JP2001183835A - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition

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JP2001183835A
JP2001183835A JP36700599A JP36700599A JP2001183835A JP 2001183835 A JP2001183835 A JP 2001183835A JP 36700599 A JP36700599 A JP 36700599A JP 36700599 A JP36700599 A JP 36700599A JP 2001183835 A JP2001183835 A JP 2001183835A
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diamine
dihydroxydiphenyl
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bis
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Masahito Nishikawa
Miyuki Sakamoto
幸 坂本
雅人 西川
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Asahi Kasei Corp
Clariant (Japan) Kk
クラリアント ジャパン 株式会社
旭化成株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition having high sensitivity, giving a high contrast pattern, capable of shortening a development time and excellent in the resolution, adhesiveness and pattern shape of a minute pattern. SOLUTION: The new positive type photosensitive resin composition contains (A) 100 pts.wt. polyamide containing repeating units of a specified formula, (B) 1-50 pts.wt. photosensitive quinonediazido compound and (C) 1-50 pts.wt. amidophenol compound of a specified formula as essential components.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術的分野】本発明は高感度で高コントラストのパターンが得られると同時に、現像時間を短縮でき、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れる感光性樹脂組成物に関するものである。 The present invention TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION simultaneously the high contrast pattern is obtained with high sensitivity, can reduce the development time, resolution and adhesion of fine patterns, it relates to a photosensitive resin composition having excellent pattern shape it is intended.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として、優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。 Conventionally, a surface protective film of a semiconductor element, an interlayer insulating film, excellent heat resistance and electrical properties, and a polyimide resin is used having both a like mechanical properties. 近年、半導体素子の更なる高集積化、大型化が進む中、封止樹脂パッケージの薄型化、小型化の要求に応えるため LOC( リード・オン・チップ) や半田リフローによる表面実装等の方式が採用され、これまで以上に微細加工性、機械特性、耐熱性等に優れたポリイミド樹脂が必要とされるようになってきた。 Recently, higher integration of semiconductor devices, in which large advances, thinning of the sealing resin package, method of surface mounting due LOC (lead-on-chip) or solder reflow in order to meet the demand for miniaturization is employed, fine processability than ever, mechanical properties, excellent polyimide resin heat resistance and the like has come to be required. これらの要求に対し、ポリイミド樹脂自身に感光性能を付与することで光による微細パターンの形成を容易にした感光性ポリイミド樹脂が開発・実用化され、広く用いられてきている。 In response to these requirements, photosensitive polyimide resin which facilitates the formation of a fine pattern by light has been developed and put into practical use by applying the polyimide resin itself to photosensitivity, it has been widely used. これらの技術の発展として、最近、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂の研究がなされており、例えば、特公平01-4 As development of these technologies, recently, it has been made studies of positive-type photosensitive resin which can developed in an alkaline aqueous solution, for example, Kokoku 01-4
6862号公報、特開平08-269198 号公報、特開昭64-6947 6862, JP-A No. 08-269198, JP-Sho 64-6947
号公報, 特開平3-20743 号公報においてはポリベンゾオキサゾール樹脂とキノンジアジド系感光剤よりなるポジ型感光性樹脂が開示されている。 JP positive photosensitive resin consisting of polybenzoxazole resin and a quinonediazide type photosensitive substance is disclosed in JP-A-3-20743 JP. これは優れた耐熱性、 This excellent heat resistance,
電気特性、微細加工性をもち、ウェハーコート用途のみならず層間絶縁膜としての適用の可能性がある。 Electrical properties, has fine processability, the possibility of application as the interlayer insulating film not wafer coating applications only.

【0003】しかし、これらの感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂は、ノボラック樹脂とキノンジアジド系感光剤からなる一般のポジレジストと比較すると、露光部と未露光部の溶解度差が小さく、すなわち低コントラストであり、かつ著しく低感度であるため実用上は問題があった。 However, these photosensitive polybenzoxazole resin is different from the positive resist generally consisting of a novolak resin and a quinonediazide type photosensitive substance, the solubility difference between the exposed and unexposed areas is small, that is, low contrast, and practical because of the significantly lower sensitivity was a problem. この技術に関しては、例えば特開平 9-321038 号公報、特開平 8-123034 号公報において開示されている技術も知られているが、コントラストを高めるためにキノンジアジド系感光剤の添加量を増やすと、現像時間が非常に長くなったり、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状が悪化する等の課題があり、未だ十分な特性が得られているとはいえなかった。 For this technique, for example, JP-A 9-321038 discloses, also known technology disclosed in JP-A 8-123034 discloses, increasing the amount of quinonediazide type photosensitive substance to enhance the contrast, or developing time becomes very long, resolution and adhesion of fine patterns, there are problems such as a pattern shape worse, not be said to be still insufficient characteristics are obtained.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これら従来から要望されていた特性を同時に満たす感光性樹脂組成物を提供すること、すなわち、高感度で高コントラストのパターンを得られると同時に、現像時間を短縮でき、 [SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to provide a photosensitive resin composition that satisfies the characteristics has been demanded from such conventional simultaneously, i.e., at the same time obtain a high contrast pattern with high sensitivity, developing It can reduce the time,
微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れた感光性樹脂組成物を提供することを目的とするものである。 Resolution and adhesion of the fine pattern, it is an object to provide a photosensitive resin composition having excellent pattern shape.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、特定の構造を有するポリアミド(A)とキノンジアジド系感光剤、及び特定の化合物(C)よりなる感光性樹脂組成物が前記特性を満たし得ることを見出した。 The present inventors Means for Solving the Problems] is quinonediazide type photosensitive substance and the polyamide (A) having a specific structure, and a photosensitive resin composition consisting of specific compounds (C) can satisfy the characteristics it was found that. すなわち、本発明は、 (A)下記一般式(1)の繰返し単位を含むポリアミド100重量部、 That is, the present invention is 100 parts by weight of a polyamide comprising repeating units of (A) the following general formula (1),

