JP2001156325A - Photo reflector - Google Patents

Photo reflector

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JP2001156325A
JP2001156325A JP33881999A JP33881999A JP2001156325A JP 2001156325 A JP2001156325 A JP 2001156325A JP 33881999 A JP33881999 A JP 33881999A JP 33881999 A JP33881999 A JP 33881999A JP 2001156325 A JP2001156325 A JP 2001156325A
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JP
Japan
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light
emitting element
receiving element
shielding
electrodes
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JP33881999A
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Japanese (ja)
Inventor
Megumi Horiuchi
恵 堀内
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Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
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Publication date
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the performance of the analog-like detection of distance or the like instead of digital-like detection for detecting the presence or absence of a measurement target regarding a photo reflector with a light-emitting element and a photo detector. SOLUTION: In a photo reflector 10 having two pairs of electrodes 2, 3 and 4, 5 being formed on an insulation substrate 1, a light-emitting device 6 that is mounted on a pair of electrodes out of the two pairs of electrodes and a photo detector 7 that is mounted on the other pair of electrodes, and an intermediate light-shielding member 8c for shielding the area between the light-emitting device 6 and the photo detector 7, the light-emitting device 6 and the photo detector 7 are arranged in contact with or close to the intermediate light- shielding member 8c by putting to one side. With the arrangement, the distance between the light-emitting device 6 and the photo detector 7, and the measurement target is reduced, and the detection output of the photo detector 7 is improved, thus achieving analog-like detection.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は被検出物の有無又は
被検出物の位置を検出するフォトリフェレクターに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoreflector for detecting the presence or absence of an object or the position of the object.

【0002】[0002]

【従来の技術】フォトリフレクターは非接触で物体の有
無や物体の位置を検出する光センサであり、モーター等
の回転の制御や紙、フィルム等の位置、端部の検出など
に使用される。その一般な構成および原理を説明する
と、遮光された発光素子と受光素子とを有し、発光素子
から照射された光が検知対象の物体に当たって反射さ
れ、その反射光を受光素子で検知する。これによって、
フォトリフレクターの近傍における物体の有無や位置に
応じて受光素子側の出力が変化し、これを検出信号とし
て用いるのである。
2. Description of the Related Art A photoreflector is an optical sensor for detecting the presence or absence of an object and the position of the object without contact, and is used for controlling the rotation of a motor and the like, and detecting the position and edge of paper and film. The general configuration and principle will be described. The light-emitting element includes a light-shielded light-emitting element and a light-receiving element. Light emitted from the light-emitting element is reflected on an object to be detected, and the reflected light is detected by the light-receiving element. by this,
The output on the light receiving element side changes according to the presence or absence and position of an object near the photo reflector, and this is used as a detection signal.

【0003】従来知られているホトリフレクターの例を
図6示す。図6において、101は絶縁基板であり、1
06は発光ダイオード(以下LEDという。)等の発光
素子であり、絶縁基板上101上に設けられた図示しな
い1対の電極の一方の電極上にダイボンド接着され、他
方の電極に金線等によりワイヤーボンドされている。7
はフォトトランジスタ等からなる受光素子であり、図示
しない他の1対の電極の一方の電極上にダイボンド接着
され、他方の電極に金線等によりワイヤーボンドされて
いる。108は発光素子106と受光素子107を囲む
ように絶縁基板101上に取り付けられる遮光性のプラ
スチック等よりなる遮光枠であり、発光素子106と受
光素子107の発光、受光方向を規制するものである。
この遮光枠108は、発光素子106と受光素子107
の発光、受光方向にそれぞれ設けられている窓部108
a、108bと、発光素子106と受光素子107との
間を遮光する中間遮光壁部108cを有する。109、
110は透光性樹脂よりなる封止部材であり、発光素子
106と受光素子107を覆いこれらを封止するもので
ある。
FIG. 6 shows an example of a conventionally known photoreflector. In FIG. 6, reference numeral 101 denotes an insulating substrate;
Reference numeral 06 denotes a light-emitting element such as a light-emitting diode (hereinafter, referred to as an LED), which is die-bonded to one of a pair of electrodes (not shown) provided on the insulating substrate 101, and to the other electrode by a gold wire or the like. Wire bonded. 7
Is a light receiving element composed of a phototransistor or the like, which is die-bonded to one electrode of another pair of electrodes (not shown), and wire-bonded to the other electrode by a gold wire or the like. Reference numeral 108 denotes a light-shielding frame made of plastic or the like having a light-shielding property and mounted on the insulating substrate 101 so as to surround the light-emitting element 106 and the light-receiving element 107. The light-shielding frame 108 regulates the light-emitting and light-receiving directions of the light-emitting element 106 and the light-receiving element 107. .
The light-shielding frame 108 includes the light-emitting element 106 and the light-receiving element 107.
Windows 108 provided in the light emission and light reception directions of
a, 108b, and an intermediate light-shielding wall portion 108c that shields light between the light-emitting element 106 and the light-receiving element 107. 109,
Reference numeral 110 denotes a sealing member made of a translucent resin, which covers the light emitting element 106 and the light receiving element 107 and seals them.

