JP2001093822A - Method for mask alignemnt and aligner using the same - Google Patents

Method for mask alignemnt and aligner using the same

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JP2001093822A
JP2001093822A JP27144299A JP27144299A JP2001093822A JP 2001093822 A JP2001093822 A JP 2001093822A JP 27144299 A JP27144299 A JP 27144299A JP 27144299 A JP27144299 A JP 27144299A JP 2001093822 A JP2001093822 A JP 2001093822A
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position
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JP27144299A
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Manabu Toguchi
学 戸口
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Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for mask alignment and an exposure system using it, which enables the improvement in the manufacturing efficiency and the reduction of time for measuring a quantity of the discrepancy in position of reticles, when a plurality of reticles are subjected to the successive exposures. SOLUTION: This exposure system has the constitution, where after a first reticle R is positioned and its position is measured, for a second and the later reticles R, a quantity of the discrepancy in position is measured relative to the first reticle R, and the second and the later reticles are positioned in the position of the first reticle R based on the measured result. Also, for example, a plurality of groups of image processing devices 18a and 18b such as CCDs are used for the measurement of the second and the later reticles R.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディスプレイ板等を製造するにあたり、複数のマスクを所定の位置に対して順次位置決めしながら基板に対する露光を行う際に用いて好適なマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置に関するものである。 The present invention relates to, for example, a liquid crystal display panel or the like in manufacturing the alignment suitable mask used when performing exposure for the substrate while sequentially positioning a plurality of masks for a given position a method and an exposure apparatus using the same.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路または液晶ディスプレイ板等を製造する際には、露光装置により、レチクル(マスク)に形成された所定の回路パターンをプレート(基板)上に投影露光している。 Conventionally, in manufacturing a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display plate, etc., by the exposure device, and projection exposure of the predetermined circuit pattern formed on a reticle (mask) on a plate (substrate) . 特に液晶ディスプレイ板等を製造するにあたっては、露光装置において、複数のレチクルをレチクルチェンジャ上に保持し、当該レチクルチェンジャを移動することにより複数のレチクルのパターンをプレート上に順次重ねて露光する。 Especially when the manufacturing the liquid crystal display plate, etc., in the exposure apparatus, and holds a plurality of reticle onto the reticle changer, sequentially overlaid to expose a pattern of a plurality of reticles on the plate by moving the reticle changer.

【0003】図5に示すように、露光装置1は、XY方向に移動自在なステージ2を備え、このステージ2上にプレートPが保持されるようになっている。 [0003] As shown in FIG. 5, the exposure apparatus 1 is provided with a movable stage 2 in the XY directions, the plate P on the stage 2 is adapted to be held. また、投影光学系3の上方には、図示しないレチクルチェンジャが設けられており、このレチクルチェンジャでは、複数のレチクルRを吸着保持し、これらを水平方向に移動できるようになっている。 Above the projection optical system 3 is provided a reticle changer (not shown), in this reticle changer, adsorbed holding a plurality of reticle R, to be able to move them horizontally. このような露光装置1では、図示しない光源からの露光光を、当該露光光の光路上に位置決めされたレチクルRおよび投影光学系3を介してプレートP上に照射することにより、レチクルRに形成されたパターンの像がプレートP上に露光されるようになっている。 In such an exposure apparatus 1, by irradiating the exposure light from a light source (not shown), the via reticle R and projection optical system 3 is positioned on the optical path of the exposure light plate P, formed on the reticle R image of pattern is adapted to be exposed onto the plate P. そして、レチクルチェンジャ(図示なし)で、 Then, the reticle changer (not shown),
複数のレチクルRを順次所定の位置に移動させ、それぞれのレチクルRで上記と同様にしてパターンのプレートPへの重ね露光を行うのである。 A plurality of reticle R were sequentially moved to a predetermined position, it is of each of the reticle R performing superposing exposure to the plate P of the pattern in the same manner as described above.

【0004】ところで上記露光装置1においては、各レチクルRの所定位置への位置合わせを以下のようにして行っている。 [0004] In the exposure apparatus 1 is performed as follows alignment to a predetermined position of each reticle R. 露光装置1には、レチクルRの上方に例えば二組のレチクル顕微鏡5a、5bが備えられている。 The exposure apparatus 1, the upper, for example two sets of reticles microscope 5a of the reticle R, 5b are provided.
そして、レチクルRには、レチクル中心を挟んで対称な位置に、アライメントマークRMa、RMbが設けられている。 Then, the reticle R, the symmetrical positions across the reticle center, alignment marks RMa, RMb is provided. 一方、ステージ2には、基準となるフィデューシャルマークFMを有した基準部材が設けられている。 On the other hand, the stage 2, the reference member is provided having a fiducial mark FM as a reference.
また、ステージ2の位置は、レーザ干渉計等で計測できるようになっている。 The position of the stage 2 is adapted to be measured by a laser interferometer and the like. さらに、投影光学系3の周囲には、オフ・アクシス方式の基板アライメント系7が備えられている。 Further, around the projection optical system 3, a substrate alignment system 7 of off-axis type is provided. この基板アライメント系7としては、例えば計4組のプレートアライメント顕微鏡が備えられている。 As the substrate alignment system 7, for example, a total of 4 sets of plate alignment microscope is provided.

【0005】そして、いわゆるスルーザレンズ(TT [0005] Then, the so-called through-the-lens (TT
L)方式によって、レチクル顕微鏡5aで、レチクルR By L) system, the reticle microscopes 5a, reticle R
のアライメントマークRMaと、ステージ2上のフィデューシャルマークFMが一致するようステージ2を移動させ、このときのステージ2の位置X1をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。 An alignment mark RMa of the stage 2 is moved so that the fiducial mark FM on the stage 2 is identical to measure respectively the position X1 of the stage 2 at this time is a laser interferometer or the like. 同様に、レチクル顕微鏡5b Similarly, the reticle microscope 5b
で、レチクルRのアライメントマークRMbと、ステージ2上のフィデューシャルマークFMが一致するようステージ2を移動させ、このときのステージ2の位置X2 In the alignment mark RMb the reticle R, by moving the stage 2 so that the fiducial mark FM on the stage 2 are identical, the position of the stage 2 in this case X2
をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。 The measured respectively by a laser interferometer and the like. 位置X1とX2 Position X1 and X2
の中心位置をX3とすると、この位置X3はレチクル中心と共役な位置である。 When the center position of the and X3, the position X3 is reticle center and the conjugate position. さらに、オフ・アクシス方式の基板アライメント系7の指標マークに、ステージ2上のフィデューシャルマークFMを一致させ、このときのステージ2の位置X4をレーザ干渉計等で計測する。 Furthermore, the index mark of the substrate alignment system 7 of off-axis type, to match the fiducial mark FM on the stage 2, to measure the position X4 of the stage 2 at this time is a laser interferometer or the like.

