JP2001060535A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製造方法

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JP2001060535A
JP2001060535A JP11232928A JP23292899A JP2001060535A JP 2001060535 A JP2001060535 A JP 2001060535A JP 11232928 A JP11232928 A JP 11232928A JP 23292899 A JP23292899 A JP 23292899A JP 2001060535 A JP2001060535 A JP 2001060535A
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oxide film
solid electrolytic
electrolytic capacitor
dielectric oxide
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Yukihiro Nitta
幸弘 新田
Munehiro Morokuma
宗宏 諸隈
Junji Ozaki
潤二 尾崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波領域でのインピーダンス特性と漏れ電
流に優れた大容量の巻回形の固体電解コンデンサを得る
ことを目的とする。 【解決手段】 誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔１と陰
極箔２とをセパレータ３を介して巻回したコンデンサ素
子１２に、テトラシアノキノジメタン錯塩よりなる導電
層５を電極箔間に保持する固体電解コンデンサにおい
て、陽極箔１の誘電体酸化皮膜１１上および／またはセ
パレータ３上にポリエチレンジオキシチオフェンポリス
チレンスルフォネートを含有する層４を設けた構成とし
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテトラシアノキノジ
メタン錯塩を電解質に用いた巻回形の固体電解コンデン
サおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の高周波化に伴って、電子部品
である電解コンデンサにも従来よりも高周波領域でのイ
ンピーダンス特性に優れた大容量の電解コンデンサが求
められてきている。最近では、この高周波領域のインピ
ーダンス低減のために、電気伝導度の高い導電層を形成
できるテトラシアノキノジメタン（以下、ＴＣＮＱと略
記）錯塩を電解質に用いた固体電解コンデンサが検討さ
れてきており、また大容量化の要求に対しては電極箔を
積層させる場合と比較して、構造的に大容量化が容易な
巻回形（陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介し
て巻回して構成したもの）の固体電解コンデンサへのＴ
ＣＮＱ錯塩の応用が成されてきている。
【０００３】従来の電解液を電解質とする電解コンデン
サは、陽極箔と陰極箔との接触を避けるためその間にセ
パレータを介在させることが必須であることから、マニ
ラ紙やクラフト紙からなるいわゆる電解紙をセパレータ
として用いられている。
【０００４】また、ＴＣＮＱ錯塩を導電層（電解質）と
する巻回形の固体電解コンデンサ用のセパレータとして
は、ガラス繊維不織布、メルトブロー等の樹脂を主成分
とする不織布、または上記電解紙を用いてコンデンサ素
子を巻回した後に加熱等の方法によりこの電解紙を炭化
処理した炭化状態の電解紙等をセパレータとして用いる
ことが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、セパレータとして用いるガラス繊維不織布
は裁断や巻回の際に針状ガラス繊維が周囲に飛散するこ
とより作業環境上の問題が大きく、また巻回に伴う屈曲
時の強度も脆く、製品がショートしやすいという欠点を
有していた。
【０００６】また、メルトブロー等の樹脂を主成分とす
る不織布は引っ張り強度が電解紙と比較して弱いために
コンデンサ素子の巻き取り時にセパレータ切れが発生し
やすい上、樹脂繊維どうしを接着してシート化する際に
用いられる接着剤成分の影響によりＴＣＮＱ錯塩をセパ
レータに保持させ難く、高周波領域でのインピーダンス