【0004】113は測定対象物である。図6に示すよ
うに、測定対象物113が実線で示す位置にあるとき
は、発光素子106の発光は封止部材109と空気の界
面109aにおいて屈折して測定対象物113に達し、
その表面で反射され、その反射光が封止部材110の界
面110aで屈折されて受光素子107に入射し、検出
信号を出力することにより、測定対象物113の存在を
検知する。
Reference numeral 113 denotes an object to be measured. As shown in FIG. 6, when the measurement target 113 is at the position indicated by the solid line, the light emission of the light emitting element 106 is refracted at the interface 109a between the sealing member 109 and air and reaches the measurement target 113,
The light is reflected by the surface, the reflected light is refracted at the interface 110a of the sealing member 110, enters the light receiving element 107, and outputs a detection signal to detect the presence of the measurement target 113.

【0005】図7は図6に示すフォトリフレクターの変
型例であり、遮光枠108の代わりに封止部材109お
よび110の表面に開口部を残してそれぞれ遮光膜10
9b、109c及び110b、110cを形成し、構成
を簡単にしたものである。ここで遮光膜109cと11
0cは中間遮光膜であり、図1の中間遮光壁部108c
の役割をなし、遮光膜109b、110bは窓部遮光兼
反射膜でありそれぞれ図1の窓部108a、108bの
役割とともに内部の光を反射させる役割もなすものであ
る。封止部材の109、110に斜面を設け開口部の面
積を小さくして、細かい検出に適するようにし、また斜
面の遮光膜109b、110bにおける反射により、光
の利用効率を上げるようにしてあるが、検出の基本原理
は図6に示したものと同様である。
FIG. 7 shows a modification of the photoreflector shown in FIG. 6, in which the light-shielding film 10 is formed by leaving openings on the surfaces of sealing members 109 and 110 instead of the light-shielding frame 108.
9b and 109c and 110b and 110c are formed to simplify the configuration. Here, the light shielding films 109c and 11
Reference numeral 0c denotes an intermediate light shielding film, which is an intermediate light shielding wall 108c in FIG.
The light-shielding films 109b and 110b are light-shielding and reflecting films for the windows and serve to reflect the internal light as well as the windows 108a and 108b in FIG. 1, respectively. Although slopes are provided in the sealing members 109 and 110 to reduce the area of the opening so as to be suitable for fine detection, and the reflection of the slopes on the light shielding films 109b and 110b increases the light use efficiency. The basic principle of detection is the same as that shown in FIG.

【0006】図6および図7にそれぞれ示したフォトリ
フレクターにおいて、測定対象物113が近接して、例
えば破線で示す位置となったとき、発光素子106から
の入射光を反射させて、受光素子107に入射させるに
は、発光素子106からの入射光は測定対象物113に
おいて、図6の中間遮光壁部108cの略直上または、
図7の中間遮光膜109c、110cの略直上に入射す
る必要がある。すなわち、この直上部分から受光素子側
にずれて入射すると、その反射光は前記中間遮光壁部1
08c等に妨害されて、受光素子107に達することが
できなくなるからである。
In the photoreflectors shown in FIGS. 6 and 7, when the object to be measured 113 comes close to, for example, a position shown by a broken line, the incident light from the light emitting element 106 is reflected and the light receiving element 107 is reflected. 6, the incident light from the light emitting element 106 is applied to the measurement object 113 almost directly above the intermediate light-shielding wall portion 108 c in FIG.
It is necessary that the light is incident on the intermediate light-shielding films 109c and 110c in FIG. That is, when the light is incident on the light receiving element side from the portion immediately above, the reflected light is transmitted to the intermediate light shielding wall 1.
08c or the like, and cannot reach the light receiving element 107.

【0007】この直上部分に入射させるには、発光素子
106の射出光のうち、封止部材109の界面109a
に対する入射角θが十分に大きいものを利用する必要が
ある。しかし、入射角度θを大きくしようとしても、封
止部材109の材料で決まる臨界角度θc以上の角度で
封止部材109の界面109aに達した光は全反射され
てしまうので、外部に光が投射されない状態となる。こ
のため、測定対象物113がフォトリフレクターに近付
いた場合に、その有無を検知することができなくなる。
In order to make the light incident on the portion directly above, the interface 109 a of the sealing member 109 in the light emitted from the light emitting element 106 is used.
It is necessary to use one having a sufficiently large incident angle θ with respect to. However, even if the incident angle θ is increased, light reaching the interface 109a of the sealing member 109 at an angle equal to or greater than the critical angle θc determined by the material of the sealing member 109 is totally reflected. It will not be in the state. For this reason, when the measurement object 113 approaches the photo reflector, the presence or absence of the object cannot be detected.

【0008】図8はかかる欠点を改良した公知のフォト
リフレクターを示す断面図である。このフォトリフレク
タは封止部材(109、110)のようなモールド部材
が設けられてなく、発光素子106および受光素子10
7は薄膜コート樹脂106bおよび107bによりコー
テイングされている。窓部108a、108bおよび中
間遮光部108cよりなる遮光枠108の内部は中空と
なっている。図8に示すように、発光素子106から投
光された光は、矢印で示す光の経路のように投射されて
測定対象物113で反射するので、遮光枠108の外部
に投射される際に屈折はなく全反射により投射が阻止さ
れることはない。
FIG. 8 is a sectional view showing a known photoreflector in which such a disadvantage is improved. This photoreflector is not provided with a molding member such as a sealing member (109, 110), and the light emitting element 106 and the light receiving element 10 are not provided.
7 is coated with thin film coating resins 106b and 107b. The inside of the light shielding frame 108 including the windows 108a and 108b and the intermediate light shielding part 108c is hollow. As shown in FIG. 8, the light projected from the light emitting element 106 is projected like a light path indicated by an arrow and reflected by the measurement target 113, so that when the light is projected outside the light shielding frame 108. There is no refraction and projection is not blocked by total internal reflection.

