JP2001118770A

JP2001118770A - Mask for semiconductor lithography and manufacturing method therefor

Info

Publication number: JP2001118770A
Application number: JP29467899A
Authority: JP
Inventors: Koji Kichise; 幸司吉瀬; Kenji Marumoto; 健二丸本; Atsushi Aya; 淳綾; Takaaki Murakami; 隆昭村上
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1999-10-18
Filing date: 1999-10-18
Publication date: 2001-04-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly accurate X-ray mask or a semiconductor lithography mask. SOLUTION: This mask for the semiconductor lithography is manufactured by executing a process S11 for manufacturing plural first marks in a desired coordinate system on the mask before executing a process S12 for measuring the position relation of the plural first masks in an EB plotting device after the mask reaches a balance in the temperature inside the EB plotting device, detecting the position distortion of the mask of a first correction amount from the deviation of the measured value and the position relation in the desired coordinate system, rearranging a transfer pattern at a position for compensating the position distortion, and plotting it.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造に用いら
れる写真製版工程の１種であるＸ線リソグラフィー等に
おいて、原版として使用されるリソグラフィ用マスク及
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lithographic mask used as an original in an X-ray lithography or the like which is one of photolithography processes used in semiconductor manufacturing, and a method of manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体リソグラフィ用マスク、特にＸ線
マスクには高い寸法精度、位置精度が求められる。従来
の光リソグラフィーに比べて著しく異なる点は、転写パ
ターンが厚さ１〜３μm程度の薄膜（メンブレン）上に
形成されていることである。図９は、Ｘ線マスクの基本
構成要素を示す断面図である。図において、１はシリコ
ンウエハ、２はメンブレン、３は窓部、４はＸ線吸収体
膜、５は窓部３内におけるＸ線吸収体膜４の所望の位置
に形成された吸収体パターン（転写パターン）、６はウ
エハ１を支持するサポートリングである。2. Description of the Related Art Masks for semiconductor lithography, particularly X-ray masks, require high dimensional accuracy and positional accuracy. A significant difference from the conventional photolithography is that the transfer pattern is formed on a thin film (membrane) having a thickness of about 1 to 3 μm. FIG. 9 is a sectional view showing basic components of the X-ray mask. In the figure, 1 is a silicon wafer, 2 is a membrane, 3 is a window, 4 is an X-ray absorber film, and 5 is an absorber pattern formed at a desired position of the X-ray absorber film 4 in the window 3 ( Reference numeral 6 denotes a support ring for supporting the wafer 1.

【０００３】このＸ線マスクの製造方法としては、ま
ず、シリコンウエハ１上にメンブレン２を形成する。次
に、メンブレン２上にＸ線吸収体膜４を形成し、さら
に、シリコンウエハ１をバックエッチして窓部３を形成
する。次に、サポートリング６をシリコンウエハ１の下
面に設置する。次に、Ｘ線吸収体膜４上にレジスト膜を
塗布によって形成し、このレジスト膜に電子線（以下、
ＥＢと記す）を用いてＸ線吸収体パターン５を形成する
ためのレジストパターンを描画する（ＥＢ描画）。次
に、現像処理を行うことによって、レジスト膜にレジス
トパターンを形成する。このレジストパターンをマスク
として、Ｘ線吸収体膜４をエッチングし、Ｘ線吸収体パ
ターン５を形成する。その後、レジストパターンを除去
する。As a method of manufacturing this X-ray mask, first, a membrane 2 is formed on a silicon wafer 1. Next, the X-ray absorber film 4 is formed on the membrane 2, and the silicon wafer 1 is back-etched to form the window 3. Next, the support ring 6 is set on the lower surface of the silicon wafer 1. Next, a resist film is formed on the X-ray absorber film 4 by coating, and an electron beam (hereinafter, referred to as an electron beam) is formed on the resist film.
Using EB), a resist pattern for forming the X-ray absorber pattern 5 is drawn (EB drawing). Next, a resist pattern is formed on the resist film by performing a developing process. Using this resist pattern as a mask, X-ray absorber film 4 is etched to form X-ray absorber pattern 5. After that, the resist pattern is removed.

【０００４】図１０は、レジスト膜にＥＢを用いてレジ
ストパターンを描画するＥＢ描画方法を説明するための
図である。図において、８は描画領域、７はＥＢ描画装
置の偏向領域（フィールド）であり、通常１ｍｍ程度で
ある。Ｘ線マスクを取り付けたＥＢカセットはステージ
に固定されており、偏向領域７より大きな描画領域を描
画する場合は、ステージをＸ方向およびＹ方向にステッ
プ移動させることによってフィールド毎に描画する。FIG. 10 is a view for explaining an EB drawing method for drawing a resist pattern using EB on a resist film. In the figure, reference numeral 8 denotes a drawing area, and 7 denotes a deflection area (field) of the EB drawing apparatus, which is usually about 1 mm. The EB cassette to which the X-ray mask is attached is fixed to the stage, and when drawing a drawing region larger than the deflection region 7, drawing is performed for each field by moving the stage stepwise in the X direction and the Y direction.

【０００５】このような方法においては、ステップ移動
を繰り返すうちに、フィールド間でずれが生じる。この
フィールド間のずれを補正するために、特開平４−２９
７０１６号公報では各フィールド内に予めアライメント
マークを作製し、上記フィールド間のずれを補正するよ
うにしている。[0005] In such a method, a shift occurs between the fields as the step movement is repeated. To correct the shift between the fields, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-29.
In Japanese Patent No. 7016, an alignment mark is prepared in each field in advance, and the deviation between the fields is corrected.

【０００６】従来のＸ線マスクは以上のようにして位置
ずれを補正しながら所望のパターンを形成するようにな
されていた。しかしながら、Ｘ線マスクの位置精度劣化
の要因としては、上記のようなＥＢ描画中に生じる位置
歪みの他、ＥＢ描画開始前においても、外乱によるマス
ク温度の経時変化、Ｘ線マスクを構成する材料間のバイ
メタル効果、サポートリングの磁化、ＥＢカセットへＸ
線マスクを装着する際の装着再現性等によって位置歪が
生じ、Ｘ線マスクの完成時においてＸ線マスクの位置精
度が劣化する。また、アライメントマークの計測方法の
違いなどによって計測位置が異なり、結果として、Ｘ線
マスクの位置精度が劣化する。The conventional X-ray mask forms a desired pattern while correcting positional deviation as described above. However, the causes of the deterioration of the positional accuracy of the X-ray mask include not only the above-described positional distortion generated during the EB writing, but also the temporal change of the mask temperature due to the disturbance and the material constituting the X-ray mask even before the start of the EB writing. Bimetal effect between the support ring magnetization, X to EB cassette
Positional distortion occurs due to mounting reproducibility when mounting the line mask, and the positional accuracy of the X-ray mask deteriorates when the X-ray mask is completed. In addition, the measurement position differs depending on the difference in the method of measuring the alignment mark, and as a result, the position accuracy of the X-ray mask deteriorates.

【０００７】外乱によるマスク温度の経時変化とは、Ｘ
線マスクの温度が変化することで、マスクが膨張もしく
は収縮して、歪が発生することである。装置周辺の温度
コントロールを厳密に制御することで、通常、ステージ
近傍の温度は一定に保たれているが、例えば、長期間で
は変化することがあり、マスク毎に異なるマスク歪を発
生させる。また、バイメタル効果とは、例えば、Ｘ線マ
スクに用いるシリコンウエハと、このシリコンウエハの
下面に配置するサポートリングに用いるＳｉＣとの間の
熱膨張係数の違いにより発生する歪のことであり、温度
変化の相違によってＸ線マスクの変形量が異なってく
る。また、通常、サポートリングはシリコンウエハに接
着することによって、シリコンウエハの下面に配置する
が、接着面積、接着剤の量、使用する接着剤の種類、接
着個所等の相違等によっても、バイメタル効果によるマ
スク歪は異なってくる。また、サポートリングには通
常、上記のようにＳｉＣのような非磁性材料が使用され
るが、極微量の磁性体の不純物が混入していても、位置
精度の劣化が生じる。さらに、Ｘ線マスクはＥＢカセッ
トへ装着された後、ステージへ搬送されるが、ＥＢカセ
ット装着時に歪が発生すると、結果として位置精度が劣
化する。また、その場合、発生した歪に対して、同一マ
スクの装着再現性はあるが、発生する歪量がマスク間で
異なる場合（以下、カセット装着歪１とする）や、装着
再現性がない場合（以下、カセット装着歪２とする）等
によっても、位置精度が異なってくる。さらに、アライ
メントマークをＥＢ描画装置で検出する場合と、光によ
り検出する場合とでは、計測方式に違いがあるため、同
じマークを測定したとしてもマークの見え方が異なり、
歪の補正が不完全な場合が生じる。The temporal change of the mask temperature due to the disturbance is expressed by X
When the temperature of the line mask changes, the mask expands or contracts, causing distortion. By strictly controlling the temperature control around the apparatus, the temperature in the vicinity of the stage is usually kept constant. However, for example, the temperature may change over a long period of time, causing different mask distortion for each mask. The bimetal effect refers to, for example, a strain generated due to a difference in thermal expansion coefficient between a silicon wafer used for an X-ray mask and SiC used for a support ring disposed on the lower surface of the silicon wafer. The amount of deformation of the X-ray mask varies depending on the difference. Usually, the support ring is arranged on the lower surface of the silicon wafer by adhering to the silicon wafer. However, the bimetal effect is also affected by the difference in the adhesion area, the amount of the adhesive, the type of the adhesive to be used, the bonding location, and the like. Causes different mask distortion. In addition, a non-magnetic material such as SiC is usually used for the support ring as described above. However, even if a very small amount of impurities of a magnetic substance is mixed, the positional accuracy is deteriorated. Further, the X-ray mask is conveyed to the stage after being mounted on the EB cassette. However, if distortion occurs when the EB cassette is mounted, the positional accuracy deteriorates as a result. Also, in this case, the same mask has mounting reproducibility with respect to the generated distortion, but the amount of generated distortion differs between masks (hereinafter referred to as cassette mounting distortion 1) or when there is no mounting reproducibility. (Hereinafter referred to as cassette mounting distortion 2) and the like, the positional accuracy varies. Furthermore, there is a difference in the measurement method between the case where the alignment mark is detected by the EB lithography apparatus and the case where the alignment mark is detected by light. Therefore, even if the same mark is measured, the appearance of the mark is different.
In some cases, distortion correction is incomplete.

