JP2001308335A - Method of manufacturing thin film transistor, and display device - Google Patents

Method of manufacturing thin film transistor, and display device

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JP2001308335A
JP2001308335A JP2000122690A JP2000122690A JP2001308335A JP 2001308335 A JP2001308335 A JP 2001308335A JP 2000122690 A JP2000122690 A JP 2000122690A JP 2000122690 A JP2000122690 A JP 2000122690A JP 2001308335 A JP2001308335 A JP 2001308335A
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silicon
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JP2000122690A
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Inventor
Mikio Nishio
幹夫 西尾
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for improving performance of a transistor by reducing defects in a silicon film, in manufacturing a thin film transistor. SOLUTION: By a process for forming a silicon film on an insulating substrate, a process wherein heating at a temperature higher than or equal to 500 deg.C is performed, and a process wherein cooling is performed at a temperature lower than or equal to 250 deg.C while hydrogen radical treatment or oxygen radical treatment is performed, crystal defects due to dangling bonds or the like in the silicon film is effectively terminated by using hydrogen or oxygen, and increase of an ON current and improvement of the reliability of a thin film transistor are realized.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a thin film transistor using an amorphous silicon or polycrystalline silicon thin film.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、液晶を中心とした平面ディスプレイの発達がめざましく、特にOA機器やパーソナルコンピューターや携帯機器の表示においては、画素の高精細化や低コスト化の要請が高くなっており、製造技術上も、これらのための技術開発が進められている。 In recent years, liquid crystal development of flat display whose center is remarkable, especially in view of the OA equipment, personal computers and mobile devices, has a higher demand for high resolution and cost of the pixels, also the manufacturing technique, technology development for these has been promoted. 一般に、薄膜トランジスタを搭載した液晶表示装置などでは、ガラス基板上にシリコンの活性領域を形成し、この活性領域上の中央付近にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、ゲート電極の両側の活性領域にn型又はp型の不純物をイオン注入により導入してソース・ドレイン領域を形成することにより、薄膜トランジスタを形成している。 Generally, in such a liquid crystal display device mounted with a thin film transistor, form the active region of the silicon on a glass substrate, after forming a gate electrode via a gate insulating film in the vicinity of the center of the active region, on both sides of the gate electrode by forming the source and drain regions of the n-type or p-type impurity is introduced by ion implantation into the active region, and forming a thin film transistor.

【0003】図9は、従来の薄膜トランジスタの中でも特にいわゆるNチャネル型トランジスタの上面図と上面図X−Y方向の断面図である。 [0003] Figure 9 is a cross-sectional view of a top view and a top view X-Y direction, especially the so-called N-channel type transistor Among conventional thin film transistor.

【0004】図9に示すように、絶縁性基板であるガラス基板201の表面には、ガラス基板201からの不純物の拡散を防止するためのシリコン酸化膜からなるアンダーコート202が形成された上に、半導体薄膜としてのシリコン膜203が形成されて薄膜トランジスタが配設されている。 [0004] As shown in FIG. 9, on the surface of the glass substrate 201 is an insulating substrate, on which undercoat 202 comprising a silicon oxide film for preventing the diffusion of impurities from the glass substrate 201 is formed , the silicon film 203 is formed a thin film transistor is provided as a semiconductor thin film. この薄膜トランジスタは、シリコン膜2 This thin film transistor, the silicon film 2
03上に形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜204と、ゲート絶縁膜204の上に形成された高融点金属であるクロム(Cr)からなるゲート電極205 A gate insulating film 204 made of a silicon oxide film formed on the 03, the gate electrode 205 made of chromium (Cr) which is a refractory metal formed on the gate insulating film 204
と、シリコン膜203の両側の領域にN型不純物を高濃度で導入してなるソース・ドレイン領域206とで構成されている。 When the N-type impurity regions on both sides of the silicon film 203 is composed of a source and drain region 206 formed by introducing a high concentration. なお、ソース・ドレイン領域206およびゲート電極205にはコンタクト窓208を介してアルミ(Al)よりなる配線207が形成されている。 Note that the source and drain regions 206 and gate electrode 205 wiring 207 made of aluminum (Al) via a contact window 208 is formed.

【0005】ここで、シリコン膜203は、ガラス基板201上にCVD法により堆積された非晶質シリコンまたは多結晶シリコンである。 [0005] Here, the silicon film 203, an amorphous silicon or polycrystalline silicon deposited by CVD on the glass substrate 201. CVD法によりシリコン薄膜を形成する場合、そのシリコン薄膜を単結晶化することは非常に困難なため、一般に非晶質または多結晶となる。 When forming a silicon thin film by the CVD method, because it is very difficult to single crystallizing the silicon thin film will generally be amorphous or polycrystalline. また、近年開発が進められている高温多結晶シリコン膜や低温多結晶シリコン膜も、非晶質シリコンを堆積した後高温の熱処理やレーザー照射によるシリコン膜のみの加熱により非晶質シリコンを多結晶化するにとどまり、単結晶化することはできていない。 In recent years high temperature has been developed polycrystalline silicon film and the low-temperature poly silicon film also polycrystalline amorphous silicon by heating the silicon film only by high-temperature heat treatment or laser irradiation after the deposition of amorphous silicon stay in the reduction, not can be a single crystal. このような非晶質シリコン膜や多結晶シリコン膜では、シリコン原子が規則的に配列していないために歪が存在する他その結合手の不一致などによる多くの結晶欠陥を内在している。 In such an amorphous silicon film or polycrystalline silicon film, it is inherent to many crystal defects due to mismatch of the other thereof bonds to the presence of distortion to the silicon atoms not arranged regularly.

【0006】これらの膜中の結晶欠陥により、薄膜トランジスタがONの際に非晶質シリコン膜や多結晶シリコン膜中に流れる電子(または正孔)の移動が妨げられ、 [0006] The crystal defects in these films, thin film transistors movement of electrons flowing through the amorphous silicon film or polycrystalline silicon film (or holes) is prevented when turned ON,
ON電流の低下を招くという課題を有している。 There is a problem that leads to a decrease in ON current.

【0007】そこで、従来の薄膜トランジスタの製造方法においては、非晶質シリコン膜や多結晶シリコン膜を堆積した後、600℃以上の高温の熱処理を行って欠陥の低減を図り結晶性を向上させる方法や、300℃〜4 [0007] Therefore, the method in the conventional method of manufacturing a thin film transistor, to improve after depositing an amorphous silicon film or polycrystalline silicon film, the crystalline achieving reducing defects by performing heat treatment above 600 ° C. hot and, 300 ℃ ~4
00℃の条件で水素ガスを用いたプラズマに曝してシリコン原子の未結合手(以下、ダングリングボンドと記す)に水素を結合させる(以下、水素化処理と記す)などして欠陥の電気的中性化を図り特性の向上を行っている。 00 dangling bonds of silicon atoms exposed to plasma using ℃ conditions with hydrogen gas (hereinafter, dangling referred to as bonds) in binding the hydrogen (hereinafter, referred to as hydrotreating) electrical defects and the like It is performed to improve the properties achieving neutralization.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の薄膜トランジスタの製造方法においては、以下のような問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the manufacturing method of the above-mentioned thin film transistors, has the following problems.

【0009】まず、600℃以上の高温の熱処理を行って欠陥の低減を図る方法では、シリコン原子を熱的に誘起してシリコン原子が移動・結晶化することによって欠陥の低減を図るものであるが、それを効率的に行うためには、実際には1000℃以上の高温が必要である。 [0009] First, the method to achieve defect reduction of a heat treatment above 600 ° C. hot, but to reduce the defects by silicon atoms by inducing thermally silicon atoms move, crystallization but to do so efficiently, in fact it is necessary to high temperature of at least 1000 ° C.. そのため、絶縁性基板としては1000℃以上の高温に耐えられる石英基板が必要となる。 Therefore, the quartz substrate which can withstand a high temperature of at least 1000 ° C. The required as the insulating substrate. 石英基板を用いることにより、一般のガラス基板にくらべて基板単価が格段に高くなることや基板サイズの大型化に支障をきたすという課題が残る。 By using the quartz substrate, the problem remains that hinder the enlargement of that or substrate size substrate unit price is much higher than the ordinary glass substrate. また、1000℃以上の高温にしてもシリコン膜は結晶方位の乱雑さから単結晶は得られず、多結晶シリコン膜となりダングリングボンド等の欠陥が残ることや、高温状態ではダングリングボンドに結合していた水素原子が離脱してしまうために、熱処理後の水素化処理が必要となる。 Further, the silicon film even in the high temperature of at least 1000 ° C. not obtained single crystal from randomness of the crystal orientation, and the defects such as dangling bonds become polycrystalline silicon film remains, bonded to dangling bonds at a high temperature to have to have hydrogen atoms become separated, it is necessary to hydrogenation treatment after heat treatment.

