JP2001144446A - Method for producing multilayer printed wiring board and multilayer printed wiring board - Google Patents

Method for producing multilayer printed wiring board and multilayer printed wiring board

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JP2001144446A
JP2001144446A JP2000101561A JP2000101561A JP2001144446A JP 2001144446 A JP2001144446 A JP 2001144446A JP 2000101561 A JP2000101561 A JP 2000101561A JP 2000101561 A JP2000101561 A JP 2000101561A JP 2001144446 A JP2001144446 A JP 2001144446A
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暉 鐘
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功 杉浦
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a multilayer printed wiring board in which reliability of connection and electrical connectivity with a via hole made above can be ensured sufficiently even when a coating layer is formed on a roughened surface or a roughened layer formed on a conductor circuit. SOLUTION: A conductor circuit 4 is formed and subjected to roughening thus forming a roughened surface or a roughened layer 11 on the conductor circuit. A metal coating layer is formed on the roughened surface or the roughened layer 11 and the conductor circuit having the coating layer is further coated with an interlayer resin insulation layer 2 before an opening for via hole 7 is made. The process is repeated and a conductor circuit having a plurality of layers sandwiching the interlayer resin insulation layers is formed on an insulating substrate 1. In such a method for producing a multilayer printed wiring board, the coating layer formed on the roughened surface or the roughened layer exposed from the opening for via hole is removed at least partially after the opening for via hole is made in the interlayer resin insulation layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

〔発明の詳細な説明〕[Detailed description of the invention]

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、多層配線基板に対する高密度化の
要請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目さ
れている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、
特公平4−55555号公報に開示されているような方
法により製造される。即ち、下層導体回路が形成された
コア基板上に、感光性樹脂からなる無電解めっき用接着
剤を塗布し、これを乾燥した後露光、現像処理すること
により、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を
形成する。次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を酸化剤
等による処理にて粗化した後、該感光性樹脂層に露光、
現像処理を施してめっきレジストを設け、その後、めっ
きレジスト非形成部分に無電解めっき等を施してバイア
ホールを含む導体回路パターンを形成する。そして、こ
のような工程を複数回繰り返すことにより、多層化した
ビルドアップ配線基板が製造されるのである。
2. Description of the Related Art In recent years, a so-called build-up multilayer wiring board has attracted attention due to a demand for higher density of the multilayer wiring board. This build-up multilayer wiring board, for example,
It is manufactured by a method as disclosed in Japanese Patent Publication No. 55555/1992. That is, an adhesive for electroless plating made of a photosensitive resin is applied on the core substrate on which the lower conductive circuit is formed, and then dried and exposed and developed to form an interlayer resin having an opening for a via hole. An insulating layer is formed. Next, after the surface of the interlayer resin insulating layer is roughened by a treatment with an oxidizing agent or the like, the photosensitive resin layer is exposed,
A plating resist is provided by performing a development process, and thereafter, a portion where the plating resist is not formed is subjected to electroless plating or the like to form a conductive circuit pattern including via holes. By repeating such a process a plurality of times, a multilayered build-up wiring board is manufactured.

【0003】このようなビルドアップ多層配線基板で
は、特開平6−283860号公報等に開示されている
ように、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性改善のた
め、導体回路上に、Cu−Ni−P合金よりなる針状ま
たは多孔質状の粗化層を形成する。
[0003] In such a build-up multilayer wiring board, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-283860, for improving the adhesion between the conductive circuit and the interlayer resin insulating layer, Cu is formed on the conductive circuit. Forming a needle-shaped or porous roughened layer made of an Ni-P alloy;

【0004】この後、後工程における基板の酸洗浄や、
バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層表面をクロ
ム酸等で処理する際の導体回路表面の溶解を防止するた
めに、導体回路上に形成した粗化層を、さらにSn等の
金属で被覆する。
Thereafter, acid cleaning of the substrate in a post-process,
The roughened layer formed on the conductor circuit is further coated with a metal such as Sn to prevent the surface of the conductor circuit from being dissolved when the surface of the interlayer resin insulation layer having the via hole opening is treated with chromic acid or the like. I do.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
Sn等の金属の被覆層を有する導体回路上にバイアホー
ルを形成すると、被覆層を形成する金属とバイアホール
を形成する金属とが異種の金属であるため、それぞれの
金属における電気伝達速度が異なり被覆層部分で信号遅
延や信号エラーが発生することがあった。
However, when a via hole is formed on a conductor circuit having a coating layer of a metal such as Sn, the metal forming the coating layer and the metal forming the via hole are of different types. Since the metal is used, the electric transmission speed of each metal is different, and a signal delay or a signal error may occur in the covering layer.

【0006】また、加熱時やヒートサイクル時に、被覆
層を形成する金属とバイアホールを形成する金属との熱
膨張係数が異なることに起因して応力が発生し、この応
力が緩和されない場合には、バイアホールとその下の導
体回路との接触部分に剥離が発生し、バイアホールの接
続信頼性、電気的接続性が低下してしまうことがあると
いう新たな事実を知見した。
[0006] In addition, when a metal forming the coating layer and a metal forming the via hole have different thermal expansion coefficients during heating or heat cycle, stress is generated. The present inventors have found a new fact that a contact portion between a via hole and a conductor circuit thereunder may be peeled off, thereby lowering connection reliability and electrical connectivity of the via hole.

【0007】本発明の目的は、導体回路上に形成した粗
化面や粗化層上に被覆層を形成した場合であっても、そ
の上に形成するバイアホールとの接続信頼性、電気的接
続性を充分に確保することができる多層プリント配線板
の製造方法および該製造方法により製造された多層プリ
ント配線板を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a roughened surface formed on a conductor circuit or a coating layer formed on a roughened layer, which has a high reliability in connection with via holes formed on the roughened surface and a roughened layer. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board capable of sufficiently securing connectivity, and a multilayer printed wiring board manufactured by the manufacturing method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題に鑑
み、上記目的達成のために鋭意研究した結果、導体回路
上のSn等の被覆層とバイアホールとの密着性が余り強
固でないため、加熱時やヒートサイクル時に、バイアホ
ールと導体回路の間で剥離が発生することをつきとめ、
このバイアホール部分の被覆層を除去することにより上
記問題を解決することができることを見い出し、以下に
示す内容を要旨構成とする本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems In view of the above problems, the present inventor has conducted intensive studies to achieve the above object. As a result, the adhesion between the coating layer such as Sn on the conductor circuit and the via hole is not so strong. , During heating or heat cycle, the occurrence of peeling between the via hole and the conductor circuit was determined,
It has been found that the above problem can be solved by removing the coating layer in the via hole portion, and the present invention has been completed which has the following contents as the essential constitution.

【0009】即ち、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、導体回路を形成した後粗化処理を施して導体回
路上に粗化面または粗化層を形成し、形成された上記粗
化面または粗化層上に金属からなる被覆層を形成し、さ
らに、上記被覆層を有する導体回路を層間樹脂絶縁層に
より被覆した後バイアホール用開口を形成する工程を繰
り返すことにより絶縁性基板上に層間樹脂絶縁層を挟ん
だ複数層からなる導体回路を形成する多層プリント配線
板の製造方法において、上記層間樹脂絶縁層にバイアホ
ール用開口を形成した後、上記バイアホール用開口から
露出した上記粗化面または粗化層上の被覆層の少なくと
も一部を除去することを特徴とする。
That is, according to the method of manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, a roughened surface or a roughened layer is formed on a conductive circuit by forming a roughened surface after forming a conductive circuit. Forming a coating layer made of metal on the surface or the roughened layer, further covering the conductive circuit having the coating layer with an interlayer resin insulating layer, and then forming a via hole opening on the insulating substrate by repeating the process. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board for forming a conductor circuit composed of a plurality of layers sandwiching an interlayer resin insulating layer, a via hole opening is formed in the interlayer resin insulating layer, and then the via hole opening is exposed from the via hole opening. It is characterized in that at least a part of the roughened surface or the coating layer on the roughened layer is removed.

【0010】上記多層プリント配線板の製造方法におい
ては、上記粗化面または粗化層上に形成する被覆層は、
イオン化傾向が銅より大きくチタン以下である金属また
は貴金属からなることが望ましい。
[0010] In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board, the coating layer formed on the roughened surface or the roughened layer may include:
It is desirable to use a metal or a noble metal having a higher ionization tendency than copper and not more than titanium.

【0011】また、上記多層プリント配線板の製造方法
においては、1〜40重量%の酸、酸化剤を含むアルカ
リ性溶液、または、1〜40重量%の酸と過酸化物とか
らなる混合液を用いたエッチング処理により、上記バイ
アホール用開口から露出した上記粗化面または粗化層の
被覆層を除去することが望ましい。また、上記酸として
は、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸および蟻酸から
なる群より選択される少なくとも一種が望ましい。
In the above method for producing a multilayer printed wiring board, an alkaline solution containing 1 to 40% by weight of an acid and an oxidizing agent, or a mixed solution of 1 to 40% by weight of an acid and a peroxide is used. It is desirable to remove the roughened surface or the coating layer of the roughened layer exposed from the via hole opening by the etching treatment used. The acid is desirably at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, and formic acid.

【0012】本発明の多層プリント配線板は、その表面
に粗化面を有し、上記粗化面上に金属の被覆層を有する
導体回路が形成された基板上に層間樹脂絶縁層が形成さ
れ、上記層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口が形成さ
れ、さらに、上記バイアホール用開口に導体層が形成さ
れてバイアホールを構成してなる多層プリント配線板に
おいて、上記バイアホール用開口内の導体回路部分は、
上記金属の被覆層の少なくとも一部が除去され、上記粗
化面が上記導体層と直接接続されていることを特徴とす
る。
The multilayer printed wiring board of the present invention has a roughened surface, and an interlayer resin insulating layer is formed on a substrate on which a conductive circuit having a metal coating layer is formed on the roughened surface. A via hole opening is formed in the interlayer resin insulating layer; and a conductor layer is formed in the via hole opening to form a via hole. The circuit part is
At least a part of the metal coating layer is removed, and the roughened surface is directly connected to the conductor layer.

【0013】上記多層プリント配線板においても、上記
金属の被覆層は、イオン化傾向が銅より大きくチタン以
下である金属または貴金属からなることが望ましい。
In the multilayer printed wiring board as well, the metal coating layer is desirably made of a metal or a noble metal having an ionization tendency larger than copper and equal to or lower than titanium.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、導体回路を形成した後粗化処理を施して導体
回路上に粗化面または粗化層を形成し、形成された上記
粗化面または粗化層上に金属からなる被覆層を形成し、
さらに、上記被覆層を有する導体回路を層間樹脂絶縁層
により被覆した後バイアホール用開口を形成する工程を
繰り返すことにより絶縁性基板上に層間樹脂絶縁層を挟
んだ複数層からなる導体回路を形成する多層プリント配
線板の製造方法において、上記層間樹脂絶縁層にバイア
ホール用開口を形成した後、上記バイアホール用開口か
ら露出した上記粗化面または粗化層上の被覆層の少なく
とも一部を除去することに特徴がある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a roughened surface or a roughened layer is formed on a conductive circuit by forming a roughened surface after forming a conductive circuit. Forming a coating layer made of metal on the roughened surface or the roughened layer,
Further, by repeating the step of forming the via hole opening after covering the conductor circuit having the coating layer with the interlayer resin insulation layer, a conductor circuit including a plurality of layers with the interlayer resin insulation layer interposed therebetween is formed on the insulating substrate. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board, after forming a via hole opening in the interlayer resin insulating layer, at least a part of the coating layer on the roughened surface or the roughened layer exposed from the via hole opening. It is characterized by removal.

【0015】本発明の構成によれば、層間樹脂絶縁層に
バイアホール用開口を形成した後、上記バイアホール用
開口から露出した被覆層の少なくとも一部を除去するの
で、その上にバイアホールを形成すると粗化面または粗
化層とバイアホールとの密着性、電気的接続性が良好に
なる。
According to the structure of the present invention, after forming the via hole opening in the interlayer resin insulating layer, at least a part of the coating layer exposed from the via hole opening is removed, so that the via hole is formed thereon. When formed, the adhesion between the roughened surface or the roughened layer and the via hole and the electrical connectivity are improved.

【0016】このように密着性が向上するのは、通常、
上記被覆層にはバイアホールとは異なる種類の金属を用
いるため、両者の密着性は余り高くないのに対し、下の
導体回路(粗化層)とバイアホールとは、通常、同じ種
類の金属を用いるので、両者を直接接触させることによ
り密着性の向上を図ることができるからである。
The improvement in the adhesion is usually caused by
Since a different type of metal is used for the coating layer than the via hole, the adhesion between the two is not so high. On the other hand, the lower conductive circuit (roughened layer) and the via hole usually have the same type of metal. This is because, by using, the adhesion can be improved by bringing the two into direct contact.

【0017】また、下の導体回路とバイアホールとで、
同じ金属を用いているため、両者の電気伝達速度は同一
であり、被覆層を介して下の導体回路とバイアホールと
を接続する場合に発生した電気的遅延や信号エラー等
は、下の導体回路とバイアホールとの間では発生しな
い。さらに、加熱時やヒートサイクル条件下において
も、下の導体回路とバイアホールとでは、熱膨張係数に
差が無いため応力が発生せず、バイアホールが剥離する
等の問題も発生しない。
Further, the lower conductor circuit and the via hole form:
Since the same metal is used, the electric transmission speed of both is the same, and the electric delay and signal error that occur when connecting the lower conductor circuit and the via hole via the coating layer are reduced by the lower conductor. It does not occur between the circuit and the via hole. Further, even during heating or under heat cycle conditions, there is no difference in thermal expansion coefficient between the lower conductor circuit and the via hole, so that no stress is generated and no problem such as peeling of the via hole occurs.

【0018】従って、上記方法によれば、導体回路上に
該導体回路との密着性に優れたバイアホールを形成する
ことができ、バイアホールと導体回路との接続信頼性、
電気的接続性が充分に確保された多層プリント配線板を
製造することができる。
Therefore, according to the above method, a via hole having excellent adhesion to the conductor circuit can be formed on the conductor circuit, and the connection reliability between the via hole and the conductor circuit can be improved.
A multilayer printed wiring board with sufficient electrical connectivity can be manufactured.

【0019】図1(a)、図2(a)および図3(a)
は、本発明の製造方法を用いて製造される多層プリント
配線板の一部を示す断面図であり、図1(b)、図2
(b)および図3(b)は、本発明の製造方法を用いて
製造される多層プリント配線板のバイアホール用開口内
の形状を示す概念図である。なお、図中では、導体回路
の側面および層間樹脂絶縁層の表面に形成する粗化面ま
たは粗化層については、省略している。
1 (a), 2 (a) and 3 (a)
1 is a cross-sectional view showing a part of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention.
(B) and FIG. 3 (b) are conceptual diagrams showing the shape inside the via hole opening of the multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention. In the drawings, a roughened surface or a roughened layer formed on the side surface of the conductor circuit and the surface of the interlayer resin insulating layer is omitted.

【0020】本発明の多層プリント配線板の製造方法に
おいて、導体回路4上に粗化面または粗化層を形成する
方法としては特に限定されるものではなく、エッチング
処理、黒化還元処理、めっき処理等が挙げられる。な
お、図中では、導体回路4上に粗化層11が形成された
ものを示している。上記エッチング処理方法としては、
例えば、第二銅錯体および有機酸からなるエッチング液
を酸素共存化で作用させる方法、硫酸と過酸化水素とを
含むエッチング液や硫酸と過酸化水素とハロゲンとを含
むエッチング液を作用させる方法等が挙げられ、めっき
処理方法としては、例えば、無電解めっきによりCu−
Ni−P合金からなる針状または多孔質状の粗化層11
を形成する方法等が挙げられる。
In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the method for forming a roughened surface or a roughened layer on the conductor circuit 4 is not particularly limited, and may include etching, blackening reduction, plating, and the like. Processing and the like. In the drawing, a structure in which the roughened layer 11 is formed on the conductor circuit 4 is shown. As the etching treatment method,
For example, a method in which an etching solution containing a cupric complex and an organic acid is allowed to act in the presence of oxygen, an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a method in which an etching solution containing sulfuric acid, hydrogen peroxide and halogen is made to act. As a plating method, for example, Cu- by electroless plating
Acicular or porous roughened layer 11 made of Ni-P alloy
And the like.

【0021】形成された上記粗化面または粗化層11上
に被覆層18を形成する際に使用する金属としては、イ
オン化傾向が銅より大きくチタン以下である金属または
貴金属が望ましい。
The metal used to form the coating layer 18 on the roughened surface or the roughened layer 11 is preferably a metal having a higher ionization tendency than titanium and no more than titanium or a noble metal.

【0022】これらの金属からなる被覆層18は、基板
の酸洗浄等の工程において、局部電極反応を防止して導
体回路の溶解を防止するため等の目的で形成されてお
り、被覆層18の厚さは0.01〜2μmが望ましい。
The coating layer 18 made of such a metal is formed for the purpose of preventing local electrode reaction and preventing dissolution of the conductor circuit in a process such as acid cleaning of the substrate. The thickness is desirably 0.01 to 2 μm.

【0023】このような金属としては、例えば、チタ
ン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジウム、タリウム、
コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマスなどが挙げら
れる。また、上記貴金属としては、例えば、金、銀、白
金、パラジウムなどが挙げられる。これらは、単独で用
いてもよく、2種以上を併用して複数の層を形成しても
よい。
Examples of such metals include titanium, aluminum, zinc, iron, indium, thallium,
Examples include cobalt, nickel, tin, lead, and bismuth. Examples of the noble metal include gold, silver, platinum, and palladium. These may be used alone or in combination of two or more to form a plurality of layers.

【0024】被覆層18を形成する方法としては、例え
ば、金属塩と、錯化剤と、還元剤と、界面活性剤とを含
む無電解めっき液を用いて形成する方法等が挙げられ
る。
As a method for forming the coating layer 18, for example, a method using an electroless plating solution containing a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, and a surfactant is exemplified.

【0025】上記金属塩としては、例えば、スズ塩、亜
鉛塩、ニッケル塩、コバルト塩、タリウム塩、鉛塩など
が挙げられる。これらの塩は、単独で用いてもよく、2
種以上を併用してもよい。上記スズ塩としては、例え
ば、ホウフッ化スズ、塩化スズ、スズ酸カリウム(スズ
酸ナトリウム)、硫酸スズなどが挙げられる。
Examples of the above metal salts include tin salts, zinc salts, nickel salts, cobalt salts, thallium salts, lead salts and the like. These salts may be used alone.
More than one species may be used in combination. Examples of the tin salt include tin borofluoride, tin chloride, potassium stannate (sodium stannate), tin sulfate and the like.

