JP2001135901A - プリント回路基板 - Google Patents
プリント回路基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上の搭載部品を増加させず、すなわち基板
を拡大することなくノイズ除去作用が得られるプリント
回路基板を提供する。 【解決手段】基板１Ａ上の配線２に、電流の流れる方向
に垂直の磁化容易軸を持つパーマロイ等の金属製強磁性
材料層１３を固着してインダクタンス値を高くする。ま
た、基板１Ａを、磁性粉を混合した樹脂により構成し、
高周波領域におけるノイズ除去作用を得る。
を拡大することなくノイズ除去作用が得られるプリント
回路基板を提供する。 【解決手段】基板１Ａ上の配線２に、電流の流れる方向
に垂直の磁化容易軸を持つパーマロイ等の金属製強磁性
材料層１３を固着してインダクタンス値を高くする。ま
た、基板１Ａを、磁性粉を混合した樹脂により構成し、
高周波領域におけるノイズ除去作用を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
に係り、より詳しくはノイズ除去のための構成に関す
る。
に係り、より詳しくはノイズ除去のための構成に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のデジタル化および高周波化に
伴い、該電子機器から輻射されるノイズおよび該ノイズ
による該電子機器の誤動作等が問題になっている。従
来、ケーブル等において信号に混在しているノイズを除
去するため、例えば特開昭５６−１０７４８０号公報に
示されるように、基板上にノイズ除去のためのインピー
ダンス素子やローパスフィルタを搭載している。
伴い、該電子機器から輻射されるノイズおよび該ノイズ
による該電子機器の誤動作等が問題になっている。従
来、ケーブル等において信号に混在しているノイズを除
去するため、例えば特開昭５６−１０７４８０号公報に
示されるように、基板上にノイズ除去のためのインピー
ダンス素子やローパスフィルタを搭載している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のノイズ対策部品を基板に搭載すると、そのノイズ対策
部品の搭載分だけ基板を拡大する必要があり、小型軽量
化の障害となり、コストアップにもつながるという問題
点がある。
のノイズ対策部品を基板に搭載すると、そのノイズ対策
部品の搭載分だけ基板を拡大する必要があり、小型軽量
化の障害となり、コストアップにもつながるという問題
点がある。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑み、基板上の搭
載部品を増加させず、すなわち基板を拡大することなく
ノイズ除去作用が得られるプリント回路基板を提供する
ことを目的とする。
載部品を増加させず、すなわち基板を拡大することなく
ノイズ除去作用が得られるプリント回路基板を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１のプリント回路
基板は、基板上の配線に、電流の流れる方向に垂直の磁
化容易軸を持つ金属製強磁性材料層を固着したことを特
徴とする。
基板は、基板上の配線に、電流の流れる方向に垂直の磁
化容易軸を持つ金属製強磁性材料層を固着したことを特
徴とする。
【０００６】請求項１においては、配線上に固着した金
属製強磁性材料層は、磁化容易軸が電流の流れる方向に
対して垂直方向となっているので、ノイズ電流が流れた
際に、大きなインダクタンスを得ることができ、比較的
周波数の低い領域においてノイズを除去することができ
る。
属製強磁性材料層は、磁化容易軸が電流の流れる方向に
対して垂直方向となっているので、ノイズ電流が流れた
際に、大きなインダクタンスを得ることができ、比較的
周波数の低い領域においてノイズを除去することができ
る。
【０００７】請求項２のプリント回路基板は、請求項１
において、前記金属製強磁性材料層を複数層備え、該各
強磁性材料層間に銅層を介在させたことを特徴とする。
において、前記金属製強磁性材料層を複数層備え、該各
強磁性材料層間に銅層を介在させたことを特徴とする。
【０００８】請求項２において、強磁性材料としてパー
マロイ等を設ければ、厚みを大きくすると剥離を生じや
すくなるが、磁性材料層間に銅層を介在させることによ
り、トータルの磁性材料の厚みが大きくかつ剥離の生じ
ない磁性材料を得ることができる。
マロイ等を設ければ、厚みを大きくすると剥離を生じや
すくなるが、磁性材料層間に銅層を介在させることによ
