JP2001335400A - ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＣｄＴｅ単結晶の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーパントなしで、効率的にＸ線検出用に適
したｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結晶を製造する。 【解決手段】 水平ブリッジマン法によるＣｄＴｅ単結
晶の製造方法において、原料として高純度のＣｄＴｅ多
結晶７を使用し、反応管４内をＣｄ雰囲気とするための
Ｃｄ源として過剰量の金属Ｃｄ８を反応管４内に供給
し、金属Ｃｄ８を加熱する温度を制御することにより反
応管４内のＣｄ蒸気圧を制御して、ｎ型・高抵抗率のＣ
ｄＴｅ単結晶を製造する。
したｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結晶を製造する。 【解決手段】 水平ブリッジマン法によるＣｄＴｅ単結
晶の製造方法において、原料として高純度のＣｄＴｅ多
結晶７を使用し、反応管４内をＣｄ雰囲気とするための
Ｃｄ源として過剰量の金属Ｃｄ８を反応管４内に供給
し、金属Ｃｄ８を加熱する温度を制御することにより反
応管４内のＣｄ蒸気圧を制御して、ｎ型・高抵抗率のＣ
ｄＴｅ単結晶を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水平ブリッジマン
法を使用したＣｄＴｅ単結晶の製造方法に関するもので
ある。
法を使用したＣｄＴｅ単結晶の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線検出器用のＣｄＴｅ単結晶は、原料
として金属Ｃｄと金属Ｔｅとを化学量論比で混合したも
の、或いは単結晶をｎ型化・高抵抗率化するため所定量
の塩素含有化合物・シリコン等をドーパントとしたＣｄ
Ｔｅ多結晶等を反応管内に供給し、加熱溶融後に反応管
を上下方向に温度勾配を持たせた垂直ブリッジマン炉中
で移動して製造されている。
として金属Ｃｄと金属Ｔｅとを化学量論比で混合したも
の、或いは単結晶をｎ型化・高抵抗率化するため所定量
の塩素含有化合物・シリコン等をドーパントとしたＣｄ
Ｔｅ多結晶等を反応管内に供給し、加熱溶融後に反応管
を上下方向に温度勾配を持たせた垂直ブリッジマン炉中
で移動して製造されている。
【０００３】しかし、この方法では、反応管内の固液界
面形状は凹状になり、結晶粒界が抜けにくく大きな単結
晶になりにくい。また、ＣｄＴｅの融点付近の高温で
は、Ｃｄの蒸気圧がＴｅの蒸気圧より１０倍程高いの
で、蒸気圧差により、反応管上部の空間に原料溶融液表
面からＣｄが優先的に蒸発して、化学量論比よりＣｄの
少ない結晶になるという欠点がある。
面形状は凹状になり、結晶粒界が抜けにくく大きな単結
晶になりにくい。また、ＣｄＴｅの融点付近の高温で
は、Ｃｄの蒸気圧がＴｅの蒸気圧より１０倍程高いの
で、蒸気圧差により、反応管上部の空間に原料溶融液表
面からＣｄが優先的に蒸発して、化学量論比よりＣｄの
少ない結晶になるという欠点がある。
【０００４】反応管内の固液界面形状が凹状になり、結
晶粒界が抜けにくく大きな単結晶になりにくい点を解決
しようとすると、製造装置が複雑になりコスト高とな
る。また、ドーパントを用いる場合、単結晶の高抵抗率
化とライフタイム等の特性から、ドーパントの添加範囲
が制約され、結晶製造後の熱処理が必要になる等の問題
がある。
晶粒界が抜けにくく大きな単結晶になりにくい点を解決
しようとすると、製造装置が複雑になりコスト高とな
る。また、ドーパントを用いる場合、単結晶の高抵抗率
化とライフタイム等の特性から、ドーパントの添加範囲
が制約され、結晶製造後の熱処理が必要になる等の問題
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｘ線検出器
用のＣｄＴｅ単結晶の製造方法における上記課題を解決
するものであって、原料として高純度の金属のみを使用
し、ドーパントなしで、効率的にｎ型・高抵抗率のＣｄ
Ｔｅ単結晶を製造することのできるＣｄＴｅ単結晶の製
造方法を提供することを目的とする。
用のＣｄＴｅ単結晶の製造方法における上記課題を解決
するものであって、原料として高純度の金属のみを使用
し、ドーパントなしで、効率的にｎ型・高抵抗率のＣｄ
Ｔｅ単結晶を製造することのできるＣｄＴｅ単結晶の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＣｄＴｅ単結晶
の製造方法では、上記課題を解決するため、水平ブリッ
ジマン法によるＣｄＴｅ単結晶の製造方法において、原
料として高純度の金属のみを使用し、反応管内をＣｄ雰
囲気とするための過剰量のＣｄ源を反応管内供給し、前