【0006】 [0006]

【化8】 [Of 8] 〔式中X 1 [Wherein X 1 is

【0007】 [0007]

【化9】 [Omitted] 1は、単結合、−O−、−C(CF 32 −、−CO A 1 represents a single bond, -O -, - C (CF 3) 2 -, - CO
−、−SO 2 −X 2 、X 4 -, - SO 2 -X 2, X 4 is

【0008】 [0008]

【化10】 [Of 10] 2は、単結合、−O−、−C(CF 32 −、−CO A 2 represents a single bond, -O -, - C (CF 3) 2 -, - CO
−、−SO 2 −X 3は2価の有機基 a,bはモル分率を表し、a+b=100モル% a=60〜100モル% b=0〜40モル% X 5は、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族、脂環式または芳香族基である。 -, - SO 2 -X 3 is a divalent organic group a, b represents the molar fraction, a + b = 100 mol% a = 60 to 100 [mol% b = 0 to 40 mole% X 5 is an alkenyl group or aliphatic having at least one alkynyl group, an alicyclic or aromatic group. 〕 (B)感光性キノンジアジド化合物1〜100重量部および (C)下記一般式(2)又は(3)で示されるアミドフェノール化合物1〜100重量部を必須成分とするポジ型感光性樹脂組成物である。 ] (B) a photosensitive quinone diazide compounds 1 to 100 parts by weight of (C) the following general formula (2) or (3) The positive photosensitive resin composition according to amidophenol compounds 1 to 100 parts by weight of essential component represented by it is.

【0009】 [0009]

【化11】 [Of 11] 〔Yは単結合または [Y represents a single bond or

【0010】 [0010]

【化12】 [Of 12] 1 、Z 2 Z 1, Z 2 is

【0011】 [0011]

【化13】 [Of 13] 式中R 1は炭素数1〜15の炭化水素基、R 2 、R 3 Wherein R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, R 2, R 3,
4は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン、R 5は炭素数2〜10の飽和脂肪族炭化水素基またはアルケニル基もしくはアルキニル基を少なくとも1個を有する脂肪族基または環式化合物基〕、 R 4 is an alkyl group or a halogen C1-6 hydrogen or C, R 5 is an aliphatic group or cyclic having at least one saturated aliphatic hydrocarbon group or an alkenyl group or an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms compound group],

【0012】 [0012]

【化14】 [Of 14] 〔Z 1 、Z 2は上記に同じ。 [Z 1, Z 2 are as defined above. ]

【0013】本発明におけるポリアミド(A)は、特開昭64-6947 号公報、特開昭60-223824 号公報、特開昭63 [0013] Polyamide (A) in the present invention, JP-64-6947, JP-Sho 60-223824, JP-Sho 63
-96162号公報、特開平5-197153号公報等に記載の方法である、ジカルボン酸を塩化チオニル等を用いて酸クロライド化し、ジヒドロキシジアミンと縮合させる方法や、 -96,162 discloses a method described in JP-A 5-197153 Patent Publication, a method for an acid chloride by using thionyl chloride or the like dicarboxylic acids, engaged dihydroxy diamine and condensation,
ジカルボン酸とジヒドロキシジアミンをジシクロヘキシルカルボジイミド等の縮合剤により縮合する方法により得ることができる。 The dicarboxylic acids and dihydroxy diamine can be obtained by a method of condensing a condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide. これら縮合の際、ジカルボン酸に対して、ジヒドロキシジアミンを小過剰量を使用し、縮合する方法に引き続いて、酸無水物等を利用してアミンの末端を酸アミド化することにより得る。 During these condensation, the dicarboxylic acid, dihydroxy diamine using small excess, following the method of condensation, obtained by amide-ended amine using an acid anhydride or the like. このポリアミドを約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化する。 Cyclodehydration with heating the polyamide at about 300 to 400 ° C., changes in heat resistant resin that polybenzoxazole.

