JP2001056347A - Contact component and its manufacture - Google Patents

Contact component and its manufacture

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JP2001056347A
JP2001056347A JP11234286A JP23428699A JP2001056347A JP 2001056347 A JP2001056347 A JP 2001056347A JP 11234286 A JP11234286 A JP 11234286A JP 23428699 A JP23428699 A JP 23428699A JP 2001056347 A JP2001056347 A JP 2001056347A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Sugihara
理 杉原
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Hoya Corp
ホーヤ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a contact component, etc., capable of suppressing deformations of a contact such as a solder ball, capable of securing a sufficient contact area and satisfactory conduction with a contact such as a solder ball, and superior in contact reliability. SOLUTION: This contact component comprises a bump 1 formed in one surface of an insulating substrate 4 to be in direct contact with a contact on a body to be inspected, an isolated electrode or wire 6 formed in the other surface of the insulating substrate 4, and a conduction part to bring the bump 1 into conduction with the isolated electrode or wire 6 via a through hole 5 formed in the insulating substrate 4. The contact component comprises both a center recessed part 2 for the purpose of suppressing the ratio of deformation of a solder ball or the like at a center part of the bump 1 and an outer circumferential protruded part 3 at the circumference of the center recessed part 2.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスなどの被検査体の検査等を行う際に、被検査体上の接点と直接接触(コンタクト)する部分として使用されるコンタクト部品及びその製造方法等に関する。 The present invention relates, when performing inspection of the inspection object, such as a semiconductor device, a contact part and a manufacturing method thereof for use as a part in direct contact with the contacts on the device under test (contact) about equal.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの検査は、プローブカードによる製品検査(電気的特性試験)と、その後に行われる信頼性試験であるバーンイン試験に大別される。 Inspection of semiconductor devices formed in a large number on the wafer, the product inspection by a probe card (the electrical characteristic test), is divided into a burn-in test is a reliable test performed thereafter. プローブカードによる電気的特性試験は、ウエハ上で1チップ毎に行われる。 Electrical characteristic test by the probe card is on the wafer performed for each chip. プローブカードには、図21(a)及び(b)に示すような、ガラスエポキシ樹脂からなる多層配線基盤31の中心部に開口32を設け、開口32の周囲から開口32の中心に向かって触針(プローブ)33を設け、このプローブ3 The probe card, as shown in FIG. 21 (a) and (b), an opening 32 provided in the center portion of the multilayer wiring board 31 made of glass epoxy resin, catalyst from the periphery of the opening 32 toward the center of the opening 32 a needle (probe) 33 is provided, the probe 3
3をウエハ22の1チップ23上の接点21(端子)に接触させて検査を行うタイプのプローブカードと、図2 The type of probe card 3 is brought into contact with the contact 21 on one chip 23 of the wafer 22 (terminal) inspected, Figure 2
2に示すように、ポリイミドなどからなるメンブレン4'の一方の面にバンプ1(凸状の接点)を設けたバンプ付きメンブレン7'をコンタクト部品として使用するタイプのメンブレンプローブカードがある。 As shown in 2, a type of membrane probe card used 'bumps 1 on one surface of the membrane with bumps 7 in which a (convex contact)' membrane 4 made of polyimide as a contact part. 図21において、バンプ1はメンブレン7'に形成したスルーホールを5介して配線6と導通され、バンプ1の形成部分は弾性材34、ピポット機構35、板バネ36を介して押圧されコンタクトされる。 In Figure 21, the bump 1 is conducted to the wiring 6 via 5 a through hole formed in the membrane 7 ', forming part of the bumps 1 are contact pressed via the elastic member 34, pivot mechanism 35, leaf spring 36 .

【0003】バーンイン試験は、固有欠陥のある半導体デバイス、あるいは製造上のばらつきから、時間とストレスに依存する故障を起こすデバイスを除くために行われるスクリーニング試験の一つである。 [0003] burn-in test, a semiconductor device with a specific defects or from variations in manufacturing, is one of the screening tests conducted in order to remove the device causing the fault that depending on the time and stress. プローブカードによる検査が製造したデバイスの電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加速試験と言える。 While examination by the probe card is an electrical characteristic test of the device manufactured, the burn-in test is said to thermal acceleration test. バーンイン試験は、プローブカードによって1チップ毎に行われる電気的特性試験の後に、ウエハをダイシングによりチップに切断し、1チップずつバーンイン試験を行う通常の方法(1チップバーンインシステム)がある。 Burn-in test, after the electrical characteristic test conducted for each chip by the probe card, is cut into chips by dicing the wafer, there is a conventional method (one-chip burn-in system) for performing burn-in test by one chip. 1
チップバーンイン用のコンタクタは、図23に示すように、ソケット40(キャリア)と呼ばれる器具にチップ23を入れ、ソケット40内に設けたバンプ付きメンブレン7'(テープキャリア)でチップ23と接触させ、 Contactor for chip burn-in, as shown in FIG. 23, placed in the chip 23 to the instrument called a socket 40 (carrier), the membrane with bumps 7 provided in the socket 40 'in contact with the tip 23 (tape carrier)
検査を行う。 Perform the inspection. チップ23は、パッケージングしたものの他に、図24に示すような、多層配線基盤25上にチップ23を搭載し、多層配線基盤25の裏面側に接点(検査端子)としてハンダボール20をアレイ状に配列したBGA(Ball Grid Array)や、図25に示すような、 Chip 23, in addition to the packaging, as shown in FIG. 24, mounted chips 23 on the multilayer wiring board 25, an array of solder balls 20 as a contact (test terminals) on the back side of the multilayer wiring board 25 BGA (Ball Grid array) and arranged in, as shown in FIG. 25,
BGAにおける多層配線基盤25をチップ23のサイズ近くまで小さくしたCSP(Chip Size Package)などがある。 And the like CSP (Chip Size Package) having a small multi-layer wiring board 25 to near the size of the chip 23 in the BGA. BGAでは、ハンダボール20の間隔(ピッチ)は1mm程度、ハンダボールのサイズは500μm In BGA, spacing of the solder balls 20 (pitch) 1mm approximately, the size of the solder balls 500μm
程度である。 It is the degree. CSPでは、ハンダボールの間隔(ピッチ)は100〜1000μm程度、ハンダボールのサイズは80〜600μm程度である。 In CSP, the solder ball interval (pitch) about 100~1000μm, the size of the solder ball is about 80~600μm. CSPの発展した態様としてウエハレベルで一括してCSP検査を行えるようにしたウエハレベル一括CSP検査用のコンタクト部品(コンタクトボード)の形成も可能である。 Formation of CSP wafer level batch contact parts for CSP inspection collectively on a wafer level as a developed manner and to perform a CSP inspection (contact board) is also possible.

【0004】さらに、ウエハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うためのバーンインボード(コンタクトボード)が開発されている(特開平7−231019号公報)。 [0004] In addition, burn-in board for performing burn-in test of multiple formed semiconductor devices on a wafer collectively (contact board) has been developed (Japanese Patent Laid-Open No. 7-231019). バーンインボードを用いたウエハ・一括バーンインシステムは、コスト的に実現可能性が高い他に、ベアチップ出荷及びベアチップ搭載といった最新の技術的な流れを実現可能にするためにも重要な技術である。 Wafer batch burn system using a burn-in board, in addition to the high cost to feasibility is an important technology to enable realizing the latest technological flow such bare chip shipping and bare chip mounting. このバーンインボードにおいてもコンタクト部品としてバンプ付きメンブレンが使用されている。 Membrane with bumps are used as contact elements in this burn-in board.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、被検査体と直接接触する部分を受け持つコンタクト部品として、バンプ付きメンブレンが用いられている。 As described above [0007], as the contact part responsible for the portion in direct contact with the object to be inspected, the membrane with bumps is used. 従来、バンプ付きメンブレンにおいて、被検査体に対する接触信頼性を向上させるため、被検査体上の1接点に対応するバンプの数や形状に工夫を凝らしたものが種々提案されている(特開平6−308159号公報、特開平9−6 Conventionally, in the membrane with bumps, in order to improve the contact reliability to the test subject, that ingenuity to the number and shape of the bump corresponding to the first contact on the object to be inspected have been proposed (JP-A-6 -308159, JP-A No. 9-6
8547号公報)。 8547 JP). 特開平6−308159号公報には、図26(a)に示すように、2以上の孤立した微小バンプ1aを被検査体24上の1接点21(平坦電極) JP-A-6-308159, as shown in FIG. 26 (a), 2 or more isolated 1 contact 21 (flat electrode) of the device under test on the 24 minute bumps 1a
に接触させる構造のテストヘッド構造(コンタクト部品)が開示されている。 Test head structure structures contacting (contact element) is disclosed in. ところが、図26(b)に示すように、隣接する2つの検査用バンプ1a間には狭小な隙間が存在しており、被検査体の接点が例えばハンダボール20等のように柔らかい場合、コンタクトの圧力がバンプの頂部付近に集中し、バンプ1aがハンダボール20等に根本まで深く埋入しハンダボール20等が変形してしまうという問題があり、また、バンプ根本までハンダに食い込んだ場合、各バンプがハンダと接触する面積がバンプ1つ当たり大きく、ハンダボール等からバンプを引き剥がす時、ハンダボール側にバンプが付着して抜け落ちるおそれがあった。 However, as shown in FIG. 26 (b), is between two adjacent test bumps 1a are present narrow gap, when the contact of the device under test is soft as for example such as solder ball 20, the contact pressure is concentrated near the top of the bump, the bump 1a is there is a problem that such solder balls 20 deeply embedded to the root to the solder balls 20 or the like is deformed, and if that cuts into the solder to bump underlying, each bump is large per has one bump area in contact with the solder, when peeling the bumps from the solder balls or the like, there is a possibility that slipping off bump adheres to the solder ball side.

