JP2001228022A - 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 - Google Patents
波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計Info
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- JP2001228022A JP2001228022A JP2000041288A JP2000041288A JP2001228022A JP 2001228022 A JP2001228022 A JP 2001228022A JP 2000041288 A JP2000041288 A JP 2000041288A JP 2000041288 A JP2000041288 A JP 2000041288A JP 2001228022 A JP2001228022 A JP 2001228022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組み立て精度が確保され、小型で低コストの
波長選択型赤外線検出素子を提供すること。 【解決手段】 光源からの赤外線を波長選択的に透過さ
せる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過
した赤外線を検出する赤外線検出器とを一体に形成した
ことを特徴とする。
波長選択型赤外線検出素子を提供すること。 【解決手段】 光源からの赤外線を波長選択的に透過さ
せる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過
した赤外線を検出する赤外線検出器とを一体に形成した
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大気中などのガス
濃度を、赤外線を用いて測定するガス分析計に使用され
る、波長選択型赤外線検出素子に関するものである。
濃度を、赤外線を用いて測定するガス分析計に使用され
る、波長選択型赤外線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス分析においては、ガスの種類によっ
て吸収される赤外線の波長が異なることを利用し、この
吸収量を検出することによりそのガス濃度を測定する、
非分散赤外線（Ｎｏｎ−Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｉｎｆ
ｒａＲｅｄ）ガス分析計（以下、ＮＤＩＲガス分析計と
記す）が使用されている。
て吸収される赤外線の波長が異なることを利用し、この
吸収量を検出することによりそのガス濃度を測定する、
非分散赤外線（Ｎｏｎ−Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｉｎｆ
ｒａＲｅｄ）ガス分析計（以下、ＮＤＩＲガス分析計と
記す）が使用されている。
【０００３】図６から図１０は、従来のＮＤＩＲガス分
析計の構成図である。尚、以下においては、赤外線吸収
波長のピークが約４．２５μｍである二酸化炭素を被測
定ガスとして説明する。
析計の構成図である。尚、以下においては、赤外線吸収
波長のピークが約４．２５μｍである二酸化炭素を被測
定ガスとして説明する。
【０００４】図６は、単光線単波長ＮＤＩＲガス分析計
で、ガスが供給されるサンプルセル２０と、光源２１
と、フィルタ２２と、赤外線検出器２３とからなってい
る。この場合、フィルタ２２は、図１１に示すような、
二酸化炭素の吸収特性にあわせてその波長が４．２５μ
ｍ近傍の赤外線を選択して透過させる。そして、赤外線
検出器２３は、フィルタ２２を透過した赤外線を検出す
ることにより、被測定ガスの濃度を測定する、
で、ガスが供給されるサンプルセル２０と、光源２１
と、フィルタ２２と、赤外線検出器２３とからなってい
る。この場合、フィルタ２２は、図１１に示すような、
二酸化炭素の吸収特性にあわせてその波長が４．２５μ
ｍ近傍の赤外線を選択して透過させる。そして、赤外線
検出器２３は、フィルタ２２を透過した赤外線を検出す
ることにより、被測定ガスの濃度を測定する、
【０００５】図７は、２光線２波長比較ＮＤＩＲガス分
析計で、図１２に示すように、二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ２２と、参照光として約３．９μｍ近
傍の波長の赤外線を透過させるフィルタ２４で２波長を
選択し、選択された赤外線は、それぞれ赤外線検出器２
３，２５により検出される。この場合、測定された参照
光の吸収特性との比較によって、光源２１の劣化や、サ
ンプルセル２０の汚れ等による出力信号の経時変化を補
正することができる。
析計で、図１２に示すように、二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ２２と、参照光として約３．９μｍ近
傍の波長の赤外線を透過させるフィルタ２４で２波長を
選択し、選択された赤外線は、それぞれ赤外線検出器２
３，２５により検出される。この場合、測定された参照
光の吸収特性との比較によって、光源２１の劣化や、サ
ンプルセル２０の汚れ等による出力信号の経時変化を補
正することができる。
【０００６】図８は、単光線２波長比較ＮＤＩＲガス分
析計で、円盤２６に形成された二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ２２と、参照光のフィルタ２４で２波
長を選択し、フィルタによって選択された赤外線は、そ
れぞれ赤外線検出器２３により検出される。この場合、
測定された参照光の吸収特性との比較によって、光源２
１の劣化や、サンプルセル２０の汚れ等による出力信号
の経時変化を補正することができる。
析計で、円盤２６に形成された二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ２２と、参照光のフィルタ２４で２波
長を選択し、フィルタによって選択された赤外線は、そ
れぞれ赤外線検出器２３により検出される。この場合、
測定された参照光の吸収特性との比較によって、光源２
１の劣化や、サンプルセル２０の汚れ等による出力信号
の経時変化を補正することができる。
【０００７】図９は、単光線２波長ファブリペローＮＤ
ＩＲガス分析計で、ファブリペローフィルタ２６を構成
する２つの平行ミラー（図示しない）間のギャップを可
変とすることにより、被測定ガスの吸収特性に合わせた
波長と参照光の波長との２波長を選択し、選択された赤
外線は、それぞれ赤外線検出器２３により検出される。
この場合、測定された参照光の吸収特性との比較によっ
て、光源２１の劣化や、サンプルセル２０の汚れ等によ
る出力信号の経時変化を補正することができる。
ＩＲガス分析計で、ファブリペローフィルタ２６を構成
