JP2001156082A - Ledチップの実装方法 - Google Patents

Ledチップの実装方法

Info

Publication number
JP2001156082A
JP2001156082A JP33616699A JP33616699A JP2001156082A JP 2001156082 A JP2001156082 A JP 2001156082A JP 33616699 A JP33616699 A JP 33616699A JP 33616699 A JP33616699 A JP 33616699A JP 2001156082 A JP2001156082 A JP 2001156082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
adhesive
heating
viscosity
ultraviolet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33616699A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigekazu Tokuji
重和 徳寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiwa Electric Mfg Co Ltd
Original Assignee
Seiwa Electric Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiwa Electric Mfg Co Ltd filed Critical Seiwa Electric Mfg Co Ltd
Priority to JP33616699A priority Critical patent/JP2001156082A/ja
Publication of JP2001156082A publication Critical patent/JP2001156082A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不良率の低減が可能なLEDチップの実装方
法を提供する。 【構成】 リードフレームのカップ内(または凹部のな
い台部上)またはプリント配線基板の上に接着剤を塗布
する第1の工程(S10)と、前記接着剤に対する紫外
線照射または加熱でこの接着剤の粘度を高くする第2の
工程(S20)と、前記接着剤の上にLEDチップを搭
載する第3の工程(S30)と、前記接着剤を紫外線照
射または加熱で完全に硬化させる第4の工程(S40)
とを備えている。ここでの接着剤は、前記塗布時の粘度
が銀ペーストよりも十分に低粘度であって、紫外線照射
または加熱で銀ペーストと同程度の粘度まで粘度を高め
られ、更に紫外線照射または加熱することで完全に硬化
させられるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLEDチップの実装
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のLEDチップの実装方法には、こ
れに用いる接着剤として、銀ペーストを用いる方法と、
紫外線硬化性樹脂を用いる方法とがある。
【0003】銀ペーストを用いるLEDチップの実装方
法は、ダイボンダーを用いて、リードフレームのカップ
内(若しくは凹部のない台部上)またはプリント配線基
板〔以下、「リードフレーム等」とも呼ぶ。〕の上に、
LEDチップを固定するための接着剤たる銀ペーストを
塗布する工程と、前記ダイボンダーを用いて、前記接着
剤の上にLEDチップを搭載する工程と、加熱硬化炉に
おいて、リードフレーム等上の前記接着剤を加熱で完全
硬化させる工程とを備えている。前記加熱は、例えば、
リードフレームにLEDチップを搭載した場合には20
0℃で2分間程度行われ、ガラスエポキシ製プリント配
線基板にLEDチップを搭載した場合には150℃で2
時間程度行われる。
【0004】一方、紫外線硬化性樹脂を用いるLEDチ
ップの実装方法は、特許公報第2947047号に開示
されているように、ダイボンダーを用いて、リードフレ
ームのカップ内に、LEDチップを固定するための接着
剤たる紫外線硬化性樹脂を塗布する工程と、ダイボンダ
ーを用いて、前記接着剤の上にLEDチップを搭載する
工程と、高圧水銀ランプ室(即ち、紫外線照射室)にお
いて、リードフレーム上の前記接着剤に、前記LEDチ
ップの上から紫外線照射して前記接着剤を完全硬化させ
る工程とを備えている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀ペー
ストを用いるLEDチップの実装方法の場合には、銀ペ
ーストは比較的粘度が高いために、前記加熱硬化炉への
リードフレーム等の移送時にLEDチップの位置ズレが
比較的起りにくいものの、逆に次のような問題がある。
即ち、銀ペーストの粘度が比較的高いために、塗布した
時の銀ペーストの切れが悪く、ダイボンダーに備えられ
た銀ペースト塗布用のシリンジ(注入器)またはスタン
プピンから糸を引いてしまう。その結果、不要な所に銀
ペーストが付着してしまい、LEDチップの実装の妨げ
となることがある。
【0006】この場合、LEDチップの実装段階で実装
不良となる。よって、上述してきたLEDチップの実装
に関する工程後のワイヤーボンドの工程で、ワイヤーボ
ンドの不良となる場合がある。また、ワイヤーボンドの
不良とならない場合であっても、更に後の工程で、例え
ば、LEDチップの周囲を樹脂でモールドしてレンズ形
成する際に、光軸がずれて不良となる場合もある。
【0007】一方、特許公報第2947047号に開示
された紫外線硬化性樹脂を用いるLEDチップの実装方
法の場合には、紫外線硬化性樹脂の粘度が銀ペーストの
粘度より低いため、紫外線硬化性樹脂の切れはよいもの
の、逆に次のような問題がある。即ち、紫外線硬化性樹
脂の粘度が銀ペーストの粘度より低いため、前記高圧水
銀ランプ室へのリードフレームの移送時にLEDチップ
の位置ズレを起こしやすくなっている。
【0008】この位置ズレが発生すると、前記ワイヤー
ボンドの工程で、ワイヤーボンドの不良となる場合があ
る。また、ワイヤーボンドの不良とならない場合であっ
ても、更に後の工程で、前記レンズ形成する際に、光軸
がずれて不良となる場合もある。
【0009】本発明の主たる目的は、不良率の低減が可
能なLEDチップの実装方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の請求項1に係るLEDチップの実装方法
は、リードフレームまたはプリント配線基板の上に接着
剤を塗布する工程と、前記接着剤に対する紫外線照射ま
たは加熱でこの接着剤の粘度を高くする工程と、前記接
着剤の上にLEDチップを搭載する工程と、前記接着剤
を紫外線照射または加熱で完全に硬化させる工程とを備
える。
【0011】本発明の請求項2に係るLEDチップの実
装方法は、請求項1記載のLEDチップの実装方法にお
いて、前記接着剤は、前記塗布時の粘度が銀ペーストよ
りも低粘度とできるものであって、紫外線照射または加
熱で銀ペーストと同程度の粘度まで粘度を高められ、更
に紫外線照射または加熱することで完全に硬化させられ
るものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
LEDチップの実装方法を図1および図2を参照しつつ
説明する。図1は本発明の実施の形態に係るLEDチッ
プの実装方法を示すフローチャート、図2(A)〜
(D)は本発明の実施の形態に係るLEDチップの実装
方法の1つの実施例を説明するための概略的断面視工程
説明図である。
【0013】本発明の実施の形態に係るLEDチップの
実装方法は、リードフレームのカップ内(または凹部の
ない台部上)またはプリント配線基板の上に接着剤を塗
布する第1の工程(S10)と、前記接着剤に対する紫
外線照射または加熱でこの接着剤の粘度を高くする第2
の工程(S20)と、前記接着剤の上にLEDチップを
搭載する第3の工程(S30)と、前記接着剤を紫外線
照射または加熱で完全に硬化させる第4の工程(S4
0)とを備えている。
【0014】ここでの接着剤は、前記塗布時の粘度が銀
ペーストよりも十分に低粘度とできるものであって、紫
外線照射または加熱で銀ペーストと同程度の粘度まで粘
度を高められ、更に紫外線照射または加熱することで完
全に硬化させられるものである。
【0015】これ以外に、例えば次のような接着剤があ
る。第2の工程(S20)で紫外線照射し、第4の工程
(S40)で加熱するときに適用可能な接着剤として
は、紫外線硬化性で熱併用型のエポキシ系樹脂やアクリ
ル系樹脂等がある。また、第2の工程(S20)と第4
の工程(S40)とで紫外線照射するときに適用可能な
接着剤としては、エポキシ系やアクリル系の紫外線硬化
性樹脂等がある。
【0016】また、第2の工程(S20)と第4の工程
(S40)とで加熱するときに適用可能な接着剤として
は、エポキシ系の熱硬化性樹脂等がある。また、第2の
工程(S20)で加熱し、第4の工程(S40)で紫外
線照射するときに適用可能な接着剤としては、熱硬化性
で紫外線併用型のものがある。