【0026】上記亜鉛塩としては、例えば、塩化亜鉛、
臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などが挙げられ、上記ニッケル塩
としては、塩化ニッケル、硫酸ニッケルなどが挙げら
れ、コバルト塩としては、塩化コバルトなどが挙げられ
る。上記タリウム塩としては、例えば、塩化タリウムな
どが挙げられ、上記鉛塩としては、例えば、塩化鉛、硝
酸鉛などが挙げられる。
Examples of the zinc salt include zinc chloride,
Examples include zinc bromide and zinc iodide. Examples of the nickel salt include nickel chloride and nickel sulfate. Examples of the cobalt salt include cobalt chloride. Examples of the thallium salt include thallium chloride, and examples of the lead salt include lead chloride and lead nitrate.

【0027】上記錯化剤としては、例えば、チオ尿素、
チオリンゴ酸、チオ尿素誘導体などが挙げられる。上記
還元剤としては、例えば、次亜リン酸ナトリウム、ホル
ムアルデヒド、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、
ジメチルアミンボランなどが挙げられる。上記還元剤が
配合されていることにより、めっき液によって導体回路
が酸化されることを防止することができる。
As the complexing agent, for example, thiourea,
Thiomalic acid, thiourea derivatives and the like. Examples of the reducing agent include sodium hypophosphite, formaldehyde, sodium borohydride, hydrazine,
Dimethylamine borane and the like can be mentioned. By incorporating the reducing agent, it is possible to prevent the conductor circuit from being oxidized by the plating solution.

【0028】上記界面活性剤としては、例えば、ポリエ
チレングリコール(PEG)、ポリプロピレンオキシ
ド、ポリエチレンオキシド等が挙げられる。これらは、
単独で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
Examples of the surfactant include polyethylene glycol (PEG), polypropylene oxide, polyethylene oxide and the like. They are,
They may be used alone or in combination of two or more.

【0029】上記金属塩等を含む無電解めっき液におけ
るそれぞれの配合物の濃度は、上記金属塩の濃度が0.
1〜5mol/l、上記錯化剤の濃度が0.1〜2mo
l/l、上記還元剤の濃度が1〜40g/l、上記界面
活性剤の濃度が0.1〜10g/lであることが望まし
い。
The concentration of each compound in the electroless plating solution containing the metal salt or the like is such that the concentration of the metal salt is 0.1%.
1 to 5 mol / l, the concentration of the complexing agent is 0.1 to 2 mol
1 / l, the concentration of the reducing agent is preferably 1 to 40 g / l, and the concentration of the surfactant is preferably 0.1 to 10 g / l.

【0030】また、上記金属塩等の配合物が配合された
無電解めっき液は、特に、有機酸と第二銅錯体とを含む
混合液や、硫酸と過酸化水素とを含む混合液等を用いた
エッチング処理によって形成された粗化面上に被覆層を
形成するのに適している。通常、エッチング処理により
形成される粗化面の凹凸はあまり大きくないが、上記無
電解めっき液は、粗化面の凹凸に沿って、より均一で薄
い被覆層を形成することができるからである。また、上
記無電解めっき液を用いて形成した被覆層は、その下に
形成した粗化面または粗化層に損傷を与えることなく、
エッチング処理により容易に剥離させることができる点
から優れている。
The electroless plating solution in which the above-mentioned compound such as a metal salt is mixed may be, for example, a mixed solution containing an organic acid and a cupric complex or a mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. It is suitable for forming a coating layer on a roughened surface formed by the used etching process. Usually, the roughness of the roughened surface formed by the etching process is not so large, but the electroless plating solution can form a more uniform and thin coating layer along the unevenness of the roughened surface. . Further, the coating layer formed using the above electroless plating solution, without damaging the roughened surface or the roughened layer formed thereunder,
It is excellent in that it can be easily peeled off by etching.

【0031】また、上記無電解めっき液は、上記金属塩
等の配合物に加えて、さらに、ゼラチンが配合されてい
てもよい。ゼラチンを配合し、その種類やその量(濃
度)を選択することにより、無電解めっき膜の析出状態
をより容易に制御することができる。上記ゼラチンとし
ては、コラーゲンを水で煮沸して不可逆的に水溶性に変
えたタンパク質であり、ペプチド連鎖間の塩類結合や水
素結合の開裂のために、コラーゲン分子の2次構造が壊
れることにより変性されたものが好ましい。
The above-mentioned electroless plating solution may further contain gelatin in addition to the above-mentioned compound such as a metal salt. By blending gelatin and selecting its type and amount (concentration), the deposition state of the electroless plating film can be more easily controlled. The above-mentioned gelatin is a protein in which collagen is irreversibly converted to water-soluble by boiling in water, and denatured by breaking the secondary structure of collagen molecules due to cleavage of salt bonds and hydrogen bonds between peptide chains. Is preferred.

【0032】上記ゼラチンの濃度は特に限定されない
が、100〜2000mg/lが好ましい。ゼラチンの
濃度が100mg/l未満であると、析出速度制御がで
きないため、被服層にウィスカーが発生し、導体回路間
で短絡が発生することがあり、2000mg/lを超え
ると、反応性が低下しすぎて粗化面または粗化層に被覆
されていない部分が発生したり、めっきの析出が止まっ
てしまったりすることがある。
The concentration of the above gelatin is not particularly limited, but is preferably from 100 to 2000 mg / l. If the concentration of gelatin is less than 100 mg / l, the deposition rate cannot be controlled, so that whiskers may occur in the coating layer and short circuits may occur between the conductor circuits. In some cases, the roughened surface or the portion not covered with the roughened layer may occur due to excessive coating, or the deposition of plating may stop.

【0033】上記無電解めっき液に、上記ゼラチンを配
合する場合、上記ゼラチンと上記界面活性剤との配合割
合は、重量比で0.5〜2.0:0.5〜2.0が好ま
しく、1:1がより好ましい。上記ゼラチンと上記界面
活性剤とを約1:1の割合で添加することにより、析出
の速度を制御することが容易になり、めっき液の安定性
が保ち易くなる。
When the above-mentioned gelatin is mixed with the above-mentioned electroless plating solution, the mixing ratio of the above-mentioned gelatin and the above-mentioned surfactant is preferably 0.5 to 2.0: 0.5 to 2.0 by weight ratio. 1: 1 is more preferred. By adding the above gelatin and the above surfactant in a ratio of about 1: 1, it is easy to control the rate of precipitation, and it is easy to maintain the stability of the plating solution.

【0034】具体的な上記スズ塩を含む無電解めっき液
としては、ホウフッ化スズとチオ尿素または塩化スズと
チオ尿素とに上記した次亜リン酸ナトリウム等の還元
剤、ポリエチレングリコール等の界面活性剤を含有さ
せ、さらに、必要に応じてゼラチンを含有させたものが
挙げられる。
Specific examples of the electroless plating solution containing a tin salt include tin borofluoride and thiourea or tin chloride and thiourea with a reducing agent such as sodium hypophosphite and a surfactant such as polyethylene glycol. And, if necessary, gelatin.

【0035】また、チタン、アルミニウムなどのイオン
化傾向が比較的大きな金属や貴金属からなる金属層を形
成する場合は、スパッタや蒸着などの方法を採用しても
よい。
In the case of forming a metal layer made of a metal having a relatively high ionization tendency such as titanium or aluminum or a noble metal, a method such as sputtering or vapor deposition may be employed.

【0036】被覆層18を構成する金属のなかでは、ス
ズが望ましい。スズは無電解置換めっきにより薄い層を
形成することができ、粗化面または粗化層11の形状に
追従することができるからである。スズからなる金属層
を形成する場合は、例えば、ホウフッ化スズとチオ尿素
とを含む溶液、塩化スズとチオ尿素とを含む溶液等の無
電解めっき液を使用して置換めっきを行う。この場合、
Cu−Snの置換反応により、0.01〜2μm程度の
Sn層が形成される。
Of the metals constituting the coating layer 18, tin is desirable. This is because tin can form a thin layer by electroless displacement plating, and can follow the shape of the roughened surface or the roughened layer 11. In the case of forming a metal layer made of tin, displacement plating is performed using an electroless plating solution such as a solution containing tin borofluoride and thiourea or a solution containing tin chloride and thiourea. in this case,
The Sn layer having a thickness of about 0.01 to 2 μm is formed by the substitution reaction of Cu—Sn.

【0037】本発明では、層間樹脂絶縁層2にバイアホ
ール用開口を形成した後、上記バイアホール用開口から
露出した上記粗化面または粗化層11上の被覆層18の
少なくとも一部を除去することにより、後工程で形成す
るバイアホール7との密着性を改善する。
In the present invention, after forming a via hole opening in the interlayer resin insulating layer 2, at least a portion of the coating layer 18 on the roughened surface or the roughened layer 11 exposed from the via hole opening is removed. By doing so, the adhesion to the via hole 7 formed in a later step is improved.

【0038】被覆層18の少なくとも一部を除去する場
合、図1(a)、(b)に示すように、バイアホール用
開口内の被覆層18の全部を除去することが望ましい
が、図2(a)、(b)または図3(a)、(b)に示
すように、バイアホール用開口内の被覆層18の一部だ
けを除去してもよい。被覆層18の一部を除去すること
により、被覆層18の全部が除去された多層プリント配
線板とほぼ同等にバイアホールと導体回路との接続信頼
性、電気的接続性が確保された多層プリント配線板を製
造することができるからである。
When removing at least a part of the coating layer 18, it is desirable to remove the entire coating layer 18 in the via hole opening as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). As shown in FIGS. 3A and 3B or FIGS. 3A and 3B, only a part of the coating layer 18 in the via hole opening may be removed. By removing a part of the covering layer 18, a multilayer printed circuit in which the connection reliability and electrical connectivity between the via hole and the conductor circuit are secured almost equal to the multilayer printed wiring board from which the covering layer 18 is entirely removed. This is because a wiring board can be manufactured.

【0039】特に、被覆層18を形成する金属として、
スズ等を用いた場合には、被覆層18の一部を除去する
だけで、バイアホールと導体回路との接続信頼性、電気
的接続性が顕著に向上する。
In particular, as the metal forming the coating layer 18,
When tin or the like is used, the connection reliability and the electrical connection between the via hole and the conductor circuit are significantly improved only by removing a part of the coating layer 18.

【0040】被覆層18の一部を除去する場合に、除去
する部分は特に限定されず、図2(a)、(b)に示す
ようにバイアホール用開口内の被覆層18の中央部であ
ってもよく、図3(a)、(b)に示すようにバイアホ
ール用開口内の被覆層18の周縁部であってもよい、ま
た、その他の部分であってもよい。即ち、バイアホール
用開口内の被覆層18の一部が除去されることにより、
バイアホール7と粗化面または粗化層11とが被覆層1
8を介さずに接続できればよい。
When a part of the coating layer 18 is removed, the part to be removed is not particularly limited. As shown in FIGS. 2A and 2B, the portion to be removed is located at the center of the coating layer 18 in the via hole opening. 3 (a) and 3 (b), the peripheral portion of the coating layer 18 in the via hole opening, or another portion. That is, by removing a part of the coating layer 18 in the via hole opening,
The via hole 7 and the roughened surface or the roughened layer 11 form the coating layer 1.
It suffices if the connection can be established without going through 8.

【0041】上記被覆層を除去する際には、1〜40重
量%の酸や、酸化剤を含むアルカリ性溶液や、1〜40
重量%の酸と過酸化物とからなる混合液を用いてエッチ
ング処理を行うことが望ましい。また、上記酸として
は、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸および蟻酸から
なる群より選択される少なくとも一種であることが望ま
しい。これらのなかでは、短時間で被覆層を形成してい
る金属を除去することができ、粗化面または粗化層の凹
凸の形状に与える影響が少ない点から、塩酸や硝酸が特
に望ましい。
When removing the coating layer, an alkaline solution containing 1 to 40% by weight of an acid or an oxidizing agent,
It is desirable to perform the etching treatment using a mixed solution composed of an acid and a peroxide by weight. The acid is desirably at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, and formic acid. Among them, hydrochloric acid and nitric acid are particularly preferable because the metal forming the coating layer can be removed in a short time and the influence on the roughened surface or the unevenness of the roughened layer is small.

【0042】また、上記過酸化物としては、O2 2- を有
する酸化物が挙げられる。具体例としては、例えば、過
酸化カリウム、過酸化ナトリウム、過酸化マグネシウム
等の金属過酸化物、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチ
ル、過酸化水素、過蟻酸、過酢酸、過安息香酸等の過酸
化水素のアシル誘導体やアロイル誘導体等が挙げられ
る。これらのなかでは、安価で、取り扱いが容易な点か
ら過酸化水素や過酸化カリウムが望ましい。これらの過
酸化物を用いた1〜40重量%の酸と過酸化物とからな
る混合液としては、1〜40重量%の硝酸と過酸化水素
とからなる混合液や、1〜40重量%のフッ酸と過酸化
水素とからなる混合液が望ましい。これは、硝酸やフッ
酸は酸化性を有するため、短時間で被覆層を形成してい
る金属をきれいに除去することができ、粗化面または粗
化層の凹凸の形状に与える影響が少ないことに加えて、
過酸化物を配合することにより、エッチング過程で発生
する亜硝酸イオン等を硝酸等に酸化することができるた
め、硝酸等により導体回路を構成する銅等の金属がエッ
チングされることがなく、より確実に被覆層のみを除去
することができるからである。さらに、上記混合液を用
いることにより、被覆層をほぼ均一に除去することがで
きるため、バイアホール用開口に露出した被覆層の全部
を残渣を残すことなく除去するのに適している。
The peroxide includes an oxide having O 2 2- . Specific examples include, for example, metal peroxides such as potassium peroxide, sodium peroxide, and magnesium peroxide, and peroxides such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, hydrogen peroxide, formic acid, peracetic acid, and perbenzoic acid. Examples include an acyl derivative of hydrogen and an aroyl derivative. Among these, hydrogen peroxide and potassium peroxide are desirable from the viewpoint of inexpensiveness and easy handling. Examples of a mixed solution containing 1 to 40% by weight of an acid and a peroxide using these peroxides include a mixed solution containing 1 to 40% by weight of nitric acid and hydrogen peroxide, or 1 to 40% by weight. Of a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide. This is because nitric acid or hydrofluoric acid has an oxidizing property, so that the metal forming the coating layer can be removed cleanly in a short time, and has little effect on the roughened surface or the unevenness of the roughened layer. In addition to,
By mixing the peroxide, nitrite ions and the like generated in the etching process can be oxidized to nitric acid or the like, so that the metal such as copper constituting the conductor circuit is not etched by the nitric acid or the like, This is because only the coating layer can be reliably removed. Furthermore, since the coating layer can be almost uniformly removed by using the above-mentioned mixed solution, it is suitable for removing the entire coating layer exposed at the via hole opening without leaving any residue.

【0043】上記1〜40重量%の酸と過酸化物とから
なる混合液を用いる場合、1〜40重量%の酸と過酸化
物との混合比は特に限定されないが、重量比で酸:過酸
化物=1〜5:1であることが望ましい。過酸化物の配
合量が少なすぎると、エッチング工程で発生する亜硝酸
イオン等を短時間で酸化することができず、導体回路上
に形成した粗化面または粗化層に損傷を与えるおそれが
あり、一方、過酸化物の配合量が多すぎると、層間樹脂
絶縁層に損傷を与えるおそれがあるからである。
In the case of using the above-mentioned mixture of 1 to 40% by weight of acid and peroxide, the mixing ratio of 1 to 40% by weight of acid and peroxide is not particularly limited. It is desirable that peroxide = 1 to 5: 1. If the amount of the peroxide is too small, nitrite ions and the like generated in the etching step cannot be oxidized in a short time, and the roughened surface or the roughened layer formed on the conductor circuit may be damaged. On the other hand, if the amount of the peroxide is too large, the interlayer resin insulating layer may be damaged.

【0044】即ち、層間樹脂絶縁層にバイアホール用開
口を形成した後、この基板を、例えば、1〜40重量%
の濃度の塩酸または硝酸に2〜5分間浸漬するか、Na
OH等のアルカリを0.1〜5mol/l、および、K
MnO4 を0.1〜5mol/l含むアルカリ性溶液に
1〜5分間浸漬するか、または、1〜40重量%の濃度
の硝酸またはフッ酸と過酸化水素水とからなる25〜6
0℃の混合水溶液に1〜20分間浸漬することにより、
下層の導体回路およびその粗化面または粗化層を殆どエ
ッチングすることなく、上記スズ等からなる被覆層のみ
を完全に除去することができる。
That is, after forming an opening for a via hole in the interlayer resin insulating layer, the substrate is removed, for example, by 1 to 40% by weight.
Immersed in hydrochloric acid or nitric acid at a concentration of
0.1-5 mol / l of alkali such as OH, and K
Immersion in an alkaline solution containing 0.1 to 5 mol / l of MnO 4 for 1 to 5 minutes, or 25 to 6% of 1 to 40% by weight of nitric acid or hydrofluoric acid and hydrogen peroxide solution
By immersing in a mixed aqueous solution at 0 ° C. for 1 to 20 minutes,
Only the coating layer made of tin or the like can be completely removed without substantially etching the lower conductive circuit and its roughened surface or roughened layer.

【0045】このときの上記酸の温度は30〜50℃が
好ましく、上記アルカリ性溶液の温度は50〜80℃が
好ましく、また、酸と過酸化物とからなる混合液の温度
は25〜60℃が好ましい。
At this time, the temperature of the acid is preferably 30 to 50 ° C., the temperature of the alkaline solution is preferably 50 to 80 ° C., and the temperature of the mixture of the acid and the peroxide is 25 to 60 ° C. Is preferred.

【0046】本発明の多層プリント配線板は、その表面
に粗化面を有し、上記粗化面上に金属の被覆層を有する
導体回路が形成された基板上に層間樹脂絶縁層が形成さ
れ、上記層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口が形成さ
れ、さらに、上記バイアホール用開口に導体層が形成さ
れてバイアホールを構成してなる多層プリント配線板に
おいて、上記バイアホール用開口内の導体回路部分は、
上記金属の被覆層の少なくとも一部が除去され、上記粗
化面が上記導体層と直接接続されていることを特徴とす
る。
The multilayer printed wiring board of the present invention has a roughened surface, and an interlayer resin insulating layer is formed on a substrate on which a conductor circuit having a metal coating layer is formed on the roughened surface. A via hole opening is formed in the interlayer resin insulating layer; and a conductor layer is formed in the via hole opening to form a via hole. The circuit part is
At least a part of the metal coating layer is removed, and the roughened surface is directly connected to the conductor layer.

【0047】本発明の構成によれば、上記バイアホール
用開口内の導体回路部分は、上記金属の被覆層の少なく
とも一部が除去され、上記粗化面が上記導体層に直接接
続されているので、導体回路表面の粗化面とバイアホー
ルとが密着し、そのために導体回路とバイアホールとの
密着性が良好になる。
According to the structure of the present invention, at least a part of the metal coating layer is removed from the conductor circuit portion in the via hole opening, and the roughened surface is directly connected to the conductor layer. Therefore, the roughened surface of the conductor circuit surface and the via hole adhere to each other, and therefore, the adhesion between the conductor circuit and the via hole is improved.

