JP2001267240A - Method of manufacturing low-temperature polysilicon tft device - Google Patents

Method of manufacturing low-temperature polysilicon tft device

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JP2001267240A
JP2001267240A JP2000079816A JP2000079816A JP2001267240A JP 2001267240 A JP2001267240 A JP 2001267240A JP 2000079816 A JP2000079816 A JP 2000079816A JP 2000079816 A JP2000079816 A JP 2000079816A JP 2001267240 A JP2001267240 A JP 2001267240A
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si
polysilicon
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tft
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JP2000079816A
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Inventor
Katsuya Ishikawa
克也 石川
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing low-temperature polysilicon TFT devices which are formed on the same substrate and kept high in uniformity. SOLUTION: An a-Si film 20a is formed on a substrate and irradiated with a first laser beam L1 at a regular interval, by which polycrystalline parts 20b are formed at a regular interval in the a-Si film 20a. Thereafter, nearly all the surface of the a-Si film 20a is irradiated with a second laser beam L2, by which nearly all the a-Si film 20a is turned polycrystalline for the formation of a polysilicon film 21.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低温ポリシリコンTFT装置の製造方法に関する。 The present invention relates to relates to a method of manufacturing a low-temperature polysilicon TFT device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶パネル等に用いられる低温ポリシリコンTFT装置では、ポリシリコン膜がレーザアニール等によって形成される。 The low-temperature polysilicon TFT device used in the Prior Art Liquid crystal panel or the like, a polysilicon film is formed by laser annealing or the like.

【0003】従来の低温ポリシリコン装置の製造方法におけるポリシリコン膜の形成方法について、以下に一例を説明する。 [0003] The method of forming a polysilicon film in the manufacturing method of the conventional low-temperature poly-silicon devices, an example below. 従来の製造方法では、まず、図6(a)に示すように、ガラス基板1上に、SiO 2膜2とa−S In the conventional manufacturing method, first, as shown in FIG. 6 (a), on a glass substrate 1, SiO 2 film 2 and a-S
i膜3とを形成する。 To form the i layer 3. SiO 2膜2は、ガラス基板1からの不純物の拡散を防止するための膜であり、CVD法によって形成される。 SiO 2 film 2 is a film for preventing the diffusion of impurities from the glass substrate 1, is formed by a CVD method. a−Si膜3は、SiO 2膜2上に、CVD法によってa−Si:H膜を形成したのち、 a-Si film 3, on the SiO 2 film 2, a-Si by CVD method: after forming the H film,
脱水素処理を目的として、a−Si:H膜を形成した基板1を400度以上の温度で熱処理することによって形成される。 For the purpose of dehydrogenation treatment, a-Si: a substrate 1 formed with the H film is formed by heat treatment at 400 degrees or higher. その後、図6(b)に示すように、線状のエキシマレーザ4を基板に対して一方向から連続的に重なり合うように照射することによってa−Si膜3を多結晶化し、ポリシリコン膜5を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 6 (b), an excimer laser 4 linear polycrystallized the a-Si film 3 by irradiating to overlap continuously from one direction with respect to the substrate, the polysilicon film 5 to form. このようにして、低温ポリシリコンTFT装置に用いられるポリシリコン膜が形成される。 In this way, the polysilicon film used in the low-temperature polysilicon TFT device is formed.