【0010】次に、300℃〜400℃の条件での水素化処理では、シリコン原子を300℃〜400℃に誘起することでダングリングボンドを活性化し、活性化されたダングリングボンドに水素原子を結合して中性化を図るが、300℃〜400℃に誘起することによりシリコン原子と水素原子の結合部も活性化されるために水素原子の離脱もおこる。 [0010] Next, in hydrotreating at conditions of 300 ° C. to 400 ° C. activates dangling bonds by inducing a silicon atom to 300 ° C. to 400 ° C., a hydrogen atom dangling bonds that are activated the bond to achieve neutralization, but occurs separation of hydrogen atoms to the junction of the silicon atoms and hydrogen atoms is also activated by inducing the 300 ° C. to 400 ° C.. よって、従来の水素化処理では、所定の温度での水素原子の結合と離脱の平衡状態が成り立ち、水素原子の結合割合を高めて欠陥の低減を図るには限界があった。 Therefore, the conventional hydrotreating, holds the equilibrium and leaving bonded hydrogen atoms at a given temperature, there is a limit to reduce the defects by increasing the engagement ratio of the hydrogen atom. また、水素化の最適温度は実験的に決める必要があるが、シリコン膜中に含まれる複数の結晶欠陥にそれぞれ対応した温度での処理ができないという課題が残されていた。 Although the optimum temperature of the hydrogenation must be determined experimentally, a problem that can not be processed at a temperature corresponding to a plurality of crystal defects contained in the silicon film had been left.

【0011】本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、薄膜トランジスタのシリコン膜の結晶欠陥を低減し、トランジスタのON電流を増大させる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。 [0011] The present invention has been made in view of mow 斯, to reduce crystal defects of the silicon film of the thin film transistor is to provide a method of manufacturing a thin film transistor to increase the ON current of the transistor.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁性基板上にシリコン膜を形成する工程と、500℃以上に加熱する工程と、水素ガスを含む混合ガスにより水素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程を設けたものである。 To achieve the above object, according to the Invention The method for producing a thin film transistor of the present invention includes the steps of forming a silicon film on an insulating substrate, and heating above 500 ° C., hydrogen while a hydrogen radical treatment by mixed gas containing gas is provided with a step of cooling to 250 ° C. or less. 絶縁性基板上にシリコン膜を形成した後500℃以上に加熱することにより、シリコン膜表面及び膜中に吸着された水分または水酸基を除去するとともに、シリコン膜の結晶欠陥を改善することができる。 By heating to 500 ° C. or higher after forming the silicon film on an insulating substrate, to remove the adsorbed moisture or hydroxyl groups in the silicon film surface and membrane, it is possible to improve the crystal defects of the silicon film. 次に、500℃以上の温度から水素ガスを含む混合ガスにより水素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却することにより、冷却過程でシリコン膜中の結晶欠陥に最適な水素化温度を通過するため、最も効率的に水素化を行うことができ薄膜トランジスタのON電流増大を図ることができる。 Then, by cooling below 250 ° C. while hydrogen radical treatment by a mixed gas containing hydrogen gas from 500 ° C. or higher, for passing an optimum hydrogenation temperature by crystal defects of the silicon film in the cooling step , it is possible to most efficiently ON current increase of the thin film transistor can carry out the hydrogenation.

【0013】また本発明は、絶縁性基板上にシリコン膜を形成する工程と、500℃以上に加熱する工程と、酸素ガスにより酸素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程を設けたものである。 [0013] The present invention is one provided a step of forming a silicon film on an insulating substrate, and heating above 500 ° C., the step of cooling while the oxygen radical treatment by an oxygen gas to 250 ° C. or less it is. 500℃以上に加熱することにより、シリコン膜表面及び膜中に吸着された水分または水酸基を除去するとともに、シリコン膜の結晶欠陥を改善することができる。 By heating to 500 ° C. or higher, to remove the adsorbed moisture or hydroxyl groups in the silicon film surface and membrane, it is possible to improve the crystal defects of the silicon film. さらに、酸素ガスにより酸素ラジカル処理を行うことにより、ダングリングボンドに酸素原子を結合することで中性化を図ることが可能で、500℃以上の温度から酸素ガスにより酸素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却することにより、冷却過程でシリコン膜中の結晶欠陥に最適な酸素化温度を通過するため、最も効率的に酸素化を行うことができトランジスタのON電流増大を図ることができる。 Further, by performing the oxygen radical treatment by an oxygen gas, can be achieved neutralized by binding an oxygen atom to the dangling bonds, while the oxygen radical treatment by an oxygen gas from 500 ° C. temperature above 250 ℃ by cooling below, to pass the optimal oxygenation temperature by crystal defects of the silicon film in the cooling process, it is possible to most efficiently oN current increases in transistor can be performed oxygenation. また、酸素原子によりダングリングボンドを終端する場合、シリコンと酸素の結合エネルギーはシリコンと水素の結合エネルギーよりも大きいことから、一度結合した酸素原子は離脱しにくく、トランジスタ動作を行った際にシリコン膜中に流れる電子(または正孔)の衝突により脱離しにくくなり、トランジスタの信頼性を向上させることができる。 In the case of terminating the dangling bonds with oxygen atoms, since the bond energy of silicon and oxygen is greater than the bonding energy of silicon and hydrogen, oxygen atoms hardly separated once bound, silicone when subjected to the transistor operation hardly detached by the impact of electrons (or holes) flowing in the film, it is possible to improve the reliability of the transistor. また、シリコンが酸化されることにより微小領域での余剰のシリコンが生成され、その余剰シリコンが移動してシリコンによるシリコン膜中の欠陥の終端も行われ、膜中の欠陥をいっそう低減することができる。 Further, silicon excess silicon in a minute region is produced by being oxidized, the excess silicon is performed even termination of defects of the silicon film by the silicon moves, be further reduced defects in the film it can.

【0014】ここで500℃以上に加熱する工程は、 [0014] step of heating here to 500 ° C. or more,
0.01pa以下の圧力中で加熱することがさらに好ましい。 It is further preferred that the heating in a pressure below 0.01 Pa. 500℃以上に加熱する際、0.01pa以下の圧力とすることにより、シリコン膜表面及び膜中に吸着された水分または水酸基を除去する効果を高めることができる。 When heated to 500 ° C. or higher, by the following pressure 0.01 Pa, it is possible to enhance the effect of removing the adsorbed moisture or hydroxyl groups in the silicon film surface and membrane.

【0015】また500℃以上に加熱する工程は、1p Further heating to 500 ° C. or higher, 1p
a以下の圧力の窒素または不活性ガス流中で加熱することもできる。 It can be heated in a nitrogen or inert gas stream in a pressure below a. 1pa以下の圧力の窒素または不活性ガス流中で500℃以上に加熱することにより、ガスの流れによりシリコン膜表面から離脱した水分または水酸基をシリコン膜表面から取り除くことができるため、シリコン膜表面の水分または水酸基の分圧を低減でき、水分または水酸基を除去する効果を高めることができる。 By heating to 500 ° C. or higher in the following nitrogen or inert gas stream pressure 1 Pa, since the water or hydroxyl detached from the surface of the silicon film by the flow of gas can be removed from the surface of the silicon film, the silicon film surface can be reduced partial pressure of moisture or hydroxyl groups, it is possible to enhance the effect of removing the moisture or hydroxyl groups.

【0016】また500℃以上に加熱する工程は、ハロゲンランプ等を用いたRTA法によりシリコン膜を80 [0016] The step of heating the 500 ° C. or higher, the silicon film by an RTA method using a halogen lamp or the like 80
0℃以上の温度に10秒以下の時間加熱した後、600 After heating 10 seconds or less to 0 ℃ temperatures above 600
℃以下まで急冷することもできる。 ℃ can be rapidly cooled to below. 800℃以上に加熱することによりシリコン膜中の結晶欠陥の低減を図ることができ、ハロゲンランプ等を用いたRTA法によりシリコン膜を加熱することにより、シリコン膜のみが加熱され基板はシリコン膜からの熱伝導により温まるだけであるため、軟化点が600℃以下のガラス基板を用いてもシリコン膜の高温熱処理が可能となる。 It is possible to reduce crystal defects in the silicon film by heating to 800 ° C. or higher, by heating the silicon film by an RTA method using a halogen lamp or the like, only the silicon film is heated substrate from a silicon film for only warmed by heat conduction, the softening point becomes possible to high-temperature heat treatment of the silicon film even by using a glass substrate of 600 ° C. or less. また、800 In addition, 800
℃以上の加熱を10秒以下にし600℃以下まで急冷することにより、絶縁基板全体が昇温し変形することを防げる。 By ° C. rapidly cooling to 600 ° C. or less to heat above below 10 seconds, possible to prevent the insulating entire substrate is heated deformed.