【0014】本発明におけるジカルボン酸としては例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、3,3´ [0014] As the dicarboxylic acid in the present invention such as phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 3,3'
−ジフェニルジカルボン酸、3,4´−ジフェニルジカルボン酸、4,4´−ジフェニルジカルボン酸、3,3 - diphenyl dicarboxylic acid, 3,4'-diphenyl dicarboxylic acid, 4,4'-diphenyl dicarboxylic acid, 3,3
´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3´− ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4´− ベンゾフェノンジカルボン酸、4,4´− ベンゾフェノンジカルボン酸、3,3´−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3, '- diphenyl ether dicarboxylic acid, 3,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3'-benzophenone dicarboxylic acid, 3, 4'-benzophenone dicarboxylic acid, 4,4'-benzophenone dicarboxylic acid, 3,3'-diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 3,
4´−ジフェニルスルホン−ジカルボン酸、4,4´− 4'-diphenylsulfone - dicarboxylic acid, 4,4'-
ジフェニルスルホンジカルボン酸等が挙げられる。 Such as diphenyl sulfone dicarboxylic acid. また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。 Also In use, it may be a mixture of two or more in one type.

【0015】一方のジヒドロキシジアミンとしては例えば、2,4 −ジヒドロキシ−m −フェニレンジアミン、 [0015] As one dihydroxy diamine, for example, 2,4 - dihydroxy -m - phenylenediamine,
2,5−ジヒドロキシ−p−フェニレンジアミン、4, 2,5-dihydroxy -p- phenylenediamine, 4,
6−ジアミノレゾルシノール、3,3´−ジアミノ− 6-diamino resorcinol, 3,3'-diamino -
4,4´−ジヒドロキシジフェニル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニル、3,3´ 4,4'-dihydroxydiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl, 3,3
−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3´−ジアミノ− - diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino -
4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4´−ジアミノ−3´, 4,4'-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 3,3 '- diamino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,4'-diamino-3',
4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4, 4-dihydroxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, 4,
4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルスルフォン等が挙げられる。 4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl sulfone, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl sulfone, and the like. また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。 Also In use, it may be a mixture of two or more in one type.

【0016】この際、ジヒドロキシジアミンの一部を、 [0016] In this case, the part of the dihydroxy diamine,
全ジアミンの40モル% を超えない範囲でフェノール性OH基を持たない芳香族またはシリコーンジアミンを使用することもできる。 It is also possible to use aromatic or silicone diamine having no phenolic OH group in a range not exceeding 40 mol% of the total diamine. フェノール性OHを持たないジアミンとしては例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノ−トルエン、3, The diamine having no phenolic OH For example, m- phenylenediamine, p- phenylenediamine, 2,5-diamino - toluene, 3,
5−ジアミノ−トルエン、2,4−ジアミノ−トルエン、m−キシレン−2,5−ジアミン,p−キシレン− 5-diamino - toluene, 2,4-diamino - toluene, m- xylene-2,5-diamine, p- xylene -
2,5−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリジン、2, 2,5-diamine, 2,6-diamino - pyridine, 2,
5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−1,3, 5-diamino - pyridine, 2,5-diamino-1,3,
4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−シクロヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジアミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジメチル−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、 4- oxadiazole, 1,4-diamino - cyclohexane, piperazine, methylene - diamine, ethylene - diamine, propylene - diamine, 2,2-dimethyl - propylene - diamine, tetramethylenediamine - diamine, pentamethylene - diamine, hexamethylene - diamine,
2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、3−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン− 2,5-dimethyl - hexamethylene - diamine, 3-methoxy - hexamethylene - diamine, heptamethylene -
ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、4,4′ Diamine, 2,5-dimethyl - heptamethylene - diamine, 3-methyl - heptamethylene - diamine, 4,4 '
−ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルプロパン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルエタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエタン、 - diamino - diphenyl propane, 3,3'-diamino - diphenyl propane, 4,4'-diamino - diphenyl ethane, 3,3'-diamino - diphenylethane,
4,4′−ジアミノ−ジフェニルメタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、 4,4'-diamino - diphenyl methane, 3,3'-diamino - diphenyl methane, 4,4'-diamino - diphenyl sulfide, 3,3'-diamino - diphenyl sulfide, 4,4'-diamino - diphenyl sulfone,
3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、4,4′− 3,3'-diamino - diphenyl sulfone, 4,4'
ジアミノ−ジフェニルエーテル、3 ,4′−ジアミノ− Diamino - diphenyl ether, 3, 4'-diamino -
ジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ− Diphenyl ether, 3,3'-diamino - diphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diamino -
ビフェニル、3,3′−ジメトキシ−ベンジジン、4, Biphenyl, 3,3'-dimethoxy - benzidine, 4,
4′−ジアミノ−p−テルフェニル、3,3′−ジアミノ−p−テルフェニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキシル)メタン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ−ペンチル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル− 4'-diamino -p- terphenyl, 3,3'-diamino -p- terphenyl, bis (p- amino - cyclohexyl) methane, bis (p-beta-amino -t- butyl phenyl) ether, bis (p -β- methyl -δ- aminopentyl) benzene, p- (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p- bis (1,1-dimethyl -
5−アミノ−ペンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ− 5-Amino - pentyl) benzene, 1,5-diamino -
ナフタレン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、1,3− Naphthalene, 2,6-diamino - naphthalene, 1,3
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(γ Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (gamma
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3 - aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3
−ビス(p−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン、1,3−ビス(4 - bis (p- aminophenyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (.gamma.-aminopropyl dimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis ( γ- aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (4
−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ジフェニルスルホン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2′−ビス〔4− - aminophenoxymethyl) tetramethyl disiloxane, 1,3-bis (3-amino-phenoxymethyl) tetramethyldisiloxane, 4,4-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy ) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenyl sulfone, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2'-bis [4-
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2′−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニルメタン、2,6−ジアミノ−4−カルボキシリックベンゼン(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)エステル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2'-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'- tetramethyl diphenyl methane, 2,6-diamino-4-carboxylic benzene (2-hydroxyethyl methacrylate) ester, and the like, but not limited thereto.
また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。 Also In use, it may be a mixture of two or more in one type. 全ジアミンのうち、フェノール性OH Of the total diamine, phenolic OH
を持たないジアミンのモル比が40% を超えると、本発明のポリアミドのアルカリ性現像液に対する親和性が著しく低下し、現像が実質的に不可能となるため好ましくない。 When the molar ratio of the diamine having no greater than 40%, the affinity is significantly reduced in alkaline developer of the polyamide of the present invention, the developer is not preferable because it becomes virtually impossible.