【0009】このため、ごく近接した位置に存在する測
定対象物113でも検知することができる。このように
して、従来のリフレクターにおいても、測定対象物が近
接した場合においても、その有無を検知することができ
る。
For this reason, it is possible to detect even the measuring object 113 existing in a very close position. In this way, even in the case of a conventional reflector, the presence or absence of the object can be detected even when the object to be measured approaches.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
図8に示すようなフォトリフレクターにおいても、測定
対象物の距離または方向角度のアナログ量を正確に検知
しようとすると、以下に述べるような問題がある。図8
の矢印が示すように発光素子106から射出される光の
うち、実際に受光素子107の検出に寄与する光は中間
遮光部108cの直上付近に入射する光であり、発光素
子106の発光面の法線方向106aからかなり大きな
角度だけずれた光線である(法線方向に近い角度の光線
の反射光は中間遮光部108cに阻止されて受光素子7
107に達しにくい。)。ここで、測定対象物113が
近接し、有効な反射面に入射する光線の方向が法線方向
106aからずれるに従い、発光素子106に対する有
効な反射面の立体角が減少し、有効な反射面の光量は低
下する。従って、この反射光が受光素子107に入射し
ても、入射の光量が十分でなく、測定対象物の有無を検
出するデジタル的な検出はできても、距離等のアナログ
量の検出ができるまでには至らない。
However, even in the photoreflector as shown in FIG. 8 described above, if the analog amount of the distance or the direction angle of the object to be measured is to be accurately detected, the following problem arises. is there. FIG.
As shown by the arrow of, of the light emitted from the light emitting element 106, the light that actually contributes to the detection of the light receiving element 107 is light that is incident immediately above the intermediate light shielding portion 108c, It is a light beam deviated from the normal direction 106a by a considerably large angle (reflected light of a light beam having an angle close to the normal direction is blocked by the intermediate light shield 108c and
It is difficult to reach 107. ). Here, the solid angle of the effective reflecting surface with respect to the light emitting element 106 decreases as the measurement object 113 approaches and the direction of the light beam incident on the effective reflecting surface deviates from the normal direction 106a. The amount of light decreases. Therefore, even if this reflected light is incident on the light receiving element 107, the amount of incident light is not sufficient, and even if digital detection for detecting the presence or absence of an object to be measured can be performed, but analog amount such as distance can be detected. Does not reach.

【0011】すなわち、デジタル的な検出においては、
受光素子107の信号出力がS/N比を越える所定の値
に達すれば十分であるが、アナログ的な検出において
は、単にこの所定の値に達しただけでは十分でなく、ア
ナログ量に対応し、その有意差を識別するには、これの
数倍の信号出力が必要となるからである。この意味で、
少なくとも測定対象物113が図8に示すように、ある
程度接近した場合にはアナログ量の検出は不可能とな
り、これに起因して、測定対象物113がある程度離れ
た場合でも距離のアナログ量の検出の信頼性を上げるこ
とは容易ではないことになる。
That is, in digital detection,
It is sufficient that the signal output of the light receiving element 107 reaches a predetermined value exceeding the S / N ratio. However, in analog detection, simply reaching this predetermined value is not sufficient, and the detection of the analog amount is not sufficient. This is because, in order to identify the significant difference, a signal output several times as large as this is required. In this sense,
As shown in FIG. 8, at least when the measurement target 113 approaches a certain distance, it becomes impossible to detect the analog amount. Therefore, even when the measurement target 113 is separated to a certain extent, the analog amount can be detected at a distance. It will not be easy to increase the reliability of the system.

【0012】本発明は発光素子と受光素子を備え、測定
対象物により反射された発光素子の反射光を受光素子で
検知するフォトリフレクターに関し、従来技術における
前記の問題点を改善することを課題とするものである。
そして本発明は、かかる課題を解決し、測定対象物の有
無というデジタル量だけでなく、その距離、角度等のア
ナログ量を十分の信頼性をもって検出できるフォトリフ
レクターを提供することを目的とするものである。
The present invention relates to a photoreflector comprising a light-emitting element and a light-receiving element, wherein the light-reflection element detects the reflected light of the light-emitting element reflected by the object to be measured. Is what you do.
An object of the present invention is to solve the above problem and provide a photoreflector capable of detecting not only a digital quantity indicating the presence or absence of an object to be measured but also an analog quantity such as its distance and angle with sufficient reliability. It is.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにその第1の手段として本発明は、絶縁基板上に形成
された2対の電極と、該2対の電極のうち1対の電極に
実装された発光素子と他の1対の電極に実装された受光
素子と、前記発光素子と受光素子の間を遮光する中間遮
光部材とを有するフォトリフレクターにおいて、前記中
間遮光部材に片寄せにより接触又は近接して前記発光素
子および受光素子を配設したことを特徴とする。
As a first means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides two pairs of electrodes formed on an insulating substrate, and one pair of the two pairs of electrodes. In a photoreflector having a light emitting element mounted on an electrode, a light receiving element mounted on another pair of electrodes, and an intermediate light shielding member for shielding light between the light emitting element and the light receiving element, The light emitting element and the light receiving element are arranged in contact with or in close proximity to each other.