り、トータルの磁性材料の厚みが大きくかつ剥離の生じ
ない磁性材料を得ることができる。
【０００９】請求項３のプリント回路基板は、請求項１
または２において、基板を磁性粉を混合した樹脂からな
るものにより構成したことを特徴とする。
または２において、基板を磁性粉を混合した樹脂からな
るものにより構成したことを特徴とする。
【００１０】このように、基板を樹脂に磁性粉を混合し
たものによって構成することにより、高周波領域での損
失を増加させ、不要な高周波ノイズを除去することがで
きる。前記金属製強磁性材料においては、２０ＭＨｚ以
上になると比透磁率が下がってしまうが、磁性粉を樹脂
に混合した基板では高周波領域における損失を増加させ
ることができる。
たものによって構成することにより、高周波領域での損
失を増加させ、不要な高周波ノイズを除去することがで
きる。前記金属製強磁性材料においては、２０ＭＨｚ以
上になると比透磁率が下がってしまうが、磁性粉を樹脂
に混合した基板では高周波領域における損失を増加させ
ることができる。
【００１１】請求項４のプリント回路基板は、請求項３
において、前記基板が比透磁率１００以上のＮｉ−Ｚｎ
フェライトからなる磁性粉を樹脂に５０ｗｔ％〜９０ｗ
ｔ％混合してなることを特徴とする。
において、前記基板が比透磁率１００以上のＮｉ−Ｚｎ
フェライトからなる磁性粉を樹脂に５０ｗｔ％〜９０ｗ
ｔ％混合してなることを特徴とする。
【００１２】このように、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの粉
末を混合した樹脂の成形体によって基板を構成すれば、
高周波領域での損失を増大させ、不要な高周波ノイズを
除去することができる。フェライトの混合比が５０ｗｔ
％未満では著しく磁気特性が低下するため、所望の特性
は得られない。また、混合比が９０ｗｔ％を超えると、
樹脂の流動性が著しく悪くなるため、インジェクション
成形等の成形の際の寸法精度が悪くなり、取扱いが困難
となる。また、比透磁率が１００未満のＮｉ−Ｚｎフェ
ライトでは磁気特性が低下するため、所望の特性が得ら
れない。なお、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトでは電気抵抗が
低いため、樹脂中に混合した場合、絶縁性の問題があっ
て高周波領域における特性が得られず、高周波ノイズ除
去の用途には適しない。
末を混合した樹脂の成形体によって基板を構成すれば、
高周波領域での損失を増大させ、不要な高周波ノイズを
除去することができる。フェライトの混合比が５０ｗｔ
％未満では著しく磁気特性が低下するため、所望の特性
は得られない。また、混合比が９０ｗｔ％を超えると、
樹脂の流動性が著しく悪くなるため、インジェクション
成形等の成形の際の寸法精度が悪くなり、取扱いが困難
となる。また、比透磁率が１００未満のＮｉ−Ｚｎフェ
ライトでは磁気特性が低下するため、所望の特性が得ら
れない。なお、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトでは電気抵抗が
低いため、樹脂中に混合した場合、絶縁性の問題があっ
て高周波領域における特性が得られず、高周波ノイズ除
去の用途には適しない。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるノイズ対策を
施すプリント回路基板のパターンの一例である。該基板
１は樹脂基板（ＦＲ−４）上に銅電極（以下配線と称
す）２のパターニングを施し、かつ電子部品が搭載でき
るようにランド３が設けられたものである。本発明にお
いては、配線２上の必要部分、すなわちノイズを除去す
る必要のある部分にノイズ除去のための処理を施す。
施すプリント回路基板のパターンの一例である。該基板
１は樹脂基板（ＦＲ−４）上に銅電極（以下配線と称
す）２のパターニングを施し、かつ電子部品が搭載でき
るようにランド３が設けられたものである。本発明にお
いては、配線２上の必要部分、すなわちノイズを除去す
る必要のある部分にノイズ除去のための処理を施す。
【００１４】図２は図１において点線で囲まれた領域４
を拡大して本発明による処理を説明するものである。図
２（Ａ）はこの領域４におけるパターンを示しており、
例えば基板１の厚みは０．８ｍｍ、配線２の厚みは１８
μｍ、幅Ｗ１は１ｍｍ、ノイズ除去処理を施す長さＬ１
は４ｍｍ、ランド３の縦幅Ｌ２は１ｍｍ、横幅Ｗ２は２
ｍｍ、間隔Ｇは１ｍｍに設定されたものである。
を拡大して本発明による処理を説明するものである。図
２（Ａ）はこの領域４におけるパターンを示しており、
