高率を改善する
ことができる。
れかの発明において、制御部は、予め設定されたプログ
ラムを実行し、外部から与えられる信号に応じたレベル
にインバータ回路部の出力を可変し且つ出力が当該レベ
ルに略一定となるようにスイッチング素子のスイッチン
グ動作を制御することを特徴とし、例えば、負荷である
放電灯を外部から与えられる調光信号によって調光する
ような場合においても、入力電流の高調波歪を低減する
とともに出力電流波形を略一定として波高率を改善する
ことができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に本発明の実
施形態１を示す。本実施形態は制御部ＣＮに特徴があ
り、その他の回路構成は従来例１と共通であるから、共
通する構成には同一の符号を付して説明を省略する。ま
た、説明を簡単にするために図１ではトランスＴ１、放
電灯Ｌａ１および共振用コンデンサＣ３を負荷回路Ｒと
して図示している。
施形態１を示す。本実施形態は制御部ＣＮに特徴があ
り、その他の回路構成は従来例１と共通であるから、共
通する構成には同一の符号を付して説明を省略する。ま
た、説明を簡単にするために図１ではトランスＴ１、放
電灯Ｌａ１および共振用コンデンサＣ３を負荷回路Ｒと
して図示している。
【００３７】本実施形態における制御部ＣＮは、内蔵メ
モリに書き込まれているプログラムを実行するマイクロ
プロセッサＭＰを主構成とし、プログラムに従ってマイ
クロプロセッサＭＰから出力されるパルス信号を調整
し、電位の異なる２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２に
上記パルス信号と同期した駆動信号として与える高耐圧
のドライバ回路ＤＲＶ、リセットＩＣ並びにクロック回
路ＣＫ等で構成される。マイクロプロセッサＭＰの動作
電源は、電源投入時にはフィルター回路Ｆの低電位側出
力端からダイオードＤＡおよび抵抗ＲＡ，ＲＢを介して
充電される電源用の電解コンデンサＣ７の両端電圧をリ
セットＩＣに入力し、このリセットＩＣの出力電圧（＝
５Ｖ）をマイクロプロセッサＭＰの電源端子Ｖccに印可
することで供給されている。また、一旦マイクロプロセ
ッサＭＰが起動してインバータ回路ＩＮＶが動作を開始
すれば、共振用チョークＬ３に設けた２次巻線ｎ２に誘
起される電圧でダイオードＤ５および抵抗Ｒ１０を介し
て電解コンデンサＣ７を充電するようにしている。な
お、マイクロプロセッサＭＰの電源端子Ｖccとグランド
端子Ｇｎｄの間には抵抗Ｒ２０とコンデンサＣ２０の直
列回路が接続され、リセットＩＣの出力が抵抗Ｒ２０と
コンデンサＣ２０の接続点を介してマイクロプロセッサ
ＭＰのリセット端子Ｒｓｔに入力されており、電源オン
時にはマイクロプロセッサＭＰがリセットされる。而し
て、マイクロプロセッサＭＰは、クロック回路ＣＫから
出力されるクロック信号が２つの入力端子Ｏsc1，Ｏsc2
に入力され、内蔵メモリに格納されているプログラムを
実行してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオン・オフ制御
する。
モリに書き込まれているプログラムを実行するマイクロ
プロセッサＭＰを主構成とし、プログラムに従ってマイ
クロプロセッサＭＰから出力されるパルス信号を調整
し、電位の異なる２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２に
上記パルス信号と同期した駆動信号として与える高耐圧
のドライバ回路ＤＲＶ、リセットＩＣ並びにクロック回
路ＣＫ等で構成される。マイクロプロセッサＭＰの動作
電源は、電源投入時にはフィルター回路Ｆの低電位側出
力端からダイオードＤＡおよび抵抗ＲＡ，ＲＢを介して
充電される電源用の電解コンデンサＣ７の両端電圧をリ
セットＩＣに入力し、このリセットＩＣの出力電圧（＝
５Ｖ）をマイクロプロセッサＭＰの電源端子Ｖccに印可
することで供給されている。また、一旦マイクロプロセ
ッサＭＰが起動してインバータ回路ＩＮＶが動作を開始
すれば、共振用チョークＬ３に設けた２次巻線ｎ２に誘
起される電圧でダイオードＤ５および抵抗Ｒ１０を介し
て電解コンデンサＣ７を充電するようにしている。な
お、マイクロプロセッサＭＰの電源端子Ｖccとグランド
端子Ｇｎｄの間には抵抗Ｒ２０とコンデンサＣ２０の直
列回路が接続され、リセットＩＣの出力が抵抗Ｒ２０と
コンデンサＣ２０の接続点を介してマイクロプロセッサ
ＭＰのリセット端子Ｒｓｔに入力されており、電源オン
時にはマイクロプロセッサＭＰがリセットされる。而し
て、マイクロプロセッサＭＰは、クロック回路ＣＫから
出力されるクロック信号が２つの入力端子Ｏsc1，Ｏsc2
に入力され、内蔵メモリに格納されているプログラムを
実行してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオン・オフ制御
する。
【００３８】以下、本実施形態の回路動作について簡単
に説明すると、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン・オ
フの一周期の間に、以下の（ａ）〜（ｆ）で示すような
６つの回路動作が生じる。制御部ＣＮのマイクロプロセ
ッサＭＰは、これらの動作をInput端子に入力される電
圧を監視し、入力交流電圧を整流した脈流電圧の山部、
谷部に応じて、その動作比率を変えながら、ある動作モ
ードにおいて、交流電源Ｅから高周波的に入力電流を流
す動作を行うものである。
に説明すると、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオン・オ
フの一周期の間に、以下の（ａ）〜（ｆ）で示すような
６つの回路動作が生じる。制御部ＣＮのマイクロプロセ
ッサＭＰは、これらの動作をInput端子に入力される電
圧を監視し、入力交流電圧を整流した脈流電圧の山部、
谷部に応じて、その動作比率を変えながら、ある動作モ
ードにおいて、交流電源Ｅから高周波的に入力電流を流
す動作を行うものである。
【００３９】（ａ）まず、スイッチング素子Ｑ１がオ
ン、スイッチング素子Ｑ２がオフのときには、平滑コン
デンサＣ６を電源として平滑コンデンサＣ６→スイッチ
ング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ→コン
デンサＣ４→コンデンサＣ５を介して平滑コンデンサＣ
６に戻る経路で共振電流が流れ、コンデンサＣ５を充電
する。
ン、スイッチング素子Ｑ２がオフのときには、平滑コン
デンサＣ６を電源として平滑コンデンサＣ６→スイッチ
ング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ→コン
デンサＣ４→コンデンサＣ５を介して平滑コンデンサＣ
６に戻る経路で共振電流が流れ、コンデンサＣ５を充電
する。
【００４０】（ｂ）スイッチング素子Ｑ１がオン、スイ
ッチング素子Ｑ２がオフであり、コンデンサＣ５の充電
電圧と整流回路ＤＢの出力電圧の和が、平滑コンデンサ
Ｃ６の充電電圧より高くなると、整流回路ＤＢからスイ
ッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ→
コンデンサＣ４→整流回路ＤＢの経路で入力電流が流
れ、共振動作を継続する。
ッチング素子Ｑ２がオフであり、コンデンサＣ５の充電
電圧と整流回路ＤＢの出力電圧の和が、平滑コンデンサ
Ｃ６の充電電圧より高くなると、整流回路ＤＢからスイ
ッチング素子Ｑ１→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ→
コンデンサＣ４→整流回路ＤＢの経路で入力電流が流
れ、共振動作を継続する。
【００４１】（ｃ）次に、スイッチング素子Ｑ１がオ
フ、スイッチング素子Ｑ２がオンになると、共振電流が
流れ続けようとするために、スイッチング素子Ｑ２の寄
生ダイオードを介して回生電流が流れる。すなわち、整
流回路ＤＢ→平滑コンデンサＣ６→スイッチング素子Ｑ
２の寄生ダイオード→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ
→コンデンサＣ４→整流回路ＤＢの経路で入力電流が流
れ続け、共振動作を継続する。
フ、スイッチング素子Ｑ２がオンになると、共振電流が
流れ続けようとするために、スイッチング素子Ｑ２の寄
生ダイオードを介して回生電流が流れる。すなわち、整
流回路ＤＢ→平滑コンデンサＣ６→スイッチング素子Ｑ
２の寄生ダイオード→共振用チョークＬ３→負荷回路Ｒ
→コンデンサＣ４→整流回路ＤＢの経路で入力電流が流
れ続け、共振動作を継続する。
【００４２】（ｄ）スイッチング素子Ｑ１がオフ、スイ
ッチング素子Ｑ２がオンで、やがて回生電流が無くなる
と、コンデンサＣ４を電源とする共振動作にてコンデン
サＣ４から、負荷回路Ｒ→共振用チョークＬ３→スイッ
チング素子Ｑ２→コンデンサＣ５を通る経路でコンデン
サＣ５の充電電荷を放電する。
ッチング素子Ｑ２がオンで、やがて回生電流が無くなる
と、コンデンサＣ４を電源とする共振動作にてコンデン
サＣ４から、負荷回路Ｒ→共振用チョークＬ３→スイッ
チング素子Ｑ２→コンデンサＣ５を通る経路でコンデン
サＣ５の充電電荷を放電する。
【００４３】（ｅ）スイッチング素子Ｑ１がオフ、スイ
ッチング素子Ｑ２がオンで、コンデンサＣ５の電荷が無
くなると、共振電流はダイオードＤ２を介して流れる。
すなわちコンデンサＣ４から、負荷回路Ｒ→共振用チョ
ークＬ３→スイッチング素子Ｑ２→ダイオードＤ２を通
る経路で共振電流が流れる。
ッチング素子Ｑ２がオンで、コンデンサＣ５の電荷が無
くなると、共振電流はダイオードＤ２を介して流れる。
すなわちコンデンサＣ４から、負荷回路Ｒ→共振用チョ
ークＬ３→スイッチング素子Ｑ２→ダイオードＤ２を通
る経路で共振電流が流れる。
【００４４】（ｆ）次に、スイッチング素子Ｑ１がオ
ン、スイッチング素子Ｑ２がオフになると、共振電流が
流れ続けようとするために、スイッチング素子Ｑ１の寄
生ダイオードを介して回生電流が流れる。すなわち、共
振用チョークＬ３→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオ
ード→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ２→コンデン
サＣ４→負荷回路Ｒを通る経路で共振電流が流れ続け
る。その後、再び上記（ａ）の動作モードとなり、以上
の動作を繰り返して行くものである。
ン、スイッチング素子Ｑ２がオフになると、共振電流が
流れ続けようとするために、スイッチング素子Ｑ１の寄
生ダイオードを介して回生電流が流れる。すなわち、共
振用チョークＬ３→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオ
ード→平滑コンデンサＣ６→ダイオードＤ２→コンデン
サＣ４→負荷回路Ｒを通る経路で共振電流が流れ続け
る。その後、再び上記（ａ）の動作モードとなり、以上
の動作を繰り返して行くものである。
【００４５】ところで、従来例１においては、図２
（ｂ）に示すように入力交流電圧Ｖinの山部と谷部で出
力電流Ｉｌａにリップルを持った波形となっていた。本
実施形態では、出力電流Ｉｌａの波高率を改善するべく