【0004】上記従来の方法でポリシリコン膜を作製する場合、通常、照射されるエキシマレーザは線状のパルスビームとなっている。 [0004] When fabricating a polysilicon film in the conventional method, usually, the excimer laser to be irradiated has a linear pulse beam. このため、a−Si膜にレーザ光を均一に照射するため、パルスレーザを少しずつズラして数10回のパルスレーザを同一基板上のa−Si膜に照射し、ポリシリコン膜の形成を行う。 Therefore, in order to uniformly irradiate a laser beam onto the a-Si film, and Shifts pulsed laser gradually irradiated with a pulsed laser having 10 times the a-Si film on the same substrate, the formation of the polysilicon film do.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の製造方法では、形成されるポリシリコン膜5の均一性がよくないという問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the above conventional manufacturing method, the uniformity of the polysilicon film 5 to be formed is disadvantageously poor. すなわち、上記製造方法では、a−Si膜3がエキシマレーザ(パルスレーザ)4の照射パワーで一旦完全に溶融し、次のパルスレーザが照射されるまでに溶融Siが固化してポリシリコン膜5が形成される。 That, in the manufacturing method, a-Si film 3 is once completely molten at the irradiation power of the excimer laser (pulsed laser) 4, the polysilicon film 5 by melting Si is solidified before the next pulse laser is irradiated There is formed. このため、ポリシリコン膜5の結晶粒が成長する起点となる多結晶核の出来具合いが、場所によって異なることとなってしまう。 Therefore, it degree of polycrystalline nuclei grains of the polysilicon film 5 as a starting point the growing, becomes different depending on the location. このような多結晶核のバラツキは、ポリシリコン膜5の結晶粒子の大きさ(以下、グレインサイズと言う)にバラツキを生じさせることとなり、ポリシリコン膜5の均一性が低下することとなる。 Variation of such polycrystalline nuclei, the size of the crystal grains of the polysilicon film 5 will be caused variations in (hereinafter, referred to as grain size), the uniformity of the polysilicon film 5 is lowered.

【0006】さらに、上記製造方法によって製造された低温ポリシリコンTFT装置を液晶パネルに用いる場合には、ポリシリコン膜5のグレインサイズのバラツキが、液晶パネルの画像のムラや線欠陥(一例として、隣接するトランジスタ駆動能力が小さい場合、本トランジスタのセルまたは行や列だけ駆動能力が高くなり、同じパルス電位時間を印可してもチャージが多く蓄積されるため、隣接するセルまたは行や列と違ったコントラストとして見えてしまう)をもたらし、デバイス特性を低下させる原因となってしまう。 Furthermore, in the case of using a low temperature polysilicon TFT device manufactured by the manufacturing method in the liquid crystal panel, the variation of the grain size of the polysilicon film 5, as unevenness and the line defect (an example of an image of the liquid crystal panel, If adjacent transistors driving ability is small, the driving ability only cells or rows or columns of the transistor becomes high, since the charge is often accumulated even when applying a same pulse potential time, unlike the adjacent cells or rows or columns brought by results) appeared as a contrast, it becomes a cause of degrading device characteristics.

【0007】上記問題を解決するため、本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法は、ポリシリコン膜のグレインサイズを均一に形成することによって、同一基板上に均一性よく複数の低温ポリシリコンTFT装置を製造できる低温ポリシリコンTFT装置の製造方法を提供することを目的とする。 [0007] To solve the above problems, a manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention, by uniformly forming the grain size of the polysilicon film, good uniformity plurality of low-temperature polysilicon TFT on the same substrate and to provide a manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device capable of producing devices.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法は、ポリシリコン膜を備える低温ポリシリコンTFT装置の製造方法であって、基板上にa−Si膜(非晶質シリコン膜)を形成する第1の工程と、a−Si膜に第1 To achieve the above object, according to an aspect of manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention is a method for producing a low-temperature polysilicon TFT device comprising a polysilicon film, a on a substrate a first step of forming a -Si film (an amorphous silicon film), a first to a-Si film
のレーザ光を一定間隔で照射することによって、a−S By irradiating a laser beam at regular intervals, a-S
i膜の一部に一定間隔で多結晶部分を形成する第2の工程と、第2の工程を経たa−Si膜の略全面に第2のレーザ光を照射することによって、a−Si膜を多結晶化してポリシリコン膜を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする。 A second step of forming a polycrystalline portion at regular intervals on a part of the i layer, by irradiating the second laser beam to substantially the entire surface of the a-Si film formed through the second step, a-Si film the polycrystallized characterized in that it comprises a third step of forming a polysilicon film. 上記製造方法によれば、第2の工程によって、a−Si膜に一定間隔で均一な種結晶が形成されるため、ポリシリコン膜のグレインサイズを均一に形成することができる。 According to the above manufacturing method, the second step, for uniform seed crystals are formed at regular intervals on the a-Si film can be uniformly formed grain size of the polysilicon film. このため、上記製造方法によれば、 Therefore, according to the manufacturing method,
同一基板上に均一性よく低温ポリシリコンTFT装置を製造できる。 Good uniformity over the same substrate can be manufactured low-temperature polysilicon TFT device.