例えば基板１の厚みは０．８ｍｍ、配線２の厚みは１８
μｍ、幅Ｗ１は１ｍｍ、ノイズ除去処理を施す長さＬ１
は４ｍｍ、ランド３の縦幅Ｌ２は１ｍｍ、横幅Ｗ２は２
ｍｍ、間隔Ｇは１ｍｍに設定されたものである。
【００１５】このパターンにおいて、強磁性材料である
パーマロイ（鉄１５〜２５％、ニッケル７５〜８５％）
のメッキを配線２上に施すことにより、磁歪がほぼ０の
磁性膜を実現することができる。パーマロイメッキを施
すに当たり、まず、電子部品を半田付けするランド３上
へのメッキ防止と、他のメッキ不要な領域へのメッキ防
止を図るため、図２（Ｂ）、図３（Ａ）に示すように、
領域４におけるランド３上と、領域４以外の他の領域に
レジスト５によるマスキングを施した。
パーマロイ（鉄１５〜２５％、ニッケル７５〜８５％）
のメッキを配線２上に施すことにより、磁歪がほぼ０の
磁性膜を実現することができる。パーマロイメッキを施
すに当たり、まず、電子部品を半田付けするランド３上
へのメッキ防止と、他のメッキ不要な領域へのメッキ防
止を図るため、図２（Ｂ）、図３（Ａ）に示すように、
領域４におけるランド３上と、領域４以外の他の領域に
レジスト５によるマスキングを施した。
【００１６】次に図３（Ａ）に示すように、プラスチッ
ク容器６のなかに３００ｇ／ｌの濃度の硝酸ニッケル液
を入れ、その液中に８ｇ／ｌの濃度となるように硫酸鉄
を溶け込ませてメッキ液７とし、メッキ液７の温度を４
０℃、ｐＨを希硫酸により約２．５に調整した。そして
そのメッキ液７中にニッケル板からなる陽極板９と基板
１とを、基板１のメッキ面が陽極板９に対面するように
セットした。また、容器６の外側にマグネット等の磁場
発生装置１２を置き、直流電源１０により配線２に電流
を流したときに、配線２の方向と、磁場発生装置１２に
よる磁束の方向とが平行になるようにセットした。
ク容器６のなかに３００ｇ／ｌの濃度の硝酸ニッケル液
を入れ、その液中に８ｇ／ｌの濃度となるように硫酸鉄
を溶け込ませてメッキ液７とし、メッキ液７の温度を４
０℃、ｐＨを希硫酸により約２．５に調整した。そして
そのメッキ液７中にニッケル板からなる陽極板９と基板
１とを、基板１のメッキ面が陽極板９に対面するように
セットした。また、容器６の外側にマグネット等の磁場
発生装置１２を置き、直流電源１０により配線２に電流
を流したときに、配線２の方向と、磁場発生装置１２に
よる磁束の方向とが平行になるようにセットした。
【００１７】そして、直流電源１０の陽極、陰極をそれ
ぞれワイヤ１１により陽極板９、基板１に接続し、電流
値を約３０〜４０ｍＡに調整し、約３０分メッキした。
これにより付着したパーマロイの組成はニッケル８０
％、鉄２０％であり、厚みは約１０μｍであった。そし
て、先の工程で付着させたレジスト５を除去するため、
５％水酸化ナトリウム水溶液中に基板１を浸漬して剥離
した。これにより、図２（Ｃ）に示すように、前記領域
５上の配線２上にパーマロイでなる強磁性材料層１３が
固着されたものを得た。
ぞれワイヤ１１により陽極板９、基板１に接続し、電流
値を約３０〜４０ｍＡに調整し、約３０分メッキした。
これにより付着したパーマロイの組成はニッケル８０
％、鉄２０％であり、厚みは約１０μｍであった。そし
て、先の工程で付着させたレジスト５を除去するため、
５％水酸化ナトリウム水溶液中に基板１を浸漬して剥離
した。これにより、図２（Ｃ）に示すように、前記領域
５上の配線２上にパーマロイでなる強磁性材料層１３が
固着されたものを得た。
【００１８】このようにして強磁性材料層１３を配線２
上に固着させた基板１のインダクタンス特性を図４
（Ａ）に示す。強磁性材料層１３を施していない図２
（Ａ）の配線２、ランド３の図示部分の両端１４、１５
間に１ＭＨｚにおけるインダクタンス値は約１．８ｎＨ
であり、一方、図２（Ｃ）に示すように、パーマロイで
なる強磁性材料層１３を固着した配線２、ランド３にお
ける前記両端１４、１５間のインダクタンス値は約６．
８ｎＨとなり、約３．５倍の値が得られた。
上に固着させた基板１のインダクタンス特性を図４
（Ａ）に示す。強磁性材料層１３を施していない図２
（Ａ）の配線２、ランド３の図示部分の両端１４、１５
間に１ＭＨｚにおけるインダクタンス値は約１．８ｎＨ
であり、一方、図２（Ｃ）に示すように、パーマロイで
なる強磁性材料層１３を固着した配線２、ランド３にお
ける前記両端１４、１５間のインダクタンス値は約６．
８ｎＨとなり、約３．５倍の値が得られた。
【００１９】また、図３（Ｂ）に示すように、パーマロ
イでなる複数の強磁性材料層１３を、その間に銅層１７