略一定の出力電流Ｉｌａを得るために、制御部ＣＮによ
り、入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調してい
る。すなわち、制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰ
は、ダイオードＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してIn
put端子に入力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力
交流電圧Ｖinとの同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部
でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入
力交流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の
動作周波数を高くするような周波数変調制御をプログラ
ムに従って実行している（図２（ｃ）参照）。その結
果、入力交流電圧Ｖinの山部でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を低くすれば出力電流Ｉｌａが増大
し、入力交流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を高くすれば出力電流Ｉｌａが減少す
ることになり、図２（ｄ）に示すようにリップル変動の
少ない略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善
することができる。
（ｂ）に示すように入力交流電圧Ｖinの山部と谷部で出
力電流Ｉｌａにリップルを持った波形となっていた。本
実施形態では、出力電流Ｉｌａの波高率を改善するべく
略一定の出力電流Ｉｌａを得るために、制御部ＣＮによ
り、入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調してい
る。すなわち、制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰ
は、ダイオードＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してIn
put端子に入力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力
交流電圧Ｖinとの同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部
でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入
力交流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の
動作周波数を高くするような周波数変調制御をプログラ
ムに従って実行している（図２（ｃ）参照）。その結
果、入力交流電圧Ｖinの山部でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を低くすれば出力電流Ｉｌａが増大
し、入力交流電圧Ｖinの谷部でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を高くすれば出力電流Ｉｌａが減少す
ることになり、図２（ｄ）に示すようにリップル変動の
少ない略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善
することができる。
【００４６】ここで、上述のように入力交流電圧Ｖinの
山部と谷部に追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動
作周波数を周波数変調するようなきめ細やかな制御は、
従来例１，２等のアナログ集積回路ＩＣを主構成とする
制御部ＣＮ’によるフィードバック制御やフィードフォ
ワード制御では達成できず、マイクロプロセッサＭＰの
プログラム制御によって達成できるものである。また、
マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御では、ス
イッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の変化を比較的
に容易に設定できる。
山部と谷部に追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動
作周波数を周波数変調するようなきめ細やかな制御は、
従来例１，２等のアナログ集積回路ＩＣを主構成とする
制御部ＣＮ’によるフィードバック制御やフィードフォ
ワード制御では達成できず、マイクロプロセッサＭＰの
プログラム制御によって達成できるものである。また、
マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御では、ス
イッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の変化を比較的
に容易に設定できる。
【００４７】（実施形態２）図３に本発明の実施形態２
を示す。本実施形態は、実施形態１で説明した制御部Ｃ
Ｎを従来例２に適用したものであり、トランスＴ１の２
次巻線Ｎ２に２つの放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が並列接続さ
れている点を除いて基本的な構成並びに回路動作は従来
例２と共通である。また、制御部ＣＮの基本的な回路構
成および動作も実施形態１と共通であるから、従来例２
および実施形態１と共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
を示す。本実施形態は、実施形態１で説明した制御部Ｃ
Ｎを従来例２に適用したものであり、トランスＴ１の２
次巻線Ｎ２に２つの放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が並列接続さ
れている点を除いて基本的な構成並びに回路動作は従来
例２と共通である。また、制御部ＣＮの基本的な回路構
成および動作も実施形態１と共通であるから、従来例２
および実施形態１と共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
【００４８】既に説明したように従来例２の回路構成で
は、図４（ａ）および（ｂ）に示すように入力交流電圧
Ｖinの山部と谷部に出力電流Ｉｌａのピークが現れる。
よって、本実施形態の制御部ＣＮでは、図４（ｃ）に示
すように入力交流電圧Ｖinの山部および谷部でスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交流電圧
Ｖinの山部と谷部の間の部分でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を高くするような周波数変調制御をプ
ログラムに従って実行している。これにより、インバー
タ回路ＩＮＶと降圧チョッパ回路ＣＨを複合化した従来
例２のような回路構成においても、制御部ＣＮのプログ
ラム制御によってスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周
波数を周波数変調し、図４（ｄ）に示すようにリップル
変動の少ない略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率
を改善することができる。
は、図４（ａ）および（ｂ）に示すように入力交流電圧
Ｖinの山部と谷部に出力電流Ｉｌａのピークが現れる。
よって、本実施形態の制御部ＣＮでは、図４（ｃ）に示
すように入力交流電圧Ｖinの山部および谷部でスイッチ
ング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交流電圧
Ｖinの山部と谷部の間の部分でスイッチング素子Ｑ１，
Ｑ２の動作周波数を高くするような周波数変調制御をプ
ログラムに従って実行している。これにより、インバー
タ回路ＩＮＶと降圧チョッパ回路ＣＨを複合化した従来
例２のような回路構成においても、制御部ＣＮのプログ
ラム制御によってスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周
波数を周波数変調し、図４（ｄ）に示すようにリップル
変動の少ない略一定の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率
を改善することができる。
【００４９】ところで、本実施形態の制御部ＣＮでは、
トランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ５に誘起される電圧か
らトランスＴ１の２次側電圧を検出する検出回路Ｂを備
え、この検出回路Ｂの検出信号をマイクロプロセッサＭ
Ｐの入力端子Input2に取り込んでいる。マイクロプロセ
ッサＭＰは、検出回路Ｂから取り込んだ検出信号に基づ
いて放電灯Ｌａ１，Ｌａ２の異常、例えば寿命末期時の
陰極降下電圧等の上昇によって生じる出力電圧の上昇を
検出し、出力電圧の上昇に応じてスイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで放電灯Ｌ
ａ１，Ｌａ２の光出力を徐々に増加させるようなプログ
ラム制御を行う。また、マイクロプロセッサＭＰでは放
電灯Ｌａ１，Ｌａ２が新品である初期点灯時には光出力
を抑えめにし、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２の累積点灯時間が
増大して寿命が短くなるにつれて光出力を増加する制御
（いわゆる初期照度補正制御）もプログラム制御によっ
て容易に実現可能である。さらに、上記陰極降下電圧の
上昇による放電灯Ｌａ１，Ｌａ２のフィラメントの異常
加熱を防止するため、検出回路Ｂで検出する電圧が所定
値以上になればスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフ状態
にしてインバータ回路ＩＮＶの動作を停止させること
も、マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御によ
って容易に実現可能である。なお、本実施形態における
検出回路ＢではトランスＴ１の半波成分しか検出するこ
とができないが、検出回路Ｂにて全波成分を検出し、マ
イクロプロセッサＭＰにおいて計算した直流電圧成分が
所定の直流電圧以上になれば寿命末期時の半波点灯状態
にあると判断して、インバータ回路ＩＮＶを停止するな
どの保護動作をプログラム制御によって行うことも可能
である。
トランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ５に誘起される電圧か
らトランスＴ１の２次側電圧を検出する検出回路Ｂを備
え、この検出回路Ｂの検出信号をマイクロプロセッサＭ
Ｐの入力端子Input2に取り込んでいる。マイクロプロセ
ッサＭＰは、検出回路Ｂから取り込んだ検出信号に基づ
いて放電灯Ｌａ１，Ｌａ２の異常、例えば寿命末期時の