が低い固体電解コンデンサを製造することが困難であっ
た。
【０００７】また、炭化処理した炭化状態の電解紙は、
コンデンサ素子に２５０℃を超えるほどの熱を加えなけ
れば導電性高分子を保持させて高周波領域でのインピー
ダンスを低減させるに十分な炭化状態を作ることが難し
く、この加熱により誘電体酸化皮膜が損傷して漏れ電流
が大きくなりやすい上、この加熱により固体電解コンデ
ンサの引き出しリード線のメッキ層（例えばスズ／鉛
層）が酸化を受けるため、一般的なメッキ線を用いた場
合には完成後の製品のリード線部での半田濡れ性が著し
く低下するため、耐酸化性の強い高価な銀メッキリード
線を使用しなければならない等の問題を有していた。
【０００８】本発明はこのような課題を解決し、インピ
ーダンス特性と漏れ電流に優れた大容量の固体電解コン
デンサおよびその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔
とをその間にセパレータを介して巻回し、かつ少なくと
も上記陽極箔の誘電体酸化皮膜上および／またはセパレ
ータ上にポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレン
スルフォネートを含有する層を設けたコンデンサ素子
と、このコンデンサ素子の陽極箔と陰極箔との間に設け
たテトラシアノキノジメタン錯塩の導電層からなる構成
としたものである。また、この固体電解コンデンサを得
るための製造方法としては、誘電体酸化皮膜を形成した
陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介して巻回し
たコンデンサ素子を、ポリエチレンジオキシチオフェン
ポリスチレンスルフォネートを含有する溶液またはこの
溶液に誘電体酸化皮膜および／またはセパレータとの密
着性を向上させるための結合剤を含有する溶液のいずれ
かに含浸させ、続いてこのコンデンサ素子を加熱するこ
とにより上記溶液の溶剤成分を蒸発させて陽極箔の誘電
体酸化皮膜上および／またはセパレータ上にポリエチレ
ンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォネートを含
有する層を形成する工程と、上記コンデンサ素子の陽極
箔と陰極箔との間に、テトラシアノキノジメタン錯塩を
溶融、含浸、冷却することにより導電層を形成する工程
を設けたものである。
【００１０】これらの本発明により、インピーダンス特
性と漏れ電流特性に優れた大容量の固体電解コンデンサ
を得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔とをその
間にセパレータを介して巻回し、かつ少なくとも上記陽
極箔の誘電体酸化皮膜上および／またはセパレータ上に
ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォ
ネートを含有する層を設けたコンデンサ素子と、このコ
ンデンサ素子の陽極箔と陰極箔との間に設けたテトラシ
アノキノジメタン錯塩の導電層からなる構成としたもの
であり、この構成によれば、ポリエチレンジオキシチオ
フェンポリスチレンスルフォネートを含有する層は陽極
箔の誘電体酸化皮膜および／またはセパレータとの密着
性・接着性が通常の化学重合性高分子やＴＣＮＱ錯塩と
比較して良好であるため、ＴＣＮＱ錯塩を陽極箔と陰極
箔との間（以下電極箔間という）に形成させる前にこの
成分を含有する層を予め誘電体酸化皮膜上ならびにセパ
レータ上に形成することにより、電極箔間にＴＣＮＱ錯
塩を形成させた際、このポリエチレンジオキシチオフェ
ンポリスチレンスルフォネートを含有する層を介して誘
電体酸化皮膜ならびにセパレータとＴＣＮＱ錯塩の密着
性・接着性が高まり、その結果、誘電体酸化皮膜へのＴ
ＣＮＱ錯塩の被覆率が高まり、誘電体酸化皮膜より高効
率に静電容量を取り出すことができるので大容量の固体
電解コンデンサを得ることができ、またセパレータへの
ＴＣＮＱ錯塩の被覆率が高まり、電極間の抵抗成分を低
減することができるので高周波領域のインピーダンスの
低い固体電解コンデンサを得ることができるという作用
を有する。
【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、セパレータが合成樹脂を主体とした厚
み８０μｍ以下のものであり、かつ秤量が１０〜６０ｇ
／ｍ 2の範囲のものにしたものであり、この構成によれ
ば、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスル
フォネートを含有する層と合成樹脂（例えば、ポリエス
テル系繊維、ビニロン系繊維、ナイロン系繊維、レーヨ
ン系繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ト
リメチルペンテン繊維、ポリフェニレンサルファイド繊
維、セルロイド［または硝酸化したセルロース］繊維）
との密着性・接着性が極めて良いため、他のセパレータ
材質を使用した場合と比較して高周波領域でのインピー
ダンスをより低くすることができる。また、厚みを８０
μｍ以下とすることにより、同じ面積の電極箔を巻回し
た場合においても直径の小さなコンデンサを構成するこ
とができるので、単位体積当たりの容量の大きなコンデ
ンサを構成することができる。また、秤量を１０〜６０
ｇ／ｍ2の範囲にすることで、合成繊維を主体とするセ
パレータにおいてもコンデンサ素子の巻回時にセパレー
タ切れの頻度を少なくするに十分な引っ張り強度が確保
でき、かつ電極間の抵抗の小さな、すなわち高周波領域
でのインピーダンスの低いコンデンサを得ることができ
るという作用を有する。
【００１３】なお、セパレータの秤量が１０ｇ／ｍ2未
満では巻回時のセパレータ切れが多発するので好ましく
なく、秤量が６０ｇ／ｍ2を超える範囲では高周波領域
のインピーダンスが高くなるので好ましくない。また、
秤量が１０ｇ／ｍ2以上であっても、ポリエチレンジオ
キシチオフェンポリスチレンスルフォネートを含有する
層がセパレータ繊維上を被覆してない場合は、セパレー
タの引っ張り強度が確保できないのでショート等が発生
しやすい。すなわち、ポリエチレンジオキシチオフェン
ポリスチレンスルフォネートを含有する層でセパレータ
繊維を被覆することによる引っ張り強度の向上効果が大
きいものである。
【００１４】請求項３および４に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において、セパレータがポリアルキレン
テレフタレート樹脂からなるスパンボンド、特にはその
材質をポリエチレンテレフタレート樹脂および／または
ポリブチレンテレフタレート樹脂にしたものであり、こ
の構成によれば、合成樹脂の中でもとりわけポリアルキ
レンテレフタレート樹脂（更に好ましくはポリエチレン
テレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹
脂）とポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンス
ルフォネートを含有する層との密着性・接着性が極めて
良いため、他の合成樹脂からなるセパレータ材質を使用
した場合と比較して高周波領域でのインピーダンスをよ
り一層低くすることができる。また、スパンボンドはそ
の他の合成樹脂不織布と異なり、シート化の際に繊維ど
うしを接着するための接着剤を用いることなく熱接着法
や機械的交絡法によりシート化することができるので、
接着剤成分の影響によるＴＣＮＱ錯塩の含浸阻害や剥離
が生じ難いため、ＴＣＮＱ錯塩をセパレータに保持させ
易く、高周波領域でのインピーダンスの低いコンデンサ
を構成することができるという作用を有する。
【００１５】また、スパンボンドはメルトブロー法やト
ウ開繊法のものと比較して１本の繊維長が長いため、同
じ厚み、秤量で比較した場合、引っ張り強度が強くな
り、コンデンサ素子の巻回時にセパレータ切れの頻度が
少なくなるので好ましい。
【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれか一つに記載の発明において、ポリエチレンジオ
キシチオフェンポリスチレンスルフォネートを含有する
層が、誘電体酸化皮膜および／またはセパレータとの密
着性を向上させるための結合剤を含有するものである構
成としたものであり、この構成によれば、バインダー成
分の効果によりポリエチレンジオキシチオフェンポリス
チレンスルフォネートを含有する層と、誘電体酸化皮膜
ならびにセパレータ繊維との密着性・接着性が更に高ま
るため、その結果、ポリエチレンジオキシチオフェンポ
リスチレンスルフォネートのみを含有する層の場合と比
較して、誘電体酸化皮膜へのＴＣＮＱ錯塩の被覆率がよ
り高まり、誘電体酸化皮膜より高効率に静電容量を取り
出すことができるので、より大容量の固体電解コンデン
サを得ることができ、またセパレータ繊維へのＴＣＮＱ
錯塩の被覆率がより高まり、電極間の抵抗成分を低減す
ることができるので高周波領域のインピーダンスのより
