JP2001337216A - Method for manufacturing array substrate - Google Patents

Method for manufacturing array substrate

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JP2001337216A
JP2001337216A JP2000154876A JP2000154876A JP2001337216A JP 2001337216 A JP2001337216 A JP 2001337216A JP 2000154876 A JP2000154876 A JP 2000154876A JP 2000154876 A JP2000154876 A JP 2000154876A JP 2001337216 A JP2001337216 A JP 2001337216A
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JP
Japan
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resin layer
contact hole
layer
array substrate
energy
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Application number
JP2000154876A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigehiro Uesono
重広 上園
Nobushige Omoto
信繁 大本
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a contact hole with good contact characteristics in a color filter layer on an array substrate in a short time and to obtain an array substrate with stable quality at a low cost. SOLUTION: After a color filter layer 27 is formed by coloring a resin layer 30, the region of the color filter layer 27 except for the contact hole region 32 is exposed to light. The color filter layer 27 is developed to remove the unexposed contact hole region 32 to form the contact hole 28 in the array substrate 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、カラーフィルタ上
方に画素電極を形成してなるアレイ基板の製造方法に関
する。
The present invention relates to a method of manufacturing an array substrate having a pixel electrode formed above a color filter.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、カラーフィルタを用いカラー画像
を表示する液晶表示装置の画素の高精細化・高密度化に
伴い、開口率の低下を防止するため、マトリクス状の画
素電極を有するアレイ基板側にカラーフィルタ層を形成
するカラーフィルタオンアレイ方式のアレイ基板が開発
されている。
2. Description of the Related Art In recent years, an array substrate having matrix-shaped pixel electrodes has been developed in order to prevent a decrease in aperture ratio with the increase in definition and density of pixels of a liquid crystal display device that displays a color image using a color filter. An array substrate of a color filter on array type in which a color filter layer is formed on the side has been developed.

【0003】このカラーフィルタオンアレイ方式のアレ
イ基板にあっては、従来は、薄膜トランジスタ(以下T
FTと略称する。)を有する絶縁性基板上に、R・G・
B(赤・緑・青)あるいはY・M・C(イエロー・マゼ
ンタ・シアン)の様な三原色の各色に着色された有機絶
縁膜を塗布しフォトリソグラフィ工程によりストライプ
状に形成するという操作を各色毎に3回繰り返えしてカ
ラーフィルタ層を形成していた。そしてカラーフィルタ
層にコンタクトホールを形成後、その上層にインジウム
錫酸化物(以下ITOと称する。)からなる画素電極を
パターン形成して、コンタクトホールを介して画素電極
とTFTとを電気的に接続してアレイ基板を形成してい
た。
In this color filter on array type array substrate, a thin film transistor (hereinafter referred to as T
Abbreviated as FT. ) On an insulating substrate having
An operation of applying an organic insulating film colored in each of the three primary colors such as B (red, green, blue) or Y, M, C (yellow, magenta, cyan) and forming it in a stripe shape by a photolithography process is performed for each color. Each time, the color filter layer was formed three times. Then, after a contact hole is formed in the color filter layer, a pixel electrode made of indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is formed as a pattern thereon, and the pixel electrode and the TFT are electrically connected through the contact hole. Thus, an array substrate was formed.

【0004】しかしながら上記方法では、カラーフィル
タ層形成のために、各色毎にフォトリソグラフィ工程を
3回も繰り返さなければならず、製造時間を長く必要と
する事から、生産性に劣りコストの上昇を招くという問
題を生じていた。
However, in the above method, the photolithography process must be repeated three times for each color in order to form a color filter layer, which requires a long manufacturing time, resulting in poor productivity and increased cost. There was a problem of inviting.

【0005】このため、フォトリソグラフィ工程数を削
減するために、アレイ基板上に形成される樹脂層にイン
クジェット方式により三原色の染料等の着色剤を付与し
て、樹脂層をストライプ状に着色した後、1回のフォト
リソグラフィ工程でドライエッチングを用いてコンタク
トホールを形成し、その上にITOからなる画素電極を
パターン形成する方法が提案されている。
For this reason, in order to reduce the number of photolithography steps, a colorant such as three primary color dyes is applied to a resin layer formed on an array substrate by an ink jet method to color the resin layer in a stripe shape. A method has been proposed in which a contact hole is formed by dry etching in a single photolithography step, and a pixel electrode made of ITO is formed on the contact hole.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ド
ライエッチングによりコンタクトホールを形成すると、
コンタクト面に着色部材が残さとして残ったり、あるい
は除去された樹脂層の再付着により樹脂層材料である有
機系の絶縁物がコンタクト面に付着するという現象を生
じていた。
However, when a contact hole is formed by the above dry etching,
There has been a phenomenon that the colored member remains as a residue on the contact surface, or an organic insulator, which is a resin layer material, adheres to the contact surface due to reattachment of the removed resin layer.