陰極降下電圧等の上昇によって生じる出力電圧の上昇を
検出し、出力電圧の上昇に応じてスイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで放電灯Ｌ
ａ１，Ｌａ２の光出力を徐々に増加させるようなプログ
ラム制御を行う。また、マイクロプロセッサＭＰでは放
電灯Ｌａ１，Ｌａ２が新品である初期点灯時には光出力
を抑えめにし、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２の累積点灯時間が
増大して寿命が短くなるにつれて光出力を増加する制御
（いわゆる初期照度補正制御）もプログラム制御によっ
て容易に実現可能である。さらに、上記陰極降下電圧の
上昇による放電灯Ｌａ１，Ｌａ２のフィラメントの異常
加熱を防止するため、検出回路Ｂで検出する電圧が所定
値以上になればスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオフ状態
にしてインバータ回路ＩＮＶの動作を停止させること
も、マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御によ
って容易に実現可能である。なお、本実施形態における
検出回路ＢではトランスＴ１の半波成分しか検出するこ
とができないが、検出回路Ｂにて全波成分を検出し、マ
イクロプロセッサＭＰにおいて計算した直流電圧成分が
所定の直流電圧以上になれば寿命末期時の半波点灯状態
にあると判断して、インバータ回路ＩＮＶを停止するな
どの保護動作をプログラム制御によって行うことも可能
である。
【００５０】（実施形態３）図５に本発明の実施形態３
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態１とほ
ぼ共通であり、特に、制御部ＣＮの回路構成および動作
は実施形態１と共通であるから、実施形態１と共通する
構成および動作については同一の符号を付して説明を省
略し、本実施形態の特徴となる構成および動作について
のみ説明する。
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態１とほ
ぼ共通であり、特に、制御部ＣＮの回路構成および動作
は実施形態１と共通であるから、実施形態１と共通する
構成および動作については同一の符号を付して説明を省
略し、本実施形態の特徴となる構成および動作について
のみ説明する。
【００５１】本実施形態が実施形態１と異なる点は、ダ
イオードＤ１，Ｄ２を整流回路ＤＢの高電位側出力端と
スイッチング素子Ｑ１のドレインの間に直列接続し、負
荷回路Ｒと共振用チョークＬ３の間に直流阻止用のコン
デンサＣ４を接続するとともに、整流回路ＤＢの低電位
側出力端と負荷回路Ｒの間にコンデンサＣ５を接続し、
さらに負荷回路ＲとコンデンサＣ５の接続点をダイオー
ドＤ１のカソードに接続したことにある。そして、コン
デンサＣ５とダイオードＤ２が実施形態１と同様に作用
し、コンデンサＣ５の充電電圧と、平滑コンデンサＣ６
の電圧と、整流回路ＤＢの脈流出力電圧との関係で、イ
ンバータ回路ＩＮＶの高周波動作により、整流回路ＤＢ
から高周波的にパルス電流を流すようにしている。
イオードＤ１，Ｄ２を整流回路ＤＢの高電位側出力端と
スイッチング素子Ｑ１のドレインの間に直列接続し、負
荷回路Ｒと共振用チョークＬ３の間に直流阻止用のコン
デンサＣ４を接続するとともに、整流回路ＤＢの低電位
側出力端と負荷回路Ｒの間にコンデンサＣ５を接続し、
さらに負荷回路ＲとコンデンサＣ５の接続点をダイオー
ドＤ１のカソードに接続したことにある。そして、コン
デンサＣ５とダイオードＤ２が実施形態１と同様に作用
し、コンデンサＣ５の充電電圧と、平滑コンデンサＣ６
の電圧と、整流回路ＤＢの脈流出力電圧との関係で、イ
ンバータ回路ＩＮＶの高周波動作により、整流回路ＤＢ
から高周波的にパルス電流を流すようにしている。
【００５２】本実施形態においても、制御部ＣＮが入力
交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイッチング素子
Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調している。すなわ
ち、制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰは、ダイオー
ドＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してInput端子に入
力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力交流電圧Ｖin
との同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部でスイッチン
グ素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交流電圧Ｖ
inの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を
高くするような周波数変調制御をプログラムに従って実
行している（図２（ｃ）参照）。その結果、実施形態１
と同様にリップル変動の少ない略一定の出力電流Ｉｌａ
が得られ、波高率を改善することができる（図２（ｄ）
参照）。
交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイッチング素子
Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調している。すなわ
ち、制御部ＣＮのマイクロプロセッサＭＰは、ダイオー
ドＤＡから抵抗Ｒ３０，Ｒ３１を介してInput端子に入
力される電圧に基づいて交流電源Ｅの入力交流電圧Ｖin
との同期をとり、入力交流電圧Ｖinの山部でスイッチン
グ素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を低く、入力交流電圧Ｖ
inの谷部でスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を
高くするような周波数変調制御をプログラムに従って実
行している（図２（ｃ）参照）。その結果、実施形態１
と同様にリップル変動の少ない略一定の出力電流Ｉｌａ
が得られ、波高率を改善することができる（図２（ｄ）
参照）。
【００５３】（実施形態４）図６に本発明の実施形態４
を示す。本実施形態の回路構成は、図１に示す実施形態
１と比べて共振用チョークＬ３、負荷回路Ｒ、直流阻止
用のコンデンサＣ４、コンデンサＣ５とダイオードＤ２
の並列回路をスイッチング素子Ｑ１に並列接続するとと
もに、ダイオードＤ１を整流回路ＤＢの高電位側出力端
に接続した点が異なるが、基本的な回路動作は略同じで
あるため同一の構成には同一の符号を付して説明を省略
する。
を示す。本実施形態の回路構成は、図１に示す実施形態
１と比べて共振用チョークＬ３、負荷回路Ｒ、直流阻止
用のコンデンサＣ４、コンデンサＣ５とダイオードＤ２
の並列回路をスイッチング素子Ｑ１に並列接続するとと
もに、ダイオードＤ１を整流回路ＤＢの高電位側出力端
に接続した点が異なるが、基本的な回路動作は略同じで
あるため同一の構成には同一の符号を付して説明を省略
する。
【００５４】本実施形態においても、制御部ＣＮのマイ
クロプロセッサＭＰが、入力交流電圧Ｖinの山部と谷部
に追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の
周波数変調制御をプログラムに従って実行することによ
り、実施形態１と同様にリップル変動の少ない略一定の
出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善することができ
る。
クロプロセッサＭＰが、入力交流電圧Ｖinの山部と谷部
に追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の
周波数変調制御をプログラムに従って実行することによ
り、実施形態１と同様にリップル変動の少ない略一定の
出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善することができ
る。
【００５５】（実施形態５）図７に本発明の実施形態５
を示す。本実施形態は、交流電源Ｅからの入力交流電圧
をフィルタ回路Ｆで高周波成分を除去した後に整流回路
ＤＢで全波整流し、高周波カット用フィルタとしてのイ
ンダクタＬ５を介して平滑コンデンサＣ６で平滑してイ
ンバータ回路ＩＮＶ２に直流電圧を供給しており、イン
バータ回路ＩＮＶ２から出力される高周波交流電圧をト
ランスＴ１を介して放電灯Ｌａ１に供給するとともに、
併せてインバータ回路ＩＮＶ２の高周波交流電圧の一部
を低周波カット用フィルタとしてのコンデンサＣ９を介
して帰還巻線Ｎ３によって整流回路ＤＢの入力側に帰還
させ、帰還巻線Ｎ３、インダクタＬ５、コンデンサＣ
８，Ｃ９にて構成される閉回路内での高周波電圧の共振
動作により、整流回路ＤＢの出力に高周波電圧を重畳し
ている。そして、上記高周波電圧が重畳された整流回路
ＤＢの出力電圧により平滑コンデンサＣ６を充電するこ
とによって、交流電源Ｅの入力交流電圧の一周期の略全
域にわたって入力電流を流すことができるため、交流電
源Ｅからの入力力率を向上させるとともに、入力電流の
高調波歪を改善することができる。なお、インバータ回
路ＩＮＶ２は所謂ハーフブリッジ型のインバータ回路で
あり、その回路動作については従来周知であるから説明
を省略する。
を示す。本実施形態は、交流電源Ｅからの入力交流電圧
をフィルタ回路Ｆで高周波成分を除去した後に整流回路
ＤＢで全波整流し、高周波カット用フィルタとしてのイ
ンダクタＬ５を介して平滑コンデンサＣ６で平滑してイ
ンバータ回路ＩＮＶ２に直流電圧を供給しており、イン
バータ回路ＩＮＶ２から出力される高周波交流電圧をト
ランスＴ１を介して放電灯Ｌａ１に供給するとともに、
併せてインバータ回路ＩＮＶ２の高周波交流電圧の一部
を低周波カット用フィルタとしてのコンデンサＣ９を介
して帰還巻線Ｎ３によって整流回路ＤＢの入力側に帰還
させ、帰還巻線Ｎ３、インダクタＬ５、コンデンサＣ
８，Ｃ９にて構成される閉回路内での高周波電圧の共振
動作により、整流回路ＤＢの出力に高周波電圧を重畳し
ている。そして、上記高周波電圧が重畳された整流回路
ＤＢの出力電圧により平滑コンデンサＣ６を充電するこ
とによって、交流電源Ｅの入力交流電圧の一周期の略全
域にわたって入力電流を流すことができるため、交流電
源Ｅからの入力力率を向上させるとともに、入力電流の
高調波歪を改善することができる。なお、インバータ回
路ＩＮＶ２は所謂ハーフブリッジ型のインバータ回路で
あり、その回路動作については従来周知であるから説明
を省略する。
【００５６】本実施形態においても、制御部ＣＮのマイ
クロプロセッサＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に
追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の周
波数変調制御をプログラムに従って実行することによ
