JP2001156637A - Analog/digital converter - Google Patents

Analog/digital converter

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JP2001156637A
JP2001156637A JP33419199A JP33419199A JP2001156637A JP 2001156637 A JP2001156637 A JP 2001156637A JP 33419199 A JP33419199 A JP 33419199A JP 33419199 A JP33419199 A JP 33419199A JP 2001156637 A JP2001156637 A JP 2001156637A
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JP
Japan
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terminal
transistor
resistor
electrode
current
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JP33419199A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Ito
正雄 伊藤
Hiroyuki Kono
浩之 河野
Takahiro Miki
隆博 三木
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an analog/digital converter where a voltage level is hardly deviated from an optimum value and the precision is hardly deteriorated in the case of processing an analog signal at analog/digital conversion. SOLUTION: The analog/digital converter consists of transistors(TRs) Mn8 (8) and Mn10 (10) connected in symmetry with TRs Mn7 (7) Mn9 (9), a TR Mn6 (6) connected to collectors of the TRs Mn7 (7), Mn8 (8), a resistor 35 connected to a collector of the TRs Mn7 (7), a resistor 31 connected to an emitter of the Mn9 (9), a resistor 37 connected to a collector of the Mn8 (8), a resistor 33 connected to an emitter of the Mn10 (10), a node 38 connected to the resistors 31, 33, and a switch 1 connected to resistors 35, 37.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はA/D変換器(ア
ナログ/デジタル変換器、以下A/D変換器と示す)、
特にフォールディング&インタポレーションアーキテク
チャを用いるサブレンジング型A/D変換器に関するも
のである。
The present invention relates to an A / D converter (analog / digital converter, hereinafter referred to as an A / D converter),
In particular, the present invention relates to a subranging A / D converter using a folding and interpolation architecture.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

【0003】サブレンジング型A/D変換器は、上位と
下位の2段階に分けてA/D変換を行うものである。図
3は従来のユニファイドサブレンジング型A/D変換器
のブロック図である。図3を参照して、このA/D変換
器は分解能5+αビットのサブA/D変換器sADC3
01を繰り返し用いて、上位5ビット及び下位5ビット
のA/D変換を行う。但し、αビットはエラー補正用の
冗長ビットである。
A sub-ranging A / D converter performs A / D conversion in two stages, upper and lower. FIG. 3 is a block diagram of a conventional unified subranging A / D converter. Referring to FIG. 3, this A / D converter is a sub A / D converter sADC3 having a resolution of 5 + α bits.
A / D conversion of upper 5 bits and lower 5 bits is performed by repeatedly using 01. Here, the α bit is a redundant bit for error correction.

【0004】また、図4は従来のユニファイドサブレン
ジング型A/D変換器のタイミングチャートである。図
4を参照して、このA/D変換器の動作はサンプリング
期間SA、上位比較期間CC、及び下位比較期間FCの
各々の期間におけるサンプリング、上位比較、下位比較
の合計3つの動作によって1回のA/D変換が行われ
る。サンプリング期間SA中A/D変換器ではアナログ
入力信号を取り込み、サンプリング期間SAの最後に取
り込んだアナログ信号の値を保持する。
FIG. 4 is a timing chart of a conventional unified subranging type A / D converter. Referring to FIG. 4, the operation of the A / D converter is performed once by a total of three operations of sampling, upper comparison, and lower comparison in each of sampling period SA, upper comparison period CC, and lower comparison period FC. A / D conversion is performed. During the sampling period SA, the A / D converter captures an analog input signal and holds the value of the analog signal captured at the end of the sampling period SA.

【0005】また、上位比較期間CCでは保持したアナ
ログ信号と上位参照電圧Vrci(i=1、2、…、2
^(5+α)−1)との電圧レベルの比較を行い、その
結果に応じたデジタルコードを出力する。バス切換スイ
ッチ303は上位比較期間CCにサブA/D変換器sA
DC301の出力を遅延回路305に接続する。このコ
ードは上位5ビット分にαビットの冗長ビットが含まれ
たデジタルコードであるが、冗長ビットは無視されて上
位5ビット分のデジタルコードのみが遅延回路305に
蓄積される。
In the upper comparison period CC, the held analog signal and the upper reference voltage Vrci (i = 1, 2,..., 2
電 圧 (5 + α) -1) is compared with the voltage level, and a digital code corresponding to the result is output. The bus switch 303 switches the sub A / D converter sA during the upper comparison period CC.
The output of DC 301 is connected to delay circuit 305. This code is a digital code in which the upper 5 bits include an α-bit redundant bit, but the redundant bit is ignored and only the upper 5 bits of the digital code are accumulated in the delay circuit 305.

【0006】また、下位比較期間FCでは保持したアナ
ログ信号と下位参照電圧Vrfj(i=1、2、…、2
^(5+α)−1)との電圧レベルの比較を行い、その
結果に応じたデジタルコードを出力する。バス切換スイ
ッチ303は下位比較期間FCにサブA/D変換器sA
DC301の出力を直接エラー補正回路307に接続す
る。このコードは下位5ビット分にエラー補正用のαビ
ットの冗長ビットを含んでいる。
In the lower comparison period FC, the held analog signal and the lower reference voltage Vrfj (i = 1, 2,..., 2
電 圧 (5 + α) -1) is compared with the voltage level, and a digital code corresponding to the result is output. The bus changeover switch 303 switches the sub A / D converter sA during the lower comparison period FC.
The output of the DC 301 is directly connected to the error correction circuit 307. This code includes an α-bit redundant bit for error correction in the lower 5 bits.

【0007】エラー補正回路307では下位比較結果の
αビットの冗長ビットの信号を用いて、遅延回路305
に蓄積されていた上位5ビット分のデジタルコードのエ
ラー補正を行い、その結果と下位5ビット分のデジタル
コードを同じタイミングで出力する。この出力が10ビ
ットのデジタルコードである。
The error correction circuit 307 uses the α-bit redundant bit signal of the lower comparison result to generate a delay
The error correction is performed on the upper 5 bits of the digital code stored in the memory, and the result and the lower 5 bits of the digital code are output at the same timing. This output is a 10-bit digital code.

【0008】次に図5はサブA/D変換器sADC30
1の具体例であるフォールディング&インタポレーショ
ンアーキテクチャのブロック図である。
Next, FIG. 5 shows a sub A / D converter sADC30.
1 is a block diagram of a folding and interpolation architecture that is a specific example of FIG.

【0009】図5を参照して、このA/D変換器はA/
D変換を上位と下位の2段階に分けて行うため各々のA
/D変換時に用いられる参照電圧の電圧レンジが異な
る。そのためゲイン可変プリアンプを用いる。
Referring to FIG. 5, this A / D converter has an A / D converter.
Since D conversion is performed in two stages, upper and lower, each A
The voltage range of the reference voltage used during the / D conversion is different. Therefore, a variable gain preamplifier is used.

【0010】図6は従来のゲイン可変プリアンプの回路
図である。図6及び図5を参照して、このゲイン可変プ
リアンプで上位、下位各々のA/D変換の際にゲインを
切り替えている。これにより上位、下位各々の比較時に
後段のフォールディングアンプ群501及びインタポレ
ーション回路503に伝達される電圧振幅が最適値とな
り、アナログ信号処理が行われる。
FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional variable gain preamplifier. Referring to FIGS. 6 and 5, the gain variable preamplifier switches the gain at the time of the upper and lower A / D conversion. As a result, the voltage amplitude transmitted to the folding amplifier group 501 and the interpolation circuit 503 at the subsequent stage at the time of comparison between the upper and lower parts has an optimum value, and analog signal processing is performed.

【0011】また、ゲイン可変プリアンプの動作は図4
の制御信号Φcntによって制御されるスイッチSW1
(711)でゲインが調整される。スイッチSW1(7
11)は制御信号Φcntが“H”のときOFF状態と
なり、“L”のときON状態となる。
The operation of the variable gain preamplifier is shown in FIG.
SW1 controlled by the control signal Φcnt of
In (711), the gain is adjusted. Switch SW1 (7
11) is turned off when the control signal Φcnt is “H” and turned on when it is “L”.