【0007】そしてこの状態で画素電極をパターン形成
した場合、コンタクト抵抗が上昇したり、あるいはコン
タクト抵抗が高く無くても信頼性試験を行うと短期間で
表示特性が劣化する等コンタクト特性の低下を生じ、信
頼性を低下するという問題があった。しかもドライエッ
チングによるコンタクトホールの形成は、エッチング処
理時間が長くかかり、依然として製造に長時間を要し、
コストの低減の妨げになるという問題もあった。
When the pixel electrode is patterned in this state, the contact resistance increases, or even if the contact resistance is not high, the contact characteristics are reduced, such as the display characteristics are deteriorated in a short period of time in a reliability test. This causes a problem of lowering reliability. In addition, the formation of contact holes by dry etching requires a long etching processing time, and still requires a long time for manufacturing.
There was also a problem that it hindered cost reduction.

【0008】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、カラーフィルタ層上のコンタクトホールを長時間を
要する事無く効率的にパターン形成し、且つ良好なコン
タクト特性を得られ、安価で安定した品質のアレイ基板
を実現出来るアレイ基板の製造方法を提供する事を目的
とする。
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and efficiently forms a contact hole on a color filter layer without requiring a long time, obtains good contact characteristics, and is inexpensive and stable in quality. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an array substrate which can realize the above-mentioned array substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為の手段として、スイッチング素子を有する絶縁性
基板上にエネルギー照射により選択的に撥水性を発現す
る樹脂層を形成する第1の工程と、前記樹脂層に選択的
にエネルギー照射して撥水性部と非撥水性部とを形成す
る第2の工程と、前記樹脂層の非撥水性部に着色剤を付
与して着色層を形成する第3の工程と、前記撥水性部の
一部をコンタクトホール領域とするため、このコンタク
トホール領域を除いて前記樹脂層にエネルギー照射し、
前記コンタクトホール領域の前記樹脂層を除去する第5
の工程と、前記コンタクトホールを介して前記スイッチ
ング素子に接続する画素電極をパターン形成する第6の
工程とを実施するものである。
According to the present invention, as a means for solving the above-mentioned problems, there is provided a method of forming a resin layer which selectively exhibits water repellency by irradiating energy on an insulating substrate having switching elements. A step of selectively irradiating energy to the resin layer to form a water-repellent portion and a non-water-repellent portion, and applying a coloring agent to the non-water-repellent portion of the resin layer to form a colored layer. A third step of forming, and irradiating the resin layer with energy except for the contact hole region in order to make a part of the water repellent portion a contact hole region;
A fifth step of removing the resin layer in the contact hole region;
And a sixth step of pattern-forming a pixel electrode connected to the switching element via the contact hole.

【0010】又本発明は上記課題を解決する為の手段と
して、スイッチング素子を有する絶縁性基板上にエネル
ギー照射により選択的に撥水性を発現する樹脂層を形成
する第1の工程と、前記樹脂層に選択的にエネルギー照
射して撥水性部と非撥水性部とを形成する第2の工程
と、前記樹脂層の非撥水性部に着色剤を付与して着色層
を形成する第3の工程と、この第3の工程終了後前記樹
脂層を保護用樹脂層で被覆する第7の工程と、前記撥水
性部の一部及び前記撥水性部を被覆する前記保護用樹脂
層の一部をコンタクトホール領域とするため、このコン
タクトホール領域を除いて前記樹脂層及び前記保護用樹
脂層にエネルギー照射し、前記コンタクトホール領域の
前記樹脂層及び前記保護用樹脂層を除去する第9の工程
と、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素
子に接続する画素電極をパターン形成する第10の工程
とを実施するものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a first step of forming a resin layer which selectively exhibits water repellency by irradiating energy on an insulating substrate having switching elements; A second step of selectively irradiating the layer with energy to form a water-repellent portion and a non-water-repellent portion, and a third step of applying a coloring agent to the non-water-repellent portion of the resin layer to form a colored layer. A step, after the third step, a seventh step of covering the resin layer with a protective resin layer, and a part of the water-repellent portion and a part of the protective resin layer covering the water-repellent portion. A ninth step of irradiating the resin layer and the protective resin layer with energy except for the contact hole region to remove the resin layer and the protective resin layer in the contact hole region. And the contact It is intended to carry out a tenth step of patterning the pixel electrode connected to the switching element via Lumpur.