り、他の実施形態と同様にリップル変動の少ない略一定
の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善することがで
きる。なお、帰還巻線Ｎ３による高周波電圧の帰還は整
流回路ＤＢの出力側に対して行ってもよく、また上記共
振回路を整流回路ＤＢとインバータ回路ＩＮＶ２の間に
直列に形成したり、あるいは整流回路ＤＢの出力側に並
列に形成するようにしてもよい。
クロプロセッサＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に
追従してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数の周
波数変調制御をプログラムに従って実行することによ
り、他の実施形態と同様にリップル変動の少ない略一定
の出力電流Ｉｌａが得られ、波高率を改善することがで
きる。なお、帰還巻線Ｎ３による高周波電圧の帰還は整
流回路ＤＢの出力側に対して行ってもよく、また上記共
振回路を整流回路ＤＢとインバータ回路ＩＮＶ２の間に
直列に形成したり、あるいは整流回路ＤＢの出力側に並
列に形成するようにしてもよい。
【００５７】ところで、本実施形態の制御部ＣＮは実施
形態２と同様に、トランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ５に
誘起される電圧からトランスＴ１の２次側電圧を検出す
る検出回路Ｂを備え、この検出回路Ｂの検出信号をマイ
クロプロセッサＭＰの入力端子Input2に取り込んでい
る。マイクロプロセッサＭＰは、検出回路Ｂから取り込
んだ検出信号に基づいて放電灯Ｌａ１の異常、例えば寿
命末期時の陰極降下電圧等の上昇によって生じる出力電
圧の上昇を検出し、出力電圧の上昇に応じてスイッチン
グ素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで
放電灯Ｌａ１の光出力を徐々に増加させるようなプログ
ラム制御を行う。また、マイクロプロセッサＭＰでは放
電灯Ｌａ１が新品である初期点灯時には光出力を抑えめ
にし、放電灯Ｌａ１の累積点灯時間が増大して寿命が短
くなるにつれて光出力を増加する初期照度補正制御もプ
ログラム制御によって容易に実現可能である。さらに、
上記陰極降下電圧の上昇による放電灯Ｌａ１のフィラメ
ントの異常加熱を防止するため、検出回路Ｂで検出する
電圧が所定値以上になればスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２
をオフ状態にしてインバータ回路ＩＮＶ２の動作を停止
させることも、マイクロプロセッサＭＰによるプログラ
ム制御によって容易に実現可能である。
形態２と同様に、トランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ５に
誘起される電圧からトランスＴ１の２次側電圧を検出す
る検出回路Ｂを備え、この検出回路Ｂの検出信号をマイ
クロプロセッサＭＰの入力端子Input2に取り込んでい
る。マイクロプロセッサＭＰは、検出回路Ｂから取り込
んだ検出信号に基づいて放電灯Ｌａ１の異常、例えば寿
命末期時の陰極降下電圧等の上昇によって生じる出力電
圧の上昇を検出し、出力電圧の上昇に応じてスイッチン
グ素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで
放電灯Ｌａ１の光出力を徐々に増加させるようなプログ
ラム制御を行う。また、マイクロプロセッサＭＰでは放
電灯Ｌａ１が新品である初期点灯時には光出力を抑えめ
にし、放電灯Ｌａ１の累積点灯時間が増大して寿命が短
くなるにつれて光出力を増加する初期照度補正制御もプ
ログラム制御によって容易に実現可能である。さらに、
上記陰極降下電圧の上昇による放電灯Ｌａ１のフィラメ
ントの異常加熱を防止するため、検出回路Ｂで検出する
電圧が所定値以上になればスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２
をオフ状態にしてインバータ回路ＩＮＶ２の動作を停止
させることも、マイクロプロセッサＭＰによるプログラ
ム制御によって容易に実現可能である。
【００５８】（実施形態６）図８に本発明の実施形態６
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態１とほ
ぼ共通であるから、共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態１とほ
ぼ共通であるから、共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
【００５９】本実施形態が実施形態１と異なる点は、ト
ランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ３，Ｎ４に誘起される電
圧をダイオードＤ６，Ｄ７および抵抗Ｒ２８，Ｒ２９の
直列回路を介してそれぞれ制御部ＣＮのマイクロプロセ
ッサＭＰの入力端子Input1，Input2に入力し、マイクロ
プロセッサＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従
してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数
変調するとともに、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力
電圧（共振電圧）に応じたフィードバック制御を行う点
にある。すなわち、マイクロプロセッサＭＰは予め内蔵
メモリに格納されているプログラムに従い、出力電流Ｉ
ｌａが略一定となるように上記出力電圧に応じてスイッ
チング素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチング動作をフィードバ
ック制御することで出力電流Ｉｌａの波形を補正するも
のである。
ランスＴ１に設けた帰還巻線Ｎ３，Ｎ４に誘起される電
圧をダイオードＤ６，Ｄ７および抵抗Ｒ２８，Ｒ２９の
直列回路を介してそれぞれ制御部ＣＮのマイクロプロセ
ッサＭＰの入力端子Input1，Input2に入力し、マイクロ
プロセッサＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従
してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数
変調するとともに、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力
電圧（共振電圧）に応じたフィードバック制御を行う点
にある。すなわち、マイクロプロセッサＭＰは予め内蔵
メモリに格納されているプログラムに従い、出力電流Ｉ
ｌａが略一定となるように上記出力電圧に応じてスイッ
チング素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチング動作をフィードバ
ック制御することで出力電流Ｉｌａの波形を補正するも
のである。
【００６０】而して、本実施形態ではマイクロプロセッ
サＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイ
ッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調する
だけでなく、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力電圧に
応じてスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチング動作
をフィードバック制御することで出力電流Ｉｌａの波形
を補正するようにしているので、さらにきめ細やかな制
御が可能となって出力電流Ｉｌａをさらに一定に近づけ
ることができる。
サＭＰが入力交流電圧Ｖinの山部と谷部に追従してスイ
ッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調する
だけでなく、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力電圧に
応じてスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチング動作
をフィードバック制御することで出力電流Ｉｌａの波形
を補正するようにしているので、さらにきめ細やかな制
御が可能となって出力電流Ｉｌａをさらに一定に近づけ
ることができる。
【００６１】ところで、本実施形態の制御部ＣＮでは、
帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力電圧に基づいて放電
灯Ｌａの寿命経過を判断し、所定値以上の場合には放電
灯Ｌａ１の光出力を抑えめにし、放電灯Ｌａ１の累積点
灯時間が増大して寿命が短くなるにつれて光出力を増加
する初期照度補正制御もプログラム制御によって容易に
実現可能である。また、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した
出力電圧の非対称性に基づいて半波放電を検出し、イン
バータ回路ＩＮＶを停止するなどの保護動作をプログラ
ム制御によって行うことも可能である。さらに、上記陰
極降下電圧の上昇による放電灯Ｌａ１のフィラメントの
異常加熱を防止するため、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出し
た出力電圧が所定値以上になればスイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２をオフ状態にしてインバータ回路ＩＮＶの動作
を停止させることも、マイクロプロセッサＭＰによるプ
ログラム制御によって容易に実現可能である。
帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した出力電圧に基づいて放電
灯Ｌａの寿命経過を判断し、所定値以上の場合には放電
灯Ｌａ１の光出力を抑えめにし、放電灯Ｌａ１の累積点
灯時間が増大して寿命が短くなるにつれて光出力を増加
する初期照度補正制御もプログラム制御によって容易に
実現可能である。また、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出した
出力電圧の非対称性に基づいて半波放電を検出し、イン
バータ回路ＩＮＶを停止するなどの保護動作をプログラ
ム制御によって行うことも可能である。さらに、上記陰
極降下電圧の上昇による放電灯Ｌａ１のフィラメントの
異常加熱を防止するため、帰還巻線Ｎ３，Ｎ４で検出し
た出力電圧が所定値以上になればスイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２をオフ状態にしてインバータ回路ＩＮＶの動作
を停止させることも、マイクロプロセッサＭＰによるプ
ログラム制御によって容易に実現可能である。
【００６２】（実施形態７）図９に本発明の実施形態７
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２とほ