【0017】またRTA法により800℃以上に加熱される領域は絶縁基板の表面近傍およびシリコン膜近傍のみとすることがさらに好ましい。 [0017] region to be heated to 800 ° C. or higher by an RTA method is more preferable to be only near the surface and the silicon film near the insulating substrate. 800℃以上に加熱される領域を絶縁基板の表面近傍およびシリコン膜近傍のみとすることにより絶縁基板全体が昇温して変形することを防げる。 Possible to prevent the insulating entire substrate is deformed by heating by the area to be heated to 800 ° C. or higher and only near the surface and the silicon film near the insulating substrate.

【0018】また500℃以上に加熱する工程は、65 Further heating to 500 ° C. or more, 65
0℃以上に保持される時間が5分以内であることがこのましい。 It is preferable 0 time held above ℃ is within 5 minutes. 500℃以上に加熱する工程は、650℃以上に保持される時間が5分以内であることにより、絶縁基板が熱収縮する量を最小限にすることができる。 Heating to 500 ° C. or higher, by the time held above 650 ° C. is within 5 minutes, it is possible to minimize the amount of insulating substrate is heat-shrinkable.

【0019】また水素ラジカル処理を行う工程は、処理室に水素ガスを含む混合ガスを導入して高周波電力等を印加してプラズマを発生させ、プラズマにシリコン膜を形成した絶縁性基板を曝す構成とすることができる。 [0019] step of performing a hydrogen radical treatment, by applying a high frequency power or the like by introducing a mixed gas containing hydrogen gas into the processing chamber to generate a plasma, exposing the insulating substrate formed with the silicon film to a plasma configuration it can be. 水素ガスプラズマにシリコン膜を形成した絶縁性基板を曝すことにより、プラズマ中では水素ガスが分解された活性な水素ラジカル状態で存在するため、シリコンのダングリングボンドとの結合が容易となり、水素化の効果を向上することができる。 By exposing the insulating substrate formed with the silicon film in hydrogen gas plasma, in the plasma to exist in an active hydrogen radical state where hydrogen gas is decomposed, it is easy to bond with the dangling bonds of silicon, hydrogenated it is possible to improve the effect. また、高周波電力印加による水素ラジカル生成は非常に容易であるため、大型基板に対応した水素化の実現を図ることができる。 Further, since the hydrogen radical generation by the high frequency power applied it is very easy, it is possible to realize a hydrogenation corresponding to a large substrate.

【0020】また酸素ラジカル処理を行う工程は、処理室に酸素ガスを導入して高周波電力等を印加してプラズマを発生させ、プラズマにシリコン膜を形成した絶縁性基板を曝す構成とすることができる。 [0020] step of performing oxygen radical treatment, have a structure exposing by applying a high frequency power or the like by introducing oxygen gas into the processing chamber to generate plasma, an insulating substrate formed with the silicon film to a plasma it can. 酸素ガスプラズマにシリコン膜を形成した絶縁性基板を曝すことにより、 By exposing the insulating substrate formed with the silicon film to an oxygen gas plasma,
プラズマ中では酸素ガスが分解された活性な酸素ラジカル状態で存在するため、シリコンのダングリングボンドとの結合が容易となり、酸素化の効果を向上することができる。 In the plasma due to the presence in the active oxygen radical state where oxygen gas is decomposed, it is easy to bond with the dangling bonds of silicon, it is possible to improve the effect of the oxygenation. また、高周波電力印加による酸素ラジカル生成は非常に容易であるため、大型基板に対応した酸素化の実現を図ることができる。 Further, since oxygen radicals produced by the high-frequency power application is very easy, it is possible to achieve oxygenation corresponding to a large substrate.

【0021】またラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程は、10℃/分以下の速度で降温することが好ましい。 [0021] step of cooling the 250 ° C. or less while the radical treatment is preferably be lowered at a 10 ° C. / min or less speed. ラジカル処理を行いながら10℃/分以下の速度で降温することにより、シリコン膜が水素化または酸素化の最適温度近傍に滞在する時間を十分にとることができ、水素化または酸素化割合を高めることができる。 By cooling at a rate of 10 ° C. / min or less while the radical treatment, the time that the silicon film stays in optimal temperature near the hydrogenated or oxygenated can take sufficient to enhance the hydrogenation or oxygenated ratio be able to.

【0022】またラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程は、5℃/分以下の速度で降温することがさらに好ましい。 [0022] step of cooling the 250 ° C. or less while radical treatment is further preferred that the temperature is lowered at 5 ° C. / min or less speed. 5℃/分以下の速度で降温することにより、いっそう水素化または酸素化割合を高めることができる。 The 5 ° C. / min to cooling at a rate, it is possible to enhance the further hydrogenation or oxygenated ratio.

【0023】また500℃以上に加熱する工程とラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程は、ラジカル処理状態に基板を曝したまま、絶縁性基板の加熱領域を移動させることにより500℃以上の加熱を行った後250℃以下に冷却することができる。 [0023] step of cooling below 250 ° C. while step and the radical process of heating to 500 ° C. or higher, while exposing the substrate to radical treatment conditions, 500 ° C. or more by moving the heated region of the insulating substrate it can be cooled to 250 ° C. or less after heating. ラジカル処理状態に基板を曝したまま、絶縁性基板の加熱領域を移動させることにより500℃以上の加熱を行った後25 While exposing the substrate to radical treatment conditions, then it was heated above 500 ° C. by moving the heated region of the insulating substrate 25
0℃以下に冷却する構成により、シリコン膜は常時ラジカルに曝された状態であり、加熱された領域ではシリコン膜表面及び膜中に吸着された水分または水酸基が脱離・除去され、加熱終了の次の瞬間より冷却が始まるために冷却中にラジカル処理の最適温度を通過する際に水素化や酸素化が行われる。 The arrangement for cooling the 0 ℃ below, the silicon film is in a state of being exposed to radical always adsorbed moisture or hydroxyl groups on the surface of the silicon film and the film is heated region is desorbed and removed, the termination of heating hydrogenation and oxygenation is performed when passing through the optimum temperature of the radical treatment during cooling from the next moment for cooling begins. このように部分的に加熱することで、大型基板の処理を容易にすることができる。 By thus partially heated, it is possible to facilitate the processing of large substrates.

【0024】また500℃以上に加熱する工程は、ゲート絶縁膜を形成した後であることが好ましい。 Further heating to 500 ° C. or higher is preferably after the formation of the gate insulating film. ゲート絶縁膜を形成した後に500℃以上に加熱することにより、シリコン膜とゲート絶縁膜界面の欠陥を低減することや、ゲート絶縁膜の膜質改善を同時に行うことができ、薄膜トランジスタのいっそうのON電流増大を図ることができる。 By heating to 500 ° C. or higher after the formation of the gate insulating film, and reducing the defects in the silicon film and the gate insulating film interface, quality improvement of the gate insulating film can be performed simultaneously, further ON current of the thin film transistor it is possible to increase.

【0025】また500℃以上に加熱する工程は、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の不純物導入を行った後であることが好ましい。 Further heating to 500 ° C. or higher is preferably after impurity introduction of the source and drain regions of the thin film transistor. 薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の不純物導入を行った後に500℃以上に加熱することにより、熱処理により同時に不純物の活性化を行うことができる。 By heating to 500 ° C. or higher after the impurity introduction of the source and drain regions of the thin film transistor can be performed to activate the impurity at the same time by heat treatment.

【0026】また500℃以上に加熱する工程は、層間絶縁膜を形成した後であることが好ましい。 Further heating to 500 ° C. or higher is preferably after the formation of the interlayer insulating film. 層間絶縁膜を形成した後に500℃以上に加熱することにより、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜の膜質改善とソース・ドレインの不純物活性化を同時に行うことができる。 By heating to 500 ° C. or higher after the formation of the interlayer insulating film, it is possible to perform quality improvement and the source and drain impurity activation of the gate insulating film and the interlayer insulating film at the same time.

【0027】またシリコン膜は、CVD法により堆積した非晶質シリコンまたは多結晶シリコンであることが好ましい。 Further the silicon film is preferably amorphous silicon or polycrystalline silicon deposited by CVD.

【0028】またシリコン膜は、CVD法により堆積した非晶質シリコンをエキシマレザーにより加熱し多結晶シリコン化した低温多結晶シリコンであることが好ましい。 Further the silicon film is preferably an amorphous silicon deposited by CVD is cold polycrystalline silicon polycrystalline silicon of heating by excimer leather.

【0029】また本発明の表示装置は、上記した薄膜トランジスタの製造方法によって製造された薄膜トランジスタを画素駆動素子として用いる構成としたものである。 Further the display device of the present invention has a structure using a thin film transistor manufactured by the manufacturing method of a thin film transistor described above as a pixel driving element. ON電流の高い薄膜トランジスタを用いることにより表示装置において高速の画素駆動を可能にすることができる。 It can enable fast pixel drive the display device by using a high ON current thin-film transistor. また、トランジスタのON電流増大を図ることができる。 Further, it is possible to ON current increase in the transistor.