【0012】また、図4のタイミングチャートの上位比
較期間CCにおいて制御信号Φcntが“L”となるの
で、スイッチSW1(711)はON状態となる。この
ためゲイン可変プリアンプのゲインは、トランジスタM
n2(702)あるいはMn3(703)のトランスコ
ンダクタンスgmと、抵抗Rc731,733、Rf7
35,737及びトランジスタMp4(704)あるい
はMp5(705)のドレイン・ソース間抵抗Rdsp
の並列接続による抵抗値R1との積で表される。
Further, since the control signal Φcnt becomes “L” in the upper comparison period CC of the timing chart of FIG. 4, the switch SW1 (711) is turned on. Therefore, the gain of the variable gain preamplifier is
The transconductance gm of n2 (702) or Mn3 (703) and the resistances Rc731, 733 and Rf7
35,737 and the drain-source resistance Rdsp of the transistor Mp4 (704) or Mp5 (705).
With the resistance value R1 due to the parallel connection of

【0013】即ち、ゲインGCは GC=gm×R1 (1) R1=1/(1/Rc+1/Rf+1/Rdsp) (2) となる。That is, the gain GC is as follows: GC = gm × R1 (1) R1 = 1 / (1 / Rc + 1 / Rf + 1 / Rdsp) (2)

【0014】また、下位比較期間FCにおいて制御信号
Φcntが“H”となるので、スイッチSW1(71
1)はOFF状態となる。このためゲイン可変プリアン
プのゲインは、トランジスタMn2(702)あるいは
Mn3(703)のトランスコンダクタンスgmと、抵
抗Rf735,737及びトランジスタMp4(70
4)あるいはMp5(705)のドレイン・ソース間抵
抗Rdspの並列接続による抵抗値R2との積で表され
る。
In the lower comparison period FC, the control signal Φcnt becomes “H”, so that the switch SW1 (71
1) is in the OFF state. Therefore, the gain of the variable gain preamplifier is determined by the transconductance gm of the transistor Mn2 (702) or Mn3 (703), the resistance Rf735,737, and the transistor Mp4 (70).
4) or the product of the resistance Rdsp of the parallel connection of the drain-source resistance Rdsp of Mp5 (705).

【0015】即ち、ゲインGFは GC=gm×R2 (3) R2=1/(1/Rf+1/Rdsp) (4) となる。That is, the gain GF is given by GC = gm × R2 (3) R2 = 1 / (1 / Rf + 1 / Rdsp) (4)

【0016】従って、上位あるいは下位の各々のA/D
変換時にフォールディングアンプ群及501びインタポ
レーション回路503のアナログ信号処理によって電圧
振幅が得られる。
Therefore, the upper / lower A / D
At the time of conversion, a voltage amplitude is obtained by analog signal processing of the folding amplifier group 501 and the interpolation circuit 503.

【0017】図6に示すゲイン可変プリアンプでは差動
入力信号VinpとVinnのコモン電圧レベルが出力
電圧振幅に影響を与えていた。即ち、差動入力信号が、 Vinp=Vinn+ΔV (5) で表されるとき、入力信号のコモン電圧レベルVcmn
は、 Vcmn=(Vinp+Vinn)/2 (6) の変化ΔVcmnによってゲイン可変プリアンプの出力
電圧振幅ΔVoutは、 ΔVout=ΔV×Gc+ΔVcmn×Ac (上位比較時) =ΔV×GF+ΔVcmn×Ac (下位比較時) (7) となる。
In the variable gain preamplifier shown in FIG. 6, the common voltage level of the differential input signals Vinp and Vinn affects the output voltage amplitude. That is, when the differential input signal is expressed by Vinp = Vinn + ΔV (5), the common voltage level of the input signal is Vcmn.
Vcmn = (Vinp + Vinn) / 2 (6) The output voltage amplitude ΔVout of the variable gain preamplifier is ΔVout = ΔV × Gc + ΔVcmn × Ac (when comparing high order) = ΔV × GF + ΔVcmn × Ac (when comparing low order) due to the change ΔVcmn of (6). 7)

【0018】従来のゲイン可変プリアンプは入力信号の
コモン電圧レベルVcmnが変わるとゲイン可変プリア
ンプの電流源トランジスタMn1(701)のドレイン
電圧レベルVdnは、 Vdn=Vcmn−Vthin−Vdsatin (8) が変動する。ここで、Vthin、Vdsatinは各
々ゲイン可変プリアンプのトランジスタMn2(70
2)、Mn3(703)のしきい値及び飽和電圧であ
る。
In the conventional variable gain preamplifier, when the common voltage level Vcmn of the input signal changes, the drain voltage level Vdn of the current source transistor Mn1 (701) of the variable gain preamplifier varies as follows: Vdn = Vcmn-Vthin-Vdsatin (8) . Here, Vthin and Vdsatin are respectively the transistors Mn2 (70) of the variable gain preamplifier.
2), Mn3 (703) threshold and saturation voltage.

【0019】電流源トランジスタでは、ドレイン電圧の
変化に応じてドレイン・ソース間電流Idsが変わる。
この電流値の変化によってトランジスタMp4(70
4),Mp5(705)のドレイン・ソース間電流に変
化が生じ、その結果ドレイン・ソース間電圧が変化す
る。この変化量が(7)式のΔVcmn×Acに相当す
る。これによって出力電圧振幅ΔVoutが影響を受け
る。
In the current source transistor, the drain-source current Ids changes according to the change in the drain voltage.
The change in the current value causes the transistor Mp4 (70
4), a change occurs in the drain-source current of Mp5 (705), and as a result, the drain-source voltage changes. This change amount corresponds to ΔVcmn × Ac in equation (7). This affects the output voltage amplitude ΔVout.

【0020】例えば、入力信号のコモン電圧レベルVc
mnがΔVcmnだけ低下すると、電流源トランジスタ
Mn1(701)のドレイン電圧レベルVdnがΔVc
mn低下し、ドレイン・ソース間電流Idsが、 ΔIds=βn/2×(Vbn−Vthn)^2×(ΔVcmn/Van) (9) だけ減少する。βnは電流源トランジスタMn1(70
1)のゲート電極の形状で決まる値、Vthnはしきい
値、Vanはアーリー電圧、Vbnはバイアス電圧であ
る。
For example, the common voltage level Vc of the input signal
When mn decreases by ΔVcmn, the drain voltage level Vdn of the current source transistor Mn1 (701) becomes ΔVc
mn, and the drain-source current Ids decreases by ΔIds = βn / 2 × (Vbn−Vthn) ^ 2 × (ΔVcmn / Van) (9) βn is the current source transistor Mn1 (70
Vthn is a threshold value, Van is an early voltage, and Vbn is a bias voltage.

【0021】その結果、トランジスタMp4(70
4),Mp5(705)のドレイン・ソース間電流Id
spも減少し、2つのドレイン・ソース間電流の減少分
の合計が電流源トランジスタMn1のドレイン・ソース
間電流の減少分ΔIdsとなる。
As a result, the transistor Mp4 (70
4), drain-source current Id of Mp5 (705)
sp also decreases, and the total decrease of the two drain-source currents becomes ΔIds of the drain-source current decrease of the current source transistor Mn1.

【0022】このドレイン・ソース間電流Idspの減
少に応じてトランジスタMp4(704),Mp5(7
05)のドレイン・ソース間電圧Vdspも減少に向か
う。そのときのドレイン・ソース間電流値とドレイン・
ソース間電圧値は、 Idsp=βp/2×(|Vbp−Vdd|−|Vthp|)^2×(1+V dsp/Vap) (10) の近似式を満足するようにバランスがとられる。βpは
トランジスタMp4(704),Mp5(705)のゲ
ート電極の形状で決まる値、Vthpはしきい値、Va
pはアーリー電圧、Vbpはバイアス電圧である。
In response to the decrease in the drain-source current Idsp, the transistors Mp4 (704) and Mp5 (7
The drain-source voltage Vdsp of 05) also decreases. The current value between the drain and source at that time and the drain
The source-to-source voltage value is balanced so as to satisfy an approximate expression of Idsp = βp / 2 × (| Vbp−Vdd | − | Vthp |) ^ 2 × (1 + Vdsp / Vap) (10) βp is a value determined by the shape of the gate electrodes of the transistors Mp4 (704) and Mp5 (705), Vthp is a threshold value, and Va
p is an early voltage, and Vbp is a bias voltage.