ぼ共通であるから、共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２とほ
ぼ共通であるから、共通する構成および動作については
同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴と
なる構成および動作についてのみ説明する。
【００６３】本実施形態の特徴は、実施形態２に対し
て、外部から与えられるデューティ可変の調光信号をデ
ューティ比に応じたレベルの直流電圧からなる調光信号
に変換してマイクロプロセッサＭＰの入力ポートＤinに
与える調光信号入力回路１０を備え、制御部ＣＮのマイ
クロプロセッサＭＰが調光信号に応じてスイッチング素
子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで放電
灯Ｌａ１，Ｌａ２の光出力を連続調光可能としたことに
ある。
て、外部から与えられるデューティ可変の調光信号をデ
ューティ比に応じたレベルの直流電圧からなる調光信号
に変換してマイクロプロセッサＭＰの入力ポートＤinに
与える調光信号入力回路１０を備え、制御部ＣＮのマイ
クロプロセッサＭＰが調光信号に応じてスイッチング素
子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調することで放電
灯Ｌａ１，Ｌａ２の光出力を連続調光可能としたことに
ある。
【００６４】外部から与えられる調光信号は、図１０に
示すように電圧レベル（＝１０Ｖ）および周期Ｔが一定
のパルス信号からなり、このパルス信号のオン時間ｔに
対するオンデューティ比（＝ｔ／Ｔ×１００％）によっ
て調光レベルを規定しており、例えばオンデューティ比
が０％で全点灯（定格点灯）とし、オンデューティ比が
大きくなるにつれて調光を深く（光出力を低く）するよ
うにしてある。そして調光信号入力回路１０は外部から
与えられる上記調光信号のオンデューティ比に応じて直
流出力電圧の電圧レベルを０〜５Ｖの範囲で可変し、例
えば、オンデューティ比が１００％（全点灯）のときに
０Ｖでオンデューティ比が０％で５Ｖとなるように電圧
レベルをオンデューティ比に逆比例させた直流電圧信号
からなる調光信号に変換してマイクロプロセッサＭＰの
入力ポートＤｉｎに出力している。
示すように電圧レベル（＝１０Ｖ）および周期Ｔが一定
のパルス信号からなり、このパルス信号のオン時間ｔに
対するオンデューティ比（＝ｔ／Ｔ×１００％）によっ
て調光レベルを規定しており、例えばオンデューティ比
が０％で全点灯（定格点灯）とし、オンデューティ比が
大きくなるにつれて調光を深く（光出力を低く）するよ
うにしてある。そして調光信号入力回路１０は外部から
与えられる上記調光信号のオンデューティ比に応じて直
流出力電圧の電圧レベルを０〜５Ｖの範囲で可変し、例
えば、オンデューティ比が１００％（全点灯）のときに
０Ｖでオンデューティ比が０％で５Ｖとなるように電圧
レベルをオンデューティ比に逆比例させた直流電圧信号
からなる調光信号に変換してマイクロプロセッサＭＰの
入力ポートＤｉｎに出力している。
【００６５】ところで従来例２の回路構成においては、
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を徐々に高く
することで出力を抑制して調光を行うと、、出力電流Ｉ
ｌａの波形がさらに歪んでしまうことになる。
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を徐々に高く
することで出力を抑制して調光を行うと、、出力電流Ｉ
ｌａの波形がさらに歪んでしまうことになる。
【００６６】これに対して本実施形態では、調光信号の
電圧レベルに応じて出力電流Ｉｌａの変動を抑えながら
連続して調光を行うような周波数変調を、制御部ＣＮの
マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御にて行う
ことができる。すなわち、マイクロプロセッサＭＰによ
るプログラム制御によれば、実施形態２で説明したよう
に出力電流Ｉｌａを略一定とする周波数変調制御を行う
と同時に、出力電流Ｉｌａのレベルを変える調光制御を
行うことができ、出力電流Ｉｌａの波形歪を改善しつつ
連続調光が可能となる。
電圧レベルに応じて出力電流Ｉｌａの変動を抑えながら
連続して調光を行うような周波数変調を、制御部ＣＮの
マイクロプロセッサＭＰによるプログラム制御にて行う
ことができる。すなわち、マイクロプロセッサＭＰによ
るプログラム制御によれば、実施形態２で説明したよう
に出力電流Ｉｌａを略一定とする周波数変調制御を行う
と同時に、出力電流Ｉｌａのレベルを変える調光制御を
行うことができ、出力電流Ｉｌａの波形歪を改善しつつ
連続調光が可能となる。
【００６７】（実施形態８）図１１に本発明の実施形態
８を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２と
ほぼ共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
８を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２と
ほぼ共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
【００６８】本実施形態が実施形態２と異なる点は、整
流回路ＤＢの高電位側出力端と一方の放電灯Ｌａ１の片
側のフィラメントｆ１１の電源側との間に抵抗Ｒｃ，Ｒ
ｄの直列回路を接続し、フィラメントｆ１１の非電源側
ともう片側のフィラメントｆ１２の一端との間に抵抗Ｒ
ｅ，Ｒｆの直列回路を接続し、他方の放電灯Ｌａ２の片
側のフィラメントｆ２１の一端ともう片側のフィラメン
トｆ２２の非電源側との間に抵抗Ｒｇ，Ｒｈの直列回路
を接続するとともに、フィラメントｆ２２の電源側とグ
ランドとの間に抵抗Ｒｉおよび抵抗ＲｊとコンデンサＣ
ａの並列回路を直列接続し、これらの抵抗Ｒｃ〜Ｒｊと
フィラメントｆ１１，ｆ１２，ｆ２１，ｆ２２の抵抗
（数Ω程度の値であるために無視できる）との分圧値が
抵抗Ｒｊの両端電圧としてマイクロプロセッサＭＰの入
力端子Input3に入力されていることにある。
流回路ＤＢの高電位側出力端と一方の放電灯Ｌａ１の片
側のフィラメントｆ１１の電源側との間に抵抗Ｒｃ，Ｒ
ｄの直列回路を接続し、フィラメントｆ１１の非電源側
ともう片側のフィラメントｆ１２の一端との間に抵抗Ｒ
ｅ，Ｒｆの直列回路を接続し、他方の放電灯Ｌａ２の片
側のフィラメントｆ２１の一端ともう片側のフィラメン
トｆ２２の非電源側との間に抵抗Ｒｇ，Ｒｈの直列回路
を接続するとともに、フィラメントｆ２２の電源側とグ
ランドとの間に抵抗Ｒｉおよび抵抗ＲｊとコンデンサＣ
ａの並列回路を直列接続し、これらの抵抗Ｒｃ〜Ｒｊと
フィラメントｆ１１，ｆ１２，ｆ２１，ｆ２２の抵抗
（数Ω程度の値であるために無視できる）との分圧値が
抵抗Ｒｊの両端電圧としてマイクロプロセッサＭＰの入
力端子Input3に入力されていることにある。
【００６９】而して、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が正常に接
続されていれば抵抗Ｒｊの両端に電圧が生じ、正常に接
続されていなければ抵抗Ｒｊの両端に電圧が生じないか
ら、マイクロプロセッサＭＰは入力端子Input3から入力
される電圧に基づいて放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が正常に接
続されているか否かを判断し、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が
正常に接続されていることを確認した後にインバータ回
路ＩＮＶの動作を開始し、正常に接続されていることが
確認できなければインバータ回路ＩＮＶを停止したまま
とする。これにより、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が接続され
ていない状態でインバータ回路ＩＮＶを動作させて出力
端子に高電圧が印可されてしまうという不具合を防ぐこ
とができる。
続されていれば抵抗Ｒｊの両端に電圧が生じ、正常に接
続されていなければ抵抗Ｒｊの両端に電圧が生じないか
ら、マイクロプロセッサＭＰは入力端子Input3から入力
される電圧に基づいて放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が正常に接
続されているか否かを判断し、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が
正常に接続されていることを確認した後にインバータ回
路ＩＮＶの動作を開始し、正常に接続されていることが
確認できなければインバータ回路ＩＮＶを停止したまま
とする。これにより、放電灯Ｌａ１，Ｌａ２が接続され
ていない状態でインバータ回路ＩＮＶを動作させて出力
端子に高電圧が印可されてしまうという不具合を防ぐこ
とができる。
【００７０】（実施形態９）図１２に本発明の実施形態
９を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２と
ほぼ共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
９を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態２と
ほぼ共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
【００７１】本実施形態は、放電灯Ｌａ１のフィラメン
ト抵抗を検出するフィラメント検出回路１１を備え、制
御部ＣＮがフィラメント検出回路１１の検出結果に応じ
て放電灯Ｌａ１の種別を判断し、その種別に応じた周波
数変調制御を行うようにした点に特徴がある。
ト抵抗を検出するフィラメント検出回路１１を備え、制
御部ＣＮがフィラメント検出回路１１の検出結果に応じ
て放電灯Ｌａ１の種別を判断し、その種別に応じた周波
数変調制御を行うようにした点に特徴がある。
【００７２】例えば、放電灯の中には形状が同一でも定
格電力や定格電流が異なるもの（例えば、いわゆるＨＥ
ランプやＨＯランプなど）が存在しており、このように
種類の異なる放電灯に対しても出力電流Ｉｌａを略一定
にするためには、各放電灯に適した周波数変調を行う必
要がある。
格電力や定格電流が異なるもの（例えば、いわゆるＨＥ
ランプやＨＯランプなど）が存在しており、このように
種類の異なる放電灯に対しても出力電流Ｉｌａを略一定
にするためには、各放電灯に適した周波数変調を行う必
要がある。
【００７３】そこで、本実施形態ではフィラメント検出
回路１１によりフィラメント抵抗値を検出した検出信号
をマイクロプロセッサＭＰの入力端子Input4に入力し、
マイクロプロセッサＭＰが上記検出信号に基づいて接続
されている放電灯Ｌａ１の種類を判別するとともに、そ
の放電灯Ｌａ１の種類に適した周波数変調制御を行うこ
とにより、複数種類の放電灯Ｌａ１に対して出力電流Ｉ
ｌａを略一定にして点灯させることができるものであ
る。
回路１１によりフィラメント抵抗値を検出した検出信号
をマイクロプロセッサＭＰの入力端子Input4に入力し、