する２つの平行ミラー（図示しない）間のギャップを可
変とすることにより、被測定ガスの吸収特性に合わせた
波長と参照光の波長との２波長を選択し、選択された赤
外線は、それぞれ赤外線検出器２３により検出される。
この場合、測定された参照光の吸収特性との比較によっ
て、光源２１の劣化や、サンプルセル２０の汚れ等によ
る出力信号の経時変化を補正することができる。
【０００８】図１０は、２光線１波長ＮＤＩＲガス分析
計で、サンプルセル２０中での光路長が異なるように２
つの光源２１，２７を配置し、被測定ガスの吸収特性に
合わせたフィルタ２２を透過して検出された赤外線検出
器２３の出力信号の比率により、サンプルセル２０の汚
れ等による出力信号の経時変化を補正し、被測定ガスの
濃度を測定する。
計で、サンプルセル２０中での光路長が異なるように２
つの光源２１，２７を配置し、被測定ガスの吸収特性に
合わせたフィルタ２２を透過して検出された赤外線検出
器２３の出力信号の比率により、サンプルセル２０の汚
れ等による出力信号の経時変化を補正し、被測定ガスの
濃度を測定する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなＮ
ＤＩＲガス分析計には次のような問題点があった。
ＤＩＲガス分析計には次のような問題点があった。
【００１０】（１）フィルタと赤外線検出器は、光軸を
一致させるように位置合わせする必要があるが、上述の
ＮＤＩＲガス分析計においては、フィルタと赤外線検出
器は個別素子の組み合わせであるため、両者を精度良く
位置合わせすることが困難で、その精度のばらつきによ
って、測定器間で測定誤差が発生する。
一致させるように位置合わせする必要があるが、上述の
ＮＤＩＲガス分析計においては、フィルタと赤外線検出
器は個別素子の組み合わせであるため、両者を精度良く
位置合わせすることが困難で、その精度のばらつきによ
って、測定器間で測定誤差が発生する。
【００１１】（２）被測定ガス中の複数の成分を測定対
象とした場合、フィルタの枚数を増加させなければなら
なず、そのコストが増大し、分析計が大型化してしま
う。
象とした場合、フィルタの枚数を増加させなければなら
なず、そのコストが増大し、分析計が大型化してしま
う。
【００１２】（３）赤外線検出器の感度を高め、またそ
の特性が経時変化することを防止するため、赤外線検出
器をパッケージに真空封止または不活性ガス封止する工
程が別に必要となり、分析計のコストを高めてしまう。
の特性が経時変化することを防止するため、赤外線検出
器をパッケージに真空封止または不活性ガス封止する工
程が別に必要となり、分析計のコストを高めてしまう。
【００１３】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、ファブリペローフィルタと赤外線
検出器を一体に形成し、一体形成のプロセスにおいて赤
外線検出器内に形成される赤外線検出部を封止すること
により、組み立て精度が確保され、小型で低コストの波
長選択型赤外線検出素子を提供することを目的とする。
なされたものであり、ファブリペローフィルタと赤外線
検出器を一体に形成し、一体形成のプロセスにおいて赤
外線検出器内に形成される赤外線検出部を封止すること
により、組み立て精度が確保され、小型で低コストの波
長選択型赤外線検出素子を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波長
選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤外
線を検出する赤外線検出部を有する赤外線検出器とを同
一基板上に形成したことを特徴とする波長選択型赤外線
検出素子である。
ては、光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波長
選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤外
線を検出する赤外線検出部を有する赤外線検出器とを同
一基板上に形成したことを特徴とする波長選択型赤外線
検出素子である。
【００１５】本発明の請求項２においては、第一基板に
形成され、光源からの赤外線を波長選択的に透過させる
波長選択フィルタと、第二基板に形成され、前記波長選
択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出部を
有する赤外線検出器とを具備し、前記第一基板と前記第
二基板が接合されてなることを特徴とする波長選択型赤
外線検出素子である。
形成され、光源からの赤外線を波長選択的に透過させる
波長選択フィルタと、第二基板に形成され、前記波長選
択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出部を
有する赤外線検出器とを具備し、前記第一基板と前記第
二基板が接合されてなることを特徴とする波長選択型赤
外線検出素子である。
【００１６】本発明の請求項３においては、前記赤外線
検出部は、前記基板に形成された封止室に配置され、前
記波長選択フィルタは、前記封止室を真空封止または不
活性ガス封止するように前記封止室上に形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の波長選択型赤外線検出
素子である。
検出部は、前記基板に形成された封止室に配置され、前
記波長選択フィルタは、前記封止室を真空封止または不
活性ガス封止するように前記封止室上に形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の波長選択型赤外線検出
素子である。
【００１７】本発明の請求項４においては、前記赤外線
検出部は前記第二基板に形成された溝状の封止室形成部
に配置され、前記波長選択フィルタが前記封止室形成部
上に配置されて封止室を形成するように前記第一基板と
前記第二基板とを真空中または不活性ガス中で接合する
ことにより、前記封止室が真空封止または不活性ガス封
止されてなることを特徴とする請求項２記載の波長選択
型赤外線検出素子である。
検出部は前記第二基板に形成された溝状の封止室形成部
に配置され、前記波長選択フィルタが前記封止室形成部
上に配置されて封止室を形成するように前記第一基板と
前記第二基板とを真空中または不活性ガス中で接合する
ことにより、前記封止室が真空封止または不活性ガス封
止されてなることを特徴とする請求項２記載の波長選択
型赤外線検出素子である。
【００１８】本発明の請求項５においては、前記波長選
択フィルタは、基板に設けられた第一ミラーと、この第
一ミラーとの間にギャップを形成し、外力が加えられる
ことにより前記第一ミラーに対して変位可能に対向配置
される第二ミラーとを有し、この第二ミラーに外力を加
えて変位させることにより前記ギャップを可変としたフ