【0006】これらの計測結果から、レチクルRと基板アライメント系7との相対位置、すなわちベースライン量を求める。 [0006] From these measurement results, the relative position between the reticle R and the substrate alignment system 7, i.e. determine the baseline amount. ベースライン量は、差(X3−X4)を計算することで求められる。 Baseline amount is calculated by calculating the difference (X3-X4). このようにして計測されたベースライン量に基づいて、ステージ2上に載置されたプレートPを、基板アライメント系7により、レチクルR On the basis of the baseline amount measured by the plate P placed on the stage 2, by the substrate alignment system 7, the reticle R
に対して位置合わせ(アライメント)するようになっている。 It is adapted to alignment (alignment) against.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述したような従来の露光装置には、以下のような問題が存在する。 However [0007], the conventional exposure apparatus as described above, there are the following problems. 前述の如く、液晶ディスプレイ板等を製造するにあたっては、複数のレチクルRをプレートPに対して順次露光するようになっており、各レチクルRをプレートPに対して位置合わせする必要がある。 As previously described, in manufacturing the liquid crystal display panel or the like, a plurality of reticle R is adapted to successively exposed to the plate P, it is necessary to align the reticle R with respect to the plate P. このとき、1枚目だけでなく2枚目以降の各レチクルRにおいても、上記したようにTTL方式にてレチクルRの位置の計測を行う必要がある。 At this time, also in the first frame just not the second and subsequent sheets each reticle R, it is necessary to perform measurement of the position of the reticle R at TTL method as described above. したがって、前ロットの露光終了の後、レチクルRを入れ替えて次ロットの露光を行う際に必要となるベースライン量の管理、および1枚目のレチクルRに対する2枚目以降のレチクルRのズレ量等を計測するために多大な時間が必要となり、ロットの切替に要する時間が多大なものとなっており、に伴い、スループット向上の妨げとなっている。 Therefore, before after lot of exposure end, the management of the baseline amount that is required when performing the exposure of the next lot interchanged reticle R, and shift amount of the first sheet of the reticle in the second and subsequent sheets for R reticle R requires a lot of time for measuring the like, the time required for switching of the lot has become a significant, due to, it is preventing throughput improvement.

【0008】本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、複数のレチクルを順次露光するに際して、 [0008] The present invention has been made in view of the above, when successively exposing the plurality of reticles,
レチクルの位置ズレ量の計測時間を短縮し、生産効率を向上させることのできるマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置を提供することを課題とする。 Shortening the positional displacement amount of measurement time of the reticle, and to provide a positioning method and an exposure apparatus using the same mask which can improve production efficiency.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、 Means for Solving the Problems The invention according to claim 1,
第1および第2マスク(R)を順次所定の位置に保持し、前記第1マスク(R)に設けられた基準マーク(R First and second holding a mask (R) sequentially in a predetermined position, the reference marks provided on the first mask (R) (R
Ma,RMb)をアライメント系(16a,16b)で計測し、該第1マスク(R)を所定の位置に合わせた後、該第2マスク(R)に形成されたパターンを露光光で照明して、投影光学系(12)を介して基板(P)上に露光転写し、続いて、前記第2マスク(R)に設けられた基準マーク(RMa,RMb)を前記アライメント系(16a,16b)で計測し、該第2マスク(R)を所定の位置に合わせて、前記第2マスク(R)に形成されたパターンを露光光で照明し、前記投影光学系(1 Ma, measured in RMb) alignment system (16a, 16b), after adjusting the first mask (R) in position, the pattern formed in the second mask (R) illuminated with exposure light Te, projection exposure transferred onto the substrate (P) via an optical system (12), followed by the second mask reference marks provided on (R) (RMa, RMb) the alignment system (16a, 16b ) in measured, the combined second mask (R) in position, the second illuminating a pattern formed on a mask (R) with an exposure light, the projection optical system (1
2)を介して前記基板(P)上に露光転写するに際して、前記第1マスク(R)に形成された前記パターンの位置を複数箇所計測して、前記基板(P)に対して所定の位置関係になるように前記第1マスク(R)を位置決めし、前記アライメント系(16a,16b)に対する前記位置決めされた第1マスク(R)の前記基準マーク(RMa,RMb)の位置を計測して、前記アライメント系(16a,16b)に対する前記第1マスク(R) In exposure transferred onto the substrate (P) through 2), the position of the pattern formed in the first mask (R) with a plurality of locations measured, predetermined position relative to the substrate (P) positioning the first mask (R) so that the relationship, the reference marks (RMa, RMb) of the alignment system (16a, 16b) the first mask that is the positioning with respect to (R) by measuring the position of the the alignment system (16a, 16b) wherein with respect to the first mask (R)
の位置を求め、前記第2マスク(R)を位置合わせする際には、前記アライメント系(16a,16b)と前記第2マスク(R)に設けられた前記基準マーク(RM Seeking the position, the second when aligning the mask (R), the alignment system (16a, 16b) and the reference marks provided on the second mask (R) (RM
a,RMb)との相対位置に基づいて、前記求めた第1 a, based on the relative position between RMb), first determined the
マスク(R)の位置に該第2マスク(R)を位置決めすることを特徴としている。 It is characterized by positioning the second mask (R) on the position of the mask (R).

