JP2001118891A - ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャックトップ導体層中の不純物やセラミッ
ク基板中の不純物がシリコンウエハ中に拡散するのを防
止することができるウエハプローバを提供すること。 【解決手段】 セラミック基板に導体層が形成され、前
記導体層表面には貴金属層が設けられてなることを特徴
とするウエハプローバ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

〔発明の詳細な説明〕

【０００２】

【従来の技術】半導体は種々の産業において必要とされ
る極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、
シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウ
エハを作製した後、このシリコンウエハに種々の回路等
を形成することにより製造される。この半導体チップの
製造工程においては、シリコンウエハの段階でその電気
的特性が設計通りに動作するか否かを測定してチェック
するプロービング工程が必要であり、そのために所謂プ
ローバが用いられる。

【０００３】このようなプローバとして、例えば、特許
第２５８７２８９号公報、特公平３−４０９４７号公
報、特開平１１−３１７２４号公報等には、アルミニウ
ム合金やステンレス鋼などの金属製チャックトップを有
するウエハプローバが開示されている（図１３参照）。
このようなウエハプローバでは、例えば、図１２に示す
ように、ウエハプローバ５０１上にシリコンウエハＷを
載置し、このシリコンウエハＷにテスタピンを持つプロ
ーブカード６０１を押しつけ、加熱、冷却しながら電圧
を印加して導通テストを行う。なお、図１２において、
Ｖ₃ は、プローブカード６０１に印加する電源３３、Ｖ
₂ は、抵抗発熱体４１に印加する電源３２、Ｖ₁ は、チ
ャックトップ導体層２とガード電極５に印加する電源３
１であり、この電源３１は、グランド電極６にも接続さ
れ、接地されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
金属製のチャックトップを有するウエハプローバには、
次のような問題があった。まず、金属製であるため、チ
ャックトップの厚みは１５ｍｍ程度と厚くしなければな
らない。このようにチャックトップを厚くするのは、薄
い金属板では、プローブカードのテスタピンによりチャ
ックトップが押され、チャックトップの金属板に反りや
歪みが発生してしまい、金属板上に載置されるシリコン
ウエハが破損したり傾いたりしてしてしまうからであ
る。このため、チャックトップを厚くする必要がある
が、その結果、チャックトップの重量が大きくなり、ま
たかさばってしまう。

【０００５】また、熱伝導率が高い金属を使用している
にもかかわらず、昇温、降温特性が悪く、電圧や電流量
の変化に対してチャックトップ板の温度が迅速に追従し
ないため温度制御をしにくく、高温でシリコンウエハを
載置すると温度制御不能になってしまう。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、金属製のチャック
トップに代えて、剛性の高いセラミックに導体層を設け
てこれをチャックトップ導体層とすることを想起するに
至ったが、セラミック基板上に形成する導体層は、めっ
き膜またはスパッタ膜であり、ホウ素やリン等の不純物
が多いという難点があった。

【０００７】さらに、セラミック基板中には、焼結助剤
などの金属不純物（イットリウム、ナトリウム等）が存
在しており、これがチャックトップ導体層を介してウエ
ハを汚染するという未解決課題があり、さらなる改良の
余地があった。

【０００８】そこで、本発明者らはさらに検討を重ねた
結果、チャックトップ導体層を貴金属で被覆することに
より、セラミック基板やチャックトップ導体層中の不純
物によりシリコンウエハが汚染されるのを防止すること
ができることを見いだし、本発明を完成するに至った。

【０００９】即ち本発明は、セラミック基板に導体層
（以下、チャックトップ導体層という）が形成され、上
記チャックトップ導体層表面には貴金属層が設けられて
なることを特徴とするウエハプローバおよびウエハプロ
ーバに使用されるセラミック基板である。チャックトッ
プ導体層は、貴金属以外の金属と貴金属とからなってい
てもよく、すべて貴金属で形成されていてもよい。但
し、すべて貴金属で構成されている場合は、貴金属の厚
さは、１０μｍ未満であることが望ましい。１０μｍ以
上であると、貴金属が柔らかいため、クラックが発生す
るからである。また、後述するように、貴金属以外の金
属と貴金属とからなっている場合には、貴金属の厚さ
は、０．１〜５μｍが好ましい。

【００１０】本発明のセラミック基板は、ウエハプロー
バに使用され、具体的には、半導体ウエハのプロービン
グ用ステージ（いわゆるチャックトップ）として機能す
る。なお、半導体と同種のセラミック基板の上に金属薄
膜を形成したステージは、実開昭６２−１８０９４４号
公報に開示があるが、ここには、貴金属層を形成するこ
とが記載されておらず、示唆もない。

【００１１】上記ウエハプローバ（以下、ウエハプロー
バに使用されるセラミック基板も含む）において、上記
該セラミック基板には温度制御手段が設けられているこ
とが望ましい。また、上記ウエハプローバにおいて、上
記セラミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミ
ックおよび酸化物セラミックに属するセラミックから選
ばれる少なくとも１種であることが望ましい。また、上
記温度制御手段は、ペルチェ素子であるか、または、発
熱体であることが望ましい。

【００１２】また、上記ウエハプローバにおいて、上記
セラミック基板中には、少なくとも１層の導体層が形成
されいることが望ましく、上記セラミック基板の表面に
は溝が形成されていることが望ましい。また、上記セラ
ミック基板の表面には溝が形成され、その溝には、空気
の吸引孔が形成されていることが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明のウエハプローバは、セラ
ミック基板にチャックトップ導体層が形成され、上記チ
ャックトップ導体層表面には貴金属層が設けられてなる
ことを特徴とする。

【００１４】本発明のウエハプローバでは、チャックト
ップ導体層表面に貴金属層が設けられているので、チャ
ックトップ導体層中の不純物やセラミック基板中の不純
物がシリコンウエハ中に拡散するのを上記貴金属層が阻
止する。その結果、シリコンウエハが不純物により汚染
されるのを防止することができる。また、貴金属層が形
成されることにより、チャックトップ導体層が酸化した
り、腐食したりすることがない。さらに、貴金属は柔ら
かいため、テスタピンの押圧に対して追従し、シリコン
ウエハが破損したりしない。