【0009】上記製造方法では、第2の工程において、 [0009] In the manufacturing method, in the second step,
第1のレーザ光をa−Si膜に一定間隔でストライプ状に照射することによって、一定間隔でストライプ状に配置された複数の多結晶部分を形成することが好ましい。 By irradiating the stripes at regular intervals the first laser beam in a-Si film, it is preferable to form a plurality of polycrystalline portion disposed in a stripe pattern at regular intervals.
上記構成によれば、一定間隔に形成された多結晶部分を容易に形成することができる。 According to the above configuration, it is possible to easily form a polycrystalline portion formed at regular intervals.

【0010】上記製造方法では、第2の工程において、 [0010] In the above manufacturing method, in the second step,
メタルマスクを用いて第1のレーザ光をストライプ状に照射することが好ましい。 It is preferable to irradiate the first laser beam using a metal mask in stripes. 上記構成によれば、レーザのスポット幅よりも幅が狭い多結晶部分を形成できる。 According to the above arrangement, the width than the laser spot width can be formed narrow polycrystalline portion.

【0011】上記製造方法では、第3の工程において、 [0011] In the manufacturing method, in the third step,
第2のレーザ光は線状のパルスレーザであり、第2のレーザ光の長手方向と多結晶部分の長手方向とが直行するように第2のレーザ光を照射することが好ましい。 The second laser beam is a linear pulse laser, it is preferable that the longitudinal direction of the longitudinal and polycrystalline portions of the second laser light is irradiated with the second laser beam so as to direct. 第2 The second
のレーザを照射する際に、レーザの照射スポット内に常に一定間隔で種結晶となる多結晶部分が存在することになるため、特に均一性がよいポリシリコン膜を形成できる。 When irradiating the laser, this means that always polycrystalline portion as a seed crystal at regular intervals in the irradiation spot of the laser is present, it can form a particularly uniformity good polysilicon film.

【0012】上記製造方法では、第2の工程において、 [0012] In the manufacturing method, in the second step,
第1のレーザ光をa−Si膜にドット状またはハニカム状に照射することによって、ドット状またはハニカム状の多結晶部分を形成することが好ましい。 By irradiating the first laser light in a dot shape or a honeycomb shape in a-Si film, it is preferable to form a dot-shaped or honeycomb-shaped polycrystalline portions. 上記構成によれば、一定間隔で多結晶部分を形成できる。 According to the arrangement, a polycrystalline portion at regular intervals.

【0013】上記製造方法では、多結晶部分は、a−S [0013] In the manufacturing method, the polycrystalline portion, a-S
i膜のうち多結晶部分と最も離れた部分におけるa−S a-S in the most distant portion and polycrystalline portions of the i layer
i膜と多結晶部分との距離が、形成するポリシリコン膜の平均グレインサイズと略等しくなるように形成されることが好ましい。 The distance between the i layer and the polycrystalline portion is substantially is preferably formed to be equal to the average grain size of the polysilicon film to be formed. 上記構成によれば、所望の平均グレインサイズのポリシリコン膜を形成できる。 According to the arrangement, a polysilicon film having a desired average grain size.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】まず、本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法によって製造される低温ポリシリコンTF Firstly, low-temperature polysilicon TF manufactured by the manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention
T装置10について、一例の断面図を図1に示す。 For T 10 shows a cross-sectional view of an example in FIG.