記Ｃｄ源を加熱する温度を制御することにより反応管内
のＣｄ蒸気圧を制御して、ｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単
結晶を製造する。
の製造方法では、上記課題を解決するため、水平ブリッ
ジマン法によるＣｄＴｅ単結晶の製造方法において、原
料として高純度の金属のみを使用し、反応管内をＣｄ雰
囲気とするための過剰量のＣｄ源を反応管内供給し、前
記Ｃｄ源を加熱する温度を制御することにより反応管内
のＣｄ蒸気圧を制御して、ｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単
結晶を製造する。
【０００７】原料の純度が低いと、原料に含まれる不純
物類がアクセプターとして働き、ｎ型のＣｄＴｅ単結晶
が得られない。原料の純度が高いと、ドーパントなしで
効率的にｎ型のＣｄＴｅ単結晶を得ることができる。原
料は全て９９．９９９９％以上とすることが好ましい。
Ｃｄ源を加熱する温度は、ＣｄＴｅの融点である１０９
２℃より高くすると、蒸気圧の制御が困難となる。８７
０℃より低くすると、反応管内のＣｄ蒸気圧が低下し、
Ｃｄ蒸気をＣｄＴｅ溶融液に供給してＣｄの空孔を減ら
し結晶をｎ型化する作用が小さくなり、ｎ型のＣｄＴｅ
単結晶が得られ難くなる。従って、８７０℃から１０９
２℃の温度範囲で制御することが好ましい。
物類がアクセプターとして働き、ｎ型のＣｄＴｅ単結晶
が得られない。原料の純度が高いと、ドーパントなしで
効率的にｎ型のＣｄＴｅ単結晶を得ることができる。原
料は全て９９．９９９９％以上とすることが好ましい。
Ｃｄ源を加熱する温度は、ＣｄＴｅの融点である１０９
２℃より高くすると、蒸気圧の制御が困難となる。８７
０℃より低くすると、反応管内のＣｄ蒸気圧が低下し、
Ｃｄ蒸気をＣｄＴｅ溶融液に供給してＣｄの空孔を減ら
し結晶をｎ型化する作用が小さくなり、ｎ型のＣｄＴｅ
単結晶が得られ難くなる。従って、８７０℃から１０９
２℃の温度範囲で制御することが好ましい。
【０００８】Ｃｄ源の量は、８７０℃から１０９２℃の
温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気雰囲気にするために必要
な理論量の６倍より少なくすると、ｎ型のＣｄＴｅ単結
晶が得られ難くなる。しかし、Ｃｄ源の量が３０倍以上
になると、コスト高となる。従って、Ｃｄ源の量は、８
７０℃から１０９２℃の温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気
雰囲気にするために必要な理論量の６倍乃至３０倍とす
ることが好ましい。
温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気雰囲気にするために必要
な理論量の６倍より少なくすると、ｎ型のＣｄＴｅ単結
晶が得られ難くなる。しかし、Ｃｄ源の量が３０倍以上
になると、コスト高となる。従って、Ｃｄ源の量は、８
７０℃から１０９２℃の温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気
雰囲気にするために必要な理論量の６倍乃至３０倍とす
ることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明のＣｄＴｅ単結晶の
製造方法の実施に用いられる水平式ブリッジマン炉の構
成の説明図である。以下、この水平式ブリッジマン炉を
用いた本発明の実施の形態について説明する。
製造方法の実施に用いられる水平式ブリッジマン炉の構
成の説明図である。以下、この水平式ブリッジマン炉を
用いた本発明の実施の形態について説明する。
【００１０】原料として９９．９９９９％の高純度Ｃｄ
Ｔｅ多結晶と、Ｃｄ蒸気圧制御用のＣｄ源である９９．
９９９９％の高純度金属Ｃｄとを、それぞれ所定量Ｃｄ
Ｔｅ多結晶用ボート５とＣｄ源用ボート６とに入れて、
反応管４の所定位置に設置する。ＣｄＴｅ多結晶用ボー
ト５は、シード位置９に種結晶を入れる加工を施し、Ｃ
ｄＴｅ多結晶７の加熱溶融後に融液が種結晶と接触する
構造とする。ＣｄＴｅ多結晶７とＣｄ源の金属Ｃｄ８と
を供給後、反応管４を加熱し水分除去しながら１０-5Ｐ
ａ台の真空度で封止する。
Ｔｅ多結晶と、Ｃｄ蒸気圧制御用のＣｄ源である９９．
９９９９％の高純度金属Ｃｄとを、それぞれ所定量Ｃｄ
Ｔｅ多結晶用ボート５とＣｄ源用ボート６とに入れて、
反応管４の所定位置に設置する。ＣｄＴｅ多結晶用ボー
ト５は、シード位置９に種結晶を入れる加工を施し、Ｃ
ｄＴｅ多結晶７の加熱溶融後に融液が種結晶と接触する
構造とする。ＣｄＴｅ多結晶７とＣｄ源の金属Ｃｄ８と
を供給後、反応管４を加熱し水分除去しながら１０-5Ｐ
ａ台の真空度で封止する。
【００１１】この真空封止した反応管４を水平式ブリッ
ジマン炉の炉心管３内の所定位置に挿入する。水平式ブ