【0011】そしてこの様な構成により本発明は、長時
間を要するドライエッチングを行う事無く、露光後1回
現像操作を行うのみで、容易且つ短時間で確実にカラー
フィルタ層にコンタクトホールをパタ−ン形成し、低価
格且つ良好な品質のアレイ基板を得るものである。
With such a structure, the present invention can easily and reliably form a contact hole in a color filter layer in a short time without performing dry etching which requires a long time and performing only one development operation after exposure. To obtain an array substrate of low cost and good quality.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
を図1乃至図4を参照して説明する。図1は、アレイ基
板10の一部を示す平面図で有り、図2は図1のX−X´
線に沿った断面図である。アレイ基板10のガラス基板
11上には複数の走査線12と補助容量線13が配線さ
れ、これらと交差するよう複数の信号線14が配線され
ている。走査線12と信号線14との交差部近傍には、
スイッチング素子であるTFT16が設けられ、走査線
及12及び信号線14に囲まれた領域にマトリクス状に
配置されるITOとからなる画素電極17の駆動を行っ
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a part of the array substrate 10, and FIG.
It is sectional drawing along the line. A plurality of scanning lines 12 and auxiliary capacitance lines 13 are arranged on a glass substrate 11 of the array substrate 10, and a plurality of signal lines 14 are arranged so as to intersect these lines. In the vicinity of the intersection between the scanning line 12 and the signal line 14,
A TFT 16 serving as a switching element is provided, and drives a pixel electrode 17 composed of ITO arranged in a matrix in a region surrounded by the scanning line 12 and the signal line 14.

【0013】TFT16は、走査線12と一体のゲート
電極18を有し、ゲート電極18上方にはゲート絶縁膜
20を介し、半導体層21が形成されている。半導体層
21上には画素電極17に接続されるソース電極22及
び信号線14と一体的に形成されるドレイン電極23が
設けられている。更に24は、表面保護膜である。
The TFT 16 has a gate electrode 18 integral with the scanning line 12, and a semiconductor layer 21 is formed above the gate electrode 18 via a gate insulating film 20. A source electrode 22 connected to the pixel electrode 17 and a drain electrode 23 formed integrally with the signal line 14 are provided on the semiconductor layer 21. 24 is a surface protective film.

【0014】TFT16及び信号線14の上方には感光
材を含むネガレジスト系のアクリル系共重合樹脂からな
る樹脂層をR・G・B(赤・緑・青)の三原色に着色し
てなるカラーフィルタ層27が形成され、このカラーフ
ィルタ層27上に形成される画素電極17は、補助容量
線13上にてカラーフィルタ層27に形成されたコンタ
クトホール28を介してTFT16のソース電極22と
電気的に接続するようにパターン形成されている。
Above the TFT 16 and the signal line 14, a resin layer made of a negative resist type acrylic copolymer resin containing a photosensitive material is colored in three primary colors of R, G, B (red, green, blue). A filter layer 27 is formed. The pixel electrode 17 formed on the color filter layer 27 is electrically connected to the source electrode 22 of the TFT 16 via the contact hole 28 formed in the color filter layer 27 on the auxiliary capacitance line 13. The pattern is formed so as to be electrically connected.

【0015】次に図3及び図4を参照してアレイ基板1
0上にて画素電極17をソース電極22と電気的に接続
するためカラーフィルタ層27に設けられるコンタクト
ホール28の製造方法について述べる。図4(a)に示
すように先ず、ガラス基板11上にTFT(図示せず)
を形成後、感光材を含むネガレジスト系のアクリル系共
重合樹脂からなる樹脂層30をスピンコート法により1
μmの厚さに塗布して第1の工程を実施する。
Next, referring to FIG. 3 and FIG.
A method of manufacturing a contact hole 28 provided in the color filter layer 27 for electrically connecting the pixel electrode 17 to the source electrode 22 on the pixel 0 will be described. As shown in FIG. 4A, first, a TFT (not shown) is formed on a glass substrate 11.
Is formed, a resin layer 30 made of a negative resist-based acrylic copolymer resin containing a photosensitive material is applied to the resin layer 30 by spin coating.
The first step is carried out by coating to a thickness of μm.