【0017】酸アミド化するために使用できる酸無水物等の例としては、無水マレイン酸、cis−4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、等が挙げられるがこれに限定されるものではない。 [0017] Examples of such acid anhydrides which can be used to acid amidation, maleic anhydride, cis-4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride things, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, do not may be mentioned as being limited thereto and the like. 次に本発明におけるキノンジアジド系感光剤(B)は、一般にポジレジストに使用される、ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォン酸エステルおよび/ Then quinonediazide type photosensitive substance (B) in the present invention, generally used in positive resist, the polyhydroxy compound 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and /
または1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォン酸エステルを含むキノンジアジド系感光剤であれば、特に限定されるものではない。 Or if quinonediazide type photosensitive substance comprising 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters, are not particularly limited.

【0018】本発明で用いるキノンジアジド系感光剤は、常法に従ってキノンジアジドスルフォン酸化合物をクロルスルフォン酸でスルフォニルクロライドとし、得られたキノンジアジドスルフォニルクロライドと、ポリヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。 The quinonediazide type photosensitive substance used in the present invention, a conventional method quinonediazide sulfonic acid compound as a sulfonyl chloride in chlorobenzene sulfonic acid in accordance with, and a quinone diazide sulfonyl chloride obtained can be obtained by condensation reaction of a polyhydroxy compound. 例えば、ポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォニルクロリドまたは1,2 For example, the polyhydroxy compound and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride or 1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルフォニルクロリドの所定量をジオキサン、アセトンまたはテトラヒドロフラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することにより得ることができる。 - dioxane predetermined amount of naphthoquinone diazide-4-sulfonyl chloride, in a solvent such as acetone or tetrahydrofuran, are reacted in the presence of a basic catalyst such as triethylamine perform esterification, washing the resulting product, dried it can be obtained by.

【0019】本発明で用いられる感光剤の母核となるポリヒドロキシ化合物の具体例としては、以下の化合物を挙げられるが、これらに限定されるものではない。 [0019] Specific examples of the polyhydroxy compound which is a nucleus of the photosensitive agent used in the present invention, there may be mentioned the following compounds, but the invention is not limited thereto. また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。 Also In use, it may be a mixture of two or more in one type. 以下具体例を列挙する。 The following Specific examples.

【0020】 [0020]

【化15】 [Of 15] 本発明で用いる感光剤の配合割合は、特に限定されるものではないが、ポリアミド100重量部に対して、通常、1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部である。 The mixing ratio of the photosensitive agent used in the present invention is not particularly limited, with respect to 100 parts by weight of polyamide, usually 1 to 100 parts by weight, preferably 1 to 50 parts by weight. この配合比率が少なすぎると十分なコントラストが得られず、逆に配合比率が多すぎるとパターンの解像度が大幅に低下するだけでなく、フィルムの引っ張り伸び率が著しく低下する。 If this blend ratio is too small, sufficient contrast can not be obtained, the inverse to the mixing ratio is too large, the pattern resolution not only greatly reduced, tensile elongation of the film is remarkably lowered.

【0021】本発明で用いられる上記一般式(2)又は(3)で表されるアミドフェノール化合物(C)は、対応するジヒドロキシジアミン、またはその塩酸塩と対応する酸無水物、スルフォニルクロライド等を反応させることで得ることができる。 The above formula used in the present invention (2) or (3) amide phenol compound represented by (C), the corresponding dihydroxy diamine or the corresponding acid anhydride and its hydrochloride salt, a sulfonyl chloride such as it can be obtained by reacting. 本発明におけるジヒドロキシジアミンとしては例えば、2,4 −ジヒドロキシ−m− The dihydroxy diamine in the present invention for example, 2,4 - dihydroxy -m-
フェニレンジアミン、2,5−ジヒドロキシ−p−フェニレンジアミン、4,6−ジアミノレゾルシノール、 Phenylenediamine, 2,5-dihydroxy -p- phenylenediamine, 4,6-diamino resorcinol,
3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4´−ジアミノ−3,3 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl, 3,3'- diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3
´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルエーテル、 '- dihydroxydiphenyl ether, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl ether,
3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、4,4´−ジアミノ−3, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 4,4'-diamino -3,
3´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,3´−ジアミノ− 3'-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 3,4'-diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane, 3,3'-diamino -
4,4´−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシベンゾフェノン、3, 4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,
4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルスルフォン等が挙げられる。 4'-diamino-3', 4-dihydroxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl sulfone, 3,4' diamino-3', 4-dihydroxydiphenyl sulfone, and the like.