【0006】一方、特開平9−68547号公報には、 On the other hand, JP-A-9-68547,
図27に示すように、絶縁性基材4に形成した複数の開口部(スルーホール5)から突出して成長させたバンプを互いに合体させ、合体したバンプ1の上部を平坦にしたプローブ構造(コンタクト部品)が開示されている。 As shown in FIG. 27, a plurality of openings formed in the insulating substrate 4 coalescing bumps grown projecting from (through holes 5) to each other, the probe structure (contacts that flattens the top of the bumps 1 coalesced parts) have been disclosed.
これによれば、被検査体上の接点との接触面積が広くなる。 According to this, the contact area between contacts on the device under test is widened. また、合体させたバンプの上部を平坦にしたことにより、凸状のバンプを接触させた場合に比べ、ハンダボール等の接点の変形を抑えることができる。 Also, by flattening the top of the bump coalesced than when contacted convex bump, it is possible to suppress the deformation of the contacts such as solder balls. しかし、特開平9−68547号公報では、合体させたバンプの上部を平坦にしているため、圧接により変形したハンダが接触部の周囲に広がり隣接する他のハンダに接触してしてしまうおそれがあり、さらに、ハンダ等の接触相手に対する接触面積や良好な導通を十分に確保することができないという問題があった。 However, in JP-A 9-68547 discloses, since the flat top of the bump coalesced, possibly deformed by pressing the solder ends up in contact with the other solder adjacent spread around the contact portion There, further there is a contact area and good conduction to the contact partner such as solder impossible to sufficiently secure.

【0007】本発明は上述した背景の下になされたものであり、ハンダボール等の被検査体上の接点の変形を抑えることができるコンタクト部品の提供等を第一の目的とする。 [0007] The present invention has been made under the above background, the provision of a contact part which can suppress the deformation of the contacts on the device under test such as a solder ball and first object. また、ハンダボール等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、接触信頼性に優れるコンタクト部品の提供を第二の目的とする。 Further, the contact area and good conduction between the contacts such as solder balls can be sufficiently secured, to the provision of contact elements having excellent contact reliability with the second object. さらに、平坦パッド等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、接触信頼性に優れるコンタクト部品の提供を第三の目的とする。 Furthermore, it is possible to secure a sufficient contact area and good conduction between the contacts, such as a flat pad, the provision of the contact parts having excellent contact reliability with the third object.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は、以下に示す構成としてある。 Means for Solving the Problems The present invention to achieve the above object, there is a structure shown below.

【0009】(構成1)絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、前記バンプは、前記バンプの中心部分に低融点金属材料からなる被検査体上の接点の変形率を小さく抑えることを目的とした中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とするコンタクト部品。 [0009] (Structure 1) and the bumps in contact with the contacts on the one formed on the surface to be inspected of the insulating substrate, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating base, the insulating base a contact element having a conductive portion via the through holes formed in wood to conduct and said isolated electrode or wire and the bump, the bump is inspected made of a low melting point metal material in the center portion of the bump it has a central recess for the purpose of possible to reduce the deformation rate of the contacts on the body, the contact part and having an outer convex portion around the said central recess.

【0010】(構成2)前記バンプは、前記中心凹部を囲むように形成された複数の小バンプからなる外周凸部を有し、前記外周凸部において隣り合う前記小バンプは基部において互いに合体されており、かつ、前記外周凸部は前記小バンプ頂部の曲率を維持することで前記小バンプ頂部で形成される凹凸を有することを特徴とする構成1に記載のコンタクト部品。 [0010] (Configuration 2) the bump, the has an outer peripheral protrusion consisting of a plurality of small bumps formed so as to surround the central recess, wherein the small bump adjacent the outer convex section are combined with each other at the base and, and, contact element according to structure 1, wherein the outer convex portion is characterized by having irregularities formed by said small bump top by maintaining the curvature of the small bump top.

【0011】(構成3)前記中心凹部の周囲に前記外周凸部を環状に設けたことを特徴とする構成1又は2に記載のコンタクト部品。 [0011] (Configuration 3) Contact component according to the outer convex section in Configuration 1 or 2, characterized in that provided annularly around the central recess.

【0012】(構成4)絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、一体として形成された前記バンプの表面に、起伏を有することを特徴とするコンタクト部品。 [0012] (Structure 4) and bumps in contact with the contacts on the one formed on the surface to be inspected of the insulating substrate, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating base, the insulating base a contact element having a conductive portion via the through holes formed in wood to conduct and said isolated electrode or wire and the bump, on the surface of the bump formed integrally, and wherein a relief contact parts to be.

【0013】(構成5)絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、前記バンプの中心部分に中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とするコンタクト部品。 [0013] (Structure 5) and bumps in contact with the contacts on the one formed on the surface to be inspected of the insulating substrate, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating base, the insulating base a contact element having a conductive portion via the through holes formed in wood to conduct and said isolated electrode or wire and the bump has a central recess in the center portion of the bump, the periphery of said central recess contact elements, characterized in that it comprises an outer convex section.

【0014】(構成6)絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、一体として形成された前記バンプの中心部分に中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とする構成5に記載のコンタクト部品。 [0014] (Configuration 6) and bumps in contact with the contacts on the one formed on the surface to be inspected of the insulating substrate, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating base, the insulating base a contact element having a conductive portion via the through holes formed in wood to conduct and said isolated electrode or wire and the bump has a central recess in the center portion of the bump formed integrally, the contact component according to configuration 5, characterized in that the periphery of the central recess has an outer convex section.

【0015】(構成7)前記バンプの表面を粗面化したことを特徴とする構成1乃至6のいずれかに記載のコンタクト部品。 [0015] (Structure 7) a contact component according to any of the first to 6, characterized in that the surface of the bump roughened.

【0016】(構成8)前記低融点金属材料からなる被検査体上の接点が、球状のハンダ、又は平坦状のハンダからなる接点であることを特徴とする構成1乃至7のいずれかに記載のコンタクト部品。 [0016] (Configuration 8) The described contacts on the inspection object made of a low melting point metal material, any of the first to 7, characterized in that a contact made of solder of the solder spheres, or flat contact parts.

【0017】(構成9)前記コンタクト部品における絶縁性基材が、絶縁性基材の熱膨張を低く抑えることが可能となるように支持体(支持枠)に支持されていることを特徴とする構成1乃至8のいずれかに記載のコンタクト部品。 [0017] (Structure 9) insulating substrate in the contact part, characterized in that it is supported by the support body (support frame) so it is possible to reduce the thermal expansion of the insulating substrate contact component according to any of the first to 8.

【0018】(構成10)前記コンタクト部品は、ベアチップ又はパッケージされたICチップの電気的試験を行うための試験装置におけるコンタクタとして使用されることを特徴とする構成1乃至9のいずれかに記載のコンタクト部品。 [0018] (Configuration 10) The contact part, according to any of the first to ninth, characterized in that it is used as a contactor in the test apparatus for performing an electrical test of IC chips bare chip or package contact parts.

【0019】(構成11)絶縁性基材に環状に連続した一のスルーホールを形成し、バンプをスルーホールから電解メッキ法又は無電解メッキ法によって成長させる工程を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 [0019] (Configuration 11) contact elements, characterized in that it comprises a step of growing an insulating substrate to form one of the through holes continuous in an annular, electrolytic plating method from the through hole bump or an electroless plating method the method of production.

【0020】(構成12)絶縁性基材に複数のスルーホールを環状に配列形成するとともに、該複数のスルーホールから電解メッキ法又は無電解メッキ法によって成長したバンプの中心部分に凹部が形成されるようにバンプを成長させる工程を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 [0020] (Configuration 12) a plurality of through-holes as well as arranged annularly formed on an insulating substrate, the recess is formed in the central portion of the bump grown by the plurality of electrolytic plating from the through-hole or an electroless plating method method for producing a contact element, characterized in that it comprises a step of growing a bump on so that.

【0021】(構成13)絶縁性基材の一方の面に孤立電極又は配線を形成し、かつ、前記孤立電極又は配線とハンダボールとを直接接触させるためのスルーホールを前記絶縁性基材に形成した構造を有することを特徴とするコンタクト構造。 [0021] (Configuration 13) forms one isolated electrode or wiring on the surface of the insulating substrate, and a through hole for contacting the isolated electrode or the wiring and solder balls directly on the insulating substrate contact structure, characterized in that it comprises a forming structure.

【0022】(構成14)異方性導電ゴム上の接点と直接ハンダボールを接触させる構造を有することを特徴とするコンタクト構造。 [0022] (Configuration 14) contact structure characterized by having a structure contacting the contacts and direct solder balls of the anisotropic conductive on rubber.