【0048】また、上記粗化面が上記導体層に直接接続
されることにより、ヒートサイクル条件下で熱膨張係数
の差により発生する応力に起因した導体層の剥離や、電
気伝達速度の差に起因した信号遅延や信号エラーが発生
しない。従って、バイアホールと導体回路との接続信頼
性、電気的接続性が充分に確保された多層プリント配線
板を提供することができる。
Further, since the roughened surface is directly connected to the conductor layer, it is possible to prevent the conductor layer from peeling off due to the stress generated due to the difference in the thermal expansion coefficient under the heat cycle condition and the difference in electric transmission speed. No resulting signal delay or signal error occurs. Therefore, it is possible to provide a multilayer printed wiring board in which the connection reliability and electrical connection between the via hole and the conductor circuit are sufficiently ensured.

【0049】次に、本発明の多層プリント配線板を製造
する方法をセミアディティブ法を例にとり説明する。 (1) まず、コア基板の表面に内層銅パターン(下層導体
回路)が形成された基板を作製する。このコア基板に対
する導体回路を形成する際には、銅張積層板を特定パタ
ーン状にエッチングする方法、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板に
無電解めっき用接着剤層を形成し、この無電解めっき用
接着剤層表面を粗化して粗化面とした後、無電解めっき
を施す方法、または、上記粗化面全体に無電解めっきを
施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成
部分に電解めっきを施した後、めっきレジストを除去
し、エッチング処理を行って、電解めっき膜と無電解め
っき膜からなる導体回路を形成する方法(セミアディテ
ィブ法)などを用いることができる。
Next, a method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described by taking a semi-additive method as an example. (1) First, a substrate having an inner copper pattern (lower conductive circuit) formed on the surface of a core substrate is prepared. When forming a conductor circuit for this core substrate, a method of etching a copper-clad laminate into a specific pattern, a method of forming an adhesive layer for electroless plating on a substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a ceramic substrate, and a metal substrate. Forming, after roughening the surface of the adhesive layer for electroless plating to a roughened surface, a method of performing electroless plating, or performing electroless plating on the entire roughened surface to form a plating resist, Using a method (semi-additive method) of forming a conductor circuit consisting of an electrolytic plating film and an electroless plating film by applying a plating resist after removing the plating resist after applying electrolytic plating to the portion where no plating resist is formed, and performing an etching process. Can be.

【0050】通常、基板上に導体回路を形成した後、ス
ルーホールおよびコア基板の導体回路間にビスフェノー
ルF型エポキシ樹脂などの低粘度の樹脂充填剤を充填し
た後、樹脂層および導体回路を研磨することにより樹脂
層と導体回路との平滑性を確保するが、上記樹脂充填剤
を充填する前に導体回路の表面に、粗化面または粗化層
を形成する。
Usually, after a conductive circuit is formed on a substrate, a low-viscosity resin filler such as bisphenol F epoxy resin is filled between the through-hole and the conductive circuit of the core substrate, and then the resin layer and the conductive circuit are polished. By doing so, the smoothness between the resin layer and the conductor circuit is ensured, but a roughened surface or a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit before filling with the resin filler.

【0051】なお、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層が
電気的に接続されていてもよい。
Note that a through hole may be formed in the core substrate, and the wiring layers on the front and back surfaces may be electrically connected via the through hole.

【0052】上記粗化面または粗化層は、研磨処理、エ
ッチング処理、黒化還元処理およびめっき処理のうちの
いずれかの方法により形成されることが望ましい。これ
らの処理のうち、黒化還元処理を行う際には、NaOH
(20g/l)、NaClO2 (50g/l)、Na3
PO4 (15.0g/l)を含む水溶液からなる黒化浴
(酸化浴)、および、NaOH(2.7g/l)、Na
BH4 (1.0g/l)を含む水溶液からなる還元浴を
用いて粗化面を形成する方法が望ましい。
The roughened surface or the roughened layer is desirably formed by any one of a polishing treatment, an etching treatment, a blackening reduction treatment and a plating treatment. Of these processes, when performing the blackening reduction process, NaOH
(20 g / l), NaClO 2 (50 g / l), Na 3
A blackening bath (oxidizing bath) composed of an aqueous solution containing PO 4 (15.0 g / l), NaOH (2.7 g / l), Na
A method of forming a roughened surface using a reducing bath composed of an aqueous solution containing BH 4 (1.0 g / l) is desirable.

【0053】また、めっき処理により粗化層を形成する
際には、硫酸銅(1〜40g/l)、硫酸ニッケル
(0.1〜6.0g/l)、クエン酸(10〜20g/
l)、次亜リン酸ナトリウム(10〜100g/l)、
ホウ酸(10〜40g/l)、界面活性剤(日信化学工
業社製、サーフィノール465)(0.01〜10g/
l)を含むpH=9の無電解めっき浴にて無電解めっき
を施し、Cu−Ni−P合金からなる粗化層を形成する
方法が望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は
針状構造になるため、アンカー効果に優れるからであ
る。この無電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤
や添加剤を加えてもよい。
When a roughened layer is formed by plating, copper sulfate (1 to 40 g / l), nickel sulfate (0.1 to 6.0 g / l), and citric acid (10 to 20 g / l) are used.
l), sodium hypophosphite (10-100 g / l),
Boric acid (10 to 40 g / l), surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.01 to 10 g / l)
It is preferable to form a roughened layer made of a Cu-Ni-P alloy by performing electroless plating in an electroless plating bath having a pH of 9 and containing l). This is because the crystalline structure of the film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect. A complexing agent or an additive may be added to the electroless plating bath in addition to the above compounds.

【0054】上記エッチング処理方法としては、第二銅
錯体および有機酸を含むエッチング液を酸素共存化で作
用させ、導体回路表面を粗化する方法が挙げられる。こ
の場合、下記の式(1)および式(2)の化学反応によ
りエッチングが進行する。
As the above-mentioned etching method, there is a method in which an etching solution containing a cupric complex and an organic acid is allowed to act in the presence of oxygen to roughen the surface of the conductor circuit. In this case, the etching proceeds by the chemical reaction of the following formulas (1) and (2).

【0055】[0055]

【化1】 Embedded image

【0056】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾールが挙げられる。これらのなかでも、イミダゾー
ル、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾー
ル、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニ
ルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール等が望ま
しい。上記エッチング液中のアゾール類の第二銅錯体の
含有量は、1〜15重量%が望ましい。溶解性および安
定性に優れ、また、触媒核を構成するPdなどの貴金属
をも溶解させることができるからである。
As the cupric complex, a cupric complex of an azole is desirable. This cupric complex of azoles is
It acts as an oxidizing agent that oxidizes metallic copper and the like. Examples of the azoles include diazole, triazole, and tetrazole. Among these, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are desirable. The content of the cupric complex of azoles in the etching solution is desirably 1 to 15% by weight. This is because it is excellent in solubility and stability, and can also dissolve noble metals such as Pd constituting the catalyst core.

【0057】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。上記有機酸の具
体例としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン
酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルフ
ァミン酸等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
く、2種以上を併用してもよい。
In order to dissolve the copper oxide, an organic acid is added to the azole cupric complex. Specific examples of the organic acid include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, Glycolic acid, lactic acid, malic acid, sulfamic acid and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0058】エッチング液中の有機酸の含有量は、0.
1〜30重量%が望ましい。酸化された銅の溶解性を維
持し、かつ溶解安定性を確保することができるからであ
る。上記式(2)に示したように、発生した第一銅錯体
は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体とな
って、再び銅の酸化に寄与する。
The content of the organic acid in the etching solution is 0.1%.
1 to 30% by weight is desirable. This is because the solubility of the oxidized copper can be maintained and the solubility stability can be ensured. As shown in the above formula (2), the generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to oxidation of copper.

【0059】銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助す
るために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩
素イオン、臭素イオン等を上記エッチング液に加えても
よい。また、塩酸、塩化ナトリウム等を添加することに
より、ハロゲンイオンを供給することができる。エッチ
ング液中のハロゲンイオンの含有量は、0.01〜20
重量%が望ましい。形成された粗化面と層間樹脂絶縁層
との密着性に優れるからである。
To assist in dissolving copper and oxidizing azoles, halogen ions, for example, fluorine ions, chlorine ions, bromine ions, etc., may be added to the etching solution. Also, halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, or the like. The content of halogen ions in the etching solution is 0.01 to 20.
% By weight is desirable. This is because adhesion between the formed roughened surface and the interlayer resin insulating layer is excellent.

【0060】エッチング液を調製する際には、アゾール
類の第二銅錯体と有機酸(必要に応じてハロゲンイオン
を有するものを使用)を、水に溶解する。また、上記エ
ッチング液として、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用する。
上記エッチング液を用いた場合のエッチング量(粗さ)
は1〜5μmが望ましい。エッチング量が5μmを超え
ると、形成された粗化面と樹脂との密着が逆に低下し、
一方、エッチング量が1μm未満でも、その上に形成す
る層間樹脂絶縁層との密着性が不充分となるからであ
る。
In preparing the etching solution, a cupric complex of azoles and an organic acid (if necessary, having a halogen ion) are dissolved in water. As the etching solution, a commercially available etching solution, for example, “Mech Etch Bond” manufactured by Mec Co., Ltd. is used.
Etching amount (roughness) when using the above etching solution
Is preferably 1 to 5 μm. When the etching amount exceeds 5 μm, the adhesion between the formed roughened surface and the resin is reduced, and
On the other hand, if the etching amount is less than 1 μm, the adhesion to the interlayer resin insulating layer formed thereon becomes insufficient.

【0061】また、これ以外に、上記エッチング処理
は、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液や、硫酸と過酸
化水素水とハロゲンとを含む混合液等を用いて行うこと
もできる。
In addition to the above, the above etching treatment can be performed using a mixed solution containing sulfuric acid, a hydrogen peroxide solution, a mixed solution containing sulfuric acid, a hydrogen peroxide solution, and a halogen.

【0062】上記方法により形成した粗化面または粗化
層は、通常、側面を残して研磨され、樹脂層と導体回路
との平滑性が確保される。
The roughened surface or the roughened layer formed by the above method is usually polished while leaving the side surfaces, so that the smoothness between the resin layer and the conductor circuit is ensured.

【0063】この後、再び導体回路に粗化処理を施す
が、この際には、上述した方法、即ち、研磨処理、エッ
チング処理、黒化還元処理およびめっき処理のうちのい
ずれかの方法により粗化面または粗化層を形成すること
が望ましい。なお、導体回路に粗化面または粗化層を形
成した後、研磨処理を施すことなく、層間樹脂絶縁層を
形成してもよい。
Thereafter, the conductor circuit is again subjected to a roughening treatment. In this case, the roughening treatment is performed by any of the above-mentioned methods, that is, the polishing treatment, the etching treatment, the blackening reduction treatment, and the plating treatment. It is desirable to form a roughened surface or a roughened layer. After forming the roughened surface or the roughened layer on the conductor circuit, the interlayer resin insulating layer may be formed without performing the polishing treatment.

【0064】(2) 次いで、形成した粗化面または粗化層
上に、上述したSn等の金属からなる被覆層を、めっき
処理法またはスパッタ等の方法により形成する。
(2) Next, a coating layer made of a metal such as Sn is formed on the roughened surface or the roughened layer by a plating method or a sputtering method.

【0065】(3) 次に、上記(2) で作製した基板の上
に、樹脂絶縁層を形成する。上記樹脂絶縁層としては、
例えば、有機溶剤を含む粗化面形成用樹脂組成物を塗布
して、乾燥させることにより形成することができる。
(3) Next, a resin insulating layer is formed on the substrate prepared in the above (2). As the resin insulating layer,
For example, it can be formed by applying a resin composition for forming a roughened surface containing an organic solvent, followed by drying.

【0066】上記粗化面形成用樹脂組成物は、酸、アル
カリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも1種からなる
粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリック
ス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なく
とも1種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散さ
れたものが望ましい。なお、本発明で使用する「難溶
性」「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸
漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上
「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜
上「難溶性」と呼ぶ。
The above resin composition for forming a roughened surface comprises an acid, an alkali, and a non-cured heat-resistant resin matrix which is hardly soluble in a roughening solution comprising at least one selected from an acid, an alkali and an oxidizing agent. It is desirable that a substance that is soluble in a roughening liquid composed of at least one selected from an oxidizing agent and a oxidizing agent is dispersed. Note that the terms "poorly soluble" and "soluble" used in the present invention, when immersed in the same roughening solution for the same time, those having a relatively high dissolution rate are referred to as "soluble" for convenience, and Those with a slow dissolution rate are called "poorly soluble" for convenience.

【0067】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、例
えば、熱硬化性樹脂や熱硬化性樹脂(熱硬化基の一部を
感光化したものも含む)と熱可塑性樹脂との複合体など
を使用することができる。
As the heat-resistant resin matrix, for example, a thermosetting resin or a composite of a thermosetting resin (including one in which a part of the thermosetting group is sensitized) and a thermoplastic resin are used. Can be.

【0068】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性
ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。また、上記熱硬
化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などを用い、熱硬化基を(メタ)アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の(メタ)アクリレートが最適で
ある。
The thermosetting resin includes, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, thermosetting polyolefin resin and the like. When the thermosetting resin is exposed to light, a methacrylic acid, acrylic acid, or the like is used to cause the thermosetting group to undergo a (meth) acrylation reaction. Particularly, epoxy resin (meth) acrylate is most suitable.

【0069】上記エポキシ樹脂としては、例えば、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを使用
することができる。上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフ
ェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リフェニルエーテル、ポリエーテルイミドなどを使用す
ることができる。
As the epoxy resin, for example, a novolak type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin or the like can be used. As the thermoplastic resin, for example, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like can be used.

【0070】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも1種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも1種であるこ
とが望ましい。
The substance soluble in the roughening liquid comprising at least one selected from the above-mentioned acids, alkalis and oxidizing agents is selected from inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, liquid resin and liquid rubber. It is desirable that it is at least one kind.

【0071】上記無機粒子としては、例えば、シリカ、
アルミナ、炭酸カルシウム、タルク、ドロマイトなどが
挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上
を併用してもよい。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解
除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去
することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロ
マイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
Examples of the inorganic particles include silica,
Examples include alumina, calcium carbonate, talc, and dolomite. These may be used alone or in combination of two or more. The alumina particles can be dissolved and removed with hydrofluoric acid, and the calcium carbonate can be dissolved and removed with hydrochloric acid. Further, sodium-containing silica and dolomite can be dissolved and removed with an alkaline aqueous solution.

【0072】上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹
脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂など)、
エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂など挙
げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を
併用してもよい。なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化
剤に溶解するものや、これらに難溶解性のものを、オリ
ゴマーの種類や硬化剤を選択することにより任意に製造
することができる。例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に
非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂をイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム
酸には溶解しにくい。
Examples of the resin particles include amino resins (melamine resin, urea resin, guanamine resin, etc.),
Epoxy resins, bismaleimide-triazine resins and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin can be arbitrarily manufactured by dissolving in an acid or an oxidizing agent or hardly dissolving in the acid or the oxidizing agent by selecting the type of the oligomer and the curing agent. For example, a resin obtained by curing a bisphenol A-type epoxy resin with an amine-based curing agent is very soluble in chromic acid, but a resin obtained by curing a cresol novolac-type epoxy resin with an imidazole curing agent is not easily dissolved in chromic acid. .

【0073】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。
It is necessary that the resin particles have been previously cured. If not cured, the resin particles will dissolve in the solvent that dissolves the resin matrix, so they will be uniformly mixed, and it will not be possible to selectively dissolve and remove only the resin particles with an acid or oxidizing agent. is there.

【0074】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウムなどが挙げ
られる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併
用してもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、アクリ
ロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、
ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、
フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ABS樹
脂などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
2種以上を併用してもよい。
The metal particles include, for example, gold, silver,
Examples include copper, tin, zinc, stainless steel, and aluminum. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the rubber particles include acrylonitrile-butadiene rubber, polychloroprene rubber,
Polyisoprene rubber, acrylic rubber, polysulfuric rigid rubber,
Fluorine rubber, urethane rubber, silicone rubber, ABS resin and the like can be mentioned. These may be used alone,
Two or more kinds may be used in combination.

【0075】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液などが挙げられる。上記
液相ゴムとしては、例えば、上記ゴムの未硬化溶液など
を使用することができる。
An uncured solution of the thermosetting resin can be used as the liquid phase resin. Specific examples of such a liquid phase resin include, for example, an uncured epoxy oligomer and an amine-based curing agent. And the like. As the liquid phase rubber, for example, an uncured solution of the rubber can be used.

【0076】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質が均一に相溶しない(つまり相分離
するように)ように、これらの物質を選択する必要があ
る。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックス
と可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹
脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴム
の「島」が分散している状態、または、液相樹脂または
液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。
When the photosensitive resin composition is prepared using the liquid phase resin or the liquid phase rubber, the heat-resistant resin matrix and the soluble substance are not uniformly compatible (that is, so as to separate phases). First, it is necessary to select these substances. By mixing a heat-resistant resin matrix and a soluble substance selected according to the above criteria, a state in which "islands" of liquid-phase resin or liquid-phase rubber are dispersed in the "sea" of the heat-resistant resin matrix Alternatively, a photosensitive resin composition in which "islands" of a heat-resistant resin matrix are dispersed in a "sea" of a liquid phase resin or a liquid phase rubber can be prepared.

【0077】そして、このような状態の感光性樹脂組成
物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂また
は液相ゴムを除去することにより粗化面を形成すること
ができる。
After the photosensitive resin composition in such a state is cured, the roughened surface can be formed by removing the "sea" or "island" liquid phase resin or liquid phase rubber. .

【0078】上記粗化液として用いる酸としては、例え
ば、リン酸、塩酸、硫酸や、蟻酸、酢酸などの有機酸な
どが挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから
露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上記
酸化剤としては、例えば、クロム酸、アルカリ性過マン
ガン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)の水溶液などを
用いることが望ましい。また、アルカリとしては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水溶液が望まし
い。
Examples of the acid used as the roughening solution include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid. Among them, it is preferable to use an organic acid. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. As the oxidizing agent, for example, an aqueous solution of chromic acid, an alkaline permanganate (such as potassium permanganate), or the like is desirably used. As the alkali, an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like is desirable.