低い固体電解コンデンサを得ることができるという作用
を有する。
【００１７】請求項６に記載の発明は、誘電体酸化皮膜
を形成した陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介
して巻回したコンデンサ素子を、ポリエチレンジオキシ
チオフェンポリスチレンスルフォネートを含有する溶液
またはこの溶液に誘電体酸化皮膜および／またはセパレ
ータとの密着性を向上させるための結合剤を含有する溶
液のいずれかに含浸させ、続いてこのコンデンサ素子を
加熱することにより上記溶液の溶剤成分を蒸発させて陽
極箔の誘電体酸化皮膜上および／またはセパレータ上に
ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォ
ネートを含有する層を形成する工程と、上記コンデンサ
素子の陽極箔と陰極箔との間に、テトラシアノキノジメ
タン錯塩を溶融、含浸、冷却することにより導電層を形
成する工程を有した固体電解コンデンサの製造方法とい
うものであり、この方法により、高周波領域のインピー
ダンスの低い大容量の固体電解コンデンサを安定して製
造することができるという作用を有する。
【００１８】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
の発明において、ポリエチレンジオキシチオフェンポリ
スチレンスルフォネートを含有する溶液、またはこの溶
液に誘電体酸化皮膜および／またはセパレータとの密着
性を向上させるための結合剤を含有する溶液の含水率が
１重量％以上である製造方法としたものであり、この方
法によれば、特に合成樹脂を主体とするセパレータと組
み合わせた場合、（ほとんどの合成樹脂は疎水性である
ため）溶液中に１重量％以上の水を存在させることで溶
液中の溶剤成分を乾燥させ、ポリエチレンジオキシチオ
フェンポリスチレンスルフォネートを含有する層を形成
させる際、層を疎水性のセパレータ繊維上よりもむしろ
親水性の誘電体酸化皮膜上に多く分布させるように分布
制御を行うことができるので、特に誘電体酸化皮膜への
ＴＣＮＱ錯塩の被覆率をより一層高め、誘電体酸化皮膜
より高効率に静電容量を取り出すことで大容量の固体電
解コンデンサを得ようとする際に好ましいという作用を
有する。
【００１９】なお、上記溶液中の含水率が１重量％未満
の場合では、この分布制御が困難となるものである。
【００２０】請求項８に記載の発明は、請求項６または
７に記載の発明において、ポリエチレンジオキシチオフ
ェンポリスチレンスルフォネートと誘電体酸化皮膜およ
び／またはセパレータとの密着性を向上させるための結
合剤を含有する溶液の溶媒中の結合剤の含有率が０．１
重量％以上である製造方法としたものであり、この方法
によれば、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレ
ンスルフォネートを含有する層を形成する際に、密着性
・接着性を確保するに十分な量の結合剤を溶液中成分と
して確保できるという作用を有する。
【００２１】以下、本発明の実施の形態について、比較
例としての従来例と共に添付図面に基づいて説明する。
【００２２】図１、図２は本発明の固体電解コンデンサ
の構成を示した部分断面斜視図および同素子の要部を拡
大した概念図であり、同図に示すように、エッチング処
理により表面を粗面化した後に酸化処理により誘電体酸
化皮膜１１を形成したアルミニウム箔からなる陽極箔１
と、アルミニウム箔をエッチング処理した陰極箔２とを
セパレータ３を介して巻き取ることによりコンデンサ素
子１２を作製し、上記誘電体酸化皮膜１１と陰極箔２と
セパレータ３の少なくとも１つ以上にポリエチレンジオ
キシチオフェンポリスチレンスルフォネートを含有する
層４が形成されている。また、上記陽極箔１と陰極箔２
との間に（ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレ
ンスルフォネートを含有する層４に接するようにして）
ＴＣＮＱ錯塩からなる導電層５を形成してコンデンサ素
子１２が構成されている。
【００２３】このコンデンサ素子１２を有底円筒状のア
ルミニウムケース９に収納すると共に、アルミニウムケ
ース９の解放端をゴム製の封口材８により陽極箔１及び
陰極箔２のそれぞれから導出した外部導出用の陽極リー
ド６と陰極リード７を封口材８を貫通するように封止し
て構成したものである。
【００２４】次に、本発明の具体的な実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。以下、部はすべて重量部を示す。