【0016】低温ポリシリコンTFT装置10は、ガラス基板11と、ガラス基板11上に形成されたSiO 2 The low-temperature polysilicon TFT device 10 includes a glass substrate 11, SiO 2 formed on the glass substrate 11
膜12と、SiO 2膜12上に形成されたポリシリコン膜13と、ポリシリコン膜13を挟むようにSiO 2膜12上に配置されたソース領域14およびドレイン領域15と、ポリシリコン膜13上に配置されたゲート絶縁膜16と、ゲート絶縁膜16上に配置されたゲート電極17(ハッチングは省略する)と、ソース電極18およびドレイン電極19と、層間絶縁膜16aとを備える。 A film 12, a polysilicon film 13 formed on the SiO 2 film 12, a source region 14 and drain region 15 disposed on the SiO 2 film 12 so as to sandwich the polysilicon film 13, the polysilicon film 13 on to comprise a gate insulating film 16 disposed, the gate insulating film 16 arranged gate electrode on 17 and (hatching is omitted), a source electrode 18 and drain electrode 19, an interlayer insulating film 16a.

【0017】SiO 2膜12は、ガラス基板11からポリシリコン膜13に不純物が拡散することを防止するために形成される。 The SiO 2 film 12, the impurity from the glass substrate 11 on the polysilicon film 13 is formed to prevent the diffusion.

【0018】ポリシリコン膜13は、チャネル領域として機能する層であり、a−Si(非晶質シリコン)を多結晶化することによって形成される。 The polysilicon film 13 is a layer functioning as a channel region is formed by polycrystallizing a-Si (amorphous silicon).

【0019】ソース領域14およびドレイン領域15 [0019] The source and drain regions 14 and 15
は、不純物がドープされたポリシリコンからなる。 It is made of polysilicon doped with impurities. すなわち、図1の一例では、本発明の製造方法において形成されるポリシリコン膜は、ポリシリコン膜13、ソース領域14およびドレイン領域15となる。 That is, in the example of FIG. 1, a polysilicon film formed in the production method of the present invention, the polysilicon film 13, the source region 14 and drain region 15.

【0020】以下に、本発明の低温ポリシリコンTFT [0020] Hereinafter, the low-temperature polysilicon TFT of the present invention
装置の製造方法について説明する。 Method for manufacturing a device will be described. 本発明の製造方法では、まず、図2(a)に示すように、ガラス基板11上に、SiO 2膜12(たとえば膜厚200nm)とa− In the production method of the present invention, first, as shown in FIG. 2 (a), on a glass substrate 11, SiO 2 film 12 (a film thickness of, for example, 200 nm) and a-
Si:H膜20(たとえば膜厚100nm)とをこの順序で形成する。 Si: H film 20 and the (e.g., film thickness 100 nm) formed in this order. SiO 2膜12は、たとえば、CVD法などによって形成できる。 SiO 2 film 12 can be formed, for example, by a CVD method. a−Si:H膜20は、たとえば、プラズマCVD法を用いてSiH 4ガスを分解することによって形成できる。 a-Si: H film 20 can be formed, for example, by decomposing SiH 4 gas by a plasma CVD method.

【0021】その後、上記基板を熱処理することによってa−Si:H膜20の脱水素を行い、図2(b)に示すように、a−Si膜20aを形成する。 [0021] Then, a-Si by heat treating the substrate: perform dehydrogenation H film 20, as shown in FIG. 2 (b), to form an a-Si film 20a. このようにして、基板(SiO 2膜12が形成されたガラス基板1 In this way, a substrate (a glass substrate 1, the SiO 2 film 12 is formed
1)上にa−Si膜20aを形成する(第1の工程)。 1) to form an a-Si film 20a on the (first step).
熱処理は、たとえば、上記基板を400℃〜500℃の温度で60分程度保持することによって行う。 Heat treatment is carried out, for example, by holding for about 60 minutes the substrate at a temperature of 400 ° C. to 500 ° C..

【0022】その後、図2(c)に示すように、a−S [0022] Thereafter, as shown in FIG. 2 (c), a-S
i膜20aに一定間隔(たとえば5μm間隔)で第1のレーザ光L1を照射することによって、a−Si膜20 By irradiating the first laser beam L1 at a predetermined interval (e.g., 5μm spacing) to i layer 20a, a-Si film 20
aの一部に多結晶部分20bを形成する(第2の工程)。 A polycrystalline portion 20b on a part of a (second step). 第1のレーザ光L1は、たとえば、波長が308 The first laser beam L1 is, for example, wavelength 308
nmのパルスレーザ(エキシマレーザ)である。 It is nm pulsed laser (excimer laser).