【0079】本発明において、上記無機粒子、上記金属
粒子および上記樹脂粒子を使用する場合は、その平均粒
径は、10μm以下が望ましい。また、特に平均粒径が
2μm未満であって、平均粒径の相対的に大きな粗粒子
と平均粒径が相対的に小さな微粒子との混合粒子を組み
合わせて使用することにより、無電解めっき膜の溶解残
渣をなくし、めっきレジスト下のパラジウム触媒量を少
なくし、しかも、浅くて複雑な粗化面を形成することが
できる。そして、このような複雑な粗化面を形成するこ
とにより、浅い粗化面でも実用的なピール強度を維持す
ることができる。
In the present invention, when the above-mentioned inorganic particles, the above-mentioned metal particles and the above-mentioned resin particles are used, the average particle size is desirably 10 μm or less. Further, in particular, by using a mixture of coarse particles having a relatively large average particle diameter and fine particles having a relatively small average particle diameter having an average particle diameter of less than 2 μm, the electroless plating film Dissolved residues can be eliminated, the amount of palladium catalyst under the plating resist can be reduced, and a shallow and complicated roughened surface can be formed. By forming such a complicated roughened surface, a practical peel strength can be maintained even on a shallow roughened surface.

【0080】上記粗粒子と微粒子とを組み合わせること
により、浅くて複雑な粗化面を形成することができるの
は、使用する粒子径が粗粒子で平均粒径2μm未満であ
るため、これらの粒子が溶解除去されても形成されるア
ンカーは浅くなり、また、除去される粒子は、相対的に
粒子径の大きな粗粒子と相対的に粒子径の小さな微粒子
の混合粒子であるから、形成される粗化面が複雑になる
のである。また、この場合、使用する粒子径は、粗粒子
で平均粒径2μm未満であるため、粗化が進行しすぎて
空隙を発生させることはなく、形成した樹脂絶縁層は層
間絶縁性に優れている。
The combination of the coarse particles and the fine particles can form a shallow and complicated roughened surface because the coarse particles used are coarse particles having an average particle size of less than 2 μm. The anchor formed even when dissolved is removed becomes shallow, and the particles to be removed are formed by the mixture of coarse particles having a relatively large particle diameter and fine particles having a relatively small particle diameter. The roughened surface becomes complicated. In this case, since the particle diameter used is coarse particles and the average particle diameter is less than 2 μm, the coarsening does not proceed too much to generate voids, and the formed resin insulating layer has excellent interlayer insulating properties. I have.

【0081】上記粗粒子は平均粒径が0.8μmを超え
2.0μm未満であり、微粒子は平均粒径が0.1〜
0.8μmであることが望ましい。この範囲では、粗化
面の深さは概ねRmax=3μm程度となり、セミアデ
ィテイブ法では、無電解めっき膜をエッチング除去しや
すいだけではなく、無電解めっき膜下のPd触媒をも簡
単に除去することができ、また、実用的なピール強度
1.0〜1.3kg/cmを維持することができるから
である。
The coarse particles have an average particle diameter of more than 0.8 μm and less than 2.0 μm, and the fine particles have an average particle diameter of 0.1 to 0.1 μm.
Preferably, it is 0.8 μm. In this range, the depth of the roughened surface is approximately Rmax = about 3 μm. With the semi-additive method, not only the electroless plating film is easily removed by etching, but also the Pd catalyst under the electroless plating film is easily removed. And a practical peel strength of 1.0 to 1.3 kg / cm can be maintained.

【0082】上記粗化面形成用樹脂組成物中の有機溶剤
の含有量は、10重量%以下であることが望ましい。粗
化面形成用樹脂組成物の塗布を行う際には、ロールコー
タ、カーテンコータなどを使用することができる。
The content of the organic solvent in the above-mentioned resin composition for forming a roughened surface is desirably 10% by weight or less. When applying the resin composition for forming a roughened surface, a roll coater, a curtain coater, or the like can be used.

【0083】また、上記樹脂絶縁層は、例えば、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、熱可塑性エラストマー樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フッ素樹脂、トリアジン樹脂等を用
いて形成することもできる。
The resin insulating layer can be formed using, for example, a polyphenylene ether resin, a thermoplastic elastomer resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a triazine resin, or the like.

【0084】上記ポリフェニレンエーテル樹脂として
は、例えば、下記化学式(3)で表される繰り返し単位
を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化
学式(4)で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
Examples of the polyphenylene ether resin include a thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (3) and a thermosetting polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (4): And the like.

【0085】[0085]

【化2】 Embedded image

【0086】(式中、nは、2以上の整数を表す。)(In the formula, n represents an integer of 2 or more.)

【0087】[0087]

【化3】 Embedded image

【0088】(式中、mは、2以上の整数を表す。ま
た、R1 、R2 は、メチレン基、エチレン基または−C
2 −O−CH2 −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。)
(Wherein, m represents an integer of 2 or more. R 1 and R 2 represent a methylene group, an ethylene group or a —C
Represents H 2 —O—CH 2 —, both of which may be the same or different. )

【0089】また、上記化学式(3)で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。
The thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the above chemical formula (3) has a structure in which a methyl group is bonded to a benzene ring, but the polyphenylene ether which can be used in the present invention. The resin may be a derivative in which the above-mentioned methyl group is substituted with another alkyl group such as an ethyl group, or a derivative in which hydrogen of a methyl group is substituted with fluorine.

【0090】上記熱可塑性エラストマー樹脂としては特
に限定されず、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマ
ー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱
可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラスト
マー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、1,2−ポ
リブタジエン系熱可塑性エラストマー、塩ビ系熱可塑性
エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー等が挙げ
られる。これらのなかでは、電気特性に優れる点からオ
レフィン系熱可塑性エラストマーやフッ素系熱可塑性エ
ラストマーが望ましい。
The thermoplastic elastomer resin is not particularly restricted but includes, for example, styrene-based thermoplastic elastomers, olefin-based thermoplastic elastomers, urethane-based thermoplastic elastomers, polyester-based thermoplastic elastomers, polyamide-based thermoplastic elastomers, -Polybutadiene-based thermoplastic elastomers, PVC-based thermoplastic elastomers, fluorine-based thermoplastic elastomers, and the like. Among these, olefin-based thermoplastic elastomers and fluorine-based thermoplastic elastomers are desirable from the viewpoint of excellent electrical properties.

【0091】上記ポリオレフィン系樹脂としては特に限
定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。
The above-mentioned polyolefin resin is not particularly restricted but includes, for example, polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin and copolymers of these resins.

【0092】上記ポリオレフィン系樹脂の市販品として
は、例えば、住友スリーエム社製の商品名:1592等
が挙げられる。また、融点が200℃以上の熱可塑型ポ
リオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石
油化学工業社製の商品名:TPX(融点240℃)、出
光石油化学社製の商品名:SPS(融点270℃)等が
挙げられる。これらのなかでは、誘電率および誘電正接
が低く、GHz帯域の高周波信号を用いた場合でも信号
遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の
機械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹
脂が望ましい。
Examples of the commercially available polyolefin resin include, for example, 1592 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited). Commercially available thermoplastic polyolefin resins having a melting point of 200 ° C. or higher include, for example, TPX (trade name: 240 ° C., manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.) and SPS (trade name, manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) Melting point 270 ° C.). Among them, cyclo-dielectric materials have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, are unlikely to cause signal delay and signal error even when a high-frequency signal in the GHz band is used, and are excellent in mechanical properties such as rigidity. Olefin resins are desirable.

【0093】上記シクロオレフィン系樹脂としては、2
−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記2−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。
As the cycloolefin-based resin, 2
Homopolymers or copolymers of monomers comprising -norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or derivatives thereof are desirable. As the above derivative, the above 2-
Examples thereof include those in which an amino group for forming a crosslink, a maleic anhydride residue, or a maleic acid-modified one is bonded to a cycloolefin such as norbornene. Examples of monomers for synthesizing the copolymer include ethylene and propylene.

【0094】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の2種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。
The cycloolefin resin may be a mixture of two or more of the above resins, or may contain a resin other than the cycloolefin resin. When the cycloolefin resin is a copolymer, it may be a block copolymer or a random copolymer.

【0095】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度(Tg)は、13
0〜200℃であることが望ましい。
It is desirable that the cycloolefin resin is a thermosetting cycloolefin resin.
This is because by performing the heating to form the crosslinks, the rigidity is further increased and the mechanical properties are improved. The glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin resin is 13
Desirably, the temperature is 0 to 200 ° C.

【0096】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート(フィルム)として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるRCC(RESIN COATE
D COPPER:樹脂付銅箔)を用いてもよい。
As the above cycloolefin-based resin, those already molded as a resin sheet (film) may be used, and a monomer or a low-molecular-weight polymer having a certain molecular weight may be used as a solvent such as xylene or cyclohexane. It may be in the state of an uncured solution dispersed in. In the case of a resin sheet, a so-called RCC (RESIN COATE
D COPER: resin-coated copper foil).

【0097】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。
The cycloolefin resin may not contain a filler or the like, or may contain a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, or a phosphate.

【0098】また、上記ポリオレフィン樹脂を用いる場
合、該ポリオレフィン樹脂に、メラミン、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、PP
O、PPE等の有機フィラーを配合してもよい。上記有
機フィラーを配合することにより、例えば、樹脂絶縁層
にレーザ光を照射することによりバイアホール用開口を
形成する際に、所望の形状のバイアホール用開口を良好
に形成することができる。
When the above-mentioned polyolefin resin is used, melamine, phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, PP
Organic fillers such as O and PPE may be blended. By blending the organic filler, for example, when a via hole opening is formed by irradiating a resin insulating layer with a laser beam, a via hole opening having a desired shape can be favorably formed.

【0099】上記有機フィラーの含有量は、5〜60重
量%が好ましい。上記有機フィラーの含有量が5重量%
未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるた
め、レーザ光照射の際に上記した役割を果たすことがで
きず、目的とする形状の非貫通孔等を形成することがで
きない場合がある。一方、有機フィラーの含有量が60
重量%を超えると、ポリオレフィン系樹脂の特性が失わ
れ、例えば、誘電率が高くなりすぎること等があるため
好ましくない。より好ましい有機フィラーの配合量は、
14〜60重量%である。
The content of the organic filler is preferably 5 to 60% by weight. The content of the organic filler is 5% by weight
When the content is less than the above, the content of the organic filler is too small, so that the above-mentioned role cannot be performed at the time of laser beam irradiation, and a non-through hole or the like having a desired shape may not be formed. On the other hand, when the content of the organic filler is 60
If the content is more than 10% by weight, the properties of the polyolefin resin are lost, and, for example, the dielectric constant may be too high. More preferred amount of the organic filler,
14 to 60% by weight.

【0100】上記フッ素樹脂としては、例えば、エチル
/テトラフルオロエチレン共重合樹脂(ETFE)、ポ
リクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等が挙げ
られる。
Examples of the fluororesin include ethyl / tetrafluoroethylene copolymer resin (ETFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).

【0101】上記樹脂フィルムを貼り付けることにより
樹脂絶縁層を形成する場合、該樹脂絶縁層の形成は、真
空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または真空下に
おいて、2.0〜10kgf/cm2 の圧力、60〜1
20℃の温度で圧着し、その後、樹脂フィルムを熱硬化
することにより行うことが望ましい。なお、上記熱硬化
は、後述するバイアホール用開口および貫通孔を形成し
た後に行ってもよい。
When the resin insulating layer is formed by attaching the above-mentioned resin film, the resin insulating layer is formed using a device such as a vacuum laminator under reduced pressure or vacuum under a pressure of 2.0 to 10 kgf / cm 2. Pressure, 60-1
It is preferable to perform pressure bonding at a temperature of 20 ° C., and then heat-harden the resin film. The heat curing may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.

【0102】本発明の製造方法において形成される樹脂
絶縁層の厚さとしては特に限定されないが、5〜50μ
mが望ましい。上記厚さが5μm未満であると、上下に
隣合う導体回路間の絶縁性が維持できない場合があり、
一方、50μmを超えると、非貫通孔等を形成した際
に、その底部に樹脂残りが発生したり、その非貫通孔等
の形状が底部に向かって先細り形状になることがある。
The thickness of the resin insulating layer formed in the manufacturing method of the present invention is not particularly limited.
m is desirable. When the thickness is less than 5 μm, insulation between the vertically adjacent conductor circuits may not be maintained,
On the other hand, when the thickness exceeds 50 μm, when a non-through hole or the like is formed, resin residue may be generated at the bottom thereof, or the shape of the non-through hole or the like may be tapered toward the bottom.

【0103】上記樹脂絶縁層は、その1GHzにおける
誘電率が3.0以下であり、誘電正接が0.01以下で
あることが望ましい。上記誘電率は、2.4〜2.7が
より好ましい。このような誘電率を有する樹脂として
は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂等が挙げられる。このような低誘電率のものを
使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失
等に起因する信号エラーを防止することができる。
The resin insulating layer preferably has a dielectric constant at 1 GHz of 3.0 or less and a dielectric loss tangent of 0.01 or less. The dielectric constant is more preferably 2.4 to 2.7. Examples of the resin having such a dielectric constant include a polyphenylene ether resin and a polyolefin resin. By using such a material having a low dielectric constant, it is possible to prevent a signal error due to a delay in signal propagation, a signal transmission loss, and the like.

【0104】(4) 上記(3) で形成した樹脂絶縁層にバイ
アホール用開口を設ける。例えば、粗化面形成用樹脂組
成物層を乾燥して半硬化状態とした後、バイアホール用
開口を設ける。なお、粗化面形成用樹脂組成物層を乾燥
させた状態では、導体回路パターン上の上記樹脂組成物
層の厚さが薄く、大面積を持つプレーン層上の樹脂絶縁
層の厚さが厚くなり、また導体回路と導体回路非形成部
の凹凸に起因して、樹脂絶縁層に凹凸が発生しているこ
とが多いため、金属板や金属ロールを用い、加熱しなが
ら押圧して、樹脂絶縁層の表面を平坦化することが望ま
しい。
(4) A via hole opening is provided in the resin insulating layer formed in (3). For example, after the roughened surface forming resin composition layer is dried to a semi-cured state, an opening for a via hole is provided. In the state where the resin composition layer for forming a roughened surface is dried, the thickness of the resin composition layer on the conductor circuit pattern is small, and the thickness of the resin insulating layer on the plane layer having a large area is large. In addition, since the resin insulating layer often has irregularities due to the irregularities of the conductor circuit and the portion where the conductor circuit is not formed, the resin insulation layer is pressed by heating using a metal plate or a metal roll. It is desirable to planarize the surface of the layer.

【0105】バイアホール用開口は、粗化面形成用樹脂
組成物層等に紫外線などを用いて露光した後現像処理を
行うことにより形成する。また、露光現像処理を行う場
合には、前述したバイアホール用開口に相当する部分
に、黒円のパターンが描画されたフォトマスク(ガラス
基板が好ましい)の黒円のパターンが描画された側を粗
化面形成用樹脂組成物層に密着させた状態で載置し、露
光、現像処理する。
The opening for the via hole is formed by exposing the resin composition layer for forming a roughened surface or the like using ultraviolet rays or the like and then performing a developing treatment. In the case of performing the exposure and development processing, the side of the photomask (preferably a glass substrate) on which the black circle pattern is drawn is placed on the portion corresponding to the via hole opening described above. The substrate is placed in close contact with the resin composition layer for forming a roughened surface, and is exposed and developed.

【0106】また、バイアホール用開口の形成は、レー
ザ処理、プラズマ処理等を用いても行うことができる。
上記レーザ処理を行う際に用いるレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、UVレーザ、Y
AGレーザ等が挙げられる。これらのレーザは、樹脂絶
縁層の材質やバイアホ−ル用開口の形状等を考慮して使
い分ければよい。なお、上記レーザ処理は、バイアホー
ル用開口を形成する部分に相当する部分に貫通孔の設け
られたマスクを介してレーザ光を照射することにより行
うことが好ましい。
The formation of the via hole opening can also be performed by using laser processing, plasma processing, or the like.
As the laser used for performing the laser processing, for example, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a UV laser,
An AG laser and the like can be mentioned. These lasers may be used properly in consideration of the material of the resin insulating layer and the shape of the via hole opening. Note that the laser treatment is preferably performed by irradiating a portion corresponding to a portion for forming a via hole opening with a laser beam through a mask provided with a through hole.

【0107】また、上記バイアホール用開口を形成する
場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレー
ザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバ
イアホール用開口を形成することができる。また、短パ
ルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を
形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹
脂に対するダメージが小さい。
In the case of forming the via hole openings, a large number of via hole openings can be formed at once by irradiating a laser beam with a hologram type excimer laser through a mask. Further, when the via hole opening is formed using a short-pulse carbon dioxide laser, the amount of resin remaining in the opening is small, and the damage to the resin at the periphery of the opening is small.

【0108】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。
By irradiating a laser beam through an optical lens and a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. This is because a plurality of portions can be simultaneously irradiated with laser light having the same intensity and the same irradiation angle through the optical lens and the mask.

【0109】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、0.1〜2mm程度が
望ましい。
The through-hole formed in the mask is desirably a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle, and the diameter of the through-hole is desirably about 0.1 to 2 mm.

【0110】また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、
そのパルス間隔は、10-4〜10-8秒であることが望ま
しい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時
間は、10〜500μ秒であることが望ましい。
When using the above carbon dioxide laser,
The pulse interval is desirably 10 −4 to 10 −8 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec.

【0111】レーザ光にてバイアホール用開口を形成し
た場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミ
ア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、ク
ロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使
用して行うことができる。また、酸素プラズマ、CF4
と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよ
い。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射するこ
とにより、表面改質することもできる。また、樹脂絶縁
層を形成した基板に、貫通孔を形成する場合には、直径
50〜300μmのドリル、レーザ光等を用いて貫通孔
を形成する。
When the opening for the via hole is formed by laser light, and particularly when a carbon dioxide gas laser is used, desmearing is desirably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. In addition, oxygen plasma, CF 4
It may be treated by a mixed plasma of oxygen and oxygen, corona discharge or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp. When a through hole is formed in the substrate on which the resin insulating layer is formed, the through hole is formed using a drill having a diameter of 50 to 300 μm, laser light, or the like.

【0112】(5) 次に、粗化面形成用樹脂組成物等から
なる樹脂絶縁層を硬化させて層間樹脂絶縁層とし、必要
に応じて、この層間樹脂絶縁層を粗化する。粗化処理
は、上記層間樹脂絶縁層が粗化面形成用樹脂組成物から
なる場合は、上記層間樹脂絶縁層の表面に存在する、無
機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂、液
相ゴムから選ばれる少なくとも1種の可溶性の物質を、
上記した酸、酸化剤、アルカリなどの粗化液を用いて除
去することにより行う。粗化面の深さは、1〜5μm程
度が望ましい。
(5) Next, the resin insulating layer made of the resin composition for forming a roughened surface is cured to form an interlayer resin insulating layer. If necessary, the interlayer resin insulating layer is roughened. In the case where the interlayer resin insulating layer is formed of a resin composition for forming a roughened surface, the roughening treatment includes inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, and a liquid phase resin present on the surface of the interlayer resin insulating layer. , At least one soluble substance selected from liquid phase rubber,
The removal is performed by using a roughening solution such as the above-described acid, oxidizing agent, and alkali. The depth of the roughened surface is desirably about 1 to 5 μm.