【００１５】本発明のウエハプローバは、剛性の高いセ
ラミックからなる基板を使用しているため、プローブカ
ードのテスタピンによりチャックトップが押されてもチ
ャックトップが反ることはなく、チャックトップの厚さ
を金属に比べて小さくすることができる。

【００１６】また、チャックトップの厚さを金属に比べ
て小さくすることができるため、熱伝導率が金属より低
いセラミックであっても結果的に熱容量が小さくなり、
昇温、降温特性を改善することができる。

【００１７】図１（ａ）は、本発明のウエハプローバの
一実施形態を模式的に示した断面図であり、（ｂ）は、
その部分拡大断面図である。また、図２は、図１に示し
たウエハプローバの平面図であり、図３は、その底面図
であり、図４は、図１に示したウエハプローバにおける
Ａ−Ａ線断面図である。

【００１８】このウエハプローバでは、平面視円形状の
セラミック基板３の表面に、同心円形状の溝７が形成さ
れるとともに、溝７の一部にシリコンウエハを吸引する
ための複数の吸引孔８が設けられており、溝７を含むセ
ラミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と接続
するためのチャックトップ導体層２が円形状に形成さ
れ、その上に図１（ｂ）に示すように、貴金属層２ａが
形成されている。なお、本発明の図面においては、図１
（ｂ）以外では貴金属層２ａを省略している。

【００１９】一方、セラミック基板３の底面には、シリ
コンウエハの温度をコントロールするために、図３に示
したような平面視同心円形状の発熱体４１が設けられて
おり、発熱体４１の両端には、外部端子ピン１９１が接
続、固定され、セラミック基板３の内部には、ストレイ
キャパシタやノイズを除去するためにガード電極５とグ
ランド電極６とが設けられている。

【００２０】本発明のウエハプローバは、例えば、図１
〜４に示したような構成を有するものである。以下にお
いて、上記ウエハプローバを構成する各部材、および、
本発明のウエハプローバの他の実施形態について、順次
詳細に説明していくことにする。

【００２１】本発明のウエハプローバでは、セラミック
基板上に設けられたチャックトップ導体層の表面に貴金
属層が設けられている。この貴金属層は、シリコンウエ
ハ裏面とチャックトップ導体層との導通を阻害すること
なく、チャックトップ導体層中のホウ素やリン、セラミ
ック基板中のイットリア、ナトリウムなどのシリコンウ
エハへの拡散を阻止する。

【００２２】上記貴金属層の厚さは、０．０１〜５μｍ
が望ましい。上記貴金属層の厚さが０．０１μｍ未満で
あると、チャックトップ導体層中のホウ素等のシリコン
ウエハへの拡散を阻止するのが困難となり、上記貴金属
層の厚さが５μｍを超えても、不純物拡散を防止する効
果は殆ど変わらず、経済的でない。また、貴金属は柔ら
かいため、厚すぎるとテスターピンの押圧で、シリコン
ウエハにクラックが発生してしまうからである。

【００２３】上記貴金属としては、金、銀、白金、パラ
ジウムから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。な
お、特許第２５８７２８９号公報には、チャックトップ
に金めっきを行う発明が記載されているが、この発明に
おいて、チャックトップは金属であり、本発明とは発明
の構成が異なるのみでなく、セラミック製のチャックト
ップに生じる特有の未解決課題については知り得ないの
だから、この公報の存在によって、本発明の新規性、進
歩性が阻却されることはない。

【００２４】本発明におけるチャックトップのセラミッ
ク基板の厚さは、チャックトップ導体層より厚いことが
必要であり、具体的には１〜１０ｍｍが望ましい。ま
た、本発明においては、シリコンウエハの裏面を電極と
して使用するため、セラミック基板の表面にチャックト
ップ導体層が形成されている。

【００２５】上記チャックトップ導体層の厚さは、１〜
２０μｍが望ましい。１μｍ未満では抵抗値が高くなり
すぎて電極として働かず、一方、２０μｍを超えると導
体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうからで
ある。

【００２６】チャックトップ導体層としては、例えば、
銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属（金、銀、白金
等）、タングステン、モリブデンなどの高融点金属から
選ばれる少なくとも１種の金属を使用することができ
る。チャックトップ導体層は、金属や導電性セラミック
からなる多孔質体であってもよい。多孔質体の場合は、
後述するような吸引吸着のための溝を形成する必要がな
く、溝の存在を理由としたシリコンウエハの破損を防止
することができるだけでなく、表面全体で均一な吸引吸
着を実現できるからである。このような多孔質体として
は、金属焼結体を使用することができる。また、多孔質
体を使用した場合は、その厚さは、１〜２００μｍで使
用することができる。多孔質体とセラミック基板との接
合は、半田やろう材を用いる。

【００２７】チャックトップ導体層としては、ニッケル
を含むものであることが望ましい。硬度が高く、テスタ
ピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。チャ
ックトップ導体層の具体的な構成としては、例えば、初
めにニッケルスパッタリング層を形成し、その上に無電
解ニッケルめっき層を設けたものや、チタン、モリブデ
ン、ニッケルをこの順序でスパッタリングし、さらにそ
の上にニッケルを無電解めっきもしくは電解めっきで析
出させたもの等が挙げられる。

【００２８】また、チタン、モリブデン、ニッケルをこ
の順序でスパッタリングし、さらにその上に銅およびニ
ッケルを無電解めっきで析出させたものであってもよ
い。銅層を形成することでチャックトップ電極の抵抗値
を低減させることができるからである。

【００２９】さらに、チタン、銅をこの順でスパッタリ
ングし、さらにその上にニッケルを無電解めっきもしく
は無電解めっきで析出させたものであってもよい。ま
た、クロム、銅をこの順でスパッタリングし、さらにそ
の上にニッケルを無電解めっきもしくは無電解めっきで
析出させたものとすることも可能である。