【0023】このとき形成される多結晶部分20bのパターンの一例について、図3に平面図を示す。 [0023] An example of a pattern of polycrystalline portion 20b formed at this time, shows a plan view in FIG. 図3のパターンは、a−Si膜20aの一部に、一定間隔でストライプ状に略平行に配置された複数の線状の多結晶部分20bが形成されたものである。 Pattern of FIG. 3, a part of the a-Si film 20a, a plurality of linear polycrystalline portion 20b which is substantially parallel to the stripes formed at regular intervals. 図3のパターンの多結晶部分20bを形成するためには、たとえば、図3に示すような線状の照射スポットを有するパルスレーザを、 To form a polycrystalline portion 20b of the pattern of FIG. 3, for example, a pulsed laser with a linear illumination spot as shown in FIG. 3,
一定間隔ごとにa−Si膜20aに照射すればよい。 It may be irradiated to the a-Si film 20a at regular intervals. また、図4に示すように、図3のパターンに相当するメタルマスク41をa−Si膜20a上に配置してレーザ光を照射してもよい。 Further, as shown in FIG. 4, a metal mask 41 corresponding to the pattern of FIG. 3 may be irradiated with a laser beam disposed on the a-Si film 20a. メタルマスクを用いる場合には、レーザパルス幅(通常数百ナノメータ)より幅が狭い多結晶部分20bを形成できるため、第2のレーザ光L2 In the case of using a metal mask, the width than the laser pulse width (typically several hundred nanometers) can form a narrow polycrystalline portion 20b, the second laser beam L2
(後述)を照射してポリシリコン膜を形成したのちにおいて、多結晶部分20bにおける揺らぎを小さくすることができ、均一性がより高いポリシリコン膜を形成できる。 In After forming the polysilicon film is irradiated with (described below), it is possible to reduce the fluctuations in the polycrystalline portion 20b, it can be formed higher polysilicon film uniformity.

【0024】なお、多結晶部分20bは、a−Si膜2 [0024] In addition, the polycrystalline portion 20b is, a-Si film 2
0aのうち多結晶部分20bと最も離れた部分におけるa−Si膜20aと多結晶部分20bとの距離が、形成するポリシリコン膜の平均グレインサイズと略等しくなるように形成することが好ましい(図4に示すような他のパターンでも同様である)。 The distance between the a-Si film 20a and the polycrystalline portion 20b in the most distant portion and the polycrystalline portion 20b of 0a are preferably formed to be substantially equal to the average grain size of the polysilicon film to be formed (FIG. the same applies to the other patterns as shown in 4). たとえば、図3のパターンでは、隣接する多結晶部分20b間の距離が、形成するポリシリコン膜の平均グレインサイズの略2倍になるようにすればよい。 For example, in the pattern of FIG. 3, the distance between the adjacent polycrystalline portion 20b may be such that about two times the average grain size of the polysilicon film to be formed. このとき、隣接する多結晶部分20 At this time, the adjacent polycrystalline portion 20
bの中央部(a−Si膜20aのうち多結晶部分20b Central portion of the b (polycrystalline portion 20b of the a-Si film 20a
と最も離れた部分)におけるa−Si膜20aと多結晶部分20bとの距離が、形成するポリシリコン膜の平均グレインサイズと略等しくなる。 If the distance between the a-Si film 20a and the polycrystalline portion 20b in the most distant portion) becomes substantially equal to the average grain size of the polysilicon film to be formed. 具体的には、平均グレインサイズが2.5μmのポリシリコン膜を形成する場合には、図3のパターンにおいて、隣接する多結晶部分20b間の距離を5μmとすればよい。 Specifically, when the average grain size of a polysilicon film of 2.5μm, in the pattern of FIG. 3, the distance between adjacent polycrystalline portion 20b may be set to 5 [mu] m. 上記構成によって、隣接する多結晶部分20bから成長した結晶が、隣接する多結晶部分20bの中央部で粒界を形成し、所望の平均グレインサイズのポリシリコン膜を得ることができる。 The above configuration, crystals grown from the adjacent polycrystalline portion 20b is able to at the center portion of the adjacent polycrystalline portion 20b to form a grain boundary, to obtain a polysilicon film having a desired average grain size.