【0113】また、上記層間樹脂絶縁層が、ポリフェニ
レンエーテル樹脂やポリオレフィン樹脂等を用いて形成
した層の場合も、上記酸等で処理したり、プラズマ処理
したりすることによりバイアホール用開口を含むその表
面を粗化することができる。
Also, when the interlayer resin insulating layer is a layer formed using a polyphenylene ether resin or a polyolefin resin, the interlayer resin insulating layer includes a via hole opening by being treated with the above-mentioned acid or the like or by plasma treatment. Its surface can be roughened.

【0114】この後、酸を用いて粗化面を形成した場合
はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を
形成した場合は中和液を用いて、バイアホール用開口内
や貫通孔内を中和することが望ましい。この操作により
酸や酸化剤を除去し、次工程に影響を与えないようにす
る。
Thereafter, when the roughened surface is formed by using an acid, an aqueous solution of an alkali or the like is used, and when the roughened surface is formed by using an oxidizing agent, a neutralizing solution is used. And it is desirable to neutralize the inside of the through hole. By this operation, the acid and the oxidizing agent are removed so that the next step is not affected.

【0115】(6) 次に、粗化処理が施された基板を、1
〜40重量%の濃度の酸に0.1〜10分間浸漬する
か、NaOHを0.1〜5mol/l、KMnO4
0.1〜1mol/lの濃度で含むアルカリ性溶液に浸
漬するか、または、1〜40重量%の濃度の酸と過酸化
物とを含む混合液に1〜20分間浸漬することによりエ
ッチング処理を施し、バイアホール用開口内に露出して
いる被覆層の少なくとも一部を除去する。なお、被覆層
の除去は、上記(5) の粗化処理の前であってもよい。こ
の後、粗化された層間樹脂絶縁層表面に触媒核を付与す
る。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属コロイド
などを用いることが望ましく、一般的には、塩化パラジ
ウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、触媒核を
固定するために加熱処理を行うことが望ましい。このよ
うな触媒核としてはパラジウムが好ましい。
(6) Next, the roughened substrate is
Immersed in an acid having a concentration of 4040% by weight for 0.1 to 10 minutes, or immersed in an alkaline solution containing 0.1 to 5 mol / l of NaOH and 0.1 to 1 mol / l of KMnO 4 , Alternatively, at least a part of the coating layer exposed in the via hole opening is subjected to an etching treatment by immersing in a mixed solution containing an acid and a peroxide having a concentration of 1 to 40% by weight for 1 to 20 minutes. Is removed. The removal of the coating layer may be performed before the roughening treatment (5). Thereafter, catalyst nuclei are provided on the roughened surface of the interlayer resin insulating layer. It is desirable to use a noble metal ion or a noble metal colloid for providing the catalyst nucleus, and generally, palladium chloride or a palladium colloid is used. Note that it is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. Palladium is preferred as such a catalyst core.

【0116】(7) 次に、粗化面全面に無電解めっき膜等
からなる薄膜導体層を形成する。上記無電解めっき膜
は、例えば、以下の組成を有する無電解めっき液を用い
て形成することができる。即ち、無電解めっき液として
は、例えば、EDTA(40g/l)、硫酸銅(8g/
l)、HCHO(10ml/l)、NaOH(8g/
l)を含む無電解めっき液や、NiSO4 (0.003
mol/l)、酒石酸(0.200mol/l)、硫酸
銅(0.030mol/l)、HCHO(0.050m
ol/l)、NaOH(0.100mol/l)、α、
α′−ビピリジル(40mg/l)、ポリエチレングリ
コール(PEG)(0.10g/l)を含む無電解めっ
き液等が挙げられる。上記無電解めっき膜の厚みは0.
1〜5μmが望ましく、0.5〜3μmがより望まし
く、2〜3μmが特に望ましい。
(7) Next, a thin-film conductor layer made of an electroless plating film or the like is formed on the entire roughened surface. The electroless plating film can be formed using, for example, an electroless plating solution having the following composition. That is, as the electroless plating solution, for example, EDTA (40 g / l), copper sulfate (8 g / l)
l), HCHO (10 ml / l), NaOH (8 g /
l) or an electroless plating solution containing NiSO 4 (0.003
mol / l), tartaric acid (0.200 mol / l), copper sulfate (0.030 mol / l), HCHO (0.050 m
ol / l), NaOH (0.100 mol / l), α,
An electroless plating solution containing α'-bipyridyl (40 mg / l) and polyethylene glycol (PEG) (0.10 g / l) is exemplified. The thickness of the electroless plating film is 0.
1 to 5 μm is desirable, 0.5 to 3 μm is more desirable, and 2 to 3 μm is particularly desirable.

【0117】また、薄膜導体層は、スパッタリングや蒸
着等を用いて形成することもできる。特に、上記層間樹
脂絶縁層上に粗化面を形成しなかった場合は、上記薄膜
導体層をスパッタリングにより形成することが好まし
い。なお、スパッタリングや蒸着により薄膜導体層を形
成する場合、その厚さは、0.1〜1.0μmが好まし
い。
Further, the thin film conductor layer can be formed by using sputtering, vapor deposition or the like. In particular, when a roughened surface is not formed on the interlayer resin insulating layer, it is preferable to form the thin film conductor layer by sputtering. In addition, when forming a thin film conductor layer by sputtering or vapor deposition, the thickness is preferably 0.1 to 1.0 μm.

【0118】(8) ついで、無電解めっき膜等の薄膜導体
層上の一部に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)を
ラミネートしたり、液状のレジストを塗布した後、めっ
きレジストパターンが描画されたフォトマスク(ガラス
基板が好ましい)を感光性樹脂フィルムに密着させて載
置し、露光現像処理を行うことにより、めっきレジスト
パターンを形成する。
(8) Then, after laminating a photosensitive resin film (dry film) on a part of the thin film conductor layer such as an electroless plating film or applying a liquid resist, a plating resist pattern was drawn. A plating mask pattern is formed by placing a photomask (preferably a glass substrate) in close contact with the photosensitive resin film and performing exposure and development processing.

【0119】(9) 次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路およびバイアホールを形成す
る。ここで、上記電解めっきとしては、銅めっきを用い
ることが望ましく、その厚みは、1〜20μmが望まし
い。
(9) Next, electrolytic plating is applied to the portion where the plating resist is not formed to form a conductor circuit and a via hole. Here, it is desirable to use copper plating as the electrolytic plating, and its thickness is desirably 1 to 20 μm.

【0120】(10)さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶
液、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液、塩
酸、硝酸、熱希硫酸等で無電解めっき膜等の薄膜導体層
を溶解除去して、独立した導体回路とする。この後、パ
ラジウム触媒を用いていた場合は、クロム酸などでパラ
ジウム触媒核を溶解除去する。なお、第二銅錯体と有機
酸とを含有するエッチング液を用いて、薄膜導体層を除
去すると同時に、導体回路表面に粗化面を形成してもよ
い。
(10) After removing the plating resist, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an aqueous solution of persulfate such as sodium persulfate, ammonium persulfate, potassium persulfate, ferric chloride, cupric chloride, etc. A thin conductor layer such as an electroless plating film is dissolved and removed with an etching solution such as hydrochloric acid, nitric acid, hot dilute sulfuric acid, or the like to form an independent conductor circuit. Thereafter, when a palladium catalyst is used, the palladium catalyst nucleus is dissolved and removed with chromic acid or the like. Note that a roughened surface may be formed on the surface of the conductor circuit at the same time as removing the thin-film conductor layer using an etching solution containing a cupric complex and an organic acid.

【0121】(11)次に、導体回路の表面に粗化面または
粗化層を形成するが、この際には、上述した研磨処理、
エッチング処理、黒化還元処理およびめっき処理のうち
のいずれかの方法により形成することが望ましい。そし
て、形成した粗化面または粗化層上に、上記(2) と同様
にSn等の金属からなる被覆層を形成する。
(11) Next, a roughened surface or a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit.
It is desirable to form by any one of the etching treatment, the blackening reduction treatment, and the plating treatment. Then, a coating layer made of a metal such as Sn is formed on the roughened surface or the roughened layer in the same manner as in the above (2).

【0122】(12)次に、この基板上に、上記粗化面形成
用樹脂組成物を用い、上述した方法と同様の方法により
層間樹脂絶縁層を形成する。 (13)この後、必要により、(4) 〜(12)の工程を繰り返す
ことにより、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層さ
れた基板を作成する。
(12) Next, an interlayer resin insulating layer is formed on the substrate by using the above-mentioned resin composition for forming a roughened surface by the same method as described above. (13) Thereafter, if necessary, the steps (4) to (12) are repeated to prepare a substrate on which the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer are sequentially laminated.

【0123】(14)次に、最上層の導体回路を含む基板面
にソルダーレジスト層を形成し、さらに、該ソルダーレ
ジスト層を開口して半田パッドを形成した後、上記半田
パッドに半田ペーストを充填し、リフローすることによ
り半田バンプを形成する。その後、外部基板接続面に、
ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることに
より、PGA(Pin Grid Array)やBGA(Ball Grid Arr
ay) とする。
(14) Next, a solder resist layer is formed on the surface of the substrate including the uppermost conductive circuit, a solder pad is formed by opening the solder resist layer, and a solder paste is applied to the solder pad. Filling and reflowing form solder bumps. Then, on the external board connection surface,
By arranging pins and forming solder balls, PGA (Pin Grid Array) and BGA (Ball Grid Arr
ay).

【0124】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成
することができ、これらの樹脂の具体例としては、例え
ば、層間樹脂絶縁層を形成する際に用いた樹脂と同様の
樹脂等が挙げられる。
The above-mentioned solder resist layer can be formed, for example, using a solder resist composition comprising a polyphenylene ether resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a thermoplastic elastomer, an epoxy resin, a polyimide resin and the like. As a specific example, for example, the same resin as the resin used when forming the interlayer resin insulating layer and the like can be mentioned.

【0125】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の(メ
タ)アクリレート、イミダゾール硬化剤、2官能性(メ
タ)アクリル酸エステルモノマー、分子量500〜50
00程度の(メタ)アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は25℃で1〜10Pa・sに調整されて
いることが望ましい。
Examples of the solder resist compositions other than those described above include, for example, a (meth) acrylate of a novolak type epoxy resin, an imidazole curing agent, a bifunctional (meth) acrylate monomer, and a molecular weight of 500 to 50.
A paste-like fluid containing a polymer of about 00 (meth) acrylate, a thermosetting resin such as a bisphenol-type epoxy resin, a photosensitive monomer such as a polyvalent acrylic monomer, a glycol ether-based solvent, and the like. It is desirable that the viscosity is adjusted to 1 to 10 Pa · s at 25 ° C.

【0126】上記ノボラック型エポキシ樹脂の(メタ)
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。
(Meth) of the above novolak type epoxy resin
Examples of the acrylate include an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid, or the like.

【0127】上記2官能性(メタ)アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、市販品としては、日本化薬社製のR−604、PM
2、PM21等が挙げられる。
The bifunctional (meth) acrylic acid ester monomer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid and methacrylic acid esters of various diols, and commercially available products of Nippon Kayaku Co., Ltd. R-604, PM
2, PM21 and the like.

【0128】また、上記ソルダーレジスト組成物はエラ
ストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エラ
ストマーが配合されていることにより、形成されるソル
ダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および
反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した
場合でも、該応力を吸収したり緩和したりすることがで
き、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造し
た多層プリント配線板にICチップ等の電子部品を搭載
した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生す
ることを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合で
も該クラックが大きく成長することがない。
The above solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler. By being blended with the elastomer, the formed solder resist layer can absorb or reduce the stress even when a stress acts on the solder resist layer due to the flexibility and rebound resilience of the elastomer. As a result, cracks and peeling can be suppressed from occurring in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board and in the solder resist layer after mounting electronic components such as IC chips on the manufactured multilayer printed wiring board. Even when it occurs, the crack does not grow large.

【0129】上記ソルダーレジスト層を開口する方法と
しては、例えば、バイアホール用開口を形成する方法と
同様に、レーザ光を照射する方法や露光現像処理する方
法等が挙げられる。
As a method of opening the solder resist layer, for example, a method of irradiating a laser beam, a method of exposure and development processing, and the like can be mentioned in the same manner as the method of forming an opening for a via hole.

【0130】また、ソルダーレジスト組成物として、感
光性のソルダーレジスト組成物を使用した場合には、ソ
ルダーレジスト層を形成した後、該ソルダーレジスト層
上にフォトレジストを載置し、露光、現像処理を施すこ
とにより、ソルダーレジスト層を開口することができ
る。
When a photosensitive solder resist composition is used as the solder resist composition, after a solder resist layer is formed, a photoresist is placed on the solder resist layer, and exposed and developed. By performing the above, the solder resist layer can be opened.

【0131】上記ソルダーレジスト層を開口することに
より露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジ
ウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆すること
が望ましい。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−
銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金
等の金属により被覆層を形成することが望ましい。上記
被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成す
ることができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性
に優れるという点からめっきが望ましい。
The conductor circuit portion exposed by opening the solder resist layer is usually desirably covered with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver, and platinum. Specifically, nickel-gold, nickel-
It is desirable to form the coating layer with a metal such as silver, nickel-palladium, nickel-palladium-gold, and the like. The coating layer can be formed by, for example, plating, vapor deposition, electrodeposition, and the like, and among these, plating is preferable because of excellent uniformity of the coating layer.

【0132】なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであ
るが、フルアディティブ法を採用してもよい。
In addition, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be appropriately performed for a character printing step for forming a product recognition character or the like or for modifying a solder resist layer. Although the above method is based on the semi-additive method, a full additive method may be employed.

【0133】[0133]

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。The present invention will be described in more detail below.

【0134】(実施例1) A.上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 (1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液400重量部、感光性
モノマー(東亜合成社製、アロニックスM325)60
重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)5重量部
およびN−メチルピロリドン(NMP)35重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。
Example 1 A. Preparation of Resin Composition for Forming Roughened Surface of Upper Layer (1) A 25% acrylate of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) is dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of 80% by weight. 400 parts by weight of the resin solution, photosensitive monomer (Aronix M325, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) 60
A mixed composition was prepared by placing parts by weight, 5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) and 35 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) in a container and mixing with stirring.

【0135】(2)ポリエーテルスルフォン(PES)8
0重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマー
ポール)の平均粒径1.0μmのもの72重量部および
平均粒径0.5μmのもの31重量部を別の容器にと
り、攪拌混合した後、さらにNMP257重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製し
た。
(2) Polyether sulfone (PES) 8
0 parts by weight, 72 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm and 31 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 0.5 μm were placed in another container and mixed with stirring. And 257 parts by weight of NMP were further added and stirred and mixed by a bead mill to prepare another mixed composition.

【0136】(3)イミダゾール硬化剤(四国化成社製、
2E4MZ−CN)20重量部、光重合開始剤(ベンゾ
フェノン)20重量部、光増感剤(チバガイギー社製、
EAB)4重量部およびNMP16重量部をさらに別の
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。そして、(1)、(2)および(3)で調製した混合組成
物を混合することにより粗化面形成用樹脂組成物を得
た。
(3) Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, Inc.)
2E4MZ-CN), 20 parts by weight of a photopolymerization initiator (benzophenone), a photosensitizer (manufactured by Ciba-Geigy,
4 parts by weight of EAB) and 16 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a resin composition for forming a roughened surface was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).

【0137】B.下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 (1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液400重量部、感光性
モノマー(東亜合成社製、アロニックスM325)60
重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)5重量部
およびN−メチルピロリドン(NMP)35重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。
B. Preparation of Resin Composition for Forming Lower Surface Roughened Surface (1) Dissolve 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of 80% by weight. 400 parts by weight of the resin solution, photosensitive monomer (Aronix M325, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) 60
A mixed composition was prepared by placing parts by weight, 5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) and 35 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) in a container and mixing with stirring.

【0138】(2)ポリエーテルスルフォン(PES)8
0量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポ
リマーポール)の平均粒径0.5μmのもの145重量
部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにNMP2
85重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混
合組成物を調製した。
(2) Polyether sulfone (PES) 8
0 parts by weight and 145 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm are placed in another container, mixed with stirring, and further mixed with NMP2.
85 parts by weight were added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.

【0139】(3)イミダゾール硬化剤(四国化成社製、
2E4MZ−CN)20重量部、光重合開始剤(ベンゾ
フェノン)20重量部、光増感剤(チバガイギー社製、
EAB)4重量部およびNMP16重量部をさらに別の
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。そして、(1)、(2)および(3)で調製した混合組成
物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
(3) Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, Inc.)
2E4MZ-CN), 20 parts by weight of a photopolymerization initiator (benzophenone), a photosensitizer (manufactured by Ciba-Geigy,
4 parts by weight of EAB) and 16 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, an adhesive for electroless plating was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).

【0140】C.樹脂充填剤の調製 (1)ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
社製、分子量:310、YL983U)100重量部、
表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均
粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下の
SiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101
−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ
社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪
拌混合することにより、その粘度が23±1℃で45〜
49Pa・sの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤と
して、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ
−CN)6.5重量部を用いた。
C. Preparation of resin filler (1) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U),
SiO 2 spherical particles having an average particle diameter of 1.6 μm and a maximum particle diameter of 15 μm or less (CRS 1101 manufactured by Adtec Co., Ltd.) having a surface coated with a silane coupling agent.
-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) are placed in a container, and the mixture is stirred and mixed to have a viscosity of 23 to 1 ° C. and 45 to 45 ° C.
A resin filler of 49 Pa · s was prepared. As the curing agent, an imidazole curing agent (2E4MZ manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
-CN) 6.5 parts by weight.

【0141】D.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした(図4(a)参照)。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に
下層導体回路4とスルーホール9を形成した。
D. Manufacturing method of printed wiring board (1) 0.6 mm thick glass epoxy resin or BT
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin (see FIG. 4A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0142】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (16g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とす
る黒化処理、および、NaOH(19g/l)、NaB
4 (5g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理
を行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全
表面に粗化面4a、9aを形成した(図4(b)参
照)。
(2) Through hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (16 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (19 g / l), NaB
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing H 4 (5 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4 a and 9 a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 4B). ).

【0143】(3) 樹脂充填剤10を、基板の片面にロー
ルコータを用いて塗布することにより、下層導体回路4
間あるいはスルーホール9内に充填し、加熱乾燥させた
後、他方の面についても同様に樹脂充填剤10を導体回
路4間あるいはスルーホール9内に充填し、加熱乾燥さ
せた(図4(c)参照)。
(3) By applying the resin filler 10 to one surface of the substrate using a roll coater, the lower conductive circuit 4
After filling in the space or in the through hole 9 and drying by heating, the resin filler 10 is similarly filled between the conductor circuits 4 or in the through hole 9 on the other surface and dried by heating (FIG. 4 (c)). )reference).

