JP2001117114A

JP2001117114A - 液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001117114A
Application number: JP29965399A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Yamakita; 裕文山北; Tsuyoshi Kamimura; 強上村; Katsuhiko Kumakawa; 克彦熊川; Akinori Shioda; 昭教塩田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 1999-10-21
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】バックライトからの光がブラックマトリック
スに入射して損失するため、光利用効率が悪く高輝度化
の妨げとなっていた。【解決手段】積層型電極構成によって画素の最も外側
の画素電極４と積層型共通電極３ｂとの間にも電界が形
成され液晶を変調すさせることにより、画素周辺部も光
を透過させて開口率を向上させると同時に、アレイ基板
１Ａに集光層１１を設け、カラーフィルター８に光を集
光させる構成とし、ブラックマトリックス１０に入射し
て損失する光を低減させ、光利用効率を向上させた。さ
らに、集光層１１の凸部に電極を形成することにより電
界強度を大きくし応答速度が速くなる構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、広視野角で高輝度かつ高速応答の液晶表示装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、図面を参照しながら、上記した液
晶表示装置の一例について説明する。

【０００３】（図１）は特開平１０−１２３４９６号公
報に示す液晶表示装置の画素部の構成を示す断面図であ
る。

【０００４】従来、横電界印加方式（ＩＰＳ）を用いた
表示方式では、縦電界印加方式（ＴＮ）に比べれば非常
に広視野角が実現できるものの、共通電極と画素電極が
アレイ基板に同時に形成されるため、開口率が３０〜４
０％と低く、したがって画面が全体的に暗くなる、とい
う問題があった。

【０００５】この課題に対して、特開平１０−１２３４
９６号公報の液晶表示装置では、（図１）に示すよう
に、光非透過部分に入射される光を屈折させるためにオ
ーバーコート層をマイクロレンズに形成して、光非透過
部分によって遮断すべき光をマイクロレンズによって屈
折させて光透過部分に透過させる構成である。

【０００６】これら構成によれば、光透過率を向上させ
ることができるので、高輝度の液晶表示装置を得ること
ができる。

【０００７】また、特開平７−３０６３９９号公報の液
晶表示装置は、透明基板の一方、もしくは両方の外側の
面に複数のレンズからなるレンズアレイを具備すること
により、光透過率を向上させる構成である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような液晶表示装置の場合、以下のような課題が残され
ていた。

【０００９】（１）光透過率を向上させるために、対向
基板外側にマイクロレンズを設ける構成の場合、ダスト
付着等に起因する不良が発生する恐れがある。また、対
向基板内側に設ける場合でもマイクロレンズを形成する
ための製造プロセスが増加してしまう。

【００１０】（２）従来の横電界印加方式の液晶表示装
置は、ネマティック液晶の電場に対する応答が遅いのに
加え、櫛形（ストライプ状）など独特の電極構造である
ため、応答速度が遅くなってしまう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本願の液晶表示装置は、（１）共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及
び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、対向基
板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持され
た液晶層とからなり、前記アレイ基板及び前記対向基板
の一方あるいは両方に集光層を設けた構成とした。

【００１２】（２）画素電極、走査信号線、映像信号線
及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通
電極を形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層とからなり、前記アレイ
基板及び前記対向基板の一方あるいは両方に集光層を設
けた構成とした。

【００１３】（３）画素電極、走査信号線、映像信号線
及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通
電極を形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層とからなり、前記液晶層
の配向を制御する配向制御部材を前記アレイ基板及び前
記対向基板の一方あるいは両方に設けた液晶表示装置で
あって、前記アレイ基板及び前記対向基板の一方あるい
は両方に集光層を設けた構成とした。

【００１４】（４）前記集光層は、画素単位もしくは電
極単位で形成された構成とした。

【００１５】（５）前記集光層は、前記共通電極と前記
画素電極との間で形成される電界分布に応じて構成し
た。

【００１６】（６）前記集光層は、前記アレイ基板側に
対して凸形状または凹形状のマイクロレンズである構成
とした。

【００１７】（７）前記アレイ基板に設けた集光層上に
前記画素電極あるいは前記共通電極と前記画素電極の両
方を形成した構成とした。

【００１８】（８）前記アレイ基板に設けた集光層の凸
部に前記共通電極及び前記画素電極を形成した構成とし
た。

【００１９】（９）前記集光層は異なる光学特性を有す
る複数の層からなる構成とした。

【００２０】（１０）前記集光層は異なる屈折率を有す
る複数の層からなる構成とした。

【００２１】（１１）前記集光層は複数の異なる形状か
らなる構成とした。

【００２２】（１２）前記共通電極及び画素電極を形成
した部分の集光層の光学特性と、それ以外の部分の集光
層の光学特性とが異なる構成とした。

【００２３】（１３）前記共通電極及び画素電極の両方
あるいは一方が透明導電体からなる構成とした。

【００２４】（１４）前記共通電極及び前記画素電極の
各々の線幅と、前記共通電極と前記画素電極との間の間
隙は、その一方もしくは両方が、前記アレイ基板と前記
対向基板との間の間隙と略同じか、もしくは小さい構成
とした。

【００２５】（１５）前記共通電極の一部と前記映像信
号線は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の
形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介
して積層された積層型共通電極と積層型映像信号線であ
る構成とした。

【００２６】（１６）遮光層を前記アレイ基板に設けた
構成とした。

【００２７】（１７）前記集光層は感光性樹脂材料から
なる構成とした。

【００２８】（１８）前記集光層は前記共通電極、画素
電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子
を形成する過程で使用するいずれかの保護膜からなる構
成とした。

【００２９】（１９）前記集光層は前記配向制御部材と
同一材料で形成した構成とした。

【００３０】（２０）凸または凹部のパターンを形成す
る第１の工程と、前記凸または凹部の形状を制御する熱
処理工程とからなる製造方法とした。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００３２】（実施の形態１）本発明の第１の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。

【００３３】図２（ａ）は本発明の第１の実施例におけ
る液晶表示装置の構成を示す断面図、図２（ｂ）は第１
の実施例における液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。図３は、本発明の第１の実施例における液晶表示装
置の集光層及び電極の製造工程を示す工程図である。ま
た、図４は本発明の第１の実施例における液晶表示装置
の画素部近傍の断面拡大図である。

【００３４】図２において、１Ａはアレイ基板、１Ｂは
対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、５
は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号線、
６は走査信号線、７は半導体スイッチ素子、８ａは赤色
カラーフィルター材料、８ｂは緑色カラーフィルター材
料、８ｃは青色カラーフィルター材料、９Ａはアレイ基
板１Ａの内面に形成した配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの
内面に形成した配向膜、１０はブラックマトリックス、
１１は集光層、１２は平坦化膜である。

【００３５】以下、図２を用いてその動作について、ま
た、図３を用いて製造プロセスについて述べる。

【００３６】まず、図３（ａ）に示すように、アレイ基
板１Ａ上にＡｌ等からなる導電膜でパターニングされた
走査信号線６を形成し、絶縁膜を形成した後、ａ−Ｓｉ
等からなる半導体スイッチ素子７、また、Ａｌ等からな
る導電膜でパターニングされた映像信号線５を形成す
る。

【００３７】つぎに、図３（ｂ）に示すように、集光層
１１をアクリル系感光樹脂材料で凸状に形成した後、図
３（ｃ）に示すように、２００℃程度までアレイ基板１
Ａを加熱して角部を丸くさせ所定の曲率半径にする。さ
らに図３（ｄ）に示すように、集光層１１の上に共通電
極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、ある
いはＡｌ等からなる導電膜で櫛形にパターニング形成す
る。

【００３８】さらに、アクリル系感光樹脂等からなる平
坦化膜１２を形成した後、基板面に直交する方向から見
た場合に、共通電極３の一部と映像信号線５の各々の形
成パターンの位置が相互に重なり合うよう平坦化膜１２
を介して積層型共通電極３ｂを形成する。

【００３９】透明基板１Ａ、１Ｂには、液晶２の分子の
配列を整列させるためにポリイミド等からなる配向膜９
Ａ、９Ｂを形成する。透明基板１Ｂは透明基板１Ａに対
向して設け、赤色カラーフィルター材料８ａ、緑色カラ
ーフィルター材料８ｂ、青色カラーフィルター材料８
ｃ、及びブラックマトリックス１０が所定のパターンに
形成されている。

【００４０】このように作製された透明基板１Ａ、１Ｂ
は、各々所定の方向に初期配向方位を形成し、周辺部を
シール剤で接着した後、液晶２を注入し封止する。

【００４１】半導体スイッチ素子７は映像信号線５及び
走査信号線６から入力される駆動信号によってオン、オ
フ制御される。そして、半導体スイッチ素子７と接続さ
れた画素電極４と、共通電極３との間に印加された電圧
によって電界を発生させ、液晶２の配向を変化させて各
画素の輝度を制御し、画像を表示する。

【００４２】一般に横電界印加方式（ＩＰＳ）を用いた
表示方式では、縦電界印加方式（ＴＮ）に比べれば非常
に広視野角が実現できるものの、共通電極と画素電極が
アレイ側基板に同時に形成されるため、開口率が３０〜
４０％と低く、したがって画面が全体的に暗くなる、と
いう問題があった。

【００４３】従来の構成では、バックライトから出射し
た光の一部はブラックマトリックス１０に入射して損失
してしまい、光透過率を低下させる原因となっていた。

【００４４】そこで本発明では、図３に示すように、積
層型電極構成によって画素の最も外側の画素電極４と積
層型共通電極３ｂとの間にも電界が形成され液晶を変調
すさせることにより、画素周辺部も光を透過させると同
時に、アレイ基板１Ａに集光層１１を設け、カラーフィ
ルター８に光を集光させる構成とした。

【００４５】図３において、一点鎖線で示した矢印が、
バックライトから出射した光が集光層１１でカラーフィ
ルター８に集光される様子を示した光線追跡図である。

【００４６】本実施例では、集光層１１を形成するのに
アクリル系感光樹脂材料を用いた。したがって、マスク
パターンにより各画素毎、各電極毎に対応したマイクロ
レンズを形成することが可能である。また、熱酸化条件
を調整することにより所望の曲率半径とすることができ
る。ここで、アクリル系感光樹脂材料には配向膜の屈折
率よりも大きな屈折率を有する材料を選択することによ
り、凸レンズとすることができる。このような構成によ
り、バックライトからの出射光を図３に示すように画素
中央部に集光させることにより、ブラックマトリックス
１０に入射して損失することがなくなるので光透過率を
向上することができる。集光層１１にこのような機能を
持たせるには、凸部の曲率半径、屈折率等で調整すれば
よい。

【００４７】また、共通電極３及び画素電極４は、集光
層１１ｂの凸部に形成する。電極をこのような凸形状に
すると、電極上の電界強度が大きくなり、電極上の液晶
分子が変調するので、電極にＩＴＯ等の透明導電体を使
用すれば光が透過可能になるとともに、応答速度も速く
なる。このとき、電極部を透過する光は、電極部以外の
集光層１１ａと同じく、集光層１１ｂによってブラック
マトリックス１０に光が入射することなくカラーフィル
ター８に集光し、より高透過率にすることができる。

【００４８】ここで、共通電極３及び画素電極４を形成
した部分の集光層１１ｂの光学特性と、それ以外の部分
の集光層１１ａの光学特性とは同じである必要はなく、
例えば、共通電極３及び画素電極４を形成した集光層１
１ｂの凸形状はできるだけ急峻に（曲率半径を小さく）
して応答速度を速くし、画素周辺部の集光層１１ａの凸
形状はブラックマトリックス１０との位置関係で光損失
のないような最適な形状に設計すればよい。

【００４９】さらに、（電極間隙ｌ、電極幅ｗ＞セルギ
ャップｄ）の場合、横電界のみが発生するが、（電極間
隙ｌ、電極幅ｗ＜セルギャップｄ）では横方向の電界の
みならず電極の周辺電界による縦方向の電界も発生す
る。例えば、電極間隙ｌ＝４μｍ、電極幅ｗ＝４μｍ、
セルギャップｄ＝4μｍ、の場合、電極上の電界強度が
大きくなり液晶も変調可能になり高透過率となる。

【００５０】したがって、集光層１１の効果により高透
過率となるだけでなく、集光層１１の形状を生かした高
速応答の液晶表示装置を得ることが可能となる。

【００５１】なお、本実施例では、集光層１１にアクリ
ル系感光樹脂材料を使った場合の例について説明した
が、アレイの製造プロセスで保護膜として使用される窒
化シリコン、酸化タンタル、酸化シリコン、弗化マグネ
シウム等を用いてもかまわない。

【００５２】また、本実施例では、アレイ基板１Ａ側に
のみ集光層１１を設けた構成について説明したが、対向
基板１Ｂにも集光層を設けることでさらに光利用効率を
高め、高透過率にすることも可能である。

【００５３】（実施の形態２）次に、本発明の第２の実
施例について図面を参照しながら説明する。

【００５４】図５は本発明の第２の実施例における液晶
表示装置の構成を示す画素部近傍の拡大断面図である。

【００５５】本実施例が（実施の形態１）と異なるの
は、集光層１１の一部をを凹レンズ部１１ｃと凸レンズ
部１１ｄとからなる２層構造とした点である。

【００５６】本実施例では、画素周辺部、すなわち、映
像信号線５近傍の集光層１１を２層構造とし、凹レンズ
１１ｃによってバックライトからの光をより多く集光
し、かつ、凸レンズ１１ｄによってブラックマトリック
ス１０近傍まで出射するレンズ構成とした。

【００５７】凹レンズは配光膜よりも屈折率の小さい材
料、例えば酸化シリコン、あるいは弗化マグネシウムに
よって形成し、凸レンズは配光膜よりも屈折率の大きい
材料、例えば窒化シリコン、酸化タンタル、あるいはア
クリル系感光樹脂によって形成することができる。

【００５８】このような構成により、（実施の形態１）
よりさらに光利用効率を高め、高透過率の液晶表示装置
を得ることが可能である。

【００５９】（実施の形態３）次に、本発明の第３の実
施例について図面を参照しながら説明する。

【００６０】図６は本発明の第３の実施例における液晶
表示装置の構成を示す画素部近傍の拡大断面図である。

【００６１】本実施例は（実施の形態１）あるいは（実
施の形態２）の場合と異なり、縦電界印加方式であるＴ
Ｎモードでの実施例である。

【００６２】本実施例では、共通電極３は対向基板１Ｂ
側に設け、画素電極４は画素毎に対応するような形でア
レイ基板１Ａ側に設ける。また、画素電極４は半導体ス
イッチ素子７と接続され、映像信号線５及び走査信号線
６から入力される駆動信号によってオン、オフ制御され
る。そして、対向基板１Ｂにも受けた共通電極３との間
に印加された電圧によって縦電界を発生させ、液晶２の
配向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示す
る。

【００６３】集光層１１の構成や製造方法は（実施の形
態１）あるいは（実施の形態２）と同様のものでよい。

【００６４】このような構成により、バックライトから
の出射光を図６に示すように画素中央部に集光させるこ
とにより、ブラックマトリックス１０に入射して損失す
ることがなくなるので従来以上に光透過率を向上するこ
とができる。

【００６５】（実施の形態４）次に、本発明の第４の実
施例について図面を参照しながら説明する。

【００６６】図７は本発明の第４の実施例における液晶
表示装置の構成を示す画素部近傍の拡大断面図である。

【００６７】本実施例は（実施の形態１）あるいは（実
施の形態２）の場合と異なり、垂直配向を用いたＶＡモ
ードでの実施例である。

【００６８】図７において１３は液晶層２の配向を制御
する配向制御部材であり、画素内で異なる配向方向をも
つ領域に分割することにより広視野角にすることができ
る。液晶層２にはネガ型の液晶材料を用い、配向膜９
Ａ、９Ｂは垂直配向が得られるものを使用する。

【００６９】配向制御部材１３は、（実施の形態１）で
説明したような集光層１１を形成する方法と同じよう
に、例えばアクリル系感光性樹脂材料を用いフォトリソ
で所定の形状にパターニングすることによって形成する
ことができる。

【００７０】集光層１１の構成や製造方法は（実施の形
態１）あるいは（実施の形態２）と同様のものでよく、
同様に光利用効率を従来以上に向上することができる。

【００７１】したがって、配向制御部材１３と、集光層
１１を同じ材料、同じ製造工程で形成すれば、工程数を
増すことなく、光利用効率が高く、高輝度かつ広視野角
の液晶表示装置を得ることができる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように本発明による液晶表
示装置は、集光層によってバックライトからの出射光を
画素中央部に集光させることにより、ブラックマトリッ
クスに入射して損失することがなくなるので光透過率を
向上することができる。

【００７３】また、凸状に形成された集光層の上に電極
を形成することにより電界強度を大きくするこができ、
光透過率を向上するとともに応答速度も速くすることが
できる。

【００７４】さらに、アレイプロセスを利用して集光層
を形成するので、製造プロセスが大幅に増加することな
く、また外部からのダスト付着で不良が発生することも
ない。