【0025】その後、図2(d)に示すように、多結晶部分20bが形成されたa−Si膜20aの略全面に第2のレーザ光L2を照射することによって、a−Si膜20aの略全体を多結晶化し、ポリシリコン膜21を形成する(第3の工程)。 [0025] Thereafter, as shown in FIG. 2 (d), by irradiating the second laser beam L2 on substantially the entire surface of the a-Si film 20a polycrystalline portion 20b is formed, the a-Si film 20a substantially the whole was polycrystalline, a polysilicon film 21 (third step).

【0026】第2のレーザ光L2は、たとえば、線状のパルスレーザ(エキシマレーザ)である。 The second laser beam L2 is, for example, a linear pulse laser (excimer laser). 線状のパルスレーザを、オーバーラップ部分ができるように少しずつずらしながら複数回照射することによって、a−Si膜20aの略全面にレーザ光L2を照射することができる。 A linear pulsed laser, by irradiating a plurality of times while shifting a little at a time allow overlap portion can be irradiated with the laser beam L2 to substantially the entire surface of the a-Si film 20a. 多結晶部分20bのパターンが図3に示すものであり、第2のレーザ光L2が線状のパルスレーザである場合には、レーザ光L2の長手方向A(図3参照)と、多結晶部分20bの長手方向B(図3参照)とが直交するようにレーザ光L2を照射することが好ましい。 Pattern of the polycrystalline portion 20b is as shown in figure 3, when the second laser beam L2 is a linear pulse laser, the longitudinal direction A of the laser beam L2 (see FIG. 3), the polycrystalline portion it is preferred to 20b in the longitudinal direction B (see FIG. 3) and is irradiated with laser light L2 so as to be orthogonal. このようにレーザ光L2を照射することによって、レーザ光L By irradiating this way the laser beam L2, the laser beam L
2の照射スポット内に、種結晶となる多結晶部分20b A second irradiation spot, the polycrystalline portion 20b serving as a seed crystal
が常に一定間隔で存在することとなり、均一性が特によいポリシリコン膜を形成できる。 There always be present at fixed intervals, uniformity can form a particularly good polysilicon film.

【0027】このようにして、ポリシリコン膜21を形成できる。 [0027] In this way, it forms a polysilicon film 21.

【0028】その後は、常法にしたがって、低温ポリシリコンTFT装置10を形成できる。 [0028] Then according to a conventional method to form a low-temperature polysilicon TFT device 10. すなわち、まず、 That is, first,
不要な部分のポリシリコン膜21をエッチングする。 Etching the polysilicon film 21 of the unnecessary portion. そして、所定の形状のゲート絶縁膜16とゲート電極17 Then, the gate insulating a predetermined shape film 16 and the gate electrode 17
とを形成する。 To form the door. その後、ポリシリコン膜21の一部にドーピングを行い、ポリシリコン膜13、ソース領域14 Thereafter, doping a portion of the polysilicon film 21, the polysilicon film 13, the source region 14
およびドレイン領域15を形成する。 And forming a drain region 15. その後、層間絶縁膜16aとソース電極18およびドレイン電極19とを形成する。 Thereafter, an interlayer insulating film 16a and the source electrode 18 and drain electrode 19. このようにして、低温ポリシリコンTFT装置10を形成できる。 In this way, it forms a low-temperature polysilicon TFT device 10.

