JP2001203143A - Substrate processor - Google Patents

Substrate processor

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JP2001203143A
JP2001203143A JP2000011873A JP2000011873A JP2001203143A JP 2001203143 A JP2001203143 A JP 2001203143A JP 2000011873 A JP2000011873 A JP 2000011873A JP 2000011873 A JP2000011873 A JP 2000011873A JP 2001203143 A JP2001203143 A JP 2001203143A
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JP
Japan
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substrate
exposure
glass substrate
unit
temperature
Prior art date
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Application number
JP2000011873A
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Japanese (ja)
Inventor
Norihiko Hara
典彦 原
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • GPHYSICS
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve throughput, without raising cost or enlarging a processor. SOLUTION: A substrate processor is provided with an application device 1, having an application part 12 for applying a photosensitive material to a substrate 3 as the object of processing, a cooling part 14 for cooling the substrate 3 to which the photosensitive material is applied and a buffer 152 which temporarily stores the cooled substrate and an exposure device 2 having an exposure part 23 for transferring the image of the pattern of a mask on the substrate 3 and a transfer part 22 for receiving the substrate 3 from the buffer 152 and transferring it to the exposure part 23. The transfer part 22 and the exposure part 23 in the aligner 2 and the buffer 152 and the cooling part 14 in the application device 1 are installed in the same air-conditioning chamber 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板や半導
体ウエハなどの薄板基板に感光材料の塗布、パターンの
転写等の処理を施し、液晶表示装置や半導体装置等のマ
イクロデバイス又はマスク(レチクル)などを製造する
基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for applying a photosensitive material to a thin substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer, transferring a pattern, and the like, to obtain a micro device or a mask (reticle) such as a liquid crystal display device or a semiconductor device. The present invention relates to a substrate processing apparatus for manufacturing a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、液晶表示装置を製造するための
リソグラフィ工程においては、ガラス基板上に感光材料
(フォトレジスト)を塗布するレジスト塗布装置(コー
タ)、該感光材料が塗布されたガラス基板にレチクル
(マスク)のパターンの像を投影転写して該パターンの
潜像を形成する露光装置(ステッパ)、及び該基板上に
形成された潜像を現像する現像装置(デベロッパ)など
の一部又は全部を含む基板処理装置が使用される。
2. Description of the Related Art For example, in a lithography process for manufacturing a liquid crystal display device, a resist coating device (coater) for coating a photosensitive material (photoresist) on a glass substrate, and a resist coating device (coater) for coating the photosensitive material on the glass substrate. An exposure device (stepper) for projecting and transferring a pattern image of a reticle (mask) to form a latent image of the pattern; and a developing device (developer) for developing a latent image formed on the substrate, or a part thereof. An all-inclusive substrate processing apparatus is used.

【0003】このような基板処理装置においては、レジ
スト塗布装置と露光装置との間、及び露光装置と現像装
置との間の基板の受け渡しは、複数のガラス基板を収納
できる基板キャリア(基板カセット)を用いて一括的に
行うもの、あるいは、これと併用する形で、露光装置の
近傍に配置されたレジスト塗布装置などとの間でガラス
基板を個別的に受け渡すようにしたものがある。
In such a substrate processing apparatus, a substrate carrier (substrate cassette) capable of accommodating a plurality of glass substrates is transferred between the resist coating apparatus and the exposure apparatus and between the exposure apparatus and the developing apparatus. And a method in which the glass substrates are individually delivered to a resist coating device or the like disposed near the exposure device in a form in which the glass substrates are used together.

【0004】また、近時においては、生産性の向上や装
置の小型化などの観点から、基板キャリアを用いるもの
は廃止して、露光装置とレジスト塗布装置などとの間で
直接的にガラス基板を順次受け渡すようにしたもの(イ
ンライン専用装置)が用いられるようになってきた。こ
のようなインライン専用装置によると、露光装置に基板
キャリアを設置するのに必要なスペースを設ける必要が
なくなるので、露光装置を小型化することができ、ひい
ては基板処理装置全体を小型化できるというメリットが
ある。
In recent years, the use of a substrate carrier has been abolished from the viewpoint of improvement in productivity and miniaturization of the apparatus, and a glass substrate has been directly connected between an exposure apparatus and a resist coating apparatus. (Inline-dedicated devices) have been used. According to such an inline-dedicated apparatus, there is no need to provide a space required for installing a substrate carrier in the exposure apparatus, so that the exposure apparatus can be miniaturized, and thus the entire substrate processing apparatus can be downsized. There is.

【0005】図4はレジスト塗布装置及び露光装置を備
えたインライン専用装置としての従来の基板処理装置の
概略構成を示す平面図、図5は同じく側面図である。こ
れらの図において、1はレジスト塗布装置(コータ)で
あり、2は露光装置(ステッパ)である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional substrate processing apparatus as a dedicated in-line apparatus having a resist coating apparatus and an exposure apparatus, and FIG. 5 is a side view thereof. In these figures, 1 is a resist coating device (coater), and 2 is an exposure device (stepper).

【0006】レジスト塗布装置1は、複数のガラス基板
3が収容された複数の基板キャリア111が載置される
キャリア載置部11、基板キャリア111から取り出し
たガラス基板3に対してフォトレジストを塗布する塗布
部12、フォトレジストが塗布されたガラス基板3を加
熱乾燥させるオーブンを有する乾燥部13、露光装置2
に搬送する前にガラス基板3を冷却するためのクーリン
グプレート141を有する冷却部14、及び露光装置2
にガラス基板3を渡すアーム151を有する搬送部15
を備えて構成されている。これらの各部11〜15は埃
などの進入又は放出を防止するための箱状のチャンバ4
に収容されている。
The resist coating apparatus 1 applies a photoresist to a carrier mounting portion 11 on which a plurality of substrate carriers 111 accommodating a plurality of glass substrates 3 are mounted, and a glass substrate 3 taken out of the substrate carrier 111. Coating unit 12, drying unit 13 having an oven for heating and drying glass substrate 3 coated with photoresist, exposure apparatus 2
A cooling unit 14 having a cooling plate 141 for cooling the glass substrate 3 before being conveyed to the exposure apparatus 2
Section 15 having arm 151 for transferring glass substrate 3 to
It is provided with. These parts 11 to 15 are box-shaped chambers 4 for preventing ingress or emission of dust and the like.
Is housed in

【0007】レジスト塗布部12によりフォトレジスト
が塗布され、乾燥部14により加熱乾燥されたガラス基
板3は、クーリングプレート141で常温(チャンバ4
内の雰囲気温度)にまで冷却された後、アーム151に
より露光装置2に渡される。
A glass substrate 3 coated with a photoresist by a resist coating unit 12 and heated and dried by a drying unit 14 is cooled to a room temperature (chamber 4) by a cooling plate 141.
After being cooled to the ambient temperature of the inside, it is transferred to the exposure apparatus 2 by the arm 151.