【0030】 [0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a thin film transistor manufacturing method and a display device of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0031】(第1の実施形態)本発明の第1の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法について、図1を参照しながら説明する。 The method for manufacturing a thin film transistor according to the First Embodiment The first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図1a〜図1jは、Nチャネル型薄膜トランジスタの製造工程における構造の変化を示す断面図である。 Figure 1a~ Figure 1j is a cross-sectional view showing a variation of the structure in the manufacturing process of the N-channel type thin film transistor.

【0032】まず、図1aに示す絶縁体基板としてのガラス基板1上に、ガラス基板1からの不純物拡散の防止と、活性領域の半導体薄膜であるシリコン膜3下面の界面欠陥防止のためにシリコン酸化膜からなるアンダーコート2と、シリコン膜3を形成する。 [0032] First, on a glass substrate 1 as an insulator substrate shown in FIG. 1a, the silicon for the prevention of diffusion of impurities from the glass substrate 1, the silicon film 3 lower face of the interface defects prevent a semiconductor thin film of the active region an undercoat 2 of an oxide film, a silicon film 3. ここで、シリコン膜3は、非晶質シリコン膜であっても良いし、多結晶シリコン膜であっても良く、さらに、多結晶シリコン膜は非晶質シリコン膜を高温熱処理(電気炉やレーザーによるアニール)して作製したものであっても良い。 Here, the silicon film 3 may be amorphous silicon film may be a polycrystalline silicon film, further, the polycrystalline silicon film is high temperature heat treatment of the amorphous silicon film (an electric furnace, laser or it may be prepared annealing) to by. とくに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やプラズマアシストCVD法により堆積した非晶質シリコン、あるいはそれをエキシマレーザーにより加熱して多結晶シリコン化したものを用いれば低温処理で準備できるという効果がある。 In particular, there is an effect that can be prepared by low temperature treatment be used those CVD (Chemical Vapor Deposition) method or a polycrystalline silicon of the amorphous silicon is deposited, or it is heated by an excimer laser by a plasma-assisted CVD method.

【0033】次に、シリコンの活性領域を形成するためのレジストパターン20を形成する(図1b)。 Next, a resist pattern 20 for forming the active region of the silicon (FIG. 1b).

【0034】次に、レジストパターン20をマスクとしてシリコン膜3をエッチングした後レジストパターン2 Next, the resist pattern 2 after the silicon film 3 is etched using the resist pattern 20 as a mask
0を除去し、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜4を形成する(図1c)。 0 is removed, a gate insulating film 4 of silicon oxide film (FIG. 1c).

【0035】次に、モリブデン・タングステン(Mo [0035] Next, molybdenum, tungsten (Mo
W)膜よりなるゲート電極材料5'を堆積した後、ゲート電極を形成する領域にレジストパターン21を形成する(図1d)。 W) after depositing a gate electrode material 5 'made of film, to form a resist pattern 21 in a region for forming a gate electrode (Fig. 1d).

【0036】次に、レジストパターン21をマスクとしてゲート電極材料5'をエッチングしてゲート電極5を形成した後、N型不純物としてのリン(P)を低濃度でイオン注入して低濃度不純物領域6を形成する(図1 Next, after the resist pattern 21 to form the gate electrode 5 of the gate electrode material 5 'is etched as a mask, ion implantation and a low concentration impurity region, phosphorus (P) at a low concentration as an N-type impurity 6 is formed (FIG. 1
e)。 e). この低濃度不純物領域6の一部はのちにLDD This part of the low concentration impurity regions 6 later LDD
(Lightly Doped Drain)領域6'として用いられる。 Used as (Lightly Doped Drain) region 6 '.

【0037】次に、レジストパターン21を除去した後、チャネル部(ゲート電極5の下部のシリコン膜)と低濃度不純物領域のLDD部とすべき領域6'上にレジストパターン22を形成して、レジストパターン22をマスクとしてN型不純物としてのリン(P)を高濃度でイオン注入して高濃度不純物領域7を形成する(図1f)。 Next, after removing the resist pattern 21, to form a resist pattern 22 on the channel region 6 to be the LDD portion of the low concentration impurity regions (the silicon film below the gate electrode 5) ', phosphorus as an N-type impurity using the resist pattern 22 as a mask (P) is ion-implanted at a high concentration to form a high concentration impurity regions 7 (Figure 1f).

【0038】次に、レジストパターン22を除去する(図1g)。 Next, the resist pattern 22 is removed (FIG. 1 g).

【0039】次に、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜8を形成する(図1h)。 Next, an interlayer insulating film 8 made of silicon oxide film (FIG. 1h).

【0040】次に、TFTのソース・ドレインである高濃度不純物領域7と図示しないがゲート電極5の一部を開口するコンタクト窓9を形成した(図1i)のち、配線10を形成して薄膜トランジスタを形成する(図1 Next, later not shown the high concentration impurity region 7, which is a source and drain of the TFT has been formed a contact window 9 which opens a portion of the gate electrode 5 (Fig. 1i), to form the wiring 10 and the thin film transistor to form (Fig. 1
j)。 j).

【0041】また、図5は水素化処理装置の概略図であり、水素化処理は、図5に示すように容器51内に基板58を配置し、ヒーター53により容器内温度を制御して昇温する。 Further, FIG. 5 is a schematic diagram of a hydrotreating unit, hydrotreating, the substrate 58 was placed in the container 51 as shown in FIG. 5, the temperature to control the temperature inside the container by the heater 53 to temperature. また、容器51内はバルブ57を開けることにより真空排気することができ、さらに、バルブ55 Further, it is possible to the vessel 51 is evacuated by opening the valve 57, further, the valve 55
や56により、チャンバー52内に窒素ガスや水素ガスを供給することができる。 By and 56, it is possible to supply nitrogen gas or hydrogen gas into the chamber 52. さらに、減圧下で水素ガスを導入し、電極54に高周波電力を供給することにより水素ガスのプラズマを発生させ水素ラジカルを生成し、水素ラジカルを基板58に供給することでシリコン膜のダングリングボンドに水素原子を結合させるというものである。 Furthermore, introducing hydrogen gas under reduced pressure, to produce hydrogen radicals to generate a plasma of the hydrogen gas by supplying high frequency power to the electrode 54, the dangling bonds of the silicon film by supplying hydrogen radicals to the substrate 58 it is that to bind the hydrogen atoms.

【0042】第1の実施形態の水素化処理を図1、図2、 [0042] Figure 1, Figure 2 the hydrogenation process of the first embodiment,
図5を用いてさらに詳しく説明する。 Described in more detail with reference to FIG.

【0043】図2は第1の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図であり、図2に示すように温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーを変化させることにより水素化を行う。 [0043] Figure 2 is a diagram for explaining the time course of temperature and discharge power of the pressure and plasma generation hydrogenation process according to the first embodiment, the temperature and pressure and the plasma generated as shown in FIG. 2 hydrogenation is performed by varying the discharge power. 図5は第1の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図であり、具体的には、図1 Figure 5 is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the first embodiment, specifically, FIG. 1
aのシリコン膜3を形成した基板を水素化処理装置(図 a hydrogenation apparatus a substrate having a silicon film 3 (FIG.
5)内へ配置した後、ヒーター53により室温(25 5) After placing into the room temperature by a heater 53 (25
℃)から10℃/分の昇温速度で525℃に加熱する。 ° C.) from heating to 525 ° C. at a heating rate of 10 ° C. / min.
同時に、バルブ57を開放して容器51およびチャンバー52内を約0.02paの真空に排気する。 At the same time, evacuated to a vacuum of about 0.02pa the opened valve 57 the container 51 and chamber 52.

【0044】真空状態で約20分保持することによりシリコン膜表面および膜中の水分や水酸基を除去した後、バルブ56を開放して(流量制御しながら)水素ガスをチャンバー52内へ導入する。 [0044] After removal of the moisture and hydroxyl groups on the surface of the silicon film and the film by holding for about 20 minutes under vacuum, introduced into by opening the valve 56 (flow control while) hydrogen gas in the chamber 52. 水素ガス流量と圧力が安定した後電極54に高周波電力等の放電パワーを供給することにより、チャンバー52内で水素プラズマを発生させ水素ラジカルを生成する。 By hydrogen gas flow rate and pressure to supply the discharge power of the RF power and the like to the electrode 54 after stable, to produce hydrogen radicals to generate hydrogen plasma in the chamber 52.