【０００８】前述した特開平４−２９７０１６号公報に
示された製造方法においては、このようなＥＢ描画開始
前に発生している位置歪を補正することはできなかっ
た。ＥＢ描画開始前に発生している位置歪を補正するも
のとしては、例えば、特開平８−２０３８１７号公報に
示すものがある。特開平８−２０３８１７号公報に示す
製造方法では、薄膜材料の応力が起因して発生するパタ
ーン位置変化量を予め求めておき、Ｘ線マスクの完成時
においてこれらパターンの位置ずれを補償する位置に、
全体パターンを構成する個々の部分パターンを配置して
Ｘ線マスクに所望のパターンを形成するようにしてい
る。In the manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-297016, it is not possible to correct such positional distortion occurring before the start of EB drawing. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-203817 discloses a method for correcting the positional distortion occurring before the start of the EB drawing. In the manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-203817, the amount of pattern position change generated due to the stress of the thin film material is obtained in advance, and the position of these patterns is compensated for when the X-ray mask is completed. ,
A desired pattern is formed on an X-ray mask by arranging individual partial patterns constituting the entire pattern.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開平８−２０３８１７号公報に示す製造方法におい
ては、応力に起因する歪を対象としており、実際に転写
に用いるマスク上にパターンを描画する際の位置ずれを
補正するものではないので、個々のマスク毎に生じる位
置歪を補正することはできなかった。However, in the manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-203817, distortion due to stress is targeted, and when a pattern is actually drawn on a mask used for transfer. However, it is not possible to correct the positional distortion occurring for each individual mask because it is not for correcting the positional deviation.

【００１０】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたものであり、外乱による経時変化、Ｘ線マス
クを構成する材料のバイメタル効果、サポートリングの
磁化、ＥＢカセット装着、マークの計測方式の違い等に
起因して発生する、ＥＢ描画開始前に発生している位置
歪を補正し、高精度のＸ線マスク、あるいは半導体リソ
グラフィ用マスクを得ることを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and includes a temporal change due to a disturbance, a bimetal effect of a material constituting an X-ray mask, a support ring magnetization, EB cassette mounting, and mark measurement. An object of the present invention is to obtain a high-precision X-ray mask or a mask for semiconductor lithography by correcting positional distortion occurring before the start of EB drawing, which is caused due to a difference in the method.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の第１の方法によ
る半導体リソグラフィ用マスクの製造方法は、マスク基
板上のレジストに、ＥＢ描画装置によって転写パターン
を形成する工程を含む半導体リソグラフィ用マスクの製
造方法において、予めマスク上に所望の座標系で複数の
第１マークを作製する工程と、上記マスクがＥＢ描画装
置内で温度的に平衡状態に達した後、上記ＥＢ描画装置
にて上記複数の第１マークの位置関係を計測し、この計
測値と上記所望の座標系における位置関係とのずれより
第１の補正量であるマスクの位置歪を検出し、上記位置
歪を補償する位置に上記転写パターンを再配置して、描
画する工程とを備えたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an EB lithography apparatus. In the manufacturing method, a step of previously forming a plurality of first marks on a mask in a desired coordinate system, and after the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, The positional relationship of the first mark is measured, the positional distortion of the mask, which is the first correction amount, is detected from the difference between the measured value and the positional relationship in the desired coordinate system, and the position is corrected to the position where the positional distortion is compensated. Rearranging and drawing the transfer pattern.

【００１２】本発明の第２の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、マスク基板上のレジスト
に、ＥＢ描画装置によって転写パターンを形成する工程
を含む半導体リソグラフィ用マスクの製造方法におい
て、マスク上に複数の第１マークを作製し、上記マスク
がＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態に達した状態の上
記複数の第１マークの位置関係を得る工程と、上記複数
の第１マークを外部の座標計測装置で計測する工程と、
上記座標計測装置で計測された上記複数の第１マークの
計測値と、ＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態に達した
状態の上記複数の第１マークの位置関係とのずれより第
１の補正量であるマスクの位置歪を検出し、上記位置歪
を補償する位置に上記転写パターンを再配置して、描画
する工程とを備えたものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an EB drawing apparatus. Forming a plurality of first marks in the EB lithography apparatus to obtain a positional relationship between the plurality of first marks in a state where the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus; Measuring with a coordinate measuring device of
The first value is calculated based on a deviation between the measured values of the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device and the positional relationship of the plurality of first marks in a state where the temperature reached an equilibrium state in the EB lithography device. Detecting the positional distortion of the mask as the correction amount, rearranging the transfer pattern at a position where the positional distortion is compensated, and drawing.

【００１３】本発明の第３の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第２の方法において、
マスクがＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態に達した
後、複数の第１マークの位置関係をＥＢ描画装置にて計
測することにより、上記複数の第１マークの位置関係を
得るものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the steps of:
After the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of first marks is obtained by measuring the positional relationship between the plurality of first marks with the EB lithography apparatus. .

【００１４】本発明の第４の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第３の方法において、
複数の第１マークを外部の座標計測装置で計測後に、上
記複数の第１マークの位置関係をＥＢ描画装置にて計測
するものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the steps of:
After the plurality of first marks are measured by an external coordinate measuring device, the positional relationship between the plurality of first marks is measured by an EB drawing device.

【００１５】本発明の第５の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第２の方法において、
マスクがＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態に達した
後、上記マスク上に、複数の第１マークを作製すること
により、上記複数の第１マークの位置関係を得るもので
ある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the steps of:
After the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, a plurality of first marks are formed on the mask to obtain a positional relationship between the plurality of first marks.

【００１６】本発明の第６の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、マスク基板上のレジスト
に、ＥＢ描画装置によって転写パターンを形成する工程
を含む半導体リソグラフィ用マスクの製造方法におい
て、マスク上に作製した複数の第１マークのＥＢ描画装
置内での位置関係とＥＢ描画装置外での位置関係とを比
較し、マスクの位置歪を補償するために必要な第１の補
正量を得る工程と、ＥＢ描画装置により、マスク上に複
数の第２マークを作製した後、上記複数の第２マークの
位置関係を座標計測装置で計測して、マークを計測する
方法の違いに起因して発生するマスクの位置歪を補償す
るために必要な第２の補正量を得る工程と、第１の補正
量及び第２の補正量を用いて、マスクの位置歪を補償す
る位置に所望の転写パターンを再配置して、描画する工
程とを備えたものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an EB lithography apparatus. Comparing the positional relationship of the plurality of first marks prepared in the EB lithography apparatus with the positional relationship outside the EB lithography apparatus, and obtaining a first correction amount necessary for compensating the positional distortion of the mask. And a method for producing a plurality of second marks on a mask using an EB lithography apparatus, and then measuring the positional relationship between the plurality of second marks with a coordinate measuring apparatus to cause the mark to be measured. Obtaining a second correction amount necessary for compensating the positional distortion of the mask to be corrected, and using a first correction amount and a second correction amount to set a desired transfer pattern at a position where the positional distortion of the mask is compensated. And relocate over emissions, in which a process of drawing.

【００１７】本発明の第７の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第６の方法において、
複数の第２マークを、第１の補正量を加算した計算位置
に、ＥＢ描画装置により作製した後、この複数の第２マ
ークの位置関係を座標計測装置で計測し、この計測値と
上記計算位置とを比較して、マスクの位置歪を補償する
ために必要な第２の補正量を得るようにしたものであ
る。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising the steps of:
After producing a plurality of second marks at a calculated position to which the first correction amount has been added by an EB drawing apparatus, a positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring apparatus, and the measured value and the above calculated value are calculated. By comparing the position with the position, a second correction amount necessary for compensating for the positional distortion of the mask is obtained.

【００１８】本発明の第８の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第６の方法において、
ＥＢ描画装置により複数の第２マークした後、この複数
の第２マークの位置関係を座標計測装置で計測し、上記
第２マーク作製時における第２マークの座標位置に第１
の補正量を加算して得られた上記複数の第２マークの計
算位置と、上記座標計測装置で計測された上記複数の第
２マークの計測値とを比較して、マスクの位置歪を補償
するために必要な第２の補正量を得るようにしたもので
ある。The method of manufacturing a mask for semiconductor lithography according to the eighth method of the present invention is the method according to the sixth method, wherein
After a plurality of second marks are formed by the EB drawing device, the positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring device, and the first mark is added to the coordinate position of the second mark when the second mark is produced.
Comparing the calculated positions of the plurality of second marks obtained by adding the correction amounts of the above and the measured values of the plurality of second marks measured by the coordinate measuring device to compensate for the positional distortion of the mask. In this case, a second correction amount necessary for performing the correction is obtained.