【0010】請求項5に係る発明は、複数のマスク(R)に形成されたパターンを露光光で順次照明し、投影光学系(12)を介して基板(P)上に転写する露光装置(10)であって、前記複数のマスク(R)のうち1つのマスク(R)を選択的に位置決め可能に保持するマスク位置決め手段(13)と、前記位置決めされたマスク(R)のパターンを前記基板(P)上に露光する露光手段と、前記基板(P)を位置決めする基板位置決め手段(11)と、前記投影手段を介して前記マスク(R)の所定パターンを前記基板(P)に投影し、前記基板(P)の座標系に基づいて前記所定パターンの投影位置を計測するパターン計測手段(20a,20b) [0010] The invention according to claim 5, sequentially illuminating a pattern formed on a plurality of masks (R) with exposure light, an exposure apparatus for transferring onto the substrate (P) via a projection optical system (12) ( a 10), and said plurality of masks (one mask (R) selectively positionable holding mask positioning means of the R) (13), the pattern of the positioning mask (R) the an exposure means for exposing onto the substrate (P), a substrate positioning means (11) for positioning said substrate (P), projecting a predetermined pattern of said through said projection means mask (R) on said substrate (P) and a pattern measuring means for measuring the projection position of the predetermined pattern on the basis of the coordinate system of the substrate (P) (20a, 20b)
と、前記マスク(R)に設けられた基準マーク(RM When the mask reference marks provided on (R) (RM
a,RMb)の位置を計測する位置計測手段(16a, a, position measuring means for measuring the position of RMb) (16a,
16b)とを備え、前記マスク位置決め手段(13) 16b) and wherein the mask positioning means (13)
は、前記基板(P)と前記マスク(R)のパターンとを所定の関係になるよう位置合わせした時の前記位置計測手段(16a,16b)で計測した前記基準マーク(R , The substrate (P) and said position measuring means when the pattern was aligned to a predetermined relationship between said mask (R) (16a, 16b) wherein the reference mark measured by (R
Ma,RMb)の位置に基づいて前記マスク(R)を位置決めすることを特徴としている。 Ma, is characterized in that the positioning of the mask (R) on the basis of the position of the RMb).

【0011】本発明に係るマスク(R)の位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置(10)によれば、第2 According to the mask alignment method and an exposure apparatus using the same of the (R) (10) according to the present invention, the second
マスク、つまり2枚目以降のマスク(R)においては、 Mask, in other words in the second and subsequent sheets of the mask (R),
TTL方式でのアライメント(投影光学系(12)を介しての計測)を行うことなく、そのずれ量を計測することができ、従来のように1枚1枚のマスクに対してTT Alignment in the TTL system without performing (projection optical system (12) measurement through a), TT for the deviation amount can be measured, conventional single one mask as
L方式にてマスクの位置を計測する必要がなくなる。 Necessary to measure the position of the mask in the L system is eliminated.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置の実施の形態の一例を、図1および図2を参照して説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an exemplary embodiment of an exposure apparatus using alignment method and its mask according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0013】図1に示すように、露光装置10は、XY [0013] As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 10, XY
方向に移動自在な基板ステージ(基板位置決め手段)1 Direction movable substrate stage (substrate positioning means) 1
1を備え、この基板ステージ11上にプレート(基板) It comprises a 1, the plate on the substrate stage 11 (substrate)
Pが保持されるようになっている。 P is set to be held. また、投影光学系1 In addition, the projection optical system 1
2の上方には、図2(a)に示すようなレチクルチェンジャRCが設けられており、このレチクルチェンジャR The second upper, and reticle changer RC is provided as shown in FIG. 2 (a), the reticle changer R
Cでは、複数のレチクル(マスク)Rを吸着保持し、これらを水平方向に移動できるようになっている。 In C, it attracted and held a plurality of reticles (masks) R, and to be able to move them horizontally.

【0014】図1に示したように、このような露光装置10では、図示しない光源(露光手段)からの露光光を、当該露光光の光路上に位置決めされたレチクルRおよび投影光学系12を介してプレートP上に照射することにより、レチクルRに形成されたパターンの像がプレートP上に露光されるようになっている。 [0014] As shown in FIG. 1, in such an exposure apparatus 10, the exposure light from a light source (exposure means), not shown, the reticle R and the projection optical system 12 is positioned on the optical path of the exposure light by irradiating onto the plate P through the image of the pattern formed on the reticle R is adapted to be exposed onto the plate P. そして、図2 Then, as shown in FIG. 2
(a)に示したレチクルチェンジャRCで、複数のレチクルRを順次所定の位置に移動させ、それぞれのレチクルRで上記と同様にしてパターンのプレートPへの重ね露光を行う概略構成となっている。 The reticle changer RC shown in (a), is moved to sequentially place a plurality of reticle R, and has a schematic structure for performing superposing exposure to the plate P of the pattern in the same manner as above for each reticle R .

【0015】上記露光装置10において、レチクルR [0015] In the exposure apparatus 10, a reticle R
は、レチクルステージ(マスク位置決め手段)13上に保持されており、レチクルステージ13の位置の計測手段として、例えばこのレチクルステージ13には移動鏡(図示なし)が固定されており、レーザ干渉計(図示なし)で移動鏡(図示なし)との距離を計測することで、 The reticle stage is held on (the mask positioning means) 13, a means for measuring the position of the reticle stage 13, for example, movable mirror (not shown) is fixed to the reticle stage 13, a laser interferometer ( by measuring the distance between the movable mirror (not shown) in not shown),
基板ステージ11のXY2次元方向の位置を計測する。 Measuring the XY2 dimensional position of the substrate stage 11.
主制御系50は、レーザ干渉計(図示なし)の出力によって、レチクルステージ13の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手段13Dをサーボ制御することで、レチクルステージ13を所望の位置に移動させるようになっている。 The main control system 50, by the output of the laser interferometer (not shown), while monitoring the position of the reticle stage 13, the drive means 13D of the motor or the like by servo control, moves the reticle stage 13 in the desired position It has become way.