を介在させてメッキすることにより、さらにインダクタ
ンス値を上げることができる。図３（Ｂ）の構造を実現
するため、図２（Ｂ）に示したように、レジスト５を付
けた状態でパーマロイでなる強磁性材料層１３をメッキ
した後、レジスト５を残したままで基板１を硫酸銅液中
に入れ、電流値３Ａで約３分電解メッキを施すことによ
り、前記強磁性材料層１３上に約２μｍの銅層１７を形
成した。その後、前記同様に銅層１７上に２番目の強磁
性材料層１３を前記の電解メッキにより１０μｍの厚み
に形成した。その後、レジスト５を前記５％水酸化ナト
リウム水溶液により剥離した。
イでなる複数の強磁性材料層１３を、その間に銅層１７
を介在させてメッキすることにより、さらにインダクタ
ンス値を上げることができる。図３（Ｂ）の構造を実現
するため、図２（Ｂ）に示したように、レジスト５を付
けた状態でパーマロイでなる強磁性材料層１３をメッキ
した後、レジスト５を残したままで基板１を硫酸銅液中
に入れ、電流値３Ａで約３分電解メッキを施すことによ
り、前記強磁性材料層１３上に約２μｍの銅層１７を形
成した。その後、前記同様に銅層１７上に２番目の強磁
性材料層１３を前記の電解メッキにより１０μｍの厚み
に形成した。その後、レジスト５を前記５％水酸化ナト
リウム水溶液により剥離した。
【００２０】このように２層に強磁性材料層１３を形成
したものにおいて、前記両端１４、１５間のインダクタ
ンス値の周波数特性は図４（Ｂ）に示すようになり、１
ＭＨｚにおけるインダクタンス値は約８．３ｎＨとあが
り、強磁性材料層１３を設けない場合の約４．５倍の値
が得られ、強磁性材料層１３が単層の場合より高い値が
得られた。このように、複数の強磁性材料層１３間に銅
層１７を介在させることにより、脆いパーマロイでもト
ータルの厚みを増やした複数層の強磁性材料層１３を実
現することができ、インダクタンス値を高めることがで
きる。
したものにおいて、前記両端１４、１５間のインダクタ
ンス値の周波数特性は図４（Ｂ）に示すようになり、１
ＭＨｚにおけるインダクタンス値は約８．３ｎＨとあが
り、強磁性材料層１３を設けない場合の約４．５倍の値
が得られ、強磁性材料層１３が単層の場合より高い値が
得られた。このように、複数の強磁性材料層１３間に銅
層１７を介在させることにより、脆いパーマロイでもト
ータルの厚みを増やした複数層の強磁性材料層１３を実
現することができ、インダクタンス値を高めることがで
きる。
【００２１】図５（Ａ）、（Ｂ）は本発明の他の実施の
形態をそれぞれ示す斜視図、側面図である。本実施の形
態は、基板１Ａとして、エポキシ樹脂に比透磁率が７０
０で平均粒径が約５０μｍのＮｉ−Ｚｎフェライトの破
砕粉を約７０ｗｔ％混合した樹脂基板を用いたものであ
る。この基板１Ａの比透磁率は約４．５であった。基板
１Ａ上に配線２上には前記強磁性材料層１３が１層また
は前述のように銅層１７を挟んで形成する。
形態をそれぞれ示す斜視図、側面図である。本実施の形
態は、基板１Ａとして、エポキシ樹脂に比透磁率が７０
０で平均粒径が約５０μｍのＮｉ−Ｚｎフェライトの破
砕粉を約７０ｗｔ％混合した樹脂基板を用いたものであ
る。この基板１Ａの比透磁率は約４．５であった。基板
１Ａ上に配線２上には前記強磁性材料層１３が１層また
は前述のように銅層１７を挟んで形成する。
【００２２】図６は、前記ＦＲ−４基板１を用い、強磁
性材料層１３を設けない場合の前記配線２、ランド３の
両端１４、１５間のインピーダンスの周波数特性と、基
板１Ａとして前記７０ｗｔ％のＮｉ−Ｚｎ粉を混合した
エポキシ樹脂板を用い、強磁性材料層１３を設けない場
合の前記両端１４、１５間のインピーダンスの周波数特
性を比較して示す図である。図示のように、１ＧＨｚに
おける従来の基板１のインピーダンス値は約１０Ωであ
り、一方本発明による磁性粉混合の基板においては約２
５Ωとなり、約２．５倍のインピーダンス値を得ること
ができた。したがって、高周波領域におけるノイズ除去
作用が得られる。また、強磁性材料層１３と共に磁性粉
混合基板１Ａを用いることにより、広い周波数領域でノ
イズ除去が可能な基板が得られる。しかも基板１Ａは基
板そのものであって、サイズを大きくする必要がなく、
また、強磁性材料層層１３は配線２上に設けられるの
で、基板１のスペースを取ることが無く、省スペース化
に益する。
性材料層１３を設けない場合の前記配線２、ランド３の
両端１４、１５間のインピーダンスの周波数特性と、基
板１Ａとして前記７０ｗｔ％のＮｉ−Ｚｎ粉を混合した
エポキシ樹脂板を用い、強磁性材料層１３を設けない場
合の前記両端１４、１５間のインピーダンスの周波数特