ァブリペローフィルタであることを特徴とする請求項１
から請求項４記載の波長選択型赤外線検出素子である。
択フィルタは、基板に設けられた第一ミラーと、この第
一ミラーとの間にギャップを形成し、外力が加えられる
ことにより前記第一ミラーに対して変位可能に対向配置
される第二ミラーとを有し、この第二ミラーに外力を加
えて変位させることにより前記ギャップを可変としたフ
ァブリペローフィルタであることを特徴とする請求項１
から請求項４記載の波長選択型赤外線検出素子である。
【００１９】本発明の請求項６においては、前記波長選
択フィルタは、基板に設けられた第一ミラーと、この第
一ミラーとの間にギャップを形成し、外力が加えられる
ことにより前記第一ミラーに対して変位可能に対向配置
される第二ミラーと、前記第一ミラーに設けられる第一
電極と、前記第二ミラーに設けられ前記第一電極に対向
配置される第二電極とを有し、前記第一電極と前記第二
電極に電位差を与えることにより前記第二ミラーを変位
させ、前記ギャップの長さを可変としたファブリペロー
フィルタであることを特徴とする請求項１から請求項４
記載の波長選択型赤外線検出素子である。
択フィルタは、基板に設けられた第一ミラーと、この第
一ミラーとの間にギャップを形成し、外力が加えられる
ことにより前記第一ミラーに対して変位可能に対向配置
される第二ミラーと、前記第一ミラーに設けられる第一
電極と、前記第二ミラーに設けられ前記第一電極に対向
配置される第二電極とを有し、前記第一電極と前記第二
電極に電位差を与えることにより前記第二ミラーを変位
させ、前記ギャップの長さを可変としたファブリペロー
フィルタであることを特徴とする請求項１から請求項４
記載の波長選択型赤外線検出素子である。
【００２０】本発明の請求項７においては、前記ファブ
リペローフィルタは、前記第一電極と前記第二電極との
間に複数の電圧を印加して前記ギャップの長さを複数に
可変とすることにより、複数の波長帯域の赤外線を透過
可能であることを特徴とする請求項６記載の波長選択型
赤外線検出素子である。
リペローフィルタは、前記第一電極と前記第二電極との
間に複数の電圧を印加して前記ギャップの長さを複数に
可変とすることにより、複数の波長帯域の赤外線を透過
可能であることを特徴とする請求項６記載の波長選択型
赤外線検出素子である。
【００２１】本発明の請求項８においては、前記赤外線
検出器は、赤外線ボロメータであることを特徴とする請
求項１から請求項７記載の波長選択型赤外線検出素子で
ある。
検出器は、赤外線ボロメータであることを特徴とする請
求項１から請求項７記載の波長選択型赤外線検出素子で
ある。
【００２２】本発明の請求項９においては、前記波長選
択フィルタと前記赤外線検出器を水平方向に複数個配置
してアレイ状としたことを特徴とする請求項１から請求
項８記載の波長選択型赤外線検出素子である。
択フィルタと前記赤外線検出器を水平方向に複数個配置
してアレイ状としたことを特徴とする請求項１から請求
項８記載の波長選択型赤外線検出素子である。
【００２３】本発明の請求項１０においては、被測定ガ
スに赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を
波長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長
選択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器
とを有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測
定ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前
記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１か
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構成
されてなることを特徴とする赤外線ガス分析計である。
スに赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を
波長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長
選択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器
とを有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測
定ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前
記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１か
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構成
されてなることを特徴とする赤外線ガス分析計である。
【００２４】本発明の請求項１１においては、被測定ガ
スに赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を
波長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長
選択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器
とを有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測
定ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前
記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１か
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構成
され、この波長選択型赤外線検出素子と前記光源との間
に配置され、特定帯域のみの波長を透過させるワイドバ
ンドパスフィルタを具備したことを特徴とする赤外線ガ
ス分析計である。
スに赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を
波長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長
選択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器
とを有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測
定ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前
記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１か