【0023】 [0023]

【作用】構成1によれば、バンプが被検査体上のハンダボール等の接点と接触(コンタクト)した際に、バンプの中心部分に形成された中心凹部でハンダボール等を抱え込むように接触したり、圧接時に変形したハンダボール等の“余肉”を中心凹部に収容することができ、ハンダボール等の著しい変形を抑えることができるので、ハンダボール等の形状を維持できる。 SUMMARY OF] According to the configuration 1, bumps upon contact with the contact, such as solder balls on the inspected object (contact), the contact and to hug the solder balls or the like at the center recess formed in the central portion of the bump or, the "excess metal" solder balls or the like which is deformed during pressing can be accommodated in the central recess, it is possible to suppress the remarkable deformation such as solder balls, it can maintain the shape of such as solder balls. 具体的にはハンダボール等の高さの変形率をおよそ10%程度以下に抑えることができ、バンプの上部を平坦にした平坦バンプによる変形率よりも変形率を小さく抑えることができる。 Specifically, it can be able to suppress the deformation rate of the height of such solder balls to approximately 10% or less, suppress the deformation ratio than the deformation rate due to the flat bumps to flatten the top of bump. ハンダボール等の変形率が小さいと、ハンダボール等に熱をかけて表面張力によって元の形状に戻すリフローの際にボイドが発生しにくい。 If the deformation rate such as solder balls are small, voids during reflow by applying heat back to the original shape by the surface tension is unlikely to occur in the solder balls or the like. 逆に、ハンダボール等の上部に大きな窪みを作ったり、ハンダボール等を大きく変形させると、リフローの際にボイド発生する。 Conversely, and making a large recess on the top of such solder balls, the greatly deform the solder balls or the like, and voids during reflow. また、ハンダボール等の変形率が小さいと、ハンダボール等が横方向に広がり隣のハンダボール等とショートすることがない。 In addition, if the deformation rate such as a solder ball is small, solder balls or the like is not to be short-circuited with the solder balls or the like of the next spread in the transverse direction. また、平坦バンプに比べ、中心凹部の周囲の外周凸部をハンダボール等と接触させることで、ハンダボール等の接点に程々食い込みやすくハンダボール等の表面の酸化膜を破り導通良くし、また中心凹部及び外周凸部をハンダボール等と接触させるたため接触面積を大きくでき、接触抵抗を低くできる。 Moreover, compared with flat bumps, and the outer convex portions of the periphery of the central recess by contact with the solder balls or the like may conduct breaking the oxide film on the surface of the solder balls or the like easily bite moderately contacts such as solder balls, also center It can increase the contact area due to contacting the concave portions and outer convex portions and the solder balls or the like, can reduce the contact resistance. これらによって、ハンダボール等との接触信頼性が得られる。 These, contact reliability between the solder ball and the like is obtained. さらに、単一又は複数の孤立小バンプに比べ、接点部の頂部の曲率が緩和されるため、ハンダボール等への過剰な埋入が抑制されハンダボール等に大きな窪み(ダメージ)を付けることがない。 Furthermore, compared to the single or plurality of isolated small bumps, the curvature of the top portion of the contact portion is relaxed, be given a large recess (damage) in excess implantation into the solder balls or the like is prevented solder ball or the like Absent.

【0024】構成1の態様の一例を図1に示す。 [0024] An example of a structure 1 embodiment in FIG. 図1 Figure 1
は、本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの一態様を説明するための図であり、(a)はスルーホール部分の平面図、(b)及び(c)はそれぞれバンプ成長後のバンプの態様を示す部分断面図であり(a)のA−A線位置における断面図である。 Is a diagram for illustrating one embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention, (a) is a plan view of a through hole portion, (b) and (c) the bump after the bump growth respectively is a sectional view along line a-a position of a partial cross-sectional view showing an aspect (a). 構成1の態様では、例えば、図1(b)及び(c)に示すように、一体として形成されたバンプ1の中心凹部2を囲むように外周凸部3を形成する。 In the configuration 1 of the embodiment, for example, as shown in FIG. 1 (b) and (c), a outer convex portion 3 so as to surround the central recess 2 of bumps 1 formed integrally. この場合、中心凹部2においてバンプを合体させてもよく(図1(b))、合体させなくてもよい(図1(c))。 In this case, it may be coalesced bump in the central recess 2 (FIG. 1 (b)), there is no need coalesced (Fig. 1 (c)). 構成1の他の態様例を図2に示す。 Other aspects of the configuration 1 shown in FIG. 図2は、本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための図であり、(a) Figure 2 is a diagram for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention, (a)
は部分平面図、(b)は(a)のB−B線断面図である。 Is a partial plan view, a sectional view taken along line B-B of (b) is (a). 構成1の他の態様では、例えば、図2(a)及び(b)に示すように、中心凹部2内に凸部1aを設けた態様であってもよい。 In another aspect of the arrangement 1, for example, as shown in FIG. 2 (a) and (b), the protrusion 1a may be a mode which is provided in the center recess 2. 構成1の他の態様例を図3に示す。 Other aspects of the configuration 1 shown in FIG. 図3は、本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための部分断面図である。 Figure 3 is a partial sectional view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention. 構成1の他の態様では、例えば、図3に示すように、中心凹部2 In another aspect of the arrangement 1, for example, as shown in FIG. 3, the central recess 2
をハンダボール20等の接点の少なくとも上部を包み込み可能に形成する。 The wraps at least the upper contact such as solder balls 20 can be formed. この態様の場合、ハンダボール20 In the case of this embodiment, the solder balls 20
等の変形を最小に抑えることができる。 Deformation etc. can be minimized. また、ハンダボールなどの接点を包み込むように接触することができ、 Further, it is possible to contact in such a manner as to wrap the contacts such as solder balls,
接触安定性に優れる。 Excellent contact stability. 構成1の他の態様例を図4に示す。 Other aspects of the configuration 1 shown in FIG. 図4は、本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための図であり、 Figure 4 is a diagram for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention,
(a)はスルーホール部分の平面図、(b)はバンプ成長後のバンプの一態様を示す部分平面図、(c)はバンプ成長後のバンプの他の態様を示す部分平面図、(d) (A) is a plan view of a through hole portion, (b) is a partial plan view illustrating one embodiment of the bump after the bump growth, (c) is a partial plan view showing another embodiment of the bump after the bump growth, (d )
は(c)のC−C線断面図である。 It is a C-C line cross-sectional view of (c). 構成1の他の態様では、例えば、図4(b)、(c)及び(d)に示すように、外周凸部3の少なくとも側部に凹凸(デコボコ)が形成した態様であってもよい。 In another aspect of the arrangement 1, for example, FIG. 4 (b), the may be a (c) and (d), the least aspect sides irregularities (uneven) are formed of outer convex section 3 . この場合、中心凹部2においてバンプを合体させてもよく(図4(c)、 In this case, may be coalesced bump in the central recess 2 (FIG. 4 (c), the
(d))、合体させなくてもよい(図4(b))。 (D)), there is no need coalesced (Figure 4 (b)). この態様の場合、外周凸部3の少なくとも側部に凹凸(デコボコ)が形成されるので、ハンダボール等への埋入(食い込み)を小さくできる、ハンダボール等の表面の酸化膜を破り導通良くする、接触面積を大きくできる、という3つの効果をより大きくすることができる。 In this embodiment, since at least the side to the unevenness of the outer convex portion 3 (uneven) are formed, can be reduced implantation (biting) of the solder balls or the like may conduct breaking the oxide film on the surface such as solder balls to, the contact area can be increased, it is possible to increase the three effect.

【0025】構成1の他の態様例を図5に示す。 [0025] shows another embodiment example of the configuration 1 in Fig. 図5 Figure 5
は、本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための平面図である。 Is a plan view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention. 構成1の他の態様では、例えば、図5(a)及び(b)に示すように、中心凹部2の周囲に外周凸部3として孤立小バンプ3aを3 In another aspect of the arrangement 1, for example, as shown in FIG. 5 (a) and (b), around the central recess 2 the isolated small bump 3a as outer convex portion 3 3
つ又は4つ配置した態様であってもよい。 One or a four arranged with aspects. 図5において点線20'はバンプとの接触点におけるハンダボールの等高線である。 Dotted 20 'in FIG. 5 is a contour of the solder ball at the point of contact with the bumps. この態様は、特開平6−308159号公報記載の孤立した複数の小バンプとは異なり、本発明の小バンプ同士はハンダボール等の形状を維持しうる程度の間隔をもって離間し、中央凹部を有する点で相違する。 This embodiment is different from the plurality of small bumps isolated in JP-A 6-308159 JP, small bumps of the present invention is spaced at a distance of an extent that can maintain the shape of such as solder balls, having a central recess It is different in a point. この態様によれば、ハンダボール等の変形率を小さく抑えることができる。 According to this aspect, it is possible to reduce the deformation rate such as solder balls. 但し、接触面積を大きくする観点からは、5つ以上の小バンプを中心凹部の周囲に環状に配置することがより好ましい。 However, from the viewpoint of increasing the contact area, it is more preferable to dispose the annular five or more small bumps around the central recess. 多くの小バンプを設けることで、バンプと被接触体との接触面積が拡大し接触抵抗値を低減することができ、接続確実性の向上を図ることができる。 By providing a large number of small bumps, the contact area between the bump and the contact body can be reduced enlarged contact resistance, it is possible to improve the connection reliability. 図16は、並列ピン数(孤立小バンプの数に相当)と接触抵抗値との関係を表すグラフであり、 Figure 16 is a graph showing the relationship between the contact resistance and the parallel pin number (corresponding to the number of isolated small bumps),
並列ピン数の増加すなわち接触面積の増加に従って接触抵抗値が低下することがわかる。 It can be seen that the contact resistance decreases with increasing increasing or contact area of ​​the number of parallel pins. なお、構成1のコンタクト部品は、平坦パッドとコンタクトする場合にも、適用できる。 Note that the structure 1 of the contact part, even when the flat pad and the contact can be applied. この場合、外周凹部により接触面積の拡大が図られ、導通を良くすることができる。 In this case, enlargement of the contact area is achieved by the outer peripheral recess, it is possible to improve the continuity.