【0029】なお、図3では多結晶部分20bのパターンの一例を示したが、多結晶部分20bはさまざまなパターンで形成することができる。 [0029] Incidentally, an example of a pattern of polycrystalline portion 20b in FIG. 3, the polycrystalline portion 20b may be formed in a variety of patterns. その一例を、図5 An example thereof, FIG. 5
(a)および(b)に示す。 (A) and shown in (b). 図5(a)は、多結晶部分20bをハニカム状に形成した場合を示している。 FIGS. 5 (a) shows a case where the polycrystalline portion 20b is formed into a honeycomb shape. また、図5(b)は、多結晶部分20bをドット状に形成した場合を示している。 Further, FIG. 5 (b) a polycrystalline portion 20b shows the case of forming a dot shape. 図5(a)および(b)に示すようなパターンの多結晶部分20bは、メタルマスクを用いて第1のレーザ光L1を照射することによって形成できる。 Polycrystalline portion 20b of the pattern as shown in FIG. 5 (a) and (b) can be formed by irradiating the first laser beam L1 using a metal mask. メタルマスクを用いる場合には、レーザのパルス幅よりも幅が狭い多結晶部分20bを形成することができるため、第2のレーザ光L2を照射してポリシリコン膜を形成したのちにおいて、多結晶部分20bにおける揺らぎを小さくすることができ、均一性がより高いポリシリコン膜を形成できる。 In the case of using a metal mask, in order to be able width than the laser pulse width is a narrow polycrystalline portion 20b, after forming the polysilicon film is irradiated with a second laser beam L2, polycrystalline it is possible to reduce the fluctuation in the portion 20b, the uniformity can be formed higher polysilicon film. また、図5(a)および(b)のパターンの場合には、第2のレーザ光L2の照射方向には制限がない。 In the case of the pattern shown in FIG. 5 (a) and (b), the irradiation direction of the second laser beam L2 is no limit. なお、図5(a)に示すパターンをメタルマスクによって形成する場合には、完全なハニカム状のパターンを形成することは困難であるが、図5では簡略化して記載している。 In the case where the pattern shown in FIG. 5 (a) is formed by a metal mask, it is difficult to form a complete honeycomb pattern, are described in a simplified manner in FIG.

【0030】以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づき、他の実施形態へ適用することができる。 [0030] Although the embodiments of the present invention has been described by way of example, the present invention is not limited to the above embodiment, based on the technical idea of ​​the present invention, it is applied to other embodiments it can.

【0031】たとえば、上記実施形態で説明した低温ポリシリコンTFT装置の構造は一例であり、上記実施形態で説明したポリシリコン膜の作製方法を用いるのであれば、いかなる構造であってもよい。 [0031] For example, the structure of the low-temperature polysilicon TFT device described in the above embodiment is an example, if using the manufacturing method of the polysilicon film described in the above embodiment, may be any structure.

【0032】 [0032]

【発明の効果】以上のように、本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法によれば、ポリシリコン膜のグレインサイズの均一化を図ることが可能となる。 As is evident from the foregoing description, according to the production method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention, it is possible to achieve uniform grain size of the polysilicon film. したがって、本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法によれば、同一基板上に複数の低温ポリシリコンTFT Therefore, according to the manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention, a plurality of low-temperature polysilicon TFT on the same substrate
装置を均一性よく形成することができる。 It can be formed with good uniformity device. さらに、本発明の製造方法を用いて液晶パネルの低温ポリシリコンT Furthermore, low-temperature polysilicon T of the liquid crystal panel by using the manufacturing method of the present invention
FT装置を製造することによって、最終製品のデバイス特性において、画像ムラや線欠陥の抑制を図ることが可能となる。 By manufacturing the FT device, the device characteristics of the final product, it is possible to achieve the suppression of image unevenness and the line defect.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法によって製造される低温ポリシリコンTFT装置について一例を示す断面図 Cross-sectional view showing an example for low-temperature polysilicon TFT device manufactured by the manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention; FIG

【図2】 本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法について製造工程の一例を示す断面図 Sectional view showing an example of a manufacturing method for manufacturing the low-temperature polysilicon TFT device of the present invention; FIG

【図3】 本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法について製造過程の一例を示す平面図 Plan view showing an example of Figure 3 manufacturing process for manufacturing method of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention

【図4】 本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法について製造過程の他の一例を示す断面図 Sectional view showing another example of a manufacturing method for manufacturing process of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention; FIG

【図5】 本発明の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法について製造過程のその他の一例を示す平面図 Plan view showing still another example of a manufacturing method for manufacturing process of low-temperature polysilicon TFT device of the present invention; FIG