【0022】一方の酸無水物、スルフォニルクロライドとしては無水フタル酸、1,2−ナフタレンジカルボン酸無水物、1,8−ナフタレンジカルボン酸無水物、無水トリメリト酸、無水グルタル酸、ジメチルグルタル酸無水物、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、 [0022] One of the acid anhydride, -sulfonyl phthalic anhydride as chloride, 1,2-naphthalene dicarboxylic acid anhydride, 1,8-naphthalene dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, glutaric anhydride, dimethyl glutaric anhydride , 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid anhydride,
4−メチルシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸、メチル無水マレイン酸、cis− 4-methyl-1,2-dicarboxylic anhydride, maleic acid, methyl maleic anhydride, cis-
4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、5 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, 5
−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、無水酢酸、ジ−t−ブチル−ジカルボネート、p−トルエンスルフォニルクロライド、メタンスルフォニルクロライド等が挙げられ、これはまた使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。 - norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, acetic anhydride, di -t- butyl - dicarbonate, p- toluenesulfonyl chloride, methanesulfonyl chloride or the like can be mentioned is, this is in use also, or may be a mixture of two or more at one.

【0023】本発明で用いるアミドフェノール化合物(C)の配合割合は、特に限定されるものではないが、 The amount of the amide-phenol compounds (C) used in the present invention include, but are not limited to,
ポリアミド100重量部に対して、通常、1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部である。 The polyamide 100 parts by weight, usually 1 to 100 parts by weight, preferably 1 to 50 parts by weight. この配合比率が少なすぎると現像時に残渣が発生し、逆に配合比率が多すぎると、フィルムの引っ張り伸び率が著しく低下する。 The residue is generated this blend ratio is too small at the time of development, the reverse to the blending ratio is too large, the tensile elongation of the film is remarkably lowered.

【0024】本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて従来感光性樹脂組成物の添加剤として用いられている染料、界面活性剤、安定剤、溶解促進剤、基板との密着性を高めるための接着助剤等を添加することも可能である。 [0024] The photosensitive resin composition of the present invention, dyes are used as additives in conventional photosensitive resin composition optionally, surfactants, stabilizers, solubility enhancers, adhesion to the substrate it is also possible to add an adhesion aid, etc. to increase. 染料としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等が、界面活性剤としては、例えばポリプロピレングリコールまたはポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコール類及びその誘導体の非イオン系界面活性剤、例えばフロラード( 商品名、住友3M社製) 、メガファック( 商品名、 As the dye, Methyl Violet, Crystal Violet, Malachite Green or the like, As the surfactant, for example, polypropylene glycol or a nonionic surfactant of polyethylene glycols and derivatives thereof such as polyoxyethylene lauryl ether, for example Fluorad (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megafac (trade name,
大日本インキ化学工業社製) 、スルフロン( 商品名、旭硝子社製) 等のフッ素系界面活性剤、例えばKP341 Manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Surufuron (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) Fluorine-based surfactants such as, for example, KP341
( 商品名、信越化学工業社製) 等の有機シロキサン界面活性剤が、接着助剤の例としては、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t−ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー等、及び各種シランカップリング剤が、溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有する化合物(例えば、BPF−D、PCP、あるいはMTrisPC、MtetraPC等の直鎖状フェノール化合物、TrisP−HAP、TrisP−PHB (Trade name, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) organosiloxane surfactants such as are examples of the adhesion aid include alkyl imidazoline, butyric acid, alkyl acids, polyhydroxystyrene, polyvinyl methyl ether, t- butyl novolac, epoxysilane , epoxy polymers, and various silane coupling agents, as a dissolution accelerator, a compound having a phenolic hydroxyl group (e.g., BPF-D, PCP or MTrisPC, linear phenol compounds such MtetraPC,, TrisP-HAP, TrisP-PHB
A、TrisP−PA等の非直鎖状フェノール化合物(全て本州化学工業社製))等が例として挙げられる。 A, non-linear phenol compounds such as Tris P-PA (all manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.)), etc. Examples.

【0025】本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。 [0025] In the present invention by dissolving these components in a solvent, used in the varnish. 溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N− As the solvent, N- methyl-2-pyrrolidone, .gamma.-butyrolactone, N, N-
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等を単独または混合して使用できる。 Dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, may be used alone or as a mixture of methyl 3-methoxy propionate or the like.