【0023】(10)式からVbp、Vdd、Vth
p、Vapが一定であるためドレイン・ソース間電流I
dspの減少分ΔIdspに対して、ドレイン・ソース
間電圧Vdspの減少分ΔVdspは、 ΔVdsp=ΔIdsp×Vap/(βp/2×(|Vbp−Vdd|−|V thp|)^2) (11) となる。
From equation (10), Vbp, Vdd, Vth
Since p and Vap are constant, the drain-source current I
With respect to the decrease Δdsp of dsp, the decrease ΔVdsp of the drain-source voltage Vdsp is as follows: ΔVdsp = ΔIdsp × Vap / (βp / 2 × (| Vbp−Vdd | − | Vthp |) p2) (11) Becomes

【0024】即ち、差動入力信号の電圧レベル差がΔV
で一定であってもコモン電圧レベルVcmnが変化する
と、出力電圧振幅がΔVcmn×Acだけ変わる。
That is, the voltage level difference between the differential input signals is ΔV
, The output voltage amplitude changes by ΔVcmn × Ac even if the common voltage level Vcmn changes.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のフ
ォールディング&インタポレーション回路で、A/D変
換時にアナログ信号処理をする際、電圧振幅が最適な値
からずれて精度が劣化し、A/D変換器全体の精度が低
下するという問題がある。
As described above, when analog signal processing is performed at the time of A / D conversion in the conventional folding and interpolation circuit, the voltage amplitude deviates from an optimum value, and the accuracy deteriorates. There is a problem that the accuracy of the entire / D converter is reduced.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】この発明に係るA/D変
換器は第2の電流電極に第1の定電位が印加する端子が
接続され、制御電極にバイアス電圧が印加される第1の
トランジスタと、第1のトランジスタの第1の電流電極
に第2の電流電極が接続され、制御電極に第1の差動入
力信号が印加される第2のトランジスタと、第1のトラ
ンジスタの第1の電流電極に第2の電流電極が接続さ
れ、制御電極に第2の差動入力信号が印加される第3の
トランジスタと、第2のトランジスタの第1の電流電極
に接続される第1の出力端子と、第3のトランジスタの
第1の電流電極に接続される第2の出力端子と、第2の
トランジスタの第1の電流電極に一方の端子が接続され
る第1の抵抗と、第3のトランジスタの第1の電流電極
に一方の端子が接続される第2の抵抗と、第1の抵抗の
他方の端子と第2の抵抗の他方の端子との間に設けられ
る開閉器と、一方の端子が第1の抵抗の一方の端子に接
続される第3の抵抗と、一方の端子が第2の抵抗の一方
の端子に接続される第4の抵抗と、第3の抵抗の他方の
端子と接続し、第4の抵抗の他方の端子と接続されるノ
ードと、第1の電流電極が第3の抵抗の一方の端子に接
続され、第2の電流電極に第2の定電位が印加する端子
が接続し、制御電極がノードに接続される第4のトラン
ジスタと、第1の電流電極が第4の抵抗の一方の端子に
接続され、第2の電流電極に第2の定電位が印加する端
子が接続し、制御電極がノードに接続される第5のトラ
ンジスタとを有するゲイン可変プリアンプを備えるもの
である。
In the A / D converter according to the present invention, a terminal to which a first constant potential is applied is connected to a second current electrode, and a bias voltage is applied to a control electrode. A transistor, a second transistor having a second current electrode connected to a first current electrode of the first transistor, and a first differential input signal applied to a control electrode; and a first transistor of the first transistor. A second current electrode is connected to the current electrode of the third transistor, and a second differential input signal is applied to the control electrode; and a first transistor is connected to the first current electrode of the second transistor. An output terminal, a second output terminal connected to the first current electrode of the third transistor, a first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor, One terminal is connected to the first current electrode of the third transistor A second resistor, a switch provided between the other terminal of the first resistor and the other terminal of the second resistor, and one terminal connected to one terminal of the first resistor A third resistor, a fourth resistor whose one terminal is connected to one terminal of the second resistor, and a fourth resistor connected to the other terminal of the third resistor and connected to the other terminal of the fourth resistor And a first current electrode connected to one terminal of a third resistor, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to the second current electrode, and a control electrode is connected to the node. A fourth transistor, a first current electrode is connected to one terminal of a fourth resistor, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to a second current electrode, and a control electrode is connected to a node. And a fifth variable transistor.

【0027】また、第2の電流電極に第1の定電位が印
加する端子が接続され、制御電極にバイアス電圧が印加
される第1のトランジスタと、第1のトランジスタの第
1の電流電極に第2の電流電極が接続され、制御電極に
第1の差動入力信号が印加される第2のトランジスタ
と、第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第2の差動入力信号が印加
される第3のトランジスタと、第2のトランジスタの第
1の電流電極に接続される第1の出力端子と、第3のト
ランジスタの第1の電流電極に接続される第2の出力端
子と、第2のトランジスタの第1の電流電極に一方の端
子が接続される第1の抵抗と、第3のトランジスタの第
1の電流電極に一方の端子が接続される第2の抵抗と、
一方の端子が第1の抵抗の一方の端子に接続される第3
の抵抗と、一方の端子が第2の抵抗の一方の端子に接続
される第4の抵抗と、第3の抵抗の他方の端子と第4の
抵抗の他方の端子との間に設けられる開閉器と、第3の
抵抗の一方の端子と接続される第1のノードと、第4の
抵抗の一方の端子と接続される第2のノードと、第1の
電流電極が第1のノードに接続され、第2の電流電極に
第2の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第1
のノードに接続される第4のトランジスタと、第1の電
流電極が第2のノードに接続され、第2の電流電極に第
2の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第2の
ノードに接続される第5のトランジスタと、第1の電流
電極が第2のノードに接続され、第2の電流電極に第2
の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第1のノ
ードに接続される第6のトランジスタと、第1の電流電
極が第1のノードに接続され、第2の電流電極に第2の
定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第2のノー
ドに接続される第7のトランジスタとを有するゲイン可
変プリアンプを備えるものである。
A terminal to which a first constant potential is applied is connected to the second current electrode, and a first transistor to which a bias voltage is applied to the control electrode and a first current electrode of the first transistor to the first transistor. A second transistor to which a second current electrode is connected and to which a first differential input signal is applied to a control electrode; and a second current electrode to which a first current electrode of the first transistor is connected to control a second current electrode. A third transistor having a second differential input signal applied to the electrode, a first output terminal connected to the first current electrode of the second transistor, and a first current electrode of the third transistor , A first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor, and one terminal connected to the first current electrode of the third transistor. A second resistor connected;
A third terminal in which one terminal is connected to one terminal of the first resistor;
, A fourth resistor having one terminal connected to one terminal of the second resistor, and an open / close switch provided between the other terminal of the third resistor and the other terminal of the fourth resistor. A first node connected to one terminal of the third resistor, a second node connected to one terminal of the fourth resistor, and a first current electrode connected to the first node. Connected, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to the second current electrode, and the control electrode is connected to the first current electrode.
A fourth transistor connected to the second node, a first current electrode connected to the second node, a terminal to which a second constant potential is applied connected to the second current electrode, and a control electrode connected to the second node. A fifth transistor connected to the second node, a first current electrode connected to the second node, and a second transistor connected to the second current electrode.
A transistor to which a terminal to which a constant potential is applied is connected, a control electrode is connected to a first node, a first current electrode is connected to a first node, and a second current electrode is connected to a second node. And a seventh transistor having a control electrode connected to the second node and a control electrode connected to the second node.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明に
ついて説明する。図1は実施の形態1によるA/D変換
器のゲイン可変プリアンプの回路図である。図1を参照
して、このゲイン可変プリアンプ100は、エミッタに
GND端子が接続され、ベースにバイアス電圧Vbnが
印加されるトランジスタMn6(6)と、エミッタがト
ランジスタMn6(6)のコレクタに接続され、ベース
に差動入力信号Vinpが印加されるトランジスタMn
7(7)と、エミッタがトランジスタMn6(6)のコ
レクタに接続され、ベースに差動入力信号Vinnが印
加されるトランジスタMn8(8)とを設ける。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, the present invention will be described. FIG. 1 is a circuit diagram of a variable gain preamplifier of an A / D converter according to the first embodiment. Referring to FIG. 1, in variable gain preamplifier 100, a GND terminal is connected to an emitter, and a transistor Mn6 (6) to which a bias voltage Vbn is applied to a base, and an emitter is connected to a collector of transistor Mn6 (6). , A transistor Mn having a base to which a differential input signal Vinp is applied
7 (7), and a transistor Mn8 (8) having an emitter connected to the collector of the transistor Mn6 (6) and having a base to which the differential input signal Vinn is applied.

【0029】また、トランジスタMn7(7)のコレク
タに接続される出力端子OUT1と、トランジスタMn
8(8)のコレクタに接続される出力端子OUT2と、
トランジスタMn7(7)のコレクタに一方の端子が接
続される抵抗Rc35と、トランジスタMn8(8)の
コレクタに一方の端子が接続される抵抗Rc37と、抵
抗Rc35の他方の端子と抵抗Rc37の他方の端子と
の間に設けられるスイッチSW1(1)と、一方の端子
が抵抗Rc35の一方の端子に接続される抵抗Rf31
と、一方の端子が抵抗Rc37の一方の端子に接続され
る抵抗Rf33とを設ける。
The output terminal OUT1 connected to the collector of the transistor Mn7 (7) and the transistor Mn7
8 (8), an output terminal OUT2 connected to the collector,
A resistor Rc35 having one terminal connected to the collector of the transistor Mn7 (7), a resistor Rc37 having one terminal connected to the collector of the transistor Mn8 (8), and the other terminal of the resistor Rc35 and the other of the resistor Rc37. A switch SW1 (1) provided between the terminal and a resistor Rf31 having one terminal connected to one terminal of the resistor Rc35.
And a resistor Rf33 having one terminal connected to one terminal of the resistor Rc37.