【0045】次に、水素プラズマを維持しながらヒーター53を制御し10℃/分以下好ましくは5℃/分以下の速度で200℃以下まで降温する。 Next, by controlling the heater 53 while maintaining the hydrogen plasma 10 ° C. / min or less preferably lowered to 200 ° C. or less at 5 ° C. / min or less speed. この際、基板は水素ラジカルを供給されながらゆっくりと冷却されるため、 For this case, the substrate is slowly cooled while being supplied with hydrogen radicals,
欠陥に応じた温度での水素化が行われる。 Hydrogenation at a temperature corresponding to the defect is performed. これにより、 As a result,
効率的で高い水素化率を得ることができ、薄膜トランジスタのON電流増大を図ることができる。 It is possible to obtain an efficient and high hydrogenation rate, it is possible to ON current increase of the thin film transistor.

【0046】次に、放電パワーをOFFし、バルブ56 Next, turn OFF the discharge power, valve 56
を閉めることにより水素ガス供給を止める。 Stop hydrogen gas supply by closing the. バルブ57 Valve 57
を閉じて真空排気を停止した後、バルブ55を開放することで容器51およびチャンバー52内に窒素ガスを供給して大気圧にする。 After stopping the evacuating closed to the atmospheric pressure by supplying nitrogen gas into the container 51 and chamber 52 by opening the valve 55.

【0047】最後に、基板58を取出して水素化処理を終了する。 [0047] Finally, to end the hydrotreatment takes out the substrate 58.

【0048】なお、本実施形態では高温状態(525 [0048] Incidentally, the high temperature state in the present embodiment (525
℃)の約20分の保持は真空状態でガスを供給しない場合を説明したが、これにかえて、窒素ガスや不活性ガスを供給しながら1pa以下の圧力で高温状態を保持することも可能である。 Although about 20 minutes of retention ° C.) explained the case where not supplying gas under vacuum, instead of this, 1 Pa can also maintain a high-temperature state at pressures while supplying nitrogen gas or an inert gas it is. その場合には、ガスの流れによりシリコン膜表面から離脱した水分または水酸基をシリコン膜表面から取り除くことができるため、シリコン膜表面の水分または水酸基の分圧を低減でき、水分または水酸基を除去する効果を高めることができる。 Effect In this case, since it is possible to remove the moisture or hydroxyl detached from the surface of the silicon film by the flow of gas from the surface of the silicon film, which can reduce the partial pressure of moisture or hydroxyl groups on the surface of the silicon film, to remove water or hydroxyl group it can be increased.

【0049】(第2の実施形態)図3は、本発明の第2 [0049] (Second Embodiment) FIG. 3 is a second embodiment of the present invention
の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図である。 It is a diagram for explaining the time course of the discharging power of the temperature, pressure and plasma generation hydrotreating according to the embodiment.
第2の実施形態においては、第1の実施形態で説明した図2とほぼ同様の水素化処理を行うが、高温状態(52 In the second embodiment, performs substantially the same hydrogenation process as in FIG. 2 described in the first embodiment, high temperature (52
5℃)での保持の間、圧力を0.01pa以下の高真空状態にすることにより、シリコン膜表面及び膜中に吸着された水分または水酸基脱離効果を高めることができ、 During the hold at 5 ° C.), by a high vacuum of below 0.01pa pressure, it is possible to increase the adsorbed moisture or hydroxyl elimination effect in the silicon film surface and membrane,
その後の水素プラズマに曝す工程での水素処理化率を高めることができる。 It is possible to increase the hydrogen treatment rate in the step of exposing the subsequent hydrogen plasma.

【0050】(第3の実施形態)図4は本発明の第3の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図であり、図6は、第3の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図である。 [0050] (Third Embodiment) FIG. 4 is a diagram for explaining the time course of the third discharge power of temperature, pressure and plasma generation hydrotreatment according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the third embodiment. 具体的には、図1aのシリコン膜3を形成した基板60を水素化処理装置(図6)のロードロック室61内の加熱ヒーター65上へ配置した後、加熱ヒーター65により室温(25℃)から10℃/分の昇温速度で525℃に加熱する。 Specifically, the hydrogenation apparatus a substrate 60 formed of silicon film 3 of Figure 1a after arranging the heater 65 above the load lock chamber 61 (FIG. 6), the heater 65 at room temperature (25 ° C.) heated to 525 ° C. at a heating rate of 10 ° C. / min from. 同時に、 at the same time,
バルブ81を開放してロードロック室61内を真空に排気する。 It is evacuated to a vacuum load lock chamber 61 by opening the valve 81. 次に、ゲートバルブ72を開いて移載手段(図示せず)により基板60をランプ加熱室62へ移動した後、上面ランプ66及び下面ランプ67により基板60 Next, after moving the substrate 60 to the lamp heating chamber 62 by the transfer unit by opening the gate valve 72 (not shown), the substrate 60 by top lamp 66 and bottom surface lamp 67
を急速に加熱し825℃まで昇温する。 The temperature is raised to quickly heated to 825 ° C. The. これをRTA(Rap This RTA (Rap
id Thermal Annealing)法という。 That id Thermal Annealing) method. しかる後上面ランプ66及び下面ランプ67をOFFして急冷する。 Quenched OFF the whereafter top lamp 66 and bottom surface lamp 67. なお、この時、ハロゲンランプ等のより短波長の光源を用いることにより、ランプのエネルギーは透明の絶縁基板1やアンダーコート2でほとんど吸収されなく、シリコン膜3 At this time, by using a shorter wavelength light source such as a halogen lamp, energy of the lamp is not almost absorbed in the insulating substrate 1 and an undercoat 2 of transparent silicon film 3
での吸収が多いため、ほぼシリコン膜3のみを効率良く加熱することが可能となる。 For absorption in many, it is possible to efficiently heat only approximately silicon film 3. また、ランプを用いることにより800℃以上の加熱を行う際でも、急加熱と後急冷が容易で、基板温度が650℃以上になる時間を5分以内にすることができ、加熱されることによる基板収縮を防ぐことができる。 Further, even when performing heat above 800 ° C. By using the lamp, easy rapid heating and rear quenching, the time that the substrate temperature is above 650 ° C. can be within 5 minutes, due to being heated it is possible to prevent the substrate contraction. シリコン膜3を800℃以上の高温にすることでシリコンの欠陥回復と同時に、シリコン膜3中の水素や酸素をほぼ完全に排出することができる。 Silicon film 3 simultaneously with the defect recovery silicon by a high temperature of at least 800 ° C., can be almost completely discharging hydrogen and oxygen of the silicon film 3. 次に、 next,
基板60をプラズマ室63に移動する。 Moving the substrate 60 to the plasma chamber 63. プラズマ室63 Plasma chamber 63
内では基板60は図6中の左から右へ順次移動し、複数のヒーター69により所望の温度に保たれる。 Substrate 60 in the inner sequentially moved from the left in FIG. 6 to the right, is maintained at a desired temperature by a plurality of heaters 69. また、プラズマ室63内では水素ガスを供給しながら排気バルブ8 The exhaust valve 8 while supplying hydrogen gas in the plasma chamber 63
3と84により圧力を制御して、ガス板68に高周波電力を印加することでプラズマを生成し、基板60の水素化処理を行う。 3 by controlling the pressure by 84 to generate plasma by applying a high-frequency power to the gas plate 68, carry out the hydrogenation process of the substrate 60. ここで、複数のヒーター69は基板が移動するにつれて基板温度が順次下がるように設定することで、基板を徐冷しながら水素プラズマに曝すことができる。 Here, the plurality of heaters 69 by setting so that the substrate temperature is sequentially lowered as the substrate is moved, it may be exposed to hydrogen plasma dinitrogen the substrate. ここで、本実施形態では、水素プラズマに曝す前の工程で前述の実施形態よりも高温状態にしていることにより、シリコン膜3中の水素や酸素の量は前述の実施形態よりも少なくなっているため水素との結合がより活発に行われ水素化の効率を格段に高めることができる。 In the present embodiment, by which the high temperature state than in the embodiment described above in the previous step of exposing to the hydrogen plasma, the amount of hydrogen and oxygen of the silicon film 3 becomes smaller than the above-described embodiment efficiency coupling is more actively conducted hydrogenation with hydrogen for there can be improved remarkably the.

【0051】プラズマ室63内で水素プラズマに曝されながら200℃以下に冷却された基板60は、アンロードロック室64に移載された後窒素により大気圧に戻されて取出される。 The plasma chamber substrate 60 that is cooled to 200 ° C. or less while being exposed to a hydrogen plasma in the 63, is taken out is returned to atmospheric pressure with nitrogen after being transferred to the unload lock chamber 64. ここで、ゲートバルブ71〜75の動作に付いては記述しなかったが、基板の移動に際して必要に応じて開閉されることは言うまでもない。 Here, although with the operation of the gate valve 71 to 75 were not described, are the of course open as required during movement of the substrate. また、プラズマ室63内では基板60は10℃/分以下好ましくは5℃/分以下の冷却速度で徐冷されることにより、安定した水素化処理を行うことが可能となる。 Further, the substrate 60 in the plasma chamber 63 is 10 ° C. / min or less preferably by being gradually cooled at 5 ° C. / min or less cooling rate, it is possible to perform a stable hydrotreating. また、ランプによる高温加熱ではシリコン膜3が800℃以上になる時間を10秒以下にすることにより、シリコン膜3からの熱伝導で基板全体が高温になって収縮等の変形が生ずることを防ぐことができる。 Moreover, by the time that the silicon film 3 is equal to or greater than 800 ° C. in 10 seconds or less at a high temperature heating by lamps, the entire substrate by heat conduction from the silicon film 3 is prevented from occurring deformation such as shrinkage is hot be able to.

【0052】(第4の実施形態)図7は、本発明の第4 [0052] (Fourth Embodiment) FIG. 7, the fourth of the present invention
の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図である。 It is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the embodiment. 具体的には、図1aのシリコン膜3 Specifically, the silicon film 3 of FIG. 1a
を形成した基板60を水素化処理装置(図7)のロードロック室61内の加熱ヒーター65へ配置した後、加熱ヒーター65により室温(25℃)から10℃/分の昇温速度で525℃に加熱する。 Hydrogenation apparatus substrate 60 formed with after placing the heater 65 in the load lock chamber 61 (FIG. 7), 525 ° C. at a heating rate of 10 ° C. / min from room temperature (25 ° C.) by a heater 65 heated to. 同時に、バルブ81を開放してロードロック室61内を真空に排気する。 At the same time, evacuating the load lock chamber 61 to the vacuum by opening the valve 81. 次に、 next,
ゲートバルブ72を開いて(図示しない移載手段により)基板60をプラズマ室92へ移動した後、次に、基板60をプラズマ室92に移動する。 After moving the substrate 60 to the plasma chamber 92 (by an unillustrated transfer means) by opening the gate valve 72, then to move the substrate 60 to the plasma chamber 92. プラズマ室92内では基板60は図7中の左から右へ順次移動し、複数のヒーター69により所望の温度に保たれる。 Plasma chamber substrate 60 is within 92 sequentially moves from the left in FIG. 7 to the right, is maintained at a desired temperature by a plurality of heaters 69. 基板60が移動する際下面ランプ90により基板60は部分的に急速に加熱され825℃まで昇温される(RTA法)。 Substrate 60 by the lower surface lamp 90 when the substrate 60 is moved is heated to partially rapidly heated 825 ° C. (RTA method). しかる後基板60移動に伴ってランプ90による加熱領域から外れることにより急冷され、ランプ部90に隣接するヒーター93の設定温度である600℃以下まで急冷される。 Thereafter the substrate 60 with the movement quenched by deviating from the heating area by the lamp 90, it is rapidly cooled to 600 ° C. or less which is the set temperature of the heater 93 which is adjacent to the lamp unit 90. なお、この時、ランプ90はハロゲンランプ等のより短波長の光源を用いることにより、ランプのエネルギーは透明の絶縁基板1やアンダーコート2でほとんど吸収されることなくシリコン膜3に達し、ほぼシリコン膜3のみを効率良く加熱することが可能となる。 Incidentally, at this time, the lamp 90 is by using a shorter wavelength light source such as a halogen lamp, energy of light reaches the silicon film 3 without being hardly absorbed in the insulating substrate 1 and an undercoat 2 of transparent, substantially silicon it is possible to efficiently heat only film 3. また、基板60の移動速度を調節することにより、基板温度が65 Further, by adjusting the moving speed of the substrate 60, the substrate temperature is 65
0℃以上になる時間を5分以内にすることができ、加熱されることによる基板収縮を防ぐことができる。 The 0 ℃ becomes more time can be within 5 minutes, it is possible to prevent the substrate shrinkage by being heated. シリコン膜3を800℃以上の高温にすることでシリコンの欠陥回復と同時に、シリコン膜3中の水素や酸素をほぼ完全に排出することができる。 Silicon film 3 simultaneously with the defect recovery silicon by a high temperature of at least 800 ° C., can be almost completely discharging hydrogen and oxygen of the silicon film 3. また、プラズマ室92内では加熱と同時に、水素ガスを供給しながら排気バルブ82〜 At the same time as the heating in the plasma chamber 92, an exhaust valve 82 to while supplying hydrogen gas
84により圧力を制御して、ガス板91に高周波電力を印加することでプラズマを生成し、基板60の水素化処理を行う。 84 by controlling the pressure by, to generate plasma by applying a high-frequency power to the gas plate 91, carry out the hydrogenation process of the substrate 60. ここで、複数のヒーター69は基板が移動するにつれて基板温度が順次下がるように設定することで、基板を徐冷しながら水素プラズマに曝すことができる。 Here, the plurality of heaters 69 by setting so that the substrate temperature is sequentially lowered as the substrate is moved, it may be exposed to hydrogen plasma dinitrogen the substrate. プラズマ室92内で水素プラズマに曝されながら20 While it is exposed to a hydrogen plasma in the plasma chamber 92 20
0℃以下に冷却された基板60は、アンロードロック室64に移載された後窒素により大気圧に戻されて取出される。 0 ℃ substrate 60 which is cooled below is taken out is returned to atmospheric pressure with nitrogen after being transferred to the unload lock chamber 64. ここで、ゲートバルブ71〜75の動作に付いては記述しなかったが、基板の移動に際して必要に応じて開閉されることは言うまでもない。 Here, although with the operation of the gate valve 71 to 75 were not described, are the of course open as required during movement of the substrate. また、基板60はプラズマ室92内でランプ90とヒーター93による80 Further, the substrate 60 is due to the lamp 90 and the heater 93 in the plasma chamber 92 80
0℃以上に加熱され600℃以下に急冷された後は、1 0 ℃ after being quenched to 600 ° C. or less heat than, 1
0℃/分以下好ましくは5℃/分以下の冷却速度で徐冷されることにより、安定した水素化処理を行うことが可能となる。 0 ° C. / min or less preferably by being gradually cooled at 5 ° C. / min or less cooling rate, it is possible to perform a stable hydrotreating.

【0053】(第5の実施形態)本発明の第5の実施形態でも上述の第1〜4の実施形態と同様の水素化処理を行うが、第5の実施形態では、図1cに示すゲート絶縁膜4を堆積した後に水素化処理を行う。 [0053] performs the same hydrotreating and first to fourth embodiments described above in the fifth embodiment of the present invention (Fifth Embodiment) In the fifth embodiment, the gate shown in FIG. 1c performing hydrogenation treatment after depositing an insulating film 4. ゲート絶縁膜4 Gate insulating film 4
は一般にシリコン酸化膜が多く用いられCVD法により堆積されるが、CVD法で堆積したままでは膜密度が低いことや膜内やシリコン膜3との界面の欠陥による固定電荷を多く有した状態である。 While generally a silicon oxide film is deposited by a number used is CVD method, which will remain deposited by CVD had many fixed charges due to defects in the interface between it film density is low or film or a silicon film 3 is there. そこで、ゲート絶縁膜形成後に加熱処理を行うと、シリコンや酸素原子の熱的揺らぎにより微小領域での原子移動が起こり膜質が改善される。 Therefore, when heat treatment is performed after the gate insulating film formation, the atom transfer in a minute region occur quality is improved by thermal fluctuations of the silicon and oxygen atoms. よって、ゲート絶縁膜4を堆積した後に上述の第1〜4の実施形態で説明した熱処理を含む水素化処理を行うことにより、シリコン膜中のダングリングボンドを水素で終端するとともに、ゲート絶縁膜の膜質を改善できるという効果を得ることができる。 Therefore, by performing the hydrogenation process comprising a heat treatment described in the first to fourth embodiments described above after depositing the gate insulating film 4, the dangling bonds in the silicon film with terminating in hydrogen, the gate insulating film it is possible to obtain an effect of improving the film quality.

【0054】(第6の実施形態)本発明の第6の実施形態でも上述の第1〜4の実施形態と同様の水素化処理を行うが、第6の実施形態では、図1gに示す薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域への不純物を注入した後に水素化処理を行う。 [0054] Although the sixth performs the same hydrotreating and first to fourth embodiments described above in the embodiment of the present invention (Sixth Embodiment) In the sixth embodiment, the thin film transistor shown in FIG. 1g carry out the hydrogenation process of impurities into the source and drain regions after the injection. これにより、上述の第1〜4の実施形態で説明したシリコン膜中の欠陥の低減と、ゲート絶縁膜の膜質改善の効果に加えて、ソース・ドレイン領域の不純物を活性化することができる。 Thus, reduction of defects in the silicon film described in the first to fourth embodiments described above, in addition to the effect of improving film quality of the gate insulating film, the impurities in the source and drain regions can be activated.