【００３０】上記チタン、クロムは、セラミックとの密
着性を向上させることができ、また、モリブデンはニッ
ケルとの密着性を改善することができる。チタン、クロ
ムの厚みは０．１〜０．５μｍ、モリブデンの厚みは
０．５〜７．０μｍ、ニッケルの厚みは０．４〜２．５
μｍが望ましい。

【００３１】本発明のウエハプローバで使用されるセラ
ミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミックお
よび酸化物セラミックに属するセラミックから選ばれる
少なくとも１種であることが望ましい。

【００３２】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。

【００３３】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００３４】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００３５】上記セラミック中には、カーボンを２００
〜１０００ｐｐｍ含むことが望ましい。セラミック内の
電極パターンを隠蔽し、かつ、高輻射熱が得られるから
である。カーボンは、Ｘ線回折で検出可能な結晶質また
は検出不能な非晶質の一方または両方であってもよい。

【００３６】本発明においては、セラミック基板に温度
制御手段を設けておくことが望ましい。加熱または冷却
しながらシリコンウエハの導通試験を行うことができる
からである。

【００３７】上記温度制御手段としては図１に示した発
熱体４１のほかに、ペルチェ素子であってもよい。発熱
体を設ける場合は、冷却手段としてエアー等の冷媒の吹
きつけ口などを設けておいてもよい。発熱体は、複数層
設けてもよい。この場合は、各層のパターンは相互に補
完するように形成されて、加熱面からみるとどこかの層
にパターンが形成された状態が望ましい。例えば、互い
に千鳥の配置になっている構造である。

【００３８】発熱体としては、例えば、金属または導電
性セラミックの焼結体、金属箔、金属線等が挙げられ
る。金属焼結体としては、タングステン、モリブデンか
ら選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの金属は
比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有する
からである。

【００３９】また、導電性セラミックとしては、タング
ステン、モリブデンの炭化物から選ばれる少なくとも１
種を使用することができる。さらに、セラミック基板の
外側に発熱体を形成する場合には、金属焼結体として
は、貴金属（金、銀、パラジウム、白金）、ニッケルを
使用することが望ましい。具体的には銀、銀−パラジウ
ムなどを使用することができる。上記金属焼結体に使用
される金属粒子は、球状、リン片状、もしくは球状とリ
ン片状の混合物を使用することができる。

【００４０】金属焼結体中には、金属酸化物を添加して
もよい。上記金属酸化物を使用するのは、窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミックと金属粒子を密着させるた
めである。上記金属酸化物により、窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックと金属粒子との密着性が改善され
る理由は明確ではないが、金属粒子表面および窒化物セ
ラミックまたは炭化物セラミックの表面はわずかに酸化
膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介
して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックが密着するのではないかと考えら
れる。

【００４１】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも１
種が好ましい。これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大
きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックとの密着性を改善できるからである。

【００４２】上記金属酸化物は、金属粒子に対して０．
１重量％以上１０重量％未満であることが望ましい。抵
抗値が大きくなりすぎず、金属粒子と窒化物セラミック
または炭化物セラミックとの密着性を改善することがで
きるからである。

【００４３】また、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホ
ウ素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの
割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合
に、酸化鉛が１〜１０重量部、シリカが１〜３０重量
部、酸化ホウ素が５〜５０重量部、酸化亜鉛が２０〜７
０重量部、アルミナが１〜１０重量部、イットリアが１
〜５０重量部、チタニアが１〜５０主部が好ましい。但
し、これらの合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されることが望ましい。これらの範囲が特に窒化物セラ
ミックとの密着性を改善できる範囲だからである。

【００４４】発熱体をセラミック基板の表面に設ける場
合は、発熱体の表面は、金属層４１０で被覆されている
ことが望ましい（図１１（ｅ）参照）。発熱体は、金属
粒子の焼結体であり、露出していると酸化しやすく、こ
の酸化により抵抗値が変化してしまう。そこで、表面を
金属層で被覆することにより、酸化を防止することがで
きるのである。

【００４５】金属層の厚さは、０．１〜１０μｍが望ま
しい。発熱体の抵抗値を変化させることなく、発熱体の
酸化を防止することができる範囲だからである。被覆に
使用される金属は、非酸化性の金属であればよい。具体
的には、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルから選ば
れる少なくとも１種以上が好ましい。なかでもニッケル
がさらに好ましい。発熱体には電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体に取
り付けるが、ニッケルは半田の熱拡散を防止するからで
ある。接続端子しては、コバール製の端子ピンを使用す
ることができる。なお、発熱体をヒータ板内部に形成す
る場合は、発熱体表面が酸化されることがないため、被
覆は不要である。発熱体をヒータ板内部に形成する場
合、発熱体の表面の一部が露出していてもよい。

【００４６】発熱体として使用する金属箔としては、ニ
ッケル箔、ステンレス箔をエッチング等でパターン形成
して発熱体としたものが望ましい。パターン化した金属
箔は、樹脂フィルム等ではり合わせてもよい。金属線と
しては、例えば、タングステン線、モリブデン線等が挙
げられる。

【００４７】温度制御手段としてペルチェ素子を使用す
る場合は、電流の流れる方向を変えることにより発熱、
冷却両方行うことができるため有利である。ペルチェ素
子は、図７に示すように、ｐ型、ｎ型の熱電素子４４０
を直列に接続し、これをセラミック板４４１などに接合
させることにより形成される。ペルチェ素子としては、
例えば、シリコン・ゲルマニウム系、ビスマス・アンチ
モン系、鉛・テルル系材料等が挙げられる。

【００４８】本発明では、温度制御手段とチャックトッ
プ導体層との間に少なくとも１層以上の導電層が形成さ
れていることが望ましい。図１におけるガード電極５と
グランド電極６が上記導体層に相当する。ガード電極５
は、測定回路内に介在するストレイキャパシタをキャン
セルするための電極であり、測定回路（即ち、図１のチ
ャックトップ導体層２）の接地電位が与えられている。
また、グランド電極６は、温度制御手段からのノイズを
キャンセルするために設けられている。これらの電極の
厚さは、１〜２０μｍが望ましい。薄すぎると、抵抗値
が高くなり、厚すぎるとセラミック基板が反ったり、熱
衝撃性が低下するからである。

【００４９】これらのガード電極５、グランド電極６
は、図４に示したような格子状に設けられていることが
望ましい。即ち、円形状の導体層５１の内部に矩形状の
導体層非形成部５２が多数整列して存在する形状であ
る。このような形状としたのは、導体層上下のセラミッ
ク同士の密着性を改善するためである。

【００５０】本発明のウエハプローバのチャックトップ
導体層形成面には図２に示したように溝７と空気の吸引
孔８が形成されていることが望ましい。吸引孔８は、複
数設けられて均一な吸着が図られる。シリコンウエハＷ
を載置して吸引孔８から空気を吸引してシリコンウエハ
Ｗを吸着させることができるからである。

【００５１】本発明におけるウエハプローバとしては、
例えば、図１に示すようにセラミック基板３の底面に発
熱体４１が設けられ、発熱体４１とチャックトップ導体
層２との間にガード電極５の層とグランド電極６の層と
がそれぞれ設けられた構成のウエハプローバ１０１、図
５に示すようにセラミック基板３の内部に扁平形状の発
熱体４２が設けられ、発熱体４２とチャックトップ導体
層２との間にガード電極５とグランド電極６とが設けら
れた構成のウエハプローバ２０１、図６に示すようにセ
ラミック基板３の内部に発熱体である金属線４３が埋設
され、金属線４３とチャックトップ導体層２との間にガ
ード電極５とグランド電極６とが設けられた構成のウエ
ハプローバ３０１、図７に示すようにペルチェ素子４４
（熱電素子４４０とセラミック基板４４１からなる）が
セラミック基板３の外側に形成され、ペルチェ素子４４
とチャックトップ導体層２との間にガード電極５とグラ
ンド電極６とが設けられた構成のウエハプローバ４０１
等が挙げられる。いずれのウエハプローバも、溝７と吸
引孔８とを必ず有している。

【００５２】本発明では、図１〜７に示したようにセラ
ミック基板３の内部に発熱体４２、４３が形成され（図
５〜６）、セラミック基板３の内部にガード電極５、グ
ランド電極６（図１〜７）が形成されるため、これらと
外部端子とを接続するための接続部（スルーホール）１
６、１７が必要となる。スルーホール１６、１７は、タ
ングステンペースト、モリブデンペーストなどの高融点
金属、タングステンカーバイド、モリブデンカーバイド
などの導電性セラミックを充填することにより形成され
る。なお、図１〜７では、スルーホール１６、１７、１
８をウエハ加熱面の反対側に露出するように形成した
が、セラミック基板の側面から露出させてもよい。

【００５３】また、接続部（スルーホール）１６、１７
の直径は、０．１〜１０ｍｍが望ましい。断線を防止し
つつ、クラックや歪みを防止できるからである。このス
ルーホールを接続パッドとして外部端子ピンを接続する
（図１１（ｇ）参照）。

【００５４】接続は、半田、ろう材により行う。ろう材
としては銀ろう、パラジウムろう、アルミニウムろう、
金ろうを使用する。金ろうとしては、Ａｕ−Ｎｉ合金が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ合金は、タングステンとの密着性
に優れるからである。

【００５５】Ａｕ／Ｎｉの比率は、〔８１．５〜８２．
５（重量％）〕／〔１８．５〜１７．５（重量％）〕が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ層の厚さは、０．１〜５０μｍが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
また、１０^-6〜１０^-5Ｐａの高真空で５００℃〜１００
０℃の高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化する
が、Ａｕ−Ｎｉ合金ではこのような劣化がなく有利であ
る。また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素量は全量を１
００重量部とした場合に１重量部未満であることが望ま
しい。

【００５６】本発明では、必要に応じてセラミック基板
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流
量を変えて、温度を制御することができるからである。

【００５７】熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各
金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも大き
く、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成によ
って、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確に、
また、迅速に電流値に変換されるのである。このため、
温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布が小さ
くなるのである。上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ
−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ
型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げ
られる。

【００５８】図８は、以上のような構成の本発明のウエ
ハプローバを設置するための支持台１１を模式的に示し
た断面図である。この支持台１１には、冷媒の吹き出し
口１２が形成されており、冷媒注入口１４から冷媒が吹
き込まれる。また、吸引口１３から空気を吸引して吸引
孔８を介してウエハプローバ上に載置されたシリコンウ
エハ（図示せず）を溝７に吸い付けるのである。

【００５９】図９（ａ）は、支持台の他の一例を模式的
に示した縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）図における
Ｂ−Ｂ線断面図である。図９に示したように、この支持
台では、ウエハプローバがプローブカードのテスタピン
の押圧によって反らないように、多数の支持柱１５が設
けられている。支持台は、アルミニウム合金、ステンレ
スなどを使用することができる。

【００６０】次に、本発明のウエハプローバの製造方法
の一例を図１０〜１１に示した断面図に基づき説明す
る。 （１）まず、酸化物セラミック、窒化物セラミック、炭
化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダおよ
び溶剤と混合してグリーンシート３０を得る。前述した
セラミック粉体としては、例えば、窒化アルミニウム、
炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、
イットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。

【００６１】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに、溶媒としては、α−テルピネオール、グリコー
ルから選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらを混
合して得られるペーストをドクターブレード法でシート
状に成形してグリーンシート３０を作製する。

【００６２】グリーンシート３０に、必要に応じてシリ
コンウエハの支持ピンを挿入する貫通孔や熱電対を埋め
込む凹部を設けておくことができる。貫通孔や凹部は、
パンチングなどで形成することができる。グリーンシー
ト３０の厚さは、０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。

【００６３】次に、グリーンシート３０にガード電極、
グランド電極を印刷する。印刷は、グリーンシート３０
の収縮率を考慮して所望のアスペクト比が得られるよう
に行い、これによりガード電極印刷体５０、グランド電
極印刷体６０を得る。印刷体は、導電性セラミック、金
属粒子などを含む導電性ペーストを印刷することにより
形成する。

【００６４】これらの導電性ペースト中に含まれる導電
性セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブ
デンの炭化物が最適である。酸化しにくく熱伝導率が低
下しにくいからである。また、金属粒子としては、例え
ば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなどを
使用することができる。

【００６５】導電性セラミック粒子、金属粒子の平均粒
子径は０．１〜５μｍが好ましい。これらの粒子は、大
きすぎても小さすぎてもペーストを印刷しにくいからで
ある。このようなペーストとしては、金属粒子または導
電性セラミック粒子８５〜９７重量部、アクリル系、エ
チルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビニルア
ルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５
〜１０重量部、α−テルピネオール、グリコール、エチ
ルアルコールおよびブタノールから選ばれる少なくとも
１種の溶媒を１．５〜１０重量部混合して調製したぺー
ストが最適である。さらに、パンチング等で形成した孔
に、導電ペーストを充填してスルーホール印刷体１６
０、１７０を得る。

【００６６】次に、図１０（ａ）に示すように、印刷体
５０、６０、１６０、１７０を有するグリーンシート３
０と、印刷体を有さないグリーンシート３０を積層す
る。発熱体形成側に印刷体を有さないグリーンシート３
０を積層するのは、スルーホールの端面が露出して、発
熱体形成の焼成の際に酸化してしまうことを防止するた
めである。もしスルーホールの端面が露出したまま、発
熱体形成の焼成を行うのであれば、ニッケルなどの酸化
しにくい金属をスパッタリングする必要があり、さらに
好ましくは、Ａｕ−Ｎｉの金ろうで被覆してもよい。

【００６７】（２）次に、図１０（ｂ）に示すように、
積層体の加熱および加圧を行い、グリーンシートおよび
導電ペーストを焼結させる。加熱温度は、１０００〜２
０００℃、加圧は１００〜２００ｋｇ／ｃｍ² が好まし
く、これらの加熱および加圧は、不活性ガス雰囲気下で
行う。不活性ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用
することができる。この工程でスルーホール１６、１
７、ガード電極５、グランド電極６が形成される。

【００６８】（３）次に、図１０（ｃ）に示すように、
焼結体の表面に溝７を設ける。溝７は、ドリル、サンド
ブラスト等により形成する。 （４）次に、図１０（ｄ）に示すように、焼結体の底面
に導電ペーストを印刷してこれを焼成し、発熱体４１を
作製する。

【００６９】（５）次に、図１１（ｅ）に示すように、
ウエハ載置面（溝形成面）にチタン、モリブデン、ニッ
ケル等をスパッタリングした後、無電解ニッケルめっき
等を施しチャックトップ導体層２を設ける。このとき同
時に、発熱体４１の表面にも無電解ニッケルめっき等に
より保護層４１０を形成する。さらに、貴金属めっきを
施し、チャックトップ導体層２の表面に貴金属層２ａを
形成する（図１（ｂ）参照）。

【００７０】（６）次に、図１１（ｆ）に示すように、
溝７から裏面にかけて貫通する吸引孔８、外部端子接続
のための袋孔１８０を設ける。袋孔の内壁は、その少な
くとも一部が導電化され、その導電化された内壁は、ガ
ード電極、グランド電極などと接続されていることが望
ましい。 （７）最後に、図１１（ｇ）に示すように、発熱体４１
表面の取りつけ部位に半田ペーストを印刷した後、外部
端子ピン１９１を乗せて、加熱してリフローする。加熱
温度は、２００〜５００℃が好適である。

【００７１】また、袋孔１８０にも金ろうを介して外部
端子１９、１９０を設ける。さらに、必要に応じて、有
底孔を設け、その内部に熱電対を埋め込むことができ
る。半田は銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合
金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、
０．１〜５０μｍが望ましい。半田による接続を確保す
るに充分な範囲だからである。

【００７２】なお、上記説明ではウエハプローバ１０１
（図１参照）を例にしたが、ウエハプローバ２０１（図
５参照）を製造する場合は、発熱体をグリーンシートに
印刷すればよい。また、ウエハプローバ３０１（図６参
照）を製造する場合は、セラミック粉体にガード電極、
グランド電極として金属板を、また金属線を発熱体にし
て埋め込み、焼結すればよい。さらに、ウエハプローバ
４０１（図７参照）を製造する場合は、ペルチェ素子を
溶射金属層を介して接合すればよい。

【００７３】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１）ウエハプローバ１０１（図１参照）の製造 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用
い、ドクターブレード法により成形を行って厚さ０．４
７ｍｍのグリーンシートを得た。

【００７４】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 （３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。

【００７５】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。

【００７６】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体５０、グランド電極用印刷体６０を印刷印刷し
た。また、端子ピンと接続するためのスルーホール用の
貫通孔に導電性ペーストＢを充填した。

【００７７】さらに、印刷されたグリーンシートおよび
印刷がされていないグリーンシートを５０枚積層して１
３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で一体化することによ
り積層体を作製した（図１０（ａ）参照）。

【００７８】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ４ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。得られた板状体を、直径２３０
ｍｍの円形状に切り出してセラミック製の板状体とした
（図１０（ｂ）参照）。スルーホール１６、１７の大き
さは、直径３．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。ま
た、ガード電極５、グランド電極６の厚さは１０μｍ、
ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置面から１．２ｍ
ｍ、グランド電極６の形成位置は、ウエハ載置面から
３．０ｍｍであった。

【００７９】（５）上記（４）で得た板状体を、ダイア
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せ
ず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた（図１０（ｃ）参照）。

【００８０】（６）さらに、ウエハ載置面に対向する面
に発熱体４１を印刷した。印刷は導電ペーストを用い
た。導電ペーストは、プリント配線板のスルーホール形
成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ
６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペー
ストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、
アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重量比率は、
５／５５／１０／２５／５）を銀１００重量部に対して
７．５重量部含むものであった。また、銀の形状は平均
粒径４．５μｍでリン片状のものであった。