【0008】露光装置2は、アーム151により搬入さ
れたガラス基板3を載置して温度調節する温度調節ホル
ダ211を有する温調部21、及び温度調節ホルダ21
1からガラス基板3を取り出して、露光処理部(ガラス
基板3上にレチクルのパターンの像を投影転写する装
置)23に搬入するアーム221を有する搬送部22を
備えている。これらの各部21〜23は、温度、湿度及
び清浄度が厳密に管理されたサーマルチャンバ5内に設
置されている。
The exposure apparatus 2 includes a temperature control section 21 having a temperature control holder 211 for mounting the glass substrate 3 carried by the arm 151 and controlling the temperature, and a temperature control holder 21.
1 is provided with a transport unit 22 having an arm 221 for taking out the glass substrate 3 and carrying it into an exposure processing unit (device for projecting and transferring an image of a reticle pattern onto the glass substrate 3) 23. These units 21 to 23 are installed in a thermal chamber 5 in which temperature, humidity and cleanliness are strictly controlled.

【0009】温度調節ホルダ211は、載置されたガラ
ス基板3の温度を露光装置2のサーマルチャンバ5内の
温度に急速になじませるための装置(例えば、ヒートシ
ンク)である。
The temperature adjusting holder 211 is a device (for example, a heat sink) for rapidly adjusting the temperature of the placed glass substrate 3 to the temperature in the thermal chamber 5 of the exposure apparatus 2.

【0010】温度調節ホルダ211は、数枚のガラス基
板3を載置することができるが、これが満杯となって、
新たなガラス基板3を受け取ることができない場合に
は、そのガラス基板3はレジスト塗布装置1の搬送部1
5に設けられ、複数枚のガラス基板3を載置可能な棚を
有するバッファキャリア152に一時的に収納され、該
ガラス基板3は温度調節ホルダ211に空きが生じるま
で、バッファキャリア152内で待機させられるように
なっている。
[0010] The temperature control holder 211 can hold several glass substrates 3, but when the glass substrate 3 becomes full,
When a new glass substrate 3 cannot be received, the glass substrate 3 is transferred to the transport unit 1 of the resist coating apparatus 1.
5 is temporarily stored in a buffer carrier 152 having a shelf on which a plurality of glass substrates 3 can be placed, and the glass substrates 3 wait in the buffer carrier 152 until a space is left in the temperature control holder 211. It is made to be made.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光装
置2が設置されたサーマルチャンバ5内の温度は厳密に
管理されているのに対し、レジスト塗布装置1が設置さ
れたチャンバ4内の温度は全く管理されていないか、あ
るいはそれほど厳密に管理されていないため、両チャン
バ4,5内の温度は通常は相違する。一般に、露光装置
2が設置されたサーマルチャンバ5内の温度の方が低
い。
However, while the temperature in the thermal chamber 5 in which the exposure apparatus 2 is installed is strictly controlled, the temperature in the chamber 4 in which the resist coating apparatus 1 is installed is quite low. The temperature in the two chambers 4,5 is usually different because it is not controlled or is not so strictly controlled. Generally, the temperature in the thermal chamber 5 in which the exposure apparatus 2 is installed is lower.

【0012】従って、レジスト塗布装置1のクーリング
プレート141上に載置された冷却後のガラス基板3、
又はバッファキャリア152に収納されたガラス基板3
は、レジスト塗布装置1のチャンバ4内の温度となって
いるから、露光装置2が設置されたサーマルチャンバ5
内に搬入された時点では、該サーマルチャンバ5内の温
度と相違しており、ガラス基板3の温度をサーマルチャ
ンバ5内の温度に馴染ませるまでに要する時間が長く、
全体としてのスループット(生産性)を低下させるとい
う問題があった。
Therefore, the cooled glass substrate 3 placed on the cooling plate 141 of the resist coating apparatus 1
Alternatively, the glass substrate 3 stored in the buffer carrier 152
Is the temperature in the chamber 4 of the resist coating apparatus 1, so that the thermal chamber 5 in which the exposure apparatus 2 is installed
When it is carried into the thermal chamber 5, the temperature is different from the temperature in the thermal chamber 5, and the time required to adjust the temperature of the glass substrate 3 to the temperature in the thermal chamber 5 is long.
There is a problem that overall throughput (productivity) is reduced.

【0013】この場合、露光装置2が設置されたサーマ
ルチャンバ5と同様な厳密な空調管理機能をレジスト塗
布装置1が設置されたチャンバ5に付加して同様なサー
マルチャンバとすれば、両者の温度を一致させることが
可能であり、上記の問題は解消されるけれども、その代
償としてコストが高くなるとともに、装置が大型化する
という問題がある。
In this case, if a strict air-conditioning management function similar to that of the thermal chamber 5 in which the exposure apparatus 2 is installed is added to the chamber 5 in which the resist coating apparatus 1 is installed, a similar thermal chamber can be used. Can be made to coincide with each other, and the above-mentioned problem is solved. However, there is a problem in that the cost is increased and the size of the device is increased.

【0014】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、装置の高コスト化や大型化を招
くことなく、スループットを向上することができる基板
処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the throughput without increasing the cost and size of the apparatus. Aim.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施
形態の図に示す参照符号を付して説明するが、本発明の
各構成要件は、これら参照符号によって限定されるもの
ではない。
In the following description, in order to facilitate understanding, constituent elements of the present invention will be described with reference numerals shown in the drawings of the embodiments. Are not limited by these reference numerals.