【００１９】本発明の第９の方法による半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法は、上記第６ないし第８のいず
れかの方法において、温度的に平衡状態に達したマスク
上の複数の第１マークまたは複数の第２マークの位置関
係をＥＢ描画装置で計測し、この計測値と、座標計測装
置で計測された上記複数の第１マークまたは上記複数の
第２マークの計測値とを比較して再度第１の補正量を求
め、得られた第１の補正量と第２の補正量を用いて、マ
スクの位置歪を補償する位置に所望の転写パターンを再
配置して、描画するものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography according to any one of the sixth to eighth aspects, wherein the plurality of first marks or the plurality of first marks on the mask which have reached a temperature equilibrium state. The positional relationship between the plurality of second marks is measured by the EB drawing device, and the measured value is compared with the measured value of the plurality of first marks or the plurality of second marks measured by the coordinate measuring device, and is again measured. A first correction amount is obtained, and a desired transfer pattern is rearranged at a position for compensating positional distortion of a mask using the obtained first correction amount and second correction amount, and drawing is performed. .

【００２０】本発明の第１０の方法による半導体リソグ
ラフィ用マスクの製造方法は、マスクの位置歪を補償す
る位置に所望の転写パターンを再配置して、描画する
際、転写パターンデータを再変換して再配置するもので
ある。According to a tenth aspect of the present invention, in a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, a desired transfer pattern is rearranged at a position for compensating positional distortion of the mask, and when drawing, the transfer pattern data is converted again. And rearrange them.

【００２１】本発明の第１１の方法による半導体リソグ
ラフィ用マスクの製造方法は、マスクの位置歪を補償す
る位置に所望の転写パターンを再配置して、描画する
際、ＥＢ描画装置のステージ座標系を変更して再配置す
るものである。According to an eleventh method of the present invention for manufacturing a mask for semiconductor lithography, a desired transfer pattern is rearranged at a position for compensating positional distortion of the mask, and when drawing, a stage coordinate system of an EB drawing apparatus is used. Is changed and rearranged.

【００２２】本発明の第１２の方法による半導体リソグ
ラフィ用マスクの製造方法は、転写パターンの描画中、
複数の第１マークまたは複数の第２マークの少なくとも
片方の位置関係を定期的に計測し、ＥＢ描画装置のステ
ージ座標系を変更して再配置するものである。The method of manufacturing a mask for semiconductor lithography according to the twelfth method of the present invention includes the steps of:
The positional relationship of at least one of the plurality of first marks or the plurality of second marks is periodically measured, and the stage coordinate system of the EB drawing apparatus is changed and rearranged.

【００２３】本発明の半導体リソグラフィ用マスクは、
上記いずれかの製造方法により作製されたものである。The mask for semiconductor lithography of the present invention comprises:
It is manufactured by any one of the manufacturing methods described above.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明の実
施の形態１を説明する工程図である。このＸ線マスクの
製造方法としては、まず、シリコンウエハ上にメンブレ
ンを形成する。次に、メンブレン上にＸ線吸収体膜を形
成し、さらに、シリコンウエハをバックエッチして窓部
を形成する。次に、サポートリングをシリコンウエハの
下面に設置する。次に、Ｘ線吸収体膜上にレジスト膜を
塗布によって形成し、このレジスト膜にＥＢを用いてＸ
線吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを
描画する（ＥＢ描画）。本実施の形態１によるＥＢ描画
工程を図１に示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a process chart illustrating Embodiment 1 of the present invention. As a method of manufacturing the X-ray mask, first, a membrane is formed on a silicon wafer. Next, an X-ray absorber film is formed on the membrane, and the silicon wafer is back-etched to form a window. Next, the support ring is set on the lower surface of the silicon wafer. Next, a resist film is formed on the X-ray absorber film by coating, and X-ray is formed on the resist film using EB.
A resist pattern for forming a line absorber pattern is drawn (EB drawing). FIG. 1 shows an EB drawing process according to the first embodiment.

【００２５】図１において、工程Ｓ１１では、予めＸ線
マスク上に所望の座標系で形成された複数の第１マーク
を作製する。本実施の形態では光ステッパーで作製する
場合について説明する。Ｘ線吸収体膜上に設けられたレ
ジスト膜上に、光を用いた露光工程および現像工程によ
り、所望の座標系で作られたマーク作製用のマスクを用
いて、マーク作製用パターンを形成する。次に上記パタ
ーンが形成されたレジスト膜をマスクとしてＸ線吸収体
をエッチングにより除去することにより、Ｘ線吸収体に
アライメントマークとして作用する複数の開口部（第１
マーク）が形成される。その後レジスト膜を除去する。
図２（ａ）に作製された複数の開口部（第１マーク）の
一例を示す。図２において、９は第１マークである。Referring to FIG. 1, in step S11, a plurality of first marks are formed on an X-ray mask in advance in a desired coordinate system. In this embodiment mode, a case of manufacturing with an optical stepper will be described. A pattern for forming a mark is formed on a resist film provided on the X-ray absorber film by an exposure step using light and a development step using a mask for forming a mark formed in a desired coordinate system. . Next, the X-ray absorber is removed by etching using the resist film on which the pattern is formed as a mask, so that a plurality of openings (first portions) acting as alignment marks on the X-ray absorber are formed.
Mark) is formed. After that, the resist film is removed.
FIG. 2A shows an example of the plurality of openings (first marks) manufactured. In FIG. 2, reference numeral 9 denotes a first mark.

【００２６】工程Ｓ１２では、新たにレジスト膜を塗布
し、Ｘ線マスクをＥＢカセットに装着してＥＢ描画装置
内のステージに搬送する。ＥＢ描画装置内でＸ線マスク
が温度的に平衡状態に達した後、ＥＢ描画装置にて上記
複数の第１マークの位置関係を計測し、この計測値と所
望の座標系における複数の第１マークの位置関係とのず
れを求めることにより、Ｘ線マスクの位置歪を検出す
る。検出されたＸ線マスクの位置歪情報は、マスクの位
置歪を補償するために必要な補正量（第１の補正量）と
して用いられ、目的の位置に所望の転写パターンを再配
置して描画する。即ち、レジストパターン（転写パター
ン）のパターンデータを変換し、変換された新たなパタ
ーンデータが上記位置歪を補償する位置に描画されるよ
うにする。In step S12, a new resist film is applied, an X-ray mask is mounted on an EB cassette, and the EB cassette is transported to a stage in the EB lithography apparatus. After the X-ray mask reaches an equilibrium state in temperature in the EB lithography apparatus, the EB lithography apparatus measures the positional relationship between the plurality of first marks, and measures the measured value and the plurality of first marks in a desired coordinate system. The positional distortion of the X-ray mask is detected by calculating the deviation from the positional relationship between the marks. The detected positional distortion information of the X-ray mask is used as a correction amount (first correction amount) necessary for compensating for the positional distortion of the mask, and a desired transfer pattern is rearranged at a target position and drawn. I do. That is, the pattern data of the resist pattern (transfer pattern) is converted, and the converted new pattern data is drawn at a position where the positional distortion is compensated.

【００２７】本実施の形態１の方法により、外乱による
経時変化、バイメタル効果、サポートリングの磁化、及
びカセット装着歪２により発生するマスクの位置歪を補
正することができる。According to the method of the first embodiment, it is possible to correct the temporal change due to disturbance, the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the positional distortion of the mask caused by the cassette mounting distortion 2.

【００２８】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２による描画工程を説明する工程図である。図３におい
て、工程Ｓ２１では、予めＸ線マスク上に任意の座標系
で複数の第１マークを作製する。第１マークは光ステッ
パーで作製しても、ＥＢ描画装置で作製しても、別途形
成したマークをサンプルに貼り付けてもよい。ＥＢ描画
装置で形成する場合、温度的に平衡状態にしたＸ線マス
ク上に描画してもよい。工程２２では、作製された上記
複数の第１マークの位置関係を外部の座標計測装置で計
測する。工程２３では、新たにレジスト膜を塗布し、再
度、Ｘ線マスクをＥＢカセットに装着してＥＢ描画装置
内のステージに搬送する。ＥＢ描画装置内でＸ線マスク
が温度的に平衡状態に達した後、ＥＢ描画装置にて複数
の第１マークの位置関係を計測する。この時の複数の第
１マークの位置関係と、工程２２で座標計測装置により
計測された複数の第１マークの位置関係とのずれをみ
て、Ｘ線マスクの位置歪を検出する。検出されたＸ線マ
スクの位置歪情報を第１の補正量として用いて、上記位
置歪を補償する位置に所望の転写パターンを再配置して
描画する。Embodiment 2 FIG. 3 is a process diagram illustrating a drawing process according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, in a step S21, a plurality of first marks are prepared on an X-ray mask in an arbitrary coordinate system in advance. The first mark may be manufactured using an optical stepper, an EB lithography apparatus, or a separately formed mark may be attached to the sample. In the case of forming with an EB lithography apparatus, the lithography may be performed on an X-ray mask in a temperature equilibrium state. In step 22, the positional relationship between the produced plurality of first marks is measured by an external coordinate measuring device. In step 23, a new resist film is applied, and the X-ray mask is mounted on the EB cassette again and transported to the stage in the EB drawing apparatus. After the X-ray mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, the EB lithography apparatus measures the positional relationship between the plurality of first marks. The positional distortion of the X-ray mask is detected by looking at the deviation between the positional relationship between the plurality of first marks and the positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device in step 22. Using the detected positional distortion information of the X-ray mask as a first correction amount, a desired transfer pattern is rearranged and drawn at a position where the positional distortion is compensated.