【0016】次に図4(b)に示す様に、フォトマスク
(図示せず)を用いて信号線14に平行な領域を露光し
て、樹脂層30中にストライプ状のインク撥水層31を
形成する第2の工程を実施した後、図4(c)に示す様
に、例えばインクジェット方式を用いてインク撥水層3
1を除く樹脂層30に、 R・G・B(赤・緑・青)の
染料を含む着色剤を選択的に吐出して、着色し、カラー
フィルタ層27を形成する第3の工程を実施する。更に
カラーフィルタ層27に熱処理を施して硬化する第4の
工程を実施する。熱処理はホットプレート上で100℃
で2分間加熱した。
Next, as shown in FIG. 4B, a region parallel to the signal line 14 is exposed using a photomask (not shown), and a striped ink water-repellent layer 31 is formed in the resin layer 30. After the second step of forming the ink-repellent layer 3 is performed using, for example, an inkjet method as shown in FIG.
A third step of selectively discharging and coloring a colorant containing R, G, and B (red, green, and blue) dyes on the resin layer 30 except for the color filter layer 27 to form the color filter layer 27 is performed. I do. Further, a fourth step of performing heat treatment on the color filter layer 27 and curing the color filter layer 27 is performed. Heat treatment at 100 ℃ on hot plate
For 2 minutes.

【0017】次に図4(d)に示す様に、フォトマスク
(図示せず)を用いてカラーフィルタ層27のコンタク
トホール領域32を除く領域に2回目の露光をする。こ
の後、カラーフィルタ層27を現像液に漬けて、図4
(e)に示す様にカラーフィルタ層27の未露光部であ
るコンタクトホール領域32を除去して、TFT16の
ソース電極22を露出するコンタクトホール28を形成
する第5の工程を実施する。最後に図4(f)に示すよ
うにコンタクトホール28を介して、ITOからなる画
素電極17をパターン形成する第6の工程を実施し、画
素電極17をTFT16のソース電極22と電気的に接
触させてアレイ基板10を完成する。
Next, as shown in FIG. 4D, a second exposure is performed on a region except the contact hole region 32 of the color filter layer 27 using a photomask (not shown). Thereafter, the color filter layer 27 is immersed in a developing solution,
As shown in (e), a fifth step of removing the contact hole region 32, which is the unexposed portion of the color filter layer 27, and forming a contact hole 28 exposing the source electrode 22 of the TFT 16 is performed. Finally, as shown in FIG. 4F, a sixth step of patterning the pixel electrode 17 made of ITO through the contact hole 28 is performed, and the pixel electrode 17 is electrically contacted with the source electrode 22 of the TFT 16. Thus, the array substrate 10 is completed.

【0018】この様にして形成されたアレイ基板10の
画素電極17とソース電極22間のコンタクト抵抗を測
定した所、十分に小さく、また信頼性試験においても表
示特性の劣化はカラーフィルタを有しないアレイ基板と
同等であった。
When the contact resistance between the pixel electrode 17 and the source electrode 22 of the array substrate 10 formed as described above was measured, the resistance was sufficiently small, and the display characteristics did not deteriorate even in the reliability test without the color filter. It was equivalent to the array substrate.

【0019】このように構成すれば、ドライエッチング
を行う事無く、樹脂層30を2回露光した後、現像液に
漬ける事により、コンタクト面に樹脂層の残さや再付着
を生じる事無く、カラーフィルタ層27にコンタクト特
性の良いコンタクトホール28を短時間で容易に形成可
能となる。従って、低価格でありながら安定した品質の
アレイ基板10を容易に得られ、ひいては高精細な液晶
表示装置の低価格化を図る事が可能となる。
With this structure, the resin layer 30 is exposed twice without performing dry etching, and then immersed in a developing solution. A contact hole 28 having good contact characteristics can be easily formed in the filter layer 27 in a short time. Therefore, an array substrate 10 of stable quality can be easily obtained at a low price, and the cost of a high-definition liquid crystal display device can be reduced.