マイクロプロセッサＭＰが上記検出信号に基づいて接続
されている放電灯Ｌａ１の種類を判別するとともに、そ
の放電灯Ｌａ１の種類に適した周波数変調制御を行うこ
とにより、複数種類の放電灯Ｌａ１に対して出力電流Ｉ
ｌａを略一定にして点灯させることができるものであ
る。
【００７４】（実施形態１０）図１３に本発明の実施形
態１０を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態
２と共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
態１０を示す。但し、本実施形態の基本構成は実施形態
２と共通であるから、共通する構成および動作について
は同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴
となる構成および動作についてのみ説明する。
【００７５】本実施形態は、センサ回路１２の検知信号
をマイクロプロセッサＭＰの入力ポートＰ１に入力し、
マイクロプロセッサＭＰにて検知信号に応じたプログラ
ム制御を行うようにした点に特徴がある。
をマイクロプロセッサＭＰの入力ポートＰ１に入力し、
マイクロプロセッサＭＰにて検知信号に応じたプログラ
ム制御を行うようにした点に特徴がある。
【００７６】本実施形態におけるセンサ回路１２は、図
１４に示すようにＣｄＳ素子１２ａと、ＣｄＳ素子１２
ａの両端電圧を取り出して周囲照度に応じた検知信号を
出力する信号処理回路１２ｂとを備えている。
１４に示すようにＣｄＳ素子１２ａと、ＣｄＳ素子１２
ａの両端電圧を取り出して周囲照度に応じた検知信号を
出力する信号処理回路１２ｂとを備えている。
【００７７】マイクロプロセッサＭＰは、センサ回路１
２からの検知信号に応じて周囲照度が高い場合にはイン
バータ回路ＩＮＶの出力を低下させるとともに出力を低
下させた場合でも出力電流Ｉｌａが略一定となるように
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調
すべくプログラム制御を行う。
２からの検知信号に応じて周囲照度が高い場合にはイン
バータ回路ＩＮＶの出力を低下させるとともに出力を低
下させた場合でも出力電流Ｉｌａが略一定となるように
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動作周波数を周波数変調
すべくプログラム制御を行う。
【００７８】本実施形態によれば、周囲が明るいときに
は光出力を低下させて省エネルギ化が図れるとともに実
施形態２と同様に出力電流Ｉｌａを略一定にして波高率
を改善することが可能となる。
は光出力を低下させて省エネルギ化が図れるとともに実
施形態２と同様に出力電流Ｉｌａを略一定にして波高率
を改善することが可能となる。
【００７９】（実施形態１１）本実施形態は、実施形態
１０の周囲照度を検出するセンサ回路１２の代わりに、
検知範囲内における人の存非を検知するセンサ回路１３
を備えた点に特徴があり、その他の構成は実施形態２お
よび１０と共通であるから、共通する構成および動作に
ついては同一の符号を付して説明を省略する。
１０の周囲照度を検出するセンサ回路１２の代わりに、
検知範囲内における人の存非を検知するセンサ回路１３
を備えた点に特徴があり、その他の構成は実施形態２お
よび１０と共通であるから、共通する構成および動作に
ついては同一の符号を付して説明を省略する。
【００８０】本実施形態のセンサ回路１３は、図１５に
示すように人体から放射される熱線を検出する熱線セン
サ１３ａと、熱線センサ１３ａの出力を信号処理して人
体の存非を示す人体検知信号を出力する信号処理回路１
３ｂとを備えている。熱線センサ１３ａは、ハウジング
内に焦電素子が収納され、多数のレンズがドーム型に配
設されたマルチレンズ１３ｃにより検知範囲内の熱線を
焦電素子の受光面に集光してなり、検知範囲内に人が進
入すると人体から放射される熱線を検知して信号を出力
する。そして、信号処理回路１３ｂにてその出力信号を
処理し、ハイまたはローの人体検知信号をマイクロプロ
セッサＭＰの入力ポートＰ１に出力する。
示すように人体から放射される熱線を検出する熱線セン
サ１３ａと、熱線センサ１３ａの出力を信号処理して人
体の存非を示す人体検知信号を出力する信号処理回路１
３ｂとを備えている。熱線センサ１３ａは、ハウジング
内に焦電素子が収納され、多数のレンズがドーム型に配
設されたマルチレンズ１３ｃにより検知範囲内の熱線を
焦電素子の受光面に集光してなり、検知範囲内に人が進
入すると人体から放射される熱線を検知して信号を出力
する。そして、信号処理回路１３ｂにてその出力信号を
処理し、ハイまたはローの人体検知信号をマイクロプロ
セッサＭＰの入力ポートＰ１に出力する。
【００８１】マイクロプロセッサＭＰは、センサ回路１
３からの人体検知信号に応じて、例えば検知範囲内に人
が存在する場合にインバータ回路ＩＮＶの出力を増大さ
せるとともに出力を増大させた場合でも出力電流Ｉｌａ
が略一定となるようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動
作周波数を周波数変調すべくプログラム制御を行う。
３からの人体検知信号に応じて、例えば検知範囲内に人
が存在する場合にインバータ回路ＩＮＶの出力を増大さ
せるとともに出力を増大させた場合でも出力電流Ｉｌａ
が略一定となるようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の動
作周波数を周波数変調すべくプログラム制御を行う。
【００８２】本実施形態によれば、検知範囲内における
人の存非に応じて放電灯Ｌａ１の光出力を可変すること
で省エネルギ化が図れるとともに実施形態２と同様に出
力電流Ｉｌａを略一定にして波高率を改善することが可
能となる。
人の存非に応じて放電灯Ｌａ１の光出力を可変すること
で省エネルギ化が図れるとともに実施形態２と同様に出
力電流Ｉｌａを略一定にして波高率を改善することが可
能となる。
【００８３】ところで、マイクロプロセッサＭＰの内蔵
メモリに書き込まれるプログラムは、例えばパーソナル
コンピュータ上で動作するプログラム開発ツールを用い
て設計され、一般的にはシリアルケーブル等を媒体とし
てパーソナルコンピュータからＲＯＭライタに送られ、
ＲＯＭライタにセットされたマイクロプロセッサＭＰの
内蔵メモリに書き込まれる。そして、プログラムが書き
込まれたマイクロプロセッサＭＰを制御部ＣＮの回路基
板等に実装することで上述の各実施形態の効果を奏する
ものである。なお、パーソナルコンピュータからＲＯＭ
ライタへプログラムデータを送る媒体としては上記シリ
アルケーブルに限らず、その他の通信媒体やフロッピィ
ディスク等の磁気記録媒体を用いてもよい。また、制御
部ＣＮの回路基板に実装されたマイクロプロセッサＭＰ
に対しては、図１６に示すようにインサーキットプログ
ラミング装置２０を用いてプログラムを書き込むことが
可能である。この場合にも、シリアルケーブルやその他
の通信媒体またはフロッピィディスク等の磁気記録媒体
を媒体２１としてプログラムデータがパーソナルコンピ
ュータＰＣからインサーキットプログラミング装置２０
に送られ、インサーキットプログラミング装置２０によ
って回路基板に実装されたマイクロプロセッサＭＰの内
蔵メモリに書き込まれる。
メモリに書き込まれるプログラムは、例えばパーソナル
コンピュータ上で動作するプログラム開発ツールを用い
て設計され、一般的にはシリアルケーブル等を媒体とし
てパーソナルコンピュータからＲＯＭライタに送られ、
ＲＯＭライタにセットされたマイクロプロセッサＭＰの
内蔵メモリに書き込まれる。そして、プログラムが書き
込まれたマイクロプロセッサＭＰを制御部ＣＮの回路基
板等に実装することで上述の各実施形態の効果を奏する
ものである。なお、パーソナルコンピュータからＲＯＭ
ライタへプログラムデータを送る媒体としては上記シリ
アルケーブルに限らず、その他の通信媒体やフロッピィ
ディスク等の磁気記録媒体を用いてもよい。また、制御
部ＣＮの回路基板に実装されたマイクロプロセッサＭＰ
に対しては、図１６に示すようにインサーキットプログ
ラミング装置２０を用いてプログラムを書き込むことが
可能である。この場合にも、シリアルケーブルやその他
の通信媒体またはフロッピィディスク等の磁気記録媒体
を媒体２１としてプログラムデータがパーソナルコンピ
ュータＰＣからインサーキットプログラミング装置２０
に送られ、インサーキットプログラミング装置２０によ
って回路基板に実装されたマイクロプロセッサＭＰの内
蔵メモリに書き込まれる。
【００８４】
【発明の効果】請求項１の発明は、交流電源を整流する
整流部と、整流部から出力される脈流をスイッチング素
子のオン・オフ動作によって交流出力に変換するインバ
ータ回路部と、予め設定されたプログラムを実行して交
流出力が略一定となるようにインバータ回路部のスイッ
チング素子の動作周波数を周波数変調する制御部とを備
えたので、プログラム制御によってきめ細やかな制御が
可能になることから、従来例に比較して入力電流の高調
波歪を低減するとともに出力電流波形を略一定として波
高率を改善することができるという効果がある。
整流部と、整流部から出力される脈流をスイッチング素
子のオン・オフ動作によって交流出力に変換するインバ
ータ回路部と、予め設定されたプログラムを実行して交
流出力が略一定となるようにインバータ回路部のスイッ
チング素子の動作周波数を周波数変調する制御部とを備
えたので、プログラム制御によってきめ細やかな制御が
可能になることから、従来例に比較して入力電流の高調
波歪を低減するとともに出力電流波形を略一定として波
高率を改善することができるという効果がある。
【００８５】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、制御部は、予め設定されたプログラムを実行するマ
イクロプロセッサを具備するので、請求項１の発明と同
様の効果を奏する。
て、制御部は、予め設定されたプログラムを実行するマ
イクロプロセッサを具備するので、請求項１の発明と同
様の効果を奏する。
【００８６】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、制御部は、交流電源からの入力交流電圧の立
ち上がりを検出して入力交流電圧の山部と谷部との間で
周波数変調を行うので、請求項１又は２の発明と同様の
効果を奏する。
において、制御部は、交流電源からの入力交流電圧の立
ち上がりを検出して入力交流電圧の山部と谷部との間で
周波数変調を行うので、請求項１又は２の発明と同様の
効果を奏する。
【００８７】請求項４の発明は、請求項１又は２又は３
の発明において、制御部は、交流出力を検出する検出部
を有し、予め設定されたプログラムを実行して検出部の
検出値が所定値を越える場合にはスイッチング素子の動
作周波数を高くし、検出値が所定値を下回る場合にはス
イッチング素子の動作周波数を低く制御するので、負荷
に異常が生じて交流出力が増大すればスイッチング素子
の動作周波数を高くして交流出力を低下し、交流出力が
減少すればスイッチング素子の動作周波数を低くして交
流出力を増大するというように負荷の状態に応じたきめ