【0026】本発明の現像液として用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ可溶性ポリマーを溶解除去するものであり、アルカリ化合物を溶解した水溶液であることが必須である。 The alkaline aqueous solution used as the developing solution of the present invention is to dissolve and remove the alkali-soluble polymer, it is essential that an aqueous solution prepared by dissolving an alkali compound. アルカリ化合物としては、無機アルカリ性化合物、有機アルカリ性化合物のいずれをも用いることができる。 The alkali compound, an inorganic alkaline compound, there can be used any of organic alkaline compounds. 無機アルカリ性化合物としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニア等が使用できる。 The inorganic alkaline compound, such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, phosphoric acid dihydrogen potassium, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, ammonia, etc. can be used. また、有機アルカリ化合物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、 As the organic alkali compound, such as tetramethylammonium hydroxide, trimethyl hydroxyethyl ammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine,
トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミン等が使用できる。 Triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, ethanolamine, or the like can be used. 更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液に、メタノール、 Furthermore, the above alkaline aqueous solution if necessary, methanol,
エタノール、プロパノール、エチレングリコール等の水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑止剤等を適量添加することができる。 Ethanol, propanol, water-soluble organic solvents such as ethylene glycol, surfactants, preservatives, a dissolution inhibitor such as resin may be added in an appropriate amount.

【0027】本発明の感光性樹脂組成物は次のようにして使用できる。 The photosensitive resin composition of the present invention can be used as follows. この組成物を適当な基板、例えばシリコンウェハー、セラミック基板、アルミ基板等にスピナーを用いた回転塗布やロールコーターによる塗布を行う。 This composition suitable substrate, for example a silicon wafer, a ceramic substrate, a coating by spin coating or roll coater using a spinner aluminum substrate or the like performed.
これをオーブンやホットプレートを用いて50〜1 40 This is by using an oven or a hot plate 50 to 1 40
℃で乾燥し、マスクを介して、コンタクトアライナーやステッパーを用いて化学線の照射を行う。 Dried ° C., through a mask, the exposure to actinic rays by using a contact aligner or a stepper. 次に照射部を現像液で溶解除去し、引き続きリンス液によるリンスを行うことで所望のレリーフパターンを得る。 The irradiation portion was dissolved and removed with a developing solution then subsequently obtain the desired relief pattern by performing rinsing with rinsing liquid. 現像方法としてはスプレー、パドル、ディップ、超音波等の方式が可能である。 As a developing method can be spray, paddle, dipping, method of ultrasound and the like. リンス液は蒸留水、脱イオン水等が使用できる。 Rinsing liquid distilled water, deionized water or the like can be used. このレリーフパターンを加熱処理して、オキサゾール構造を有する耐熱性被膜を形成することができる。 The relief pattern to heat treatment, it is possible to form the heat-resistant coating having a oxazole structure.
本発明による感光性樹脂組成物は半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有用である。 The photosensitive resin composition according to the invention not only semiconductor applications, the interlayer insulating and flexible copper clad laminate of the cover coat of a multilayer circuit, it is also useful as a solder resist film and a liquid crystal alignment film.

【0028】 [0028]

【実施例】(参考例) (1)ポリアミドの合成 (参考例1)撹拌機、滴下ロート及び温度計を付した3 EXAMPLES (Reference Example) (1) Synthesis of Polyamide (Reference Example 1) stirrer, denoted by the dropping funnel and a thermometer 3
lセパラブルフラスコに4,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸(0.27モル、69.7g)とN,N− l separable flask 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid (0.27 mol, 69.7 g) and N, N-
ジメチルアミノピリジン(0.03モル、3.7g)のN,N−ジメチルアセトアミド(600g)溶液に室温で塩化チオニル(0.63モル、75.0g)を滴下し、1時間撹拌する。 Dimethylaminopyridine (0.03 mol, 3.7 g) in N, N-dimethylacetamide (600 g) of thionyl chloride at room temperature to a solution (0.63 mol, 75.0 g) is added dropwise and stirred for 1 hour. この溶液を3lセパラブルフラスコに入れた3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン(0.30モル、 The solution was placed in a 3l separable flask 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl hexafluoropropane (0.30 mol,
109.9g)のN,N−ジメチルアセトアミド(30 N of 109.9g), N- dimethylacetamide (30
0g)の溶液に、0℃で加え、室温下6時間撹拌する。 To a solution of 0 g), was added at 0 ° C., stirred at room temperature for 6 hours.
この溶液に5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.12モル、19.8g)を加え、更に10時間撹拌する。 To this solution 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (0.12 mol, 19.8 g) was added and stirred for another 10 hours. これをN,N−ジメチルアセトアミド(1 This N, N- dimethylacetamide (1
000g)で希釈し、水に撹拌しながら滴下し、水を除去し、40℃で真空乾燥し、ポリマー(P−1)を得た。 Diluted with 000 g), dropwise with stirring into water, the water was removed, dried under vacuum at 40 ° C., to obtain a polymer (P-1). このポリマーの1%N −メチル−2−ピロリドン溶液の還元粘度を測定したところ、ηsp= 0.30であった。 1% N in the polymer - the reduced viscosity of methyl-2-pyrrolidone solution was measured, it was .eta.sp = 0.30. (参考例2)以下表1に示すように芳香族ジカルボン酸、無水カルボン酸を変更して参考例1と同様にしてポリマー(P−2〜P−3)を合成した。 Was synthesized (Reference Example 2) The following aromatic dicarboxylic acids as shown in Table 1, in the same manner as in Reference Example 1 by changing the carboxylic anhydride polymer (P-2~P-3).