【0016】上記目的を達成するための本発明の基板処
理装置は、処理対象としての基板(3)に感光材料を塗
布する塗布部(12)、該感光材料が塗布された基板を
冷却する冷却部(14)及び冷却された基板を一時的に
収納するバッファ部(152)を有する塗布装置
(1)、並びに前記基板上にマスクのパターンの像を転
写する露光部(23)及び前記バッファ部からの基板を
受け取り該露光部まで搬送する搬送部(22)を有する
露光装置(2)を備えた基板処理装置において、前記露
光装置(2)の前記搬送部(22)及び前記露光部(2
3)並びに前記塗布装置(1)の少なくとも前記バッフ
ァ部(152)を同一の空調チャンバ(5)内に設置し
たことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention comprises an application section (12) for applying a photosensitive material to a substrate (3) to be processed, and a cooling unit for cooling the substrate on which the photosensitive material has been applied. Coating apparatus (1) having a section (14) and a buffer section (152) for temporarily storing a cooled substrate; an exposure section (23) for transferring an image of a mask pattern onto the substrate; and the buffer section A substrate processing apparatus provided with an exposure apparatus (2) having a transport section (22) for receiving a substrate from the exposure section and transporting the substrate to the exposure section, the transport section (22) and the exposure section (2) of the exposure apparatus (2).
3) and at least the buffer section (152) of the coating apparatus (1) is installed in the same air-conditioning chamber (5).

【0017】本発明によると、露光装置が設置される空
調チャンバ内に、塗布装置の少なくともバッファ部をも
設置するようにしたので、塗布装置のバッファ部内に収
納されたガラス基板は、処理の待ち時間を使って空調チ
ャンバ内の温度雰囲気に完全に馴染み、あるいは馴染み
つつあるから、その後に空調チャンバ内の温度に馴染ま
せるための時間が不要、あるいは短くすることができ
る。従って、その後に行われる露光処理を速やかに実施
することができるから、全体としてのスループットを向
上することができる。また、空調チャンバ内に塗布装置
の一部を併置するだけなので、コストの上昇や装置の大
型化を招くことも殆どない。
According to the present invention, at least the buffer unit of the coating apparatus is also installed in the air-conditioning chamber in which the exposure apparatus is installed. Since time is completely used to or is becoming familiar with the temperature atmosphere in the air-conditioning chamber, the time required to subsequently adjust to the temperature in the air-conditioning chamber can be eliminated or shortened. Therefore, the subsequent exposure processing can be promptly performed, so that the overall throughput can be improved. Further, since only a part of the coating device is provided in the air conditioning chamber, the cost and the size of the device are hardly increased.

【0018】この場合において、前記塗布装置の前記冷
却部をも前記空調チャンバ内に設置することができ、こ
のようにすることにより、さらにスループットを向上す
ることが可能である。
[0018] In this case, the cooling section of the coating apparatus can also be installed in the air-conditioning chamber, whereby the throughput can be further improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。この実施形態は、液晶表示装置製造
ラインにおけるレジスト塗布工程、及び露光工程を実施
するための基板処理装置に本発明を適用したものであ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus for performing a resist coating step and an exposure step in a liquid crystal display device manufacturing line.

【0020】図1は本実施形態の基板処理装置の概略構
成を示す一部を断面とした平面図、図2は同じく側面図
である。なお、図4及び図5に示した従来技術と実質的
に同一の構成部分又は対応する構成部分については同一
の番号が付してある。
FIG. 1 is a plan view, partially in section, showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is a side view thereof. It is to be noted that the same reference numerals are given to components that are substantially the same as or corresponding to those in the related art illustrated in FIGS. 4 and 5.

【0021】この基板処理装置は、レジスト塗布装置
(コータ)1、及び露光装置(ステッパ)2を備え、レ
ジスト塗布装置1と露光装置2との間で処理対象として
のガラス基板3を個別的かつ直接的に受け渡すようにし
た、いわゆるインライン専用装置として構成されてい
る。
This substrate processing apparatus includes a resist coating device (coater) 1 and an exposure device (stepper) 2, and individually and individually processes a glass substrate 3 to be processed between the resist coating device 1 and the exposure device 2. It is configured as a so-called dedicated in-line device that is directly delivered.

【0022】レジスト塗布装置1は、キャリア載置部1
1、レジスト塗布部12、乾燥部13、冷却部14及び
搬送部(バッファ部)15を備えて構成されている。
The resist coating apparatus 1 includes a carrier mounting section 1
1, a resist coating unit 12, a drying unit 13, a cooling unit 14, and a transport unit (buffer unit) 15.

【0023】キャリア載置部11は、基板キャリア11
1を着脱自在に載置するためのユニバーサルカップリン
グなどの位置決め機構を有するキャリア載置台を備え、
必要に応じてキャリア載置台をZ軸方向(上下方向)に
昇降する昇降装置が設けられる。キャリア載置部11の
キャリア載置台上には、この基板処理装置で処理すべき
複数のガラス基板3が収納された複数の基板キャリア1
11が外部から搬入されて載置される。
The carrier mounting part 11 is provided with a substrate carrier 11.
A carrier mounting table having a positioning mechanism such as a universal coupling for detachably mounting 1;
An elevating device that elevates and lowers the carrier mounting table in the Z-axis direction (vertical direction) is provided as necessary. A plurality of substrate carriers 1 containing a plurality of glass substrates 3 to be processed by the substrate processing apparatus are placed on a carrier mounting table of the carrier mounting unit 11.
11 is carried in from the outside and placed.

【0024】レジスト塗布部12はスピンコータを備
え、ガラス基板3は基板キャリア111から取り出さ
れ、水平な状態でスピンコータの回転テーブル上に載置
され、フォトレジストを滴下してガラス基板を回転させ
ることにより、ガラス基板3上に均一なフォトレジスト
膜を形成する。
The resist coating unit 12 includes a spin coater. The glass substrate 3 is taken out of the substrate carrier 111, placed on a rotary table of the spin coater in a horizontal state, and a photoresist is dropped to rotate the glass substrate. Then, a uniform photoresist film is formed on the glass substrate 3.