【0014】上記の課題を解決するためにその第2の手
段として本発明は、前記第1の手段において、発光素子
および受光素子の対応する前記一対の電極への実装は発
光素子の発光面および受光素子の受光面の実装を逆ボン
デイング方式のワイヤーボンデイングにより、前記発光
面および受光素子の受光面の電極にボンデイングのボー
ルを形成することなく行われていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized in that, in the first aspect, the light emitting element and the light receiving element are mounted on the corresponding pair of electrodes by the light emitting surface of the light emitting element and The light receiving surface of the light receiving element is mounted on the light emitting surface and the electrode of the light receiving surface of the light receiving element without forming a bonding ball by wire bonding of a reverse bonding method.

【0015】上記の課題を解決するためにその第3の手
段として本発明は、前記第1の手段又は第2の手段にお
いて、前記中間遮光部材は板状をなし、前記発光素子お
よ受光素子の周囲を囲み上部に開口する遮光性のモール
ド枠に結合されていることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the light emitting device according to the first or second aspect, wherein the intermediate light-shielding member has a plate shape, and And is coupled to a light-shielding mold frame which surrounds the periphery and is open at the top.

【0016】上記の課題を解決するためにその第4の手
段として本発明は、前記第1の手段又は第2の手段にお
いて、前記中間遮光部材は板状、前記発光素子およ受光
素子の周囲を囲み上部に開口する遮光性のモールド枠と
一体に形成にされていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the light emitting device according to the first or second aspect, wherein the intermediate light-shielding member has a plate shape, and is provided around the light emitting element and the light receiving element. And is integrally formed with a light-shielding mold frame which is open at the top.

【0017】上記の課題を解決するためにその第5の手
段として本発明は、前記第1の手段乃至第4の手段のい
ずれかにおいて、前記発光素子および受光素子の外周に
透光性樹脂による薄膜状のコーテイングを施し、前記遮
光性のモールド枠の内部を中空部とし、該中空部に空気
が充満していることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method according to any one of the first to fourth means, wherein the light-emitting element and the light-receiving element are formed of a translucent resin on the outer periphery. It is characterized in that a thin-film-shaped coating is applied, and the inside of the light-shielding mold frame is a hollow portion, and the hollow portion is filled with air.

【0018】上記の課題を解決するためにその第6の手
段として本発明は、前記第1の手段乃至第5の手段のい
ずれかにおいて、前記発光素子はLEDであり、受光素
子はフォトトランジスタ又はフォトダイオードであるこ
とを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, in any one of the first to fifth means, the light emitting element is an LED, and the light receiving element is a phototransistor or a phototransistor. It is a photodiode.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下に、図面に基づいて本発明の
一実施の形態を説明する。図1は本実施の形態に係るフ
ォトリフレクターの構成を示す斜視図であり、図2は図
1のAーA断面図である。図に示すように、本実施の形
態に係るフォトリフレクター10においては、絶縁基板
1上の各一対の電極2、3および4、5にLED等の発
光素子6およびフォトトランジスター又はフォトダイオ
ード等の受光素子7が一対となって併置するようにボン
デイングされている。すなわち、発光素子6は電極2上
にダイボンド接着され、電極3に金線等のボンデイング
ワイヤー20によりワイヤーボンドされている。このワ
イヤーボンドにおいてはボンデイングワイヤー20のフ
ァースト側が前記電極3にボールボンデイングにより接
合され、セカンド側が発光素子6の上面(発光面)にウ
ェッジボンデイングにより接合され、いわゆる逆ボンデ
イングがなされている。これにより、前記ボンデイング
ワイヤー20が発光素子6の上面から上方に張り出す距
離が通常のボンデイングの場合よりも短くなっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of the photoreflector according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in the figure, in a photo reflector 10 according to the present embodiment, a light emitting element 6 such as an LED and a light receiving element such as a phototransistor or a photodiode are provided on each of a pair of electrodes 2, 3 and 4, 5 on an insulating substrate 1. The elements 7 are bonded so as to be juxtaposed as a pair. That is, the light emitting element 6 is die-bonded on the electrode 2 and wire-bonded to the electrode 3 by a bonding wire 20 such as a gold wire. In this wire bonding, the first side of the bonding wire 20 is bonded to the electrode 3 by ball bonding, and the second side is bonded to the upper surface (light emitting surface) of the light emitting element 6 by wedge bonding, so-called reverse bonding. As a result, the distance that the bonding wire 20 projects upward from the upper surface of the light emitting element 6 is shorter than in the case of normal bonding.