【0026】構成2によれば、構成1の効果に加え、小バンプ頂部の曲率を維持し、小バンプ頂部で形成される凹凸を有することで、外周凸部の頂部及び側部に凹凸(デコボコ)が形成されるので、ハンダボール等への埋入(食い込み)を小さくできる、ハンダボール等の表面の酸化膜を破り導通良くする、接触面積を大きくできる、という3つの効果を非常に大きくすることができる。 According to Configuration 2, in addition to the effects of configuration 1, to maintain the curvature of the small bump top, by having irregularities formed by small bumps top, unevenness on the top and side portions of the outer convex section (bumpy since) is formed, it is possible to reduce the implantation (biting) of the solder balls or the like, to improve continuity break the oxide film on the surface such as solder balls, the contact area can be increased very greatly three effect be able to. 構成2の態様の一例を図6に示す。 An example of the configuration 2 embodiment shown in FIG. 図6は、本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための図であり、(a)は部分平面図、(b)は(A)のD−D線断面図である。 Figure 6 is a diagram for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention, (a) is a partial plan view, (b) at D-D line cross-sectional view of (A) is there. 構成2の態様では、例えば、図6(a)及び(b)に示すように、小バンプ3aを環状に配し、環状の接触点をもつようにバンプ1を形成する。 In embodiments of the structure 2, for example, as shown in FIG. 6 (a) and (b), it arranged small bumps 3a annularly to form the bumps 1 to have an annular contact points. この場合、中心凹部2においてバンプを合体させることもできる。 In this case, it is also possible to combine the bump at the center recess 2.

【0027】構成1の他の態様例を図7に示す。 [0027] shows another embodiment example of the configuration 1 in Fig. 図7 Figure 7
は、本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための部分平面図である。 Is a partial plan view for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention.
構成2の他の態様では、例えば、図7(a)及び(b) In another aspect of the structure 2, for example, FIGS. 7 (a) and (b)
に示すように、中心凹部2の周囲に外周凸部として小バンプ3aを3つ又は4つ配置し、隣り合う小バンプの基部(バンプのうち絶縁性基材に近い方の部分)を互いに合体させ、かつ、小バンプ頂部の曲率を維持することで小バンプ頂部で形成される凹凸を有する態様も含まれる。 As shown in, three or four places the small bump 3a as outer convex portion around the central recess 2, coalesce base of small bumps adjacent (portion closer to the insulating substrate of the bump) with each other It is, and embodiments having irregularities formed by small bumps top by maintaining the curvature of the small bump top is also included. この態様は、特開平9−68547号公報記載の複数の小バンプを合体させたバンプとは異なり、本発明ではハンダボール等の変形率を小さく抑える目的で形成された中心凹部を有する点(小バンプの大きさ及びスルーホールの間隔が異なる点)、及び小バンプ頂部の曲率を積極的に維持する点で相違する。 This embodiment is different from the plurality of bumps coalesce small bumps of JP-A 9-68547 JP, point in the present invention having a central recess formed in order to reduce the deformation rate such as solder balls (small point size and spacing of the through hole in the bumps are different), and is different in that maintaining actively curvature of the small bump top. この態様によれば、ハンダボール等の変形率を小さく抑えることができる。 According to this aspect, it is possible to reduce the deformation rate such as solder balls. 但し、接触面積を大きくし、ハンダボール等の表面の酸化膜を破り導通良くする観点からは、なるべく多くの小バンプを中心凹部の周囲に環状に設けることが好ましい。 However, to increase the contact area, from the viewpoint of improving continuity break the oxide film on the surface such as solder balls, it is preferable to provide the annular as many small bumps around the central recess.
なお、構成2のコンタクト部品は、平坦パッドとコンタクトする場合にも、適用できる。 Note that the configuration 2 of the contact part, even when the flat pad and the contact can be applied. この場合、外周凹部により接触面積の拡大が図られ、導通を良くすることができる。 In this case, enlargement of the contact area is achieved by the outer peripheral recess, it is possible to improve the continuity.

【0028】構成3によれば、中心凹部の周囲に外周凸部を環状に設けることで、上述したように、接触面積を大きくしたり、ハンダボール等の表面の酸化膜破り導通良くする効果が非常に大きい。 According to Configuration 3, by providing the outer convex portion around the central recess annularly, as described above, or by increasing the contact area, the oxide film-breaking continuity in good effect of the surface, such as a solder ball very large. さらに、圧接時に変形したハンダボール等の余肉が周囲に展開することを有効に防止する。 Furthermore, effectively prevents the excess thickness of the solder balls or the like which is deformed when pressure is deployed around.

【0029】構成4は、平坦パッドとコンタクトさせる場合に適した態様である。 [0029] Configuration 4 is a manner suitable for the case of flat pad contact. 構成4の態様の一例を図8に示す。 An example of embodiment of the arrangement 4 shown in FIG. 図8は、本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための斜視図である。 Figure 8 is a perspective view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention. 構成4によれば、例えば図8に示すように、一体として形成されたバンプ1の表面に起伏(うねり、波打ち)1bを有しているので、ハンダボール等の表面の酸化膜を破り導通良くすることができ、接触面積を大きくできる。 According to Configuration 4, for example, as shown in FIG. 8, relief on the surface of the bumps 1 are formed integrally (undulation, corrugation) since they have 1b, good continuity break the oxide film on the surface such as solder balls it can be, it can increase the contact area. このような態様のバンプは、スルーホールの開口形状を工夫して形成するとともに起伏が形成されるようにバンプを成長させることで形成できる。 Such an embodiment of the bump can be formed by growing a bump so contoured as to form by devising the opening shape of the through hole is formed. 例えば、図12に示す形状のスルーホールなどを用いることで形成できる。 For example, it can be formed by using through holes or the like having the shape shown in FIG. 12.

【0030】構成5は、平坦パッド(接点、電極、端子)とコンタクトさせる場合に適した態様である。 The structure 5 is a manner suitable for the case of flat pads (contact, electrodes, terminals) and the contact. 例えば、図5(a)及び(b)に示すように、中心凹部2の周囲に外周凸部3として孤立小バンプ3aを3つ又は4 For example, as shown in FIG. 5 (a) and (b), three isolated small bump 3a as outer convex portion 3 around the central recess 2 or 4
つ配置した態様や、図5と同様に5つ以上の小バンプを中心凹部の周囲に環状に配置した態様、あるいは、図5 One arrangement mode and that, aspects and disposed annularly around a central recess likewise five or more small bumps and 5 or, 5
(c)に示す態様にあっては、接触面積の拡大が図られ、導通を良くすることができる。 In the embodiment (c), the enlargement of the contact area is achieved, it is possible to improve the continuity. 詳しくは、Au,C For more information, Au, C
u,Alパッドなど硬くて薄い平坦パッドに対し、孤立小バンプに比べバンプ表面積が広く、かつ平坦バンプに比べ程良い凹凸を有するため、良好な接触を得る。 u, with respect to hard and thin, flat pad or Al pad, isolated wide bump surface area compared to small bumps and because it has a good uneven extent than in the flat bumps obtain good contact. 特に、図5と同様に5つ以上の小バンプを中心凹部の周囲に環状に配置した態様にあっては、多くの小バンプを設けることで、バンプと被接触体との接触面積が拡大し接触抵抗値を低減することができ、接続確実性の向上を図ることができる。 In particular, in the embodiment in which the circularly, by providing a large number of small bumps, expanding the contact area between the bump and the object to be contacted to the periphery of the central recess of the five or more small bumps similar to FIG. 5 it is possible to reduce the contact resistance, it is possible to improve the connection reliability.

【0031】構成6は、平坦パッドとコンタクトさせる場合に適した態様であって、バンプが一体として形成された場合の態様である。 The arrangement 6 is an embodiment suitable for a case to be flat pad contact, is an aspect of the case where bumps are formed integrally. 例えば、図6に示した中心凹部2の周囲に環状に複数の小バンプ3aを形成し、かつ、 For example, annularly to form a plurality of small bumps 3a around the central recess 2 of FIG. 6, and,
小バンプ頂部の曲率を維持した態様にあっては、接触面積の拡大が図られ、導通良くすることができる。 In the aspect of maintaining the curvature of the small bump top, the expansion of the contact area is achieved, it is possible to improve conduction. 詳しくは、Au,Cu,Alパッドなど硬くて薄い平坦パッドに対し、孤立小バンプに比べ、バンプ表面積が広く、かつ平坦バンプに比べ程良い凹凸を有するため、良好な接触を得る。 For details, Au, Cu, to hard, thin, flat pad or Al pad, compared with the isolated small bumps, because it has a good uneven extent than the bump surface area is wide and flat bumps obtain good contact. また、図9に示すように、バンプ1のコンタクト部分にシャープなエッジを有する態様にあっては、 Further, as shown in FIG. 9, in the embodiments having sharp edges in the contact portions of the bumps 1,
特に導通を良くできる。 In particular, it can improve the conduction. このような態様のバンプは、図9に示すように、バンプ側にレジストを塗布し(図9 Such aspect of the bumps, as shown in FIG. 9, a resist is applied to the bump side (FIG. 9
(a))、アッシングによりバンプ1の頂部を露出させ(図9(b))、エッチングによってバンプ1の頂部をキザキザ状にすることで形成できる(図9(c)、 (A)), by ashing to expose the tops of the bumps 1 (FIG. 9 (b)), the top of bump 1 can be formed by a jagged shape by etching (FIG. 9 (c), the
(d))。 (D)). なお、図9(d)に示す形状のバンプは、バンプの頂部をポンチ等を用いてへこませる方法によっても形成できる。 Incidentally, the bumps having a shape shown in FIG. 9 (d), the top of bump may also be formed by a method of recessing using punch or the like.

【0032】構成7によれば、バンプの表面を粗面化することで、より良好な接触状態が得られる。 [0032] According to configuration 7, by roughening the surface of the bumps, a better contact is obtained. 粗面化の方法は特に限定されないが、例えば、表面研磨セラミック(表面粗さ5μm程度のものが好ましい)やサンドペーパーなどの研磨シート又は研磨基板を用いて、バンプの表面を軽くたたいたり、擦ることによって粗面化できる。 While roughening method is not particularly limited, for example, by using the abrasive sheet or polishing a substrate, such as surface polishing ceramic (preferably about surface roughness 5 [mu] m) or sandpaper, or tapping the surface of the bumps, it roughened by rubbing. これにより、バンプの表面が粗くなり、被接触体表面の酸化膜を破り接触の確実を図ることができ、また、 Thus, the surface of the bumps becomes rough, it is possible to ensure the contact to break the oxide film of the contact surface, also,
接触(コンタクト)時に滑ることがなく、良好な接触状態が得られる。 Contact (contacts) without slipping when a good contact state is obtained. また、バンプ表面に突起を設け、これにより、被接触体表面の酸化膜を破り接触の確実を図ることもできる。 Further, the protrusions on the bump surface is provided, thereby, it is also possible to ensure the contact to break the oxide film of the contacted surface.

【0033】構成8では、本発明は特に相手がハンダボール等のような柔らかい材質に対するコンタクトに有効であるため、接触相手を規定したものである。 [0033] In Configuration 8, the present invention is particularly the other party to be effective in the contact against soft material, such as solder balls, to define a contact mating. 構成8において、例えば、球状のハンダ接点としてはハンダボールなどが挙げられ、平坦状のハンダ接点としてはハンダパッドなどが挙げられる。 In the structure 8, for example, the solder contacts the spherical include solder balls, and the like solder pads as a flat-shaped solder contact. ハンダボール等は完全な球形に限られず、接触に適した形状であればよい。 Solder balls or the like is not limited to a perfect sphere, may be any shape suitable for contact.

【0034】構成9によれば、加熱下で大面積の被検査体を検査する際に、バンプと被検査体上の接点とのずれを回避できる。 According to Structure 9, when inspecting the inspection object in a large area under heating can be avoided shift between the bump and the contacts on the test subject. 例えば、支持体で支持しないと、バンプの中心凹部とハンダボール等がずれてしまい、ハンダボール等の変形を小さく抑えることができず、また、良好な接触状態が得られない。 For example, if not supported by the supporting member, the central recess and the solder balls or the like of the bumps will be a deviation, it is impossible to suppress deformation such as solder balls, also not good contact state can be obtained. 加熱下で小面積の被検査体を検査する場合であっても、バンプの中心凹部とハンダボール等とのずれは極力小さいことが好ましいので、支持体で支持することがより好ましい。 Even when inspecting the inspection object having a small area under heat, because it is preferable displacement of the center recess and the solder balls or the like of the bumps as small as possible, it is preferable to support the support. なお、絶縁性基材を支持体で支持すると、絶縁性基材の熱膨張の影響を回避できること以外に、バンプや孤立電極等を位置精度良く形成でき、また、加工の作業性が良くなる。 Incidentally, when an insulating base supporting the support, in addition to being able to avoid the influence of thermal expansion of the insulating substrate, bumps or isolated electrode such can position accurately formed. In addition, the workability of the machining is improved. 支持体としては、例えば、シリコンウエハの熱膨張係数に近いセラミックスで構成されたリング状部材が好ましく用いられる。 As the support, for example, a ring-shaped member made of a close ceramics to the coefficient of thermal expansion of the silicon wafer is preferably used.

【0035】構成10によれば、これらの用途に本発明のコンタクト部品を用いた場合に、チップレベル試験、 [0035] According to configuration 10, in the case of using the contact elements of the present invention in these applications, the chip-level test,
パッケージレベル試験及びウエハレベル試験のいずれの場合にも、ハンダボール等の接点の変形を抑えることができ、また、ハンダボール等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、接触信頼性に優れる。 In either case the package level testing and wafer level testing also can suppress the deformation of the contacts such as solder balls, also possible to sufficiently secure the contact area and good conduction between the contacts such as solder balls , excellent contact reliability. さらに、これらの用途に本発明のコンタクト部品を用いた場合に、例えばウエハ等の大面積の被検査体を検査する際に、バンプと被検査体上の接点とのずれを回避でき、ウエハ上の全ての電極に電気接続をすることが可能となる。 Furthermore, in the case of using the contact elements of the present invention in these applications, for example, when inspecting the inspection object having a large area such as a wafer, it can avoid the deviation of the bump and the contacts on the test subject, on the wafer it is possible to make the electrical connection to all the electrodes of the. また、ハンダボール等の接点の変形を抑えることができ、さらに、ハンダボール等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、信頼性の高い内容を確保する試験技術が得られる。 Further, it is possible to suppress the deformation of the contacts such as solder balls, further the contact area and good conduction between the contacts such as solder balls can be sufficiently secured, the test technique of ensuring reliable content can get. パッケージされたICチップとしては、CPS、BGA等が挙げられる。 The packaged IC chip, CPS, BGA and the like. 電気的試験としては、プローブ試験(P験)、バーンイン試験、ファイナル試験(F験)、その他特殊機能検査等が挙げられる。 The electrical test probe test (P test), the burn-in test, the final test (F test), and other special function tests, and the like.

【0036】構成11によれば、上述した本発明のコンタクト部品を効率良く高精度に製造できる。 According to the arrangement 11, can be manufactured contact element of the present invention described above efficiently high accuracy. また、絶縁性基材の裏面に形成した孤立電極又は配線との接続面積を広くできるので、バンプの脱落を防げる。 Since it wider contact area between the formed isolated electrodes or wiring on the back surface of the insulating substrate, prevent the falling off of the bump. 構成11において、スルーホール5の態様としては、例えば、図1 In the structure 11, as an embodiment of the through-hole 5, for example, FIG. 1
(a)に示す円環状、図4(a)に示す小さなスルーホール5aが円環状に連続してつながった形状などが挙げられる。 Annular (a), the small through holes 5a shown in FIG. 4 (a) it is like shape continuously connected to the annular shape. 環形状は円環状のみならず、例えば、図10 Ring shape not circular ring only, for example, FIG. 10
(a)及び(b)に示すように、多角形環状とすることもできる。 As shown in (a) and (b), it may be a polygonal ring. スルーホールの形状は接触対象の形状に応じて任意に設定可能であり、例えば楕円状の環形状とすることができる。 The shape of the through hole is capable arbitrarily set depending on the shape of the contact target can be, for example, elliptical ring shape. 環形状のスルーホールは、一部が開放された環であってもよい。 Through holes of the ring shape it may be partially opened ring. 例えば、図11(a)及び(b)に示すように、馬蹄形状の場合、開放された方向にハンダが逃げ隣接するバンプとの接触を避けられる。 For example, as shown in FIG. 11 (a) and (b), when the horseshoe shape, the solder is avoided the contact between adjacent bump fled opened direction.
これらのことは、後述する構成11において複数のスルーホールを環状に配置する場合も同様である。 These things are the same when a plurality of through holes in the structure 11 to be described later arranged annularly. なお、環状に連続した一のスルーホール5には、例えば、図12 Incidentally, one of the through-hole 5 which is annularly continuous, for example, FIG. 12
(a)及び(b)に示すように、複数の円形スルーホールを連続してつなげて一体化した態様も、図10(a) (A) and (b), the even mode which is integrated by connecting consecutively a plurality of circular through holes, FIG. 10 (a)
及び(b)の発展した態様として含まれる。 And it included as evolved aspect of (b).

【0037】構成12によれば、上述した本発明のコンタクト部品を効率良く高精度に製造できる。 [0037] According to the configuration 12, can be manufactured contact element of the present invention described above efficiently high accuracy. また、絶縁性基材の裏面に形成した孤立電極又は配線との接続面積を広くできるので、バンプの脱落を防げる。 Since it wider contact area between the formed isolated electrodes or wiring on the back surface of the insulating substrate, prevent the falling off of the bump. 構成12において、スルーホールの態様としては、例えば、図6 In the structure 12, as an aspect of the through holes, for example, FIG. 6
(a)に示す円環状、図7(a)及び(b)に示す配置などが挙げられる。 Annular shown in (a), and the like arrangement shown in FIGS. 7 (a) and (b). バンプの成長に際しては、隣り合うバンプ同士を基部において合体させることができる。 Upon growth of the bumps, the bumps adjacent to each other can be combined at the base. また、隣り合うバンプ同士を基部において合体させる場合、バンプ頂部の曲率を維持するよう成長させることができ、あるいは外周凸部の頂部が同一平面上に位置するように成長させることもできる。 Further, the bumps adjacent case to combine at the base, can be grown so as to maintain the curvature of the bump top, or the top of the outer convex portions may be grown so as to be located on the same plane.