【0025】乾燥部13はオーブンを備え、フォトレジ
ストが塗布されたガラス基板3は、このオーブンにより
加熱乾燥される。冷却部14はクーリングプレート14
1を備え、加熱乾燥されたガラス基板3はクーリングプ
レート141上に載置されることによりその周囲と同じ
温度まで冷却される。
The drying section 13 has an oven, and the glass substrate 3 on which the photoresist is applied is heated and dried by the oven. The cooling unit 14 is a cooling plate 14
1, the glass substrate 3 which has been heated and dried is placed on the cooling plate 141 to be cooled to the same temperature as its surroundings.

【0026】なお、ガラス基板3の基板キャリア111
から塗布部12への搬送、フォトレジスト塗布後のガラ
ス基板3の乾燥部13への搬送、及び乾燥されたガラス
基板3の冷却部14への搬送は、不図示の搬送アームな
どを有する搬送装置により行われるようになっている。
The substrate carrier 111 of the glass substrate 3
A transfer device having a transfer arm or the like (not shown) is used to transfer the glass substrate 3 after the photoresist is applied to the drying unit 13 and to transfer the dried glass substrate 3 to the cooling unit 14. Is to be performed.

【0027】搬送部15はガラス基板3を吸着保持して
ハンドリングするためのアーム151及び複数のガラス
基板3を一時的に収納するバッファキャリア152を有
している。アーム151はクーリングプレート141上
に載置されたガラス基板3をバッファキャリア152内
に収納し、あるいは露光装置2へ渡し、又はバッファキ
ャリア152内に収納されたガラス基板3を取り出して
露光装置2に渡すことができる。
The transport section 15 has an arm 151 for sucking and holding the glass substrate 3 for handling, and a buffer carrier 152 for temporarily storing a plurality of glass substrates 3. The arm 151 stores the glass substrate 3 placed on the cooling plate 141 in the buffer carrier 152 or transfers the glass substrate 3 to the exposure device 2, or takes out the glass substrate 3 stored in the buffer carrier 152 and transfers the glass substrate 3 to the exposure device 2. Can be passed.

【0028】レジスト塗布装置1の上述した各部11〜
15のうち、キャリア載置部11、塗布部12及び乾燥
部13は埃などの進入又は放出を防止するための箱状の
チャンバ5内に設置されている。
The above-described components 11 to 11 of the resist coating apparatus 1
Among 15, the carrier mounting part 11, the coating part 12, and the drying part 13 are installed in a box-shaped chamber 5 for preventing ingress or emission of dust and the like.

【0029】露光装置2は、温調部21、搬送部22及
び露光処理部(露光部)23を備えて構成されている。
温調部21は載置されたガラス基板3の温度を調節する
温度調節ホルダ211を備え、この温度調節ホルダ21
1は、図3に示されているように、テーブル212の下
部に放熱フィン213を取り付けて構成されるヒートシ
ンクである。ガラス基板3はレジスト塗布装置1のアー
ム151により露光装置2の温度調節ホルダ211上に
載置され、ここで温度調節(通常は冷却)される。な
お、温度調節ホルダ211はフロリナートなどの冷媒を
用いて載置されたガラス基板3を冷却するものであって
もよい。温度調節ホルダ211は、数枚のガラス基板3
を載置することができるような数段の棚を有している。
The exposure apparatus 2 includes a temperature control section 21, a transport section 22, and an exposure processing section (exposure section) 23.
The temperature control unit 21 includes a temperature control holder 211 for controlling the temperature of the placed glass substrate 3.
Reference numeral 1 denotes a heat sink configured by attaching a radiation fin 213 to a lower portion of the table 212 as shown in FIG. The glass substrate 3 is placed on the temperature control holder 211 of the exposure device 2 by the arm 151 of the resist coating device 1, and the temperature is controlled (usually cooled). The temperature adjustment holder 211 may cool the placed glass substrate 3 using a refrigerant such as Fluorinert. The temperature control holder 211 includes several glass substrates 3
Have several levels of shelves on which shelves can be placed.

【0030】搬送部22はガラス基板3を吸着保持して
移動させるアーム221を備え、温度調節ホルダ211
上に載置されたガラス基板3を露光処理部23に搬送す
る。
The transfer section 22 includes an arm 221 for moving the glass substrate 3 by suction and holding the glass substrate 3.
The glass substrate 3 placed thereon is transported to the exposure processing section 23.

【0031】露光処理部23は、この実施形態ではステ
ップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置であり、
複数のレチクルを交換しながら、ガラス基板3上に該レ
チクルのパターンの像を隣接するショット間でつなぎ合
わせつつ順次露光転写する装置である。
The exposure processing unit 23 is a step-and-stitch projection exposure apparatus in this embodiment.
This is an apparatus for sequentially exposing and transferring images of the pattern of the reticle on the glass substrate 3 while connecting the adjacent shots while exchanging a plurality of reticles.

【0032】以下、詳細な図示はしないが、露光処理部
23の構成を概説する。例えば、KrFエキシマレーザ
(波長248nm)を発振する露光用光源からパルス発
光されたレーザビームは、ビーム整形・変調光学系、オ
プチカルインテグレータ、開口絞り、リレーレンズ、コ
ンデンサレンズ等を有する照明光学系を介して、レチク
ルステージ上に保持されたレチクルを均一な照度分布で
照明する。
Hereinafter, although not shown in detail, the configuration of the exposure processing section 23 will be outlined. For example, a laser beam pulsed from an exposure light source that oscillates a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) passes through an illumination optical system including a beam shaping / modulation optical system, an optical integrator, an aperture stop, a relay lens, a condenser lens, and the like. Thus, the reticle held on the reticle stage is illuminated with a uniform illuminance distribution.