【００２９】第１マークは任意の座標系で作製されてお
り、基準となる外部の座標計測装置で第１マークの位置
関係が計測されることで、所望の座標系における位置座
標が分かる。また、ＥＢ描画装置で第１マークの位置を
計測して、上記所望の座標系における位置座標と比較す
ることにより、Ｘ線マスクの位置歪が検出できる。従っ
て、目的の位置に所望の転写パターンを形成するために
必要な補正量がわかる。The first mark is made in an arbitrary coordinate system, and the positional coordinates in the desired coordinate system can be determined by measuring the positional relationship of the first mark with an external coordinate measuring device serving as a reference. Also, the position distortion of the X-ray mask can be detected by measuring the position of the first mark with the EB drawing apparatus and comparing the measured position with the position coordinates in the desired coordinate system. Therefore, the correction amount required to form a desired transfer pattern at a target position can be determined.

【００３０】本実施の形態２の方法により、外乱による
経時変化、バイメタル効果、サポートリングの磁化、及
びカセット装着歪２により発生するマスクの位置歪を補
正することができる。According to the method of the second embodiment, it is possible to correct the temporal change due to disturbance, the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the positional distortion of the mask caused by the cassette mounting distortion 2.

【００３１】なお、第１マークの作製・計測順序は、レ
ジストパターン形成、座標計測装置で計測、エッチン
グ、レジスト再塗布、ＥＢ描画装置で計測の順で実施し
ても、レジストパターン形成、エッチング、レジスト再
塗布、座標計測装置で計測、ＥＢ描画装置で計測の順で
実施しても、レジストパターン形成、エッチング、座標
計測装置で計測、レジスト再塗布、ＥＢ描画装置で計測
の順で実施しても、良い。The first mark can be formed and measured in the order of resist pattern formation, measurement by a coordinate measuring device, etching, resist recoating, and measurement by an EB lithography device. Even if it is performed in the order of resist recoating, measurement with the coordinate measuring device, and measurement with the EB drawing device, it is performed in the order of resist pattern formation, etching, measurement with the coordinate measuring device, resist recoating, and measurement with the EB drawing device. Also good.

【００３２】実施の形態３．図４は本発明の実施の形態
３による描画工程を説明する工程図である。図４におい
て、工程Ｓ３１では、レジスト膜が塗布されたＸ線マス
クをＥＢカセットに装着してＥＢ描画装置内のステージ
に搬送し、ＥＢ描画装置内でＸ線マスクが、転写パター
ン描画時と同じ温度平衡状態に達した後、ＥＢ描画装置
にて複数の第１マークを作製する。即ち、Ｘ線吸収体膜
上に設けられたレジスト膜上に、ＥＢを用いた露光工程
および現像工程により、所定のマーク作製用パターンを
形成する。次に上記パターンが形成されたレジスト膜を
マスクとしてＸ線吸収体をエッチングにより除去するこ
とにより、Ｘ線吸収体にアライメントマークとして作用
する複数の開口部が形成される。その後レジスト膜を除
去する。Embodiment 3 FIG. FIG. 4 is a process chart for explaining a drawing process according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 4, in a step S31, an X-ray mask coated with a resist film is mounted on an EB cassette and transported to a stage in an EB lithography apparatus. After reaching the temperature equilibrium state, a plurality of first marks are produced by the EB lithography apparatus. That is, a predetermined mark forming pattern is formed on the resist film provided on the X-ray absorber film by an exposure process and a development process using EB. Next, the X-ray absorber is removed by etching using the resist film on which the pattern is formed as a mask, so that a plurality of openings serving as alignment marks are formed in the X-ray absorber. After that, the resist film is removed.

【００３３】工程Ｓ３２では、Ｘ線マスクをＥＢ描画装
置内より外部に搬出し、作製された複数の第１マークの
位置関係を外部の座標計測装置で計測する。この時の複
数の第１マークの位置関係と、ＥＢ描画装置内で作製さ
れたときの複数の第１マークの座標位置とのずれをみ
て、第１の補正量であるＸ線マスクの位置歪を検出す
る。In step S32, the X-ray mask is carried out of the EB lithography apparatus to the outside, and the positional relationship between the plurality of first marks produced is measured by an external coordinate measuring apparatus. The positional relationship between the plurality of first marks at this time and the coordinate position of the plurality of first marks produced in the EB lithography apparatus are viewed, and the positional correction of the X-ray mask as the first correction amount is performed. Is detected.

【００３４】工程Ｓ３３では、新たにレジスト膜を塗布
し、再度、Ｘ線マスクをＥＢカセットに装着してＥＢ描
画装置内のステージに搬送する。ＥＢ描画装置内でＸ線
マスクが温度的に平衡状態に達した後、第１の補正量を
用いて上記位置歪を補償する位置に所望の転写パターン
を再配置して描画する。In step S33, a new resist film is applied, and the X-ray mask is mounted on the EB cassette again and transported to the stage in the EB drawing apparatus. After the X-ray mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, a desired transfer pattern is rearranged to a position where the above-mentioned positional distortion is compensated using the first correction amount, and writing is performed.

【００３５】第１マークはＥＢ描画装置により既知の座
標系（温度的には平衡状態）で作製されており、基準と
なる外部の座標計測装置で計測することで、目的の位置
に所望の転写パターンを形成するために必要な補正量が
わかる。本実施の形態３の方法により、バイメタル効
果、サポートリングの磁化、及びカセット装着歪１によ
り発生するマスクの位置歪を補正することができる。The first mark is produced by an EB drawing apparatus in a known coordinate system (equilibrium state in terms of temperature), and is measured at an external coordinate measuring apparatus serving as a reference to obtain a desired transfer to a target position. The amount of correction required to form a pattern is known. According to the method of the third embodiment, the positional distortion of the mask caused by the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the cassette mounting distortion 1 can be corrected.

【００３６】なお、第１マークの作製・計測順序は、Ｅ
Ｂ描画装置で描画、現像、座標計測装置で計測の順で実
施しても、ＥＢ描画装置で描画、現像、エッチング、座
標計測装置で計測、レジスト再塗布の順で実施しても、
ＥＢ描画装置で描画、現像、エッチング、レジスト再塗
布、座標計測装置で計測の順で実施しても良い。The order of production and measurement of the first mark is E
Even if it is carried out in the order of drawing with the B drawing device, development, and measurement with the coordinate measuring device, it is possible to carry out drawing with the EB drawing device, development, etching, measurement with the coordinate measuring device, and re-application of the resist,
The drawing may be performed in the order of drawing, development, etching, resist re-coating by the EB drawing device, and measurement by the coordinate measuring device.

【００３７】実施の形態４．図５は本発明の実施の形態
４による描画工程を説明する工程図である。図５におい
て、工程Ｓ４１では、予めＸ線マスク上に任意の座標系
で複数の第１マークを作製する。第１マークは光ステッ
パーで作製しても、ＥＢ描画装置で作製しても、別途形
成したマークをサンプルに貼り付けてもよい。また、Ｅ
Ｂ描画装置で形成する場合、温度的に平衡状態にしたＸ
線マスク上に描画してもよい。工程Ｓ４２では、作製し
た第１マークを外部の座標計測装置にて計測する。工程
Ｓ４３では、レジスト塗布済みのＸ線マスクを、ＥＢ描
画装置内に設置し、温度的に平衡状態に達したＸ線マス
ク上の複数の第１マークをＥＢ描画装置で計測する。こ
の時の複数の第１マークの位置関係と、工程Ｓ４２で座
標計測装置により計測された複数の第１マークの位置関
係とのずれを求める。このずれは、外乱による経時変
化、バイメタル効果、サポートリングの磁化、及びカセ
ット装着歪２により発生するマスクの位置歪を補償する
ために必要な補正量（第１の補正量）である。得られた
第１の補正量を複数の第２マークのマスクパターンに加
算し、加算されたマスクパターンの計算位置に、上記マ
スクパターンを再配置し、ＥＢ描画装置により複数の第
２マークを描画する。工程Ｓ４４では、作成された複数
の第２マークを現像する。工程Ｓ４５では、外部の座標
計測装置により、上記複数の第２マークの位置関係を計
測し、計測された複数の第２マークの計測値と、第１の
補正量を加算して形成された複数の第２マークの位置関
係とのずれを求める。工程Ｓ４３で座標計測装置及びＥ
Ｂ描画装置により計測して得られた第１マークの位置関
係を比較して、第１の補正量を求め、この補正量を第２
マークの描画位置に加算してから第２マークを描画する
ため、第２マークの位置は、外乱による経時変化、バイ
メタル効果、サポートリングの磁化、及びカセット装着
歪２により発生するマスク歪に対して補償されている。
従って、工程Ｓ４５で座標計測装置により実測した際の
第２マークの位置関係と第１の補正量を加算して補正さ
れた位置関係との違いは、座標計測装置及びＥＢ描画装
置の計測方式の差による見え方の違いによる誤差であ
り、座標計測装置とＥＢ描画装置との計測方式の差によ
る位置歪を補償するために必要な補正量（第２の補正
量）である。工程Ｓ４６では、ＥＢ描画装置内のステー
ジに再度Ｘ線マスクを搬送し、Ｘ線マスクが温度的に平
衡状態に達した後、ＥＢ描画装置にて複数の第１マーク
の位置を計測する。この時の複数の第１マークの位置関
係と、工程Ｓ４２で座標計測装置により計測された複数
の第１マークの位置関係とのずれを求める。このずれ
は、第１の補正量と同様のものであるが、工程Ｓ４５で
外部の座標計測装置で第２マークを計測した後、工程Ｓ
４６で再度ＥＢ描画装置に挿入する間に発生した外乱に
よる経時変化、及びカセット装着歪２により発生するマ
スクの位置歪も補正する新たな第１の補正量である。得
られた第１の補正量と、工程Ｓ４５で得られた第２の補
正量とを加算し、加算された補正量に基づいて、目的の
位置に所望の転写パターンを再配置して描画する。Embodiment 4 FIG. FIG. 5 is a process chart illustrating a drawing process according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 5, in a step S41, a plurality of first marks are prepared on an X-ray mask in an arbitrary coordinate system in advance. The first mark may be manufactured using an optical stepper, an EB lithography apparatus, or a separately formed mark may be attached to the sample. Also, E
When forming with a B drawing apparatus, X
It may be drawn on a line mask. In step S42, the produced first mark is measured by an external coordinate measuring device. In step S43, the X-ray mask on which the resist has been applied is placed in the EB lithography apparatus, and a plurality of first marks on the X-ray mask that have reached a temperature equilibrium state are measured by the EB lithography apparatus. A deviation between the positional relationship between the plurality of first marks at this time and the positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device in step S42 is determined. This deviation is a correction amount (first correction amount) required to compensate for the positional change of the mask caused by the temporal change due to disturbance, the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the cassette mounting distortion 2. The obtained first correction amount is added to the mask patterns of the plurality of second marks, the mask pattern is rearranged at the calculated position of the added mask pattern, and the plurality of second marks are drawn by the EB drawing apparatus. I do. In step S44, the plurality of created second marks are developed. In step S45, the external coordinate measuring device measures the positional relationship between the plurality of second marks, and adds the measured values of the plurality of second marks and the first correction amount to form the plurality of marks. Is determined from the positional relationship of the second mark. In step S43, the coordinate measuring device and E
The first correction amount is obtained by comparing the positional relationship of the first marks obtained by the measurement with the B drawing apparatus, and this correction amount is determined by the second correction amount.
Since the second mark is drawn after being added to the drawing position of the mark, the position of the second mark is changed with respect to the temporal change due to disturbance, the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the mask distortion generated by the cassette mounting distortion 2. Compensated.
Therefore, the difference between the positional relationship of the second mark actually measured by the coordinate measuring device in step S45 and the positional relationship corrected by adding the first correction amount depends on the measurement method of the coordinate measuring device and the EB drawing device. This is an error due to a difference in appearance due to the difference, and is a correction amount (second correction amount) necessary to compensate for positional distortion due to a difference in measurement method between the coordinate measuring device and the EB drawing device. In step S46, the X-ray mask is transported again to the stage in the EB lithography apparatus, and after the X-ray mask reaches a temperature equilibrium state, the positions of the plurality of first marks are measured by the EB lithography apparatus. A deviation between the positional relationship between the plurality of first marks at this time and the positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device in step S42 is determined. This shift is the same as the first correction amount. However, after measuring the second mark with an external coordinate measuring device in step S45, the process proceeds to step S45.
This is a new first correction amount for correcting a temporal change due to a disturbance generated during the reinsertion into the EB drawing apparatus at 46 and a mask positional distortion caused by the cassette mounting distortion 2. The obtained first correction amount and the second correction amount obtained in step S45 are added, and based on the added correction amount, a desired transfer pattern is rearranged and drawn at a target position. .

【００３８】図６は本発明の実施の形態４による他の描
画工程を説明する工程図である。図５においては、工程
Ｓ４４で第２マークを現像のみで形成したが、図６にお
いては、工程Ｓ４７で第２マークを現像とエッチングで
形成し、その後、レジストを再塗布している。また、図
６では、工程Ｓ４８で、第１マークもしくは第２マーク
の少なくとも一方を計測している。第２マークを計測し
た場合は、計測された複数の第２マークの位置関係と、
工程Ｓ４５で座標計測装置により計測された複数の第２
マークの位置関係とのずれを求め、外乱による経時変
化、バイメタル効果、サポートリングの磁化、及びカセ
ット装着歪２により発生するマスクの位置歪を補償する
ために必要な補正量（第１の補正量）を得、この補正量
と、工程Ｓ４５で得られた第２の補正量とを加算し、加
算された補正量に基づいて、目的の位置に所望の転写パ
ターンを再配置して描画する。FIG. 6 is a process chart for explaining another drawing process according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 5, the second mark is formed only by development in step S44, but in FIG. 6, the second mark is formed by development and etching in step S47, and then the resist is applied again. In FIG. 6, at step S48, at least one of the first mark and the second mark is measured. When the second mark is measured, the positional relationship between the plurality of measured second marks and
The plurality of second sensors measured by the coordinate measuring device in step S45
A deviation from the positional relationship between the marks is obtained, and a correction amount (first correction amount) necessary for compensating a temporal change due to a disturbance, a bimetal effect, a magnetization of the support ring, and a positional distortion of the mask caused by the cassette mounting distortion 2 (first correction amount) ), The correction amount is added to the second correction amount obtained in step S45, and based on the added correction amount, a desired transfer pattern is rearranged and drawn at a target position.

【００３９】なお、図６において、第２マーク現像後、
座標計測装置で計測、エッチング、レジスト再塗布して
も、第２マーク現像、エッチング後、座標計測装置で計
測、レジスト再塗布の順で実施してもよい。In FIG. 6, after the development of the second mark,
The measurement, etching, and re-application of the resist may be performed by the coordinate measurement device, or the measurement and the re-application of the resist may be performed in the order of the second mark development and etching, the measurement by the coordinate measurement device.

【００４０】実施の形態５．図７は本発明の実施の形態
５による描画工程を説明する工程図である。図７におい
て、工程Ｓ５１では、予めＸ線マスク上に任意の座標系
で複数の第１マークを作製する。第１マークは光ステッ
パーで作製しても、ＥＢ描画装置で作製しても、別途形
成したマークをサンプルに貼り付けてもよい。また、Ｅ
Ｂ描画装置で形成する場合、温度的に平衡状態にしたＸ
線マスク上に描画してもよい。工程５２では、上記複数
の第１マークが作製され、かつレジスト塗布済みのＸ線
マスクを、ＥＢ描画装置内に設置し、上記複数の第１マ
ークの位置関係をＥＢ描画装置で計測すると共に、レジ
スト塗布済みのＸ線マスク上に既知の座標系で複数の第
２マークを形成する。工程５３では、Ｘ線マスクを外部
に取り出して上記複数の第２マークを現像する。工程Ｓ
５４では、座標計測装置により複数の第１マークの位置
関係及び複数の第２マークの位置関係を計測し、計測さ
れた複数の第１マークの位置関係と、工程Ｓ５２で計測
された複数の第１マークの位置関係とのずれより第１の
補正量を求めるとともに、第２マーク作製時に得られる
複数の第２マークの座標位置に上記第１の補正量を加え
て計算した複数の第２マークの位置関係と座標計測装置
で計測された第２マークの計測値とを比較し、この誤差
を求める。これは、座標計測装置とＥＢ描画装置との計
測方式の差による位置歪を補償するために必要な補正量
（第２の補正量）である。工程Ｓ５５では、ＥＢ描画装
置内のステージに再度Ｘ線マスクを搬送し、Ｘ線マスク
が温度的に平衡状態に達した後、ＥＢ描画装置にて複数
の第１マークの位置を計測する。この時の複数の第１マ
ークの位置関係と、工程Ｓ５４で座標計測装置により計
測された複数の第１マークの位置関係とのずれを求め
る。このずれは、第１の補正量と同様のものであるが、
工程Ｓ４５で外部の座標計測装置で第２マークを計測し
た後、工程Ｓ４６で再度ＥＢ描画装置に挿入する間に発
生した外乱による経時変化、及びカセット装着により発
生するマスクの位置歪も補正する新たな第１の補正量で
ある。この第１の補正量と、工程Ｓ５４で得られた第２
の補正量とを加算することにより、トータルの補正量を
求める。得られたトータルの補正量に基づいて、目的の
位置に所望のパターンを再配置して描画する。Embodiment 5 FIG. 7 is a process diagram illustrating a drawing process according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 7, in a step S51, a plurality of first marks are prepared on an X-ray mask in an arbitrary coordinate system in advance. The first mark may be manufactured using an optical stepper, an EB lithography apparatus, or a separately formed mark may be attached to the sample. Also, E
When forming with a B drawing apparatus, X
It may be drawn on a line mask. In step 52, the X-ray mask on which the plurality of first marks have been produced and the resist has been applied is placed in an EB lithography apparatus, and the positional relationship between the plurality of first marks is measured by the EB lithography apparatus. A plurality of second marks are formed on the resist-coated X-ray mask in a known coordinate system. In step 53, the X-ray mask is taken out to develop the plurality of second marks. Process S
At 54, the positional relationship between the plurality of first marks and the positional relationship between the plurality of second marks are measured by the coordinate measuring device, and the positional relationship between the plurality of first marks measured and the plurality of first marks measured at step S52. A plurality of second marks calculated by adding the first correction amount to the coordinate positions of the plurality of second marks obtained at the time of producing the second mark while obtaining a first correction amount from a deviation from the positional relationship of one mark. Is compared with the measured value of the second mark measured by the coordinate measuring device to determine the error. This is a correction amount (second correction amount) required to compensate for position distortion due to a difference in measurement method between the coordinate measuring device and the EB drawing device. In step S55, the X-ray mask is transported to the stage in the EB lithography apparatus again, and after the X-ray mask reaches a temperature equilibrium state, the positions of the plurality of first marks are measured by the EB lithography apparatus. A deviation between the positional relationship between the plurality of first marks at this time and the positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device in step S54 is determined. This shift is similar to the first correction amount,
After the second mark is measured by the external coordinate measuring device in step S45, a change over time due to a disturbance generated during the re-insertion into the EB drawing device in step S46, and a positional distortion of the mask caused by mounting the cassette are also corrected. This is the first correction amount. The first correction amount and the second correction amount obtained in step S54
The total correction amount is obtained by adding the correction amounts of the above. Based on the obtained total correction amount, a desired pattern is rearranged and drawn at a target position.

【００４１】本実施の形態では、座標計測装置による複
数の第１マークの計測と複数の第２マークの計測とを、
工程５４において一度に実施できるので、マスクの製造
工程が容易となる。In the present embodiment, the measurement of the plurality of first marks and the measurement of the plurality of second marks by the coordinate measuring device are
Since it can be carried out at once in step 54, the manufacturing process of the mask is facilitated.

【００４２】図８は本発明の実施の形態５による他の描
画工程を説明する工程図である。図７においては、工程
Ｓ５３で第２マークを現像のみで形成したが、図８にお
いては、工程Ｓ５６で第２マークを現像とエッチングで
形成している。また、図８では、工程Ｓ５７でレジスト
を再塗布し、工程６８で第１マークもしくは第２マーク
の少なくとも一方を計測している。第２マークを計測し
た場合は、計測された複数の第２マークの位置関係と、
工程６４で座標計測装置により計測された複数の第２マ
ークの位置関係とのずれを求め、外乱による経時変化、
バイメタル効果、サポートリングの磁化、及びカセット
装着歪２により発生するマスクの位置歪を補償するため
に必要な補正量（第１の補正量）を得、この補正量と、
工程Ｓ５４で得られた第２の補正量とを加算し、加算さ
れた補正量に基づいて、目的の位置に所望の転写パター
ンを再配置して描画する。なお、図８において、レジス
ト再塗布はエッチング直後に実施してもよい。FIG. 8 is a process chart for explaining another drawing process according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 7, the second mark is formed only by development in step S53, but in FIG. 8, the second mark is formed by development and etching in step S56. In FIG. 8, the resist is applied again in step S57, and at least one of the first mark and the second mark is measured in step 68. When the second mark is measured, the positional relationship between the plurality of measured second marks and
In step 64, a deviation from the positional relationship between the plurality of second marks measured by the coordinate measuring device is determined, and a change with time due to disturbance,
A correction amount (first correction amount) necessary for compensating for the mask distortion caused by the bimetal effect, the magnetization of the support ring, and the cassette mounting distortion 2 is obtained.
The second correction amount obtained in step S54 is added, and a desired transfer pattern is rearranged and drawn at a target position based on the added correction amount. In FIG. 8, the re-application of the resist may be performed immediately after the etching.

【００４３】なお、上記実施の形態４、５において、複
数の第１マークはＸ線マスク上に任意の座標系で作製
し、上記複数の第１マークの位置関係をＥＢ描画装置お
よび座標計測装置で計測して第１の補正量を得るように
したが、実施の形態１または実施の形態３に示すよう
に、所望の座標系または既知の座標系で複数の第１マー
クを作製し、作製時の位置情報を基に、第１の補正量を
求めるようにしてもよい。In the fourth and fifth embodiments, a plurality of first marks are formed on an X-ray mask in an arbitrary coordinate system, and the positional relationship between the plurality of first marks is determined by an EB drawing apparatus and a coordinate measuring apparatus. In the first or third embodiment, a plurality of first marks are formed in a desired coordinate system or a known coordinate system, and the first correction amount is obtained by measuring the first correction amount. The first correction amount may be obtained based on the time position information.

【００４４】また、上記実施の形態４、５においては、
新たな第１の補正量と第２の補正量を所望の転写パター
ン位置に加算してから描画しているが、更新する前の元
の第１の補正量と第２の補正量を所望の転写パターン位
置に加算してから描画してもよい。その場合、再度ＥＢ
描画装置にマスクを挿入する間に発生した外乱による経
時変化、およびカセット装着歪２により発生するマスク
の位置歪は補正できないが、バイメタル効果、サポート
リングの磁化、及びカセット装着歪１により発生するマ
スクの位置歪を補償することは可能となる。In Embodiments 4 and 5,
Although the drawing is performed after the new first correction amount and the new correction amount are added to the desired transfer pattern position, the original first correction amount and the second correction amount before updating are set to the desired values. Drawing may be performed after adding to the transfer pattern position. In that case, EB again
A temporal change due to a disturbance generated while the mask is being inserted into the drawing apparatus and a positional distortion of the mask caused by the cassette mounting distortion 2 cannot be corrected. However, a bimetal effect, a magnetization of the support ring, and a mask mounting distortion 1 caused by the cassette mounting distortion. Can be compensated for.

【００４５】実施の形態６．上記各実施の形態におい
て、目的の位置に所望のパターンを再配置する際、パタ
ーンデータを再変換し、再配置したパターンを用いて歪
を補償する位置に描画したが、補正の方法は、得られた
補正量をｎ次式でフィッティングし、フィッティング曲
線に従って転写パターンを再配置しても、得られた補正
量から内挿して個々の転写パターンを再配置してもよ
い。また、転写パターンの再配置は個々の転写パターン
毎に行っても、フィールド毎に行ってもよい。これらは
ステージの座標係数の補正式に制限されないため、より
高精度なマスクの作製が可能である。Embodiment 6 FIG. In each of the above embodiments, when rearranging a desired pattern at a target position, pattern data is reconverted and drawn at a position where distortion is compensated using the rearranged pattern. The obtained correction amounts may be fitted by the n-th order equation, and the transfer patterns may be rearranged according to the fitting curve, or the individual transfer patterns may be rearranged by interpolation from the obtained correction amounts. The transfer pattern may be rearranged for each individual transfer pattern or for each field. Since these are not limited to the correction formula of the coordinate coefficients of the stage, it is possible to manufacture a mask with higher accuracy.

【００４６】また、目的の位置に所望のパターンを再配
置する際、パターンデータを再変換せず、ＥＢ描画装置
のステージ座標系を変更して歪を補償する位置に描画し
てもよい。補正の方法はステージの座標係数の補正式に
制限されるが、データを再変換する必要がない。When a desired pattern is rearranged at a target position, the pattern data may not be re-converted, but may be drawn at a position where distortion is compensated by changing the stage coordinate system of the EB drawing apparatus. Although the correction method is limited to the correction formula of the coordinate coefficients of the stage, there is no need to re-convert the data.

【００４７】実施の形態７．上記各実施の形態におい
て、所望のパターンを描画する場合において、描画中、
第１マークもしくは第２マークの位置関係を定期的に計
測し、計測の都度、所望の位置からのずれ量を求め、ず
れ量を補償する位置にＥＢ描画装置のステージ座標系を
変更して描画してもよい。このようにすれば、描画中、
外部環境が緩やかに変化しても、その影響を補償する位
置に所望のパターンを描画しているため、高精度なマス
クの作製が可能となる。Embodiment 7 FIG. In each of the above embodiments, when drawing a desired pattern,
The positional relationship between the first mark and the second mark is periodically measured, a deviation amount from a desired position is obtained at each measurement, and the stage coordinate system of the EB drawing apparatus is changed to a position where the deviation amount is compensated for. May be. This way, while drawing,
Even if the external environment changes slowly, a desired pattern is drawn at a position where the influence is compensated, so that a highly accurate mask can be manufactured.

【００４８】また、上記各実施の形態においては、Ｘ線
マスク及びＸ線マスクの製造方法に関して記載したが、
半導体製造プロセスのマスク作製全般、特にＥＵＶＬ
（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔＬｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ）用のマスクや、ＰＲＥＶＡＩＬ（Ｐｒ
ｏｊｅｃｔｉｏｎＲｅｄｕｃｔｉｏｎＥｘｐｏｓｕ
ｒｅｗｉｔｈＶａｒｉａｂｌｅＡｘｉｓＩｍｍ
ｅｒｓｉｉｏｎＬｅｎｓｅｓ）、ＳＣＡＬＰＥＬ（Ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇｗｉｔｈＡｎｇｕｌａｒＬｉｍ
ｉｔａｔｉｏｎＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒ
ｏｎＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などのＥＢ（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＢｅａｍ）ステッパー用のマスク作製に対し
て当然のことながら適用できる。In each of the above embodiments, the X-ray mask and the method of manufacturing the X-ray mask have been described.
General mask production in semiconductor manufacturing process, especially EUVL
(Extreme Ultraviolet Lith
(OGRAPHY) mask and PREVAIL (Pr
objection Reduction Expo
re with Variable Axis Imm
area Lenses), SCALPEL (S
catering with AngularLim
itation Projection Electr
on lithography (EB)
It can be naturally applied to the production of a mask for a (tron beam) stepper.

【００４９】また、第１マークは、図２（ａ）に示すよ
うな位置に開口部を設けて形成したが、図２（ｂ）に示
すような位置であってもよく、またマークの形状は開口
部でなくとも、図２（ｂ）に示すようパターンであって
もよい。Although the first mark is formed by providing an opening at a position as shown in FIG. 2A, the first mark may be formed at a position as shown in FIG. May be a pattern as shown in FIG.

【００５０】また、上記各実施の形態においては、マス
ク上に複数の第１マーク、あるいは複数の第１マークと
複数の第２マークを作製し、各マークにおける位置関係
のずれより第１の補正量または第２の補正量を求め、外
乱による経時変化、Ｘ線マスクを構成する材料のバイメ
タル効果、サポートリングの磁化、ＥＢカセット装着、
マークの計測方式の違い等に起因して発生する、ＥＢ描
画開始前に発生している位置歪を補正するようにした
が、このような補正に加え、さらに従来行われていたよ
うな、薄膜材料の応力が起因して発生する位置歪を補正
するようにしてもよい。In each of the above embodiments, a plurality of first marks, or a plurality of first marks and a plurality of second marks are formed on a mask, and the first correction is performed based on the positional relationship between the marks. The amount or the second correction amount is obtained, and the change with time due to disturbance, the bimetal effect of the material constituting the X-ray mask, the magnetization of the support ring, the mounting of the EB cassette,
The position distortion generated before the start of the EB drawing, which is caused by the difference in the mark measurement method, is corrected. In addition to such correction, a thin film as conventionally performed is further corrected. Positional distortion generated due to material stress may be corrected.