【0030】また、抵抗Rf31の他方の端子と接続
し、抵抗Rf33の他方の端子と接続されるノードN
と、コレクタが抵抗Rf31の一方の端子に接続され、
エミッタにVdd端子が接続し、ベースがノードNに接
続されるトランジスタMp9(9)と、コレクタが抵抗
Rf33の一方の端子に接続され、エミッタにVdd端
子が接続し、ベースがノードNに接続されるトランジス
タMp10(10)とを有する。
A node N connected to the other terminal of the resistor Rf31 and connected to the other terminal of the resistor Rf33.
And the collector is connected to one terminal of the resistor Rf31,
A transistor Mp9 (9) having an emitter connected to the Vdd terminal and a base connected to the node N, a collector connected to one terminal of the resistor Rf33, an emitter connected to the Vdd terminal, and a base connected to the node N. Transistor Mp10 (10).

【0031】また、制御信号Φcntによって制御され
るスイッチSW1(1)でゲインが調整される。スイッ
チSW1(1)は制御信号Φcntが“H”のときOF
F状態となり、“L”のときON状態となる。
The gain is adjusted by the switch SW1 (1) controlled by the control signal Φcnt. The switch SW1 (1) is turned off when the control signal φcnt is “H”.
It becomes the F state, and becomes the ON state when it is "L".

【0032】また、図4のタイミングチャートの上位比
較期間CCにおいて制御信号Φcntが“L”となるの
で、スイッチSW1(1)はON状態となる。このため
ゲイン可変プリアンプ100のゲインは、トランジスタ
Mn7(7)あるいはMn8(8)のトランスコンダク
タンスgmと、抵抗Rc35,37、Rf31,33及
びトランジスタMp9(9)あるいはMp10(10)
のドレイン・ソース間抵抗Rdspの並列接続による抵
抗値R11との積で表される。
Further, since the control signal Φcnt becomes “L” in the upper comparison period CC in the timing chart of FIG. 4, the switch SW1 (1) is turned on. Therefore, the gain of the variable gain preamplifier 100 is determined by the transconductance gm of the transistor Mn7 (7) or Mn8 (8), the resistors Rc35, 37, Rf31, 33 and the transistor Mp9 (9) or Mp10 (10).
With the resistance value R11 of the parallel connection of the drain-source resistance Rdsp.

【0033】即ち、ゲインG1Cは G1C=gm×R11 (12) R11=1/(1/Rc+1/Rf+1/Rdsp) (13) となる。That is, the gain G1C is as follows: G1C = gm × R11 (12) R11 = 1 / (1 / Rc + 1 / Rf + 1 / Rdsp) (13)

【0034】また、下位比較期間FCにおいて制御信号
Φcntが“H”となるので、スイッチSW1(1)は
OFF状態となる。このためゲイン可変プリアンプ10
0のゲインは、トランジスタMn7(7)あるいはMn
8(8)のトランスコンダクタンスgmと、抵抗Rf3
1,33及びトランジスタMp9(9)あるいはMp1
0(10)のドレイン・ソース間抵抗Rdspの並列接
続による抵抗値R12との積で表される。
In the lower comparison period FC, the control signal Φcnt becomes “H”, so that the switch SW1 (1) is turned off. Therefore, the variable gain preamplifier 10
The gain of 0 is determined by the transistor Mn7 (7) or Mn7
8 (8) and the resistance Rf3
1, 33 and the transistor Mp9 (9) or Mp1
It is expressed by the product of the resistance Rdsp of the parallel connection of the drain-source resistance Rdsp of 0 (10).

【0035】即ち、ゲインG1Fは G1F=gm×R12 (14) R12=1/(1/Rf+1/Rdsp) (15) となる。That is, the gain G1F is as follows: G1F = gm × R12 (14) R12 = 1 / (1 / Rf + 1 / Rdsp) (15)

【0036】このゲイン可変プリアンプ100は入力信
号のコモン電圧レベルVcmnが変わって、ゲイン可変
プリアンプの電流源トランジスタMn6(6)のドレイ
ン電圧レベルVdが変化し、ドレイン・ソース間電流I
dsが変わった場合、この電流値の変化によってトラン
ジスタMp9(9),Mp10(10)のドレイン・ソ
ース間電流に変化が生じるものの、当該トランジスタの
ゲート電位も変化する。このゲート電位の変化はドレイ
ン・ソース間電流の変化によって生じるドレイン・ソー
ス間電圧の変化を低減する方向に作用する。
In the variable gain preamplifier 100, the common voltage level Vcmn of the input signal changes, the drain voltage level Vd of the current source transistor Mn6 (6) of the variable gain preamplifier changes, and the drain-source current I
When ds changes, this change in the current value causes a change in the drain-source current of the transistors Mp9 (9) and Mp10 (10), but also changes the gate potential of the transistors. This change in gate potential acts to reduce the change in drain-source voltage caused by the change in drain-source current.

【0037】例えば、電流源トランジスタMn6(6)
のドレイン・ソース間電流Idsが減少すると、トラン
ジスタMp9(9),Mp10(10)のドレイン・ソ
ース間電流も減少する。この電流減少分とバランスをと
るようにドレイン・ソース間電圧は減少に向かう。その
ときノードN38の電位が上昇するためトランジスタM
p9(9),Mp10(10)のゲート電圧の電位が上
昇する。これにより当該トランジスタのドレイン・ソー
ス間電流が減少するためドレイン・ソース間電圧はそれ
以上減少しない。
For example, the current source transistor Mn6 (6)
The drain-source current Ids of the transistors Mp9 (9) and Mp10 (10) also decreases. The drain-source voltage tends to decrease so as to balance this current decrease. At that time, since the potential of the node N38 rises, the transistor M
The potentials of the gate voltages of p9 (9) and Mp10 (10) increase. As a result, the drain-source current of the transistor decreases, so that the drain-source voltage does not further decrease.

【0038】そのときのドレイン・ソース間電流値とド
レイン・ソース間電圧値は、 Idsp=βp/2×(|VN−Vdd|−|Vthp|)^2×(1+Vd sp/Vap) (16) の近似式を満足するようにバランスがとられる。βpは
トランジスタMp9(9),Mp10(10)のゲート
電極の形状で決まる値、Vthpはしきい値、Vapは
アーリー電圧、VNはノードN38の電圧レベルであ
る。
At this time, the drain-source current value and the drain-source voltage value are as follows: Idsp = βp / 2 × (| VN−Vdd | − | Vthp |) ^ 2 × (1 + Vdsp / Vap) (16) Are balanced so as to satisfy the approximation formula. βp is a value determined by the shapes of the gate electrodes of the transistors Mp9 (9) and Mp10 (10), Vthp is a threshold value, Vap is an early voltage, and VN is a voltage level of the node N38.

【0039】(16)式からドレイン・ソース間電流I
dspの減少分ΔIdspに対してVNの値の変化の2
乗が影響するので、ドレイン・ソース間電圧Vdspの
変化よりもVNの変化の方が大きく作用する。従って、
ドレイン・ソース間電圧Vdspの減少分ΔVdspは
従来の回路構成に比べて小さくなる。
From the equation (16), the drain-source current I
The change of the value of VN with respect to the decrease ΔIdsp of dsp is 2
Since the power has an influence, the change in VN acts more greatly than the change in drain-source voltage Vdsp. Therefore,
The decrease ΔVdsp of the drain-source voltage Vdsp is smaller than that of the conventional circuit configuration.

【0040】これによって、入力信号のコモン電圧レベ
ルVcmnの変化ΔVcmnよって生じるゲイン可変プ
リアンプ1の出力電圧振幅ΔVoutは、 ΔVout=ΔV×G1c+ΔVcmn×Ac (上位比較時) =ΔV×G1F+ΔVcmn×Ac (下位比較時) (1 7) の右項のAcが小さくなる。
As a result, the output voltage amplitude ΔVout of the variable gain preamplifier 1 caused by the change ΔVcmn of the common voltage level Vcmn of the input signal is as follows: ΔVout = ΔV × G1c + ΔVcmn × Ac (when comparing upper ranks) = ΔV × G1F + ΔVcmn × Ac (lower comparisons) (Time) Ac in the right term of (17) becomes smaller.