【００２５】（実施の形態１）陽極箔と陰極箔との間に
ポリエチレンテレフタレート製スパンボンドのセパレー
タ（厚さ５０μｍ、秤量２５ｇ／ｍ2）を介在させて巻
回することにより、巻回形のアルミニウム電解コンデン
サ素子を構成した（このコンデンサ素子にアジピン酸ア
ンモニウムの１０重量％エチレングリコール溶液を含浸
させた際の周波数１２０Ｈｚにおける静電容量は６７０
μＦであった。）。
【００２６】続いて、このコンデンサ素子をポリエチレ
ンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォネート１．
０％水溶液（バイエル社製バイトロンＰ［商品名］のポ
リエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォネ
ートの濃度を調整したもの）中に浸漬して引き上げた
後、１５０℃で５分間乾燥処理を行い、誘電体酸化皮膜
上、陰極箔上ならびにセパレータ繊維上にポリエチレン
ジオキシチオフェンポリスチレンスルフォネート層を形
成した。
【００２７】続いて、このコンデンサ素子をＴＣＮＱ錯
塩であるＮ−ｎ−ブチルイソキノリウム（ＴＣＮＱ）2
のペレットを加熱溶融した液に含浸させた後、コンデン
サ素子を室温まで冷却することにより導電層を電極箔間
に形成した。
【００２８】続いて、樹脂加硫ブチルゴム封口材（ブチ
ルゴムポリマー３０部、カーボン２０部、無機充填剤５
０部から構成、封口体硬度：７０ＩＲＨＤ［国際ゴム硬
さ単位］）と共にアルミニウム製の外装ケースに封入し
た後、カーリング処理により開口部を封止し、更に陽極
箔、陰極箔から夫々導出された両リード端子をポリフェ
ニレンサルファイド製の座板に通し、リード線部を扁平
−折り曲げ加工することにより面実装型の固体アルミ電
解コンデンサを構成した（サイズ：直径１０ｍｍ×高さ
１０ｍｍ）。
【００２９】（実施の形態２）上記実施の形態１におい
て、セパレータにポリプロピレン製スパンボンドのセパ
レータ（厚さ５０μｍ、秤量２５ｇ／ｍ2）を用いた以
外は実施の形態１と同様に作製した。
【００３０】（実施の形態３）上記実施の形態１におい
て、セパレータにマニラ麻電解紙に硝酸化処理した硝酸
化セルロース繊維紙を用いた以外は実施の形態１と同様
に作製した。
【００３１】（実施の形態４）上記実施の形態１におい
て、セパレータにガラス繊維不織布（厚み８０μｍ、秤
量１０ｇ／ｍ2）を用いた以外は実施の形態１と同様に
作製した。
【００３２】（実施の形態５）上記実施の形態１におい
て、陽極箔と陰極箔との間にマニラ麻からなる電解紙
（厚さ５０μｍ）を介在させて巻回し、このコンデンサ
素子を窒素雰囲気中、２７５℃で２時間加熱することで
電極箔間に介在する電解紙を炭化させてコンデンサ素子
を構成した後、このコンデンサ素子をポリエチレンジオ
キシチオフェンポリスチレンスルフォネート１．０％水
溶液（バイエル社製バイトロンＰ［商品名］のポリエチ
レンジオキシチオフェンポリスチレンスルフォネートの
濃度を調整したもの）中に浸漬して引き上げた以外は実
施の形態１と同様に作製した。
【００３３】（実施の形態６）上記実施の形態１におい
て、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスル
フォネート水溶液の濃度を３．０％にした以外は実施の
形態１と同様に作製した。
【００３４】（実施の形態７）上記実施の形態１におい
て、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスル
フォネートの濃度を３．０％にし、かつこの溶液にバイ
ンダー成分として水溶性高分子であるメタクリル酸アク
リル酸共重合物を水溶液中固形分濃度にして１．０％と
変性ポリエチレンテレフタレートの懸濁溶液を水溶液中
固形分濃度にして１．０％を添加した以外は実施の形態
１と同様に作製した。
【００３５】（実施の形態８）上記実施の形態１におい
て、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスル
フォネート（濃度１．０％）の溶液を水３０部、エチル
アルコール７０部の混合溶剤溶液にした以外は実施の形
態１と同様に作製した。
【００３６】（比較例１）陽極箔と陰極箔との間にポリ
エチレンテレフタレート製スパンボンドのセパレータ
（厚さ５０μｍ、秤量２５ｇ／ｍ2）を介在させて巻回
することにより巻回形のアルミニウム電解コンデンサ素
