JP2001309659A - ゼロ電圧スイッチングのための高効率コンバータ - Google Patents
ゼロ電圧スイッチングのための高効率コンバータInfo
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Abstract
グで動作させることによって入力電圧ダブラ回路が必要
のないようにして、アダプタの効率を高め、スイッチの
ドレイン−ソース電圧を減少させる。 【解決手段】 入力電圧と閉回路をなし、外部ドライバ
の出力信号によって互いに反対のスイッチング動作をす
るハイサイドスイッチSWH及びローサイドスイッチS
WLと、ハイサイドスイッチSWHとローサイドスイッ
チSWLの間に直列に連結される第1キャパシタC1
と、ハイサイドスイッチSWH及びローサイドスイッチ
SWL動作によって一次側電圧を二次側に誘起させるト
ランスフォーマTと、トランスフォーマTの2次側出力
電圧を整流する整流器とを含み、第1キャパシタC1に
並列に連結されたダイオードDと、トランスフォーマT
の1次側コイルに直列に連結された第2キャパシタC2
とで構成される。
Description
ングのための高効率コンバータに関するものであり、特
に、入力電圧の全体範囲(wide range)でゼロ電圧スイ
ッチングとして動作するように、従来のアクティブクラ
ンプフライバック回路と非対称フライバック回路の長所
をすべて有するようにゼロ電圧スイッチングのための高
効率コンバータに関するものである。
ソコンは、小型化、軽量化されていくとともに、高性能
化を追求することで必然的にマルチメディア体制構築、
CPUの高速化、メモリー増加等のシステムの仕様増大
が持続的に要求される実情にある。
対する容量が増加する関係で、ノートブックパソコン用
ACアダプタも現在は45〜50ワットの電力を使用し
ているが、60ワット、75ワット、及び80ワット以
上の高容量化と携帯に便利な超小型スリム化及び高効率
の要求が高まっている。
ばならない理由は、効率が高まるということは、内部電
力損失が小さくなることであり、これは内部発熱が小さ
くなるということを意味しているのであって、それらに
伴って小型化が可能になるためである。
な方式としては、アダプタの高効率化のため、ソフトス
イッチングを遂行するものであって、このとき前記ソフ
トスイッチングとしては、普通、ゼロ電圧スイッチング
を適用してスイッチング損失の最小化に努めなければな
らない。
かかる具現方式として代表的な方式は、非対称フライバ
ック回路と、アクティブクランプフライバック回路であ
る。
ク回路では、ダブラ(doubler)回路を備えて入力電圧
を2倍に高めなければならないという短所がある。一
方、前記アクティブクランプフライバック回路では、ス
イッチング素子に使われるFETのドレイン−ソース電
圧が入力電圧とクランプキャパシタの電圧を合せて相当
に高い電圧でクランプされるという短所がある。
説明する。
フライバック回路の構成を示す回路図で、図1について
説明すると、入力電圧Vinと閉回路をなし、外部ドラ
イバ(図示せず)の出力信号によって互いに反対のスイ
ッチング動作をするハイサイドスイッチSWH及びロー
サイドスイッチSWLと、前記ハイサイドスイッチSW
H及びローサイドスイッチSWLの間に直列に連結され
るキャパシタCと、前記ハイサイドスイッチSWH及び
ローサイドスイッチSWLのスイッチング動作によって
一次側電圧を二次側に誘起させるトランスフォーマT
と、前記トランスフォーマTの2次側出力電圧を整流す
る整流器とから構成されている。
を説明すると、次のとおりである。
ングによって、漏洩エネルギ(leakage energy)を利用
するのだが、t1乃至t3の区間では、ローサイドスイ
ッチSWLの寄生ダイオードを介して電流Icが流れ、
t4乃至t6の区間ではハイサイドスイッチSWHの寄
生ダイオードを介して電流Isが流れるようになること
でゼロ電圧スイッチングがなされる。
りであり、前記ハイサイドスイッチSWH及びローサイ
ドスイッチSWLの電圧VDSH,VDSLは、入力電
圧VinとキャパシタC電圧Vcの合計で高い電圧がク
ランプされる。
イバック回路とともに代表的に使われる非対称フライバ
ック回路は、図3に示すように構成されるが、図1との
構成的な相違点は、キャパシタCの位置がトランスフォ
ーマTの一次側コイルとローサイドスイッチSWLの間
に備えられることにある。