【0020】受光素子7は、電極4上にダイボンド接着
され、電極5に同様のボンデイングワイヤー20により
前記と同様に逆ボンデイングがされている。発光素子6
および受光素子7の外周は薄膜コート樹脂6bおよび7
bによりコーテイングされおり、これにより発光素子6
および受光素子7が保護される。8は発光素子6と受光
素子7を囲むように絶縁基板1上に取り付けられる遮光
性のプラスチック等よりなる遮光枠であり、発光素子6
と受光素子7の発光、受光方向を規制するものである。
この遮光枠8は、発光素子6と受光素子7の発光、受光
方向にそれぞれもうけられている窓部8a、8bと、発
光素子6と受光素子7との間を遮光する中間遮光壁部8
cを有する。
The light receiving element 7 is bonded to the electrode 4 by die bonding, and the electrode 5 is reversely bonded to the electrode 5 by the same bonding wire 20 as described above. Light emitting element 6
And the outer periphery of the light receiving element 7 is thin film coat resin 6b and 7
b, so that the light emitting element 6
And the light receiving element 7 is protected. Reference numeral 8 denotes a light-shielding frame made of a light-shielding plastic or the like mounted on the insulating substrate 1 so as to surround the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7.
And the direction of light emission and light reception of the light receiving element 7.
The light-shielding frame 8 includes windows 8 a and 8 b provided in the light-emitting and light-receiving directions of the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7, and an intermediate light-shielding wall 8 that shields light between the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7.
c.

【0021】前記中間遮光壁部8cを挟むようにして、
その両側に接触又は略接触する位置において発光素子6
および受光素子7が前記のダイボンド接着により電極に
固定されている。遮光枠8の内部は封止部材等が充填さ
れておらず、図8に示したフォトリフレクターと同様に
中空の状態となっている。
With the intermediate light-shielding wall 8c interposed therebetween,
The light emitting element 6 is located at a position where the light emitting element 6 contacts or substantially contacts both sides thereof.
The light receiving element 7 is fixed to the electrode by the above-mentioned die bonding. The inside of the light shielding frame 8 is not filled with a sealing member or the like, and is in a hollow state like the photo reflector shown in FIG.

【0022】本実施の形態に係るフォトリフレクターを
製作するには、絶縁基板1の上に、成形型等を用い、遮
光性樹脂のモールド加工により、前記遮光枠8を一体と
して形成して固定し、その後、所定の位置に発光素子6
と受光素子7を配置し、上記のボンデイングにより、絶
縁基板への固定および電極への電気的接続を行う。そし
てその後に、発光素子6および受光素子7の外周にポッ
テイング又はスピンコート等により薄膜コート樹脂6b
および7bのコーテイングを行うことになる。この際、
公知の技術と同様に、共通基板を用いて多数個取りも可
能である。
In order to manufacture the photoreflector according to the present embodiment, the light shielding frame 8 is integrally formed and fixed on the insulating substrate 1 by molding a light shielding resin using a molding die or the like. Then, the light emitting element 6 is placed at a predetermined position.
And the light receiving element 7 are arranged, and by the above-described bonding, fixing to the insulating substrate and electrical connection to the electrodes are performed. After that, a thin film coating resin 6b is formed on the outer periphery of the light emitting element 6 and the light receiving element 7 by potting or spin coating.
And 7b. On this occasion,
As in the case of the known technique, it is also possible to take a large number of pieces using a common substrate.

【0023】上記の構成において、フォトリフレクター
の作用を以下に説明する。今、電極2と電極3の間に所
定の電圧を加え、発光素子6を発光させた状態で、図2
に示すように、測定対象物13が実線で示すように近接
した位置にある場合に、中間遮光壁部8cの直上の有効
反射領域S1を考え、発光素子6から有効反射領域S1
に入射した光が反射されて、受光素子7に入射す場合、
この反射光のうちの代表的なものとして、受光素子7の
中央に入射する光束s1に着目する。
The operation of the photoreflector in the above configuration will be described below. Now, in a state where a predetermined voltage is applied between the electrode 2 and the electrode 3 and the light emitting element 6 emits light, FIG.
As shown in the figure, when the measuring object 13 is located in a close position as shown by a solid line, the effective reflection area S1 immediately above the intermediate light-shielding wall 8c is considered, and the effective reflection area S1
When the light incident on the light receiving element 7 is reflected and incident on the light receiving element 7,
As a representative one of the reflected lights, attention is paid to the light flux s1 incident on the center of the light receiving element 7.

【0024】発光素子6から前記有効反射領域S1に向
かう光の方向は発光素子6の発光面(上面)の法線6a
の方向からかなり大きな角度だけずれた方向となる。こ
こで、有効な反射面に対する入射光線の方向が法線方向
6aからずれるに従い、発光素子6に対する有効な反射
面の立体角が減少し、反射面の光量は低下する傾向にあ
る。すなわち、有効反射領域S1の光量は、その有効反
射領域が法線方向6aからずれるに従って低下する。し
かし、図8に示した従来例の場合に比較すると、発光素
子6に対する領域S1の立体角および、受光素子におけ
る前記入射光束s1の立体角はかなり大きくなってい
る。よって有効反射領域の光量、受光素子7における検
出光量および検出信号の出力レベルは従来よりは大幅に
増大し、アナログ量として識別できる程度となる。ここ
で、立体角が従来より大となるのは、中間遮光壁部8c
に接触して発光素子6および受光素子が配置され、中間
遮光壁部8cの突出量も小さくなっているので、発光素
子と前記有効反射領域S1との距離が従来よりも大幅に
減少していることによる。
The direction of light traveling from the light emitting element 6 toward the effective reflection area S1 is the normal 6a of the light emitting surface (upper surface) of the light emitting element 6.
Is shifted from the direction by a considerably large angle. Here, as the direction of the incident light beam with respect to the effective reflecting surface deviates from the normal direction 6a, the solid angle of the effective reflecting surface with respect to the light emitting element 6 decreases, and the amount of light on the reflecting surface tends to decrease. That is, the light amount of the effective reflection area S1 decreases as the effective reflection area shifts from the normal direction 6a. However, compared to the case of the conventional example shown in FIG. 8, the solid angle of the region S1 with respect to the light emitting element 6 and the solid angle of the incident light beam s1 in the light receiving element are considerably large. Therefore, the light amount in the effective reflection area, the light amount detected by the light receiving element 7 and the output level of the detection signal are greatly increased as compared with the conventional case, and can be recognized as analog amounts. Here, the reason why the solid angle becomes larger than before is that the intermediate light-shielding wall portion 8c is used.
The light-emitting element 6 and the light-receiving element are disposed in contact with the light-emitting element 6 and the protruding amount of the intermediate light-shielding wall portion 8c is also small. It depends.