細やかな制御が可能となる。
の発明において、制御部は、交流出力を検出する検出部
を有し、予め設定されたプログラムを実行して検出部の
検出値が所定値を越える場合にはスイッチング素子の動
作周波数を高くし、検出値が所定値を下回る場合にはス
イッチング素子の動作周波数を低く制御するので、負荷
に異常が生じて交流出力が増大すればスイッチング素子
の動作周波数を高くして交流出力を低下し、交流出力が
減少すればスイッチング素子の動作周波数を低くして交
流出力を増大するというように負荷の状態に応じたきめ
細やかな制御が可能となる。
【００８８】請求項５の発明は、請求項１又は２又は３
の発明において、制御部は、予め設定されたプログラム
を実行し、交流出力が増加する場合にはスイッチング素
子の動作周波数を高くし、交流出力が減少する場合には
スイッチング素子の動作周波数を低く制御するととも
に、交流出力の変動に応じて周波数変調制御を行うの
で、負荷が放電灯である場合に初期点灯時には光出力を
抑えめにし、放電灯の累積点灯時間が増大して寿命が短
くなるにつれて光出力を増加する制御（いわゆる初期照
度補正制御）が容易に実現できるという効果がある。
の発明において、制御部は、予め設定されたプログラム
を実行し、交流出力が増加する場合にはスイッチング素
子の動作周波数を高くし、交流出力が減少する場合には
スイッチング素子の動作周波数を低く制御するととも
に、交流出力の変動に応じて周波数変調制御を行うの
で、負荷が放電灯である場合に初期点灯時には光出力を
抑えめにし、放電灯の累積点灯時間が増大して寿命が短
くなるにつれて光出力を増加する制御（いわゆる初期照
度補正制御）が容易に実現できるという効果がある。
【００８９】請求項６の発明は、請求項１〜５の何れか
の発明において、制御部は、プログラムを記憶する記憶
手段を備えたので、請求項１〜５の何れかの発明と同様
の効果を奏する。
の発明において、制御部は、プログラムを記憶する記憶
手段を備えたので、請求項１〜５の何れかの発明と同様
の効果を奏する。
【００９０】請求項７の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、整流部の低電位側
出力端にカソードが接続された第１のダイオードと、第
１のダイオードのアノードにカソードが接続されるとと
もにスイッチング素子の直列回路の低電位側にアノード
が接続された第２のダイオードと、２つのスイッチング
素子の接続点と第２のダイオードのカソードの間に直流
阻止用のコンデンサを介して接続され、共振回路を形成
する負荷回路と、第２のダイオードと並列接続される共
振用コンデンサとを具備したので、請求項１〜６の何れ
かの発明と同様の効果を奏する。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、整流部の低電位側
出力端にカソードが接続された第１のダイオードと、第
１のダイオードのアノードにカソードが接続されるとと
もにスイッチング素子の直列回路の低電位側にアノード
が接続された第２のダイオードと、２つのスイッチング
素子の接続点と第２のダイオードのカソードの間に直流
阻止用のコンデンサを介して接続され、共振回路を形成
する負荷回路と、第２のダイオードと並列接続される共
振用コンデンサとを具備したので、請求項１〜６の何れ
かの発明と同様の効果を奏する。
【００９１】請求項８の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、直流阻止用のコン
デンサを介して何れか一方のスイッチング素子と並列に
接続される共振用インダクタおよび共振用コンデンサ
と、共振用コンデンサに１次側が並列接続されるととも
に２次側に負荷が接続されたトランスと、トランスに設
けられた帰還巻線と、整流部の入力側あるいは出力側に
接続された帰還巻線を含む共振回路とを具備したので、
請求項１〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２
つのスイッチング素子の直列回路と、直流阻止用のコン
デンサを介して何れか一方のスイッチング素子と並列に
接続される共振用インダクタおよび共振用コンデンサ
と、共振用コンデンサに１次側が並列接続されるととも
に２次側に負荷が接続されたトランスと、トランスに設
けられた帰還巻線と、整流部の入力側あるいは出力側に
接続された帰還巻線を含む共振回路とを具備したので、
請求項１〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
【００９２】請求項９の発明は、請求項１〜６の何れか
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノー
ドが接続された第１のダイオードと、第１のダイオード
のカソードにアノードが接続された第２のダイオード
と、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回
路と、第１のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された第１の共振用コンデンサと、第
１および第２のスイッチング素子の接続点と第１の共振
用コンデンサの高電位側の一端の間に直流阻止用のコン
デンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、
共振用インダクタと共振回路を形成する第２の共振用コ
ンデンサを有した負荷回路とを具備したので、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
の発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノー
ドが接続された第１のダイオードと、第１のダイオード
のカソードにアノードが接続された第２のダイオード
と、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回
路と、第１のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された第１の共振用コンデンサと、第
１および第２のスイッチング素子の接続点と第１の共振
用コンデンサの高電位側の一端の間に直流阻止用のコン
デンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、
共振用インダクタと共振回路を形成する第２の共振用コ
ンデンサを有した負荷回路とを具備したので、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
【００９３】請求項１０の発明は、請求項１〜６の何れ
かの発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバ
ータ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備
え、インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にア
ノードが接続された第１のダイオードと、第１のダイオ
ードのカソードにアノードが接続された第２のダイオー
ドと、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列
回路と、第１および第２のスイッチング素子の接続点と
第１のダイオードのカソードの間に直流阻止用のコンデ
ンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共
振用インダクタと共振回路を形成する共振用コンデンサ
を有した負荷回路と、第２のダイオードに並列接続され
た第２の共振用コンデンサとを具備したので、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
かの発明において、整流部の脈流出力を平滑してインバ
ータ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備
え、インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にア
ノードが接続された第１のダイオードと、第１のダイオ
ードのカソードにアノードが接続された第２のダイオー
ドと、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側
出力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列
回路と、第１および第２のスイッチング素子の接続点と
第１のダイオードのカソードの間に直流阻止用のコンデ
ンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共
振用インダクタと共振回路を形成する共振用コンデンサ
を有した負荷回路と、第２のダイオードに並列接続され
た第２の共振用コンデンサとを具備したので、請求項１
〜６の何れかの発明と同様の効果を奏する。
【００９４】請求項１１の発明は、請求項１〜１０の何
れかの発明において、整流部の出力電圧をスイッチング
素子のスイッチング動作により充電し平滑する平滑コン
デンサを備えたので、請求項１〜１０の何れかの発明と
同様の効果を奏する。
れかの発明において、整流部の出力電圧をスイッチング
素子のスイッチング動作により充電し平滑する平滑コン
デンサを備えたので、請求項１〜１０の何れかの発明と
同様の効果を奏する。
【００９５】請求項１２の発明は、請求項１１の発明に
おいて、スイッチング素子の直列回路と並列に接続され
るチョークコイル、平滑コンデンサおよび第１のダイオ
ードの直列回路と、平滑コンデンサと第１のダイオード
の接続点と２つのスイッチング素子の接続点の間に挿入
された第２のダイオードとを具備し、スイッチング素子
のスイッチング動作で平滑コンデンサを充電する降圧チ
ョッパ回路を備えたので、請求項１１の発明と同様の効
果を奏する。
おいて、スイッチング素子の直列回路と並列に接続され
るチョークコイル、平滑コンデンサおよび第１のダイオ
ードの直列回路と、平滑コンデンサと第１のダイオード
の接続点と２つのスイッチング素子の接続点の間に挿入
された第２のダイオードとを具備し、スイッチング素子
のスイッチング動作で平滑コンデンサを充電する降圧チ
ョッパ回路を備えたので、請求項１１の発明と同様の効
果を奏する。
【００９６】請求項１３の発明は、請求項１〜１２の何
れかの発明において、制御部は、予め設定されたプログ
ラムを実行し、外部から与えられる信号に応じたレベル
にインバータ回路部の出力を可変し且つ出力が当該レベ
ルに略一定となるようにスイッチング素子のスイッチン
グ動作を制御するので、例えば、負荷である放電灯を外
部から与えられる調光信号によって調光するような場合
においても、入力電流の高調波歪を低減するとともに出
力電流波形を略一定として波高率を改善することができ
るという効果がある。
れかの発明において、制御部は、予め設定されたプログ
ラムを実行し、外部から与えられる信号に応じたレベル
にインバータ回路部の出力を可変し且つ出力が当該レベ
ルに略一定となるようにスイッチング素子のスイッチン
グ動作を制御するので、例えば、負荷である放電灯を外