すように、その動作状態では非常に大きくなる。
1に示されているアクティブクランプフライバック回路
では、図3に示されている非対称フライバック回路で必
要としたダブラが必要でないという長所がある一方、前
記非対称フライバック回路ではスイッチング素子に使わ
れるFETのドレイン−ソース電圧が前記アクティブク
ランプフライバック回路で入力電圧とクランプキャパシ
タとの電圧を合せて相当に高い電圧でクランプされるこ
ととは異なり、入力電圧のみに関係するため、安定的で
あるとの長所がある。
イバック回路と非対称フライバック回路のみでは、互い
にその長所と短所があまりにも明白であるため、設計者
はどちらか一方の長所だけを採って設計しなければなら
ず、徐々に高まる使用者等の要求を満足するのには限界
が存在する、という問題を内包していた。
めになされたもので、その目的は、全入力電圧範囲(wi
de range)においてゼロ電圧スイッチングで動作させる
ことによって入力電圧ダブラ(doubler)回路が必要の
ないようにして、アダプタの効率を高め、スイッチであ
るMOSFET(Metal Oxide Semiconductor 電解効果
トランジスタ)のドレイン−ソース電圧を減少させるこ
とができるようにするため、従来のアクティブクランプ
フライバック回路と非対称フライバック回路の長所をす
べて有するようにしたゼロ電圧スイッチングのための高
効率コンバータを提供することにある。
明は、入力電圧と閉回路をなし、外部ドライバの出力信
号によって互いに反対のスイッチング動作をするハイサ
イドスイッチ及びローサイドスイッチと、前記ハイサイ
ドスイッチ及びローサイドスイッチの間に直列に連結さ
れる第1キャパシタと、前記ハイサイドスイッチ及びロ
ーサイドスイッチのスイッチング動作によって一次側電
圧を二次側に誘起させるトランスフォーマと、前記トラ
ンスフォーマの2次側出力電圧を整流する整流器とを含
み、前記第1キャパシタに並列に連結されたダイオード
と、前記ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチに
それぞれ並列に連結された第1及び第2還流ダイオード
と、前記トランスフォーマの1次側コイルに直列に連結
された第2キャパシタとを含んで構成されたことを特徴
とする。
及びローサイドスイッチの付加的構成要件として、両ス
イッチが金属酸化物半導体電界効果トランジスタで構成
されていることを特徴としている。
所は、この技術分野に熟練したれた人々により、添付さ
れた図面を参照しつつ、後述される本発明の望ましい実
施形態から、より一層明確になると思料する。
た図面を参照して詳細に説明する。
示す回路図であり、図6は、図5の動作を示す波形図で
ある。
入力電圧Vinと閉回路をなし、外部ドライバ(図示せ
ず)の出力信号によって互いに反対のスイッチング動作
をするハイサイドスイッチSWH及びローサイドスイッ
チSWLと、前記ハイサイドスイッチSWH及びローサ
イドスイッチSWLの間に直列に連結される第1キャパ
シタC1と、前記第1キャパシタC1に並列に連結され
たダイオードDと、前記ハイサイドスイッチSWH及び
ローサイドスイッチSWLのスイッチング動作によって
一次側電圧を二次側に誘起させるトランスフォーマT
と、前記トランスフォーマTの1次側コイルに直列に連
結された第2キャパシタC2と、前記トランスフォーマ
Tの2次側出力電圧を整流する整流器とを含んでいる。
れているものの説明していない、点線で連結されてい
る、即ち、前記ハイサイドスイッチSWH及びローサイ
ドスイッチSWLがMOSFETで構成される場合、前
記ハイサイドスイッチSWH及びローサイドスイッチS
WLに各々並列で連結された第1及び第2還流ダイオー
ドD1,D2は、前記ハイサイドスイッチSWH及びロ
ーサイドスイッチSWLの内部ダイオードとして、実際
上の構成ではなく、本発明の説明を容易にするために図
示されている構成である。
説明すれば、次のとおりである。
りであるが、各区間別の動作を図7乃至図13に示され
ている本発明の各区間での動作を示す等価回路図も参照
して詳述する。
0乃至t1の区間では、前記ハイサイドスイッチSWH
はオンされ、前記ローサイドスイッチSWLはオフされ
る。また、Ilkがポジティブになり、t8でImに到
達する。このとき、t7でIsもポジティブになり、第
2キャパシタC2は、充電が遂行されるようになる。
では、前記ハイサイドスイッチSWHはオフされ、前記