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構成
され、この波長選択型赤外線検出素子と前記光源との間
に配置され、特定帯域のみの波長を透過させるワイドバ
ンドパスフィルタを具備したことを特徴とする赤外線ガ
ス分析計である。
【００２５】本発明の請求項１２においては、前記被測
定ガスは二酸化炭素と水蒸気の２成分を含み、この２成
分の濃度を測定することを特徴とする請求項１０及び請
求項１１記載の赤外線ガス分析計である。
定ガスは二酸化炭素と水蒸気の２成分を含み、この２成
分の濃度を測定することを特徴とする請求項１０及び請
求項１１記載の赤外線ガス分析計である。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図６か
ら図１２と重複する部分は同一番号を付してその説明は
適宜に省略する。図１は本発明の第一実施例の構成を示
す断面図である。
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図６か
ら図１２と重複する部分は同一番号を付してその説明は
適宜に省略する。図１は本発明の第一実施例の構成を示
す断面図である。
【００２７】図１において、波長選択型赤外線検出素子
は、赤外線検出器１と波長選択フィルタ２とで構成され
ている。赤外線検出器は、例えばボロメータであり、封
止室３と、この封止室に形成される赤外線検出部４と、
この赤外線検出部に通電する電極５ａ，５ｂとが基板と
してのシリコン基板６上に形成されている。
は、赤外線検出器１と波長選択フィルタ２とで構成され
ている。赤外線検出器は、例えばボロメータであり、封
止室３と、この封止室に形成される赤外線検出部４と、
この赤外線検出部に通電する電極５ａ，５ｂとが基板と
してのシリコン基板６上に形成されている。
【００２８】赤外線検出部４は、シリコン基板６に形成
されるシリコン酸化膜からなる絶縁層７と絶縁層８の間
に形成された導電性の赤外線検出層９を螺旋状にエッチ
ングすることにより形成されている。赤外線検出層９
は、例えば不純物濃度の高いシリコンである。
されるシリコン酸化膜からなる絶縁層７と絶縁層８の間
に形成された導電性の赤外線検出層９を螺旋状にエッチ
ングすることにより形成されている。赤外線検出層９
は、例えば不純物濃度の高いシリコンである。
【００２９】そして、絶縁層８上に、シリコンからなる
スペーサ層１０を形成した後、このスペーサ層１０と絶
縁層８との間にエッチング孔１１を形成し、このエッチ
ング孔１１を通して赤外線検出部４下部のシリコン基板
６を濃度差エッチングすることにより封止室３を形成
し、赤外線検出部４をその中空に浮かせる。
スペーサ層１０を形成した後、このスペーサ層１０と絶
縁層８との間にエッチング孔１１を形成し、このエッチ
ング孔１１を通して赤外線検出部４下部のシリコン基板
６を濃度差エッチングすることにより封止室３を形成
し、赤外線検出部４をその中空に浮かせる。
【００３０】そして、スペーサ層１０の上部にシリコン
からなる封止層１２を例えばエピタキシャル成長により
形成してエッチング孔１１を塞ぐ。この場合、封止室３
の内部は、エピタキシャル成長時のキャリアガスである
水素が充填され、これを熱処理することにより水素を封
止室３の外部に放出させて封止室３の内部を真空状態と
することができ、赤外線検出部４は、封止室３内に真空
封止される。
からなる封止層１２を例えばエピタキシャル成長により
形成してエッチング孔１１を塞ぐ。この場合、封止室３
の内部は、エピタキシャル成長時のキャリアガスである
水素が充填され、これを熱処理することにより水素を封
止室３の外部に放出させて封止室３の内部を真空状態と
することができ、赤外線検出部４は、封止室３内に真空
封止される。
【００３１】波長選択フィルタ２は、第一ミラー１３
と、この第一ミラー１３に対向配置される第二ミラー１
４と、第一ミラー１３に設けられた第一電極１３ａと、
第二ミラー１４に設けられた第二電極１４ａとからなる
ファブリペローフィルタである。そして、第一ミラー１
３と第二ミラー１４との間にはギャップ１５が形成され
ており、第二ミラー１４は、第一ミラー１３の方向に変
位可能となっている。
と、この第一ミラー１３に対向配置される第二ミラー１
４と、第一ミラー１３に設けられた第一電極１３ａと、
第二ミラー１４に設けられた第二電極１４ａとからなる
ファブリペローフィルタである。そして、第一ミラー１
３と第二ミラー１４との間にはギャップ１５が形成され
ており、第二ミラー１４は、第一ミラー１３の方向に変
位可能となっている。
【００３２】まず、基板としての封止層１２上にシリコ
ン酸化膜からなる絶縁層１６が形成され、第一ミラー１
３は、例えば多結晶シリコンで、この絶縁層１６上に形
成される。そして、第一ミラー１３の表面には高濃度の
不純物が注入されて、第一電極１３ａが形成されてい
る。
ン酸化膜からなる絶縁層１６が形成され、第一ミラー１
３は、例えば多結晶シリコンで、この絶縁層１６上に形
成される。そして、第一ミラー１３の表面には高濃度の
不純物が注入されて、第一電極１３ａが形成されてい
る。
【００３３】そして、第一ミラー１３上にシリコン酸化
膜からなる絶縁層１７が形成され、第二ミラー１４は、
例えば多結晶シリコンで、この絶縁層１７上に第一ミラ
ー１３に対向して形成される。そして、第二ミラー１４
の表面には高濃度の不純物が注入された第二電極１４ａ
が、第一電極１３ａと対向して形成される。
膜からなる絶縁層１７が形成され、第二ミラー１４は、
例えば多結晶シリコンで、この絶縁層１７上に第一ミラ
ー１３に対向して形成される。そして、第二ミラー１４
の表面には高濃度の不純物が注入された第二電極１４ａ
が、第一電極１３ａと対向して形成される。
【００３４】そして、エッチング孔１８を第二ミラー１
４に形成した後、このエッチング孔１８を通して絶縁層
１７をエッチングし、第一ミラー１３と第二ミラー１４
の間に長さが絶縁層１７の膜厚に相当するギャップ１５
を形成する。この場合、第二ミラー１４は第一ミラー１
３に絶縁層１７を介して接続された片持ち梁状となって
いる。尚、エッチング孔１８を第二ミラー１４に円上に
複数個形成して絶縁層１７をエッチングすることによ
り、第二ミラー１４の形状をダイアフラム状とすること
もできる。
４に形成した後、このエッチング孔１８を通して絶縁層
１７をエッチングし、第一ミラー１３と第二ミラー１４
の間に長さが絶縁層１７の膜厚に相当するギャップ１５
を形成する。この場合、第二ミラー１４は第一ミラー１
３に絶縁層１７を介して接続された片持ち梁状となって
いる。尚、エッチング孔１８を第二ミラー１４に円上に
複数個形成して絶縁層１７をエッチングすることによ
り、第二ミラー１４の形状をダイアフラム状とすること
もできる。
【００３５】そして、第一電極１３ａに外部から通電可