性を比較して示す図である。図示のように、１ＧＨｚに
おける従来の基板１のインピーダンス値は約１０Ωであ
り、一方本発明による磁性粉混合の基板においては約２
５Ωとなり、約２．５倍のインピーダンス値を得ること
ができた。したがって、高周波領域におけるノイズ除去
作用が得られる。また、強磁性材料層１３と共に磁性粉
混合基板１Ａを用いることにより、広い周波数領域でノ
イズ除去が可能な基板が得られる。しかも基板１Ａは基
板そのものであって、サイズを大きくする必要がなく、
また、強磁性材料層層１３は配線２上に設けられるの
で、基板１のスペースを取ることが無く、省スペース化
に益する。
【００２３】次に前記樹脂と磁性粉とからなる基板１Ａ
として好適な磁性粉の材料と混合率について検討した結
果について説明する。図７（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ
Ｎｉ−Ｚｎフェライトでなる磁性粉の比透磁率μの違い
による比透磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”を、比透
磁率μが１０、１００、１０００の磁性粉を用いた場合
について示すものである。なお、この場合、磁性粉の混
合率は７０ｗｔ％である。図７から、高周波領域におけ
るインピーダンスに対する影響の大きい虚数部分μ”に
高い値を得るには、比透磁率１００以上であることが好
ましいことが分かる。
として好適な磁性粉の材料と混合率について検討した結
果について説明する。図７（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ
Ｎｉ−Ｚｎフェライトでなる磁性粉の比透磁率μの違い
による比透磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”を、比透
磁率μが１０、１００、１０００の磁性粉を用いた場合
について示すものである。なお、この場合、磁性粉の混
合率は７０ｗｔ％である。図７から、高周波領域におけ
るインピーダンスに対する影響の大きい虚数部分μ”に
高い値を得るには、比透磁率１００以上であることが好
ましいことが分かる。
【００２４】図８（Ａ）、（Ｂ）は、Ｎｉ−Ｚｎでなる
比透磁率μが７００の磁性粉の樹脂に対する混合率を５
０、６５、８０ｗｔ％と変化させた場合の比透磁率μの
実数部分μ’、虚数部分μ”の変化を示すものである。
図８から分かるように磁性粉の混合率の低下に伴い比透
磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”は共に低下する。磁
性粉の混合率が５０ｗｔ％の場合、比透磁率の実数部分
μ’の値は真空のμ’＝１の２倍にも満たなくなり、所
望の特性を得るには磁性粉の混合率は５０ｗｔ％以上で
あることが好ましい。一方、磁性粉の混合率が９０ｗｔ
％を越えると、成形の際の寸法精度が悪くなるため、取
扱いが困難となる。従って磁性粉の混合率は５０〜９０
ｗｔ％とすることが好ましい。
比透磁率μが７００の磁性粉の樹脂に対する混合率を５
０、６５、８０ｗｔ％と変化させた場合の比透磁率μの
実数部分μ’、虚数部分μ”の変化を示すものである。
図８から分かるように磁性粉の混合率の低下に伴い比透
磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”は共に低下する。磁
性粉の混合率が５０ｗｔ％の場合、比透磁率の実数部分
μ’の値は真空のμ’＝１の２倍にも満たなくなり、所
望の特性を得るには磁性粉の混合率は５０ｗｔ％以上で
あることが好ましい。一方、磁性粉の混合率が９０ｗｔ
％を越えると、成形の際の寸法精度が悪くなるため、取
扱いが困難となる。従って磁性粉の混合率は５０〜９０
ｗｔ％とすることが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】請求項１によれば、基板上の配線に、電
流の流れる方向に垂直の磁化容易軸を持つ金属製強磁性
材料層を固着したので、比較的低周波領域のノイス除去
が可能となり、所定の用途において、基板上にノイズ対
策部品を搭載する必要がなくなり、基板上の搭載部品を
増加させず、すなわち基板を拡大することなく実現で
き、小型軽量化に寄与する。また、配線上に固着した金
属製強磁性材料層は、磁化容易軸が電流の流れる方向に
対して垂直方向となっているので、ノイズ電流が流れた
際に、大きなインダクタンスを得ることができる。
流の流れる方向に垂直の磁化容易軸を持つ金属製強磁性
材料層を固着したので、比較的低周波領域のノイス除去