【００５１】[0051]

【発明の効果】以上のように、本発明の半導体リソグラ
フィ用マスクの製造方法によれば、予めマスク上に所望
の座標系で複数の第１マークを作製する工程と、上記マ
スクがＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態に達した後、
上記ＥＢ描画装置にて上記複数の第１マークの位置関係
を計測し、この計測値と上記所望の座標系における位置
関係とのずれより第１の補正量であるマスクの位置歪を
検出し、上記位置歪を補償する位置に転写パターンを再
配置して、描画する工程とを備えたので、外乱による経
時変化、Ｘ線マスクを構成する材料のバイメタル効果、
サポートリングの磁化、ＥＢカセット装着歪２に起因し
て発生する位置歪を補正することができるため、高精度
のＸ線マスク、あるいは半導体リソグラフィ用マスクを
得ることができる。As described above, according to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, a step of previously forming a plurality of first marks on a mask in a desired coordinate system, After reaching a temperature equilibrium within
The EB drawing apparatus measures the positional relationship between the plurality of first marks, and detects a positional distortion of the mask, which is a first correction amount, from a difference between the measured value and the positional relationship in the desired coordinate system, A step of rearranging the transfer pattern at a position for compensating for the positional distortion and drawing, so that a change with time due to disturbance, a bimetal effect of a material constituting the X-ray mask,
Since the positional distortion caused by the magnetization of the support ring and the EB cassette mounting distortion 2 can be corrected, a highly accurate X-ray mask or a semiconductor lithography mask can be obtained.

【００５２】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスク上に複数の第１マークを
作製し、上記マスクがＥＢ描画装置内で温度的に平衡状
態に達した状態の上記複数の第１マークの位置関係を得
る工程と、上記複数の第１マークを外部の座標計測装置
で計測する工程と、上記座標計測装置で計測された上記
複数の第１マークの位置関係と、ＥＢ描画装置内で温度
的に平衡状態に達した状態の上記複数の第１マークの位
置関係とのずれより第１の補正量であるマスクの位置歪
を検出し、上記位置歪を補償する位置に転写パターンを
再配置して、描画する工程とを備えたので、Ｘ線マスク
を構成する材料のバイメタル効果、サポートリングの磁
化、カセット装着に起因して発生する位置歪を補正する
ことができるため、高精度のＸ線マスク、あるいは半導
体リソグラフィ用マスクを得ることができる。Further, according to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, a plurality of first marks are formed on a mask, and the mask is brought into a state of equilibrium in temperature in an EB lithography apparatus. Obtaining a positional relationship between the plurality of first marks, a step of measuring the plurality of first marks with an external coordinate measuring device, a positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device, A position for compensating for the positional distortion by detecting a positional distortion of the mask, which is a first correction amount, from a deviation from a positional relationship between the plurality of first marks in a state where the temperature has reached an equilibrium state in the EB lithography apparatus. And the step of drawing the image by rearranging the transfer pattern in the X-ray mask, so that it is possible to correct the bimetal effect of the material constituting the X-ray mask, the magnetization of the support ring, and the positional distortion caused by mounting the cassette. For Precision X-ray mask, or it is possible to obtain the semiconductor lithography mask.

【００５３】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスクがＥＢ描画装置内で温度
的に平衡状態に達した後、上記複数の第１マークの位置
関係をＥＢ描画装置にて計測することにより、複数の第
１マークの位置関係を得るので、複数の第１マークを作
製する際に、ＥＢ描画装置内で温度的に平衡状態でなく
ても良いので、補正のための時間が短縮できる効果があ
る。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, after the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of first marks is transferred to the EB lithography apparatus. Since the positional relationship between the plurality of first marks is obtained by performing the measurement, the temperature does not need to be in an equilibrium state in the EB lithography apparatus when producing the plurality of first marks. This has the effect of reducing time.

【００５４】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、上記複数の第１マークを外部の
座標計測装置で計測後に、上記複数の第１マークの位置
関係をＥＢ描画装置にて計測するので、外乱による経時
変化、Ｘ線マスクを構成する材料のバイメタル効果、サ
ポートリングの磁化、カセット装着歪２に起因して発生
する位置歪を補正することができる。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, after the plurality of first marks are measured by an external coordinate measuring device, the positional relationship between the plurality of first marks is determined by an EB drawing device. Since the measurement is performed, it is possible to correct a temporal change due to a disturbance, a bimetal effect of a material forming the X-ray mask, a magnetization of the support ring, and a positional distortion generated due to the cassette mounting distortion 2.

【００５５】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスクがＥＢ描画装置内で温度
的に平衡状態に達した後、上記マスク上に、上記複数の
第１マークを作製することにより、複数の第１マークの
位置関係を得るので、ＥＢ描画装置内で、上記複数の第
１マークの位置関係を計測する必要がなく、工程が簡略
化する。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, after the mask reaches a temperature equilibrium state in the EB lithography apparatus, the plurality of first marks are formed on the mask. Thus, since the positional relationship between the plurality of first marks is obtained, it is not necessary to measure the positional relationship between the plurality of first marks in the EB drawing apparatus, and the process is simplified.

【００５６】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスク上に作製した複数の第１
マークのＥＢ描画装置内での位置関係とＥＢ描画装置外
での位置関係とを比較し、マスクの位置歪を補償するた
めに必要な第１の補正量を得る工程と、ＥＢ描画装置に
より、マスク上に複数の第２マークを作製した後、上記
複数の第２マークの位置関係を座標計測装置で計測し
て、マークを計測する方法の違いに起因して発生するマ
スクの位置歪を補償するために必要な第２の補正量を得
る工程と、第１の補正量及び第２の補正量を用いて、マ
スクの位置歪を補償する位置に所望の転写パターンを再
配置して、描画する工程とを備えたので、Ｘ線マスクを
構成する材料のバイメタル効果、サポートリングの磁
化、ＥＢカセット装着歪１、マークの計測方式の違いに
起因して発生する位置歪を補正することができるため、
高精度のＸ線マスク、あるいは半導体リソグラフィ用マ
スクを得ることができる。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, a plurality of first
Comparing the positional relationship of the mark inside the EB lithography device with the positional relationship outside the EB lithography device to obtain a first correction amount necessary to compensate for the positional distortion of the mask; After producing a plurality of second marks on the mask, the positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring device to compensate for positional distortion of the mask caused by a difference in the method of measuring the marks. Obtaining a second correction amount necessary to perform the drawing, and using the first correction amount and the second correction amount, rearranging a desired transfer pattern at a position for compensating positional distortion of the mask, and performing drawing. And the position distortion caused by the difference in the bimetal effect of the material constituting the X-ray mask, the magnetization of the support ring, the distortion 1 of the EB cassette mounting, and the mark measurement method can be corrected. For,
A highly accurate X-ray mask or a mask for semiconductor lithography can be obtained.

【００５７】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、上記複数の第２マークを、上記
第１の補正量を加算した計算位置に、ＥＢ描画装置によ
り作製した後、この複数の第２マークの位置関係を座標
計測装置で計測し、この計測値と上記計算位置とを比較
して、マスクの位置歪を補償するために必要な第２の補
正量を得るようにしたので、マークの計測方式の違いに
起因して発生する歪量が分かり、第２の補正量を求める
ことが可能となる。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, the plurality of second marks are formed at a calculation position to which the first correction amount is added by an EB lithography apparatus. The position relationship of the second mark is measured by a coordinate measuring device, and the measured value is compared with the calculated position to obtain a second correction amount necessary for compensating the positional distortion of the mask. , The amount of distortion generated due to the difference in the mark measurement method can be determined, and the second correction amount can be obtained.

【００５８】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、ＥＢ描画装置により上記複数の
第２マークを作製した後、この複数の第２マークの位置
関係を座標計測装置で計測し、上記第２マーク作製時に
おける第２マークの座標位置に上記第１の補正量を加算
して得られた上記複数の第２マークの計算位置と、上記
座標計測装置で計測された上記複数の第２マークの計測
値とを比較して、マスクの位置歪を補償するために必要
な第２の補正量を得るようにしたので、マークの計測方
式の違いに起因して発生する歪量が分かり、第２の補正
量を求めることが可能となる。Further, according to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, after the plurality of second marks are produced by the EB lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of second marks is measured by the coordinate measuring apparatus. A calculation position of the plurality of second marks obtained by adding the first correction amount to a coordinate position of the second mark when the second mark is produced, and the plurality of calculation positions measured by the coordinate measuring device. Since the second correction amount necessary for compensating for the positional distortion of the mask is obtained by comparing with the measurement value of the second mark, the amount of distortion generated due to the difference in the measurement method of the mark is reduced. Understandably, the second correction amount can be obtained.