【0041】この実施の形態1によれば、差動入力信号
のレベル差がΔVでコモン電圧レベルVcmnが変化し
ても出力電圧振幅の変化量は小さくなる。従って、A/
D変換時にフォールディングアンプ群及びインタポレー
ション回路でアナログ信号処理をする際、電圧振幅が最
適な値に保持され精度劣化が改善される。
According to the first embodiment, even when the level difference between the differential input signals is ΔV and the common voltage level Vcmn changes, the amount of change in the output voltage amplitude is small. Therefore, A /
When analog signals are processed by the folding amplifier group and the interpolation circuit at the time of D conversion, the voltage amplitude is kept at an optimum value, and the deterioration of accuracy is improved.

【0042】実施の形態2.また、図2は実施の形態2
によるA/D変換器のゲイン可変プリアンプの回路図で
ある。図2を参照して、このゲイン可変プリアンプ11
0は、エミッタにGND端子が接続され、ベースにバイ
アス電圧Vbnが印加されるトランジスタMn11(1
1)と、エミッタがトランジスタMn11(11)のコ
レクタに接続され、ベースに差動入力信号Vinpが印
加されるトランジスタMn12(12)と、エミッタが
トランジスタMn11(11)のコレクタに接続され、
ベースに差動入力信号Vinnが印加されるトランジス
タMn13(13)とを設ける。
Embodiment 2 FIG. 2 shows a second embodiment.
FIG. 2 is a circuit diagram of a variable gain preamplifier of an A / D converter according to the first embodiment. Referring to FIG. 2, variable gain preamplifier 11
0 is a transistor Mn11 (1) whose emitter is connected to the GND terminal and whose base is supplied with the bias voltage Vbn.
1), a transistor Mn12 (12) having an emitter connected to the collector of the transistor Mn11 (11) and a differential input signal Vinp applied to the base, and an emitter connected to the collector of the transistor Mn11 (11);
A transistor Mn13 (13) to which the differential input signal Vinn is applied is provided on the base.

【0043】また、トランジスタMn12(12)のコ
レクタに接続される出力端子OUT1と、トランジスタ
Mn13(13)のコレクタに接続される出力端子OU
T2と、トランジスタMn12(12)のコレクタに一
方の端子が接続される抵抗Rf55と、トランジスタM
n13(13)のコレクタに一方の端子が接続される抵
抗Rf57と、一方の端子が抵抗Rf55の一方の端子
に接続される抵抗Rc51と、一方の端子が抵抗Rf5
7の一方の端子に接続される抵抗Rc53とを設ける。
The output terminal OUT1 connected to the collector of the transistor Mn12 (12) and the output terminal OU connected to the collector of the transistor Mn13 (13)
T2, a resistor Rf55 having one terminal connected to the collector of the transistor Mn12 (12),
A resistor Rf57 having one terminal connected to the collector of n13 (13), a resistor Rc51 having one terminal connected to one terminal of resistor Rf55, and a resistor Rf5 having one terminal connected to one terminal of resistor Rf55.
7 and a resistor Rc53 connected to one of the terminals.

【0044】また、抵抗Rc51の他方の端子と抵抗R
c53の他方の端子との間に設けられるスイッチSW1
(71)と、抵抗Rc51の一方の端子と接続されるノ
ードN1と、抵抗Rc53の一方の端子と接続されるノ
ードN2とを設ける。
Further, the other terminal of the resistor Rc51 and the resistor Rc
switch SW1 provided between the other terminal of c53
(71), a node N1 connected to one terminal of the resistor Rc51, and a node N2 connected to one terminal of the resistor Rc53.

【0045】また、コレクタがノードN1に接続され、
エミッタにVdd端子が接続し、ベースがノードN1に
接続されるトランジスタMp14(14)と、コレクタ
がノードN2に接続され、エミッタにVdd端子が接続
し、制御電極がノードN2に接続されるトランジスタM
p15(15)と、コレクタがノードN2に接続され、
エミッタにVdd端子が接続し、制御電極がノードN1
に接続されるトランジスタMp16(16)と、コレク
タがノードN1に接続され、エミッタにVdd端子が接
続し、制御電極がノードN2に接続されるトランジスタ
Mp17(17)とを有する。
A collector is connected to node N1,
A transistor Mp14 (14) whose emitter is connected to the Vdd terminal and whose base is connected to the node N1, and a transistor Mp14 whose collector is connected to the node N2, whose emitter is connected to the Vdd terminal and whose control electrode is connected to the node N2.
p15 (15), the collector is connected to node N2,
The Vdd terminal is connected to the emitter, and the control electrode is connected to the node N1.
And a transistor Mp17 (17) having a collector connected to the node N1, an emitter connected to the Vdd terminal, and a control electrode connected to the node N2.

【0046】また、制御信号Φcntによって制御され
るスイッチSW1(71)でゲインが調整される。スイ
ッチSW1(71)は制御信号Φcntが“H”のとき
OFF状態となり、“L”のときON状態となる。
The gain is adjusted by the switch SW1 (71) controlled by the control signal Φcnt. The switch SW1 (71) is turned off when the control signal Φcnt is “H”, and turned on when the control signal Φcnt is “L”.

【0047】また、図4のタイミングチャートの上位比
較期間CCにおいて制御信号Φcntが“L”となるの
で、スイッチSW1(71)はON状態となる。このた
めゲイン可変プリアンプ110のゲインは、トランジス
タMn12(12)あるいはMn13(13)のトラン
スコンダクタンスgmと、抵抗Rc51,53、Rf5
5,57及びノードN1(58)〜Vdd端子間のトラ
ンジスタMp14(14),Mp17(17)のドレイ
ン・ソース間抵抗の合成抵抗あるいはノードN2(5
2)〜Vdd端子間のトランジスタMp15(15),
Mp16(16)のドレイン・ソース間抵抗の合成抵抗
Rdsp‘の並列接続による抵抗値R21との積で表さ
れる。
Further, since the control signal Φcnt becomes “L” during the upper comparison period CC in the timing chart of FIG. 4, the switch SW1 (71) is turned on. Therefore, the gain of the variable gain preamplifier 110 depends on the transconductance gm of the transistor Mn12 (12) or Mn13 (13) and the resistances Rc51, 53, and Rf5.
5, 57 and the combined resistance of the drain-source resistance of the transistors Mp14 (14) and Mp17 (17) between the terminals N1 (58) and Vdd or the node N2 (5
2) a transistor Mp15 (15) between the Vdd terminal and
It is represented by the product of the resistance between the drain-source resistance of Mp16 (16) and the combined resistance Rdsp 'and the resistance value R21 by parallel connection.

【0048】即ち、ゲインG2Cは G2C=gm×R21 (18) R21=1/(1/Rc+1/Rf+1/Rdsp‘) (19) となる。That is, the gain G2C is as follows: G2C = gm × R21 (18) R21 = 1 / (1 / Rc + 1 / Rf + 1 / Rdsp ‘) (19)

【0049】また、下位比較期間FCにおいて制御信号
Φcntが“H”となるので、スイッチSW1(71)
はOFF状態となる。このためゲイン可変プリアンプ1
10のゲインは、トランジスタMn12(12)あるい
はMn13(13)のトランスコンダクタンスgmと、
抵抗Rf55,57及びノードN1(58)〜Vdd端
子間のトランジスタMp14(14),Mp17(1
7)のドレイン・ソース間抵抗の合成抵抗あるいはノー
ドN2(52)〜Vdd端子間のトランジスタMp15
(15),Mp16(16)のドレイン・ソース間抵抗
の合成抵抗Rdsp‘の並列接続による抵抗値R22と
の積で表される。
Since the control signal .PHI.cnt becomes "H" in the lower comparison period FC, the switch SW1 (71)
Is turned off. Therefore, the variable gain preamplifier 1
The gain of 10 is determined by the transconductance gm of the transistor Mn12 (12) or Mn13 (13),
Transistors Mp14 (14) and Mp17 (1) between the resistors Rf55 and Rf57 and the node N1 (58) to the Vdd terminal.
7) The combined resistance of the drain-source resistance or the transistor Mp15 between the node N2 (52) and the Vdd terminal.
(15), expressed by the product of the resistance R22 of the parallel connection of the combined resistance Rdsp 'of the resistance between the drain and the source of Mp16 (16).