【0020】次に本発明の第2の実施の形態を図5及び
図6を参照して説明する。本実施の形態は、第1の実施
の形態にて、樹脂層に2回目の露光を実施する前にカラ
ーフィルタ表面に保護膜を形成するものであり、他は第
1の実施の形態と同一であることから同一部分について
は同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is different from the first embodiment in that a protective film is formed on the surface of the color filter before the second exposure of the resin layer is performed. The other components are the same as those of the first embodiment. Therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0021】本実施の形態においては、図6(a)に示
すように先ず、ガラス基板11上にTFT(図示せず)
を形成後、感光材を含むネガレジスト系のアクリル系共
重合樹脂からなる樹脂層30をスピンコート法により1
μmの厚さに塗布して第1の工程を実施する。次いで図
6(b)に示す様に、信号線14に平行な領域を露光し
て、樹脂層30中にストライプ状のインク撥水層31を
形成する第2の工程を実施した後、図6(c)に示す様
に、インクジェット方式を用いてインク撥水層31を除
く樹脂層30に、 R・G・B(赤・緑・青)の染料を
含む着色剤を選択的に吐出して、着色し、カラーフィル
タ層27を形成する第3の工程を実施する。
In this embodiment, as shown in FIG. 6A, first, a TFT (not shown) is formed on a glass substrate 11.
Is formed, a resin layer 30 made of a negative resist-based acrylic copolymer resin containing a photosensitive material is applied to the resin layer 30 by spin coating.
The first step is carried out by coating to a thickness of μm. Next, as shown in FIG. 6B, a second step of exposing a region parallel to the signal line 14 to form a striped ink water-repellent layer 31 in the resin layer 30 is performed. As shown in (c), a colorant containing R, G, and B (red, green, and blue) dyes is selectively discharged to the resin layer 30 except for the ink water-repellent layer 31 by using an inkjet method. A third step of coloring and forming the color filter layer 27 is performed.

【0022】次に図6(d)に示す様に、カラーフィル
タ層27上に感光材を含むネガレジスト系のアクリル系
共重合樹脂からなる保護用樹脂層33を塗布する第7の
工程を実施する。更にカラーフィルタ層27及び保護用
樹脂層33に熱処理を施して硬化する第8の工程を実施
する。
Next, as shown in FIG. 6D, a seventh step of applying a protective resin layer 33 made of a negative resist acrylic copolymer resin containing a photosensitive material on the color filter layer 27 is performed. I do. Further, an eighth step of performing heat treatment on the color filter layer 27 and the protective resin layer 33 to cure the color filter layer 27 and the protective resin layer 33 is performed.

【0023】次に図6(e)に示す様に、カラーフィル
タ層27及び保護用樹脂層33のコンタクトホール領域
32を除く領域を露光する。この後、カラーフィルタ層
27及び保護用樹脂層33を現像液に漬けて、図6
(f)に示す様にカラーフィルタ層27及び保護用樹脂
層33の未露光部であるコンタクトホール領域32を除
去して、TFT16のソース電極22を露出するコンタ
クトホール34を形成する第9の工程を実施する。最後
に図6(g)に示すようにコンタクトホール34を介し
て、ITOからなる画素電極17をパターン形成する第
10の工程を実施し、 画素電極17をTFT16のソ
ース電極22と電気的に接触させてアレイ基板36を完
成する。
Next, as shown in FIG. 6E, a region excluding the contact hole region 32 of the color filter layer 27 and the protective resin layer 33 is exposed. Thereafter, the color filter layer 27 and the protective resin layer 33 are immersed in a developing solution to
A ninth step of removing the contact hole region 32 which is an unexposed portion of the color filter layer 27 and the protective resin layer 33 to form a contact hole 34 exposing the source electrode 22 of the TFT 16 as shown in FIG. Is carried out. Finally, as shown in FIG. 6G, a tenth step of patterning the pixel electrode 17 made of ITO through the contact hole 34 is performed, and the pixel electrode 17 is electrically contacted with the source electrode 22 of the TFT 16. Thus, the array substrate 36 is completed.

【0024】この様にして形成されたアレイ基板36の
画素電極17とソース電極22間のコンタクト抵抗を測
定した所、第1の実施の形態と同様十分に小さく、また
表示特性の劣化もカラーフィルタを有しないアレイ基板
と同等であった。
When the contact resistance between the pixel electrode 17 and the source electrode 22 of the array substrate 36 thus formed was measured, it was sufficiently small as in the first embodiment, and the display characteristics were not deteriorated. Was equivalent to an array substrate having no.