【0055】(第7の実施形態)本発明の第7の実施形態でも上述の第1〜4の実施形態と同様の水素化処理を行うが、第7の実施形態では、図1hに示す薄膜トランジスタ形成の後層間絶縁膜8形成後に水素化処理を行う。 [0055] Although the seventh perform first to fourth same hydrotreating and embodiments described above in the embodiment of the present invention (Seventh Embodiment) In the seventh embodiment, the thin film transistor shown in FIG. 1h performing hydrogenation treatment after the interlayer insulating film 8 is formed after the formation. これにより、上述の第1〜6の実施形態で説明したシリコン膜中の欠陥の低減と、ゲート絶縁膜の膜質改善、不純物の活性化に加えて、層間絶縁膜8を加熱処理することができ、層間絶縁膜8の膜質改善を図れる。 Thus, reduction of defects in the silicon film described in the first to sixth embodiments described above, the film quality improvement of the gate insulating film, in addition to the activation of the impurity, it is possible to heat treatment of the interlayer insulating film 8 , thereby the film quality improvement of the interlayer insulating film 8.

【0056】(第8の実施形態)次に、本発明の第8の実施形態について説明する。 Next Eighth Embodiment, will be described an eighth embodiment of the present invention. 第8の実施形態は、上述の第1〜7の実施形態とほぼ同様の処理を行うが、水素ガスの変わりに酸素ガスを用いることにより、酸素プラズマ中に基板を曝して酸素ラジカルによりシリコン膜中のダングリングボンドに酸素を結合させて酸化終端する。 The eighth embodiment performs substantially the same processing as first to seventh embodiments described above, by using oxygen gas instead of hydrogen gas, the silicon film by oxygen radicals exposing the substrate to oxygen plasma oxygen is bound to dangling bonds in the oxidation terminates.
この時、シリコンが酸化されることにより微小領域での余剰のシリコンが生成され、その余剰シリコンが移動してシリコンによるシリコン膜中の欠陥の終端も行われ、 At this time, silicon excess silicon in a minute region is produced by being oxidized, the excess silicon is performed even termination of defects of the silicon film by the silicon to move,
膜中の欠陥をいっそう低減することができる。 It is possible to further reduce the defects in the film. また、シリコンと水素の結合エネルギーに比べシリコンと酸素の結合エネルギーは非常に大きいために一度結合した酸素は安定した状態になるため、トランジスタ動作を行った際にシリコン膜中に流れる電子(または正孔)の衝突により脱離しにくくなり、トランジスタの信頼性を向上させることができる。 Further, since the oxygen binding energy bound once for a very large silicon and oxygen as compared to the bonding energy of silicon and hydrogen to become a stable state, electrons (or positive flowing through the silicon film when subjected to the transistor operation hardly detached by the impact of the hole), it is possible to improve the reliability of the transistor.

【0057】なお、同一のシリコン膜に対して、水素ガスを含む混合ガスによる水素ラジカル処理と、本実施形態の酸素ラジカル処理とをともに適用することも可能である。 [0057] Incidentally, for the same silicon film, and the hydrogen radical treatment with a mixed gas containing hydrogen gas, it is possible to both apply and oxygen radical treatment of the present embodiment.

【0058】(第9の実施形態)次に、本発明の第9の実施形態について説明する。 Next Ninth Embodiment, will be described a ninth embodiment of the present invention. 図8は本発明の薄膜トランジスタの製造方法により作成した薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型表示装置を説明するための図であり、薄膜トランジスタはフラットディスプレイの各画素に対応して配置されており、縦方向に連なる薄膜トランジスタの一方のソース領域はソース配線101に接続されており、他方のドレイン領域は各画素の表示部に電圧を供給するための画素電極103に接続されている。 Figure 8 is a diagram for explaining an active matrix display device using the thin film transistor manufactured by the manufacturing method of a thin film transistor of the present invention as a switching element, a thin film transistor are arranged corresponding to each pixel of the flat display, one source region of the thin film transistor connected to the vertical direction is connected to the source line 101, the other drain region is connected to a pixel electrode 103 for supplying a voltage to the display unit of each pixel. また、ゲート配線102は横方向に連なる薄膜トランジスタのゲート電極に接続されている。 The gate wiring 102 is connected to the gate electrode of the thin film transistor connected to the transverse direction. よって、ソース配線101とゲート配線102 Thus, the source wiring 101 and the gate wiring 102
によりマトリクスを構成し、所望の画素電極103に電圧を印加する構成である。 Configure matrix by a structure for applying a voltage to the desired pixel electrode 103. 表示部としては、液晶、エレクトロルミネッセンスなどを用いることができる。 As the display unit, it is possible to use the liquid crystal, and electroluminescent. 上述の製造方法を用いた薄膜トランジスタをスイッチング素子に用いることにより、シリコン膜中の欠陥を低減していることによるスイッチングのON状態での書きこみ速度の向上や、OFF状態でのリーク低減効果による電圧保持能力の向上が図れ、表示容量の大きい高精細、高性能の表示装置を得ることができる。 By using the thin film transistor using the manufacturing method described above the switching element, that improvement of write speed of the ON state of the switching by which to reduce the defects in the silicon film, the voltage due to the leakage reduction effect in the OFF state model improves retention capability, large high-definition display capacity, it is possible to obtain a high-performance display device. さらに、上述の製造方法による薄膜トランジスタを用いてソースおよびゲートを駆動する駆動回路(図示せず)を基板周辺部に同時に形成すると、薄膜トランジスタのON電流が大きいので、小さい面積でより高速および高機能の駆動回路を作成することができ、額縁が狭くて有効表示領域の広い表示装置を実現することができる。 Furthermore, at the same time forms the driving circuit for driving the source and gate (not shown) to the substrate peripheral portion with a thin film transistor according to the above-described manufacturing method, since a large ON current of the thin film transistor, the faster and higher functionality in a small area can create a driving circuit, it is possible to narrow the frame to realize a wide display of the effective display area.

【0059】 [0059]

【発明の効果】以上詳述したように本発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、薄膜トランジスタのON電流増大、信頼性の向上が図れる。 According to the method for fabricating the thin film transistor of the invention as described in detail above, according to the present invention, ON current increases of the thin film transistor, thereby improving the reliability.

【0060】さらに、薄膜トランジスタの製造工程において絶縁基板全体が昇温し変形することを防ぎつつシリコン膜中の結晶欠陥の低減を図ることができ、絶縁基板が熱収縮する量を最小限にすることができる。 [0060] Further, the insulating entire substrate in the fabrication process of a thin film transistor while preventing that the temperature was raised deformation can be reduced crystal defects of the silicon film, an insulating substrate is to minimize the amount of thermal contraction can.

【0061】さらに大型基板に対応したシリコン膜の水素化あるいは水素化を容易に実現できるとともに最適温度近傍に滞在する時間を十分にとることができ、水素化または酸素化割合を高めることができる。 [0061] Further time of stay optimal temperature near the can take sufficient with hydrogenated or hydrogenated silicon film corresponding to a large substrate can be easily realized, it is possible to enhance the hydrogenation or oxygenated ratio.

【0062】さらにシリコン膜とゲート絶縁膜界面の欠陥を低減することや、ゲート絶縁膜の膜質改善を同時行うことができる。 [0062] Further and reducing the defects in the silicon film and the gate insulating film interface can be performed simultaneously the quality improvement of the gate insulating film.

【0063】さらに不純物の活性化や層間絶縁膜の膜質改善をも同時に行うことができる。 [0063] can be carried out further at the same time the quality improvement of activation and the interlayer insulating film of an impurity.