が可能となり、所定の用途において、基板上にノイズ対
策部品を搭載する必要がなくなり、基板上の搭載部品を
増加させず、すなわち基板を拡大することなく実現で
き、小型軽量化に寄与する。また、配線上に固着した金
属製強磁性材料層は、磁化容易軸が電流の流れる方向に
対して垂直方向となっているので、ノイズ電流が流れた
際に、大きなインダクタンスを得ることができる。
【００２６】請求項２によれば、請求項１において、複
数の強磁性材料層を、その磁性材料層間に銅層を介在さ
せて設けたので、トータルの磁性材料の厚みが大きくか
つ剥離の生じない磁性材料を得ることができ、より大き
なインピーダンス値を得ることができる。
数の強磁性材料層を、その磁性材料層間に銅層を介在さ
せて設けたので、トータルの磁性材料の厚みが大きくか
つ剥離の生じない磁性材料を得ることができ、より大き
なインピーダンス値を得ることができる。
【００２７】請求項３によれば、請求項１または２にお
いて、基板を磁性粉を混合した樹脂からなるものにより
構成したので、高周波領域での損失を増加させ、不要な
高周波ノイズを除去することができ、より広い周波数領
域におけるノイズ除去が可能となり、基板も拡大する必
要がない。
いて、基板を磁性粉を混合した樹脂からなるものにより
構成したので、高周波領域での損失を増加させ、不要な
高周波ノイズを除去することができ、より広い周波数領
域におけるノイズ除去が可能となり、基板も拡大する必
要がない。
【００２８】請求項４によれば、請求項３において、前
記基板が比透磁率１００以上のＮｉ−Ｚｎフェライトか
らなり、該磁性粉を樹脂に５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％混合
してなるので、高周波領域での損失を増大させ、不要な
高周波ノイズを除去することができる。
記基板が比透磁率１００以上のＮｉ−Ｚｎフェライトか
らなり、該磁性粉を樹脂に５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％混合
してなるので、高周波領域での損失を増大させ、不要な
高周波ノイズを除去することができる。
【図１】本発明によるノイズ除去手段を施すプリント回
路基板の配線パターンを示す平面図である。
路基板の配線パターンを示す平面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明において基板
上に配設する金属製強磁性材料層をメッキにより形成す
る場合の工程を示す図である。
上に配設する金属製強磁性材料層をメッキにより形成す
る場合の工程を示す図である。
【図３】（Ａ）は本発明において、金属製強磁性材料層
を配線上に形成する装置構成の一例を示す図、（Ｂ）は
本発明の他の実施の形態を示す基板の側面図である。
を配線上に形成する装置構成の一例を示す図、（Ｂ）は
本発明の他の実施の形態を示す基板の側面図である。
【図４】（Ａ）は本発明において、金属製強磁性材料層
形成によるインダクタンス値の周波数特性図、（Ｂ）は
さらに複数の金属製強磁性材料層を形成した場合のイン
ダクタンス値の周波数特性図である。
形成によるインダクタンス値の周波数特性図、（Ｂ）は
さらに複数の金属製強磁性材料層を形成した場合のイン
ダクタンス値の周波数特性図である。
【図５】（Ａ）は樹脂と磁性粉でなる本発明による基板
の他の実施の形態を示す斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図である。
の他の実施の形態を示す斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図である。
【図６】本発明において、樹脂と磁性粉でなる基板を作
製した場合のインピーダンス値の周波数特性図である。
製した場合のインピーダンス値の周波数特性図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は本発明において、それぞれＮ
ｉ−Ｚｎフェライトでなる磁性粉の比透磁率μの違いに
よる透磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”の周波数特性
を比透磁率μが１０、１００、１０００である場合につ
いて示す。
ｉ−Ｚｎフェライトでなる磁性粉の比透磁率μの違いに
よる透磁率の実数部分μ’と虚数部分μ”の周波数特性
を比透磁率μが１０、１００、１０００である場合につ
いて示す。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は本発明において、Ｎｉ−Ｚｎ