リッジマン炉は、温度勾配を設けたＣｄＴｅ単結晶育成
炉１と、Ｃｄ蒸気圧制御用炉２に分かれており、炉心管
３内でＣｄＴｅ多結晶７はＣｄＴｅ単結晶育成炉１側
（図上左側）、金属Ｃｄ８はＣｄ蒸気圧制御用炉２側に
位置する。
ジマン炉の炉心管３内の所定位置に挿入する。水平式ブ
リッジマン炉は、温度勾配を設けたＣｄＴｅ単結晶育成
炉１と、Ｃｄ蒸気圧制御用炉２に分かれており、炉心管
３内でＣｄＴｅ多結晶７はＣｄＴｅ単結晶育成炉１側
（図上左側）、金属Ｃｄ８はＣｄ蒸気圧制御用炉２側に
位置する。
【００１２】反応管４を挿入後、炉を所定温度まで３時
間かけて昇温する。炉が所定温度まで到達した後、Ｃｄ
Ｔｅ多結晶溶融のため３時間ほど炉の温度を所定温度で
維持する。次に、種結晶を若干溶融し内部の結晶面をＣ
ｄＴｅ多結晶融液と接触させるために、炉を若干移動し
て１時間ほど炉の温度を維持する。温度維持終了後、炉
を所定の速度で移動してｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結
晶を製造する。
間かけて昇温する。炉が所定温度まで到達した後、Ｃｄ
Ｔｅ多結晶溶融のため３時間ほど炉の温度を所定温度で
維持する。次に、種結晶を若干溶融し内部の結晶面をＣ
ｄＴｅ多結晶融液と接触させるために、炉を若干移動し
て１時間ほど炉の温度を維持する。温度維持終了後、炉
を所定の速度で移動してｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結
晶を製造する。
【００１３】Ｃｄ源の金属Ｃｄ８を加熱する温度は、Ｃ
ｄＴｅの融点である１０９２℃より高くすると、蒸気圧
の制御が困難となる。８７０℃より低くすると、反応管
内のＣｄ蒸気圧が低下し、Ｃｄ蒸気をＣｄＴｅ溶融液に
供給してＣｄの空孔を減らし結晶をｎ型化する作用が小
さくなり、ｎ型のＣｄＴｅ単結晶が得られ難くなる。従
って、８７０℃から１０９２℃の温度範囲で制御する。
ｄＴｅの融点である１０９２℃より高くすると、蒸気圧
の制御が困難となる。８７０℃より低くすると、反応管
内のＣｄ蒸気圧が低下し、Ｃｄ蒸気をＣｄＴｅ溶融液に
供給してＣｄの空孔を減らし結晶をｎ型化する作用が小
さくなり、ｎ型のＣｄＴｅ単結晶が得られ難くなる。従
って、８７０℃から１０９２℃の温度範囲で制御する。
【００１４】金属Ｃｄ８の量は、８７０℃から１０９２
℃の温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気雰囲気にするために
必要な理論量の６倍より少なくすると、ｎ型のＣｄＴｅ
単結晶が得られ難くなる。しかし、Ｃｄ源の量が３０倍
以上になると、コスト高となる。従って、金属Ｃｄ８の
量は、８７０℃から１０９２℃の温度範囲で反応管内を
Ｃｄ蒸気雰囲気にするために必要な理論量の６倍乃至３
０倍とする。
℃の温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気雰囲気にするために
必要な理論量の６倍より少なくすると、ｎ型のＣｄＴｅ
単結晶が得られ難くなる。しかし、Ｃｄ源の量が３０倍
以上になると、コスト高となる。従って、金属Ｃｄ８の
量は、８７０℃から１０９２℃の温度範囲で反応管内を
Ｃｄ蒸気雰囲気にするために必要な理論量の６倍乃至３
０倍とする。
【００１５】
【実施例】原料である９９．９９９９％の高純度ＣｄＴ
ｅ多結晶と、Ｃｄ蒸気圧制御用のＣｄ源である９９．９
９９９％の高純度金属Ｃｄの仕込量を、それぞれ表１記
載の通りとし、内径48mmφ、長さ７５０ｍｍの石英アン
プルを反応管４として使用した。
ｅ多結晶と、Ｃｄ蒸気圧制御用のＣｄ源である９９．９
９９９％の高純度金属Ｃｄの仕込量を、それぞれ表１記
載の通りとし、内径48mmφ、長さ７５０ｍｍの石英アン
プルを反応管４として使用した。
【００１６】ＣｄＴｅ単結晶製造時の温度制御をＣｄＴ
ｅ多結晶融液と種結晶とが接するシード位置９、ＣｄＴ
ｅ多結晶用ボート５のシード位置９と反対側の位置（以
下テール位置１０という）、反応管４の封止部分（以下
Ｃｄ位置１１という）の３箇所で行った。シード位置
９、テール位置１０、Ｃｄ位置１１の温度と炉の移動速
度を表１記載の通り制御しＣｄＴｅ単結晶を製造した。
ｅ多結晶融液と種結晶とが接するシード位置９、ＣｄＴ
ｅ多結晶用ボート５のシード位置９と反対側の位置（以
下テール位置１０という）、反応管４の封止部分（以下
Ｃｄ位置１１という）の３箇所で行った。シード位置
９、テール位置１０、Ｃｄ位置１１の温度と炉の移動速
度を表１記載の通り制御しＣｄＴｅ単結晶を製造した。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例１で得られた結晶バルクを切断・ラ
ッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界・双晶