【0038】構成13によれば、絶縁性基材に形成したスルーホールによってハンダボールの頂部を変形を抑えつつ、コンタクトできる。 [0038] According to the arrangement 13, while suppressing the deformation of the top portion of the solder ball by through holes formed in the insulating substrate may contact. また、構造が単純でコストの低減が図られる。 The structure is reduced in simple and cost can be reduced. 構成13の態様としては、例えば、図13左側に示すように、孤立電極等6とハンダボール2 As a mode of the structure 13, for example, as shown in FIG. 13 left, the isolated electrode 6 or the like and the solder ball 2
0等とを直接接触させるためのスルーホール5を絶縁性基材4に形成した構造や、図13右側に示すように、孤立電極等6の一部をスルーホール5内に突出させた構造などが挙げられる。 The through holes 5 for contacting the 0 like structure directly or formed in the insulating substrate 4, as shown in FIG. 13 right and is protruded part of the isolated electrode such 6 in the through holes 5 structure and the like.

【0039】構成14によれば、構造が単純でコストの低減が図られる。 [0039] According to the arrangement 14, the structure is reduced in simple and cost can be reduced. 構成14の態様としては、例えば、図14に示すように、異方性導電ゴム51上の接点51a As a mode of the structure 14, for example, as shown in FIG. 14, the contacts 51a on the anisotropic conductive rubber 51
にハンダボール20等を直接接触させる構造などが挙げられる。 Such structure contacting the solder balls 20 or the like directly be mentioned.

【0040】以下、上記で説明したこと以外の詳細について説明する。 [0040] In the following, it will be described in detail other than that described above.

【0041】本発明のコンタクト部品においては、バンプを形成する基材として絶縁性基材を用いる。 [0041] In the contact component of the present invention uses an insulating substrate as a base material for forming a bump. 絶縁性基材の材質としては、樹脂、ガラスなどを用いることができる。 The material of the insulating base, it is possible to use a resin, glass and the like. なかでも樹脂が好ましく、可撓性(フレキシビリティ)や、強度、加工性等に優れるポリイミドが特に好ましい。 Of these resins are preferred, flexible and (flexibility), strength, polyimide excellent in workability particularly preferred. ポリイミドは紫外領域に大きな吸収をもつため、レーザアブレーション加工に適している。 Polyimides due to their large absorption in the ultraviolet region, is suitable for the laser ablation processing. 可撓性を有する絶縁性基材を用いると、バンプや被検査体上の接点(パッドなど)の高さのバラツキを吸収できる。 When using an insulating substrate having flexibility, it can accommodate variations in the height of bumps or contacts on the device under test (such as pads). 絶縁性基材の厚さは、微小なスルーホールを形成し易いという観点からは、薄ければ薄いほど好ましい。 The thickness of the insulating substrate, from the viewpoint of easily forming a fine through hole, preferably as small as possible. 絶縁性基材の厚さは、強度等も考慮し、10〜500μm程度であることが好ましく、ポリイミドメンブレンとする場合には10〜50μm、さらには10〜30μmがより好ましい。 The thickness of the insulating base material, strength and the like is also taken into consideration, is preferably about 10 to 500 [mu] m, in the case of the polyimide membrane is 10 to 50 [mu] m, more 10~30μm is more preferable.

【0042】本発明のコンタクト部品においては、絶縁性基材の他方の面に孤立電極又は配線を形成する。 [0042] In the contact component of the present invention, to form an isolated electrode or wiring on the other surface of the insulating base. ここで孤立電極又は配線の形成材料としては、Cu、Ni、 Here, as the material for forming the isolated electrodes or wiring, Cu, Ni,
Auおよびこれらを主とする合金等が主として挙げられるが、その他の金属であってもよい。 Although alloys of Au and these main and the like mainly may be other metals. 形成方法としては、エッチング法等が挙げられる。 As a formation method, the etching method, and the like. なお、絶縁性基材の他方の面に配線を形成するとフレキシビリティが悪くなるが、孤立電極を形成した場合はフレキシビリティに影響を与えない。 Although flexibility is deteriorated when forming the wiring on the other surface of the insulating base it does not affect the flexibility when forming the isolated electrode.

【0043】本発明のコンタクト部品において、バンプと孤立電極又は配線とを導通させる導通部を構成するスルーホール(貫通孔、バンプホール)の孔径は、5〜5 [0043] In the contact component of the present invention, through holes (through holes, bump hole) constituting the conductive portion for electrically connecting the bumps and the isolated electrode or wiring hole diameter of, 5-5
00μm程度が好ましいが、5〜20μm、10〜15 About 00μm is preferred, 5~20μm, 10~15
μmが特に好ましい。 μm is particularly preferred. 等方性メッキでバンプを成長させる場合、スルーホールはテーパ角を有するものとしても良く、そのテーパ角は86〜90°とすることが好ましい。 When growing the bump isotropic plating, through-holes may be as having a taper angle, the taper angle is preferably set to 86-90 °. なお、スルーホールのテーパ角が90°の場合、ファインピッチに適しているためより好ましい。 Incidentally, the taper angle of through-holes when the 90 °, more preferable because suitable for fine pitch.

【0044】スルーホールの形成方法としては、例えば、レーザ加工、リソグラフイー法(エッチング法を含む)、プラズマ加工、機械加工等が挙げられるが、絶縁性基板が樹脂の場合には、エキシマレーザを用いたレーザアブレーションによる加工や、CO 2レーザなどのレーザを用いたレーザ加工法などが好ましい。 [0044] As a method for forming the through holes, for example, laser processing, lithography E method (including etching), plasma processing, but machining and the like, when an insulating substrate is resin, an excimer laser processing and by laser ablation using such as a laser processing method using a laser such as a CO 2 laser is preferred. エキシマレーザを用いたレーザアブレーションによる加工法は、形状精度、加工精度に優れる等のため特に好ましい。 Processing method by laser ablation using an excimer laser, the shape accuracy, especially preferred for such excellent working accuracy. BG BG
A検査用のコンタクト部品等の場合は、エッチング加工でスルーホールを形成しても、加工精度上問題はなく、 If such contact elements for A test, even if a through hole by etching, machining accuracy problem is not,
低コストで形成できる。 It can be formed at a low cost.

【0045】バンプの形成方法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法、CVD法などが挙げられ、なかでも、形状の制御性がよく、高精度のバンプを形成できるため、電解メッキにより設けることが好ましい。 [0045] As a method for forming the bumps, the electrolytic plating method, electroless plating method, may be mentioned CVD method, among others, since the control of the shape is good, can form a high precision of the bump, the provision by electrolytic plating It is preferred. バンプを電解メッキ法などの等方性メッキで成長させる場合、 When growing a bump in the isotropic plating such as electrolytic plating method,
小バンプの高さ(H)、スルーホールの孔径(W)、バンプの幅(L)とすると、L=2H+Wの関係が成立する(図15(a))。 Small bump height (H), diameter of through-hole (W), when the bump width (L), L = 2H + relationship W is satisfied (FIG. 15 (a)). したがつて、2つの同じ大きさのバンプが連なる条件式は、隣り合うスルーホールのピッチをPとすると、P−W<2Hである(図15 Was but connexion, conditional expression in which two of the same size of the bump continuous, when the pitch of the adjacent through holes is P, a P-W <2H (FIG. 15
(b))。 (B)). 従って、例えば、図6(a)に示す態様の場合、バンプの外径R1と内径R2は、等方性メッキの場合、スルーホールの孔径(W)、小バンプの高さ(H)、小バンプの幅(L)、ピッチ(P)から制御できる。 Thus, for example, in the case of the embodiment shown in FIG. 6 (a), the outer diameter R1 and the inner diameter R2 of the bumps in the case of isotropic plating, the diameter of the through-hole (W), a small bump height (H), the small It can be controlled from the bump width (L), pitch (P). バンプの構成材料としては、Ni、Au、Ag、 The constituent material of the bump, Ni, Au, Ag,
Cu、Sn、Co、In、Rh、Cr、W、Ruまたはこれらの金属成分を主とする合金等を用いることができるが、NiまたはNi系合金が好ましい。 Cu, Sn, Co, In, Rh, Cr, W, can be used alloys mainly containing Ru or these metal components, Ni or Ni alloy is preferable. バンプ表面には、必要に応じて、種々の金属被膜を形成してもよい。 The bump surface, if necessary, may be formed of various metal coatings.
例えば、バンプ表面の硬度向上や、バーンインテストにおけるマイグレーションによるバンプの汚染の防止等の目的で、バンプ表面にAu、Rh、Pt、Pd、Ag等またはこれらの金属成分を主とする合金等の金属被膜を形成してもよい。 For example, improvement of hardness and the bump surface, the purpose of prevention of contamination of the bumps due to migration in the burn-in test, Au bump surface, Rh, Pt, Pd, such as an alloy mainly containing Ag or the like, or any of these metal components metal film may be formed. この金属被膜は単層であっても多層であってもよい。 The metal coating may be a multilayer may be a single layer.

【0046】 [0046]

【実施例】実施例1 まず、図17(a)に示すように、例えば、厚さ15〜 EXAMPLE 1 First, as shown in FIG. 17 (a), for example, a thickness of 15
35μmの銅薄膜16と、厚さ25μm(10〜50μ A copper thin film 16 of 35 [mu] m, a thickness of 25 [mu] m (10 and 50 microns
m)のポリイミドフィルム14を積層した構造のフィルムを準備する。 The polyimide film 14 m) to prepare the film of the laminated structure. なお、積層構造のフィルムの材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。 The material of the film of the laminated structure, forming method, thickness and the like can be selected appropriately. 例えば、ポリイミドフィルム上に、スパッタ法又はメッキ法等で銅薄膜を成膜して積層構造のフィルムが得られる。 For example, on a polyimide film, a film of laminated structure is obtained by forming a copper thin film by sputtering or plating or the like. また、銅箔にポリイミド前駆体をキャスティングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィルムを形成することもできる。 Further, after casting the polyimide precursor to a copper foil, dried and cured by heating the polyimide precursor, it is also possible to form a film having a structure bonded to a copper foil and the polyimide film. なお、ポリイミドフィルムと銅薄膜との間には、 Between the polyimide film and the copper thin film,
両者の接着性を向上させること、及び膜汚染を防止することを目的として、特に図示しないが薄いNi膜等を形成してもよい。 To improve both adhesion and membrane fouling for the purpose of preventing, may be particularly form not shown thin Ni film.

【0047】次に、図17(b)に示すように、ポリイミドフィルム14にエキシマレーザーを用いて、1パッド電極につき複数の近接した、もしくは連続したスルーホール5を穿つ。 Next, as shown in FIG. 17 (b), using the excimer laser in the polyimide film 14, per pad electrode and a plurality of proximity, or a through hole 5 consecutive drilling. この場合、スルーホール5の態様は、 In this case, the aspect of the through-hole 5,
図1(a)に示す環状(ドーナツ状)の開孔(態様1)、図4(a)に示す複数の開孔を連ねて環状開孔にしたもの(態様2)、図6(a)に示す複数の開孔を環状に配列したもの(態様3)、とした。 Annular shown in FIG. 1 (a) opening of (donut shape) (embodiment 1), those in the annular opening and lined with a plurality of openings shown in FIG. 4 (a) (embodiment 2), 6 (a) a plurality of openings shown in that annularly arranged (embodiment 3), and the. このとき図1 At this time, Figure 1
(a)に示す環状(ドーナツ状)の開孔を穿つ方法は、 How boring an opening of a circular shown in (a) (donut shape) is
レーザー加工機のマスク(例えば石英基板上にフォトリソグラフィー法等により形成した遮光膜パターンを有するマスク)にスルーホール形状と同じ形状の開口パターンを形成すれば可能である。 It is possible by forming the aperture pattern of the same shape as the through-hole-shaped (mask having a light-shielding film pattern formed by photolithography or the like, for example, a quartz substrate) Laser processing machine of the mask. また通常マスク(銅板、ステンレス(SUS)板等に貫通孔開けたもの)を使用する場合、いくつかの穴を連続して多数個、図4(a)に示すように穿っても可能である。 In the case of using an ordinary mask (a copper plate, stainless steel (SUS) that drilled holes in a plate, etc.), a large number consecutively several holes, it is possible also drilled as shown in FIGS. 4 (a) . スルーホール5を穿つ場合、銅薄膜16表面が露出するまでレーザーでポリイミドフィルム14に穴を穿ち、レーザ加工時に発生したカーボンを除去するためスルーホール5内部に酸素プラズマ処理を施し、さらに銅薄膜16表面に形成された酸化層を除去するための酸による処理を施した後、洗浄工程を行う。 If drilling a through-hole 5, in a laser to expose the copper thin film 16 surface bored holes in the polyimide film 14, subjected to oxygen plasma treatment inside the through hole 5 for removing carbon generated during laser processing, further copper film 16 It was subjected to a treatment with acid to remove the oxide layer formed on the surface by a wash step.

【0048】次に、図17(c)に示すように、ポリイミドフィルム14裏面の銅薄膜16を電極とし電解ニッケルメッキを行い、ニッケルバンプを成長させる。 Next, as shown in FIG. 17 (c), subjected to electroless nickel plating to a polyimide film 14 rear surface of the thin copper film 16 and the electrodes to grow the nickel bumps. この場合、銅薄膜16表面はメッキが成長しないように保護する。 In this case, the copper film 16 surface is protected from the plating does not grow. この電気メッキにより、スルーホール5を埋めるようにしてメッキが成長した後、ポリイミドフィルム1 This electroplating, after plating so as to fill the through hole 5 is grown, the polyimide film 1
4の表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、ニッケルからなるバンプ1が形成される。 Upon reaching the fourth surface, spread isotropically grow substantially hemispherically, bumps 1 made of nickel is formed. なお、 It should be noted that,
場合により、さらにニッケルからなるバンプ1上にロジウム、金メッキを被覆メッキする場合もある。 Optionally, it may be further coated plated rhodium, gold plated on the bumps 1 made of nickel. 図6 Figure 6
(a)に示す態様3の場合は、電解ニッケルメッキを行う際には、隣り合うレーザーホールに形成したバンプがつながるようにメッキをコントロールする。 For the embodiment 3 shown in (a), when performing electroless nickel plating, bumps formed on the adjacent laser holes to control the plating so as to be connected. なお、図1 It should be noted that, as shown in FIG. 1
7(c)ではバンプ1の中心凹部2までメッキを成長させていないが、図1(b)、図4(c)等に示すように中心凹部2までメッキを成長させてもよい。 7 (c) In is not plated are grown to the center recess 2 of the bumps 1, FIG. 1 (b), the may be plated to the center recess 2 is grown as shown in FIG. 4 (c) and the like.

【0049】次に、図17(d)に示すように、銅薄膜16を、レジストパターン(図示せず)をマスクとして、40ボーメ度塩化第二鉄水溶液にてエッチングを行い、よくリンスした後、レジストパターンを剥離して、 Next, as shown in FIG. 17 (d), the copper thin film 16, a resist pattern (not shown) as a mask, etching is performed at 40 degree Baume ferric chloride aqueous solution to well rinsed , by removing the resist pattern,
孤立電極6等を形成する。 Forming an isolated electrode 6 and the like. 以上の工程を経てコンタクト部品が得られる。 Contact element is obtained through the above steps.

【0050】比較例 図18は、直径500μmのハンダボール20に対し、 [0050] Comparative Example 18 are to solder balls 20 having a diameter of 500 [mu] m,
250μmφの孤立電極6とスルーホール(図示せず) Isolated electrode 6 and the through hole of 250Myuemufai (not shown)
を介して導通するバンプ1を形成した場合を示し、図1 Conducted through a shows the case of forming the bumps 1, FIG. 1
8の左側は本発明のバンプ1を接触させた場合を示し、 Left 8 shows a case contacting the bumps 1 of the present invention,
図18の右側は平坦バンプ1を接触させた場合を示す。 Right side of FIG. 18 shows a case contacting the flat bumps 1.
図18の左側に示す本発明のバンプでは、圧接時に変形したハンダボール20の“余肉”を中心凹部に収容して、ハンダボールの変形を抑えることができ、ハンダボールの高さの変形率をほぼ10%以下に抑えることができ、リフローの際にボイドは発生しなかった。 Bumps of the present invention shown on the left side of FIG. 18, housed in a central recess of the "excess thickness" of the solder ball 20 that is deformed during pressing, it is possible to suppress the deformation of the solder balls, the deformation ratio of the solder ball height can be suppressed to approximately 10% or less, voids during reflow did not occur. また、中心凹部2の周囲の外周凸部3はハンダボール20に程々食い込みやすくハンダボール20の表面の酸化膜破り導通良くし、また中心凹部2及び外周凸部3をハンダボール等と接触させるたため接触面積を大きくでき、接触抵抗を低くできた。 Further, since the outer convex portion 3 around the central recess 2 well oxide film breaking conduction surface of the moderate biting easily solder balls 20 to the solder balls 20, also having contacting central recess 2 and outer convex portions 3 and the solder balls or the like the contact area can be increased, it could reduce contact resistance. これらによって、ハンダボール20との接触信頼性が得られた。 These, contact reliability between the solder ball 20 is obtained. 図18の右側に示す平坦バンプでは、合体させたバンプの上部を平坦にしているため、圧接時にハンダボールの変形が著しく、圧接により大きく変形したハンダが接触部の周囲に広がり隣接する他のハンダに接触してしてしまうおそれがあり(特に平坦バンプの高さやハンダボールの高さにバラツキがある場合)、さらに、表面が平坦であるためハンダボール等の接触相手に対する接触面積や良好な導通を十分に確保することができなかった。 The flat bumps shown in the right side of FIG. 18, since the flat top of the bump coalesced significantly deformation of the solder balls during pressing, other solder solder largely deformed by pressing is adjacent spread around the contact portion There is a fear that was in contact with (particularly if there are variations in height and the solder ball height of the flat bump), and further, the surface is contacted to the contact mating solder balls or the like because it is a flat area and good conduction the could not be sufficiently secured. 図26(b)に示すように、 As shown in FIG. 26 (b),
孤立小バンプ1aを間隔を開けずに並べて形成したバンプを接触させた場合は、ハンダボール20の変形が大きく、リフローの際にボイド発生した。 Isolated if small bumps 1a are brought into contact with bumps formed side by side without a spacing has a large deformation of the solder balls 20, and voids during reflow. また、ハンダボール20が横方向に広がり隣のハンダボールとショートを起こす場合があった。 In addition, there have been cases where the solder balls 20 causes the solder balls and short of the next spread in the transverse direction. 図28(a)及び(b)に示すように、大きな一体形状の凸状のバンプ1を接触させた場合は、ハンダボール20の変形が最も大きく、リフローの際にボイド発生した。 As shown in FIG. 28 (a) and (b), when brought into contact with convex bumps of the major integrated shape, the largest deformation of the solder balls 20, and voids during reflow. また、ハンダボール20が横方向に広がり隣のハンダボール20とショートを起こす場合があった。 In addition, there have been cases where the solder balls 20 causes the solder balls 20 and the short of the next spread in the transverse direction.