能とする外部電極１８ａが第一電極１３ａに接触して形
成され、第二電極１４ａに外部から通電可能とする外部
電極１８ｂが第二電極１４ａに接触して形成される。
能とする外部電極１８ａが第一電極１３ａに接触して形
成され、第二電極１４ａに外部から通電可能とする外部
電極１８ｂが第二電極１４ａに接触して形成される。
【００３６】次に、動作について説明する。第一電極１
３ａと第二電極１４ａに、外部電極１８ａと外部電極１
８ｂを介して電位差を与えると、第一電極１３ａと第二
電極１４ａとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー１
４が第一ミラー１３の方向に変位し、ギャップ１５の長
さが変化する。この電圧を変化させることにより、被測
定ガスの吸収特性に対応した波長の赤外線を透過させる
ギャップ１５の長さを得ることができる。
３ａと第二電極１４ａに、外部電極１８ａと外部電極１
８ｂを介して電位差を与えると、第一電極１３ａと第二
電極１４ａとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー１
４が第一ミラー１３の方向に変位し、ギャップ１５の長
さが変化する。この電圧を変化させることにより、被測
定ガスの吸収特性に対応した波長の赤外線を透過させる
ギャップ１５の長さを得ることができる。
【００３７】例えば、電圧を印加しない状態でのギャッ
プ１５（すなわち絶縁層１７の膜厚）を約３．１μｍと
し、この初期状態を参照光測定状態とした場合、ギャッ
プ１５を約２．２７μｍとした場合は、二酸化炭素を測
定対象とすることができ、ギャップ１５を約２．５９μ
ｍとした場合は、水蒸気を測定対象とすることができ
る。
プ１５（すなわち絶縁層１７の膜厚）を約３．１μｍと
し、この初期状態を参照光測定状態とした場合、ギャッ
プ１５を約２．２７μｍとした場合は、二酸化炭素を測
定対象とすることができ、ギャップ１５を約２．５９μ
ｍとした場合は、水蒸気を測定対象とすることができ
る。
【００３８】そして、光源（図示しない）より放射され
た赤外線は、被測定ガスが供給されるサンプルセル（図
示しない）で、特定の波長が吸収され、第二ミラーに入
射する。そして、入射した赤外線は、ギャップ１５の長
さに対応する波長成分が第一ミラー１３を透過し、赤外
線検出器１の封止室３内部の赤外線検出部４に入射す
る。
た赤外線は、被測定ガスが供給されるサンプルセル（図
示しない）で、特定の波長が吸収され、第二ミラーに入
射する。そして、入射した赤外線は、ギャップ１５の長
さに対応する波長成分が第一ミラー１３を透過し、赤外
線検出器１の封止室３内部の赤外線検出部４に入射す
る。
【００３９】そして、赤外線検出部４は、赤外線の吸収
量を検出することにより、被測定ガスの濃度を測定す
る。
量を検出することにより、被測定ガスの濃度を測定す
る。
【００４０】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第二実施例
の構成を示す断面図である。尚、以下の図面において、
図１と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜
に省略する。
の構成を示す断面図である。尚、以下の図面において、
図１と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜
に省略する。
【００４１】図２（ａ）において、波長選択型赤外線検
出素子は、第一基板としてのシリコン基板６に形成され
た赤外線検出器１と、第二基板としてのシリコン基板６
０に形成された波長選択フィルタ２とが接合されて構成
されている。
出素子は、第一基板としてのシリコン基板６に形成され
た赤外線検出器１と、第二基板としてのシリコン基板６
０に形成された波長選択フィルタ２とが接合されて構成
されている。
【００４２】赤外線検出器１は、例えばボロメータであ
り、封止室形成部としての溝部３０と、この溝部３０に
配置される赤外線検出部４と、この赤外線検出部４に通
電する電極５ａ，５ｂとがシリコン基板６上に形成され
ている。
り、封止室形成部としての溝部３０と、この溝部３０に
配置される赤外線検出部４と、この赤外線検出部４に通
電する電極５ａ，５ｂとがシリコン基板６上に形成され
ている。
【００４３】赤外線検出部４は、シリコン基板６上に形
成された絶縁層７と８の間に配置された赤外線検出層９
を螺旋状にエッチングすることにより形成されている。
そして、赤外線検出部４の下部のシリコン基板６を溝状
に濃度差エッチングすることにより溝部３０が形成され
ている。
成された絶縁層７と８の間に配置された赤外線検出層９
を螺旋状にエッチングすることにより形成されている。
そして、赤外線検出部４の下部のシリコン基板６を溝状
に濃度差エッチングすることにより溝部３０が形成され
ている。
【００４４】波長選択フィルタ２は、シリコン基板６０
上に、第一ミラー１３と、第二ミラー１４と、第一ミラ
ー１３に設けられた第一電極１３ａと、第二ミラー１４
に設けられた第二電極１４ａとが形成されたファブリペ
ローフィルタである。そして、シリコン基板６０の裏面
には溝部３１が形成されている。
上に、第一ミラー１３と、第二ミラー１４と、第一ミラ
ー１３に設けられた第一電極１３ａと、第二ミラー１４
に設けられた第二電極１４ａとが形成されたファブリペ
ローフィルタである。そして、シリコン基板６０の裏面
には溝部３１が形成されている。
【００４５】そして、溝部３０と溝部３１を対向させ
て、赤外線検出器１が形成されたシリコン基板６と波長
選択フィルタ２が形成されたシリコン基板６０を真空中
または不活性ガス中において直接接合することにより封
止室３を形成し、赤外線検出部４をその中空に浮かせ
る。この場合、封止室３の内部は、真空封止または不活
性ガス封止される。
て、赤外線検出器１が形成されたシリコン基板６と波長
選択フィルタ２が形成されたシリコン基板６０を真空中
または不活性ガス中において直接接合することにより封
止室３を形成し、赤外線検出部４をその中空に浮かせ
る。この場合、封止室３の内部は、真空封止または不活
性ガス封止される。
【００４６】図２（ｂ）において、波長選択型赤外線検
出素子は、図２（ａ）に示した波長選択型赤外線検出素
子の波長選択フィルタ２の上下を反転した構成となって
いる。この場合、赤外線検出器１と波長選択フィルタ２
とは、溝部３１が形成されたスペーサ層６１を介して接
合され、封止室３の内部は真空封止または不活性ガス封
止されている。
出素子は、図２（ａ）に示した波長選択型赤外線検出素
子の波長選択フィルタ２の上下を反転した構成となって
いる。この場合、赤外線検出器１と波長選択フィルタ２
とは、溝部３１が形成されたスペーサ層６１を介して接
合され、封止室３の内部は真空封止または不活性ガス封
止されている。
【００４７】また、外部電極１８ａは、シリコン基板６