【００５９】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、温度的に平衡状態に達したマス
ク上の複数の第１マークまたは複数の第２マークの位置
関係をＥＢ描画装置で計測し、この計測値と、座標計測
装置で計測された上記複数の第１マークまたは上記複数
の第２マークの計測値とを比較して再度第１の補正量を
求め、得られた第１の補正量と第２の補正量を用いて、
マスクの位置歪を補償する位置に所望の転写パターンを
再配置して、描画するので、外乱による経時変化、Ｘ線
マスクを構成する材料のバイメタル効果、サポートリン
グの磁化、ＥＢカセット装着歪２、マークの計測方式の
違いに起因して発生する位置歪を補正することができ
る。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, the positional relationship between a plurality of first marks or a plurality of second marks on a mask which has reached a temperature equilibrium state is measured by an EB lithography apparatus. Then, the measured value is compared with the measured values of the plurality of first marks or the plurality of second marks measured by the coordinate measuring device to obtain a first correction amount again, and the obtained first correction amount is obtained. Using the correction amount and the second correction amount,
Since the desired transfer pattern is rearranged and drawn at a position where the positional distortion of the mask is compensated, the temporal change due to disturbance, the bimetal effect of the material constituting the X-ray mask, the magnetization of the support ring, the EB cassette mounting distortion 2, It is possible to correct the positional distortion generated due to the difference in the mark measurement method.

【００６０】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスクの位置歪を補償する位置
に所望の転写パターンを再配置して、描画する際、転写
パターンデータを再変換して再配置するので、補正の方
法はステージの座標係数の補正式に制限されないため、
より高精度なマスクの作製が可能である。According to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, a desired transfer pattern is rearranged at a position for compensating positional distortion of the mask, and when drawing, transfer pattern data is converted again. Since it is rearranged, the correction method is not limited to the correction formula of the stage coordinate coefficient,
It is possible to manufacture a mask with higher precision.

【００６１】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、マスクの位置歪を補償する位置
に所望の転写パターンを再配置して、描画する際、ＥＢ
描画装置のステージ座標系を変更して再配置するので、
補正の方法はステージの座標係数の補正式に制限される
が、データを再変換する必要がない。Further, according to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, when writing a desired transfer pattern at a position for compensating for positional distortion of the mask and drawing,
Since the stage coordinate system of the drawing device is changed and rearranged,
Although the correction method is limited to the correction formula of the coordinate coefficients of the stage, there is no need to re-convert the data.

【００６２】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クの製造方法によれば、転写パターンの描画中、複数の
第１マークまたは複数の第２マークの少なくとも片方の
位置関係を定期的に計測し、ＥＢ描画装置のステージ座
標系を変更して再配置するので、描画中、外部環境が緩
やかに変化しても、その影響を補償する位置に所望のパ
ターンを描画しているため、高精度なマスクの作製が可
能となる。Further, according to the method of manufacturing a mask for semiconductor lithography of the present invention, at least one of a plurality of first marks or a plurality of second marks is periodically measured during writing of a transfer pattern, and EB Since the stage coordinate system of the drawing device is changed and rearranged, even if the external environment changes slowly during drawing, the desired pattern is drawn at a position that compensates for the effects. Production becomes possible.

【００６３】また、本発明の半導体リソグラフィ用マス
クによれば、上記いずれかの製造方法により作製された
ので、高精度の半導体リソグラフィ用マスクを得ること
ができる。Further, according to the mask for semiconductor lithography of the present invention, since it is manufactured by any of the above-mentioned manufacturing methods, a highly accurate mask for semiconductor lithography can be obtained.

[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１による描画工程を説明
する工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a drawing process according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態１に係わる第１マークを
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a first mark according to the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態２による描画工程を説明
する工程図である。FIG. 3 is a process diagram illustrating a drawing process according to a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態３による描画工程を説明
する工程図である。FIG. 4 is a process diagram illustrating a drawing process according to a third embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施の形態４による描画工程を説明
する工程図である。FIG. 5 is a process chart illustrating a drawing process according to a fourth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施の形態４による他の描画工程を
説明する工程図である。FIG. 6 is a process chart illustrating another drawing process according to the fourth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施の形態５による描画工程を説明
する工程図である。FIG. 7 is a process chart illustrating a drawing process according to a fifth embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施の形態５による他の描画工程を
説明する工程図である。FIG. 8 is a process diagram illustrating another drawing process according to the fifth embodiment of the present invention.

【図９】Ｘ線マスクの基本構成要素を示す断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view showing basic components of an X-ray mask.

【図１０】レジスト膜にＥＢを用いてレジストパター
ンを描画するＥＢ描画方法を説明する説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating an EB drawing method for drawing a resist pattern using EB in a resist film.

[Explanation of symbols]

１シリコンウエハ、２メンブレン、３窓部、４
Ｘ線吸収体膜、５吸収体パターン、６サポートリン
グ、７偏向領域、８描画領域、９第１マーク。1 silicon wafer, 2 membrane, 3 windows, 4
X-ray absorber film, 5 absorber pattern, 6 support ring, 7 deflection area, 8 drawing area, 9 first mark.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者綾淳東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者村上隆昭東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BB01 BB10 BB14 BD06 5F046 GD09 GD17 ──────────────────────────────────────────────────続き Continuation of the front page (72) Inventor Jun Aya 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Mitsubishi Electric Co., Ltd. (72) Takaaki Murakami 2-3-2 Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo Rishi Electric Co., Ltd. F-term (reference) 2H095 BA10 BB01 BB10 BB14 BD06 5F046 GD09 GD17

Claims

[Claims]

In a method of manufacturing a mask for semiconductor lithography, which includes a step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an electron beam lithography apparatus, a plurality of first marks are previously formed on a mask in a desired coordinate system. And after the mask reaches a temperature equilibrium state in the electron beam lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of first marks is measured by the electron beam lithography apparatus, and the measured value and the desired Detecting the positional distortion of the mask, which is the first correction amount, from the deviation from the positional relationship in the coordinate system, rearranging the transfer pattern at a position where the positional distortion is compensated, and drawing. A method of manufacturing a mask for semiconductor lithography characterized by the above.

2. A method for manufacturing a mask for semiconductor lithography, comprising a step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an electron beam lithography apparatus, wherein a plurality of first marks are formed on the mask, and The above-mentioned plurality of first devices in a state where the temperature reaches an equilibrium state in the line drawing apparatus.
Obtaining a positional relationship between the marks, a step of measuring the plurality of first marks with an external coordinate measuring device, a positional relationship between the plurality of first marks measured by the coordinate measuring device,
A positional distortion of the mask, which is a first correction amount, is detected from a deviation from a positional relationship between the plurality of first marks in a state where the temperature has reached an equilibrium state in the electron beam lithography apparatus, and the positional distortion is compensated. Re-arranging the transfer pattern at a position and drawing the transferred pattern.

3. After the mask reaches an equilibrium state in temperature within the electron beam lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of first marks is measured by the electron beam lithography apparatus, so that the plurality of first marks are measured. 3. The method according to claim 2, wherein the positional relationship is obtained.

4. The semiconductor lithography apparatus according to claim 3, wherein after the plurality of first marks are measured by an external coordinate measuring device, the positional relationship between the plurality of first marks is measured by an electron beam drawing device. Manufacturing method of mask.

5. After the mask reaches a temperature equilibrium state in the electron beam writing apparatus, a plurality of first marks are formed on the mask to obtain a positional relationship between the plurality of first marks. 3. The method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to claim 2, wherein:

6. A method of manufacturing a mask for semiconductor lithography including a step of forming a transfer pattern on a resist on a mask substrate by an electron beam lithography apparatus, wherein the plurality of first marks formed on the mask are formed in the electron beam lithography apparatus. Comparing the positional relationship of the mask with the positional relationship outside the electron beam lithography apparatus to obtain a first correction amount necessary for compensating for the positional distortion of the mask; Second
After the mark is formed, the positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring device, and the second position required to compensate for the positional distortion of the mask caused by the difference in the method of measuring the mark. And a step of drawing and rearranging the transfer pattern at a position where the positional distortion of the mask is compensated for using the first correction amount and the second correction amount. A method of manufacturing a mask for semiconductor lithography characterized by the above.

7. After producing a plurality of second marks at a calculation position obtained by adding the first correction amount by using an electron beam lithography apparatus,
The positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring device, and the measured value is compared with the calculated position to obtain a second correction amount necessary for compensating for positional distortion of the mask. The method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to claim 6, wherein:

8. After a plurality of second marks are produced by an electron beam lithography apparatus, the positional relationship between the plurality of second marks is measured by a coordinate measuring apparatus, and the second mark at the time of producing the second marks is measured.
The calculated positions of the plurality of second marks obtained by adding the first correction amount to the coordinate positions of the marks are compared with the measured values of the plurality of second marks measured by the coordinate measuring device. 7. The method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to claim 6, wherein a second correction amount necessary for compensating positional distortion of the mask is obtained.

9. A positional relationship between a plurality of first marks or a plurality of second marks on a mask which has reached a temperature equilibrium state is measured by an electron beam lithography apparatus, and the measured value is measured by a coordinate measurement apparatus. The plurality of first marks or the plurality of second marks
The first correction amount is obtained again by comparing the measured value of the mark,
9. The method according to claim 6, wherein the transfer pattern is rearranged at a position where the positional distortion of the mask is compensated by using the obtained first correction amount and second correction amount, and drawing is performed. 13. A method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to

10. The method according to claim 1, wherein when a desired transfer pattern is rearranged at a position for compensating for positional distortion of the mask and drawing is performed, transfer pattern data is reconverted and rearranged. A method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to any one of the above.

11. The method according to claim 11, wherein a desired transfer pattern is rearranged at a position where the positional distortion of the mask is compensated, and when drawing, the stage coordinate system of the electron beam lithography apparatus is changed and rearranged. 10. The method for manufacturing a mask for semiconductor lithography according to any one of 1 to 9.

12. During the writing of a transfer pattern, at least one of a plurality of first marks or a plurality of second marks is periodically measured for positional relationship, and the stage coordinate system of the electron beam drawing apparatus is changed and rearranged. The method of manufacturing a mask for semiconductor lithography according to claim 11, wherein:

13. A mask for semiconductor lithography manufactured by the manufacturing method according to claim 1.