の存在はなかった。この結晶からシード位置９からの距
離で４０ｍｍ、６０ｍｍ、８５ｍｍにあたる３箇所のサ
ンプルを採取し、ラッピング・エッチング・金蒸着をそ
れぞれ行い、ドット状及びベタ状の金電極を施した。
ッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界・双晶
の存在はなかった。この結晶からシード位置９からの距
離で４０ｍｍ、６０ｍｍ、８５ｍｍにあたる３箇所のサ
ンプルを採取し、ラッピング・エッチング・金蒸着をそ
れぞれ行い、ドット状及びベタ状の金電極を施した。
【００１９】半導体の伝導型は、ホール電圧の向きを測
定することによって判定するが、簡便法として熱起電力
による電流の流れる向きで判定可能なので、この方法で
上記３個のサンプルを判定したところ、全てｎ型を示し
た。サンプルの抵抗率は、カーブトレーサーで１０００
Ｖ印加した時の電流値とトレーサー曲線の立ち上がり電
圧で判定した。上記３個のサンプル全てにおいて、１０
００Ｖ印加時の電流値が数十μＡ台であり、５００Ｖを
越えてからトレーサー曲線が立ち上がっていた。この結
果より、高電圧にも耐えられる１０8 Ω・ｃｍ台の高抵
抗率品が得られた。
定することによって判定するが、簡便法として熱起電力
による電流の流れる向きで判定可能なので、この方法で
上記３個のサンプルを判定したところ、全てｎ型を示し
た。サンプルの抵抗率は、カーブトレーサーで１０００
Ｖ印加した時の電流値とトレーサー曲線の立ち上がり電
圧で判定した。上記３個のサンプル全てにおいて、１０
００Ｖ印加時の電流値が数十μＡ台であり、５００Ｖを
越えてからトレーサー曲線が立ち上がっていた。この結
果より、高電圧にも耐えられる１０8 Ω・ｃｍ台の高抵
抗率品が得られた。
【００２０】実施例２で得られた結晶バルクも同様に切
断・ラッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界
・双晶の存在はなかった。また、この結晶からシード位
置９からの距離で４０ｍｍ、６０ｍｍ、８５ｍｍにあた
る３箇所のサンプルを採取し、実施例１と同様の方法で
上記３個のサンプルを判定したところ、全てｎ型で、１
０8 乃至１０10Ω・ｃｍ台の高抵抗率品であった。
断・ラッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界
・双晶の存在はなかった。また、この結晶からシード位
置９からの距離で４０ｍｍ、６０ｍｍ、８５ｍｍにあた
る３箇所のサンプルを採取し、実施例１と同様の方法で
上記３個のサンプルを判定したところ、全てｎ型で、１
０8 乃至１０10Ω・ｃｍ台の高抵抗率品であった。
【００２１】実施例３で得られた結晶バルクも同様に切
断・ラッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界
・双晶の存在はなかった。また、この結晶からシード位
置９からの距離で３０ｍｍ、５０ｍｍにあたる２箇所の
サンプルを採取し、実施例１と同様の方法で上記２個の
サンプルを判定したところ、３０ｍｍの位置のものはｎ
型であったが、５０ｍｍの位置のものはｐ型であった。
抵抗率は、いずれも１０8 Ω・ｃｍ台であった。
断・ラッピングし、粒界・双晶の観察を行ったが、粒界
・双晶の存在はなかった。また、この結晶からシード位
置９からの距離で３０ｍｍ、５０ｍｍにあたる２箇所の
サンプルを採取し、実施例１と同様の方法で上記２個の
サンプルを判定したところ、３０ｍｍの位置のものはｎ
型であったが、５０ｍｍの位置のものはｐ型であった。
抵抗率は、いずれも１０8 Ω・ｃｍ台であった。
【００２２】表２には比較例を示している。
【００２３】
【表２】
【００２４】比較例１及び比較例２で得られた結晶バル
クについて、実施例１と同様の評価を行うと、サンプル
は何れもｐ型の電流の向きを示した。
クについて、実施例１と同様の評価を行うと、サンプル
は何れもｐ型の電流の向きを示した。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、水平ブリッジマン法
で、原料として高純度の金属のみを使用し、ドーパント
なしで、効率的にＸ線検出用に適したｎ型・高抵抗率の
ＣｄＴｅ単結晶を製造することができる。
で、原料として高純度の金属のみを使用し、ドーパント
なしで、効率的にＸ線検出用に適したｎ型・高抵抗率の
ＣｄＴｅ単結晶を製造することができる。
【図１】本発明のＣｄＴｅ単結晶の製造方法の実施に用
いられる水平式ブリッジマン炉の構成の説明図である。
いられる水平式ブリッジマン炉の構成の説明図である。
１ ＣｄＴｅ単結晶育成炉 ２ Ｃｄ蒸気圧制御用炉 ３ 炉心管 ４ 反応管 ５ ＣｄＴｅ多結晶用ボート ６ Ｃｄ源用ボート ７ ＣｄＴｅ多結晶 ８ 金属Ｃｄ ９ シード位置 １０ テール位置 １１ Ｃｄ位置