０に形成された反射防止膜６２、シリコン基板６０、及
び絶縁層１６を貫通して第一電極１３ａに通電可能に形
成され、外部電極１８ｂは、反射防止膜６２、シリコン
基板６０、絶縁層１６、第一ミラー１３及び絶縁層１７
を貫通して第二電極１４ａに通電可能に形成されてい
る。
０に形成された反射防止膜６２、シリコン基板６０、及
び絶縁層１６を貫通して第一電極１３ａに通電可能に形
成され、外部電極１８ｂは、反射防止膜６２、シリコン
基板６０、絶縁層１６、第一ミラー１３及び絶縁層１７
を貫通して第二電極１４ａに通電可能に形成されてい
る。
【００４８】上述の、図１及び図２に示したような波長
選択型赤外線検出素子は、高精度な位置合わせが可能な
半導体製造プロセスによって形成されるので、赤外線検
出器１と波長選択フィルタ２の位置合わせを高精度に行
うことができ、測定器間の誤差を小さくすることができ
る。
選択型赤外線検出素子は、高精度な位置合わせが可能な
半導体製造プロセスによって形成されるので、赤外線検
出器１と波長選択フィルタ２の位置合わせを高精度に行
うことができ、測定器間の誤差を小さくすることができ
る。
【００４９】また、第一電極１３ａと第二電極１４ａに
加える電圧を変えることにより、ファブリペローフィル
タのギャップ１５を可変としたので、被測定ガスに含ま
れる複数の成分を測定対象とした場合でも、フィルタの
枚数を増加させる必要はなく、装置を小型化させ、その
コストを低げることができる。
加える電圧を変えることにより、ファブリペローフィル
タのギャップ１５を可変としたので、被測定ガスに含ま
れる複数の成分を測定対象とした場合でも、フィルタの
枚数を増加させる必要はなく、装置を小型化させ、その
コストを低げることができる。
【００５０】また、赤外線検出部４は、その製造プロセ
スにおいて封止室３の内部に真空封止または不活性ガス
封止されるため、その封止工程を別に用意する必要がな
く、装置のコストを下げることができる。
スにおいて封止室３の内部に真空封止または不活性ガス
封止されるため、その封止工程を別に用意する必要がな
く、装置のコストを下げることができる。
【００５１】図３は本発明の第三実施例の構成を示す断
面図である。図３において、波長選択型赤外線検出素子
は、アレイ状に形成された赤外線検出器１ａ，１ｂ，１
ｃと、波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃとで構成され
ている。
面図である。図３において、波長選択型赤外線検出素子
は、アレイ状に形成された赤外線検出器１ａ，１ｂ，１
ｃと、波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃとで構成され
ている。
【００５２】赤外線検出器１ａ，１ｂ，１ｃは、図２に
示した赤外線検出器１と同様に、シリコン基板６上に並
列に形成され、波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃは、
図２に示した波長選択フィルタ２と同様にシリコン基板
６０上に並列に形成されている。
示した赤外線検出器１と同様に、シリコン基板６上に並
列に形成され、波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃは、
図２に示した波長選択フィルタ２と同様にシリコン基板
６０上に並列に形成されている。
【００５３】赤外線検出器１ａ，１ｂ，１ｃには、図２
に示した赤外線検出器１と同様に赤外線検出部４ａ，４
ｂ，４ｃが形成されている。そして、波長選択フィルタ
２ａ，２ｂ，２ｃの第一ミラー１３０は共通となるよう
に形成され、第二ミラー１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ
は、それぞれ第一ミラー１３０に対向して形成されてい
る。
に示した赤外線検出器１と同様に赤外線検出部４ａ，４
ｂ，４ｃが形成されている。そして、波長選択フィルタ
２ａ，２ｂ，２ｃの第一ミラー１３０は共通となるよう
に形成され、第二ミラー１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ
は、それぞれ第一ミラー１３０に対向して形成されてい
る。
【００５４】この場合、第一ミラー１３０と第二ミラー
１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃとのギャップ１５ａ，１
５ｂ，１５ｃをそれぞれ異なるように形成すれば、それ
ぞれのギャップの長さに対応する波長λ１，λ２，λ３
の赤外線を透過する波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃ
を形成することができる。
１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃとのギャップ１５ａ，１
５ｂ，１５ｃをそれぞれ異なるように形成すれば、それ
ぞれのギャップの長さに対応する波長λ１，λ２，λ３
の赤外線を透過する波長選択フィルタ２ａ，２ｂ，２ｃ
を形成することができる。
【００５５】そして、図２に示したファブリペローフィ
ルタと同様に、シリコン基板６とシリコン基板６０を、
真空中または不活性ガス中で直接接合することによりア
レイ状の波長選択型赤外線検出素子を形成する。尚、図
１に示した波長選択型赤外線検出素子のように、同一基
板上に複数の赤外線検出器と波長選択フィルタを形成す
るようにしても良い。
ルタと同様に、シリコン基板６とシリコン基板６０を、
真空中または不活性ガス中で直接接合することによりア
レイ状の波長選択型赤外線検出素子を形成する。尚、図
１に示した波長選択型赤外線検出素子のように、同一基
板上に複数の赤外線検出器と波長選択フィルタを形成す
るようにしても良い。
【００５６】このように波長選択型赤外線検出素子を水
平面上に複数個配置してアレイ状とし、複数の波長選択
フィルタのギャップを、予めその初期ギャップの長さが
異なるように形成するか、あるいは複数のガスを測定対
象とするように印加する電位差をそれぞれ変化させてギ
ャップの長さを可変とすることにより、多成分のガスを
測定可能とすることができる。
平面上に複数個配置してアレイ状とし、複数の波長選択
フィルタのギャップを、予めその初期ギャップの長さが
異なるように形成するか、あるいは複数のガスを測定対
象とするように印加する電位差をそれぞれ変化させてギ
ャップの長さを可変とすることにより、多成分のガスを
測定可能とすることができる。
【００５７】ところで、ファブリペローフィルタは、図
４に示すように、一つのガスに対して複数の波長帯域に
複数の透過ピークを示す。例えば、ギャップを２２７０
ｎｍとした二酸化炭素の場合は、４２５０ｎｍ近傍と２
４００ｎｍ近傍、ギャップを２５９０ｎｍとした水蒸気
の場合は、４７００ｎｍ近傍と２７００ｎｍ近傍、ギャ