【0025】次に、測定対象物13がフォトリフレクタ
ーからやや離れた破線で示す位置にある場合に、発光素
子6からの入射光が法線6aの方向に比較的近い角度で
入射する測定対象物13の領域を実効反射領域S2と
し、発光素子6から実効反射領域S2に入射した光が反
射されて、受光素子7に入射す場合、この反射光のうち
の代表的なものとして、受光素子7の中央に入射する光
束s2に着目する。発光素子6から実効反射領域S2に
入射する光の方向は法線6aの方向に近いので立体角に
関して有利となり、実効反射領域S2の立体角は図に示
すように有効反射領域S1の立体角よりも大となる。よ
って、前記有効反射領域S1に比し、実効反射領域S2
の光量は上がり、受光素子7のへの入射光の光束s2の
光量および受光素子7の信号出力は前記の光束s1の場
合よりも顕著に増加する。この信号出力は勿論、信頼性
のあるアナログ量となり、s1の場合との明確な有意差
が得られる。
Next, when the measuring object 13 is located at a position indicated by a broken line slightly away from the photoreflector, the measuring object on which the incident light from the light emitting element 6 is incident at an angle relatively close to the direction of the normal 6a. The area 13 is an effective reflection area S2. When light incident on the effective reflection area S2 from the light emitting element 6 is reflected and incident on the light receiving element 7, the light receiving element 7 is a representative one of the reflected lights. Attention is focused on the light flux s2 incident on the center of. Since the direction of light incident on the effective reflection area S2 from the light emitting element 6 is close to the direction of the normal 6a, it is advantageous in terms of solid angle, and the solid angle of the effective reflection area S2 is larger than the solid angle of the effective reflection area S1 as shown in the figure. Is also great. Therefore, the effective reflection area S2 is larger than the effective reflection area S1.
And the light quantity of the light beam s2 of the light incident on the light receiving element 7 and the signal output of the light receiving element 7 are significantly increased as compared with the case of the light beam s1. This signal output is, of course, a reliable analog quantity, and a clear significant difference from s1 is obtained.

【0026】このようにして、測定対象物13のフォト
リフレクター10からの距離に応じ、受光素子7の光量
検出によるアナログ信号出力が顕著に変化する。図3は
図1および図2に示すフォトリフレクターの検出特性を
示す図である。すなわち、フォトリフレクター10から
測定対象物13までの距離をxとし、受光素子7のアナ
ログ信号出力をIAとしたとき、距離xとアナログ信号
出力IAとの関係を示す図である。図3に示すように距
離xの所定の範囲でxの増加に伴ってアナログ信号出力
は単調に且つ顕著に増加し、この範囲でフォトリフレク
ターによる距離の測定が可能である。又、検出感度をS
aとすればxの増加分Δxに対するIAの増加分ΔIA
の割合が検出感度Saとなり、Sa=ΔIA/Δxとな
り図3のアナログ信号の出力曲線の勾配となる。本例の
場合は検出感度Saは距離xの所定の範囲内ではかなり
高く、信頼性のある良好な距離検出を行うことおができ
る。なお、測定対象物の距離xがある程度以上となる
と、光路長が長くなった分、光量が減少し、図3に示す
ように、アナログ信号出力は最大値を過ぎて、かえって
減少することになる。
As described above, the analog signal output by the light amount detection of the light receiving element 7 remarkably changes according to the distance of the measuring object 13 from the photo reflector 10. FIG. 3 is a diagram showing detection characteristics of the photoreflector shown in FIGS. 1 and 2. That is, when the distance from the photoreflector 10 to the measuring object 13 is x and the analog signal output of the light receiving element 7 is IA, the relationship between the distance x and the analog signal output IA is shown. As shown in FIG. 3, the output of the analog signal monotonously and significantly increases as x increases in a predetermined range of the distance x, and the distance can be measured by the photoreflector in this range. The detection sensitivity is S
Let a be the increment ΔIA of IA with respect to the increment Δx of x
Is the detection sensitivity Sa, and Sa = ΔIA / Δx, which is the slope of the output curve of the analog signal in FIG. In the case of this example, the detection sensitivity Sa is considerably high within a predetermined range of the distance x, and reliable and good distance detection can be performed. When the distance x of the object to be measured becomes a certain value or more, the light amount decreases by the length of the optical path, and as shown in FIG. 3, the analog signal output exceeds the maximum value and decreases instead. .

【0027】このように、本実施の形態によれば、測定
対象物の有無を検知するだけでなく、その移動距離をア
ナログ的に正確に検知することができる。本実施の形態
に係るフォトリフレクターにおいてはすでに述べたよう
に、中間遮光壁部8cと発光素子6または受光素子の段
差の長さが短く抑えられている。これにより、測定対象
物がかなり近接した場合でもその検出ができるように工
夫されている。これは又、前記のように逆ボンデイング
によりボンデイングワイヤー20の突出が短く抑えられ
たことにより可能となったのである。又、本実施の形態
においては、発光素子6および受光素子7の位置だしは
前記中間遮光壁部8cに接触させることにより、容易に
その精度を上げることができるので、最終的な検出感度
のバラツキを減少させ、製品の信頼性を向上させること
ができる。
As described above, according to the present embodiment, not only the presence / absence of an object to be measured can be detected but also the moving distance thereof can be accurately detected in an analog manner. In the photo reflector according to the present embodiment, as described above, the length of the step between the intermediate light-shielding wall 8c and the light-emitting element 6 or the light-receiving element is kept short. In this way, even when the measurement object is very close, it is devised so that it can be detected. This is also made possible by the fact that the projection of the bonding wire 20 is kept short by the reverse bonding as described above. In the present embodiment, the accuracy of the positioning of the light emitting element 6 and the light receiving element 7 can be easily increased by contacting the intermediate light-shielding wall portion 8c. And the reliability of the product can be improved.

【0028】以下に、図面に基づいて本発明の他の一つ
の実施の形態として図1に示したフォトリフレクターの
変型例につき説明する。図4は本実施の形態に係るフォ
トリフレクターの構成を示す斜視図である。図4に示す
ように、遮光枠8は窓部8a、8bおよびこれとは別体
の中間遮光板8dよりなっている。図5は図4に示すフ
ォトリフレクターを形成する途中の状態を示す斜視図で
ある。図5に示すように、中間遮光板8dは予め絶縁基
板1上にガイド溝等を用いて直立した状態で接合固定さ
れる。
A modification of the photoreflector shown in FIG. 1 will be described below as another embodiment of the present invention with reference to the drawings. FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the photo reflector according to the present embodiment. As shown in FIG. 4, the light shielding frame 8 includes windows 8a and 8b and an intermediate light shielding plate 8d separate from the windows. FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the photo reflector shown in FIG. 4 is being formed. As shown in FIG. 5, the intermediate light-shielding plate 8d is joined and fixed on the insulating substrate 1 in an upright state using a guide groove or the like in advance.

【0029】そして、直立した中間遮光板8dに接触す
るようにして、これを挟んで発光素子6および受光素子
7を位置だしして配置した状態で図1の場合と同様のボ
ンデイングをして絶縁基板上の電極に固定し、電極との
電気的接続も行う。その後、発光素子6および受光素子
7の外周にポッテイング又はスピンコート等により薄膜
コート樹脂のコーテイングを行う。次に、成形型等を用
い、遮光性の樹脂を用い、遮光枠8のは窓部8a、8b
を絶縁基板1上において前記中間遮光板8dに接続し、
且つ、発光素子6および受光素子7を囲むようにしてモ
ールド加工により形成する。この際、公知の技術と同様
に、集合基板を用いて多数個取りも可能である。
Then, the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7 are positioned so as to be in contact with the upright intermediate light-shielding plate 8d, and the same light-bonding as in FIG. It is fixed to an electrode on a substrate, and is also electrically connected to the electrode. After that, the thin film coating resin is coated on the outer periphery of the light emitting element 6 and the light receiving element 7 by potting or spin coating. Next, using a molding die or the like, a light-shielding resin is used, and the light-shielding frame 8 has windows 8a and 8b.
Is connected to the intermediate light-shielding plate 8d on the insulating substrate 1,
Further, it is formed by molding so as to surround the light emitting element 6 and the light receiving element 7. At this time, as in the case of the known technique, it is also possible to take a large number of pieces by using a collective substrate.

【0030】図4及び図5に示すフォトリフレクターの
構成は、中間遮光板8dが別体となっている点を除き、
図1に示すフォトリフレクターと同様であり、同様の作
用をなす。ただし、本実施の態様のフォトリフレクター
の製作においては、上記のように発光素子6および受光
素子7のボンデイングの後にこれらを囲む遮光枠8は窓
部8a、8bの形成が行われるので、発光素子6および
受光素子7にかなり近接して窓部8a、8bを形成する
ことができる。これにより、装置の小型化が可能とな
り、小型の測定対象物にも適応しやすくなる。
The configuration of the photo reflector shown in FIGS. 4 and 5 is the same as that of the photo reflector shown in FIG.
It is similar to the photoreflector shown in FIG. 1 and performs the same operation. However, in the fabrication of the photoreflector of the present embodiment, the light-emitting frame 6 surrounding the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7 is formed with the windows 8a and 8b after the bonding of the light-emitting element 6 and the light-receiving element 7 as described above. The windows 8a and 8b can be formed quite close to the light receiving element 6 and the light receiving element 7. This makes it possible to reduce the size of the device, and to easily adapt to a small measurement target.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明は発光素子と受光素子を備え、測
定対象物により反射された発光素子の反射光を受光素子
で検知するフォトリフレクターに関し、従来において
は、事実上困難であった、測定対象物の距離等の変化を
検知するアナログ検出を可能とし、対象物の有無を検知
するデジタル的検出およびその距離等を検知、測定する
アナログ的検出を共に信頼性よく行うことのできるフォ
トリフレクターを提供することができる。
The present invention relates to a photoreflector comprising a light emitting element and a light receiving element, wherein the light reflected by the object to be measured is reflected by the light receiving element. A photoreflector that enables analog detection to detect changes in the distance of an object, etc., and can perform both digital detection to detect the presence or absence of an object and analog detection to detect and measure the distance etc. with high reliability. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係るフォトリフレクタ
ーの構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a photo reflector according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のAーA断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】図1に示すフォトリフレクターのアナログ検出
特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing analog detection characteristics of the photo reflector shown in FIG.