子を構成した（このコンデンサ素子にアジピン酸アンモ
ニウムの１０重量％エチレングリコール溶液を含浸させ
た際の周波数１２０Ｈｚにおける静電容量は６７０μＦ
であった。）。このコンデンサ素子を続いてＴＣＮＱ錯
塩であるＮ−ｎ−ブチルイソキノリウム（ＴＣＮＱ）2
のペレットを加熱溶融した液に含浸させた後、コンデン
サ素子を室温まで冷却することにより導電層を電極箔間
に形成した。このコンデンサ素子を樹脂加硫ブチルゴム
封口材（ブチルゴムポリマー３０部、カーボン２０部、
無機充填剤５０部から構成、封口体硬度：７０ＩＲＨＤ
［国際ゴム硬さ単位］）と共にアルミニウム製の外装ケ
ースに封入した後、カーリング処理により開口部を封止
し、更に陽極箔、陰極箔から夫々導出された両リード端
子をポリフェニレンサルファイド製の座板に通し、リー
ド線部を扁平に折り曲げ加工することにより面実装型の
固体アルミ電解コンデンサを構成した（サイズ：直径１
０ｍｍ×高さ１０ｍｍ）。
【００３７】（比較例２）上記比較例１において、セパ
レータをガラス繊維不織布（厚み８０μｍ、秤量１０ｇ
／ｍ2）にした以外は比較例１と同様に作製した。
【００３８】（比較例３）上記比較例１において、セパ
レータをポリプロピレンのメルトブロー不織布（厚さ５
０μｍ、秤量２５ｇ／ｍ2）にした以外は比較例１と同
様に作製した。
【００３９】（比較例４）上記比較例１において、陽極
箔と陰極箔との間にマニラ麻からなる電解紙（厚さ４５
μｍ）を介在させて巻回し、このコンデンサ素子を窒素
雰囲気中、２７５℃で２時間加熱することで電極箔間に
介在する電解紙を炭化させてコンデンサ素子を構成した
以外は比較例１と同様に作製した。
【００４０】以上のように作製した本発明の実施の形態
１〜８と比較例１〜４の固体アルミ電解コンデンサにつ
いて、その静電容量（測定周波数１２０Ｈｚ）、インピ
ーダンス（測定周波数１００ｋＨｚ）、漏れ電流（定格
電圧６．３Ｖ印加後２分値）、エージング処理中のショ
ート発生（不良）数およびリフロー処理（ピーク温度２
５０℃、２００℃以上に曝される時間４５秒の条件）を
行った後の静電容量を比較した結果を（表１）に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】なお、試験個数はいずれも５０個であり、
静電容量、インピーダンス、漏れ電流およびリフロー処
理を行った後の静電容量は、ショート品を除いたサンプ
ルについての平均値で示した。
【００４３】（表１）より明らかなように、本発明の実
施の形態１〜８の固体アルミ電解コンデンサは、比較例
１〜４と比較して、誘電体酸化皮膜上ならびにセパレー
タ繊維上にポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレ
ンスルフォネートを含有する層を形成しているため、誘
電体酸化皮膜へのＴＣＮＱ錯塩の被覆率が十分であるた
めに誘電体酸化皮膜より高効率に静電容量を取り出すこ
とができ、電極箔の収容面積が同じであるにも関わらず
静電容量の出現値が大きく、大容量のコンデンサを構成
することができた。また、ＴＣＮＱ錯塩が誘電体酸化皮
膜上に強く密着・接着しているためにリフロー処理後の
静電容量の変化も少なく、面実装型のアルミ固体電解コ
ンデンサとして信頼性も高い。更にはセパレータ繊維へ
のＴＣＮＱ錯塩の被覆率も高いため、電極間の抵抗成分
を低減することができるので、高周波領域のインピーダ
ンスも低く優れている。
【００４４】また、比較例２〜４のセパレータ（ガラス
繊維不織布・メルトブロー不織布・炭化紙）を用い、か
つポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルフ
ォネートを含有する層をセパレータ繊維上に形成してい
ない固体アルミ電解コンデンサでは、セパレータの強度
不足に起因する陽極箔と陰極箔との接触によるエージン
グ処理中のショート発生率が高い。また、実施の形態と
の比較より、これらのセパレータを使用した場合におい
ても、セパレータ繊維上にポリエチレンジオキシチオフ
ェンポリスチレンスルフォネートを含有する層を形成す
ることにより、ショート発生率が改善されていることが
判る。
【００４５】
【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サは、巻回形の固体電解コンデンサの陽極箔の誘電体酸
化皮膜上および／またはセパレータ上にポリエチレンジ
オキシチオフェンポリスチレンスルフォネートを含有す
る層を設けた構成とすることにより、誘電体酸化皮膜へ