部から与えられる調光信号によって調光するような場合
においても、入力電流の高調波歪を低減するとともに出
力電流波形を略一定として波高率を改善することができ
るという効果がある。
【図１】実施形態１の回路構成図である。
【図２】同上の動作説明用の波形図である。
【図３】実施形態２の回路構成図である。
【図４】同上の動作説明用の波形図である。
【図５】実施形態３の回路構成図である。
【図６】実施形態４の回路構成図である。
【図７】実施形態５の回路構成図である。
【図８】実施形態６の回路構成図である。
【図９】実施形態７の回路構成図である。
【図１０】同上の動作説明用の波形図である。
【図１１】実施形態８の回路構成図である。
【図１２】実施形態９の回路構成図である。
【図１３】実施形態１０の回路構成図である。
【図１４】同上におけるセンサ回路の概略構成図であ
る。
る。
【図１５】実施形態１１におけるセンサ回路の概略構成
図である。
図である。
【図１６】同上におけるプログラムの書き込み方法を説
明するための説明図である。
明するための説明図である。
【図１７】従来例１の回路構成図である。
【図１８】同上の動作説明用の波形図である。
【図１９】従来例２の回路構成図である。
【図２０】同上の動作説明用の波形図である。
【図２１】他の従来例の回路構成図である。
【図２２】さらに他の従来例の回路構成図である。
ＤＢ 整流回路 ＩＮＶ インバータ回路 Ｒ 負荷回路 Ｑ１，Ｑ２ スイッチング素子 Ｃ６ 平滑コンデンサ Ｌ３ 共振用チョーク Ｃ３ 共振用コンデンサ Ｄ１，Ｄ２ ダイオード ＣＮ 制御部 ＭＰ マイクロプロセッサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０５Ｂ 37/02 Ｈ０５Ｂ 37/02 Ｄ Ｆターム(参考） 3K072 AA02 AB03 BA05 BC01 BC02 CA11 CA14 DB02 DB03 DD04 EA01 EB05 FA05 GA03 GB12 GC04 HA06 HB08 3K073 AA52 CG06 CG11 CG42 CL10 3K098 CC07 DD22 EE37 5H007 AA02 AA08 BB03 CA02 CB17 CB22 CC32 DA05 DB12 DB13 DC05
Claims (13)
- 【請求項１】 交流電源を整流する整流部と、整流部か
ら出力される脈流をスイッチング素子のオン・オフ動作
によって交流出力に変換するインバータ回路部と、予め
設定されたプログラムを実行して交流出力が略一定とな
るようにインバータ回路部のスイッチング素子の動作周
波数を周波数変調する制御部とを備えたことを特徴とす
る電源装置。 - 【請求項２】 制御部は、予め設定されたプログラムを
実行するマイクロプロセッサを具備することを特徴とす
る請求項１記載の電源装置。 - 【請求項３】 制御部は、交流電源からの入力交流電圧
の立ち上がりを検出して入力交流電圧の山部と谷部との
間で周波数変調を行うことを特徴とする請求項１又は２
記載の電源装置。 - 【請求項４】 制御部は、交流出力を検出する検出部を
有し、予め設定されたプログラムを実行して検出部の検
出値が所定値を越える場合にはスイッチング素子の動作
周波数を高くし、検出値が所定値を下回る場合にはスイ
ッチング素子の動作周波数を低く制御することを特徴と
する請求項１又は２又は３記載の電源装置。 - 【請求項５】 制御部は、予め設定されたプログラムを
実行し、交流出力が増加する場合にはスイッチング素子
の動作周波数を高くし、交流出力が減少する場合にはス
イッチング素子の動作周波数を低く制御するとともに、
交流出力の変動に応じて周波数変調制御を行うことを特
徴とする請求項１又は２又は３記載の電源装置。 - 【請求項６】 制御部は、プログラムを記憶する記憶手
段を備えたことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記
載の電源装置。 - 【請求項７】 整流部の脈流出力を平滑してインバータ
回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、イ
ンバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２つ
のスイッチング素子の直列回路と、整流部の低電位側出
力端にカソードが接続された第１のダイオードと、第１
のダイオードのアノードにカソードが接続されるととも
にスイッチング素子の直列回路の低電位側にアノードが
接続された第２のダイオードと、２つのスイッチング素
子の接続点と第２のダイオードのカソードの間に直流阻
止用のコンデンサを介して接続され、共振回路を形成す
る負荷回路と、第２のダイオードと並列接続される共振
用コンデンサとを具備したことを特徴とする請求項１〜
６の何れかに記載の電源装置。 - 【請求項８】 整流部の脈流出力を平滑してインバータ
回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、イ
ンバータ回路部は、整流部の出力端間に接続された２つ
のスイッチング素子の直列回路と、直流阻止用のコンデ
ンサを介して何れか一方のスイッチング素子と並列に接
続される共振用インダクタおよび共振用コンデンサと、
共振用コンデンサに１次側が並列接続されるとともに２
次側に負荷が接続されたトランスと、トランスに設けら
れた帰還巻線と、整流部の入力側あるいは出力側に接続
された帰還巻線を含む共振回路とを具備したことを特徴
とする請求項１〜６の何れかに記載の電源装置。 - 【請求項９】 整流部の脈流出力を平滑してインバータ
回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、イ
ンバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノード
が接続された第１のダイオードと、第１のダイオードの
カソードにアノードが接続された第２のダイオードと、
第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出力端
の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回路
と、第１のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された第１の共振用コンデンサと、第１
および第２のスイッチング素子の接続点と第１の共振用
コンデンサの高電位側の一端の間に直流阻止用のコンデ
ンサおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共
振用インダクタと共振回路を形成する第２の共振用コン
デンサを有した負荷回路とを具備したことを特徴とする
請求項１〜６の何れかに記載の電源装置。 - 【請求項１０】 整流部の脈流出力を平滑してインバー
タ回路部に直流電源を供給する平滑コンデンサを備え、
インバータ回路部は、整流部の高電位側出力端にアノー
ドが接続された第１のダイオードと、第１のダイオード
のカソードにアノードが接続された第２のダイオード
と、第２のダイオードのカソードと整流部の低電位側出
力端の間に接続された２つのスイッチング素子の直列回
路と、第１および第２のスイッチング素子の接続点と第
１のダイオードのカソードの間に直流阻止用のコンデン
サおよび共振用インダクタを介して直列接続され、共振
用インダクタと共振回路を形成する共振用コンデンサを
有した負荷回路と、第２のダイオードに並列接続された
第２の共振用コンデンサとを具備したことを特徴とする
請求項１〜６の何れかに記載の電源装置。 - 【請求項１１】 整流部の出力電圧をスイッチング素子
のスイッチング動作により充電し平滑する平滑コンデン
サを備えたことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに
記載の電源装置。 - 【請求項１２】 スイッチング素子の直列回路と並列に
接続されるチョークコイル、平滑コンデンサおよび第１
のダイオードの直列回路と、平滑コンデンサと第１のダ
イオードの接続点と２つのスイッチング素子の接続点の
間に挿入された第２のダイオードとを具備し、スイッチ
ング素子のスイッチング動作で平滑コンデンサを充電す
る降圧チョッパ回路を備えたことを特徴とする請求項１
１記載の電源装置。 - 【請求項１３】 制御部は、予め設定されたプログラム
を実行し、外部から与えられる信号に応じたレベルにイ
ンバータ回路部の出力を可変し且つ出力が当該レベルに
略一定となるようにスイッチング素子のスイッチング動
作を制御することを特徴とする請求項１〜１２の何れか
に記載の電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000155568A JP2001339956A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000155568A JP2001339956A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001339956A true JP2001339956A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18660496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000155568A Pending JP2001339956A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001339956A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006127894A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 放電ランプ点灯装置及びそれを用いた映像表示装置 |
| JP2006525628A (ja) * | 2003-05-08 | 2006-11-09 | ジ アクティブ リアクター カンパニー プロプライエタリー リミテッド | 高輝度放電ランプの制御 |
| WO2009133723A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社村田製作所 | スイッチング電源装置システム |
| KR101301768B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2013-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 인버터 |
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-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000155568A patent/JP2001339956A/ja active Pending
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