【0033】レチクルステージには例えば4枚のレチク
ルが保持されており、各レチクルはレーザ干渉計とモー
タとによって、投影光学系231の上方に設定される。
レチクルの各々はレチクルステージ上でX、Y、θ(回
転)方向に微動可能に構成されており、レチクルアライ
メント系を用いてレチクルを微動することによって、レ
チクルは転写すべきパターン領域の中心点が投影光学系
231の光軸とほぼ一致するように位置決めされる。
The reticle stage holds, for example, four reticles, and each reticle is set above the projection optical system 231 by a laser interferometer and a motor.
Each of the reticles is configured to be finely movable in the X, Y, and θ (rotation) directions on a reticle stage. By finely moving the reticle using a reticle alignment system, the center of the pattern area to be transferred is adjusted. It is positioned so as to substantially coincide with the optical axis of the projection optical system 231.

【0034】レチクルを通過した照明光は両側テレセン
トリックな投影光学系231に入射し、投影光学系23
1はレチクルのパターンの投影像を等倍で、表面にレジ
スト層が形成され、その表面が投影光学系231の結像
面とほぼ一致するように保持されたガラス基板3上に結
像投影する。
The illumination light having passed through the reticle enters a projection optical system 231 which is telecentric on both sides, and the projection optical system 23
Reference numeral 1 denotes an image of the projected image of the reticle pattern at the same magnification, which is formed on a glass substrate 3 having a resist layer formed on the surface thereof and held so that the surface substantially coincides with the image forming surface of the projection optical system 231. .

【0035】ガラス基板3は基板ホルダを介して基板ス
テージ232上に載置されている。基板ステージ232
はモータによりステップ・アンド・リピート方式で2次
元移動可能に構成されており、ガラス基板3に対するレ
チクルの像の転写露光が終了すると、次のショット位置
までステッピングする。基板ステージ232の2次元的
な位置はレーザ干渉計によって、所定の分解能で常時検
出される。
The glass substrate 3 is placed on a substrate stage 232 via a substrate holder. Substrate stage 232
Is configured to be two-dimensionally movable in a step-and-repeat manner by a motor. When transfer exposure of an image of a reticle onto the glass substrate 3 is completed, stepping is performed to the next shot position. The two-dimensional position of the substrate stage 232 is always detected at a predetermined resolution by a laser interferometer.

【0036】なお、レチクルステージや基板ステージ2
32やその他の装置は、主制御装置により制御される。
露光処理部23は床に設置されるベースプレート上に防
振装置等を介して設置されている。
The reticle stage and the substrate stage 2
32 and other devices are controlled by the main controller.
The exposure processing section 23 is installed on a base plate installed on the floor via a vibration isolator or the like.

【0037】上述した温調部21、搬送部22及び露光
処理部23は、温度、湿度及び清浄度が厳密に管理され
たサーマルチャンバ5内に設置されている。また、この
実施形態では、レジスト塗布装置1の一部である冷却部
14及び搬送部(バッファ部)15もこのサーマルチャ
ンバ5内に設置されている。
The above-mentioned temperature control section 21, transport section 22 and exposure processing section 23 are installed in a thermal chamber 5 in which temperature, humidity and cleanliness are strictly controlled. In this embodiment, a cooling unit 14 and a transport unit (buffer unit) 15 that are part of the resist coating device 1 are also installed in the thermal chamber 5.

【0038】サーマルチャンバ5は、図示は省略する
が、チャンバ内の環境を所定の状態に維持するための空
調装置を備えており、HEPAフィルタなどの浄化装置
を介してダクトなどにより接続された空調装置により、
チャンバ内の気体(例えば、空気)の温度を制御して循
環させることで、所定温度(23°C程度)に制御す
る。このチャンバ内の温度は、チャンバ内の所定の位置
に設置された温度センサなどの検出結果に基づいて、前
記所定温度となるように空調装置の制御部により制御さ
れる。
Although not shown, the thermal chamber 5 is provided with an air conditioner for maintaining the environment in the chamber in a predetermined state, and is connected to the air conditioner by a duct or the like via a purification device such as a HEPA filter. Depending on the device,
By controlling and circulating the temperature of the gas (for example, air) in the chamber, the temperature is controlled to a predetermined temperature (about 23 ° C.). The temperature in the chamber is controlled by the control unit of the air conditioner to reach the predetermined temperature based on a detection result of a temperature sensor or the like installed at a predetermined position in the chamber.

【0039】サーマルチャンバ5とチャンバ4の相対す
る面には、それぞれガラス基板3を搬出入するための開
口が形成されている。サーマルチャンバ5の開口には、
サーマルチャンバ5内の環境を維持するため、ガラス基
板3を搬入するとき以外は該開口を閉塞する開閉扉が設
けられていてもよい。
Openings for loading and unloading the glass substrate 3 are formed on opposing surfaces of the thermal chamber 5 and the chamber 4, respectively. In the opening of the thermal chamber 5,
In order to maintain the environment in the thermal chamber 5, an opening / closing door for closing the opening may be provided except when the glass substrate 3 is carried in.

【0040】なお、露光光としては、KrFエキシマレ
ーザ光の他、水銀ランプのi線(波長365nm)、A
rFエキシマレーザ光(波長193nm)、F レー
ザ光(波長157nm)、あるいはYAGレーザなどの
高調波等が使用できる。ArFエキシマレーザ光と同程
度以下の波長の露光光を用いる場合には、照明光学系や
投影光学系の光路の一部又は全部を、窒素やヘリウムな
どの不活性ガスにより置換する所謂ガスパージが行われ
る。
The exposure light includes KrF excimer laser light, a mercury lamp i-line (wavelength 365 nm), A
rF excimer laser beam (wavelength 193 nm), F 2 laser beam (wavelength 157 nm), or a harmonic like such as YAG laser can be used. When exposure light having a wavelength equal to or less than that of the ArF excimer laser light is used, a so-called gas purge is performed in which part or all of the optical path of the illumination optical system or the projection optical system is replaced with an inert gas such as nitrogen or helium. Will be

【0041】しかして、処理対象としてのガラス基板3
は、基板キャリア111に収納された状態でチャンバ4
内に搬入され、レジスト塗布装置1のキャリア載置部1
1上に載置される。この基板キャリア11内のガラス基
板3は搬送アームにより取り出されて、レジスト塗布部
12に搬送され、ここでフォトレジストが塗布され、次
いで乾燥部13にて加熱乾燥させられる。乾燥後のガラ
ス基板3は、搬送アームにより、チャンバ4及びサーマ
ルチャンバ5の相対する開口を通過させられてサーマル
チャンバ5内に搬入され、冷却部14のクーリングプレ
ート141上に搬送される。
The glass substrate 3 to be processed is
The chamber 4 is housed in the substrate carrier 111.
And the carrier mounting unit 1 of the resist coating apparatus 1
1. The glass substrate 3 in the substrate carrier 11 is taken out by the transfer arm and transferred to the resist coating unit 12 where the photoresist is coated and then dried by heating in the drying unit 13. The dried glass substrate 3 is passed through the openings of the chamber 4 and the thermal chamber 5 by the transfer arm, is loaded into the thermal chamber 5, and is transferred onto the cooling plate 141 of the cooling unit 14.