でなる比透磁率７００の磁性粉の樹脂に対する混合率を
５０、６５、８０ｗｔ％と変化させて基板を構成した場
合の比透磁率μの実数部分μ’、虚数部分μ”の周波数
特性を示すものである。
でなる比透磁率７００の磁性粉の樹脂に対する混合率を
５０、６５、８０ｗｔ％と変化させて基板を構成した場
合の比透磁率μの実数部分μ’、虚数部分μ”の周波数
特性を示すものである。
１、１Ａ：プリント回路基板、２：配線、３：ランド、
５：レジスト、６：プラスチック容器、７：メッキ液、
９：陽極板、１０：直流電源、１２：磁界発生装置、１
３：強磁性材料層、１７：銅層
５：レジスト、６：プラスチック容器、７：メッキ液、
９：陽極板、１０：直流電源、１２：磁界発生装置、１
３：強磁性材料層、１７：銅層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅村 哲也 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA03 BB01 BB11 BB14 BB33 BB35 BB38 BB42 CC06 DD04 DD19 DD21 DD50 DD52 GG07 GG09 5E041 AA07 AB01 BB05 CA10 HB00 NN04 NN14 5E338 AA01 AA16 CC01 CD03 EE13 EE22
Claims (4)
- 【請求項１】基板上の配線に、電流の流れる方向に垂直
の磁化容易軸を持つ金属製強磁性材料層を固着したこと
を特徴とするプリント回路基板。 - 【請求項２】請求項１において、 前記金属製強磁性材料層を複数層備え、該各強磁性材料
層間に銅層を介在させたことを特徴とするプリント回路
基板。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記基板を、
磁性粉を混合した樹脂により構成したことを特徴とする
プリント回路基板。 - 【請求項４】請求項３において、 前記基板が比透磁率１００以上のＮｉ−Ｚｎフェライト
からなる該磁性粉を樹脂に５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％混合
してなることを特徴とするプリント回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31462199A JP2001135901A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | プリント回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31462199A JP2001135901A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | プリント回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135901A true JP2001135901A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18055520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31462199A Withdrawn JP2001135901A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | プリント回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001135901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035657A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 電力変換装置のパワーモジュール |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31462199A patent/JP2001135901A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035657A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 電力変換装置のパワーモジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |