JP2001111873A - Image pickup device and camera system - Google Patents

Image pickup device and camera system

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JP2001111873A
JP2001111873A JP28896499A JP28896499A JP2001111873A JP 2001111873 A JP2001111873 A JP 2001111873A JP 28896499 A JP28896499 A JP 28896499A JP 28896499 A JP28896499 A JP 28896499A JP 2001111873 A JP2001111873 A JP 2001111873A
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JP
Japan
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hole
substrate
wall surface
light
imaging
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Application number
JP28896499A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Iwasaki
正則 岩崎
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of an image noise due to incidence of an unwanted light in realizing miniaturization and low profile of the image pickup device. SOLUTION: The image pickup device is provided with a board 6 that has a light transmission through-hole 9 on an inner wall face 9A on which a reflection prevention layer 15 is provided and with an image pickup element 7 that is mounted on a lower face 6A of the board 6 in a state that an image pickup section 10 is exposed from the through-hole 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、撮像素子を有する
撮像装置とこれを用いたカメラシステムに関し、特に、
撮像装置の小型薄型化を実現する際に用いて好適なもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup apparatus having an image pickup device and a camera system using the same.
This is suitable for use in realizing a small and thin imaging device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、撮像装置を備えたカメラシステム
は、パーソナルコンピュータや携帯型テレビ電話などの
小型情報端末に搭載される用途が求められ、これに伴っ
てカメラシステム、特に、撮像装置の小型薄型化要求が
強まっている。
2. Description of the Related Art In recent years, a camera system equipped with an imaging device has been required to be used in a small information terminal such as a personal computer or a portable videophone. Demands for thinning are increasing.

【0003】従来、CCD撮像素子等の撮像素子を用い
た撮像装置としては、図13に示す構成のものが広く知
られている。図示した撮像装置51においては、チップ
状の撮像素子52をパッケージ体53に実装してシール
ガラス54により気密封止してなるQFP(Quad Flat P
ackage) タイプの構造が採用されている。撮像素子52
は、パッケージ体53の凹部底面にダイボンド材(不図
示)を用いて固着されるとともに、金線等のボンディン
グワイヤ(不図示)を介して外部接続用のリード端子
(不図示)に電気的に接続されるようになっており、そ
のための空間がパッケージ体53の内部(中空部)に確
保されている。また、パッケージ体53のシールガラス
54上には、図示せぬレンズユニットが搭載されるよう
になっている。
Conventionally, as an image pickup apparatus using an image pickup device such as a CCD image pickup device, the one shown in FIG. 13 is widely known. In the illustrated imaging device 51, a QFP (Quad Flat P) formed by mounting a chip-shaped imaging device 52 on a package 53 and hermetically sealing with a seal glass 54.
ackage) type structure. Image sensor 52
Is fixed to the bottom of the concave portion of the package body 53 using a die bond material (not shown), and electrically connected to a lead terminal (not shown) for external connection via a bonding wire (not shown) such as a gold wire. The space for the connection is secured in the interior (hollow portion) of the package 53. A lens unit (not shown) is mounted on the seal glass 54 of the package 53.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで上記従来の撮
像装置51においては、これに搭載されるレンズユニッ
ト(不図示)を含めるとかなりの厚さとなり、また全体
の平面サイズも大きくなることから、前述した小型薄型
化要求を十分に満足することができなかった。また、各
々の構成部品(撮像素子52、パッケージ体53、シー
ルガラス54)の厚み寸法を小さくするにも限界のレベ
ルに達していた。
In the above-mentioned conventional image pickup apparatus 51, if a lens unit (not shown) mounted on the image pickup apparatus 51 is included, the image pickup apparatus 51 has a considerable thickness and a large overall plane size. The above-mentioned requirements for miniaturization and thinning could not be sufficiently satisfied. In addition, the thickness of each of the components (the image sensor 52, the package 53, and the seal glass 54) has reached a limit in reducing the thickness.

【0005】そこで本出願人は、上記小型薄型化要求を
満足すべく、図14に示すような構成の撮像装置61を
既に提案している。図示した撮像装置61は、主とし
て、基板62、撮像素子63及びレンズユニット64に
よって構成されている。基板62には透光用の貫通穴6
5が設けられ、この貫通穴65から撮像部66が露出す
る状態で、基板62の下面62Aに撮像素子63が実装
されている。また、レンズユニット64は、基板62の
上面62Bに接着剤等を用いて実装されるようになって
いる。
Therefore, the present applicant has already proposed an imaging device 61 having a configuration as shown in FIG. The illustrated imaging device 61 mainly includes a substrate 62, an imaging element 63, and a lens unit 64. The substrate 62 has through holes 6 for light transmission.
The imaging device 63 is mounted on the lower surface 62A of the substrate 62 in a state where the imaging unit 66 is exposed from the through hole 65. The lens unit 64 is mounted on the upper surface 62B of the substrate 62 using an adhesive or the like.

【0006】上記構成の撮像装置61においては、撮像
素子63をベアチップの状態で基板62に直に取り付け
るようにしているため、撮像素子63を気密封止するた
めのパッケージ寸法分が削減されるとともに、基板62
と撮像素子63とが厚み方向で密に配置される。そのた
め、撮像装置61全体の厚み寸法を小さくし、かつ平面
サイズも小さくすることができる。
In the image pickup device 61 having the above-described structure, the image pickup device 63 is directly attached to the substrate 62 in a bare chip state, so that the package size for hermetically sealing the image pickup device 63 is reduced and , Substrate 62
And the imaging element 63 are densely arranged in the thickness direction. Therefore, the thickness of the entire imaging device 61 can be reduced, and the planar size can also be reduced.