【0144】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填剤10が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、100℃で1時間、120℃で3時間、150℃
で1時間、180℃で7時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤10を硬化した。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, at 100 ° C for 1 hour, at 120 ° C for 3 hours, at 150 ° C
For 1 hour and a heat treatment at 180 ° C. for 7 hours to cure the resin filler 10.

【0145】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図4(d)参照)。この工程により、樹脂充填剤10
の表面と下層導体回路4の表面が同一平面となる。ここ
で、充填した硬化樹脂のTg点は155.6℃、線熱膨
張係数は44.5×10-6/℃であった。
In this way, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 4D). By this step, the resin filler 10
And the surface of the lower conductor circuit 4 are flush with each other. Here, the filled resin had a Tg point of 155.6 ° C. and a linear thermal expansion coefficient of 44.5 × 10 −6 / ° C.

【0146】(5) 上記(4) の処理で露出した内層導体回
路4およびスルーホール9のランド上面に、厚さ2.5
μmのCu−Ni−P合金からなる粗化層(凹凸層)1
1を形成し、さらに、その粗化層11の表面に厚さ0.
3μmのSn層を設けた(図5(a)参照、但し、Sn
層については図示しない)。その形成方法は以下のよう
である。即ち、硫酸銅(8g/l)、硫酸ニッケル
(0.6g/l)、クエン酸(15g/l)、次亜リン
酸ナトリウム(29g/l)、ホウ酸(31g/l)、
界面活性剤(日信化学工業社製、サーフィノール46
5)(0.1g/l)を含む水溶液からなるpH=9の
無電解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬1分後に、4秒
あたりに1回の割合で縦および横方向に振動させて、下
層導体回路およびスルーホールのランドの表面に、Cu
−Ni−Pからなる針状合金の粗化層11を設けた。さ
らに、ホウフッ化スズ(0.1mol/l)、チオ尿素
(1.0mol/l)を含む温度50℃、pH=1.2
のめっき浴を用い、Cu−Sn置換反応させ、粗化層の
表面に厚さ0.3μmのSn層を設けた。
(5) On the upper surface of the land of the inner conductor circuit 4 and the through hole 9 exposed in the processing of (4), a thickness of 2.5
Roughened layer (concavo-convex layer) 1 made of μm Cu-Ni-P alloy
1 on the surface of the roughened layer 11.
A 3 μm Sn layer was provided (see FIG. 5A, except that Sn layer
The layers are not shown). The formation method is as follows. That is, copper sulfate (8 g / l), nickel sulfate (0.6 g / l), citric acid (15 g / l), sodium hypophosphite (29 g / l), boric acid (31 g / l),
Surfactant (Surfinol 46, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
5) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath at pH = 9 consisting of an aqueous solution containing (0.1 g / l), and after 1 minute of immersion, vibrated vertically and horizontally at a rate of once every 4 seconds. The surface of the land of the lower conductor circuit and the through hole is
A roughened layer 11 of a needle-like alloy made of -Ni-P was provided. Furthermore, a temperature of 50 ° C. containing tin borofluoride (0.1 mol / l) and thiourea (1.0 mol / l), pH = 1.2
Cu-Sn substitution reaction was performed using the plating bath of No. 1, and a Sn layer having a thickness of 0.3 μm was provided on the surface of the roughened layer.

【0147】(6) 基板の両面に、Bの無電解めっき用接
着剤(粘度:1.5Pa・s)をロールコータで塗布
し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分
の乾燥を行い、無電解めっき用接着剤層2aを形成し
た。さらにこの無電解めっき用接着剤層2aの上にAの
無電解めっき用接着剤(粘度:7Pa・s)をロールコ
ータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してか
ら、60℃で30分の乾燥を行い、接着剤層2bを形成
し、厚さ35μmの無電解めっき用接着剤層2を形成し
た(図5(b)参照)。
(6) An adhesive for electroless plating of B (viscosity: 1.5 Pa · s) was applied to both surfaces of the substrate by a roll coater, left in a horizontal state for 20 minutes, and then left at 60 ° C. for 30 minutes. Was dried to form an adhesive layer 2a for electroless plating. Further, the adhesive for electroless plating (A) (viscosity: 7 Pa · s) is applied on the adhesive layer for electroless plating 2 a using a roll coater, and left in a horizontal state for 20 minutes. After drying for 30 minutes, an adhesive layer 2b was formed, and an adhesive layer 2 for electroless plating having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 5B).

【0148】(7) 上記(6) で無電解めっき用接着剤層2
を形成した基板1の両面に、直径85μmの黒円が印刷
されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯
により500mJ/cm2 強度で露光した後、DMDG
溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を
超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 強度で露光
し、100℃で1時間、150℃で5時間の加熱処理を
施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れ
た直径85μmのバイアホール用開口6を有する厚さ3
5μmの層間樹脂絶縁層2を形成した(図5(c)参
照)。
(7) The adhesive layer 2 for electroless plating according to the above (6)
A photomask film on which a black circle having a diameter of 85 μm is printed is brought into close contact with both surfaces of the substrate 1 on which is formed, and is exposed at an intensity of 500 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp, and then DMDG
Spray developed with the solution. Thereafter, the substrate is further exposed to an ultrahigh pressure mercury lamp at an intensity of 3000 mJ / cm 2 , and subjected to a heat treatment at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 5 hours to obtain a diameter excellent in dimensional accuracy equivalent to a photomask film. Thickness 3 having 85 μm via hole opening 6
An interlayer resin insulating layer 2 of 5 μm was formed (see FIG. 5C).

【0149】(8) バイアホール用開口6を形成した基板
を、800g/lのクロム酸を含む70℃の溶液に19
分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の表面に存在するエポキ
シ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層
2の表面を粗面(深さ3μm)とした(図5(d)参
照)。
(8) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was placed in a 70 ° C. solution containing 800 g / l of chromic acid for 19 hours.
Then, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 was roughened (3 μm in depth) by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 5D).

【0150】(9) 次に、上記処理を終えた基板を、20
重量%の塩酸に3分間浸漬し、露出した導体回路5表面
のSn層をエッチングにより除去し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。なお、図
面には、Sn層を除去した状態は、図示していない。さ
らに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
(アトテック製)を付与することにより、層間樹脂絶縁
層2の表面およびバイアホール用開口6の内壁面に触媒
核を付着させた。
(9) Next, the substrate after the above processing is
The substrate was immersed in 3% by weight of hydrochloric acid for 3 minutes, the exposed Sn layer on the surface of the conductor circuit 5 was removed by etching, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. The state where the Sn layer is removed is not shown in the drawings. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6.

【0151】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.8μmの
無電解銅めっき膜12を形成した(図6(a)参照)。
このとき、めっき膜が薄いため無電解めっき膜表面に
は、凹凸が観察された。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 40 g/l 硫酸銅 8 g/l HCHO 10 ml/l NaOH 10 g/l α、α′−ビピリジル 80 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で15分
(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous electroless copper plating solution having the following composition to form an electroless copper plating film 12 having a thickness of 0.8 μm on the entire rough surface (FIG. 6 (a)). )reference).
At this time, since the plating film was thin, irregularities were observed on the surface of the electroless plating film. [Electroless plating aqueous solution] EDTA 40 g / l Copper sulfate 8 g / l HCHO 10 ml / l NaOH 10 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.1 g / l Electroplating conditions] 15 minutes at a liquid temperature of 70 ° C

【0152】(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜12に貼り付け、マスクを載置して、100
mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、めっきレジスト3を設けた
(図6(b)参照)。
(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating film 12, and a mask was placed thereon.
Exposure at mJ / cm 2 and development with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution provided a plating resist 3 (see FIG. 6B).

【0153】(12)ついで、基板を50℃の水で洗浄して
脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき膜
13を形成した(図6(c)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤 1 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドGL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 30 分 温度 室温
(12) Next, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The film 13 was formed (see FIG. 6C). [Electrolytic plating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive 1 ml / l (Capparaside GL, manufactured by Atotech Japan) [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0154】(13)めっきレジスト3を5%KOHで剥離
除去した後、そのめっきレジスト3下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜1
3からなる厚さ18μmの導体回路(バイアホール7を
含む)5を形成した。さらに、800g/lのクロム酸
を含む70℃の溶液に3分間浸漬して、導体回路非形成
部分に位置する導体回路間の層間樹脂絶縁層2の表面を
1μmエッチング処理し、その表面に残存するパラジウ
ム触媒を除去した(図6(d)参照)。
(13) After the plating resist 3 is peeled off and removed with 5% KOH, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Copper plating film 12 and electrolytic copper plating film 1
A conductor circuit (including the via hole 7) 5 made of 3 and having a thickness of 18 μm was formed. Further, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 between the conductor circuits located at the part where the conductor circuits are not formed is immersed in a 70 ° C. solution containing 800 g / l of chromic acid for 3 minutes, and the surface of the interlayer resin insulation layer 2 is etched by 1 μm. The resulting palladium catalyst was removed (see FIG. 6 (d)).

【0155】(14)導体回路5を形成した基板を、硫酸銅
(8g/l)、硫酸ニッケル(0.6g/l)、クエン
酸(15g/l)、次亜リン酸ナトリウム(29g/
l)、ホウ酸(31g/l)、界面活性剤(日信化学工
業社製、サーフィノール465)(0.1g/l)を含
む水溶液からなるpH=9の無電解銅めっき浴に基板を
浸漬し、浸漬1分後に、4秒あたりに1回の割合で縦お
よび横方向に振動させて、下層導体回路およびスルーホ
ールのランドの表面に、Cu−Ni−Pからなる針状合
金の粗化層11を設けた(図7(a)参照)。このと
き、形成した粗化層11をEPMA(蛍光X線分析装置)
で分析したところ、Cu:98モル%、Ni:1.5モ
ル%、P:0.5モル%の組成比であった。さらに、ホ
ウフッ化スズ(0.1mol/l)、チオ尿素(1.0
mol/l)を含む温度50℃、pH=1.2のめっき
浴を用い、Cu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚
さ0.3μmのSn層を設けた。但し、Sn層について
は、図示しない。
(14) The substrate on which the conductor circuit 5 was formed was coated with copper sulfate (8 g / l), nickel sulfate (0.6 g / l), citric acid (15 g / l), and sodium hypophosphite (29 g / l).
l), an aqueous solution containing boric acid (31 g / l) and a surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.1 g / l). After immersion, one minute after immersion, vibrating in the vertical and horizontal directions at a rate of once every 4 seconds, the surface of the land of the lower conductor circuit and the through-hole was roughened with a needle-like alloy made of Cu-Ni-P. An oxide layer 11 was provided (see FIG. 7A). At this time, the formed roughened layer 11 is converted to an EPMA (X-ray fluorescence analyzer).
As a result, the composition ratio of Cu was 98 mol%, Ni was 1.5 mol%, and P was 0.5 mol%. Further, tin borofluoride (0.1 mol / l), thiourea (1.0 mol / l)
(mol / l) using a plating bath at a temperature of 50 ° C. and a pH of 1.2, and a Cu—Sn substitution reaction was performed to provide a 0.3 μm thick Sn layer on the surface of the roughened layer. However, the Sn layer is not shown.

【0156】(15)上記 (6)〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た。但し、Sn置換は行わなかった(図7(b)〜図
8(b)参照)。
(15) By repeating the above steps (6) to (14), a conductor circuit of a further upper layer was formed, and a multilayer wiring board was obtained. However, Sn substitution was not performed (see FIGS. 7B to 8B).

【0157】(16)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)6.67重量部、同じくビス
フェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコートE−1001−B80)6.67重量
部、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E
4MZ−CN)1.6重量部、感光性モノマーである2
官能アクリルモノマー(日本化薬社製、商品名:R60
4)4.5重量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄
化学社製、商品名:DPE6A)1.5重量部、アクリ
ル酸エステル重合物からなるレベリング剤(共栄化学社
製、商品名:ポリフローNo.75)0.36重量部を
容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この
混合組成物に対して光重合開始剤としてイルガキュアI
−907(チバガイギー社製)2.0重量部、光増感剤
としてのDETX−S(日本化薬社製)0.2重量部、
DMDG0.6重量部を加えることにより、粘度を25
℃で1.4±0.3Pa・sに調整したソルダーレジス
ト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京
計器社製、DVL−B型)で60rpmの場合はロータ
ーNo.4、6rpmの場合はローターNo.3によっ
た。
(16) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer for imparting properties (molecular weight: 4000), 6.67 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and also bisphenol 6.67 parts by weight of an A-type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., trade name: Epicoat E-1001-B80), imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E)
4MZ-CN) 1.6 parts by weight, photosensitive monomer 2
Functional acrylic monomer (trade name: R60, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
4) 4.5 parts by weight, a polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: DPE6A) 1.5 parts by weight, and a leveling agent composed of an acrylate polymer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: Polyflow No.) .75) 0.36 parts by weight was placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition, and Irgacure I was used as a photopolymerization initiator for the mixed composition.
-907 (manufactured by Ciba-Geigy) 2.0 parts by weight, 0.2 parts by weight of DETX-S (manufactured by Nippon Kayaku) as a photosensitizer,
By adding 0.6 parts by weight of DMDG, the viscosity was increased to 25.
A solder resist composition adjusted to 1.4 ± 0.3 Pa · s at ℃ was obtained. The viscosity was measured with a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) when the rotor No. was 60 rpm. In the case of 4, 6 rpm, the rotor No. According to 3.

【0158】(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DM
TG溶液で現像処理し、200μmの直径の開口を形成
した。そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1
時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、開口を有し、その厚さが20μmのソルダーレジス
トパターン層14を形成した。
(17) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm,
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist layer, and an ultraviolet ray of 1000 mJ / cm 2 is applied. Exposure with DM
Development was performed with a TG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. Then, at 80 ° C. for 1 hour, and at 100 ° C. for 1 hour.
The solder resist layer was cured by performing heat treatment under the conditions of 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours to form a solder resist pattern layer 14 having an opening and a thickness of 20 μm.

【0159】(18)次に、ソルダーレジスト層14を形成
した基板を、塩化ニッケル(30g/l)、次亜リン酸
ナトリウム(10g/l)、クエン酸ナトリウム(10
g/l)を含むpH=5の無電解ニッケルめっき液に2
0分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき
層15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム(2g/l)、塩化アンモニウム(75g/l)、
クエン酸ナトリウム(50g/l)、次亜リン酸ナトリ
ウム(10g/l)を含む無電解めっき液に93℃の条
件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上に、厚
さ0.03μmの金めっき層16を形成した。
(18) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was replaced with nickel chloride (30 g / l), sodium hypophosphite (10 g / l), and sodium citrate (10 g / l).
g / l) in the electroless nickel plating solution with pH = 5.
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Further, the substrate was subjected to potassium gold cyanide (2 g / l), ammonium chloride (75 g / l),
It was immersed in an electroless plating solution containing sodium citrate (50 g / l) and sodium hypophosphite (10 g / l) at a temperature of 93 ° C. for 23 seconds to form a 0.03 μm thick nickel plating layer 15 on the nickel plating layer 15. A gold plating layer 16 was formed.

【0160】(19)この後、ソルダーレジスト層14の開
口にはんだペーストを印刷して、200℃でリフローす
ることによりはんだバンプ(はんだ体)17を形成し、
はんだバンプ17を有する多層配線プリント基板を製造
した(図8(c)参照)。
(19) Thereafter, a solder paste is printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form solder bumps (solder bodies) 17.
A multilayer wiring printed board having the solder bumps 17 was manufactured (see FIG. 8C).

【0161】(実施例2)上記(5) および(14)の工程に
おいて、(4) または(13)の工程を終えた基板を水洗、酸
性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチン
グ液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回
路の表面とスルーホールのランド表面と内壁とをエッチ
ングすることにより、下層導体回路の全表面に粗化面を
形成したほかは、実施例1と同様にして多層プリント配
線板を製造した。なお、エッチング液として、イミダゾ
ール銅 (II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、
塩化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量部を
混合したものを使用した。
(Example 2) In the above steps (5) and (14), the substrate after the step (4) or (13) was washed with water and acid-degreased, and then soft-etched. The surface of the lower conductor circuit, the land surface of the through hole and the inner wall were etched by spraying on both surfaces of the substrate to form a roughened surface on the entire surface of the lower conductor circuit. Similarly, a multilayer printed wiring board was manufactured. As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid,
A mixture of 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used.

【0162】(実施例3)基本的には実施例1と同様で
あるが、工程(9) において20重量%の塩酸の代わりに
0.5mol/lの水酸化ナトリウムおよび0.4mo
l/lの過マンガン酸カリウムからなる水溶液を使用
し、70℃の液温度で5分間浸漬した。
Example 3 Basically the same as in Example 1, except that in step (9), instead of 20% by weight of hydrochloric acid, 0.5 mol / l of sodium hydroxide and 0.4 mol
An aqueous solution consisting of 1 / l potassium permanganate was used and immersed at a liquid temperature of 70 ° C. for 5 minutes.

【0163】(実施例4)基本的には実施例1と同様で
あるが、工程(9) において20重量%の塩酸の代わりに
20重量%の硝酸(メック社製、商品名:メックリムー
バー S−1020)からなる水溶液を使用し、40℃
の液温度で5分間浸漬した。
(Example 4) Basically the same as in Example 1, except that in step (9), 20% by weight of nitric acid (trade name: Meckri Mover S) was used instead of 20% by weight of hydrochloric acid. -1020) at 40 ° C.
At a liquid temperature of 5 minutes.

【0164】(実施例5)基本的には実施例2と同様で
あるが、20重量%の塩酸の代わりに5重量%の硝酸と
4重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃度:35%)と
からなる混合液を使用し、30℃の液温度で3分間浸漬
した。
(Example 5) Basically the same as in Example 2, but instead of 20% by weight of hydrochloric acid, 5% by weight of nitric acid and 4% by weight of hydrogen peroxide (hydrogen peroxide concentration: 35%) %), And immersed at a liquid temperature of 30 ° C. for 3 minutes.

【0165】(実施例6)基本的には実施例5と同様で
あるが、被覆層を形成する工程において、ホウフッ化ス
ズ(0.5mol/l)、チオ尿素(0.375mol
/l)、還元剤として次亜リン酸ナトリウム(20g/
l)、界面活性剤としてポリエチレングリコール(10
00mg/l)を含む温度25℃のスズ置換めっき液を
用い、60秒間Cu−Sn置換反応させることにより、
粗化層の表面にSn層を設けた。
Example 6 Basically the same as Example 5, except that tin borofluoride (0.5 mol / l) and thiourea (0.375 mol) were used in the step of forming the coating layer.
/ L), sodium hypophosphite (20 g /
l), polyethylene glycol (10
(00 mg / l) using a tin substitution plating solution at a temperature of 25 ° C. and a Cu-Sn substitution reaction for 60 seconds,
An Sn layer was provided on the surface of the roughened layer.