【0050】即ち、ゲインG2Fは G2F=gm×R22 (20) R22=1/(1/Rf+1/Rdsp‘) (21) となる。That is, the gain G2F is as follows: G2F = gm × R22 (20) R22 = 1 / (1 / Rf + 1 / Rdsp ‘) (21)

【0051】このゲイン可変プリアンプ110は入力信
号のコモン電圧レベルVcmnが変わって、ゲイン可変
プリアンプ110の電流源トランジスタMn11(1
1)のドレイン電圧レベルVdが変化し、ドレイン・ソ
ース間電流Idsが変わった場合、この電流値の変化に
よってトランジスタMp14(14),Mp15(1
5),Mp16(16),Mp17(17)のドレイン
・ソース間電流に変化が生じるものの、各トランジスタ
のゲート電位も変化する。このゲート電位の変化はドレ
イン・ソース間電流の変化によって生じるドレイン・ソ
ース間電圧の変化を低減する方向に作用する。
In the variable gain preamplifier 110, the common voltage level Vcmn of the input signal is changed, and the current source transistor Mn11 (1
When the drain voltage level Vd of 1) changes and the drain-source current Ids changes, the transistors Mp14 (14) and Mp15 (1)
5) Although the current between the drain and the source of Mp16 (16) and Mp17 (17) changes, the gate potential of each transistor also changes. This change in gate potential acts to reduce the change in drain-source voltage caused by the change in drain-source current.

【0052】例えば、電流源トランジスタMn11のド
レイン・ソース間電流Idsが減少すると、トランジス
タMp14(14),Mp15(15),Mp16(1
6),Mp17(17)のドレイン・ソース間電流も減
少する。この電流減少分とバランスをとるようにドレイ
ン・ソース間電圧は減少に向かう。そのときノードN1
(58),N2(52)の電位が上昇するためトランジ
スタMp14(14),Mp15(15),Mp16
(16),Mp17(17)のゲート電圧の電位が上昇
する。これにより当該トランジスタのドレイン・ソース
間電流が減少するためドレイン・ソース間電圧はそれ以
上減少しない。
For example, when the drain-source current Ids of the current source transistor Mn11 decreases, the transistors Mp14 (14), Mp15 (15), Mp16 (1
6), the drain-source current of Mp17 (17) also decreases. The drain-source voltage tends to decrease so as to balance this current decrease. Then node N1
(58), the potential of N2 (52) rises, the transistors Mp14 (14), Mp15 (15), Mp16
(16) The potential of the gate voltage of Mp17 (17) increases. As a result, the drain-source current of the transistor decreases, so that the drain-source voltage does not further decrease.

【0053】そのときのドレイン・ソース間電流値とド
レイン・ソース間電圧値は、 Idsp=βp/2×(|VN1,2−Vdd|−|Vthp|)^2×(1 +Vdsp/Vap) (22) の近似式を満足するようにバランスがとられる。βpは
トランジスタMp14(14),Mp15(15),M
p16(16),Mp17(17)のゲート電極の形状
で決まる値、Vthpはしきい値、Vapはアーリー電
圧、VN1,2はノードN1(58),N2(52)の
電圧レベルである。
The current value between the drain and the source and the voltage value between the drain and the source at this time are Idsp = βp / 2 × (| VN1,2-Vdd | − | Vthp |) p2 × (1 + Vdsp / Vap) ( 22) is balanced so as to satisfy the approximate expression. βp is the transistor Mp14 (14), Mp15 (15), M
The values determined by the shapes of the gate electrodes p16 (16) and Mp17 (17), Vthp is the threshold value, Vap is the early voltage, and VN1 and VN1 are the voltage levels of the nodes N1 (58) and N2 (52).

【0054】(22)式からドレイン・ソース間電流I
dspの減少分ΔIdspに対してVN1,2の値の変
化の2乗が影響するので、ドレイン・ソース間電圧Vd
spの変化よりもVN1,2の変化の方が大きく作用す
る。従って、ドレイン・ソース間電圧Vdspの減少分
ΔVdspは従来の回路構成に比べて小さくなる。
From equation (22), the drain-source current I
Since the square of the change in the value of VN1,2 affects the decrease ΔIdsp of dsp, the drain-source voltage Vd
The change in VN1,2 has a greater effect than the change in sp. Therefore, the decrease ΔVdsp of the drain-source voltage Vdsp is smaller than that of the conventional circuit configuration.

【0055】これによって、入力信号のコモン電圧レベ
ルVcmnの変化ΔVcmnよって生じるゲイン可変プ
リアンプ1の出力電圧振幅ΔVoutは、 ΔVout=ΔV×G2c+ΔVcmn×Ac (上位比較時) =ΔV×G2F+ΔVcmn×Ac (下位比較時) (23 ) の右項のAcが小さくなる。
As a result, the output voltage amplitude ΔVout of the variable gain preamplifier 1 caused by the change ΔVcmn of the common voltage level Vcmn of the input signal is as follows: ΔVout = ΔV × G2c + ΔVcmn × Ac (when comparing upper ranks) = ΔV × G2F + ΔVcmn × Ac (lower comparisons) (Time) Ac in the right term of (23) becomes smaller.

【0056】また、ゲイン可変プリアンプ110はノー
ドN1(58)及びN2(52)の各々に流れる電流が
ほぼ一定になる。即ち、差動入力信号がVinp>Vi
nnの条件である場合、トランジスタMn12(12)
及びMn13(13)のドレイン・ソース間電流Ids
in12,13は、Idsin12>Idsin13と
なる。
In the variable gain preamplifier 110, the current flowing through each of the nodes N1 (58) and N2 (52) becomes substantially constant. That is, if the differential input signal is Vinp> Vi
nn, the transistor Mn12 (12)
And drain-source current Ids of Mn13 (13)
In12 and 13 are such that Idsin12> Idsin13.

【0057】これによりノードN1(58)の電圧レベ
ルはΔVnだけ降下し、ノードN2(52)の電圧レベ
ルはΔVnだけ上昇する。その結果、トランジスタMp
14(14)のゲート電圧が降下するためドレイン・ソ
ース間電流はΔIdsp‘だけ増加し、トランジスタM
p15(15)のゲート電圧が上昇するためドレイン・
ソース間電流はΔIdsp‘‘だけ減少する。
As a result, the voltage level of node N1 (58) decreases by ΔVn, and the voltage level of node N2 (52) increases by ΔVn. As a result, the transistor Mp
14 (14), the drain-source current increases by ΔIdsp ′, and the transistor M
Since the gate voltage of p15 (15) increases, the drain
The source-to-source current decreases by ΔIdsp ″.

【0058】但し、トランジスタMp16(16)のゲ
ートはノードN2(52)に接続されているのでドレイ
ン・ソース間電流はΔIdsp‘‘だけ減少し、トラン
ジスタMp17(17)のゲートはノードN1(58)
に接続されているのでドレイン・ソース間電流はΔId
sp‘だけ増加する。
However, since the gate of the transistor Mp16 (16) is connected to the node N2 (52), the drain-source current is reduced by ΔIdsp ″, and the gate of the transistor Mp17 (17) is connected to the node N1 (58).
, The drain-source current is ΔId
increase by sp ′.

【0059】そのためノードN1(58),N2(5
2)を流れる電流値の変化は各々ΔIdsp‘−ΔId
sp‘‘,ΔIdsp‘‘−ΔIdsp‘となる。ΔI
dsp‘とΔIdsp‘‘とはほぼ等しい値であるの
で、ノードN1(58),N2(52)を流れる電流値
の変化はほぼ0となる。
Therefore, nodes N1 (58) and N2 (5
The change in the value of the current flowing through 2) is ΔIdsp′−ΔId, respectively.
sp ″, ΔIdsp ″ −ΔIdsp ′. ΔI
Since dsp ′ and ΔIdsp ″ have substantially the same value, the change in the value of the current flowing through the nodes N1 (58) and N2 (52) is almost zero.

【0060】また、ノードN1(58)及びN2(5
2)の電圧が変化しても電流が変化しないことは、ノー
ドN1(58)〜Vdd端子間のトランジスタMp14
(14),Mp17(17)のドレイン・ソース間抵抗
の合成抵抗あるいはノードN2(52)〜Vdd端子間
のトランジスタMp15(15),Mp16(16)の
ドレイン・ソース間抵抗の合成抵抗Rdsp‘がかなり
大きいことと等価である。つまり合成抵抗Rdsp‘は
Rc51,53、Rf55,57に比べて大きな値にな
る。
The nodes N1 (58) and N2 (5
The fact that the current does not change even if the voltage of 2) changes indicates that the transistor Mp14 between the node N1 (58) and the Vdd terminal.
(14), the combined resistance of the drain-source resistance of Mp17 (17) or the combined resistance Rdsp ′ of the drain-source resistance of the transistors Mp15 (15) and Mp16 (16) between the node N2 (52) and the Vdd terminal. It is equivalent to being quite large. That is, the combined resistance Rdsp 'has a larger value than Rc51, Rc53 and Rf55, 57.