【0029】 [0029]

【表1】 [Table 1]

【0030】(2)アミドフェノール化合物の合成 (参考例5)撹拌機、滴下ロート及び温度計を付した3 [0030] (2) Synthesis of amide phenol compound (Reference Example 5) stirrer, were subjected to a dropping funnel and a thermometer 3
lセパラブルフラスコに3,3´−ジアミノ−4,4´ To l separable flask 3,3'-diamino-4,4'
−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン(0.30モル、109.9g)およびピリジン(0. - dihydroxydiphenyl hexafluoropropane (0.30 mol, 109.9g) and pyridine (0.
60モル、47.7g)のテトラヒドロフラン(500 60 mol, 47.7 g) in tetrahydrofuran (500
g)の溶液に室温で無水フタル酸(0.60モル、8 The solution of phthalic anhydride at room temperature (0.60 mol of g), 8
8.9g)を加え、一晩撹拌する。 8.9 g) was added and stirred overnight. この溶液を水に撹拌しながら滴下し、水を除去、真空乾燥(40℃)により、表2に示すアミドフェノール化合物(M−1)を得た。 The solution was added dropwise with stirring to water, water is removed by vacuum drying (40 ° C.), to give the amide phenolic compounds shown in Table 2 (M-1). (参考例6)以下表2に示すようにジアミン、無水カルボン酸等を変更して参考例5と同様にしてアミドフェノール化合物(M−2〜M−5)を得た。 It was obtained (Reference Example 6) a diamine as shown below in Table 2, the amide phenol compound in the same manner as in Reference Example 5 by changing the carboxylic acid anhydride or the like (M-2 to M-5).

【0031】 [0031]

【表2】 [Table 2]

【0032】(3)キノンジアジド 実施例に用いたキノンジアジドは以下のナフトキノンジアジドである。 [0032] (3) the quinonediazide used in quinonediazide examples are the following naphthoquinonediazide.

【表3】 [Table 3]

【0033】 [0033]

【化16】 [Of 16]

【0034】 [0034]

【化17】 [Of 17]

【0035】 [0035]

【化18】 [Of 18]

【0036】(実施例) (実施例1)ポリアミド(P−1)100重量部、ナフトキノンジアジド(A−1)15重量部、アミドフェノール(M−1)10重量部をγ−ブチロラクトン230 [0036] (Example) (Example 1) Polyamide (P-1) 100 parts by weight, naphthoquinonediazide (A-1) 15 parts by weight, amidophenol (M-1) 10 parts by weight γ- butyrolactone 230
重量部に溶解した後、0.5μm のテフロンフィルターで濾過して感光性樹脂組成物を調製した。 It was dissolved in parts by weight, to prepare a photosensitive resin composition was filtered through a 0.5μm Teflon filter. この組成物をリソテックジャパン社製スピンコーター(LARCUL This composition Litho Tech Japan Co., Ltd. spin coater (LARCUL
TIMA−1000)にて、HMDSを用いて200 At TIMA-1000), using HMDS 200
℃、3分で処理した4インチシリコンウェハーにスピン塗布し、120℃、180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗布後13μm の塗膜を形成する。 ° C., was spin coated on a 4-inch silicon wafer treated with 3 minutes, 120 ° C., prebaked at 180 seconds on a hot plate to form a coating film of the coating after 13 .mu.m. 膜厚は大日本スクリーン社製膜厚測定装置(ラムダエース) The film thickness Dainippon Screen Co., Ltd. film thickness measuring apparatus (Lambda Ace)
にて測定した。 It was measured by. この塗膜に、テストパターンつきレチクルを通して i- 線(365nm)の露光波長を有するステッパ(ニコン製、NSR−1755i7B) を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。 This coating, stepper (Nikon, NSR-1755i7B) having an exposure wavelength of i- line through a test pattern with the reticle (365 nm) was exposed stepwise changing the exposure amount using the. これをクラリアントジャパン製アルカリ現像液(AZ300MIFデベロッパー2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)で23℃の条件下で現像後膜厚が11.5 μ This Clariant Japan KK alkaline developer film thickness after development under the condition of 23 ° C. with (AZ 300 MIF Developer 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) is 11.5 mu
mとなるように現像時間を調整して現像を行いポジ型パターンを形成した。 Thereby forming a positive pattern and developed by adjusting the developing time so that the m. 結果を表3に示す。 The results are shown in Table 3.

【0037】(実施例2〜8)表3に示した成分の組成物を用いて、実施例1と同様の操作により処理したところ、表3に示すように良好な結果を得た。 [0037] Using the composition of the components shown in (Example 2-8) Table 3, it was treated in the same manner as in Example 1 to obtain good results as shown in Table 3. (比較例1)実施例1において、アミドフェノール(M (Comparative Example 1) Example 1, amidophenol (M
−1)を加えず、その他は実施例1と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、同一条件で組成物を評価した。 -1) without adding, others a photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 to evaluate the composition in the same condition. この結果を表3に示す。 The results are shown in Table 3.