【0064】また本発明による薄膜トランジスタを表示装置に用いると高速の画素駆動が可能なので高画質、高精細表示に有効であるとともに、コンパクトで高速の駆動回路を形成することができる。 [0064] Since that can use the high speed of the pixel driving a display device a thin film transistor according to the present invention high quality, together with an effective high-definition display, it is possible to form a high-speed drive circuit compact.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1の実施形態に係るNチャネル型薄膜トランジスタの製造工程における構造の変化を示す断面図 Figure 1 is a cross-sectional view showing a structural change in the manufacturing process of the N-channel type thin film transistor according to a first embodiment

【図2】第1の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図 Figure 2 is a diagram illustrating the time course of the discharging power of the temperature, pressure and plasma generation hydrogenation process according to the first embodiment

【図3】第2の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図 Figure 3 is a diagram illustrating the time course of temperature and discharge power of the pressure and plasma generation hydrogenation process according to the second embodiment

【図4】第3の実施形態に係る水素化処理の温度と圧力とプラズマ発生の放電パワーの時間経過を説明するための図 Figure 4 is a diagram illustrating the time course of discharge power of the third temperature of the hydrogenation process according to the embodiment and the pressure and plasma generation

【図5】第1の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図 Figure 5 is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the first embodiment

【図6】第3の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図 Figure 6 is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the third embodiment

【図7】第4の実施形態に係る水素化処理を行うための水素化処理装置の概略図 Figure 7 is a schematic view of a hydrogenation apparatus for performing hydrogenation process according to the fourth embodiment

【図8】第9の実施形態に係る本発明の製造方法により作成した薄膜トランジスタを用いた表示装置を説明するための図 Figure 8 is a diagram for explaining a display device using the thin film transistor manufactured by the manufacturing method of the present invention according to the ninth embodiment

【図9】従来のNチャネル型MISトランジスタを説明するための図 Figure 9 is a diagram for explaining a conventional N-channel type MIS transistor

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ガラス基板 2 アンダーコート 3 シリコン膜 4 ゲート絶縁膜 5' ゲート電極 6 低濃度不純物領域 7 高濃度不純物領域 8 層間絶縁膜 9 コンタクト窓 10 配線 20,21,22 レジストパターン 1 glass substrate 2 undercoat 3 silicon film 4 gate insulating film 5 'gate electrode 6 lightly doped region 7 high-concentration impurity region 8 interlayer insulating film 9 contact window 10 wiring 20, 21, 22 resist pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/324 H01L 21/26 G 29/78 627G Fターム(参考) 2H092 JA46 KA04 KA05 KA18 MA07 MA08 MA12 MA22 MA27 MA30 NA22 NA24 5F110 AA07 AA19 BB02 CC02 EE06 EE38 FF02 GG02 GG13 GG44 GG45 HJ01 HJ13 HM15 NN02 NN23 PP03 PP10 QQ25 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H01L 21/324 H01L 21/26 G 29/78 627G F -term (reference) 2H092 JA46 KA04 KA05 KA18 MA07 MA08 MA12 MA22 MA27 MA30 NA22 NA24 5F110 AA07 AA19 BB02 CC02 EE06 EE38 FF02 GG02 GG13 GG44 GG45 HJ01 HJ13 HM15 NN02 NN23 PP03 PP10 QQ25

Claims (18)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 絶縁基板上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を500℃以上に加熱する工程と、 Forming a 1. A insulating silicon film on a substrate, heating the silicon film above 500 ° C.,
    前記シリコン膜を水素ガスを含む混合ガスにより水素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。 Method of manufacturing a thin film transistor comprising the step of cooling the 250 ° C. or less while hydrogen radical treatment the silicon film by a mixed gas containing hydrogen gas.
  2. 【請求項2】 絶縁基板上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を500℃以上に加熱する工程と、 Forming a wherein insulating silicon film on a substrate, heating the silicon film above 500 ° C.,
    前記シリコン膜を酸素ガスにより酸素ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。 Method of manufacturing a thin film transistor comprising the step of cooling the 250 ° C. or less while an oxygen radical treatment by an oxygen gas the silicon film.
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程は、0.01pa以下の圧力中で加熱することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 3. A process according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, the step of heating said 500 ° C. or higher, a method of manufacturing the thin film transistor, wherein the heating in a pressure of less than 0.01 Pa.
  4. 【請求項4】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程は、1pa以下の圧力の窒素または不活性ガス流中で加熱することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 4. A process according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, the step of heating said 500 ° C. or more, characterized by heating in nitrogen or an inert gas stream in a pressure below 1pa a method of manufacturing a thin film transistor.
  5. 【請求項5】 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500 5. A method of manufacturing a thin film transistor according to any one of claims 1 to 4, wherein the 500
    ℃以上に加熱する工程は、ハロゲンランプ等を用いたR Heating above ℃ is using a halogen lamp or the like R
    TA法によりシリコン膜を800℃以上の温度に10秒以下の時間加熱した後、600℃以下まで急冷することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 After heating 10 seconds or less the silicon film to a temperature above 800 ° C. by TA method, a method of manufacturing the thin film transistor characterized by rapidly cooled to 600 ° C. or less.
  6. 【請求項6】 請求項5記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記RTA法により800℃以上に加熱される領域は前記絶縁基板の表面近傍および前記シリコン膜近傍のみであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 6. The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 5, the region is heated to 800 ° C. or higher by the RTA method of a thin film transistor which is characterized in that only near the surface and the silicon layer near the insulating substrate Production method.
  7. 【請求項7】 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500 7. A method of manufacturing a thin film transistor according to any one of claims 1 to 6, wherein 500
    ℃以上に加熱する工程は、650℃以上に保持される時間が5分以内であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 ° C. heating the above, a method of manufacturing the thin film transistor, wherein the time held above 650 ° C. is within 5 minutes.
  8. 【請求項8】 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記水素ラジカル処理を行う工程は、処理室に水素ガスを含む混合ガスを導入して高周波電力等を印加してプラズマを発生させ、プラズマに前記シリコン膜を形成した絶縁基板を曝す工程であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 8. A method of manufacturing a thin film transistor of claim 1 wherein the step of performing the hydrogen radical treatment is by applying a high frequency power such as plasma is generated by introducing a mixed gas containing hydrogen gas into the processing chamber, manufacturing method of a thin film transistor which is a process of exposing the insulating substrate formed with the silicon film to a plasma.
  9. 【請求項9】 請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記酸素ラジカル処理を行う工程は、処理室に酸素ガスを導入して高周波電力等を印加してプラズマを発生させ、プラズマに前記シリコン膜を形成した絶縁基板を曝す工程であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 9. The manufacturing method of a thin film transistor of claim 2 wherein the step of performing the oxygen radical treatment, by applying a high frequency power or the like by introducing oxygen gas into the processing chamber to generate a plasma, the silicon plasma manufacturing method of a thin film transistor which is a process of exposing the insulating substrate formed with the film.
  10. 【請求項10】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記ラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程は、10℃/分以下の速度で降温することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 10. The method according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, a step of cooling to 250 ° C. or less while the radical treatment is characterized by cooling at a rate of 10 ° C. / min or less a method of manufacturing a thin film transistor.
  11. 【請求項11】 請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記ラジカル処理を行いながら25 11. A method of manufacturing a thin film transistor according to claim 10, wherein while performing the radical treatment 25
    0℃以下に冷却する工程は、5℃/分以下の速度で降温することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 0 ℃ step of cooling below, a method of manufacturing a thin film transistor, characterized by cooling at 5 ° C. / min or less speed.
  12. 【請求項12】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程とラジカル処理を行いながら250℃以下に冷却する工程は、ラジカル処理状態に前記絶縁基板を曝したまま、絶縁基板の加熱領域を移動させることにより500℃以上の加熱を行った後250℃以下に冷却することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 12. The method according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, a step of cooling below 250 ° C. while step and the radical process of heating to the 500 ° C. or higher, the insulating substrate to the radical processing state while exposed to, a method of manufacturing the thin film transistor characterized by cooling to 250 ° C. or less after the heat of 500 ° C. or more by moving the heated region of the insulating substrate.
  13. 【請求項13】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程は、ゲート絶縁膜を形成した後であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 13. The method according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, the step of heating said 500 ° C. or higher, a method of manufacturing a thin film transistor which is characterized in that after forming the gate insulating film.
  14. 【請求項14】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程は、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の不純物導入を行った後であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 14. The method according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, the step of heating said 500 ° C. or higher, and characterized in that after the impurity introduction of the source and drain regions of the thin film transistor a method of manufacturing a thin film transistor.
  15. 【請求項15】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記500℃以上に加熱する工程は、層間絶縁膜を形成した後であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 15. The method according to claim 1 or claim 2 wherein the thin film transistor, the step of heating said 500 ° C. or higher, a method of manufacturing a thin film transistor which is characterized in that after forming the interlayer insulating film.
  16. 【請求項16】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記シリコン膜は、C 16. A method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1 or claim 2, wherein the silicon film, C
    VD法により堆積した非晶質シリコンまたは多結晶シリコンであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 A method of manufacturing the thin film transistor, characterized in that an amorphous silicon or polycrystalline silicon deposited by VD method.
  17. 【請求項17】 請求項1または請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記シリコン膜は、C 17. A method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1 or claim 2, wherein the silicon film, C
    VD法により堆積した非晶質シリコンをエキシマレザーにより加熱し多結晶シリコン化した低温多結晶シリコンであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 A method of manufacturing the thin film transistor, characterized in that the amorphous silicon deposited is cold polycrystalline silicon polycrystalline silicon of heating by excimer leather by VD method.
  18. 【請求項18】 請求項1〜請求項17のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法によって製造された薄膜トランジスタを画素駆動素子として用いる表示装置。 18. A display using the thin film transistor manufactured by the manufacturing method of a thin film transistor according to any one of claims 1 to 17 as a pixel driving element unit.
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