【図4】本発明の他の一つの実施の形態に係るフォトリ
フレクターの構成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a photo reflector according to another embodiment of the present invention.

【図5】図4に示すフォトリフレクターの製作の途中の
状態を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in the course of manufacturing the photo reflector shown in FIG. 4;

【図6】従来のフォトリフレクターの構成を示す断面図
である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional photo reflector.

【図7】従来のフォトリフレクターの構成を示す断面図
である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional photo reflector.

【図8】従来のフォトリフレクターの構成を示す断面図
である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional photo reflector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 2、3、4、5 電極 6 発光素子 6b、7b 薄膜コート樹脂 7 受光素子 8 遮光枠 8a、8b 窓部 8c 中間遮光壁部 8d 中間遮光板 10 フォトリフレクター 13 測定対象物 20 ボンデイングワイヤー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2, 3, 4, 5 Electrode 6 Light emitting element 6b, 7b Thin film coating resin 7 Light receiving element 8 Light shielding frame 8a, 8b Window 8c Intermediate light shielding wall 8d Intermediate light shielding plate 10 Photoreflector 13 Measurement object 20 Bonding wire

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年12月3日(1999.12.
3)
[Submission date] December 3, 1999 (1999.12.
3)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【発明の名称】フォトリフレクター[Title of the Invention] Photoreflector

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に形成された2対の電極と、
該2対の電極のうち1対の電極に実装された発光素子と
他の1対の電極に実装された受光素子と、前記発光素子
と受光素子の間を遮光する中間遮光部材とを有するフォ
トリフレクターにおいて、前記中間遮光部材に片寄せに
より接触又は近接して前記発光素子および受光素子を配
設したことを特徴とするフォトリフレクター。
A pair of electrodes formed on an insulating substrate;
A photo-detector having a light-emitting element mounted on one pair of electrodes of the two pairs of electrodes, a light-receiving element mounted on another pair of electrodes, and an intermediate light-shielding member for shielding light between the light-emitting element and the light-receiving element; In a reflector, the light-emitting element and the light-receiving element are arranged so as to contact or approach the intermediate light-blocking member by one-sided alignment.
【請求項2】 前記発光素子および受光素子の対応する
前記一対の電極への実装は発光素子の発光面および受光
素子の受光面の実装を逆ボンデイング方式のワイヤーボ
ンデイングにより、前記発光面および受光素子の受光面
の電極にボンデイングのボールを形成することなく行わ
れていることを特徴とする請求項1に記載のフォトリフ
レクター。
2. The light emitting element and the light receiving element are mounted on the pair of electrodes corresponding to each other by mounting the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element by wire bonding of a reverse bonding method. 2. The photoreflector according to claim 1, wherein the light reflection is performed without forming a bonding ball on the electrode on the light receiving surface.
【請求項3】 前記中間遮光部材は板状をなし、前記発
光素子およ受光素子の周囲を囲み上部に開口する遮光性
のモールド枠に結合されていることを特徴とする請求項
1又は請求項2に記載のフォトリフレクター。
3. The light-shielding mold frame, wherein the intermediate light-shielding member has a plate shape and surrounds the light-emitting element and the light-receiving element and is open at the top. Item 3. The photoreflector according to Item 2.
【請求項4】 前記中間遮光部材は板状、前記発光素子
およ受光素子の周囲を囲み上部に開口する遮光性のモー
ルド枠と一体に形成にされていることを特徴とする請求
項1又は請求項2に記載のフォトリフレクター。
4. The light-shielding mold frame according to claim 1, wherein the intermediate light-shielding member is plate-shaped, and is integrally formed with a light-shielding mold frame surrounding the light-emitting element and the light-receiving element and opening upward. The photoreflector according to claim 2.
【請求項5】 前記発光素子および受光素子の外周に透
光性樹脂による薄膜状のコーテイングを施し、前記遮光
性のモールド枠の内部を中空部とし、該中空部に空気が
充満していることを特徴とする請求項1乃至請求項4の
いずれかに記載のフォトリフレクター。
5. The light-emitting element and the light-receiving element are provided with a thin-film coating made of a light-transmitting resin on the outer periphery thereof, and the light-shielding mold frame has a hollow portion, and the hollow portion is filled with air. The photoreflector according to any one of claims 1 to 4, wherein:
【請求項6】 前記発光素子はLEDであり、受光素子
はフォトトランジスタ又はフォトダイオードであること
を特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の
フォトリフレクター。
6. The photo reflector according to claim 1, wherein the light emitting element is an LED, and the light receiving element is a phototransistor or a photodiode.
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