【0166】(実施例7)基本的には実施例5と同様で
あるが、下層導体回路の表面および/またはスルーホー
ルのランド表面と内壁とをエッチングすることにより、
下層導体回路の全表面に粗化面を形成する工程におい
て、エッチング液として、硫酸と過酸化水素水とを含む
混合水溶液を使用して導体回路表面に粗化面を形成し
た。
(Embodiment 7) Basically, it is the same as Embodiment 5, except that the surface of the lower conductor circuit and / or the land surface of the through hole and the inner wall are etched.
In the step of forming a roughened surface on the entire surface of the lower conductive circuit, a roughened surface was formed on the conductive circuit surface using a mixed aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution as an etchant.

【0167】(実施例8)基本的には実施例2と同様で
あるが、20重量%の塩酸の代わりに5重量%のフッ酸
と4重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃度:35%)
とからなる混合液を使用し、30℃の液温度で3分間浸
漬した。
(Example 8) Basically the same as in Example 2 except that 5% by weight of hydrofluoric acid and 4% by weight of hydrogen peroxide (hydrogen peroxide concentration: 35%)
And immersed at a liquid temperature of 30 ° C. for 3 minutes.

【0168】(実施例9) A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量46
9、油化シェルエポキシ社製 エピコート1001)3
0重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロ
ンN−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、
大日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−705
2)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重
量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)
15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシ
メチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリ
カ2重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さ
が50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、80〜120℃で10分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
(Example 9) Preparation of Resin Film for Interlayer Resin Insulation Layer Bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 46
9. Yuka Shell Epoxy Epicoat 1001) 3
0 parts by weight, 40 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, Epichron N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), a triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent: 120,
FENOLITE KA-705 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.
2) 30 parts by weight were dissolved by heating in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto.
15 parts by weight, 1.5 parts by weight of a crushed product of 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added, and an epoxy resin composition is added. Was prepared. The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer was produced.

【0169】B.樹脂充填剤の調製 実施例1と同様にして樹脂充填剤を調製した。B. Preparation of resin filler A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.

【0170】C.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした(図9(a)参照)。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に
下層導体回路4とスルーホール9を形成した。
C. Manufacturing method of printed wiring board (1) 0.6 mm thick glass epoxy resin or BT
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin (see FIG. 9A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0171】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (16g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とす
る黒化処理、および、NaOH(19g/l)、NaB
4 (5g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理
を行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全
表面に粗化面4a、9aを形成した(図9(b)参
照)。
(2) Through hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (16 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (19 g / l), NaB
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing H 4 (5 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4 a and 9 a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 9B). ).

【0172】(3) 上記Bに記載した樹脂充填剤を調製し
た後、下記の方法により調製後24時間以内に、スルー
ホール9内、および、基板1の片面の導体回路非形成部
と導体回路4の外縁部とに樹脂充填剤10の層を形成し
た。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹
脂充填剤を押し込んだ後、100℃、20分の条件で乾
燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開
口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部
となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤10の層を
形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた(図9
(c)参照)。
(3) After preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 9).
(C)).

【0173】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填剤10が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、100℃で1時間、120℃で3時間、150℃
で1時間、180℃で7時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤10を硬化した。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, at 100 ° C for 1 hour, at 120 ° C for 3 hours, at 150 ° C
For 1 hour and a heat treatment at 180 ° C. for 7 hours to cure the resin filler 10.

【0174】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図9(d)参照)。この工程により、樹脂充填剤10
の表面と下層導体回路4の表面とが同一平面となる。
As described above, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surfaces of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 9D). By this step, the resin filler 10
And the surface of the lower conductor circuit 4 are flush with each other.

【0175】(5) 次に、下層導体回路4の形成された基
板1の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、エッチング液として、イミダゾール銅(II)錯体1
0重量部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量
部およびイオン交換水78重量部を混合したものを使用
し、導体回路をエッチングすることにより粗化面を形成
した(図10(a)参照)。
(5) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductor circuit 4 was formed were softly etched by alkali degreasing, and then an imidazole copper (II) complex 1 was used as an etching solution.
Using a mixture of 0 parts by weight, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water, a roughened surface was formed by etching a conductor circuit (see FIG. 10A). ).

【0176】(6) その後、ホウフッ化スズ(1.0mo
l/l)とチオ尿素(1.0mol/l)とを含む温度
50℃、pH=1.2のスズ置換めっき液を用い、60
秒間Cu−Sn置換反応させ、粗化面の表面に厚さ0.
3μmのSn層を設けた。なお、このSn層について
は、図示しない。
(6) Then, tin borofluoride (1.0 mol
1 / l) and thiourea (1.0 mol / l), using a tin displacement plating solution at a temperature of 50 ° C and a pH of 1.2,
Cu-Sn substitution reaction for 2 seconds, and a thickness of 0.
A 3 μm Sn layer was provided. The Sn layer is not shown.

【0177】(7) 次に、基板の両面に、上記Aで作製し
た層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、以下の方法により
真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層
間樹脂絶縁層を形成した(図10(b)参照)。即ち、
層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、真空
度0.5Torr、圧力4kgf/cm2 、温度80
℃、圧着時間60秒の条件で貼り付け、その後、170
℃で30分間熱硬化させた。
(7) Next, on both surfaces of the substrate, the resin film for an interlayer resin insulating layer prepared in the above A was attached by using a vacuum laminator apparatus by the following method to form an interlayer resin insulating layer ( FIG. 10 (b)). That is,
A resin film for an interlayer resin insulation layer is placed on a substrate, the degree of vacuum is 0.5 Torr, the pressure is 4 kgf / cm 2 , and the temperature is 80.
At 60 ° C for 60 seconds.
Heat cured at 300C for 30 minutes.

【0178】(8) 次に、層間樹脂絶縁層2上に、厚さ
1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビーム径4.0
mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マス
クの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹
脂絶縁層2に、直径80μmのバイアホール用開口6を
形成した(図10(c)参照)。
(8) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used to form a beam having a beam diameter of 4.0 through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
10 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μs, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and a one-shot condition, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulating layer 2 (FIG. c)).

【0179】(9) バイアホール用開口6を形成した基板
を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に1
0分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール
用開口6の内壁を含む層間樹脂絶縁層2の表面を粗面と
した(図10(d)参照)。
(9) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was placed in a 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganate.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 was roughened by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 for 0 minutes (FIG. 10 ( d)).

【0180】(10)次に、上記処理を終えた基板を、5重
量%の硝酸と4重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃
度:35%)とからなる液温度30℃の混合液に3分間
浸漬し、露出した導体回路5表面のSn層をエッチング
により除去し、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸
漬してから水洗いした。なお、図面には、Sn層を除去
した状態は、図示していない。さらに、粗面化処理した
該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック社製)を
付与することにより、層間樹脂絶縁層2の表面およびバ
イアホール用開口6の内壁面に触媒核を付着させた。
(10) Next, the substrate after the above-mentioned treatment is mixed with a 5% by weight nitric acid and a 4% by weight aqueous hydrogen peroxide solution (hydrogen peroxide concentration: 35%) at a liquid temperature of 30 ° C. For 3 minutes, the exposed Sn layer on the surface of the conductor circuit 5 was removed by etching, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley), and then washed with water. The state where the Sn layer is removed is not shown in the drawings. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6.

【0181】(11)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜3.
0μmの無電解銅めっき層12を形成した(図11
(a)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 35℃の液温度で40分
(11) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and has a thickness of 0.6 to 3.
A 0 μm electroless copper plating layer 12 was formed.
(A)). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C

【0182】(12)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき層12に貼り付け、マスクを載置して、100
mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、めっきレジスト3を設けた
(図11(b)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating layer 12, a mask was placed thereon, and
Exposure at mJ / cm 2 and development treatment with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution provided plating resist 3 (see FIG. 11B).

【0183】(13)ついで、基板を50℃の水で洗浄して
脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層
13を形成した(図11(c)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(13) Next, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The layer 13 was formed (see FIG. 11C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0184】(14)さらに、めっきレジスト3を5%Na
OH水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト3下
の無電解めっき膜12を硫酸と過酸化水素の混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と
電解めっき膜13からなる厚さ18μmの独立の上層導
体回路5(バイアホール7を含む)とした。さらに、8
00g/lのクロム酸を含む70℃の溶液に3分間浸漬
して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間
樹脂絶縁層2の表面を1μmエッチング処理し、その表
面に残存するパラジウム触媒を除去した(図11(d)
参照)。
(14) Further, the plating resist 3 is made of 5% Na
After stripping off with an OH aqueous solution, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and is composed of an electroless copper plating film 12 and an electrolytic plating film 13. Independent upper-layer conductor circuits 5 (including via holes 7) having a thickness of 18 μm were formed. In addition, 8
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 between the conductor circuits located in the part where the conductor circuits are not formed is etched by 1 μm by immersing in a 70 ° C. solution containing 00 g / l chromic acid for 3 minutes, and the palladium remaining on the surface is etched. The catalyst was removed (FIG. 11 (d)
reference).

【0185】(15)上記(5) 〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た(図12(a)〜図13(b)参照)。
(15) By repeating the above steps (5) to (14), a conductor circuit of a further upper layer was formed, and a multilayer wiring board was obtained (see FIGS. 12A to 13B). .

【0186】(16)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)15.0重量部、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノ
マー(日本化薬社製、商品名:R604)3.0重量
部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品
名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノ
プコ社製、S−65)0.71重量部を容器にとり、攪
拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対
して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社
製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学社製)0.2重量部を加え、粘度を25℃で
1.4±0.3Pa・sに調整したソルダーレジスト組
成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器
社製、DVL−B型)で60rpmの場合はローターN
o.4、6rpmの場合はローターNo.3によった。
(16) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer for imparting properties (molecular weight: 4000), 15.0 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and imidazole cured Agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN)
1.6 parts by weight, 3.0 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and similarly polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) 1 0.5 part by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco Co., S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition, and photopolymerization of the mixed composition is started. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added, and the viscosity was 1.4 ± 0.3 Pa · s at 25 ° C. A solder resist composition adjusted to the above was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor N.
o. In the case of 4, 6 rpm, the rotor No. According to 3.

【0187】(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ5mm
のフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて10
00mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG溶液で現
像処理し、直径200μmの開口を形成した。そして、
さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃
で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理
を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、
その厚さが20μmのソルダーレジスト層14を形成し
た。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販
のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
(17) Next, the solder resist composition was applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm,
After drying at 20 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, the solder pad pattern is drawn to a thickness of 5 mm.
The photomask of 10
It was exposed to ultraviolet light of 00 mJ / cm 2 and developed with a DMTG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. And
Further, at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, and at 120 ° C.
For 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist layer by heating, and have an opening,
A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed. In addition, a commercially available solder resist composition can also be used as the solder resist composition.

【0188】(18)次に、過硫酸ナトリウムを主成分とす
るエッチング液を、そのエッチング能が毎分2μm程度
になるように調製し、このエッチング液中にソルダーレ
ジスト層14が形成された基板を1分間浸漬し、導体回
路表面に平均粗度(Ra)が1μm以下の粗化面を形成
した。さらに、この基板を、塩化ニッケル(2.3×1
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×1
-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10
-1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめ
っき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッ
ケルめっき層15を形成した。さらに、その基板をシア
ン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化ア
ンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナ
トリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナ
トリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解金
めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケ
ルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層1
6を形成し、半田パッドとした。
(18) Next, sodium persulfate is used as a main component.
Etching solution with an etching ability of about 2 μm per minute
In the etching solution.
The substrate on which the dying layer 14 is formed is immersed for one minute,
Roughened surface with average roughness (Ra) of 1 μm or less is formed on the road surface
did. Further, this substrate was coated with nickel chloride (2.3 × 1).
0-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 1
0-1mol / l), sodium citrate (1.6 × 10
-1mol / l) electroless nickel with pH = 4.5
Immerse in a plating solution for 20 minutes, and place a 5 μm
A Kel plating layer 15 was formed. In addition, shear the substrate
Potassium gold (7.6 × 10-3mol / l), chloride
Nmonium (1.9 × 10-1mol / l), sodium citrate
Thorium (1.2 × 10-1mol / l), sodium hypophosphite
Thorium (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
Gold plating layer 1 having a thickness of 0.03 μm
6 was formed as a solder pad.

【0189】(19)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層プリント配線板を製造した(図13(c)参
照)。
(19) Thereafter, a solder paste was printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby manufacturing a multilayer printed wiring board having the solder bumps 17. FIG. 13 (c)).

【0190】(実施例10)基本的には実施例9と同様
であるが、工程(10)において、硝酸と過酸化水素とから
なる混合液に浸漬する代わりに、5重量%のフッ酸と4
重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃度:35%)とか
らなる液温度30℃の混合液に3分間浸漬した。
Example 10 Basically the same as Example 9, except that in step (10), instead of being immersed in a mixture of nitric acid and hydrogen peroxide, 5% by weight of hydrofluoric acid was added. 4
It was immersed for 3 minutes in a mixed solution of 30% by weight of hydrogen peroxide solution (hydrogen peroxide concentration: 35%).

【0191】(実施例11)基本的には実施例9と同様
であるが、工程(5)において、イミダゾール銅(II)錯
体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5
重量部およびイオン交換水78重量部を混合したエッチ
ング液の代わりに、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液
を使用して導体回路をエッチングした。
Example 11 Basically the same as Example 9, except that in Step (5), 10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid and 5 parts by weight of potassium chloride
The conductor circuit was etched using a mixed solution containing sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution instead of an etching solution in which a mixture of 78 parts by weight of ion-exchanged water and 78 parts by weight of ion-exchanged water was mixed.

【0192】(実施例12) (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板1の
両面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積
層板を出発材料とした(図14(a)参照)。まず、こ
の銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを
形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してス
ルーホール9を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層
銅パターン(下層導体回路)4を形成した。
Example 12 (1) Glass epoxy resin or BT having a thickness of 0.8 mm
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide-triazine) resin (see FIG. 14A). First, this copper-clad laminate is drilled, and then a plating resist is formed. Then, the substrate is subjected to an electroless copper plating treatment to form through holes 9, and the copper foil is patterned in a conventional manner. Then, an inner copper pattern (lower conductive circuit) 4 was formed on both surfaces of the substrate.

【0193】(2) 下層導体回路4を形成した基板を水洗
いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけて、下層導体回路4の表面とスルーホール
9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、
下層導体回路4の全表面に粗化面4a、9aを形成した
(図14(b)参照)。エッチング液として、イミダゾ
ール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、
塩化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量部を
混合したものを使用した。
(2) The substrate on which the lower conductive circuit 4 is formed is washed with water and dried, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductive circuit 4, the land surface of the through hole 9, and the inner wall are formed. And by etching
Roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 (see FIG. 14B). As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid,
A mixture of 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used.

【0194】(3) シクロオレフィン系樹脂を主成分とす
る樹脂充填剤10を、下記の方法によりスルーホール9
内、および、基板1の片面の導体回路非形成部と導体回
路4の外縁部とに樹脂充填剤10の層を形成した。即
ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填
剤を押し込んだ後、加熱乾燥させた。次に、導体回路非
形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置
し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成
部に樹脂充填剤10の層を形成し、加熱乾燥させた(図
14(c)参照)。
(3) The resin filler 10 containing a cycloolefin resin as a main component is mixed with the through hole 9 by the following method.
A layer of the resin filler 10 was formed inside and on the one-side surface of the substrate 1 where no conductive circuit was formed and on the outer edge of the conductive circuit 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through holes using a squeegee, and then dried by heating. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. It was dried (see FIG. 14 (c)).

【0195】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベルトサ
ンダー研磨により、下層導体回路4の表面やスルーホー
ル9のランド表面に樹脂充填剤10が残らないように研
磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り
除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を
基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填
した樹脂充填剤10を加熱硬化させた(図14(d)参
照)。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using a belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form a surface of the lower conductive circuit 4 and a land surface of the through hole 9. Was polished so that the resin filler 10 did not remain, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 10 was cured by heating (see FIG. 14D).

【0196】このようにして、スルーホール9等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および下層導体回路4上
面の粗化層4aを除去して基板両面を平坦化し、樹脂充
填剤10と下層導体回路4の側面とが粗化面4aを介し
て強固に密着し、またスルーホール9の内壁面と樹脂充
填剤10とが粗化面9aを介して強固に密着した配線基
板を得た。
In this manner, the surface layer portion of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 4a on the upper surface of the lower conductor circuit 4 are removed to flatten both surfaces of the substrate, and the resin filler 10 and the lower layer are removed. A wiring board was obtained in which the side surfaces of the conductive circuit 4 were firmly adhered through the roughened surface 4a, and the inner wall surface of the through hole 9 was tightly adhered to the resin filler 10 through the roughened surface 9a.

【0197】(5) 次に、下層導体回路4の形成された基
板1の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液
をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路
4の表面とスルーホール9のランド表面とをエッチング
することにより、下層導体回路4の全表面に粗化面4
a、9aを形成した(図15(a)参照)。
(5) Next, both sides of the substrate 1 on which the lower conductor circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then the same etching solution as the etching solution used in the above (2) is sprayed thereon. By etching the surface of the lower conductive circuit 4 once flattened and the land surface of the through hole 9, the roughened surface 4 is formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4.
a and 9a were formed (see FIG. 15A).

【0198】(6) その後、ホウフッ化スズ(1.0mo
l/l)とチオ尿素(1.0mol/l)とを含む温度
50℃、pH=1.2のスズ置換めっき液を用い、60
秒間Cu−Sn置換反応させ、粗化面の表面に厚さ0.
3μmのSn層を設けた。なお、このSn層について
は、図示しない。
(6) Then, tin borofluoride (1.0 mol
1 / l) and thiourea (1.0 mol / l), using a tin displacement plating solution at a temperature of 50 ° C and a pH of 1.2,
Cu-Sn substitution reaction for 2 seconds, and a thickness of 0.
A 3 μm Sn layer was provided. The Sn layer is not shown.

【0199】(7) 次に、上記工程を経た基板の両面に、
厚さ50μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/c
2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層2を設けた(図15(b)参
照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgであった。
(7) Next, on both surfaces of the substrate having undergone the above steps,
A pressure of 5 kg / c while heating a thermosetting type cycloolefin resin sheet having a thickness of 50 μm to a temperature of 50 to 150 ° C.
Vacuum compression lamination was performed at m 2 to provide an interlayer resin insulating layer 2 made of a cycloolefin-based resin (see FIG. 15B). The degree of vacuum during vacuum compression was 10 mmHg.

【0200】(8) 次に、波長10.4μmのCO2 ガス
レーザにて、ビーム径5mm、トップハットモード、パ
ルス幅50μ秒、マスクの穴径0.5mm、3ショット
の条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁
層2に直径80μmのバイアホール用開口6を設けた
(図15(c)参照)。この後、酸素プラズマを用いて
デスミア処理を行った。
(8) Next, using a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm, a cycloolefin resin was obtained under the conditions of a beam diameter of 5 mm, a top hat mode, a pulse width of 50 μsec, a mask hole diameter of 0.5 mm, and three shots. A via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was provided in the interlayer resin insulation layer 2 made of (see FIG. 15C). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.