【0025】このように構成すれば、第1の実施の形態
と同様、樹脂層30及び保護用樹脂層33を露光した
後、現像液に漬ける事により、コンタクト面に樹脂層の
残さや再付着を生じる事無く、コンタクト特性の良いコ
ンタクトホールを短時間で容易に形成可能となり、低価
格でありながら安定した品質のアレイ基板を容易に得ら
れ、ひいては高精細な液晶表示装置の低価格化を図る事
が可能となる。更にカラーフィルタ27上に保護用樹脂
層33を塗布することにより、現像時、カラーフィルタ
27が外気と直接接触せず、現像時に現像液に直接触れ
ないので、カラーフィルタ27に異物が付着したり、水
分による変質により色の劣化を生じる事が無く、カラー
フィルタ27の色調を鮮明に保持できる。従ってこのよ
うなアレイ基板を液晶表示装置に用いる事により、鮮明
なカラー表示を容易に得られる。
With this configuration, as in the first embodiment, the resin layer 30 and the protective resin layer 33 are exposed and then immersed in a developing solution, so that the resin layer remains or adheres to the contact surface. This makes it possible to easily form a contact hole with good contact characteristics in a short time without causing a problem, and to easily obtain a low-price, stable array substrate of high quality, thereby reducing the cost of a high-definition liquid crystal display device. It is possible to aim. Further, by coating the protective resin layer 33 on the color filter 27, the color filter 27 does not come into direct contact with the outside air at the time of development and does not come into direct contact with the developing solution at the time of development. In addition, the color tone of the color filter 27 can be kept clear without deterioration of color due to deterioration due to moisture. Therefore, by using such an array substrate for a liquid crystal display device, clear color display can be easily obtained.

【0026】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば樹脂層の材料や膜厚は限定されない。又樹脂
層を着色する着色剤もY・M・C(イエロー・マゼンタ
・シアン)等であっても良い。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be changed without departing from the spirit of the present invention. For example, the material and thickness of the resin layer are not limited. The colorant for coloring the resin layer may be Y, M, C (yellow, magenta, cyan) or the like.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、長
時間を要するドライエッチングを行うこと無く、絶縁性
基板上に形成される樹脂層を露光後、現像するのみで、
残さや再付着が無い、コンタクト特性の良いコンタクト
ホールを短時間で形成可能となる。従って低価格であり
ながら安定した品質のアレイ基板を容易に得られ、ひい
ては低価格、高精細で鮮明なカラー液晶表示装置を提供
可能となる。
As described above, according to the present invention, the resin layer formed on the insulating substrate is simply developed after being exposed, without performing the dry etching requiring a long time.
It is possible to form a contact hole with good contact characteristics without any residue or reattachment in a short time. Therefore, an array substrate of stable quality can be easily obtained at a low price, and a low-cost, high-definition and clear color liquid crystal display device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態のアレイ基板を示す
一部概略平面図である。
FIG. 1 is a partial schematic plan view showing an array substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態のアレイ基板を示す
図1のX−X´線に沿った概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the array substrate according to the first embodiment of the present invention, taken along line XX ′ of FIG.

【図3】本発明の第1の実施の形態のアレイ基板上に形
成されるコンタクトホールを示す一部概略平面図であ
る。
FIG. 3 is a partial schematic plan view showing contact holes formed on the array substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施の形態のアレイ基板を示す
図3のA−A´線に沿ったコンタクトホール形成方法を
示し、(a)はその樹脂層を塗布した状態を示し、
(b)はそのインク撥水層を形成した状態を示し、
(c)はそのカラーフィルタ層を形成した状態を示し、
(d)はその樹脂層の2回目の露光状態を示し、(e)
はその樹脂層にコンタクトホールを形成した状態を示
し、(f)はその画素電極をパターン形成した状態を示
す概略説明図である。
FIG. 4 shows a method of forming a contact hole along the line AA ′ in FIG. 3 showing the array substrate according to the first embodiment of the present invention, and (a) shows a state where the resin layer is applied;
(B) shows a state in which the ink water-repellent layer is formed,
(C) shows a state in which the color filter layer is formed,
(D) shows the second exposure state of the resin layer, and (e)
Is a schematic explanatory view showing a state in which a contact hole is formed in the resin layer, and (f) is a schematic explanatory view showing a state in which the pixel electrode is pattern-formed.