【0016】また、レチクルステージ13の上方には、 [0016] In addition, above the reticle stage 13,
例えば二組のレチクル観察系(アライメント系、位置計測手段)16a,16bが備えられている。 For example two sets of reticles observation system (alignment system, the position measuring means) 16a, 16b are provided. レチクル観察系16a,16bには、大まかな位置決めを行うときに用いるラフモード用のレチクル顕微鏡(ラフ位置検出部)17a,17bと、レチクルRの位置をより正確に計測するファインモード用の画像処理装置(撮像素子、 The reticle observation system 16a, the 16b, a reticle microscope (rough position detection unit) for Rafumodo used when performing rough positioning 17a, 17b and the image processing apparatus for fine mode for measuring the position of the reticle R more accurately (image pickup device,
高精度位置計測部)18a,18bとが備えられている。 Precision position measurement unit) 18a, and the 18b are provided. この画像処理装置18a,18bとしては、例えばCCD等の撮像素子が用いられ、画素基準でXY2次元方向の計測を行うことができるようになっている。 The image processing apparatus 18a, as is 18b, for example, an image pickup element such as a CCD is used, thereby making it possible to perform measurement of XY2 dimensional directions in pixel basis.

【0017】そして、レチクルステージ13に保持されたレチクルRには、レチクル中心を挟んで対称な位置に、第1アライメントマーク(基準マーク)RMa、R [0017] Then, the reticle R held on the reticle stage 13, at symmetrical positions across the reticle center, first alignment mark (reference mark) RMa, R
Mbが設けられている。 Mb is provided. また、このレチクルR上の任意の点には、第2の基準マークIMaが設けられている。 Further, the arbitrary point on the reticle R, a second reference mark IMa are provided.
この時、第2基準マークIMaは、複数、より具体的には、2個あるいは4個以上設けるのが好ましく、例えば4個設ける場合には、直線状ではなく二次元的に例えば略矩形状に配置するのが好ましい。 At this time, the second reference mark IMa has a plurality, more specifically, preferably to dispose two or four or more, for example, when the four provided is a two-dimensionally for example substantially rectangular shape rather than a straight preferably arranged.

【0018】一方、基板ステージ11は、2次元方向に移動可能に設けられており、これには移動鏡21が固定されており、レーザ干渉計22で移動鏡21との距離を計測することで、基板ステージ11のXY2次元方向の位置を計測するようになっている。 Meanwhile, the substrate stage 11 is provided to be movable in two-dimensional directions, this is movable mirror 21 is fixed, by measuring the distance between the movable mirror 21 in the laser interferometer 22 It is adapted to measure the XY2 dimensional position of the substrate stage 11. 主制御系50は、レーザ干渉計22の出力によって、基板ステージ11の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手段11Dをサーボ制御し、基板ステージ11を所望の位置に移動させるようになっている。 The main control system 50, by a laser interferometer 22 output, while monitoring the position of the substrate stage 11, the driving means 11D such as a motor servos, has a substrate stage 11 to move to a desired position .

【0019】そして、基板ステージ11には、例えば計4組の、オフ・アクシス方式の基板アライメント系(パターン計測手段)20a,20bが備えられている。 [0019] Then, the substrate stage 11, for example, a total of four sets, the substrate an off-axis alignment system (pattern measuring means) 20a, 20b are provided. この基板アライメント系20a,20bの構造や機能は、 The substrate alignment system 20a, 20b is the structure and function of,
従来のものと同様である。 It is the same as those of the prior art.

【0020】さらに、基板ステージ11には、基準となるフィデューシャルマーク(センサ)FMを有した基準部材が設けられている。 Furthermore, the substrate stage 11, the reference member is provided having a fiducial mark (sensor) FM as a reference. フィデューシャルマークFMには、前記第二基準マークIMaと対になるマークがパターニングされており、またフィデューシャルマークFM Fi The fiducial mark FM, the provided mark comprising a second reference mark IMa paired is patterned, and the fiducial mark FM
の下には、両者の位置関係を計測することができる不図示のセンサー(例えばフォトマルチプライヤ)が埋め込まれている。 Under can measure the positional relationship between the unillustrated sensor (e.g. photomultiplier) is embedded.

【0021】上記露光装置10では、レチクルRの位置合わせを以下のようにして行うようになっている。 [0021] In the exposure apparatus 10, which is the alignment of the reticle R to perform as follows. 露光装置10では、基本的に、1枚目のレチクルR(第1マスク)を位置決めして、この1枚目のレチクルRの位置を計測した後、2枚目以降のレチクルR(第2マスク) In the exposure apparatus 10, basically, to position the first sheet of the reticle R (first mask), after measuring the position of the first sheet of the reticle R, the second and subsequent reticle R (the second mask )
においては、1枚目のレチクルRに対する相対的な位置ずれ量を計測し、これに基づいて前記1枚目のレチクルRの位置に2枚目以降のレチクルRを位置合わせする構成となっている。 In has a configuration relative positional deviation amount with respect to the first sheet of the reticle R measured, to align the reticle R in the second and subsequent sheets at a position of the first sheet of the reticle R on the basis of this .

【0022】(1枚目のレチクルR)より具体的には、 [0022] (1 sheet of the reticle R) More specifically, the
まず、図2(a)に示したように、1枚目のレチクルR First, as shown in FIG. 2 (a), 1 sheet of the reticle R
の位置計測を行うにあたっては、上記レチクル顕微鏡1 In making the position measurement of the reticle microscopes 1
7a,17bで、レチクルR上に描画されている第1アライメントマークRMa,RMbに照射した光束の反射光を利用して、1枚目のレチクルRの位置を大まかに位置決めする(ラフモード)。 7a, in 17b, a first alignment mark RMa which is drawn on the reticle R, by utilizing the reflected light of the light beam irradiated to RMb, roughly position the position of the first sheet of the reticle R (Rafumodo).

【0023】次いで、図2(b)に示すように、このレチクルRの第1アライメントマークRMa,RMbを、 [0023] Then, as shown in FIG. 2 (b), the first alignment mark RMa of the reticle R, the RMb,
画像処理装置18a,18b上に投影し、画素基準で第1アライメントマークRMa,RMbの位置を計測する。 The image processing apparatus 18a, and projected onto the 18b, the first alignment mark RMa pixel basis, to measure the position of RMb. これにより、画像処理装置18a,18bに対する1枚目のレチクルRの位置を計測することができる。 Thus, the image processing apparatus 18a, the position of the first sheet of the reticle R relative to 18b can be measured. このとき、1枚目のレチクルRの位置を図示しないメモリー部に記憶させておく。 At this time and stored in a memory unit (not shown) the position of the first sheet of the reticle R.