【図6】 従来の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法について製造工程の一例を示す工程図 Process diagram showing an example of a 6 manufacturing process for manufacturing the conventional low-temperature polysilicon TFT device

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 低温ポリシリコンTFT装置 11 ガラス基板 20 a−Si:H膜 21 a−Si膜 20b 多結晶部分 21 ポリシリコン膜 L1 第1のレーザ L2 第2のレーザ 10 low-temperature polysilicon TFT device 11 the glass substrate 20 a-Si: H film 21 a-Si film 20b polycrystalline portion 21 the polysilicon film L1 first laser L2 second laser

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ポリシリコン膜を備える低温ポリシリコンTFT装置の製造方法であって、 基板上にa−Si膜を形成する第1の工程と、 前記a−Si膜に第1のレーザ光を一定間隔で照射することによって、前記a−Si膜の一部に前記一定間隔で多結晶部分を形成する第2の工程と、 前記第2の工程を経た前記a−Si膜の略全面に第2のレーザ光を照射することによって、前記a−Si膜を多結晶化して前記ポリシリコン膜を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 1. A method for producing a low-temperature polysilicon TFT device comprising a polysilicon film, a first step of forming an a-Si film on the substrate, the first laser light to the a-Si film by irradiating at regular intervals, first on substantially the entire surface of the a-Si film and the second step was performed in the second step of forming a polycrystalline portion by the predetermined distance in a part of the a-Si film by irradiating the second laser light, the production method of low-temperature polysilicon TFT apparatus characterized by polycrystallized the a-Si film and a third step of forming the polysilicon film.
  2. 【請求項2】 前記第2の工程において、前記第1のレーザ光を前記a−Si膜に前記一定間隔でストライプ状に照射することによって、前記一定間隔でストライプ状に配置された複数の多結晶部分を形成する請求項1に記載の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 2. A second step, by irradiating the stripes at the predetermined intervals the first laser light to the a-Si film, the regular intervals a plurality of multi-arranged in stripes in method for producing a low-temperature polysilicon TFT device according to claim 1 to form a crystalline portion.
  3. 【請求項3】 前記第2の工程において、メタルマスクを用いて前記第1のレーザ光をストライプ状に照射する請求項2に記載の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 3. A second step, the manufacturing method of the low-temperature polysilicon TFT device according to claim 2 which irradiates the first laser beam in a stripe shape by using a metal mask.
  4. 【請求項4】 前記第3の工程において、前記第2のレーザ光は線状のパルスレーザであり、 前記第2のレーザ光の長手方向と前記多結晶部分の長手方向とが直行するように前記第2のレーザ光を照射する請求項2または3に記載の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 4. A third step, the second laser beam is linear pulse laser, so that the longitudinal direction of the longitudinal and the polycrystalline portion of the second laser beam perpendicular method for producing a low-temperature polysilicon TFT device according to claim 2 or 3 for irradiating the second laser beam.
  5. 【請求項5】 前記第2の工程において、前記第1のレーザ光を前記a−Si膜にドット状またはハニカム状に照射することによって、ドット状またはハニカム状の多結晶部分を形成する請求項3に記載の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 5. The second step, by irradiating the first laser light in a dot shape or a honeycomb shape to the a-Si film, claim to form a dot-shaped or honeycomb-shaped polycrystalline portion method for producing a low-temperature polysilicon TFT according to 3.
  6. 【請求項6】 前記多結晶部分は、前記a−Si膜のうち前記多結晶部分と最も離れた部分における前記a−S Wherein said polycrystalline portion, said at farthest portion and the polycrystalline portion of the a-Si film a-S
    i膜と前記多結晶部分との距離が、形成するポリシリコン膜の平均グレインサイズと略等しくなるように形成される請求項1ないし5のいずれかに記載の低温ポリシリコンTFT装置の製造方法。 The distance between the i layer and the polycrystalline portion, the production method of low-temperature polysilicon TFT device according to any one of claims 1 to 5 is formed to be substantially equal to the average grain size of the polysilicon film to be formed.
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