【0201】(9) 次に、日本真空技術株式会社製のSV
−4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁
層2の表面を粗化した(図15(d)参照)。この際、
不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力200
W、ガス圧0.6Pa、温度70℃の条件で、2分間プ
ラズマ処理を実施した。
(9) Next, SV manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 was roughened by performing a plasma treatment using −4540 (see FIG. 15D). On this occasion,
Argon gas is used as the inert gas, and power 200
Plasma treatment was performed for 2 minutes under the conditions of W, gas pressure 0.6 Pa, and temperature 70 ° C.

【0202】(10)次に、上記処理を終えた基板を、5重
量%の硝酸と4重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃
度:35%)とからなる液温度30℃の混合液に3分間
浸漬し、露出した導体回路5表面のSn層をエッチング
により除去し、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸
漬してから水洗いした。なお、図面には、Sn層を除去
した状態は、図示していない。さらに、上記工程(9)
で用いた装置と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを
交換した後、Ni−Cu合金をターゲットにしたスパッ
タリングを、気圧0.6Pa、温度80℃、電力200
W、時間5分間の条件で行い、Ni−Cu合金層12を
ポリオレフィン系層間樹脂絶縁層2の表面に形成した。
このとき、形成されたNi−Cu合金層12の厚さは
0.2μmであった(図16(a)参照)。
(10) Next, the substrate having been subjected to the above treatment is mixed with a solution of 5% by weight of nitric acid and 4% by weight of hydrogen peroxide (hydrogen peroxide concentration: 35%) at a temperature of 30 ° C. For 3 minutes, the exposed Sn layer on the surface of the conductor circuit 5 was removed by etching, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley), and then washed with water. The state where the Sn layer is removed is not shown in the drawings. Further, the above step (9)
After replacing the argon gas inside using the same apparatus as used in the above, sputtering using a Ni—Cu alloy as a target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., and a power of 200.
The process was performed under the condition of W for 5 minutes to form a Ni—Cu alloy layer 12 on the surface of the polyolefin-based interlayer resin insulating layer 2.
At this time, the thickness of the formed Ni—Cu alloy layer 12 was 0.2 μm (see FIG. 16A).

【0203】(11)上記処理を終えた基板の両面に、市販
の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、100mJ/cm2 で露光した後、
0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、めっきレジスト
3のパターンを形成した(図16(b)参照)。
(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on both surfaces of the substrate after the above treatment, a photomask film was placed, and after exposure at 100 mJ / cm 2 ,
It was developed with 0.8% sodium carbonate to form a pattern of the plating resist 3 (see FIG. 16B).

【0204】(12)次に、以下の条件で電解銅めっきを施
して、電解銅めっき膜13を形成した(図16(c)参
照)。なお、この電解銅めっき膜13により、後述する
工程で導体回路5となる部分の厚付けおよびバイアホー
ル7となる部分のめっき充填等が行われたことになる。
なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャ
パン社製のカパラシドHLである。
(12) Next, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 (see FIG. 16C). This means that the electrolytic copper plating film 13 has been used to thicken the portion that will become the conductor circuit 5 and fill the portion that will become the via hole 7 with plating in the later-described steps.
The additive in the electroplating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.

【0205】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃[Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 ° C

【0206】(13)ついで、めっきレジスト3を5%Na
OHで剥離除去した後、そのめっきレジスト3の下に存
在していたNi−Cu合金層12を硝酸および硫酸と過
酸化水素との混合液を用いるエッチング処理にて溶解除
去し、電気銅めっき膜13等からなる厚さ18μmの導
体回路5(バイアホール7を含む)を形成した(図16
(d)参照)。
(13) Then, the plating resist 3 is made of 5% Na
After stripping and removing with OH, the Ni-Cu alloy layer 12 existing under the plating resist 3 is dissolved and removed by an etching process using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide to form an electrolytic copper plating film. The conductor circuit 5 (including the via hole 7) having a thickness of 18 μm and made of 13 or the like was formed (FIG. 16)
(D)).

【0207】(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を、繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。
(図16(a)〜図16(b)参照)。
(14) Subsequently, the above steps (5) to (13) were repeated to form a further upper layer conductive circuit.
(See FIGS. 16A and 16B).

【0208】(15)次に、実施例9と同様にして粘度を2
5℃で1.4±0.3Pa・sに調整したソルダーレジ
スト組成物を得、さらに、実施例9と同様にして、開口
を有し、その厚さが20μmのソルダーレジスト層14
を形成した。
(15) Next, the viscosity was adjusted to 2 in the same manner as in Example 9.
A solder resist composition adjusted to 1.4 ± 0.3 Pa · s at 5 ° C. was obtained, and a solder resist layer 14 having an opening and a thickness of 20 μm was formed in the same manner as in Example 9.
Was formed.

【0209】(16)次に、ソルダーレジスト層14を形成
した基板を、塩化ニッケル(2.3×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mol/
l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に2
0分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき
層15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム(7.6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム
(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム
(1.7×10-1mol/l)を含む無電解めっき液に
80℃の条件で7.5秒間浸漬して、ニッケルめっき層
15上に、厚さ0.03μmの金めっき層16を形成
し、半田パッドとした。
(16) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / mol).
l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 −1 mol /
l), sodium citrate (1.6 × 10 −1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 seconds to form a layer having a thickness of 0 A 0.03 μm gold plating layer 16 was formed to form a solder pad.

【0210】(17)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層プリント配線板を製造した(図16(c)参
照)。
(17) Thereafter, a solder paste is printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby manufacturing a multilayer printed wiring board having the solder bumps 17 ( FIG. 16 (c)).

【0211】(実施例13)基本的には実施例12と同
様であるが、工程(10)において、硝酸と過酸化水素とか
らなる混合液に浸漬する代わりに、5重量%のフッ酸と
4重量%の過酸化水素水(過酸化水素濃度:35%)と
からなる液温度30℃の混合液に3分間浸漬した。
(Example 13) Basically the same as Example 12, except that in Step (10), instead of immersion in a mixture of nitric acid and hydrogen peroxide, 5% by weight hydrofluoric acid was added. It was immersed for 3 minutes in a mixed solution of 4% by weight of hydrogen peroxide solution (hydrogen peroxide concentration: 35%) at a liquid temperature of 30 ° C.

【0212】(実施例14)基本的には実施例12と同
様であるが、工程(5)において、イミダゾール銅(II)
錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム
5重量部およびイオン交換水78重量部を混合したエッ
チング液の代わりに、硫酸と過酸化水素水とを含む混合
液を使用して導体回路をエッチングした。
(Example 14) Basically the same as Example 12, except that in step (5), imidazole copper (II)
Instead of an etching solution in which 10 parts by weight of a complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water are mixed, a conductor circuit is formed by using a mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. Etched.

【0213】(比較例1)上記(9) の工程において、S
n層をエッチングにより除去しなかったほかは、実施例
1と同様にして多層プリント配線板を製造した。
(Comparative Example 1) In the above step (9),
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the n-layer was not removed by etching.

【0214】このようにして製造した実施例1〜14お
よび比較例1の多層プリント配線板について、−55℃
で30分保持した後、125℃で30分保持するヒート
サイクルを1000回繰り返すヒートサイクル試験を実
施し、バイアホール部分の接続および被覆層の有無をク
ロスカットして顕微鏡観察することにより調べた。その
結果、実施例1〜14に係る多層プリント配線板では、
同様の条件で製造されたもの全てについて、バイアホー
ルは下の導体回路の粗面にしっかりと接続され、剥離等
は全く観察されなかったが、比較例1に係る多層プリン
ト配線板では、一部のものにバイアホールと下の導体回
路との接続部分に剥離が観察された。また、実施例1〜
14の多層プリント配線板では、バイアホール用開口内
のSn層の全部が除去されていた。
The multilayer printed wiring boards of Examples 1 to 14 and Comparative Example 1 manufactured as described above were subjected to -55 ° C.
, And a heat cycle test in which a heat cycle of holding at 125 ° C. for 30 minutes was repeated 1,000 times was performed, and the connection of via holes and the presence or absence of a coating layer were examined by cross-cutting and microscopic observation. As a result, in the multilayer printed wiring boards according to Examples 1 to 14,
In all of the devices manufactured under the same conditions, the via holes were firmly connected to the rough surface of the lower conductive circuit, and no peeling or the like was observed at all. However, in the multilayer printed wiring board according to Comparative Example 1, some of the via holes were partially connected. Peeling was observed at the connection between the via hole and the lower conductor circuit. Further, Examples 1 to
In the fourteenth multilayer printed wiring board, the entire Sn layer in the via hole opening was removed.

【0215】さらに、実施例1〜14および比較例1の
プリント配線板について導通検査を行い、抵抗変化率を
測定したところ、実施例1〜14の多層プリント配線板
は、比較例1の多層プリント配線板よりも抵抗変化率が
低く、電気特性に優れていた。
Furthermore, the continuity test was performed on the printed wiring boards of Examples 1 to 14 and Comparative Example 1 to measure the rate of change in resistance. The multilayer printed wiring boards of Examples 1 to 14 were the same as those of Comparative Example 1. The rate of change in resistance was lower than that of the wiring board, and the electrical characteristics were excellent.

【0216】なお、本明細書の実施例においては、被覆
層を形成する金属としてスズを用いた場合について記載
しているが、他の金属(Pd)を被覆層を形成する金属
として用いた場合にも、スズを用いた場合と同様の効果
が見られた。また、被覆層を形成する金属として、Ag
を用いた場合には、バイアホールを形成する部分の被覆
層の全部が除去されておらず、バイアホールを形成する
部分の被覆層の一部だけが除去されているものもみられ
たが、これらのものの接続信頼性、電気的接続性は、被
覆層を全く除去しなかったものに比べて優れていた。
In the examples of the present specification, the case where tin is used as the metal forming the coating layer is described. However, the case where another metal (Pd) is used as the metal forming the coating layer is described. Also, the same effect as in the case of using tin was observed. Further, Ag is used as a metal for forming the coating layer.
In the case of using, a part of the coating layer where the via hole was formed was not removed entirely, and only a part of the coating layer where the via hole was formed was removed. The connection reliability and the electrical connection of these were superior to those without the coating layer removed at all.

【0217】[0219]

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板の製造方法によれば、過酷な条件下でもバイアホー
ルの接続信頼性が確保された多層プリント配線板を製造
することができる。
As described above, according to the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board in which connection reliability of via holes is ensured even under severe conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は、本発明の製造方法を用いて製造され
る多層プリント配線板の一部を示す断面図であり、
(b)は、本発明の製造方法を用いて製造される多層プ
リント配線板のバイアホール用開口内の形状を示す概念
図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a part of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention;
(B) is a conceptual diagram showing a shape in a via hole opening of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention.

【図2】(a)は、本発明の製造方法を用いて製造され
る多層プリント配線板の一部を示す断面図であり、
(b)は、本発明の製造方法を用いて製造される多層プ
リント配線板のバイアホール用開口内の形状を示す概念
図である。
FIG. 2A is a cross-sectional view showing a part of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention;
(B) is a conceptual diagram showing a shape in a via hole opening of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention.

【図3】(a)は、本発明の製造方法を用いて製造され
る多層プリント配線板の一部を示す断面図であり、
(b)は、本発明の製造方法を用いて製造される多層プ
リント配線板のバイアホール用開口内の形状を示す概念
図である。
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a part of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention;
(B) is a conceptual diagram showing a shape in a via hole opening of a multilayer printed wiring board manufactured by using the manufacturing method of the present invention.

【図4】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図5】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図6】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図7】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図8】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図9】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図10】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図11】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 11A to 11D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図12】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 12A to 12C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図13】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 13A to 13C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図14】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 14A to 14D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図15】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 15A to 15D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図16】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
16 (a) to (d) are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図17】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
17 (a) to (c) are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図18】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。
FIGS. 18A to 18C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層) 4 下層導体回路 4a 粗化面 5 上層導体回路 7 バイアホール 8 銅箔 9 スルーホール 9a 粗化面 10 樹脂充填材 14 ソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層) 15 ニッケルめっき膜 16 金めっき膜 17 ハンダバンプ Reference Signs List 1 substrate 2 interlayer resin insulating layer (adhesive layer for electroless plating) 4 lower conductive circuit 4a roughened surface 5 upper conductive circuit 7 via hole 8 copper foil 9 through hole 9a roughened surface 10 resin filler 14 solder resist layer ( Organic resin insulating layer) 15 Nickel plating film 16 Gold plating film 17 Solder bump

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中井 通 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社内 (72)発明者 奥田 泰啓 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社内 (72)発明者 杉浦 功 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社内 Fターム(参考) 5E343 AA02 AA15 AA17 BB24 BB34 BB35 BB71 CC03 CC06 CC08 CC33 CC34 CC35 CC36 CC38 CC43 CC44 CC48 CC52 CC62 CC67 CC73 CC74 CC78 DD23 DD25 DD34 DD35 DD36 DD44 DD46 DD47 DD48 DD76 EE02 EE22 EE52 EE53 ER02 ER12 GG13 5E346 AA06 AA12 AA15 AA26 AA32 AA35 AA43 AA51 AA54 BB01 BB16 CC02 CC04 CC08 CC09 CC32 CC41 CC54 CC57 CC58 DD03 DD23 DD25 DD32 DD33 DD44 DD47 EE33 EE35 EE38 FF02 FF03 FF07 FF13 FF15 GG15 GG16 GG17 GG18 GG19 GG22 GG23 GG25 GG27 HH05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Toru Nakai 1-1, Ibikawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture Inside Ibiden Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Okuda 1-1, Ibigawa-cho, Kitakata, Ibi-gun, Gifu Prefecture Ibiden Co., Ltd. (72) Inventor Isao Sugiura 1-1 North of Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture F-term (reference) 5E343 AA02 AA15 AA17 BB24 BB34 BB35 BB71 CC03 CC06 CC08 CC33 CC34 CC35 CC36 CC38 CC43 CC44 CC48 CC52 CC62 CC67 CC73 CC74 CC78 DD23 DD25 DD34 DD35 DD36 DD44 DD46 DD47 DD48 DD76 EE02 EE22 EE52 EE53 ER02 ER12 GG13 5E346 AA06 AA12 AA15 AA26 AA32 AA35 AA43 AA51 AA54 BB01 BB16 CC02 CC04 CC08 DD33 DD33 DD33 EE38 FF02 FF03 FF07 FF13 FF15 GG15 GG16 GG17 GG18 GG19 GG22 GG23 GG25 GG27 HH05

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体回路を形成した後粗化処理を施して
導体回路上に粗化面または粗化層を形成し、形成された
前記粗化面または粗化層上に金属からなる被覆層を形成
し、さらに、前記被覆層を有する導体回路を層間樹脂絶
縁層により被覆した後バイアホール用開口を形成する工
程を繰り返すことにより絶縁性基板上に層間樹脂絶縁層
を挟んだ複数層からなる導体回路を形成する多層プリン
ト配線板の製造方法において、前記層間樹脂絶縁層にバ
イアホール用開口を形成した後、前記バイアホール用開
口から露出した前記粗化面または粗化層上の被覆層の少
なくとも一部を除去することを特徴とする多層プリント
配線板の製造方法。
A roughened surface is formed on a conductive circuit by performing a roughening process after a conductive circuit is formed, and a coating layer made of metal is formed on the roughened surface or the roughened layer. And further comprising a step of forming a via hole opening after covering the conductor circuit having the coating layer with an interlayer resin insulating layer, thereby forming a plurality of layers with the interlayer resin insulating layer interposed on the insulating substrate. In the method of manufacturing a multilayer printed wiring board for forming a conductor circuit, after forming an opening for a via hole in the interlayer resin insulating layer, forming a coating layer on the roughened surface or the roughened layer exposed from the opening for the via hole. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, wherein at least a part of the multilayer printed wiring board is removed.
【請求項2】 前記粗化面または粗化層上に形成する被
覆層は、イオン化傾向が銅より大きくチタン以下である
金属または貴金属からなる請求項1に記載の多層プリン
ト配線板の製造方法。
2. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the coating layer formed on the roughened surface or the roughened layer is made of a metal or a noble metal having an ionization tendency greater than copper and equal to or less than titanium.
【請求項3】 1〜40重量%の酸、または、酸化剤を
含むアルカリ性溶液を用いたエッチング処理により、前
記バイアホール用開口から露出した前記粗化面または粗
化層の被覆層を除去する請求項1または2に記載の多層
プリント配線板の製造方法。
3. The roughened surface or the coating layer of the roughened layer exposed from the via hole opening is removed by etching using an alkaline solution containing 1 to 40% by weight of an acid or an oxidizing agent. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1.
【請求項4】 1〜40重量%の酸と過酸化物とからな
る混合液を用いたエッチング処理により、前記バイアホ
ール用開口から露出した前記粗化面または粗化層の被覆
層を除去する請求項1または2に記載の多層プリント配
線板の製造方法。
4. A roughening surface or a roughening layer coating layer exposed from the via hole opening is removed by etching using a mixed solution of 1 to 40% by weight of an acid and a peroxide. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1.
【請求項5】 前記酸は、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、
リン酸および蟻酸からなる群より選択される少なくとも
一種である請求項3または4に記載の多層プリント配線
板の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the acid is hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid,
The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 3 or 4, wherein the method is at least one selected from the group consisting of phosphoric acid and formic acid.
【請求項6】 その表面に粗化面を有し、前記粗化面上
に金属の被覆層を有する導体回路が形成された基板上に
層間樹脂絶縁層が形成され、前記層間樹脂絶縁層にバイ
アホール用開口が形成され、さらに、前記バイアホール
用開口に導体層が形成されてバイアホールを構成してな
る多層プリント配線板において、前記バイアホール用開
口内の導体回路部分は、前記金属の被覆層の少なくとも
一部が除去され、前記粗化面が前記導体層と直接接続さ
れていることを特徴とする多層プリント配線板。
6. An interlayer resin insulating layer is formed on a substrate having a roughened surface on which a conductor circuit having a metal coating layer is formed on the roughened surface. A via hole opening is formed, and further, in a multilayer printed wiring board having a via hole formed by forming a conductor layer in the via hole opening, a conductor circuit portion in the via hole opening is formed of the metal. A multilayer printed wiring board, wherein at least a part of a coating layer is removed, and the roughened surface is directly connected to the conductor layer.
【請求項7】 前記金属の被覆層は、イオン化傾向が銅
より大きくチタン以下である金属または貴金属からなる
請求項6に記載の多層プリント配線板。
7. The multilayer printed wiring board according to claim 6, wherein the metal coating layer is made of a metal or a noble metal having an ionization tendency higher than copper and equal to or lower than titanium.
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