【００７５】したがって、画質の優れた液晶表示装置を
得ることができるので工業的価値は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図

【図２】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
構成を示す図

【図３】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
集光層及び電極の製造工程を示す工程図

【図４】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図

【図５】本発明の第２の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図

【図６】本発明の第３の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図

【図７】本発明の第４の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図

【符号の説明】１Ａアレイ基板１Ｂ対向基板２液晶３共通電極３ｃ積層型共通電極４画素電極５映像信号線６走査信号線７半導体スイッチ素子８ａ赤色カラーフィルター材料８ｂ緑色カラーフィルター材料８ｃ青色カラーフィルター材料９Ａ配向層９Ｂ配向膜１０ブラックマトリックス１１ａ集光層１１ｂ集光層１２平坦化膜１３配向制御部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者熊川克彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者塩田昭教大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA27Y FA35Y FA41Z FB04 GA06 GA13 LA12 LA17 2H092 HA03 JA21 JB13 JB22 JB31 NA29 5C094 AA10 AA13 AA24 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EA07 EB02 ED01 ED03 ED14 ED15 ED20 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 GB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】共通電極、画素電極、走査信号線、映像信
号線及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、
対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶層とからなり、前記アレイ基板及び前記対
向基板の一方あるいは両方に集光層を設けたことを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項２】画素電極、走査信号線、映像信号線及び半
導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通電極を
形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
の間に挟持された液晶層とからなり、前記アレイ基板及
び前記対向基板の一方あるいは両方に集光層を設けたこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】画素電極、走査信号線、映像信号線及び半
導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通電極を
形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
の間に挟持された液晶層とからなり、前記液晶層の配向
を制御する配向制御部材を前記アレイ基板及び前記対向
基板の一方あるいは両方に設けた液晶表示装置であっ
て、前記アレイ基板及び前記対向基板の一方あるいは両方に
集光層を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】前記集光層は、画素単位もしくは電極単位
で形成されたことを特徴とする請求項１から３いずれか
に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記集光層は、前記共通電極と前記画素電
極との間で形成される電界分布に応じて構成されたこと
を特徴とする請求項１から３いずれかに記載の液晶表示
装置。
【請求項６】前記集光層は、前記アレイ基板側に対して
凸形状または凹形状のマイクロレンズであることを特徴
とする請求項１から３いずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記アレイ基板に設けた集光層上に前記画
素電極あるいは前記共通電極と前記画素電極の両方を形
成したことを特徴とする請求項１から３いずれかに記載
の液晶表示装置。
【請求項８】前記アレイ基板に設けた集光層の凸部に前
記共通電極及び前記画素電極を形成したことを特徴とす
る請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】前記集光層は異なる光学特性を有する複数
の層から構成されたことを特徴とする請求項１から３い
ずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】前記集光層は異なる屈折率を有する複数
の層から構成されたことを特徴とする請求項９記載の液
晶表示装置。
【請求項１１】前記集光層は複数の異なる形状から構成
されたことを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１２】前記共通電極及び画素電極を形成した部
分の集光層の光学特性と、それ以外の部分の集光層の光
学特性とが異なることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。
【請求項１３】前記共通電極及び画素電極の両方あるい
は一方が透明導電体からなることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。
【請求項１４】前記共通電極及び前記画素電極の各々の
線幅と、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙は、
その一方もしくは両方が、前記アレイ基板と前記対向基
板との間の間隙と略同じか、もしくは小さいことを特徴
とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１５】前記共通電極の一部と前記映像信号線
は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パタ
ーンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層
された積層型共通電極と積層型映像信号線であることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１６】遮光層を前記アレイ基板に設けたことを
特徴とする請求項１から３いずれかに記載の液晶表示装
置。
【請求項１７】前記集光層は感光性樹脂材料からなるこ
と特徴とする請求項１から３いずれかに記載の液晶表示
装置。
【請求項１８】前記集光層は前記共通電極、画素電極、
走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子を形成
する過程で使用するいずれかの保護膜からなること特徴
とする請求項１から３いずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１９】前記集光層は前記配向制御部材と同一材
料で形成したことを特徴とする請求項３記載の液晶表示
装置。
【請求項２０】請求項１から１９のいずれかに記載の液
晶表示装置の製造方法であって、凸または凹部のパター
ンを形成する第１の工程と、前記凸または凹部の形状を
制御する熱処理工程とからなることを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。