【図5】本発明の第2の実施の形態のアレイ基板上に形
成されるコンタクトホールを示す一部概略平面図であ
る。
FIG. 5 is a partial schematic plan view showing contact holes formed on an array substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施の形態のアレイ基板を示す
図5のB−B´線に沿ったコンタクトホール形成方法を
示し、(a)はその樹脂層を塗布した状態を示し、
(b)はそのインク撥水層を形成した状態を示し、
(c)はそのカラーフィルタ層を形成した状態を示し、
(d)はその保護用樹脂層を塗布した状態を示し,
(e)はその樹脂層及び保護用樹脂層の露光状態を示
し、(f)はその樹脂層及び保護用樹脂層にコンタクト
ホールを形成した状態を示し、(g)はその画素電極を
パターン形成した状態を示す概略説明図である。
FIG. 6 shows a contact hole forming method along the line BB ′ of FIG. 5 showing the array substrate according to the second embodiment of the present invention, and (a) shows a state where the resin layer is applied;
(B) shows a state in which the ink water-repellent layer is formed,
(C) shows a state in which the color filter layer is formed,
(D) shows a state in which the protective resin layer is applied,
(E) shows an exposure state of the resin layer and the protective resin layer, (f) shows a state in which a contact hole is formed in the resin layer and the protective resin layer, and (g) shows a pattern formation of the pixel electrode. FIG. 4 is a schematic explanatory diagram showing a state in which the state has been performed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…アレイ基板 11…ガラス基板 12…走査線 13…補助容量線 14…信号線 16…TFT 17…画素電極 18…ゲート電極 21… 半導体層 22…ソース電極 23…ドレイン電極 27…カラーフィルタ層 28…コンタクトホール 30…樹脂層 31…インク撥水層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Array substrate 11 ... Glass substrate 12 ... Scanning line 13 ... Storage capacitance line 14 ... Signal line 16 ... TFT 17 ... Pixel electrode 18 ... Gate electrode 21 ... Semiconductor layer 22 ... Source electrode 23 ... Drain electrode 27 ... Color filter layer 28 ... Contact hole 30 ... Resin layer 31 ... Ink water-repellent layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 346 G09F 9/30 349A 9/30 349 G02F 1/136 500 (72)発明者 大本 信繁 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2H048 BA43 BA48 BA64 BB02 BB44 2H091 FA02Y FB04 FC22 FC23 FC25 FC26 FD04 FD05 GA02 GA13 LA12 2H092 JA26 JA46 JB05 JB56 JB69 KB25 MA10 MA15 NA11 NA27 PA08 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 EA04 EA07 ED02 5G435 AA17 BB12 CC09 CC12 GG12 KK05 KK09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/00 346 G09F 9/30 349A 9/30 349 G02F 1/136 500 (72) Inventor Nobuyoshi Omoto 7-1-1 Nisshin-cho, Kawasaki-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture F-term (reference) 2H048 BA43 BA48 BA64 BB02 BB44 2H091 FA02Y FB04 FC22 FC23 FC25 FC26 FD04 FD05 GA02 GA13 LA12 2H092 JA26 JA46 JB05 JB56 JB69 KB25 MA10 MA10 NA11 NA27 PA08 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 EA04 EA07 ED02 5G435 AA17 BB12 CC09 CC12 GG12 KK05 KK09