【0042】ガラス基板3は、クーリングプレート14
1上で、サーマルチャンバ5内の温度まで、又はそれに
近くなるまで冷却され、アーム151によって、温度調
節ホルダ211に空きがある場合には該温度調節ホルダ
211上に移載される。ガラス基板3は温度調節ホルダ
211に空きがない場合にはバッファキャリア152に
一時保管され、温度調節ホルダ211に空きが生じた時
点で、アーム151によりバッファキャリア152から
取り出されて温度調節ホルダ211上に載置される。
The glass substrate 3 has a cooling plate 14
1, the temperature is cooled down to or close to the temperature in the thermal chamber 5, and is transferred by the arm 151 onto the temperature control holder 211 when there is a space in the temperature control holder 211. The glass substrate 3 is temporarily stored in the buffer carrier 152 when there is no space in the temperature control holder 211, and is taken out from the buffer carrier 152 by the arm 151 when the temperature control holder 211 becomes free, and the glass substrate 3 is placed on the temperature control holder 211. Placed on

【0043】レジスト塗布装置1の冷却部14及び搬送
部(バッファ部)15は、露光装置2と同じサーマルチ
ャンバ5内に設置されているので、ガラス基板3は温度
調節ホルダ211に載置された時点で、サーマルチャン
バ5内に従来よりも長時間存在していることになる。従
って、ガラス基板3は露光装置2の温度調節ホルダ21
1上に載置された時点で、サーマルチャンバ5内の温度
に十分に馴染んでいる(ほぼ一致している)。
Since the cooling section 14 and the transport section (buffer section) 15 of the resist coating apparatus 1 are set in the same thermal chamber 5 as the exposure apparatus 2, the glass substrate 3 is placed on the temperature control holder 211. At this point, it will be present in the thermal chamber 5 for a longer time than before. Therefore, the glass substrate 3 is placed on the temperature control holder 21 of the exposure apparatus 2.
At the time of being placed on 1, the temperature is sufficiently adjusted to the temperature in the thermal chamber 5 (substantially coincides).

【0044】これにより、露光処理部23がその前に搬
入されたガラス基板に対する処理が終了した時点で、ア
ーム221は速やかに温度調節ホルダ211上のガラス
基板3を露光処理部23に搬入することができ、従来の
ように、温度調節ホルダ211上でガラス基板3の温度
がサーマルチャンバ5内の温度に馴染むまで、露光処理
の開始待つ必要がなくなり、スループット(単位時間当
たりの処理数)を向上することができる。
As a result, when the exposure processing unit 23 finishes processing the glass substrate carried in before it, the arm 221 immediately carries the glass substrate 3 on the temperature control holder 211 into the exposure processing unit 23. This eliminates the need to wait for the start of the exposure process until the temperature of the glass substrate 3 adjusts to the temperature in the thermal chamber 5 on the temperature adjustment holder 211 as in the related art, thereby improving the throughput (the number of processes per unit time). can do.

【0045】また、図4及び図5に示した従来技術と比
較して、サーマルチャンバ5を拡大して、チャンバ4を
縮小するだけで対応可能なので、それほどコストを上昇
させることもなく、装置が大型化することもない。
Further, as compared with the prior art shown in FIGS. 4 and 5, the thermal chamber 5 can be accommodated only by enlarging the thermal chamber 5 and reducing the size of the chamber 4, so that the apparatus can be manufactured without increasing the cost so much. There is no increase in size.

【0046】さらに、温調部21(温度調節ホルダ21
1)の温調機能を省略して、ガラス基板3の単なる載置
台(バッファ)とすることができ、あるいは温調部21
の全体を省略して、バッファキャリア152から直接的
に露光処理部23にガラス基板3を搬入するようにする
こともでき、装置の小型化、低コスト化を積極的に図る
ことも可能である。温度調節ホルダ211などを省略し
た場合には、ガラス基板3を温度調節ホルダ211から
剥離する際に発生する静電気を防止することができると
いうメリットもある。
Further, the temperature control section 21 (temperature control holder 21)
The temperature control function of 1) can be omitted and a simple mounting table (buffer) for the glass substrate 3 can be used.
Can be omitted, and the glass substrate 3 can be directly carried into the exposure processing section 23 from the buffer carrier 152, and the size and cost of the apparatus can be positively reduced. . When the temperature control holder 211 and the like are omitted, there is also an advantage that static electricity generated when the glass substrate 3 is separated from the temperature control holder 211 can be prevented.

【0047】なお、クーリングプレート141、アーム
151、バッファキャリア152、温度調節ホルダ21
1、アーム221などに温度センサを設け、それぞれの
箇所でガラス基板3の温度を検出しつつ搬送することに
より、ガラス基板3の温度を一層厳密に管理することが
できる。例えば、ガラス基板3のクーリングプレート1
41から温度調節ホルダ211までの搬送時間を予測し
て、その間における温度変化を加味して、クーリングプ
レート141からガラス基板3を早期に搬出することに
より、さらにスループットを向上することが可能であ
る。
The cooling plate 141, the arm 151, the buffer carrier 152, the temperature control holder 21
1. The temperature of the glass substrate 3 can be more strictly controlled by providing a temperature sensor on the arm 221 and the like and transporting the glass substrate 3 while detecting the temperature of the glass substrate 3 at each location. For example, the cooling plate 1 of the glass substrate 3
By estimating the transfer time from 41 to the temperature control holder 211 and taking the temperature change during that time into account and carrying out the glass substrate 3 from the cooling plate 141 at an early stage, the throughput can be further improved.