【0024】この後、図1に示したレチクルR上の第2 [0024] After this, the on the reticle R as shown in FIG. 1 2
基準マークIMaと、基板ステージ11上のフィデューシャルマークFMとの位置関係を計測する。 And the reference mark IMa, the positional relationship between the fiducial mark FM on the substrate stage 11 is measured. これには、 To do this,
いわゆるTTL方式により、第2基準マークIMaに照射された光束を、投影光学系12を介してフィデューシャルマークFM上に結像させ、その投影像をフィデューシャルマークFMのフォトマルチプライヤ等のセンサ(図示なし)で検出することにより、フィデューシャルマークFMに対する第2基準マークIMaの、基板ステージ11の移動方向の基準格子(理想格子)に基づく相対的な位置関係を計測する(ファインモード)。 The so-called TTL method, a light beam irradiated onto the second reference mark IMa, the projection optical system 12 via an image is formed on the fiducial mark FM, the projected image of the fiducial mark FM of such photomultiplier by detecting sensor (not shown), the second reference mark IMa for fiducial marks FM, measures the relative positional relationship based on the reference grid of the moving direction of the substrate stage 11 (ideal lattice) (fine mode ).

【0025】このとき、第2基準マークIMaは、前述の如く複数設けられており、全ての第2基準マークIM [0025] At this time, the second reference mark IMa are provided a plurality as mentioned above, all of the second reference mark IM
aにおいて計測を行うことによって、露光像と同様の特性についての計測が可能となり、レチクルRの描画誤差および投影光学系12のディストーションを考慮した理想格子に基づく相対的なずれ量を計測することができ、 By performing the measurement in a, it is possible to measure the same characteristics as the exposure image, it is possible to measure the relative shift amount based on ideal lattice considering distortion of writing error and the projection optical system 12 of the reticle R can,
補正値として、ローテーション、シフト、倍率などを得ることができる。 As the correction value, it is possible to obtain rotation, shift, magnification and the like. また、これと同時に、この時の基板ステージ11の位置から、フィデューシャルマークFMを基準としたときの、レチクル中心を求めることができる。 At the same time, the position of the substrate stage 11 at this time, when with respect to the fiducial mark FM, it is possible to obtain the reticle center.

【0026】さらに、オフ・アクシス方式の基板アライメント系20a,20bの指標マークに、基板ステージ11上のフィデューシャルマークFMを一致させ、このときの基板ステージ11の位置をレーザ干渉計22等で計測する。 Furthermore, the substrate alignment system 20a of off-axis type, the index mark 20b, and fiducial mark FM on the substrate stage 11 to match the position of the substrate stage 11 at this time is the laser interferometer 22, etc. measure.

【0027】これらの計測結果から、フィデューシャルマークFMを介して、レチクルRと基板アライメント系20a,20bとの相対位置、すなわちベースライン量を計測することができる。 [0027] From these measurement results, through the fiducial mark FM, the reticle R and the substrate alignment system 20a, the relative position between 20b, that is, to measure the baseline amount.

【0028】(2枚目以降のレチクルR)上記のようにして1枚目のレチクルRにおいてベースライン量を計測した後に、2枚目以降のレチクルRにおいては、1枚目に対する相対的な位置を計測する。 [0028] After measuring the baseline amount in (second and subsequent reticle R) 1 sheet of the reticle R as described above, in the second and subsequent reticle R, the relative position with respect to the first sheet to measure. これには、例えば2 These include, for example, 2
枚目のレチクルRの場合、まず、図2(c)に示すように、レチクル顕微鏡17a,17bで、レチクルR上に描画されている第1アライメントマークRMa,RMb For th reticle R, first, as shown in FIG. 2 (c), the reticle microscopes 17a, 17b, the first alignment mark RMa which is drawn on the reticle R, RMb
に照射した光束の反射光を利用して、1枚目のレチクルRの位置を大まかに位置決めする(ラフ位置決め)。 By utilizing the reflected light of the light beam irradiated to, roughly position the position of the first sheet of the reticle R (rough positioning).

【0029】次いで、図2(d)に示すように、このレチクルRの第1アライメントマークRMa,RMbを、 [0029] Then, as shown in FIG. 2 (d), the first alignment mark RMa of the reticle R, the RMb,
画像処理装置18a,18b上に投影し、画素基準で第1アライメントマークRMa,RMbの位置を計測する。 The image processing apparatus 18a, and projected onto the 18b, the first alignment mark RMa pixel basis, to measure the position of RMb. このとき、前記1枚目のレチクルRに対する2枚目のレチクルRの相対的な位置関係を検出する。 In this case, to detect the relative positional relationship of the second sheet of the reticle R with respect to the reticle R of the first sheet. これには、前記メモリー部(図示なし)に記憶しておいた1枚目のレチクルRの位置座標に対し、計測した2枚目のレチクルRの位置座標のずれ量(△Xn,△Yn)を算出する。 This includes the memory unit shift amount of the position coordinates of the relative position coordinates of the first sheet of the reticle R that has been stored in (not shown), the second sheet of the reticle R measured (△ Xn, △ Yn) It is calculated. このずれ量は、1枚目のレチクルRに対するアライメント誤差を含めた、2枚目のレチクルRの描画誤差となり、これにより、2枚目のレチクルRの線形的な描画誤差を求めることができる。 The shift amount, including alignment error for the first sheet of the reticle R, becomes the writing error of the second sheet of the reticle R, which makes it possible to calculate the linear writing error of the second sheet of the reticle R.

【0030】さらに、TTL方式により求めた、1枚目のレチクルRの理想格子からのずれ量に、前記2枚目のレチクルRのずれ量(△Xn,△Yn)を加味することにより、2枚目以降のレチクルRの位置ずれ量の把握と、正確な位置に補正するための補正値とを求めることができ、この補正値に基づいて2枚目のレチクルRを位置決めすることにより、パターンの重ね精度を確保することができる。 Furthermore, as determined by the TTL system, the amount of deviation from the ideal lattice of the first sheet of the reticle R, the deviation amount of the second sheet of the reticle R (△ Xn, △ Yn) by adding the 2 and grasping the positional deviation amount of subsequent sheets of the reticle R, it is possible to obtain the correction value for correcting the exact position, by positioning the second sheet of the reticle R on the basis of the correction value, the pattern it is possible to secure the overlapping accuracy.