ップを３１００ｎｍとした参照光の場合は３１００ｎｍ
近傍と２２００ｎｍ近傍にピークが存在する。
４に示すように、一つのガスに対して複数の波長帯域に
複数の透過ピークを示す。例えば、ギャップを２２７０
ｎｍとした二酸化炭素の場合は、４２５０ｎｍ近傍と２
４００ｎｍ近傍、ギャップを２５９０ｎｍとした水蒸気
の場合は、４７００ｎｍ近傍と２７００ｎｍ近傍、ギャ
ップを３１００ｎｍとした参照光の場合は３１００ｎｍ
近傍と２２００ｎｍ近傍にピークが存在する。
【００５８】従って、図５に示すように、光源３０と波
長選択型赤外線検出素子３２との間の光路に、例えば２
６００ｎｍから４５００ｎｍまでの波長を透過し、それ
以外の帯域は不透過とするようなワイドバンドパスフィ
ルタ３１を設けることにより、図４に示すようにギャッ
プを２２７０ｎｍとした二酸化炭素の場合は４２５０ｎ
ｍ近傍のみ、ギャップを２５９０ｎｍとした水蒸気の場
合は２７００ｎｍ近傍のみ、ギャップを３１００ｎｍと
した参照光の場合は３１００ｎｍ近傍のみが選択され、
各ギャップで一つのピークのみを選択させることによ
り、複数のガスの吸収量を測定することができる。
長選択型赤外線検出素子３２との間の光路に、例えば２
６００ｎｍから４５００ｎｍまでの波長を透過し、それ
以外の帯域は不透過とするようなワイドバンドパスフィ
ルタ３１を設けることにより、図４に示すようにギャッ
プを２２７０ｎｍとした二酸化炭素の場合は４２５０ｎ
ｍ近傍のみ、ギャップを２５９０ｎｍとした水蒸気の場
合は２７００ｎｍ近傍のみ、ギャップを３１００ｎｍと
した参照光の場合は３１００ｎｍ近傍のみが選択され、
各ギャップで一つのピークのみを選択させることによ
り、複数のガスの吸収量を測定することができる。
【００５９】また、上記の説明においては、赤外線検出
器をボロメータとしたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、振動式、量子型等の赤外線検出器により構
成することも可能である。
器をボロメータとしたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、振動式、量子型等の赤外線検出器により構
成することも可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
から請求項８によれば、波長選択フィルタと赤外線検出
器とを一体に形成するようにしたので、組み立て精度が
確保され、小型で低コストの波長選択型赤外線検出素子
を提供することができる。
から請求項８によれば、波長選択フィルタと赤外線検出
器とを一体に形成するようにしたので、組み立て精度が
確保され、小型で低コストの波長選択型赤外線検出素子
を提供することができる。
【００６１】本発明の請求項９によれば、波長選択型赤
外線検出素子をアレイ状としたので、多成分のガス濃度
を測定することができる波長選択型赤外線検出素子を提
供することができる。
外線検出素子をアレイ状としたので、多成分のガス濃度
を測定することができる波長選択型赤外線検出素子を提
供することができる。
【００６２】本発明の請求項１０によれば、請求項１か
ら請求項８の波長選択型赤外線検出素子を使用するよう
にしたので、小型で低コストの赤外線ガス分析計を提供
することができる。
ら請求項８の波長選択型赤外線検出素子を使用するよう
にしたので、小型で低コストの赤外線ガス分析計を提供
することができる。
【００６３】本発明の請求項１１によれば、請求項１か
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子を使用し、
特定帯域幅のみの赤外線を透過するワイドバンドパスフ
ィルタを設けたので、各ギャップで一つのピークのみを
選択させ、複数のガス濃度を測定可能な赤外線ガス分析
計を提供することができる。
ら請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子を使用し、
特定帯域幅のみの赤外線を透過するワイドバンドパスフ
ィルタを設けたので、各ギャップで一つのピークのみを
選択させ、複数のガス濃度を測定可能な赤外線ガス分析
計を提供することができる。
【００６４】請求項１２によれば、請求項１から請求項
９記載の波長選択型赤外線検出素子を使用するようにし
たので、二酸化炭素と水蒸気を同時に測定可能な赤外線
ガス分析計を提供することができる。
９記載の波長選択型赤外線検出素子を使用するようにし
たので、二酸化炭素と水蒸気を同時に測定可能な赤外線
ガス分析計を提供することができる。
【００６５】
【図１】本発明の第一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第二実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第三実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図４】ファブリペローフィルタの透過特性及びガス吸
収特性図である。
収特性図である。
【図５】本発明の実施例を使用した赤外線ガス分析計の
構成概略図である。
構成概略図である。
【図６】従来のＮＤＩＲガス分析計の構成図である。
【図７】従来のＮＤＩＲガス分析計の構成図である。
【図８】従来のＮＤＩＲガス分析計の構成図である。
【図９】従来のＮＤＩＲガス分析計の構成図である。
【図１０】従来のＮＤＩＲガス分析計の構成図である。
【図１１】フィルタの赤外線透過特性、吸収特性図であ
る。
る。
【図１２】フィルタの赤外線透過特性、吸収特性図であ
る。
る。
１ 赤外線検出器 ２ 波長選択フィルタ ３ 封止室 ４ 赤外線検出部 ６ シリコン基板 １３ 第一ミラー １３ａ 第一電極 １４ 第二ミラー １４ａ 第二電極 １５ ギャップ ３０ 光源 ３１ ワイドバンドパスフィルタ ３２ 波長選択型赤外線検出素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩岡 秀人 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G020 AA03 BA02 BA12 CA12 CB06 CB21 CB42 CC23 CC27 CC55 CC63 CD13 CD16 CD22 CD38 2G059 AA01 BB01 CC04 EE01 EE10 HH01 JJ03 JJ04 JJ13 KK09 MM14 2G065 AB02 AB23 BA12 BA33 BA38 BB11 BB26 BB30 CA25 DA01 DA08 2H048 GA01 GA04 GA09 GA12 GA48 GA61
Claims (12)
- 【請求項１】 光源からの赤外線を波長選択的に透過さ
せる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過