【0038】 [0038]

【表4】 [Table 4]

【0039】・感度 50μm以上のラインアンドスペースが解像する最小露光量を示す。 [0039] and sensitivity 50μm or more of the line-and-space indicates the minimum amount of exposure to be resolved. ・スカム 10μmラインアンドスペースの線間の残さの有無を光学顕微鏡で観察。 And observing the presence or absence of residue of between the lines of scum 10μm line and space with an optical microscope. ・ドット剥離 ドットパターンが剥離する最大のパターンサイズを光学顕微鏡で観察。 And observing the maximum pattern size dot peeling dot pattern is peeled off by an optical microscope. ・パターン形状 10μmラインアンドスペースの断面形状を電子顕微鏡で観察した。 The pattern shape 10μm line and space of the cross section was observed with an electron microscope.

【0040】 [0040]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、 As described above in detail, according to the present invention,
高感度、高コントラストのパターンが得られると同時に、現像時間が短縮され、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れた感光性樹脂組成物を提供することができ、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜等に好適である。 High sensitivity, and at the same time a high contrast pattern is obtained, is shortened development time, resolution and adhesion of the fine pattern, it is possible to provide a photosensitive resin composition excellent in pattern shape, such as a semiconductor element surface protection film is suitable for the interlayer insulating film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 79/08 C08L 79/08 A G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 7/022 7/022 7/037 7/037 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 西川 雅人 静岡県小笠郡大東町千浜3810 クラリアン ト ジャパン株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA04 AA10 AA14 AA20 AB16 AB17 AC01 AD03 BC70 BC86 BE01 CB26 CB45 CC20 4J002 CM041 EP026 EV247 EV286 FD206 FD207 GP03 4J043 PA19 QB34 RA05 RA06 RA34 SA06 SA71 SA75 SA85 SB02 TA12 UA121 UA122 UA131 UA132 UB011 UB012 UB121 UB122 UB302 XA03 XB27 ZB22 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) C08L 79/08 C08L 79/08 a G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 7/022 7/022 7 / 037 7/037 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72) inventor Masato Nishikawa Shizuoka Prefecture Ogasa District Daito-cho, Chihama 3810 Clarian door Japan Co., Ltd. in the F-term (reference) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA04 AA10 AA14 AA20 AB16 AB17 AC01 AD03 BC70 BC86 BE01 CB26 CB45 CC20 4J002 CM041 EP026 EV247 EV286 FD206 FD207 GP03 4J043 PA19 QB34 RA05 RA06 RA34 SA06 SA71 SA75 SA85 SB02 TA12 UA121 UA122 UA131 UA132 UB011 UB012 UB121 UB122 UB302 XA03 XB27 ZB22

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 (A)下記一般式(1)の繰返し単位を含むポリアミド100重量部、 【化1】 1. A (A) 100 parts by weight of a polyamide containing repeating units of the following general formula (1), ## STR1 ## 〔式中X 1は 【化2】 [Wherein X 1 is ## STR2 ## 1は、単結合、−O−、−C(CF 32 −、−CO A 1 represents a single bond, -O -, - C (CF 3) 2 -, - CO
    −、−SO 2 −X 2 、X 4は 【化3】 -, - SO 2 -X 2, X 4 is embedded image 2は、単結合、−O−、−C(CF 32 −、−CO A 2 represents a single bond, -O -, - C (CF 3) 2 -, - CO
    −、−SO 2 −X 3は2価の有機基 a,bはモル分率を表し、a+b=100モル% a=60〜100モル% b=0〜40モル% X 5は、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族、脂環式または芳香族基である。 -, - SO 2 -X 3 is a divalent organic group a, b represents the molar fraction, a + b = 100 mol% a = 60 to 100 [mol% b = 0 to 40 mole% X 5 is an alkenyl group or aliphatic having at least one alkynyl group, an alicyclic or aromatic group. 〕、 ],
    (B)感光性キノンジアジド化合物1〜100重量部、 (B) a photosensitive quinone diazide compounds 1 to 100 parts by weight,
    および(C)下記一般式(2)又は(3)で示されるアミドフェノール化合物1〜100重量部を必須成分とするポジ型感光性樹脂組成物。 And (C) the following general formula (2) or (3) The positive photosensitive resin composition according to amidophenol compounds 1 to 100 parts by weight of essential component represented by. 【化4】 [Of 4] 〔Yは単結合または 【化5】 [Y represents a single bond or ## STR4 ## 1 、Z 2は 【化6】 Z 1, Z 2 is embedded image 式中R 1は炭素数1〜15の炭化水素基、R 2 、R 3 Wherein R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, R 2, R 3,
    4は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン、R 5は炭素数2〜10の飽和脂肪族炭化水素基またはアルケニル基もしくはアルキニル基を少なくとも1個を有する脂肪族基または環式化合物基〕、 【化7】 R 4 is an alkyl group or a halogen C1-6 hydrogen or C, R 5 is an aliphatic group or cyclic having at least one saturated aliphatic hydrocarbon group or an alkenyl group or an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms compound group], embedded image 〔Z 1 、Z 2は上記に同じ。 [Z 1, Z 2 are as defined above. ]
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