【0031】3枚目以降のレチクルRについても、上記2枚目のレチクルRと同様にして、1枚目のレチクルR [0031] for the three subsequent sheets of the reticle R is also, in the same manner as in the reticle R of the second sheet above, the first sheet of the reticle R
に対する位置ずれ量の把握と、正確な位置に補正するための補正値を求めることができる。 And grasping the positional displacement amount of, you can obtain the correction value for correcting the exact position.

【0032】上述したようにして、2枚目以降のレチクルRにおいては、TTL方式でのアライメント(投影光学系12を介しての計測)を行うことなく、レチクルR [0032] As described above, in the reticle R of the second and subsequent sheets, without performing an alignment (measured via the projection optical system 12) in the TTL mode, the reticle R
のずれ量を計測することができ、これに基づいてレチクルRを位置決めすることにより、ロット切替時の処理時間を短縮して、スループットを向上させることができる。 The deviation amount can be measured, by positioning the reticle R on the basis of this, it is possible to shorten the processing time for the lot switching, improving throughput.

【0033】また、その計測に、例えば複数組のCCD Further, in the measurement, for example, a plurality of sets of CCD
等の画像処理装置18a,18bを用いることにより、 The image processing apparatus 18a etc., by using a 18b,
1点あたりXYの2軸同時に検出が可能であり、また複数点での計測も同時に処理できるため、レチクルRの位置ずれ量を検出するための計測時間が減り、上記効果は一層顕著なものとなる。 It is possible to detect two axes per point XY simultaneously, and because the measurement can also be processed simultaneously at a plurality of points reduces the measurement time for detecting the positional deviation amount of the reticle R, the effect and even more remarkable Become.

【0034】なお、図2の例では、レチクルRのX軸上の左右に設けた2つのレチクル観察系16a,16b [0034] In the example of FIG. 2, two reticles observation system 16a provided at the left and right on the X-axis of the reticle R, 16b
で、レチクルRのずれ量の測定を行う構成としたが、これを、図3に示すように、さらにレチクルRのY軸上の上下にレチクル観察系16c,16dを設ける構成とすれば、より正確に相対的なずれ量を検出することが可能となる。 In, a configuration for measuring the shift amount of the reticle R, which, as shown in FIG. 3, further reticle R in the Y reticle observation system above and below on the shaft 16c, with the configuration providing 16d, more precisely it is possible to detect the relative displacement amount.

【0035】また、上記実施の形態では、フィデューシャルマークFMのセンサーとして、例えばフォトマルチプライヤを用いる構成としたが、これに代えて、CCD [0035] In the above embodiment, as the sensor of the fiducial mark FM, for example it has a configuration using a photomultiplier, instead of this, CCD
を用いた画像処理系のものを用いる構成とすることも可能である。 It is also possible to adopt a configuration using one of the image processing system using.

【0036】さらに、本実施の形態のプレートPとしては、液晶表示デバイス用の基板のみならず、半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, as the plate P of the present embodiment, not only the substrate for a liquid crystal display device, and a semiconductor wafer for a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask or reticle used in the exposure apparatus, precursors (synthetic quartz, silicon wafer) used by an application of.

【0037】露光装置10としては、レチクルRとプレートPとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、レチクルRとプレートPとを静止した状態でレチクルRのパターンを露光し、プレートPを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパー)にも適用することができる。 Other; (USP5,473,410 scanning stepper) [0037] The exposure apparatus 10, a scanning exposure apparatus by a step-and-scan method that scans and exposes the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the plate P to, exposing a pattern of the reticle R in a stationary state the reticle R and the plate P, may also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat method to sequentially step move the plate P (stepper).

【0038】露光装置10の種類としては、基板に液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス製造用のものに限られず、ウエハに半導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 [0038] The type of exposure apparatus 10 is not limited to the liquid crystal display device manufacturing which exposes a liquid crystal display device pattern onto a substrate, the exposure apparatus or for manufacturing a semiconductor device that exposes a semiconductor device pattern on a wafer, a thin film magnetic head, can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing an imaging device (CCD) or a reticle.

【0039】また、照明光の光源として、超高圧水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h線(4 Further, as the light source of the illumination light, bright line generated from ultra-high pressure mercury lamp (g-line (436 nm), h-line (4
04.7nm)、i線(365nm))、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(19 04.7nm), i ray (365 nm)), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (19
3nm)、F 2レーザ(157nm)のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。 3 nm), not only the F 2 laser (157 nm) only, it is possible to use a charged particle beam such as X-ray or electron beam. 例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB 6 )、タンタル(Ta)を用いることができる。 For example, as the electron gun in the case of using an electron beam, thermionic emission type lanthanum hexaboride (LaB 6), it can be used tantalum (Ta). また、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。 It may also be used, such as radio frequency, such as YAG laser and semiconductor lasers.

【0040】投影光学系12の倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。 The magnification of the projection optical system 12 may be either a reduction system and a magnifying system not equal magnification system only. また、投影光学系12としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F 2レーザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。 Further, as the projection optical system 12, using a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz and fluorite as the glass material when using a far ultraviolet ray such as an excimer laser, catadioptric system, or in the case of using the F 2 laser or X-ray the optical system of the refraction system (reticle R also used as a reflective type), or may be used an electron optical system comprising an electron lens and a deflector as an optical system in the case of using an electron beam. なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。 The optical path through which an electron beam passes, it is needless to say that the vacuum state.