した赤外線を検出する赤外線検出部を有する赤外線検出
器とを同一基板上に形成したことを特徴とする波長選択
型赤外線検出素子。 - 【請求項２】 第一基板に形成され、光源からの赤外線
を波長選択的に透過させる波長選択フィルタと、第二基
板に形成され、前記波長選択フィルタを透過した赤外線
を検出する赤外線検出部を有する赤外線検出器とを具備
し、前記第一基板と前記第二基板が接合されてなること
を特徴とする波長選択型赤外線検出素子。 - 【請求項３】 前記赤外線検出部は、前記基板に形成さ
れた封止室に配置され、前記波長選択フィルタは、前記
封止室を真空封止または不活性ガス封止するように前記
封止室上に形成されてなることを特徴とする請求項１記
載の波長選択型赤外線検出素子。 - 【請求項４】 前記赤外線検出部は前記第二基板に形成
された溝状の封止室形成部に配置され、前記波長選択フ
ィルタが前記封止室形成部上に配置されて封止室を形成
するように前記第一基板と前記第二基板とを真空中また
は不活性ガス中で接合することにより、前記封止室が真
空封止または不活性ガス封止されてなることを特徴とす
る請求項２記載の波長選択型赤外線検出素子。 - 【請求項５】 前記波長選択フィルタは、基板に設けら
れた第一ミラーと、この第一ミラーとの間にギャップを
形成し、外力が加えられることにより前記第一ミラーに
対して変位可能に対向配置される第二ミラーとを有し、
この第二ミラーに外力を加えて変位させることにより前
記ギャップを可変としたファブリペローフィルタである
ことを特徴とする請求項１から請求項４記載の波長選択
型赤外線検出素子。 - 【請求項６】 前記波長選択フィルタは、基板に設けら
れた第一ミラーと、この第一ミラーとの間にギャップを
形成し、外力が加えられることにより前記第一ミラーに
対して変位可能に対向配置される第二ミラーと、前記第
一ミラーに設けられる第一電極と、前記第二ミラーに設
けられ前記第一電極に対向配置される第二電極とを有
し、前記第一電極と前記第二電極に電位差を与えること
により前記第二ミラーを変位させ、前記ギャップの長さ
を可変としたファブリペローフィルタであることを特徴
とする請求項１から請求項４記載の波長選択型赤外線検
出素子。 - 【請求項７】 前記ファブリペローフィルタは、前記第
一電極と前記第二電極との間に複数の電圧を印加して前
記ギャップの長さを複数に可変とすることにより、複数
の波長帯域の赤外線を透過可能であることを特徴とする
請求項６記載の波長選択型赤外線検出素子。 - 【請求項８】 前記赤外線検出器は、赤外線ボロメータ
であることを特徴とする請求項１から請求項７記載の波
長選択型赤外線検出素子。 - 【請求項９】 前記波長選択フィルタと前記赤外線検出
器を水平方向に複数個配置してアレイ状としたことを特
徴とする請求項１から請求項８記載の波長選択型赤外線
検出素子。 - 【請求項１０】 被測定ガスに赤外線を照射する光源
と、この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波
長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤
外線を検出する赤外線検出器とを有し、前記赤外線検出
器の出力に基づいて前記被測定ガスの濃度を測定する赤
外線ガス分析計において、 前記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１
から請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構
成されてなることを特徴とする赤外線ガス分析計。 - 【請求項１１】 被測定ガスに赤外線を照射する光源
と、この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波
長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤
外線を検出する赤外線検出器とを有し、前記赤外線検出
器の出力に基づいて前記被測定ガスの濃度を測定する赤
外線ガス分析計において、 前記波長選択フィルタと前記赤外線検出器は、請求項１
から請求項９記載の波長選択型赤外線検出素子により構
成され、 この波長選択型赤外線検出素子と前記光源との間に配置
され、特定帯域のみの波長を透過させるワイドバンドパ
スフィルタを具備したことを特徴とする赤外線ガス分析
計。 - 【請求項１２】 前記被測定ガスは二酸化炭素と水蒸気
の２成分を含み、この２成分の濃度を測定することを特
徴とする請求項１０及び請求項１１記載の赤外線ガス分
析計。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041288A JP4158076B2 (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 |
| US09/777,901 US6590710B2 (en) | 2000-02-18 | 2001-02-05 | Fabry-Perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector |
| EP01103340A EP1126256A3 (en) | 2000-02-18 | 2001-02-13 | Fabry-Perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector |
| US10/310,586 US20030116711A1 (en) | 2000-02-18 | 2002-12-05 | Fabry-perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041288A JP4158076B2 (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001228022A true JP2001228022A (ja) | 2001-08-24 |
| JP4158076B2 JP4158076B2 (ja) | 2008-10-01 |
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ID=18564548
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000041288A Expired - Fee Related JP4158076B2 (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4158076B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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