のＴＣＮＱ錯塩の被覆率が十分であるために誘電体酸化
皮膜より高効率に静電容量を取り出すことができるよう
になるため、インピーダンス特性と漏れ電流に優れた大
容量の固体電解コンデンサを得ることができるものであ
り、その工業的価値は大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による電解コンデンサの構
成を示した部分断面斜視図
【図２】同コンデンサ素子の要部を拡大した概念図
【符号の説明】
１ 陽極箔 ２ 陰極箔 ３ セパレータ ４ ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスル
フォネートを含有する層 ５ ＴＣＮＱ錯塩よりなる導電層 ６ 陽極リード ７ 陰極リード ８ 封口材 ９ アルミニウムケース １１ 誘電体酸化皮膜 １２ コンデンサ素子

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極
    箔とをその間にセパレータを介して巻回し、かつ少なく
    とも上記陽極箔の誘電体酸化皮膜上および／またはセパ
    レータ上にポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレ
    ンスルフォネートを含有する層を設けたコンデンサ素子
    と、このコンデンサ素子の陽極箔と陰極箔との間に設け
    たテトラシアノキノジメタン錯塩の導電層からなる固体
    電解コンデンサ。
  2. 【請求項２】 セパレータが合成樹脂を主体とした厚み
    ８０μｍ以下のものであり、かつ秤量が１０〜６０ｇ／
    ｍ2の範囲である請求項１に記載の固体電解コンデン
    サ。
  3. 【請求項３】 セパレータがポリアルキレンテレフタレ
    ート樹脂からなるスパンボンドである請求項２に記載の
    固体電解コンデンサ。
  4. 【請求項４】 ポリアルキレンテレフタレート樹脂がポ
    リエチレンテレフタレート樹脂および／またはポリブチ
    レンテレフタレート樹脂である請求項３に記載の固体電
    解コンデンサ。
  5. 【請求項５】 ポリエチレンジオキシチオフェンポリス
    チレンスルフォネートを含有する層が、誘電体酸化皮膜
    および／またはセパレータとの密着性を向上させるため
    の結合剤を含有するものである請求項１〜４のいずれか
    一つに記載の固体電解コンデンサ。
  6. 【請求項６】 誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極
    箔とをその間にセパレータを介して巻回したコンデンサ
    素子を、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレン
    スルフォネートを含有する溶液またはこの溶液に誘電体
    酸化皮膜および／またはセパレータとの密着性を向上さ
    せるための結合剤を含有する溶液のいずれかに含浸さ
    せ、続いてこのコンデンサ素子を加熱することにより上
    記溶液の溶剤成分を蒸発させて陽極箔の誘電体酸化皮膜
    上および／またはセパレータ上にポリエチレンジオキシ
    チオフェンポリスチレンスルフォネートを含有する層を
    形成する工程と、上記コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔
    との間に、テトラシアノキノジメタン錯塩を溶融、含
    浸、冷却することにより導電層を形成する工程を有した
    固体電解コンデンサの製造方法。
  7. 【請求項７】 ポリエチレンジオキシチオフェンポリス
    チレンスルフォネートを含有する溶液、またはこの溶液
    に誘電体酸化皮膜および／またはセパレータとの密着性
    を向上させるための結合剤を含有する溶液の含水率が１
    重量％以上である請求項６に記載の固体電解コンデンサ
    の製造方法。
  8. 【請求項８】 ポリエチレンジオキシチオフェンポリス
    チレンスルフォネートと誘電体酸化皮膜および／または
    セパレータとの密着性を向上させるための結合剤を含有
    する溶液の溶媒中の結合剤の含有率が０．１重量％以上
    である請求項６または７に記載の固体電解コンデンサの
    製造方法。
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