【００８１】（７）導電ペーストを印刷したヒータ板を
７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼
結させるとともにセラミック基板３に焼き付けた。さら
に硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェル塩６０ｇ／ｌを
含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴にヒータ板
を浸漬して、銀の焼結体４１の表面に厚さ１μｍ、ホウ
素の含有量が１重量％以下のニッケル層４１０を析出さ
せた。この後、ヒータ板は、１２０℃で３時間アニーリ
ング処理を施した。銀の焼結体からなる発熱体は、厚さ
が５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍ
Ω／□であった（図１０（ｄ））。

【００８２】（８）溝７が形成された面に、スパッタリ
ング法により、順次、チタン層、モリブデン層、ニッケ
ル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本
真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を使用した。スパ
ッタリングの条件は気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電
力２００Ｗであり、スパッタリング時間は、３０秒から
１分の範囲内で、各金属によって調整した。得られた膜
の厚さは、蛍光Ｘ線分析計の画像から、チタン層は０．
３μｍ、モリブデン層は２μｍ、ニッケル層は１μｍで
あった。

【００８３】（９）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェ
ル塩６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめ
っき浴、および、硫酸ニッケル２５０〜３５０ｇ／ｌ、
塩化ニッケル４０〜７０ｇ／ｌ、ホウ酸３０〜５０ｇ／
ｌを含み、硫酸でｐＨ２．４〜４．５に調整した電解ニ
ッケルめっき浴を用いて、上記（８）で得られたセラミ
ック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属
層の表面に厚さ７μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下
のニッケル層を析出させ、１２０℃で３時間アニーリン
グした。発熱体表面は、電流を流さず、電解ニッケルめ
っきで被覆されない。

【００８４】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌおよび次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含
む無電解金めっき液に、９３℃の条件で１分間浸漬し、
ニッケルめっき層１５上に厚さ１μｍの金めっき層を形
成した（図１１（ｅ）、図１（ｂ）参照）。

【００８５】（１０）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔
８をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１
６、１７を露出させるための袋孔１８０を設けた（図１
０（ｆ）参照）。この袋孔１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａ
ｕ８１．５重量％、Ｎｉ１８．４重量％、不純物０．１
重量％）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフロ
ーしてコバール製の外部端子ピン１９、１９０を接続さ
せた（図１１（ｇ）参照）。また、発熱体に半田（スズ
９／鉛１）を介してコバール製の外部端子ピン１９１を
形成した。

【００８６】（１１）次に、温度制御のための複数熱電
対を凹部に埋め込み、ウエハプローバヒータ１０１を得
た。 （１２）このウエハプローバ１０１を図８の断面形状を
有するステンレス製の支持台にセラミックファイバー
（イビデン社製 商品名 イビウール）からなる断熱材
１０を介して組み合わせた。この支持台１１は冷却ガス
の噴射ノズル１２を有し、ウエハプローバ１０１の温度
調整を行うことができる。また、吸引口１３から空気を
吸引してシリコンウエハの吸着を行う。

【００８７】（実施例２）ウエハプローバ２０１（図５
参照）の製造 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を、
ドクターブレード法により成形し、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。

【００８８】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 （３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。

【００８９】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。

【００９０】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体、グランド電極用印刷体を印刷した。さらに、
発熱体を図３に示すように同心円パターンとして印刷し
た。

【００９１】また、端子ピンと接続するためのスルーホ
ール用の貫通孔に導電性ペーストＢを充填した。さら
に、印刷されたグリーンシートおよび印刷がされていな
いグリーンシートを５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ
／ｃｍ² の圧力で一体化し、積層体を作製した。

【００９２】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に
切り出してセラミック製の板状体とした。スルーホール
の大きさは直径２．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。
また、ガード電極５、グランド電極６の厚さは６μｍ、
ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置面から０．７ｍ
ｍ、グランド電極６の形成位置は、ウエハ載置面から
１．４ｍｍ、発熱体の形成位置は、ウエハ載置面から
２．８ｍｍであった。

【００９３】（５）上記（４）で得た板状体を、ダイア
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せ
ず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた。

【００９４】（６）溝７が形成された面にスパッタリン
グにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。ス
パッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製
のＳＶ−４５４０を使用した。スパッタリングの条件は
気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００Ｗで、スパ
ッタリングの時間は、３０秒から１分の間で、各金属に
より調整した。得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像か
らチタンは０．５μｍ、モリブデンは４μｍ、ニッケル
は１．５μｍであった。

【００９５】（７）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩
６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき
浴に（６）で得られたセラミック板３を浸漬して、スパ
ッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ７μ
ｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層を析出
させ、１２０℃で３時間アニーリングした。

【００９６】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に厚さ１μｍの金めっき層を形成し
た。

【００９７】（８）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔８
をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１６、
１７を露出させるための袋孔１８０を設けた。この袋孔
１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５重量％、Ｎｉ１
８．４重量％、不純物０．１重量％）からなる金ろうを
用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端
子ピン１９、１９０を接続させた。外部端子１９、１９
０は、Ｗ製でもよい。

【００９８】（９）温度制御のための複数熱電対を凹部
に埋め込み、ウエハプローバヒータ２０１を得た。 （１０）このウエハプローバ２０１を図９の断面形状を
持つステンレス製の支持台にセラミックファイバー（イ
ビデン社製：商品名 イビウール）からなる断熱材１０
を介して組み合わせた。この支持台１１には、ウエハプ
ローバの反り防止のための支持柱１５が形成されてい
る。また、吸引口１３から空気を吸引してシリコンウエ
ハの吸着を行う。

【００９９】（実施例３） ウエハプローバ３０１（図
６参照）の製造 （１）厚さ１０μｍのタングステン箔を打抜き加工する
ことにより格子状の電極を形成した。格子状の電極２枚
（ぞれぞれガード電極５、グランド電極６となるもの）
およびタングステン線を窒化アルミニウム粉末（トクヤ
マ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリ
ア（平均粒径０．４μｍ）４重量部とともに、成形型中
に入れて窒素ガス中で１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃ
ｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミ
ニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切
り出して板状体とした。