【0061】これによってゲイン可変プリアンプ110
ゲインは近似的に、 (上位比較時)G2C‘=gm×R21‘ (24) R21‘=1/(1/Rc+1/Rf) (25) (下位比較時)G2F‘=gm×Rf (26) となる。
Thus, the variable gain preamplifier 110
Approximately, the gain is G2C ′ = gm × R21 ′ (24) R21 ′ = 1 / (1 / Rc + 1 / Rf) (25) (At the time of lower-order comparison) G2F ′ = gm × Rf (26) Becomes

【0062】この実施の形態2によれば、実施の形態1
よりさらに差動入力信号のレベル差がΔVでコモン電圧
レベルVcmnが変化しても出力電圧振幅の変化量は小
さくなる。従って、A/D変換時にフォールディングア
ンプ群及びインタポレーション回路でアナログ信号処理
をする際、電圧振幅が最適な値に保持され精度劣化が改
善される。
According to the second embodiment, the first embodiment
Even if the level difference between the differential input signals is ΔV and the common voltage level Vcmn changes, the amount of change in the output voltage amplitude is small. Therefore, when analog signal processing is performed by the folding amplifier group and the interpolation circuit at the time of A / D conversion, the voltage amplitude is maintained at an optimum value, and accuracy deterioration is improved.

【0063】また、上位/下位の各比較時のゲインをR
c及びRfの設計値によって制御可能なので、実施の形
態1よりさらにゲインの設定が容易になる。
The gain at the time of each of the upper and lower comparisons is represented by R
Since the control can be performed by the design values of c and Rf, the setting of the gain is easier than in the first embodiment.

【0064】[0064]

【発明の効果】この発明に係るA/D変換器は第2の電
流電極に第1の定電位が印加する端子が接続され、制御
電極にバイアス電圧が印加される第1のトランジスタ
と、第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第1の差動入力信号が印加
される第2のトランジスタと、第1のトランジスタの第
1の電流電極に第2の電流電極が接続され、制御電極に
第2の差動入力信号が印加される第3のトランジスタ
と、第2のトランジスタの第1の電流電極に接続される
第1の出力端子と、第3のトランジスタの第1の電流電
極に接続される第2の出力端子と、第2のトランジスタ
の第1の電流電極に一方の端子が接続される第1の抵抗
と、第3のトランジスタの第1の電流電極に一方の端子
が接続される第2の抵抗と、第1の抵抗の他方の端子と
第2の抵抗の他方の端子との間に設けられる開閉器と、
一方の端子が第1の抵抗の一方の端子に接続される第3
の抵抗と、一方の端子が第2の抵抗の一方の端子に接続
される第4の抵抗と、第3の抵抗の他方の端子と接続
し、第4の抵抗の他方の端子と接続されるノードと、第
1の電流電極が第3の抵抗の一方の端子に接続され、第
2の電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続し、
制御電極がノードに接続される第4のトランジスタと、
第1の電流電極が第4の抵抗の一方の端子に接続され、
第2の電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続
し、制御電極がノードに接続される第5のトランジスタ
とを有するゲイン可変プリアンプを備えるので、差動入
力信号のレベル差がΔVでコモン電圧レベルVcmnが
変化しても出力電圧振幅の変化量は小さくなる。従っ
て、A/D変換時にフォールディングアンプ群及びイン
タポレーション回路でアナログ信号処理をする際、電圧
振幅が最適な値に保持され精度劣化が改善される。
According to the A / D converter according to the present invention, a terminal to which a first constant potential is applied is connected to a second current electrode and a bias voltage is applied to a control electrode; A second current electrode is connected to a first current electrode of the one transistor, and a second transistor to which a first differential input signal is applied to a control electrode, and a second current electrode is connected to a first current electrode of the first transistor. A third transistor to which a second current electrode is connected and a second differential input signal is applied to a control electrode; a first output terminal connected to a first current electrode of the second transistor; A second output terminal connected to the first current electrode of the third transistor; a first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor; A second resistor having one terminal connected to the first current electrode. When a switch provided between the first other resistor terminal and the other terminal of the second resistor,
A third terminal in which one terminal is connected to one terminal of the first resistor;
, One terminal connected to one terminal of the second resistor, a fourth resistor connected to the other terminal of the third resistor, and connected to the other terminal of the fourth resistor A node, a first current electrode connected to one terminal of a third resistor, a terminal to which a second constant potential is applied connected to a second current electrode,
A fourth transistor having a control electrode connected to the node;
A first current electrode is connected to one terminal of the fourth resistor;
Since the second current electrode is connected to the terminal to which the second constant potential is applied, and the control electrode is provided with a fifth transistor connected to the node, the level difference of the differential input signal is ΔV Therefore, even if the common voltage level Vcmn changes, the amount of change in the output voltage amplitude becomes small. Therefore, when analog signal processing is performed by the folding amplifier group and the interpolation circuit at the time of A / D conversion, the voltage amplitude is maintained at an optimum value, and accuracy deterioration is improved.

【0065】また、第2の電流電極に第1の定電位が印
加する端子が接続され、制御電極にバイアス電圧が印加
される第1のトランジスタと、第1のトランジスタの第
1の電流電極に第2の電流電極が接続され、制御電極に
第1の差動入力信号が印加される第2のトランジスタ
と、第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第2の差動入力信号が印加
される第3のトランジスタと、第2のトランジスタの第
1の電流電極に接続される第1の出力端子と、第3のト
ランジスタの第1の電流電極に接続される第2の出力端
子と、第2のトランジスタの第1の電流電極に一方の端
子が接続される第1の抵抗と、第3のトランジスタの第
1の電流電極に一方の端子が接続される第2の抵抗と、
一方の端子が第1の抵抗の一方の端子に接続される第3
の抵抗と、一方の端子が第2の抵抗の一方の端子に接続
される第4の抵抗と、第3の抵抗の他方の端子と第4の
抵抗の他方の端子との間に設けられる開閉器と、第3の
抵抗の一方の端子と接続される第1のノードと、第4の
抵抗の一方の端子と接続される第2のノードと、第1の
電流電極が第1のノードに接続され、第2の電流電極に
第2の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第1
のノードに接続される第4のトランジスタと、第1の電
流電極が第2のノードに接続され、第2の電流電極に第
2の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第2の
ノードに接続される第5のトランジスタと、第1の電流
電極が第2のノードに接続され、第2の電流電極に第2
の定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第1のノ
ードに接続される第6のトランジスタと、第1の電流電
極が第1のノードに接続され、第2の電流電極に第2の
定電位が印加する端子が接続し、制御電極が第2のノー
ドに接続される第7のトランジスタとを有するゲイン可
変プリアンプを備えるので、さらに差動入力信号のレベ
ル差がΔVでコモン電圧レベルVcmnが変化しても出
力電圧振幅の変化量は小さくなる。従って、A/D変換
時にフォールディングアンプ群及びインタポレーション
回路でアナログ信号処理をする際、電圧振幅が最適な値
に保持され精度劣化が改善される。
Further, a terminal to which a first constant potential is applied is connected to the second current electrode, and a first transistor to which a bias voltage is applied to a control electrode and a first current electrode of the first transistor are connected to a first transistor. A second transistor to which a second current electrode is connected and to which a first differential input signal is applied to a control electrode; and a second current electrode to which a first current electrode of the first transistor is connected to control a second current electrode. A third transistor having a second differential input signal applied to the electrode, a first output terminal connected to the first current electrode of the second transistor, and a first current electrode of the third transistor , A first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor, and one terminal connected to the first current electrode of the third transistor. A second resistor connected;
A third terminal in which one terminal is connected to one terminal of the first resistor;
, A fourth resistor having one terminal connected to one terminal of the second resistor, and an open / close switch provided between the other terminal of the third resistor and the other terminal of the fourth resistor. A first node connected to one terminal of the third resistor, a second node connected to one terminal of the fourth resistor, and a first current electrode connected to the first node. Connected, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to the second current electrode, and the control electrode is connected to the first current electrode.
A fourth transistor connected to the second node, a first current electrode connected to the second node, a terminal to which a second constant potential is applied connected to the second current electrode, and a control electrode connected to the second node. A fifth transistor connected to the second node, a first current electrode connected to the second node, and a second transistor connected to the second current electrode.
A sixth transistor having a terminal to which a constant potential is applied and a control electrode connected to the first node; a first current electrode connected to the first node; and a second transistor connected to the second current electrode. Is connected to a terminal to which a constant potential is applied, and a control electrode is provided with a seventh transistor connected to the second node. Therefore, the level difference of the differential input signal is ΔV and the common voltage level is ΔV. Even if Vcmn changes, the amount of change in the output voltage amplitude decreases. Therefore, when performing analog signal processing by the folding amplifier group and the interpolation circuit at the time of A / D conversion, the voltage amplitude is held at an optimum value, and the deterioration of accuracy is improved.