【0017】なお、エポキシ系の熱硬化性樹脂を第1の
工程(S10)で塗布するときに、粘度の低い紫外線硬
化性樹脂並の粘度としたいならば、第1の工程(S1
0)において例えば40〜50℃程度に接着剤の温度を
上げたものを使用すればよい。エポキシ系の熱硬化性樹
脂の特性として、40〜50℃程度で柔らかくなるが、
その後の加熱で硬化するからである。
【0018】第2の工程(S20)で紫外線照射し、第
4の工程(S40)で加熱する場合の本発明の実施の形
態に係るLEDチップの実装方法を、カップを有するリ
ードフレームにLEDチップを実装する場合について、
更に具体的に次に説明する。
【0019】第1の工程(S10)で、リードフレーム
(図示省略)と、LEDチップ(図示省略)と、接着剤
(図示省略)とをダイボンダー(図示省略)にセットす
る。図2(A)に示されるように、リードフレーム10
をLEDチップ搭載位置に移動したときに、スタンプピ
ン(図示省略)またはシリンジ(図示省略)等によって
接着剤20をリードフレーム10のカップ11内に塗布
する。
【0020】次の第2の工程(S20)で、図2(B)
に示されるように、紫外線を極短時間照射することによ
り、接着剤20の粘度を高くしておく。例えば、銀ペー
ストの粘度(5000〜7000cP)と同程度の粘度
まで粘度を高めるとよい。なお、ここでの紫外線照射
は、ダイボンダー付近に設けたUVランプ等の紫外線放
射装置(図示省略)によって行われる。例えば350〜
700mJ/cm2 の紫外線照射によって、5000c
P程度の粘度になる。即ち、例えば3500mWのUV
ランプでは0.1〜0.2秒程度照射すればよい。この
程度の極短時間照射なので、ダイボンダーに追従可能と
なっている。
【0021】次の第3の工程(S30)で、図2(C)
に示されるように、前記ダイボンダーによりLEDチッ
プ30を搭載する。
【0022】次の第4の工程(S40)では、図2
(D)に示されるように、加熱硬化炉(図示省略)によ
り、LEDチップ30を搭載したリードフレーム10を
加熱する。そのため、前記LEDチップ30を搭載した
リードフレーム10を加熱硬化炉に移送する。前記LE
Dチップ30を搭載したリードフレーム10は、加熱硬
化炉において、例えば、125℃、10分程度加熱す
る。これにより、接着剤20は本硬化(完全硬化)す
る。
【0023】なお、ここで用いられるLEDチップ30
は、搭載された後、即ち、第4の工程(S40)で紫外
線を照射されるわけではないので、紫外線を透過しない
ものでも、透過するものでもよい。紫外線を透過するL
EDチップとは、例えば、青色LEDチップや紫外線L
EDチップである。このようなLEDチップは、図示は
しないが、紫外線を透過する透明なサファイアの基板部
と、この基板部の上に積層された紫外線を透過する薄い
窒化ガリウム系化合物半導体層とからなっている。
【0024】このような本発明の実施の形態に係るLE
Dチップの実装方法においては、接着剤の粘度を高くす
る第2の工程(S20)を有しているので、接着剤20
を塗布する第1の工程(S10)での接着剤20の粘度
を低くできる。上述したように前記接着剤20は、前記
塗布時の粘度が銀ペーストよりも十分に低粘度にでき
る。よって、前記塗布時にスタンプピンまたはシリンジ
から糸を引くことなく安定した塗布が可能である。よっ
て、従来問題となっていた糸を引くことでの不良は防止
できる。
【0025】一方、第2の工程(S20)によって、前
記低粘度の接着剤20は、第4の工程(S40)での移
送時のLEDチップ30の位置ズレを防止できる程度
(即ち、従来位置ズレが比較的起りにくかった銀ペース
ト程度)まで粘度を高められる。よって、従来問題とな
っていたLEDチップ30の位置ズレを起こしにくくで
きるので、これによる不良を減らせる。
【0026】したがって、本発明の実施の形態に係るL
EDチップの実装方法の場合には、不良率を低減できる
のである。
【0027】なお、第2の工程(S20)で上述のよう
に紫外線を極短時間照射し、第4の工程(S40)で加
熱の代わりに紫外線を照射する場合は、図示はしないが
次のようになる。
【0028】第4の工程(S40)での紫外線照射条件
は、例えば、第1の工程(S10)の段階から完全硬化
する条件が2000〜3000mJ/cm2 であること
から、(2000〜3000)−(350〜700)m
J/cm2 となる。即ち、例えば3500mWのUVラ
ンプでは0.4〜0.8秒程度照射すればよい。
【0029】このように第4の工程(S40)では、紫
外線照射時間が第2の工程(S20)での時間よりは多
少長めである。しかし、ダイボンダーに追従可能な程度