【０１００】（２）この板状体に対し、実施例２の
（５）〜（１０）の工程を実施し、ウエハプローバ３０
１を得、実施例１と同様にウエハプローバ３０１を図８
に示した支持台１１上に載置した。また、チャックトッ
プ導体層の表面にＰｔ層をスパッタリングにより形成し
た。形成したＰｔ層の厚さは、２μｍであった。

【０１０１】（実施例４） ウエハプローバ４０１（図
７参照）の製造 実施例１の（１）〜（５）、および、（８）〜（１０）
を実施した後、さらにウエハ載置面に対向する面にニッ
ケルを溶射し、この後、鉛・テルル系のペルチェ素子を
接合させ、ウエハプローバ４０１を得、実施例１と同様
にウエハプローバ４０１を図８に示した支持台１１上に
載置した。

【０１０２】（実施例５） 炭化珪素をセラミック基板
とするウエハプローバの製造 以下に記載する事項または条件以外は、実施例３の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。即ち、平均
粒径１．０μｍの炭化ケイ素粉末１００重量部を使用
し、また、格子状の電極２枚（ぞれぞれガード電極５、
グランド電極６となるもの）、および、表面にテトラエ
トキシシラン１０重量％、塩酸０．５重量％および水８
９．５重量％からなるゾル溶液を塗布したタングステン
線を使用し、１９００℃の温度で焼成した。なお、ゾル
溶液は焼成でＳｉＯ₂ となって絶縁層を構成する。次
に、実施例５で得られたウエハプローバ４０１を、実施
例１と同様に図８に示した支持台１１上に載置した。

【０１０３】（実施例６） アルミナをセラミック基板
とするウエハプローバの製造 以下に記載する工程または条件以外は、実施例１の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。アルミナ粉
末（トクヤマ製、平均粒径１．５μｍ）１００重量部、
アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部
および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル５３重量部を混合した組成物を、ドクターブレード法
を用いて成形し、厚さ０．５ｍｍのグリーンシートを得
た。また、焼成温度を１０００℃とした。ただし、貴金
属層は、Ｐｄ層とし、スパッタリングにより形成した。
その厚さは、１．５μｍであった。次に、実施例６で得
られたウエハプローバを、実施例１と同様に図８に示し
た支持台１１上に載置した。

【０１０４】（実施例７） （１）平均粒子径３μｍのタングステン粉末を円板状の
成形治具に入れて、窒素ガス中で温度１８９０℃、圧力
１５０ｋｇ／ｃｍ² で３時間ホットプレスして、直径２
００ｍｍ、厚さ１１０μｍのタングステン製の多孔質チ
ャックトップ導体層を得た。 （２）次に、実施例１の（１）〜（４）、および、
（５）〜（７）と同様の工程を実施し、ガード電極、グ
ランド電極、発熱体を有するセラミック基板を得た。 （３）上記（１）で得た多孔質チャックトップ導体層を
金ろう（実施例１の（１０）と同じもの）の粉末を介し
てセラミック基板に載置し、９７０℃でリフローした。

【０１０５】（４）実施例１の（９）の金めっき層の形
成方法と同様にして、多孔質チャックトップ導体層の表
面に金めっき層を形成し、その後、実施例１の（１０）
〜（１２）と同様の工程を実施してウエハプローバを
得、このウエハプローバを実施例１と同様に図８に示し
た支持台１１上に載置した。この実施例で得られたウエ
ハプローバは、チャックトップ導体層に半導体ウエハが
均一に吸着する。

【０１０６】（実施例８）実施例１と同様であるが、Ａ
ｕをスパッタリングで１μｍ形成し、さらに実施例１の
金めっきを行い、厚さを合計で５μｍにした。 （実施例９）実施例１と同様であるが、Ａｕをスパッタ
リングで１μｍ形成し、さらに実施例１の金めっきを行
い、厚さを合計で１０μｍにした。

【０１０７】（比較例１）基本的には、特許第２５８７
２８９号公報に記載された方法に準じ、図１２に示す構
造を有する金属製ウエハプローバを作製した。すなわ
ち、このウエハプローバにおいて、チャックトップ１Ｂ
に直径２３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍのステンレス鋼、その
下層には雲母３Ｂ、そのさらに下層には直径２３０ｍ
ｍ、厚さ２０ｍｍの銅板１００Ｂが配置されている。ま
た、銅板１００Ｂの下には、雲母３Ｂを介してニクロム
線による発熱体４Ｂが接合されており、さらにその下
に、雲母３Ｂを介してアルミナ断熱板２０Ｂが接合され
ている。チャックトップの表面には溝７が形成されてい
る。この金属製ウエハプローバでは、チャックトップの
表面に溝７が形成されているが、金めっきは施されてい
ない。次に、比較例１で得られたウエハプローバを、実
施例１と同様に図８に示した支持台１１上に載置した。

【０１０８】（比較例２）チャックトップ導体表面に金
めっき層を形成しなかったほかは、実施例１と同様にし
てウエハプローバを得た。

【０１０９】評価方法 支持台上に載置された上記実施例および比較例で製造し
たウエハプローバの上に、図１２に示したようにシリコ
ンウエハＷを載置し、加熱などの温度制御を行いなが
ら、プローブカード６０１を押圧して導通テスト（１０
０Ｖ印加）を行った。また、上記実施例および比較例で
製造したウエハプローバについて、４００℃でシリコン
ウエハを載置し、２４時間放置し、シリコンウエハ中に
拡散した不純物（Ｙ、Ｎａ、Ｂ）の量を測定した。これ
ら不純物量の測定は、シリコンウエハをフッ酸に溶解さ
せた後、イオンクロマトグラフィーにより測定すること
により行った。また、直径８インチ（２００ｍｍ）のシ
リコンウエハを載置し、５０ｋｇ／ｃｍ ² の圧力でテス
タピンを備えたプローブカードを押し当て、シリコンウ
エハの破損の有無を調べた。酸化については、加熱前後
の接触抵抗値の変化率を調べた。結果を下記の表１に示
した。なお、表１における０．１ｐｐｂは、測定限界値
以下を示しており、恐らく存在しないと考えられる。