ローサイドスイッチSWLはオフ状態を維持する。ま
た、前記ローサイドスイッチSWLの寄生ダイオードが
ターンオンされ、第1及び第2キャパシタC1,C2の
充電が継続的に遂行される。このとき、前記トランスフ
ォーマTでは2次側にエネルギが伝えられる。
では、前記ハイサイドスイッチSWHはオフ状態にな
り、前記ローサイドスイッチSWLはオン状態となる。
また、前記第1及び第2キャパシタC1,C2は、充電
状態が継続的に遂行される。
間では、前記ハイサイドスイッチSWHはオフ状態を維
持し、前記ローサイドスイッチSWLはオン状態を維持
するようになる。このとき、Icはネガティブ状態にな
り、前記第1及び第2キャパシタC1,C2が放電を遂
行するようになる。
間では、前記ハイサイドスイッチSWHは、オフ状態を
維持し、前記ローサイドスイッチSWLは、オン状態を
維持するようになる。このとき、Icはネガティブ状態
を維持し、前記第2キャパシタC2が継続的に放電を遂
行するようになり、ダイオードDがターンオンされる。
間では、前記ハイサイドスイッチSWHはオフ状態を維
持し、前記ローサイドスイッチSWLはオフ状態とな
る。このとき、前記ハイサイドスイッチSWHの寄生ダ
イオードがターンオンされ、前記第2キャパシタC2が
継続的に放電を遂行するようになり、Isはネガティブ
状態となる。
間では、前記ハイサイドスイッチSWHは、オン状態に
なり、前記ローサイドスイッチSWLはオフ状態を維持
するようになる。このとき、前記第2キャパシタC2が
継続的に放電を遂行するようになって、Isはネガティ
ブ状態を維持するようになる。
ローサイドスイッチSWLの寄生ダイオードのターンオ
ン区間(t1乃至t3区間、t5乃至t7区間)が発生
するようになり、ゼロ電圧スイッチングによって高効率
化が成し遂げられる。
ローサイドスイッチSWLのドレイン−ソース電圧が減
少するようになることで、動作の信頼性を確保するよう
になる。
及び説明したが、添付された特許請求の範囲によって示
された発明の思想領域から外れない限度内で、多様に変
更することができることを、当業界で通常の知識を有す
る者であるならば、誰にでも容易に理解することができ
る。
ゼロ電圧スイッチングのための高効率コンバータは、全
入力電圧範囲においてゼロ電圧スイッチングで動作が可
能なため、入力電圧ダブラ回路が必要とされず、回路が
簡単になり、それに伴って、製品の原価を下げることが
できる、という効果を奏する。
あるMOSFETのドレイン−ソース電圧を減少させる
ことができるため、製品の動作に対する信頼性を向上さ
せることができる、という効果を奏する。
イバック回路によるコンバータの構成を示す回路図であ
る。
によるコンバータの構成を示す回路図である。
回路図である。
路図である。
路図である。
路図である。
価回路図である。
価回路図である。
価回路図である。
価回路図である。
L…ローサイドスイッチ、C1…第1キャパシタC1、
D…ダイオード、T…トランスフォーマ、C2…第2キ
ャパシタC2。
Claims (2)
- 【請求項1】 入力電圧と閉回路をなし、外部ドライバ
の出力信号によって互いに反対のスイッチング動作をす
るハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチと、 前記ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチの間に
直列に連結される第1キャパシタと、 前記ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチのスイ
ッチング動作によって一次側電圧を二次側に誘起させる
トランスフォーマと、 前記トランスフォーマの2次側出力電圧を整流する整流
器と、 前記第1キャパシタに並列に連結されたダイオードと、 前記トランスフォーマの1次側コイルに直列に連結され
た第2キャパシタとを含んで構成されたことを特徴とす
るゼロ電圧スイッチングのための高効率コンバータ。 - 【請求項2】 前記ハイサイドスイッチ及びローサイド
スイッチは、各々その内部に還流ダイオードを有する金
属酸化物半導体電界効果トランジスタで構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のゼロ電圧スイッチン
グのための高効率コンバータ。
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