【0048】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。従って、
上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的
範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。
The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore,
Each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

【0049】例えば、上述した実施形態では、レジスト
塗布装置1の一部として冷却部14及び搬送部(バッフ
ァ部)15を露光装置2が設置されたサーマルチャンバ
5内に併置するようにしたが、搬送部(バッファ部)1
5のみをサーマルチャンバ5内に併置するようにしても
よい。
For example, in the above-described embodiment, the cooling section 14 and the transport section (buffer section) 15 are arranged side by side in the thermal chamber 5 in which the exposure apparatus 2 is installed as a part of the resist coating apparatus 1. Transport unit (buffer unit) 1
Alternatively, only 5 may be provided in the thermal chamber 5.

【0050】また、上記の実施形態では、露光装置2
(露光処理部23)は、静止露光方式でつなぎ合わせ
(スティッチ)露光を行う等倍投影型露光装置であるも
のとして説明したが、走査露光方式でつなぎ合わせ露光
を行う等倍投影型露光装置であってもよい。ミラープロ
ジェクション方式やプロキシミティ方式、コンタクト方
式等であってもよい。投影方式も等倍投影型に限られ
ず、縮小投影型あるいは拡大投影型であってもよい。
In the above embodiment, the exposure apparatus 2
The (exposure processing unit 23) has been described as an equal-magnification projection exposure apparatus that performs stitching exposure by a static exposure method. There may be. A mirror projection system, a proximity system, a contact system, or the like may be used. The projection method is not limited to the 1: 1 projection type, but may be a reduction projection type or an enlargement projection type.

【0051】また、液晶表示装置の製造に用いられる基
板処理装置に限られず、プラズマ表示装置、半導体素
子、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCDなど)、マイク
ロマシン等のマイクロデバイスの製造に用いられるもの
であってもよい。さらに、このようなマイクロデバイス
の製造に用いられるものに限定されず、レチクル又はマ
スクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハ
などに回路パターンを形成する基板処理装置にも本発明
を適用できる。即ち、本発明は、露光方式や用途等に関
係なく適用可能である。
The present invention is not limited to a substrate processing apparatus used for manufacturing a liquid crystal display device, but may be used for manufacturing micro devices such as a plasma display device, a semiconductor device, a thin film magnetic head, an image pickup device (eg, a CCD), and a micromachine. There may be. Further, the present invention is not limited to the one used for manufacturing such a micro device, and the present invention can be applied to a substrate processing apparatus for forming a circuit pattern on a glass substrate or a silicon wafer for manufacturing a reticle or a mask. That is, the present invention can be applied irrespective of the exposure method, application, and the like.

【0052】レチクルなどを製造するためのステップ・
アンド・スティッチ(つなぎ合わせ)方式の縮小投影型
露光装置を用いる場合には、基板(例えば、レチクル基
板)に形成すべき回路パターンをその縮小倍率の逆数倍
だけ拡大し、その拡大パターンを複数に分割してそれぞ
れ複数のレチクルに形成し、この複数のレチクルの各パ
ターンを縮小投影して、基板上でつなぎ合わせて転写す
る。各レチクルのパターンを基板上に転写するときには
走査露光方式及び静止露光方式のいずれを採用してもよ
い。また、基板上で隣接して転写される複数のパターン
間でその接続部がなくてもよい。即ち、スティッチ方式
とは、パターンの接続部の有無に関係なく、基板上で部
分的に重畳する複数の被露光領域にそれぞれレチクルの
パターンを転写するものである。
Steps for manufacturing a reticle and the like
In the case of using an AND stitch (joining) reduction projection type exposure apparatus, a circuit pattern to be formed on a substrate (for example, a reticle substrate) is enlarged by a reciprocal multiple of the reduction magnification, and a plurality of the enlarged patterns are formed. The reticle is formed into a plurality of reticles, and the respective patterns of the plurality of reticles are reduced and projected, and are connected and transferred on a substrate. When transferring the pattern of each reticle onto the substrate, either a scanning exposure method or a static exposure method may be adopted. Further, the connecting portion may not be provided between a plurality of patterns transferred adjacently on the substrate. That is, the stitch method is to transfer a reticle pattern to a plurality of exposure areas that partially overlap on a substrate, regardless of the presence or absence of a pattern connection.

【0053】本発明が適用される基板処理装置を構成す
る露光装置2の光源としては、特に限定されず、KrF
エキシマレーザ(波長248nm)の他、ArFエキシ
マレーザ(波長193nm)、Fレーザ(波長15
7nm)、Krレーザ(波長146nm)、KrA
rレーザ(波長134nm)、Arレーザ(波長1
26nm)等を用いることができる。
The light source of the exposure apparatus 2 constituting the substrate processing apparatus to which the present invention is applied is not particularly limited.
Other excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 laser (wavelength 15
7 nm), Kr 2 laser (wavelength 146 nm), KrA
r laser (wavelength 134 nm), Ar 2 laser (wavelength 1
26 nm) can be used.

【0054】また、例えば、DFB半導体レーザ又はフ
ァイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単
一波長レーザを、エルビウム(又はエルビウムとイット
リビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増
幅し、さらに非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換
した高調波を用いてもよい。なお、単一波長発振レーザ
としてはイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを
用いる。
For example, a single-wavelength laser in the infrared or visible range oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and yttrium), and further amplified. It is also possible to use a harmonic whose wavelength has been converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal. Note that an ytterbium-doped fiber laser is used as the single-wavelength oscillation laser.

【0055】また、波長10nm前後の軟X線を光源に
する縮小投影露光装置、波長1nm前後を光源にするX
線露光装置、パターンデータに従って電子線ビーム(E
B)やイオンビームなどにより感光基板上に露光描画す
る露光装置を用いる場合にも適用することが可能であ
る。
A reduction projection exposure apparatus using a soft X-ray having a wavelength of about 10 nm as a light source, and an X-ray projection apparatus using a light source having a wavelength of about 1 nm.
Line exposure apparatus, electron beam (E
The present invention can also be applied to a case where an exposure apparatus that exposes and draws on a photosensitive substrate using B) or an ion beam is used.