【０１１０】

【表１】

【０１１１】表１に示した結果より明らかなように、実
施例１〜９に係るウエハプローバを用いた場合には、比
較例１の金属製ウエハプローバと同様に、シリコンウエ
ハは汚染されなかったのに対し、比較例２に係るウエハ
プローバを用いた場合には、シリコンウエハがＹ等の不
純物により汚染されていた。また、実施例１〜８に係る
ウエハプローバでは、支持台に載置してプローブカード
６０１を押圧しても、反りは殆ど発生せず、シリコンウ
エハに破損は発生しなかったのに対し、実施例９および
比較例２に係るウエハプローバでは、１％程度の破損が
発生した。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明のように、本発明のウエハプロ
ーバは、チャックトップ導体層表面に貴金属層が設けら
れているので、チャックトップ導体層中の不純物やセラ
ミック基板中の不純物がシリコンウエハ中に拡散するの
を防止することができる。また、本発明のウエハプロー
バは、軽量で昇温、降温特性に優れており、しかも、プ
ローブカードを押圧した場合にも反りがなく、シリコン
ウエハの破損や測定ミスを有効に防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明のウエハプローバを一列を模
式的に示す断面図であり、（ｂ）は、その部分拡大断面
図である。

【図２】図１に示したウエハプローバの平面図である。

【図３】図１に示したウエハプローバの底面図である。

【図４】図１に示したウエハプローバのＡ−Ａ線断面図
である。

【図５】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図６】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図７】本発明のウエハプローバの一例を模式的に示す
断面図である。

【図８】本発明のウエハプローバを支持台と組み合わせ
た場合を模式的に示す断面図である。

【図９】（ａ）は、本発明のウエハプローバを他の支持
台と組み合わせた場合を模式的に示す縦断面図であり、
（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のウエハプローバ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図１１】（ｅ）〜（ｇ）は、本発明のウエハプローバ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図１２】本発明のウエハプローバを用いて導通テスト
を行っている状態を模式的に示す断面図である。

【図１３】従来のウエハプローバを模式的に示す断面図
である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１ ウエハプローバ ２ チャックトップ導体層 ２ａ 貴金属層 ３ セラミック基板 ５ ガード電極 ６ グランド電極 ７ 溝 ８ 吸引孔 １０ 断熱材 １１ 支持台 １２ 吹き出し口 １３ 吸引口 １４ 冷媒注入口 １５ 支持柱 １６、１７ スルーホール １８ 袋孔 １９、１９０、１９１ 外部端子ピン ４１、４２ 発熱体 ４１０ 保護層 ４３ 金属線 ４４ ペルチェ素子 ４４０ 熱電素子 ４４１ セラミック基板 ５１ 導体層 ５２ 導体層非形成部

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/10 Ｈ０５Ｂ 3/12 Ｂ 3/12 3/18 3/18 3/20 ３２８ 3/20 ３２８ ３９３ ３９３ Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ (72)発明者 伊藤 康隆 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 (72)発明者 古川 正和 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック基板に導体層が形成され、前
   記導体層表面には貴金属層が設けられてなることを特徴
   とするウエハプローバ。
2. 【請求項２】 前記セラミック基板には、温度制御手段
   が設けられてなる請求項１に記載のウエハプローバ。
3. 【請求項３】 前記セラミック基板は、窒化物セラミッ
   ク、炭化物セラミックおよび酸化物セラミックから選ば
   れる少なくとも１種からなる請求項１または２に記載の
   ウエハプローバ。
4. 【請求項４】 前記温度制御手段は、ペルチェ素子であ
   る請求項２または３に記載のウエハプローバ。
5. 【請求項５】 前記温度制御手段は、発熱体である請求
   項２または３に記載のウエハプローバ。
6. 【請求項６】 前記セラミック基板中には、少なくとも
   １層の導体層が形成されなる請求項１〜５のいずれか１
   に記載のウエハプローバ。
7. 【請求項７】 前記セラミック基板の表面には溝が形成
   されてなる請求項１〜６のいずれか１に記載のウエハプ
   ローバ。
8. 【請求項８】 前記セラミック基板の表面には溝が形成
   され、その溝には、空気の吸引孔が形成されてなる請求
   項１〜７のいずれかに記載のウエハプローバ。
9. 【請求項９】 前記導体層は、多孔質体からなる請求項
   １〜８のいずれか１に記載のウエハプローバ。
10. 【請求項１０】 導体層が形成され、前記導体層表面に
    は貴金属層が設けられてなることを特徴とするウエハプ
    ローバに使用されるセラミック基板。
11. 【請求項１１】 温度制御手段が設けられてなる請求項
    １０に記載のウエハプローバに使用されるセラミック基
    板。
12. 【請求項１２】 窒化物セラミック、炭化物セラミック
    および酸化物セラミックから選ばれる少なくとも１種以
    上からなる請求項１０または１１に記載のウエハプロー
    バに使用されるセラミック基板。
13. 【請求項１３】 前記温度制御手段は、ペルチェ素子で
    ある請求項１１または１２に記載のウエハプローバに使
    用されるセラミック基板。
14. 【請求項１４】 前記温度制御手段は、発熱体である請
    求項１１または１２に記載のウエハプローバに使用され
    るセラミック基板。
15. 【請求項１５】 前記セラミック基板中には、少なくと
    も１層の導体層が形成されなる請求項１０〜１４のいず
    れか１に記載のウエハプローバに使用されるセラミック
    基板。
16. 【請求項１６】 その表面には溝が形成されてなる請求
    項１０〜１５のいずれか１に記載のウエハプローバに使
    用されるセラミック基板。
17. 【請求項１７】 その表面には溝が形成され、その溝に
    は、空気の吸引孔が形成されてなる請求項１０〜１６の
    いずれか１に記載のウエハプローバに使用されるセラミ
    ック基板。
18. 【請求項１８】 前記導体層は、多孔質体からなる請求
    項１０〜１７のいずれか１に記載のウエハプローバに使
    用されるセラミック基板。