【0041】基板ステージ11やレチクルステージ13 The substrate stage 11 and the reticle stage 13
にリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 When using a linear motor (see USP5,623,853 or USP5,528,118) is an air bearing of the air floating type based Lorentz force or reactance force either a magnetic levitation type may be used using using. また、各基板ステージ11やレチクルステージ13は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 Each substrate stage 11 and the reticle stage 13 may be a type that moves along a guide or may be the guideless type in which no guide is provided. 各基板ステージ11やレチクルステージ13の駆動機構11D,13Dとしては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各基板ステージ11やレチクルステージ13を駆動する平面モータを用いてもよい。 As the driving mechanism 11D, 13D of the substrate stage 11 and the reticle stage 13, a magnet unit in which magnets are two-dimensional (permanent magnets), each by an electromagnetic force is opposed to the armature unit in which to place the coils in a two-dimensional it may be used planar motor that drives the substrate stage 11 and the reticle stage 13. この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方を基板ステージ1 In this case, the substrate to either one of the magnet unit and the armature unit stage 1
1やレチクルステージ13に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方を基板ステージ11やレチクルステージ13の移動面側(ベース)に設ければよい。 Connect to 1 and the reticle stage 13 may be provided and the other of the magnet unit and the armature unit to the moving surface side of the substrate stage 11 and the reticle stage 13 (base). 基板ステージ11の移動により発生する反力は、投影光学系12に伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Generated by the movement of the substrate stage 11 reaction force so as not transmitted to the projection optical system 12, as described in JP-A-8-166475 discloses (USP5,528,118), mechanically using a frame member it may be released to the floor (ground). 本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。 The present invention can also be applied to an exposure apparatus having such a structure. レチクルステージ13の移動により発生する反力は、投影光学系12に伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 The reaction force generated by the movement of the reticle stage 13, as is not transmitted to the projection optical system 12, as described in JP-A-8-330224 discloses (US S / N 08 / 416,558), using a frame member mechanically it may be released to the floor (ground) Te. 本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。 The present invention can also be applied to an exposure apparatus having such a structure.

【0042】以上のように、本願実施形態の露光装置1 [0042] As described above, the exposure apparatus of the present embodiment 1
0は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 0 is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application prescribed mechanical accuracy, electrical accuracy, so as to maintain the optical accuracy are manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置10への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus 10, the various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置10への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus 10 from these various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置10への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置10全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling to the exposure device 10 of the various subsystems, total adjustment is performed, as a whole various accuracies of the exposure apparatus 10 is ensured. なお、露光装置10の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacture of exposure apparatus 10 is preferably performed in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.

【0043】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデバイスは、図4に示すように、液晶表示デバイス等の機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたレチクルR(マスク)を製作するステップ2 [0043] Step device such as a liquid crystal display device or a semiconductor device, as shown in FIG. 4, step 201 that designs the functions and performance of the liquid crystal display device or the like, to fabricate the reticle R (mask) based on the designing step 2
02、石英等からプレートP、またはシリコン材料からウエハを製作するステップ203、前述した実施の形態の露光装置10によりレチクルRのパターンをプレートP(またはウエハ)に露光するステップ204、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ(ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 02, step 203 of fabricating a wafer from the plate P, or a silicon material, a quartz, a step 204 of exposing a pattern of the reticle R by the exposure device 10 of the above-described embodiment the plate P (or wafer), a liquid crystal display device or the like (the case of a wafer, a dicing process, a bonding process, including the packaging process) step of assembling the 205, and an inspection step 206, and the like.

【0044】これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない範囲内であれば、いかなる構成を採用しても良く、また上記したような構成を適宜選択的に組み合わせたものとしても良いのは言うまでもない。 [0044] Besides this, if it is within a scope not departing from the gist of the present invention may be employed any configuration, also be good as a combination to appropriately selecting the configuration as described above is needless to say There.

【0045】 [0045]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置によれば、2枚目以降の第2マスクにおいては、TTL方式でのアライメント(投影光学系を介しての計測)を行うことなく第2マスクのずれ量を計測することができ、したがってロット切替時の処理時間を短縮することができる。 As described in the foregoing, according to the exposure apparatus using the alignment method and its mask according to the present invention, in the second mask 2 and subsequent sheets, the alignment in the TTL system (projection optical it can measure the displacement amount of the second mask without performing measurement) through the system, thus it is possible to shorten the processing time for the lot changeover. また、その計測に、例えば複数組のCCD等の画像処理系を用いることにより、1点あたりXYの2軸同時の位置検出が可能であり、また複数点での計測も同時に処理できるため、マスクの位置ずれ量を検出するための計測時間が減り、上記効果は一層顕著なものとなる。 Further, in the measurement, for example, by using a plurality of image processing system such as a CCD, it is capable of two-axis simultaneous positional detection of XY per point, also because it can process simultaneously measured at multiple points, masks reduces the measurement time to detect the amount of positional displacement, the effect becomes more remarkable.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明に係るマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置の一例を示す概略構成図である。 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus using alignment method and its mask according to the present invention.

【図2】 前記露光装置におけるマスクの位置合わせ方法を示す図であって、(a)は第1マスクの位置計測を行っている状態、(b)は(a)において画素素子における位置計測を示し、また(c)は第2マスクの位置計測を行っている状態、(d)は(c)において画素素子における位置計測を示す図である。 [Figure 2] A diagram showing a method of aligning the mask in the exposure apparatus, (a) a state where performing position measurement of the first mask, a position measurement in the pixel elements in (b) is (a) shows, also (c) a state where performing position measurement of the second mask, (d) is a diagram showing a position measurement in the pixel element in (c).

【図3】 本発明に係るマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置の他の一例を示す図である。 Figure 3 is another diagram showing an example of an exposure apparatus using alignment method and its mask according to the present invention.

【図4】 本発明に係るマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置を適用して製造されるデバイスの製造工程を示すフローチャートである。 4 is a flowchart showing manufacturing steps of a device manufactured by applying the exposure apparatus using mask alignment methods and it according to the present invention.