【0056】ところで、前述した基板処理装置は、照明
光学系、レチクルステージ、基板ステージ232、投影
光学系231、アライメント装置等の各要素が電気的、
機械的、又は光学的に連結して組み上げられた後、総合
調整(電気調整、動作確認等)することにより製造され
た露光処理部23、搬送部22、温調部21、さらには
レジスト塗布装置1の冷却部14及び搬送部(バッファ
部)15をサーマルチャンバ5内に収容設置し、これに
隣接されたチャンバ4内にレジスト塗布装置1のキャリ
ア載置台11、塗布部12及び乾燥部13を収容設置し
て、調整することにより製造される。なお、露光処理部
23を含むサーマルチャンバ5内に収容設置される各装
置の製造は、温度及びクリーン度等が管理されたクリー
ンルームで行うことが望ましい。
In the above-described substrate processing apparatus, the illumination optical system, the reticle stage, the substrate stage 232, the projection optical system 231, the alignment device, and other components are electrically connected.
After being assembled mechanically or optically, the exposure processing unit 23, the transport unit 22, the temperature control unit 21, and the resist coating device manufactured by performing comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, etc.) The cooling unit 14 and the transporting unit (buffer unit) 15 are housed and installed in the thermal chamber 5, and the carrier mounting table 11, the coating unit 12, and the drying unit 13 of the resist coating device 1 are installed in the chamber 4 adjacent to the cooling unit 14. It is manufactured by housing and installing and adjusting. In addition, it is desirable that the manufacture of each device housed and installed in the thermal chamber 5 including the exposure processing unit 23 be performed in a clean room in which temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0057】また、マイクロデバイスは、デバイスの機
能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づ
いたレチクルを製作するステップ、ガラス基板やシリコ
ンウエハなどの基板を制作するステップ、前述の実施形
態の基板処理装置のレジスト塗布装置1によりレジスト
層を形成するステップ、該基板処理装置の露光装置2に
よりレチクルのパターンを基板に露光転写するステッ
プ、露光転写されたパターンをデベロッパ(現像装置)
により現像するステップ、デバイス組み立てステップ
(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程
を含む)、検査ステップなどを経て製造される。
In the micro device, a step of designing the function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a substrate such as a glass substrate or a silicon wafer, A step of forming a resist layer by a resist coating device 1 of a processing apparatus, a step of exposing and transferring a reticle pattern onto a substrate by an exposure apparatus 2 of the substrate processing apparatus, a developer (developing apparatus)
, A device assembling step (including a dicing step, a bonding step, and a package step), an inspection step, and the like.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
基板処理装置を構成するレジスト塗布装置の一部を露光
装置が設置された空調チャンバ内に設置するようにした
ので、装置の高コスト化や大型化を招くことなく、スル
ープットや処理効率を向上することができるという効果
がある。また、装置の低コスト化、小型化を積極的に図
ることも可能になるという効果がある。
As described above, according to the present invention,
Since a part of the resist coating apparatus constituting the substrate processing apparatus is installed in the air conditioning chamber in which the exposure apparatus is installed, the throughput and processing efficiency are improved without increasing the cost and size of the apparatus. There is an effect that can be. Also, there is an effect that it is possible to actively reduce the cost and size of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態の基板処理装置の全体構成
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態の基板処理装置の全体構成
を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態の基板処理装置の温調部を
拡大した図である。
FIG. 3 is an enlarged view of a temperature control unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図4】 従来の基板処理装置の全体構成を示す平面図
である。
FIG. 4 is a plan view showing an overall configuration of a conventional substrate processing apparatus.

【図5】 従来の基板処理装置の全体構成を示す側面図
である。
FIG. 5 is a side view showing an overall configuration of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レジスト塗布装置 11…キャリア載置部 111…基板キャリア 12…レジスト塗布部 13…乾燥部 14…冷却部 141…クーリングプレート 15…搬送部 151…アーム 152…バッファ部 2…露光装置 21…温調部 211…温度調節ホルダ 22…搬送部 221…アーム 23…露光処理部(露光部) 231…投影光学系 232…基板ステージ 3…ガラス基板 4…チャンバ 5…サーマルチャンバ(空調チャンバ) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Resist application apparatus 11 ... Carrier mounting part 111 ... Substrate carrier 12 ... Resist application part 13 ... Drying part 14 ... Cooling part 141 ... Cooling plate 15 ... Conveying part 151 ... Arm 152 ... Buffer part 2 ... Exposure device 21 ... Temperature Adjusting unit 211 Temperature control holder 22 Transport unit 221 Arm 23 Exposure processing unit (exposure unit) 231 Projection optical system 232 Substrate stage 3 Glass substrate 4 Chamber 5 Thermal chamber (air conditioning chamber)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 564C ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 564C

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理対象としての基板に感光材料を塗布
する塗布部、該感光材料が塗布された基板を冷却する冷
却部及び冷却された基板を一時的に収納するバッファ部
を有する塗布装置、並びに前記基板上にマスクのパター
ンの像を転写する露光部及び前記バッファ部からの基板
を受け取り該露光部まで搬送する搬送部を有する露光装
置を備えた基板処理装置において、 前記露光装置の前記搬送部及び前記露光部並びに前記塗
布装置の少なくとも前記バッファ部を同一の空調チャン
バ内に設置したことを特徴とする基板処理装置。
A coating unit for coating a photosensitive material on a substrate to be processed, a cooling unit for cooling the substrate coated with the photosensitive material, and a buffer unit for temporarily storing the cooled substrate; A substrate processing apparatus comprising: an exposure unit that transfers an image of a pattern of a mask onto the substrate; and a transport unit that receives a substrate from the buffer unit and transports the substrate to the exposure unit. A substrate processing apparatus, wherein the unit, the exposure unit, and at least the buffer unit of the coating device are installed in the same air-conditioning chamber.
【請求項2】 前記塗布装置の前記冷却部をも前記空調
チャンバ内に設置したことを特徴とする請求項1に記載
の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said cooling unit of said coating apparatus is also installed in said air conditioning chamber.
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