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スイッチング素子を有する絶縁性基板上
にエネルギー照射により選択的に撥水性を発現する樹脂
層を形成する第1の工程と、 前記樹脂層に選択的にエネルギー照射して撥水性部と非
撥水性部とを形成する第2の工程と、 前記樹脂層の非撥水性部に着色剤を付与して着色層を形
成する第3の工程と、 前記撥水性部の一部をコンタクトホール領域とするた
め、このコンタクトホール領域を除いて前記樹脂層にエ
ネルギー照射し、前記コンタクトホール領域の前記樹脂
層を除去する第5の工程と、 前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に
接続する画素電極をパターン形成する第6の工程とを具
備することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
A first step of forming a resin layer that selectively exhibits water repellency by irradiating energy on an insulating substrate having a switching element; and a water repellent section by selectively irradiating energy to the resin layer. A second step of forming a colored layer by applying a coloring agent to the non-water-repellent part of the resin layer; and contacting a part of the water-repellent part. A fifth step of irradiating the resin layer with energy except for the contact hole area to remove the resin layer in the contact hole area to form a hole area, and connecting to the switching element via the contact hole. And a sixth step of patterning the pixel electrodes.
【請求項2】 前記樹脂層が感光材を含むネガレジスト
系のアクリル系共重合樹脂からなる事を特徴とする請求
項1に記載のアレイ基板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the resin layer is made of a negative resist acrylic copolymer resin containing a photosensitive material.
【請求項3】 前記第3の工程終了後、熱処理により前
記樹脂層を硬化する事を特徴とする請求項1又は請求項
2のいずれかに記載のアレイ基板の製造方法。
3. The method for manufacturing an array substrate according to claim 1, wherein after the third step is completed, the resin layer is cured by heat treatment.
【請求項4】 前記第5の工程において、前記エネルギ
ー照射後、現像液により前記樹脂層を現像して、エネル
ギー照射されない前記コンタクトホール領域の前記樹脂
層を除去する事を特徴とする請求項1乃至請求項3のい
ずれか1項に記載のアレイ基板の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein, in the fifth step, after the energy irradiation, the resin layer is developed with a developer to remove the resin layer in the contact hole region that is not irradiated with the energy. A method for manufacturing an array substrate according to claim 3.
【請求項5】 スイッチング素子を有する絶縁性基板上
にエネルギー照射により選択的に撥水性を発現する樹脂
層を形成する第1の工程と、 前記樹脂層に選択的にエネルギー照射して撥水性部と非
撥水性部とを形成する第2の工程と、 前記樹脂層の非撥水性部に着色剤を付与して着色層を形
成する第3の工程と、 この第3の工程終了後前記樹脂層を保護用樹脂層で被覆
する第7の工程と、 前記撥水性部の一部及び前記撥水性部を被覆する前記保
護用樹脂層の一部をコンタクトホール領域とするため、
このコンタクトホール領域を除いて前記樹脂層及び前記
保護用樹脂層にエネルギー照射し、前記コンタクトホー
ル領域の前記樹脂層と前記保護用樹脂層とを除去する第
9の工程と、 前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に
接続する画素電極をパターン形成する第10の工程とを
具備することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
5. A first step of forming a resin layer that selectively exhibits water repellency by irradiating energy on an insulating substrate having a switching element, and a water repellent portion by selectively irradiating energy to the resin layer. A second step of forming a colored layer by applying a coloring agent to the non-water-repellent part of the resin layer; and a step of forming the colored layer by completing the third step. A seventh step of coating the layer with a protective resin layer, and a part of the water-repellent part and a part of the protective resin layer covering the water-repellent part as a contact hole region,
A ninth step of irradiating the resin layer and the protective resin layer with energy except for the contact hole region to remove the resin layer and the protective resin layer in the contact hole region; And forming a pixel electrode connected to the switching element in a pattern.
【請求項6】 前記樹脂層及び前記保護用樹脂層が感光
材を含むネガレジスト系のアクリル系共重合樹脂からな
る事を特徴とする請求項5に記載のアレイ基板の製造方
法。
6. The method according to claim 5, wherein the resin layer and the protective resin layer are made of a negative resist acrylic copolymer resin containing a photosensitive material.
【請求項7】 前記第7の工程終了後、熱処理により前
記樹脂層及び前記保護用樹脂層を硬化する事を特徴とす
る請求項5又は請求項6のいずれかに記載のアレイ基板
の製造方法。
7. The method according to claim 5, wherein after completion of the seventh step, the resin layer and the protective resin layer are cured by heat treatment. .
【請求項8】 前記第9の工程において、前記エネルギ
ー照射後、現像液により前記樹脂層及び前記保護用樹脂
層を現像して、エネルギー照射されない前記コンタクト
ホール領域の前記樹脂層と前記保護用樹脂層とを除去す
る事を特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項
に記載のアレイ基板の製造方法。
8. In the ninth step, after irradiating the energy, the resin layer and the protective resin layer are developed with a developer, and the resin layer and the protective resin in the contact hole region not irradiated with the energy are developed. The method for manufacturing an array substrate according to any one of claims 5 to 7, wherein the layer is removed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006503333A (en) * 2002-10-17 2006-01-26 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Integrated liquid crystal display device with a fingerprint recognition element and manufacturing method thereof
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