【図5】 従来のマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置の一例を示す概略構成図である。 5 is a schematic diagram showing an example of a conventional method of aligning a mask and an exposure apparatus using the same.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 露光装置 11 基板ステージ(基板位置決め手段) 12 投影光学系 13 レチクルステージ(マスク位置決め手段) 16a,16b レチクル観察系(アライメント系、位置計測手段) 17a,17b レチクル顕微鏡(ラフ位置検出部) 18a,18b 画像処理装置(撮像素子、高精度位置計測部) 20a,20b 基板アライメント系(パターン計測手段) FM フィデューシャルマーク(センサ) P プレート(基板) R レチクル(マスク) RMa,RMb 第1アライメントマーク(基準マーク) 10 exposure device 11 substrate stage (substrate positioning means) 12 projecting optical system 13 a reticle stage (mask positioning means) 16a, 16b reticle observation system (alignment system, the position measuring means) 17a, 17b reticle microscope (rough position detection unit) 18a, 18b the image processing apparatus (image pickup device, high-accuracy position measurement unit) 20a, 20b substrate alignment system (pattern measuring means) FM fiducial (sensor) P plates (substrate) R a reticle (mask) RMa, RMb first alignment mark (reference mark)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 第1および第2マスクを順次所定の位置に保持し、前記第1マスクに設けられた基準マークをアライメント系で計測し、該第1マスクを所定の位置に合わせた後、該第2マスクに形成されたパターンを露光光で照明して、投影光学系を介して基板上に露光転写し、 [Claim 1] holds the first and second mask sequentially place the reference marks provided on the first mask is measured by the alignment system, after adjusting the first mask in place, the pattern formed on the second mask is illuminated with exposure light, and exposure transferred onto the substrate via a projection optical system,
    続いて、前記第2マスクに設けられた基準マークを前記アライメント系で計測し、該第2マスクを所定の位置に合わせて、前記第2マスクに形成されたパターンを露光光で照明し、前記投影光学系を介して前記基板上に露光転写するに際して、 前記第1マスクに形成された前記パターンの位置を複数箇所計測して、前記基板に対して所定の位置関係になるように前記第1マスクを位置決めし、 前記アライメント系に対する前記位置決めされた第1マスクの前記基準マークの位置を計測して、前記アライメント系に対する前記第1マスクの位置を求め、 前記第2マスクを位置合わせする際には、前記アライメント系と前記第2マスクに設けられた前記基準マークとの相対位置に基づいて、前記求めた第1マスクの位置に該第2マスクを位置決 Subsequently, the reference mark provided on the second mask measured by the alignment system, the combined second mask at a predetermined position, the pattern formed on the second mask is illuminated with exposure light, wherein in exposure transferred onto the substrate via a projection optical system, wherein the position of the pattern formed in the first mask with a plurality of locations measured, said to be a predetermined positional relationship with the substrate first positioning a mask, by measuring the position of the reference mark of the first mask that is the positioning with respect to the alignment system, determine the position of the first mask relative to the alignment system, when aligning the second mask based on the relative position of the reference marks provided on said alignment system and said second mask, positioning a second mask on the position of the first mask obtained することを特徴とするマスクの位置合わせ方法。 Method of aligning a mask, characterized by.
  2. 【請求項2】 前記アライメント系での測定は、ファインモードとラフモードとの2つの計測モードを備え、前記第1マスクの基準マークの位置をファインモードで測定することを特徴とする請求項1記載のマスクの位置合わせ方法。 Measurements in claim 2, wherein said alignment system comprises two measurement modes the fine mode and Rafumodo claim 1, wherein the measuring the position of the reference mark of the first mask in the fine mode alignment method of the mask.
  3. 【請求項3】 前記ファインモードでの前記アライメント系の計測では、撮像素子を用いて前記基準マークの2 3. In the measurement of the alignment system in the fine mode, 2 of the reference mark using an imaging element
    次元方向の計測を行うことを特徴とする請求項2記載のマスクの位置合わせ方法。 Method of aligning a mask according to claim 2, characterized in that the dimension direction of the measurement.
  4. 【請求項4】 前記第1マスクに形成された前記パターンの位置を複数箇所計測するに際して、前記基板を載置するステージ上のセンサに前記パターンを投影し、前記パターンの位置を前記ステージの移動方向の基準格子に基づいて計測することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクの位置合わせ方法。 Upon wherein measuring a plurality of locations the position of said pattern formed in the first mask, the pattern projected on the sensor on the stage for placing the substrate, moving the position of the pattern of the stage method of aligning a mask according to any one of claims 1 to 3, characterized in that measured based on the direction of the reference grid.
  5. 【請求項5】 複数のマスクに形成されたパターンを露光光で順次照明し、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、 前記複数のマスクのうち1つのマスクを選択的に位置決め可能に保持するマスク位置決め手段と、 前記位置決めされたマスクのパターンを前記基板上に露光する露光手段と、 前記基板を位置決めする基板位置決め手段と、 前記投影手段を介して前記マスクの所定パターンを前記基板に投影し、前記基板の座標系に基づいて前記所定パターンの投影位置を計測するパターン計測手段と、 前記マスクに設けられた基準マークの位置を計測する位置計測手段とを備え、 前記マスク位置決め手段は、前記基板と前記マスクのパターンとを所定の関係になるよう位置合わせした時の前記位置計測手段で計測した前記基 5. The plurality of pattern formed on the mask are sequentially illuminated with the exposure light, there is provided an exposure apparatus for transferring onto a substrate through a projection optical system, selectively one mask of the plurality of masks predetermined pattern of the mask through the mask positioning means for holding and positioning, and exposure means for exposing a pattern of the positioning mask on the substrate, and the substrate positioning means for positioning said substrate, said projection means was projected onto the substrate, comprising: a pattern measuring means for measuring the projection position of the predetermined pattern on the basis of the coordinate system of the substrate, and a position measuring means for measuring the position of the reference mark provided on the mask, wherein mask positioning means, the base measured by the position measuring means when aligned so that the pattern of the substrate and the mask to a predetermined relationship 準マークの位置に基づいて前記マスクを位置決めすることを特徴とする露光装置。 Exposure apparatus characterized by positioning the mask on the basis of the position of the quasi-mark.
  6. 【請求項6】 前記位置計測手段が、高精度に位置を検出する高精度位置計測部と、大まかに位置を検出するラフ位置検出部とを備えたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。 Wherein said position measurement means, a high-precision position measuring unit for detecting the position with high accuracy, the exposure according to claim 5, characterized in that a rough position detector for detecting a rough position apparatus.
  7. 【請求項7】 前記パターン計測手段は、前記マスクに複数設けられた所定のパターンの位置を計測することを特徴とする請求項5または6記載の露光装置。 Wherein said pattern measuring means, an exposure apparatus according to claim 5 or 6, wherein measuring the position of a predetermined pattern provided more on the mask.
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