Claims (4)
- 【請求項１】 水平ブリッジマン法によるＣｄＴｅ単結
晶の製造方法において、原料として高純度の金属のみを
使用し、反応管内をＣｄ雰囲気とするための過剰量のＣ
ｄ源を反応管内供給し、前記Ｃｄ源を加熱する温度を制
御することにより反応管内のＣｄ蒸気圧を制御して、ｎ
型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結晶を製造することを特徴と
するＣｄＴｅ単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 原料の純度を、全て９９．９９９９％以
上とすることを特徴とする請求項１記載のＣｄＴｅ単結
晶の製造方法。 - 【請求項３】 Ｃｄ源を加熱する温度を、８７０℃から
１０９２℃の範囲に制御することを特徴とする請求項１
または請求項２記載のＣｄＴｅ単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 Ｃｄ源の量を、８７０℃から１０９２℃
の温度範囲で反応管内をＣｄ蒸気雰囲気にするために必
要な理論量の６倍乃至３０倍とすることを特徴とする請
求項１、請求項２、または請求項３記載のＣｄＴｅ単結
晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152330A JP2001335400A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152330A JP2001335400A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001335400A true JP2001335400A (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18657765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000152330A Pending JP2001335400A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | ＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001335400A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003078703A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Nikko Materials Co., Ltd. | Monocristal cdte et polycristal cdte et leur procede de fabrication |
| KR100455539B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2004-11-06 | 한국과학기술연구원 | Ⅱ족 금속 원소 분위기 조절에 의한 ＣｄＴｅ 및ＣｄＺｎＴｅ 박막의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-05-24 JP JP2000152330A patent/JP2001335400A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455539B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2004-11-06 | 한국과학기술연구원 | Ⅱ족 금속 원소 분위기 조절에 의한 ＣｄＴｅ 및ＣｄＺｎＴｅ 박막의 제조 방법 |
| WO2003078703A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Nikko Materials Co., Ltd. | Monocristal cdte et polycristal cdte et leur procede de fabrication |
| US7211142B2 (en) | 2002-03-19 | 2007-05-01 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for preparation thereof |
| CN1318662C (zh) * | 2002-03-19 | 2007-05-30 | 日矿金属株式会社 | CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法 |
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