【0066】また、上位/下位の各比較時のゲインをR
c及びRfの設計値によって制御可能なので、さらにゲ
インの設定が容易になる。
Also, the gain at the time of each of the upper / lower comparison is represented by R
Since the control can be performed by the design values of c and Rf, the setting of the gain is further facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるA/D変換器
のゲイン可変プリアンプの回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a variable gain preamplifier of an A / D converter according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2によるA/D変換器
のゲイン可変プリアンプの回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a variable gain preamplifier of an A / D converter according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 従来のマイクロコンピュータのブロック図で
ある。
FIG. 3 is a block diagram of a conventional microcomputer.

【図4】 従来のユニファイドサブレンジング型A/D
変換器のタイミングチャートである。
FIG. 4 shows a conventional unified subranging type A / D.
5 is a timing chart of the converter.

【図5】 従来のフォールディング&インタポレーショ
ンアーキテクチャのブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of a conventional folding and interpolation architecture.

【図6】 従来のゲイン可変プリアンプの回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional variable gain preamplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 SW1 6 Mn6 7 Mn7 8 Mn8 9 Mp9 10 Mp1
0 11 Mn11 12 Mn
12 13 Mn13 14 Mp14 15 Mp
15 16 Mp16 17 Mp
17 31 Rf 33 Rf 35 Rc 37 Rc 38 N 55 Rf 57 Rf 51 Rc 53 Rc 58 N1 52 N2 71 SW1
1 SW16 Mn67 Mn78 Mn89 Mp9 10 Mp1
0 11 Mn 11 12 Mn
12 13 Mn13 14 Mp14 15 Mp
15 16 Mp16 17 Mp
17 31 Rf 33 Rf 35 Rc 37 Rc 38 N 55 Rf 57 Rf 51 Rc 53 Rc 58 N1 52 N2 71 SW1

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三木 隆博 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J022 AA14 BA01 CA08 CB06 CC01 CD03 CE01 CF02 CF05 5J100 AA02 AA20 BA05 BB02 BB08 BB16 BC04 CA12 CA28 EA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takahiro Miki 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term in Mitsubishi Electric Corporation (reference) 5J022 AA14 BA01 CA08 CB06 CC01 CD03 CE01 CF02 CF05 5J100 AA02 AA20 BA05 BB02 BB08 BB16 BC04 CA12 CA28 EA02

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第2の電流電極に第1の定電位が印加す
る端子が接続され、制御電極にバイアス電圧が印加され
る第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第1の差動入力信号が印加
される第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第2の差動入力信号が印加
される第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタの第1の電流電極に接続される
第1の出力端子と、 前記第3のトランジスタの第1の電流電極に接続される
第2の出力端子と、 前記第2のトランジスタの第1の電流電極に一方の端子
が接続される第1の抵抗と、 前記第3のトランジスタの第1の電流電極に一方の端子
が接続される第2の抵抗と、 前記第1の抵抗の他方の端子と前記第2の抵抗の他方の
端子との間に設けられる開閉器と、 一方の端子が前記第1の抵抗の一方の端子に接続される
第3の抵抗と、 一方の端子が前記第2の抵抗の一方の端子に接続される
第4の抵抗と、 前記第3の抵抗の他方の端子と接続し、前記第4の抵抗
の他方の端子と接続されるノードと、 第1の電流電極が前記第3の抵抗の一方の端子に接続さ
れ、第2の電流電極に第2の定電位が印加する端子が接
続し、制御電極が前記ノードに接続される第4のトラン
ジスタと、 第1の電流電極が前記第4の抵抗の一方の端子に接続さ
れ、第2の電流電極に第2の定電位が印加する端子が接
続し、制御電極が前記ノードに接続される第5のトラン
ジスタとを有するゲイン可変プリアンプを備えるサブレ
ンジング型A/D変換器。
A first transistor to which a terminal to which a first constant potential is applied is connected to a second current electrode and a bias voltage is applied to a control electrode; and a first current electrode of the first transistor A second current electrode is connected to the control electrode, and a second transistor to which a first differential input signal is applied to the control electrode; and a second current electrode is connected to the first current electrode of the first transistor. A third transistor to which a second differential input signal is applied to the control electrode; a first output terminal connected to a first current electrode of the second transistor; and a third transistor of the third transistor. A second output terminal connected to the first current electrode; a first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor; and a first current of the third transistor. A second resistor having one terminal connected to the electrode A switch provided between the other terminal of the first resistor and the other terminal of the second resistor; and a third switch having one terminal connected to one terminal of the first resistor. A fourth resistor having one terminal connected to one terminal of the second resistor; a fourth resistor connected to the other terminal of the third resistor, and a fourth terminal connected to the other terminal of the fourth resistor. A node to be connected, a first current electrode is connected to one terminal of the third resistor, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to a second current electrode, and a control electrode is connected to the node. A fourth transistor to be connected, a first current electrode connected to one terminal of the fourth resistor, a terminal to which a second constant potential is applied connected to a second current electrode, and a control electrode connected A sub-range including a variable gain preamplifier having a fifth transistor connected to the node; Grayed-type A / D converter.
【請求項2】 第2の電流電極に第1の定電位が印加す
る端子が接続され、制御電極にバイアス電圧が印加され
る第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第1の差動入力信号が印加
される第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの第1の電流電極に第2の電流
電極が接続され、制御電極に第2の差動入力信号が印加
される第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタの第1の電流電極に接続される
第1の出力端子と、 前記第3のトランジスタの第1の電流電極に接続される
第2の出力端子と、 前記第2のトランジスタの第1の電流電極に一方の端子
が接続される第1の抵抗と、 前記第3のトランジスタの第1の電流電極に一方の端子
が接続される第2の抵抗と、 一方の端子が前記第1の抵抗の一方の端子に接続される
第3の抵抗と、 一方の端子が前記第2の抵抗の一方の端子に接続される
第4の抵抗と、 前記第3の抵抗の他方の端子と前記第4の抵抗の他方の
端子との間に設けられる開閉器と、 前記第3の抵抗の一方の端子と接続される第1のノード
と、 前記第4の抵抗の一方の端子と接続される第2のノード
と、 第1の電流電極が前記第1のノードに接続され、第2の
電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続し、制御
電極が前記第1のノードに接続される第4のトランジス
タと、 第1の電流電極が前記第2のノードに接続され、第2の
電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続し、制御
電極が前記第2のノードに接続される第5のトランジス
タと、 第1の電流電極が前記第2のノードに接続され、第2の
電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続し、制御
電極が前記第1のノードに接続される第6のトランジス
タと、 第1の電流電極が前記第1のノードに接続され、第2の
電流電極に第2の定電位が印加する端子が接続し、制御
電極が前記第2のノードに接続される第7のトランジス
タとを有するゲイン可変プリアンプを備えるサブレンジ
ング型A/D変換器。
2. A first transistor to which a terminal to which a first constant potential is applied is connected to a second current electrode, and a bias voltage is applied to a control electrode; and a first current electrode of the first transistor. A second current electrode is connected to the control electrode, and a second transistor to which a first differential input signal is applied to the control electrode; and a second current electrode is connected to the first current electrode of the first transistor. A third transistor to which a second differential input signal is applied to the control electrode; a first output terminal connected to a first current electrode of the second transistor; and a third transistor of the third transistor. A second output terminal connected to the first current electrode; a first resistor having one terminal connected to the first current electrode of the second transistor; and a first current of the third transistor. A second resistor having one terminal connected to the electrode A third resistor having one terminal connected to one terminal of the first resistor; a fourth resistor having one terminal connected to one terminal of the second resistor; A switch provided between the other terminal of the third resistor and the other terminal of the fourth resistor; a first node connected to one terminal of the third resistor; A second node connected to one terminal of the resistor; a first current electrode connected to the first node; a terminal to which a second constant potential is applied connected to the second current electrode; A fourth transistor having an electrode connected to the first node; a first current electrode connected to the second node; and a second current electrode connected to a terminal to which a second constant potential is applied. A fifth transistor having a control electrode connected to the second node, and a first current electrode connected to the second node. A sixth transistor, which is connected to a second current electrode, a terminal to which a second constant potential is applied is connected to a second current electrode, and a control electrode is connected to the first node; A variable gain preamplifier having a seventh transistor connected to a first node, a terminal to which a second constant potential is applied to a second current electrode, and a control electrode connected to the second node. A subranging type A / D converter provided.
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