【0007】ところが、上記図14に示す撮像装置61
においては、装置全体の小型薄型化を実現するにあたっ
て、基板62の貫通穴65と撮像素子63の撮像部66
との平面サイズ(縦横寸法)がほぼ等しく設定され、こ
れによって撮像部66の近傍で貫通穴65の内壁面65
Aが垂直に起立した構造になっている。そのため、レン
ズユニット64を介して入射した光の一部が貫通穴65
の内壁面65Aに当たると、そこで反射した光が撮像部
66に入射してフレアやゴーストなどの画像ノイズを誘
発しやすいという難点があった。
However, the image pickup device 61 shown in FIG.
In order to realize a small and thin device as a whole, the through hole 65 of the substrate 62 and the imaging unit 66 of the imaging element 63
Are set substantially equal to each other so that the inner wall surface 65 of the through-hole 65 near the imaging unit 66 is set.
A has a vertically upright structure. Therefore, part of the light incident through the lens unit 64 is
When the light hits the inner wall surface 65A, there is a problem that the light reflected therefrom easily enters the imaging unit 66 and easily induces image noise such as flare and ghost.

【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、撮像装置の小型
薄型化を実現するにあたって、不要光の入射に伴う画像
ノイズの発生を有効に防止することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to effectively reduce the generation of image noise due to the incidence of unnecessary light when realizing a small and thin imaging device. Is to prevent it.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の撮像装置におい
ては、透光用の貫通穴が設けられるとともに、その貫通
穴の内壁面に反射防止層が設けられた基板と、貫通穴か
ら撮像部が露出する状態で基板の一方の面に実装された
撮像素子とを備えた構成となっている。そして、本発明
のカメラシステムにおいては、上記構成の撮像装置を用
いたものとなっている。
In the image pickup apparatus of the present invention, a through hole for light transmission is provided, and an antireflection layer is provided on the inner wall surface of the through hole. And an image pickup device mounted on one surface of the substrate in a state where is exposed. The camera system according to the present invention uses the imaging device having the above-described configuration.

【0010】かかる構成の撮像装置及びこれを用いたカ
メラシステムによれば、貫通穴の内壁面に反射防止層を
設けることにより、貫通穴の内壁面での光の反射を反射
防止層により防止(又は低減)して、撮像部への不要光
の入射を有効に防止することが可能となる。
[0010] According to the imaging apparatus having such a configuration and the camera system using the same, by providing the anti-reflection layer on the inner wall surface of the through hole, the reflection of light on the inner wall surface of the through hole is prevented by the anti-reflection layer. Or reduction), thereby making it possible to effectively prevent unnecessary light from entering the imaging unit.

【0011】本発明の他の撮像装置においては、透光用
の貫通穴が設けられるとともに、その貫通穴の内壁面が
所定の角度で傾斜する状態に形成された基板と、貫通穴
から撮像部が露出する状態で基板の一方の面に実装され
た撮像素子とを備えた構成となっている。そして、本発
明の他のカメラシステムにおいては、上記構成の撮像装
置を用いたものとなっている。
In another imaging apparatus according to the present invention, a through-hole for light transmission is provided, and an inner wall surface of the through-hole is formed to be inclined at a predetermined angle. And an image pickup device mounted on one surface of the substrate in a state where is exposed. In another camera system according to the present invention, the imaging device having the above-described configuration is used.

【0012】かかる構成の撮像装置及びこれを用いたカ
メラシステムによれば、貫通穴の内壁面を所定の角度で
傾斜させることにより、貫通穴の内壁面に入射した光を
撮像部と異なる方向に反射させて、撮像部への不要光の
入射を有効に防止することが可能となる。
According to the imaging apparatus having the above configuration and the camera system using the same, by inclining the inner wall surface of the through hole at a predetermined angle, light incident on the inner wall surface of the through hole is directed in a direction different from that of the imaging unit. By reflecting the light, it is possible to effectively prevent unnecessary light from entering the imaging unit.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明に係るカメラシステムの全体
構成を概略的に示すブロック図である。図示したカメラ
システム1は、撮像機能を備える撮像装置2と、この撮
像装置2によって得られる画像信号に種々の処理(例え
ば、画像圧縮処理等)を施す信号処理部3と、この信号
処理部3によって処理された画像信号を外部に出力する
信号出力部4と、これらの機能部に電力を供給する電源
部5とから構成されている。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the overall configuration of a camera system according to the present invention. The illustrated camera system 1 includes an imaging device 2 having an imaging function, a signal processing unit 3 that performs various processing (for example, image compression processing, etc.) on an image signal obtained by the imaging device 2, and a signal processing unit 3 And a power supply unit 5 for supplying power to these functional units.

【0015】図2は本発明の第1実施形態に係る撮像装
置の構成を示す側断面図である。図示した撮像装置2
は、主として、基板6、撮像素子7及びレンズユニット
8によって構成されている。基板6は、例えば、ステン
レス鋼からなる金属プレートとポリイミドフィルムをベ
ースにしたフレキシブル配線基板とを接着剤等(不図
示)により貼り合わせた構造のもので、その下面6Aに
は、上記フレキシブル配線基板による配線パターン(不
図示)が形成されている。また、基板6には透光用の貫
通穴9が設けられている。この貫通穴9は、図3に示す
ように、撮像素子7の撮像部10とほぼ同じ大きさをも
って四角形(矩形状)に形成されている。
FIG. 2 is a side sectional view showing the structure of the image pickup apparatus according to the first embodiment of the present invention. Illustrated imaging device 2
Is mainly composed of a substrate 6, an image sensor 7 and a lens unit 8. The substrate 6 has a structure in which, for example, a metal plate made of stainless steel and a flexible wiring substrate based on a polyimide film are bonded together with an adhesive or the like (not shown). (Not shown) is formed. The substrate 6 is provided with a through hole 9 for light transmission. As shown in FIG. 3, the through hole 9 is formed in a quadrangular (rectangular) shape having substantially the same size as the imaging unit 10 of the imaging device 7.

【0016】なお、基板6の構造、材質等については、
前述した金属プレートとフレキシブル基板を組み合わせ
たものに限らず、例えば基板10の全部又は一部を、ポ
リイミド系有機材料、ガラスエポキシ系有機材料、或い
はセラミック系材料、ガラス系材料等で構成したもので
あっても。但し、いずれの基板構造を採用する場合で
も、撮像素子7との電気的な接続のための配線パターン
を有する必要がある。
The structure, material and the like of the substrate 6 are as follows.
The present invention is not limited to the above-described combination of the metal plate and the flexible substrate. For example, all or a part of the substrate 10 may be formed of a polyimide organic material, a glass epoxy organic material, or a ceramic material, a glass material, or the like. Even so. However, no matter which substrate structure is adopted, it is necessary to have a wiring pattern for electrical connection with the image sensor 7.

【0017】撮像素子7は、例えばCCD撮像素子、C
MOS撮像素子等からなるもので、その主面上に撮像部
10が設けられている。撮像部10には、光電変換機能
を有する多数の画素が2次元的に配列されている。ま
た、撮像素子7の周縁部には、上記撮像部10を囲む状
態で、例えばアルミニウムパッドからなる複数の電極部
(不図示)が形成されている。この撮像素子7は、ベア
チップの状態で、基板6の下面6Aにフリップチップ方
式等にて実装(直付け)され、これによって撮像素子7
の電極部(不図示)と基板6の配線パターン(不図示)
とが電気的に接続されている。また、この実装状態にお
いては、撮像素子7の撮像部10が基板6の貫通穴9か
ら露出する状態で配置されている。
The image sensor 7 is, for example, a CCD image sensor, C
It is composed of a MOS image pickup device or the like, and an image pickup section 10 is provided on its main surface. In the imaging unit 10, a number of pixels having a photoelectric conversion function are two-dimensionally arranged. Further, a plurality of electrode portions (not shown) made of, for example, aluminum pads are formed on the periphery of the image sensor 7 so as to surround the image capturing section 10. The image pickup device 7 is mounted (directly attached) in a bare chip state on the lower surface 6A of the substrate 6 by a flip chip method or the like.
(Not shown) and the wiring pattern of the substrate 6 (not shown)
And are electrically connected. In this mounted state, the image pickup unit 10 of the image pickup device 7 is arranged so as to be exposed from the through hole 9 of the substrate 6.

【0018】なお、基板6に対する撮像素子7の実装構
造としては、上述したフリップチップ方式に限らず、例
えば異方性導電材料を用いたものなど、基板6に撮像素
子7を直に固着できるものであれば、いずれの実装構造
を採用してもかまわない。
The mounting structure of the image sensor 7 on the substrate 6 is not limited to the flip-chip type described above, but may be a device using an anisotropic conductive material, such as one using an anisotropic conductive material. Then, any mounting structure may be adopted.

【0019】レンズユニット8は、撮像素子7の撮像部
10上の空間を覆う状態で、例えば図示せぬ接着剤或い
はホルダ部材を用いて基板10の上面6Bに実装される
ようになっている。このレンズユニット8は、鏡筒1
1、光学フィルタ12及びレンズ13によって構成され
ている。鏡筒11の先端部には入射光規制のための絞り
部11Aが一体に形成されている。光学フィルタ12に
は、例えば、上記絞り部11Aを介して入射する入射光
の中から赤外線をカットする機能を果たす、いわゆる赤
外線カットフィルタが用いられる。この光学フィルタ1
2は、上記絞り部11Aに近接して鏡筒11の先端寄り
に嵌合固定されている。レンズ13は、上記絞り部11
A及び光学フィルタ12を介して入射した光を、撮像素
子7の撮像部10で結像させるためのものである。この
レンズ13は、上記絞り部11Aを基準に位置出しを行
った状態で、上記鏡筒11の内部に接着剤14を用いて
固定されている。
The lens unit 8 is mounted on the upper surface 6B of the substrate 10 using, for example, an unillustrated adhesive or a holder member so as to cover a space above the imaging section 10 of the imaging element 7. The lens unit 8 includes the lens barrel 1
1, the optical filter 12 and the lens 13. A stop 11A for regulating incident light is integrally formed at the tip of the lens barrel 11. As the optical filter 12, for example, a so-called infrared cut filter that has a function of cutting infrared light from incident light that enters through the above-described diaphragm 11A is used. This optical filter 1
Reference numeral 2 is fitted and fixed near the distal end of the lens barrel 11 in the vicinity of the stop 11A. The lens 13 is connected to the aperture 11
This is for causing the light incident through the A and the optical filter 12 to form an image in the imaging unit 10 of the imaging element 7. The lens 13 is fixed to the inside of the lens barrel 11 using an adhesive 14 in a state where the lens 13 is positioned with reference to the aperture portion 11A.

【0020】上記構成からなる撮像装置2においては、
レンズユニット8の鏡筒11先端部(絞り部11A)か
ら光学フィルタ12を通して入射した光が、レンズ13
の屈折作用により撮像素子7の撮像部10に結像され
る。このとき、レンズ13から出射された光は、基板6
の開口部9を通して撮像部10に入射される。また、撮
像素子7の撮像部10で受光されかつそこでの光電変換
によって得られた画像信号は、基板6(フレキシブル配
線基板)の配線パターンを介して信号処理部3(図1参
照)に送られる。
In the imaging device 2 having the above configuration,
Light that has entered through the optical filter 12 from the distal end portion (aperture portion 11A) of the lens barrel 11 of the lens unit 8
Is imaged on the image pickup unit 10 of the image pickup device 7 by the refraction effect of At this time, the light emitted from the lens 13 is
Is incident on the imaging unit 10 through the opening 9. An image signal received by the image pickup unit 10 of the image pickup device 7 and obtained by photoelectric conversion there is sent to the signal processing unit 3 (see FIG. 1) via a wiring pattern of the substrate 6 (flexible wiring substrate). .

【0021】ここで、本第1実施形態の特徴とするとこ
ろは、基板6の貫通穴9の内壁面9Aに反射防止層15
を設けた点にある。この反射防止層15は、基板6の貫
通穴9の内壁面9Aに、例えば、ブラストやメッキによ
る粗面化処理を施したり、墨塗りや薄膜形成による黒色
化処理を施すことにより形成されるものである。
Here, the feature of the first embodiment is that the antireflection layer 15 is provided on the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6.
Is provided. The anti-reflection layer 15 is formed by subjecting the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 to a roughening process by, for example, blasting or plating, or a blackening process by black coating or thin film formation. It is.

【0022】このうち、粗面化処理によって形成された
反射防止層15の場合は、図4に示すように、貫通穴9
の内壁面9Aに向けて光が入射した際、その入射光が反
射防止層15により多方向に分散されるかたちで、内壁
面9Aでの光の反射が低減される。これにより、貫通穴
9の内壁面9Aに入射した光のうち、反射防止層15に
よって分散されかつ該分散によって強度が弱められた一
部の光だけが撮像素子7の撮像部10に入射するように
なる。このため、撮像部10への不要光の入射光量が低
減するとともに、撮像部10の各点に入射する光の強度
が非常に小さなものとなる。その結果、撮像部10への
不要光の入射とこれに伴う画像ノイズ(フレア、ゴース
ト等)の発生を有効に防止することが可能となる。
Among them, in the case of the anti-reflection layer 15 formed by the surface roughening treatment, as shown in FIG.
When light is incident on the inner wall surface 9A, reflection of the light on the inner wall surface 9A is reduced in such a manner that the incident light is dispersed in multiple directions by the antireflection layer 15. Thereby, of the light incident on the inner wall surface 9A of the through hole 9, only a part of the light that is dispersed by the anti-reflection layer 15 and whose intensity is weakened by the dispersion is incident on the imaging unit 10 of the imaging element 7. become. Accordingly, the amount of unnecessary light incident on the imaging unit 10 is reduced, and the intensity of light incident on each point of the imaging unit 10 is extremely small. As a result, it is possible to effectively prevent the incidence of unnecessary light on the imaging unit 10 and the occurrence of image noise (flares, ghosts, and the like) due to this.

【0023】これに対して、黒色化処理によって形成さ
れた反射防止層15の場合は、貫通穴9の内壁面9Aに
光が入射した際、その入射光が反射防止層15によって
吸収される。これにより、貫通穴9の内壁面9Aにおけ
る光の反射を防止して、撮像部10への不要光の入射を
阻止することができる。その結果、撮像部10への不要
光の入射とこれに伴う画像ノイズの発生を有効に防止す
ることが可能となる。
On the other hand, in the case of the antireflection layer 15 formed by the blackening process, when light enters the inner wall surface 9A of the through hole 9, the incident light is absorbed by the antireflection layer 15. Thereby, reflection of light on the inner wall surface 9 </ b> A of the through hole 9 can be prevented, and incidence of unnecessary light on the imaging unit 10 can be prevented. As a result, it is possible to effectively prevent unnecessary light from being incident on the imaging unit 10 and the occurrence of image noise due to this.

【0024】さらに、上記粗面化処理と黒色化処理を併
用して形成された反射防止層15の場合は、貫通穴9の
内壁面9Aに光が入射した際、その入射光が反射防止層
15によって吸収されるとともに、そこで吸収しきれな
かった光が反射防止層15によって多方向に分散され
る。これにより、撮像部10への不要光の入射をより確
実に防止することが可能となる。
Further, in the case of the anti-reflection layer 15 formed by using both the above-mentioned roughening treatment and blackening treatment, when light enters the inner wall surface 9A of the through hole 9, the incident light is reflected by the anti-reflection layer. The light that has been absorbed by the antireflection layer 15 is dispersed in multiple directions by the antireflection layer 15. This makes it possible to more reliably prevent unnecessary light from entering the imaging unit 10.

【0025】図5は上記第1実施形態に係る撮像装置の
応用例を説明する要部断面図である。この応用例におい
ては、基板6の貫通穴9の内壁面9Aに加えて、光の入
射側となる基板6の上面6Bにも反射防止層15が設け
られている。この反射防止層15は、基板6の貫通穴9
の内壁面9Aから基板上面6Bに亘って連続したかたち
で形成されている。
FIG. 5 is a sectional view of an essential part for explaining an application example of the image pickup apparatus according to the first embodiment. In this application example, an antireflection layer 15 is provided not only on the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 but also on the upper surface 6B of the substrate 6 on the light incident side. The anti-reflection layer 15 is formed in the through hole 9 of the substrate 6.
Is formed continuously from the inner wall surface 9A to the substrate upper surface 6B.

【0026】このように基板6の上面6Bにも反射防止
層15を設けることにより、前述した反射防止層15に
よる光の吸収作用や光の分散作用により、基板上面6B
に入射した光の反射を防止(又は低減)することができ
る。これにより、基板6の上面6Bに入射しかつそこで
反射した光が、前述のレンズユニット8内で乱反射して
撮像素子7の撮像部10に入射するのを有効に防止する
ことができる。その結果、撮像10への不要光の入射
を、より一層確実に防止することが可能となる。
By providing the anti-reflection layer 15 also on the upper surface 6B of the substrate 6, the light absorption function and the light dispersion function of the anti-reflection layer 15 described above allow the upper surface 6B of the substrate 6 to be formed.
Can be prevented (or reduced) from being reflected on the light incident on the surface. Accordingly, it is possible to effectively prevent the light that has entered and reflected on the upper surface 6B of the substrate 6 from being irregularly reflected in the above-described lens unit 8 and being incident on the imaging unit 10 of the imaging element 7. As a result, the incidence of unnecessary light on the imaging 10 can be more reliably prevented.

【0027】図6は本発明の第2実施形態に係る撮像装
置の構成を示す側断面図である。なお、本第2実施形態
においては、上記第1実施形態と同様の構成部分に同じ
符号を付し、重複する説明は省略する。
FIG. 6 is a side sectional view showing the structure of an image pickup apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0028】本第2実施形態に係る撮像装置2において
は、基板6に設けられた貫通穴9の内壁面9Aが、基板
6の下面6Aから上面6Bに向かって徐々に穴径が大き
くなるように傾斜する状態で形成されている。内壁面9
Aの傾斜角度は、該内壁面9Aに入射しかつ該内壁面9
Aで反射した光が、撮像素子7の撮像部10に入射しな
い条件で設定されている。
In the imaging device 2 according to the second embodiment, the inner wall surface 9A of the through hole 9 provided in the substrate 6 has a hole diameter gradually increasing from the lower surface 6A of the substrate 6 toward the upper surface 6B. It is formed so as to be inclined. Inner wall 9
The inclination angle of A is incident on the inner wall surface 9A and the inner wall surface 9A.
The condition is set so that the light reflected by A does not enter the imaging unit 10 of the imaging device 7.

【0029】ここで、内壁面9Aの傾斜角度の具体的な
設定条件につき、図7(a),(b)を用いて説明す
る。なお、図7(a)は貫通穴9の内壁面9Aが撮像部
10と垂直をなしている場合の模式図であり、図7
(b)は貫通穴9の内壁面9Aが撮像部10に対して角
度δをなして傾斜している場合の模式図である。
Here, specific conditions for setting the inclination angle of the inner wall surface 9A will be described with reference to FIGS. 7 (a) and 7 (b). FIG. 7A is a schematic diagram when the inner wall surface 9A of the through hole 9 is perpendicular to the imaging unit 10.
(B) is a schematic diagram when the inner wall surface 9A of the through hole 9 is inclined at an angle δ with respect to the imaging unit 10.

【0030】いま、レンズユニット8等の撮像用光学系
を介して入射される光線が、撮像部10と垂直な面に対
して角度θをなしている場合を考えると、図7(a),
(b)における光線の入射角度βと反射角度βは、図中
破線で示す法線を境にβ=π/2−θで表される。この
とき、貫通穴9の内壁面9Aを垂直にするか、内壁面9
Aに傾きを持たせるかによって、同じ角度θで入射した
光線であっても、内壁面9Aで反射した光線の進行方向
(光の反射する方向)が異なるものとなる。
Now, let us consider a case where a light beam incident through the imaging optical system such as the lens unit 8 forms an angle θ with respect to a plane perpendicular to the imaging unit 10.
The incident angle β and the reflection angle β of the light beam in (b) are represented by β = π / 2−θ with respect to a normal line indicated by a broken line in the drawing. At this time, the inner wall surface 9A of the through hole 9 is made vertical or
Depending on whether or not A has an inclination, the traveling direction of the light ray reflected on the inner wall surface 9A (the direction in which the light is reflected) differs even for the light rays incident at the same angle θ.

【0031】ここで、図7(b)において、撮像部10
と垂直な面に対する内壁面9Aの角度をαとすると、α
+θ+β=π/2となり、これを変形すると、 α=π/2−θ−β・・・(1) となる。
Here, in FIG. 7B, the imaging unit 10
If the angle of the inner wall surface 9A with respect to a plane perpendicular to
+ Θ + β = π / 2, and when this is deformed, α = π / 2−θ−β (1)

【0032】また、内壁面9Aで反射した光の軸が撮像
部10と平行になる条件、つまり内壁面9Aで反射した
光線が撮像部10に入射しない条件は、θ+β+β=π
/2となり、これを変形すると、 β=(π/2−θ)/2・・・(2) となる。
The condition that the axis of the light reflected by the inner wall surface 9A is parallel to the imaging unit 10, that is, the condition that the light beam reflected by the inner wall surface 9A is not incident on the imaging unit 10, is θ + β + β = π
.Beta. = (. Pi./2-.theta.)/2 (2)

【0033】そこで上記(1)式に(2)式を代入する
と、 α=π/2−θ−(π/2−θ)/2 =π/2−θ−π/4+θ/2 =π/4−θ/2 =(π/2−θ)/2・・・(3) となる。
Then, substituting equation (2) into equation (1), α = π / 2−θ− (π / 2−θ) / 2 = π / 2−θ−π / 4 + θ / 2 = π / 4-θ / 2 = (π / 2−θ) / 2 (3)

【0034】図7(b)における内壁面9Aの傾斜角度
δは、 δ=π/2−αで表されるため、これに上記(3)式を代入すると、 =π/2−(π/2−θ)/2 =π/4−θ/2 となる。
Since the inclination angle δ of the inner wall surface 9A in FIG. 7B is represented by δ = π / 2−α, substituting the above equation (3) into: π = π / 2− (π / 2−θ) / 2 = π / 4−θ / 2.

【0035】以上のことから、内壁面9Aの傾斜角度δ
については、 δ≦(π/2−θ)/2・・・(4) の条件を満たすように設定すればよい。具体的には、例
えば角度θ=30°であるとすると、δ≦30°の条件
で内壁面9Aを傾けた状態に形成すれば良い。
From the above, the inclination angle δ of the inner wall surface 9A
May be set so as to satisfy the condition of δ ≦ (π / 2−θ) / 2 (4). Specifically, for example, if the angle θ is 30 °, the inner wall surface 9A may be formed to be inclined under the condition of δ ≦ 30 °.

【0036】このように基板6の貫通穴9の内壁面9A
を傾けて形成することにより、図8に示すように、内壁
面9Aに入射した光を、撮像部10と異なる方向つまり
撮像部10に入射しない方向に反射させることができ
る。これにより、撮像部10への不要光の入射とこれに
伴う画像ノイズの発生を有効に防止することが可能とな
る。
As described above, the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6
8, light incident on the inner wall surface 9A can be reflected in a direction different from that of the imaging unit 10, that is, in a direction not incident on the imaging unit 10, as shown in FIG. Accordingly, it is possible to effectively prevent the incidence of unnecessary light on the imaging unit 10 and the occurrence of image noise associated therewith.

【0037】図9は本発明の第3実施形態に係る撮像装
置の構成を示す側断面図である。なお、本第3実施形態
においては、上記第1,第2実施形態と同様の構成部分
に同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
FIG. 9 is a side sectional view showing the structure of an image pickup apparatus according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the same components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0038】本第3実施形態に係る撮像装置2において
は、基板6の貫通穴9の内壁面9Aを上記第2実施形態
と同様に傾斜させた状態で形成するとともに、その内壁
面9Aとこれに続く基板上面6Bとに上記第1実施形態
と同様の反射防止層15を設けた構成となっている。つ
まり、本第3実施形態に係る撮像装置2は、上記第1,
第2実施形態の特徴部分を組み合わせたものとなってい
る。但し、第1,第2実施形態の組み合わせ例として
は、図9において、貫通穴9の内壁面9Aだけに反射防
止層15を設ける構成も考えられる。
In the image pickup device 2 according to the third embodiment, the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 is formed in the same inclined state as in the second embodiment, and the inner wall surface 9A and the And an anti-reflection layer 15 similar to that of the first embodiment is provided on the upper surface 6B of the substrate subsequent to the first embodiment. That is, the imaging device 2 according to the third embodiment includes
This is a combination of the features of the second embodiment. However, as a combination example of the first and second embodiments, a configuration in which the antireflection layer 15 is provided only on the inner wall surface 9A of the through hole 9 in FIG.

【0039】このような構成を採用することにより、例
えば反射防止層15を粗面化処理によって形成した場合
は、図10に示すように、貫通穴9の内壁面9Aに向け
て光が入射した際、その入射光が反射防止層15によっ
て多方向に分散され、しかも内壁面9Aが傾いているこ
とにより、反射防止層15で分散された光が撮像素子7
の撮像部10に入射され難くなる。これにより、上記第
1実施形態に比較して、撮像部10への不要光の入射光
量を大幅に低減することが可能となる。
By adopting such a structure, for example, when the antireflection layer 15 is formed by a roughening process, light is incident on the inner wall surface 9A of the through hole 9 as shown in FIG. In this case, the incident light is dispersed in multiple directions by the anti-reflection layer 15 and the light dispersed by the anti-reflection layer 15 is dispersed by the inclination of the inner wall surface 9A.
Is difficult to be incident on the imaging unit 10. This makes it possible to significantly reduce the amount of unnecessary light incident on the imaging unit 10 as compared with the first embodiment.

【0040】これに対して、反射防止層15を黒色化処
理によって形成した場合は、貫通穴9の内壁面9Aに光
が入射した際、その入射光が反射防止層15によって吸
収されるとともに、そこで吸収しきれなかった光が内壁
面9Aの傾きによって撮像部10と異なる方向に反射さ
れる。これにより、上記第1実施形態に比較して、撮像
部10への不要光の入射光量を大幅に低減することが可
能となる。
On the other hand, when the anti-reflection layer 15 is formed by a blackening process, when light enters the inner wall surface 9A of the through hole 9, the incident light is absorbed by the anti-reflection layer 15, and Therefore, the light that has not been absorbed is reflected in a direction different from that of the imaging unit 10 due to the inclination of the inner wall surface 9A. This makes it possible to significantly reduce the amount of unnecessary light incident on the imaging unit 10 as compared with the first embodiment.

【0041】さらに、基板6の貫通穴9の内壁面9Aか
ら基板6の上面6Bに亘って反射防止層15を設けるこ
とにより、上記第1実施形態と同様に基板上面6Bに入
射した光の反射を反射防止層15で防止して、レンズユ
ニット8内での乱反射による撮像部10への不要光の入
射を有効に防止することが可能となる。
Further, by providing the antireflection layer 15 from the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 to the upper surface 6B of the substrate 6, the reflection of the light incident on the upper surface 6B of the substrate 6 is performed as in the first embodiment. Is prevented by the anti-reflection layer 15, and the incidence of unnecessary light on the imaging unit 10 due to irregular reflection in the lens unit 8 can be effectively prevented.

【0042】なお、上記第1〜第3実施形態において
は、基板6、撮像素子7及びレンズユニット8からなる
撮像装置2への適用例について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、透光用の貫通穴9を有す
る基板6を用いて、貫通穴9から撮像部10が露出する
状態で基板6の下面6Aに撮像素子7を実装した構成の
ものに広く適用可能である。
In the first to third embodiments, an example of application to the image pickup apparatus 2 including the substrate 6, the image pickup device 7, and the lens unit 8 has been described. However, the present invention is not limited to this. Instead, the present invention can be widely applied to a configuration in which the imaging element 7 is mounted on the lower surface 6A of the substrate 6 in a state where the imaging unit 10 is exposed from the through hole 9 using the substrate 6 having the through hole 9 for light transmission. .

【0043】具体的には、図11(a),(b)及び図
12(a),(b)に示すように、先述のレンズユニッ
ト8に代えて、透光性を有する平板状の蓋体16を用い
たものであってもよい。この蓋体16は、例えば撮像素
子7の撮像部10をゴミ等の付着から保護するシールガ
ラスであってもよい。また、赤外線カットフィルタ又は
光学的ローパスフィルタからなる光学素子、或いは赤外
線カットフィルタと光学的ローパスフィルタの両機能を
有する光学素子であってよい。
More specifically, as shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b) and FIGS. 12 (a) and 12 (b), a flat lid having a light-transmitting property is used instead of the lens unit 8 described above. The body 16 may be used. The lid 16 may be, for example, a seal glass that protects the imaging unit 10 of the imaging element 7 from adhesion of dust and the like. Further, the optical element may be an optical element including an infrared cut filter or an optical low-pass filter, or an optical element having both functions of an infrared cut filter and an optical low-pass filter.

【0044】因みに、図11(a)においては、蓋体1
6を用いた撮像装置2において、上記第1実施形態と同
様に基板6の貫通穴9の内壁面9Aに反射防止層15を
設けた構成を示し、図11(b)においては、その応用
例として基板6の上面6Bにも反射防止層15を設けた
構成を示している。また、図12(a)においては、蓋
体16を用いた撮像装置2において、上記第2実施形態
と同様に基板6の貫通穴9の内壁面9Aを傾斜させた状
態で形成した構成を示し、図12(b)においては、蓋
体16を用いた撮像装置2において、上記第3実施形態
と同様に基板6の貫通穴9の内壁面9Aを傾斜させた状
態で形成するとともに、その内壁面9Aとこれに続く基
板上面6Bとに反射防止層15を設けた構成を示してい
る。
By the way, in FIG. 11A, the lid 1
6 shows an image pickup device 2 using an anti-reflection layer 15 provided on the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 in the same manner as in the first embodiment, and FIG. 1 shows a configuration in which an antireflection layer 15 is also provided on the upper surface 6B of the substrate 6. FIG. 12A shows a configuration in which the imaging device 2 using the lid 16 is formed in a state where the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 is inclined as in the second embodiment. 12 (b), in the imaging device 2 using the lid 16, the inner wall surface 9A of the through hole 9 of the substrate 6 is formed in an inclined state, as in the third embodiment. The configuration in which the antireflection layer 15 is provided on the wall surface 9A and the substrate upper surface 6B following the wall surface 9A is shown.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明の撮像装置及
びこれを用いたカメラシステムによれば、貫通穴の内壁
面での光の反射を反射防止層により防止(又は低減)し
て、撮像部への不要光の入射を有効に防止することがで
きる。これにより、撮像装置の小型薄型化を実現するに
際して、不要光の入射に伴う画像ノイズの発生を防止す
ることが可能となる。
As described above, according to the image pickup apparatus of the present invention and the camera system using the same, the reflection of light on the inner wall surface of the through hole is prevented (or reduced) by the antireflection layer, and the image pickup is performed. Unnecessary light can be effectively prevented from entering the section. This makes it possible to prevent the occurrence of image noise due to the incidence of unnecessary light when realizing a small and thin imaging device.

【0046】また、本発明の他の撮像装置及びこれを用
いたカメラシステムによれば、貫通穴の内壁面を所定の
角度で傾斜させることにより、貫通穴の内壁面に入射し
た光を撮像部と異なる方向に反射させて、撮像部への不
要光の入射を有効に防止することができる。これによ
り、撮像装置の小型薄型化を実現するに際して、不要光
の入射に伴う画像ノイズの発生を防止することが可能と
なる。
According to another imaging apparatus of the present invention and a camera system using the same, by inclining the inner wall surface of the through hole at a predetermined angle, light incident on the inner wall surface of the through hole can be captured by the imaging unit. Thus, unnecessary light can be effectively prevented from entering the imaging unit. This makes it possible to prevent the occurrence of image noise due to the incidence of unnecessary light when realizing a small and thin imaging device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るカメラシステムの全体構成を概略
的に示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an overall configuration of a camera system according to the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態に係る撮像装置の構成を
示す側断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view showing a configuration of the imaging device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】基板と撮像素子の配置関係を示す平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view showing an arrangement relationship between a substrate and an image sensor.

【図4】第1実施形態に係る撮像装置の作用効果を説明
する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating the operation and effect of the imaging device according to the first embodiment.

【図5】第1実施形態に係る撮像装置の応用例を説明す
る要部断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a main part of an application example of the imaging apparatus according to the first embodiment.

【図6】本発明の第2実施形態に係る撮像装置の構成を
示す側断面図である。
FIG. 6 is a side sectional view showing a configuration of an imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】内壁面の傾斜角度の設定条件を説明するための
図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a setting condition of an inclination angle of an inner wall surface.

【図8】第2実施形態に係る撮像装置の作用効果を説明
する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an operation and effect of the imaging device according to the second embodiment.

【図9】本発明の第3実施形態に係る撮像装置の構成を
示す側断面図である。
FIG. 9 is a side sectional view illustrating a configuration of an imaging device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】第3実施形態に係る撮像装置の作用効果を説
明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating the operation and effect of the imaging device according to the third embodiment.

【図11】本発明の他の適用例を説明する図(その1)
である。
FIG. 11 illustrates another application example of the present invention (part 1).
It is.

【図12】本発明の他の適用例を説明する図(その2)
である。
FIG. 12 illustrates another application example of the present invention (part 2).
It is.

【図13】従来の撮像装置の構成を示す側断面図であ
る。
FIG. 13 is a side sectional view showing a configuration of a conventional imaging device.

【図14】小型薄型化対応の撮像装置の構成を示す側断
面図である。
FIG. 14 is a side cross-sectional view illustrating a configuration of an imaging device that can be reduced in size and thickness.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…カメラシステム、2…撮像装置、6…基板、7…撮
像素子、8…レンズユニット、9…貫通穴、9A…内壁
面、10…撮像部、15…反射防止層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Camera system, 2 ... Imaging device, 6 ... Substrate, 7 ... Imaging element, 8 ... Lens unit, 9 ... Through hole, 9A ... Inner wall surface, 10 ... Imaging part, 15 ... Anti-reflection layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透光用の貫通穴が設けられるとともに、
前記貫通穴の内壁面に反射防止層が設けられた基板と、 前記貫通穴から撮像部が露出する状態で前記基板の一方
の面に実装された撮像素子とを備えることを特徴とする
撮像装置。
1. A light-transmitting through-hole is provided,
An imaging device comprising: a substrate having an anti-reflection layer provided on an inner wall surface of the through hole; and an imaging element mounted on one surface of the substrate in a state where an imaging unit is exposed from the through hole. .
【請求項2】 透光用の貫通穴が設けられるとともに、
前記貫通穴の内壁面が所定の角度で傾斜する状態に形成
された基板と、 前記貫通穴から撮像部が露出する状態で前記基板の一方
の面に実装された撮像素子とを備えることを特徴とする
撮像装置。
2. A through hole for light transmission is provided,
A substrate formed such that an inner wall surface of the through hole is inclined at a predetermined angle; and an imaging element mounted on one surface of the substrate in a state where an imaging unit is exposed from the through hole. Imaging device.
【請求項3】 前記基板の他方の面に反射防止層が設け
られていることを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
3. The imaging device according to claim 1, wherein an antireflection layer is provided on the other surface of the substrate.
【請求項4】 前記貫通穴の内壁面が所定の角度で傾斜
する状態に形成されていることを特徴とする請求項1記
載の撮像装置。
4. The imaging device according to claim 1, wherein an inner wall surface of the through hole is formed to be inclined at a predetermined angle.
【請求項5】 前記貫通穴の内壁面が所定の角度で傾斜
する状態に形成されていることを特徴とする請求項3記
載の撮像装置。
5. The imaging device according to claim 3, wherein an inner wall surface of the through hole is formed to be inclined at a predetermined angle.
【請求項6】 透光用の貫通穴が設けられるとともに、
前記貫通穴の内壁面に反射防止層が設けられた基板と、 前記貫通穴から撮像部が露出する状態で前記基板の一方
の面に実装された撮像素子とを備える撮像装置を用いた
ことを特徴とするカメラシステム。
6. A through hole for light transmission is provided,
A substrate provided with an anti-reflection layer on an inner wall surface of the through hole, and an imaging device including an imaging element mounted on one surface of the substrate in a state where an imaging unit is exposed from the through hole. Characterized camera system.
【請求項7】 透光用の貫通穴が設けられるとともに、
前記貫通穴の内壁面が所定の角度で傾斜する状態に形成
された基板と、 前記貫通穴から撮像部が露出する状態で前記基板の一方
の面に実装された撮像素子とを備える撮像装置を用いた
ことを特徴とするカメラシステム。
7. A through hole for light transmission is provided,
An imaging device comprising: a substrate formed such that an inner wall surface of the through hole is inclined at a predetermined angle; and an imaging element mounted on one surface of the substrate in a state where an imaging unit is exposed from the through hole. A camera system characterized by using:
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