であるので、ここでの紫外線照射は、前記ダイボンダー
付近に設けたUVランプ等の紫外線放射装置によって行
うことが可能である。ただし、第4の工程(S40)で
の紫外線照射は、従来同様に、高圧水銀ランプ室で行っ
てもよい。
【0030】なお、第4の工程(S40)で、紫外線を
照射する〔即ち、LEDチップを搭載後に紫外線を照射
する〕ので、LEDチップは紫外線を透過するものだけ
適用可能となる。
【0031】また、第2の工程(S20)で紫外線を照
射する代わりに加熱し、第4の工程(S40)で上述し
たように例えば、125℃、10分程度加熱する場合に
は、図示はしないが次のようになる。
【0032】第2の工程(S20)での加熱は、前記第
4の工程(S40)で用いる加熱硬化炉において、例え
ば、125℃、1分程度加熱することで、前記5000
cP程度の粘度になる。
【0033】なお、ここで用いられるLEDチップは、
搭載された後、即ち、第4の工程(S40)で紫外線を
照射されるわけではないので、上述したように紫外線を
透過しないものでも、透過するものでもよい。また、第
2の工程(S20)では、前記加熱硬化炉の代わりに、
例えば、ダイボンダー付近にスポット加熱可能な炭酸ガ
スレーザ等の加熱装置を設けて対応してもよい。
【0034】また、第2の工程(S20)で紫外線を照
射する代わりに加熱し、第4の工程(S40)で加熱の
代わりに紫外線を照射する場合は、図示はしないが次の
ようになる。
【0035】第2の工程(S20)での加熱は、上述同
様、前記第4の工程(S40)で用いる加熱硬化炉にお
いて、例えば、125℃、1分程度加熱することで、前
記5000cP程度の粘度になる。なお、前記加熱硬化
炉の代わりに前記加熱装置としてもよい。
【0036】第4の工程(S40)での紫外線照射条件
は、上述同様、例えば、(2000〜3000)−(3
50〜700)mJ/cm2 となる。即ち、例えば35
00mWのUVランプでは0.4〜0.8秒程度照射す
ればよい。このように第4の工程(S40)では、紫外
線照射時間が長めである。しかし、ダイボンダーに追従
可能な程度であるので、ここでの紫外線照射は、ダイボ
ンダー付近にUVランプ等の紫外線放射装置を設けて行
うことが可能である。ただし、第4の工程(S40)で
の紫外線照射は、従来同様に、高圧水銀ランプ室で行っ
てもよい。
【0037】なお、第4の工程(S40)で、紫外線を
照射する〔即ち、LEDチップを搭載後に紫外線を照射
する〕ので、LEDチップは紫外線を透過するものだけ
適用可能となる。
【0038】ところで、紫外線を照射する工程を有する
場合には、接着剤は、その深さ方向まで紫外線を浸透さ
せ紫外線硬化させる必要があるので、もちろん紫外線に
対してある程度以上透明な材料で形成されている。ここ
でのある程度とは、紫外線硬化時間が長くなり過ぎて実
装作業効率が悪くならない程度のことである。一方、加
熱する工程のみの場合には、接着剤は、紫外線に対して
透明であっても、透明でなくてもよい。ただし、接着剤
はできるだけ透明である方が、リードフレームのカップ
等での反射によってLEDチップの外部量子効率が向上
する。
【0039】また、接着剤は、前記エポキシ系樹脂のよ
うな絶縁性材料に限らず導電性材料であってももちろん
よい。
【0040】なお、本発明の実施の形態に係るLEDチ
ップの実装方法においては、接着剤は、前記塗布時の粘
度が銀ペーストよりも十分に低粘度であるとしたが、そ
の代わりに、極端な場合少しだけ低粘度であるとしても
よい。少しだけ低粘度であっても、従来よりも不良率を
低減できるからである。
【0041】また、原則的には、塗布時の粘度を銀ペー
ストよりも高くすることはない。ただし、前記移送時の
位置ズレによる不良率と、塗布時の不良率とを比較し
て、前記移送時の位置ズレによる不良率の方が高いなら
ば、塗布時の粘度を銀ペーストよりも高くしたときで
も、従来よりも不良率を低減できる。
【0042】一方、第2の工程(S20)で高める粘度
の程度は、銀ペースト程度が好ましいものの、これに限
定するものではない。極端な場合、第2の工程(S2
0)によって、塗布時の粘度よりも少しでも高粘度とす
れば、従来よりも不良率を低減できるからである。ま
た、第2の工程(S20)で高める粘度の程度は、LE
Dチップとの接着に問題がない程度に銀ペーストよりも
高くしてもよい。
【0043】本発明の実施の形態に係るLEDチップの
実装方法においては、カップを有するリードフレームに
LEDチップを実装する場合で説明したが、もちろん、
カップの部分が凹部のない台部(図示省略)となってい
ても上述同様になる。また、リードフレームの代わりに
プリント配線基板にLEDチップを実装する場合でも、
上述同様にしたのでよい。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
に係るLEDチップの実装方法は、リードフレームまた
はプリント配線基板の上に接着剤を塗布する工程と、前
記接着剤に対する紫外線照射または加熱でこの接着剤の
粘度を高くする工程と、前記接着剤の上にLEDチップ
を搭載する工程と、前記接着剤を紫外線照射または加熱
で完全に硬化させる工程とを備える。
【0045】よって、本発明の請求項1に係るLEDチ
ップの実装方法の場合には、接着剤の粘度を高くする工
程を有しているので、接着剤の塗布時の粘度を、糸を引
くことなく安定した塗布が可能なように低くできる。ま
た、接着剤の粘度を高くする工程を有しているので、L
EDチップを搭載するまでには接着剤の粘度を高くで
き、LEDチップ搭載後の移送時のLEDチップの位置
ズレも低減できる。したがって、LEDチップ実装時の
みならずLED製造時の不良率の低減を図ることができ
る。
【0046】本発明の請求項2に係るLEDチップの実
装方法は、請求項1記載のLEDチップの実装方法にお
いて、前記接着剤は、前記塗布時の粘度が銀ペーストよ
りも低粘度とできるものであって、紫外線照射または加
熱で銀ペーストと同程度の粘度まで粘度を高められ、更
に紫外線照射または加熱することで完全に硬化させられ
るものである。
【0047】本発明の請求項2に係るLEDチップの実
装方法の場合には、前記接着剤が前記塗布時の粘度が銀
ペーストよりも低粘度とできるものであるから、銀ペー
ストのときのように糸を引くことなく安定した塗布が可
能となる。また、前記接着剤が紫外線照射または加熱で
銀ペーストと同程度の粘度まで粘度を高められるので、
LEDチップ搭載後の移送時のLEDチップの位置ズレ
も低減できる。したがって、LEDチップ実装時のみな
らずLED製造時の不良率の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るLEDチップの実装
方法を示すフローチャートである。
【図2】同図(A)〜(D)は本発明の実施の形態に係
るLEDチップの実装方法の1つの実施例を説明するた
めの概略的断面視工程説明図である。
【符号の説明】
S1 第1の工程 S2 第2の工程 S3 第3の工程 S4 第4の工程

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームまたはプリント配線基板
    の上に接着剤を塗布する工程と、前記接着剤に対する紫
    外線照射または加熱でこの接着剤の粘度を高くする工程
    と、前記接着剤の上にLEDチップを搭載する工程と、
    前記接着剤を紫外線照射または加熱で完全に硬化させる
    工程とを具備したことを特徴とするLEDチップの実装
    方法。
  2. 【請求項2】 前記接着剤は、前記塗布時の粘度が銀ペ
    ーストよりも低粘度とできるものであって、紫外線照射
    または加熱で銀ペーストと同程度の粘度まで粘度を高め
    られ、更に紫外線照射または加熱することで完全に硬化
    させられるものであることを特徴とする請求項1記載の
    LEDチップの実装方法。
JP33616699A 1999-11-26 1999-11-26 Ledチップの実装方法 Pending JP2001156082A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33616699A JP2001156082A (ja) 1999-11-26 1999-11-26 Ledチップの実装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33616699A JP2001156082A (ja) 1999-11-26 1999-11-26 Ledチップの実装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001156082A true JP2001156082A (ja) 2001-06-08

Family

ID=18296365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33616699A Pending JP2001156082A (ja) 1999-11-26 1999-11-26 Ledチップの実装方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001156082A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690960B1 (ko) * 2004-06-24 2007-03-09 삼성전자주식회사 스크린 프린팅 공정을 갖는 반도체 칩 패키지 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690960B1 (ko) * 2004-06-24 2007-03-09 삼성전자주식회사 스크린 프린팅 공정을 갖는 반도체 칩 패키지 제조 방법
US7288436B2 (en) 2004-06-24 2007-10-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Semiconductor chip package manufacturing method including screen printing process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109103116B (zh) 用于倒装芯片的激光接合的设备以及方法
US7701136B2 (en) Organic light-emitting display device
US20220416136A1 (en) Die bonding method of LED chip and display device
US20050110161A1 (en) Method for mounting semiconductor chip and semiconductor chip-mounted board
US20140209928A1 (en) Light source assembly and a process for producing a light source assembly
TWI809246B (zh) 固晶結構及其製造方法
JP2001196644A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
CN1681377A (zh) 电子部件装配体的制造方法、电子部件装配体及电光装置
CN114927456A (zh) 微型发光二极管芯片的转移方法
JPH07297324A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2019175978A (ja) 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法
WO2020262034A1 (ja) 電子部品実装構造、その実装方法及びledチップ実装方法
JP3783212B2 (ja) チップタイプledランプの製造方法
JP2001156082A (ja) Ledチップの実装方法
JPH10214859A (ja) 回路モジュールの製造方法
KR20060085523A (ko) 레이저를 이용한 고출력 엘이디의 패키징 장치
JP2001313301A (ja) ボンディング方法
JP3381563B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3216314B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置
JP7482339B1 (ja) 受け取り基板、レーザリフトオフ方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法
JPH10340927A (ja) 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
JP7541246B2 (ja) 基板の製造方法
JPH07226420A (ja) 半導体装置の製造方法
TW201324880A (zh) 覆晶發光二極體的封裝製造方法
KR20210018022A (ko) 가압 가열 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061011

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070402

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20071127

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20080325

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02