【0051】実施例2 上記実施例1で作製されたコンタクト部品を有するバーンインプローブカードを作製し、このバーンインプローブカード用いてベアチップBGA、CSPのバーンイン検査を行った。 [0051] to produce a burn-in probe card having a fabricated contact element in Example 2 above Example 1 was carried out bare chip BGA, the burn-in test of the CSP using the burn-in probe card. ハンダボールとの接触・離脱(開閉)を行ったところ、全てのハンダボールについて、ハンダボールの高さの変形率はおよそ10%以下であり、リフローの際にボイドは発生しないこと、圧接時に隣接するハンダボール同士がショートを起こすことがないこと、及び、バンプの脱落がないことを確認した。 Was subjected to contact and separation of the solder ball (open) for all of the solder balls, heights deformation ratio of the solder ball is less than about 10%, not voids occur during reflow, adjacent at pressure solder ball to each other there is no possibility to cause a short circuit that, and, it was confirmed that there is no falling off of the bump. また、十分な接触抵抗値を確保できることを確認した。 Further, it was confirmed that can secure a sufficient contact resistance. さらに、バンプの高さバラツキや反りが吸収され、バーンインプローブカードとベアチップBGA,CSPとの電気的接続状態は良好で、バーンイン検査を確実に行うことができることを確認した。 Further, the height variation and warpage of the bump is absorbed, burn probe card and the bare chip BGA, electrical connection between the CSP was good, it was confirmed that it is possible to reliably perform burn-in test.

【0052】実施例3 図19に示すように、コンタクト部品7における絶縁性基材4が、絶縁性基材4の熱膨張を低く抑えることが可能となるように支持体(支持枠)8に支持されているウエハサイズのコンタクト部品7と、異方性導電ゴム5 [0052] As shown in Example 3 Fig. 19, the insulating substrate 4 in the contact part 7, the support (supporting frame) 8 so it is possible to reduce the thermal expansion of the insulating base 4 a contact part 7 of the support has been and wafer size, anisotropic conductive rubber 5
1、多層配線基盤52を組み合わせてなるウェハ一括バーインボード、及びウエハレベル一括CPS検査用コンタクトボードを用い、ウェハ一括バーンイン試験及びウエハレベル一括CPS検査を行った。 1, the multilayer wiring board 52 comprising a combination of a wafer batch burn boards, and using a contact board for wafer-level batch CPS test was conducted wafer batch burn-in test and wafer level batch CPS inspection. その結果、コンタクト部品7とシリコンウエハとの熱膨張係数を近似させることができ、中央凹部2とハンダボールがずれてしまことがなく、電気的接続状態は良好で、バーンイン検査を確実に行うことができることを確認した。 As a result, it is possible to approximate the thermal expansion coefficient between the contact element 7 and the silicon wafer, without want to shift the central recess 2 and the solder balls, the electrical connection state is good, surely that the burn-in test it was confirmed that it is. また、全てのハンダボールについて、ハンダボールの高さの変形率は10%以下であり、リフローの際にボイドは発生しないこと、圧接時に隣接するハンダボール同士がショートを起こすことがないこと、及び、バンプの脱落がないことを確認した。 Moreover, all of the solder balls, the deformation ratio of the solder ball height is 10% or less, not voids occur during reflow, it solder balls adjacent to each other when pressure is not may cause short, and , it was confirmed that there is no falling off of the bump. さらに、十分な接触抵抗値を確保でき、 Furthermore, it is possible to ensure a sufficient contact resistance,
良好な接触状態が得られることを確認した。 It was confirmed that a good contact state is obtained.

【0053】なお、支持体(支持枠)に支持されたウエハサイズのコンタクト部品7は、次のようにして形成した。 [0053] Incidentally, the support contact element 7 of the supported wafer size (support frame) was formed as follows. まず、図20(a)に示すように、実施例1で用いたのと同様の銅薄膜16とポリイミドフィルム14を積層したフィルム61を準備し、平坦なアルミニウム板6 First, as shown in FIG. 20 (a), to prepare a film 61 formed by laminating the same copper thin film 16 and the polyimide film 14 as used in Example 1, a flat aluminum plate 6
2上に載置したシリコンゴムシート63上に、フィルム61を銅薄膜16側を下にして均一に展開した状態で吸着させる。 On the silicon rubber sheet 63 is placed on the 2, it is adsorbed in the state where the film 61 was uniformly expand the copper thin film 16 side down. この際、シリコンゴムシート63にフィルム61が吸着する性質を利用し、しわやたわみが生じないように、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均一に展開した状態で吸着させる。 At this time, by utilizing the property of the film 61 to the silicon rubber sheet 63 is adsorbed, as wrinkles and bending does not occur, it is adsorbed while expelling air layer, it is adsorbed in the state of being uniformly expanded. 次に、内径220mm Then, an inner diameter of 220mm
φ、外径240mmφ、厚さ2mmの円形のSiCリング64(支持枠)の接着面に熱硬化性接着剤65を薄く均一に、50〜100μm程度の厚さで塗布し、フィルム61上に置く。 phi, outer diameter 240Mmfai, the thermosetting adhesive 65 to the adhesive surface thinly and uniformly circular SiC ring 64 having a thickness of 2 mm (support frame), was applied at a thickness of about 50 to 100 [mu] m, placed on the film 61 . ここで、熱硬化性接着剤65としては、バーンイン試験の設定温度80〜150℃よりも0 Here, the thermosetting adhesive 65, than the set temperature 80 to 150 ° C. in a burn-in test 0
〜50℃高い温度で硬化するものを使用する。 To use those which cure at to 50 ° C. higher temperatures. 本実施例では、ボンドハイチップHT−100L(主剤:硬化剤=4:1)(コニシ(株)社製)を使用した。 In this embodiment, the bond high chip HT-100L (base resin: curing agent = 4: 1) was used (Konishi Co., Ltd.). さらに、 further,
平坦性の高いアルミニウム板(重さ約2.5kg)(図示せず)を重石として、リング64上に載せる。 Flatness high aluminum plate (weighing about 2.5 kg) (not shown) as a heavy stone, placed on the ring 64. 上記準備工程を終えたものをバーンイン試験の設定温度(80 Set temperature of the burn-in test those after the preparation step (80
〜150℃)以上の温度(例えば200℃、2.5時間)で加熱して前記フィルム61と前記リング64を接着する(図20(b))。 To 150 DEG ° C.) or higher temperature (for example 200 ° C., to adhere the ring 64 and the film 61 is heated for 2.5 hours) (FIG. 20 (b)). この際、シリコンゴムシート63の熱膨張率はフィルム61の熱膨張率よりも大きいので、シリコンゴムシート63に吸着したフィルム61 At this time, since the thermal expansion coefficient of the silicon rubber sheet 63 is larger than the thermal expansion coefficient of the film 61, the film 61 adsorbed on the silicon rubber sheet 63
はシリコンゴムシート63と同じだけ熱膨張する。 Only thermal expansion similar to silicon rubber sheet 63. すなわち、フィルム61を単にバーンイン試験の設定温度(80〜150℃)以上の温度で加熱した場合に比べ、 That simply than when heated at a set temperature (80 to 150 ° C.) or higher temperature burn-in test of the film 61,
より熱膨張する。 More thermal expansion. このようにテンションの大きい状態で、熱硬化性接着剤65が硬化し、フィルム61とリング64が接着される。 Thus a large state of tension, the thermosetting adhesive 65 is cured, the film 61 and the ring 64 is bonded. また、シリコンゴムシート63上のフィルム61は、しわやたわみ、ゆるみなく均一に展開した状態で吸着されているので、フィルム61にしわやたわみ、ゆるみなく、リング64にフィルム61を接着することができる。 The film 61 on the silicon rubber sheet 63 is wrinkled or deflection, because it is adsorbed in the state of being uniformly expanded without loosening, wrinkling or bending the film 61, without loosening, and adhering the film 61 to the ring 64 it can. さらに、シリコンゴムシート63 In addition, silicon rubber sheet 63
は平坦性が高く、弾力性を有するので、リング64の接着面に、均一にむらなくフィルム61を接着することができる。 Has high flatness, because it has elasticity, can be adhered to the adhesive surface of the ring 64, a uniformly and evenly film 61. なお、フィルム61とリング64とを接着する接着手段としては、フィルムが収縮し、張力が弱まる他に、接着剤の硬化時期が場所によってばらついて、リングの接着面に均一にむらなく接着ができないおそれがあるため、熱硬化性接着剤を使用することが好ましい。 As the bonding means for bonding the film 61 and the ring 64, the film shrinks, in addition to tension weakens, the curing time of the adhesive is varied depending on the location, it can not adhere uniformly and evenly to the adhesive surface of the ring because fear is, it is preferable to use a thermosetting adhesive. 上記加熱接着工程を終えたものを常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。 Cooling the one having been subjected to the heat bonding step to ambient temperature, it is contracted to the state before heating. その後、カッターでリング64 After that, the ring 64 with a cutter
の外周に沿ってリング64の外側のフィルム61を切断除去する(図20(c))。 Cutting to remove the outer film 61 of the ring 64 along the outer circumference (Fig. 20 (c)). その後、表面を良く洗浄する。 Thereafter, the surface well washed. その後のスルーホール形成工程やバンプ形成工程等は、実施例1の図17(b)〜(d)で説明した工程と同様である。 The like subsequent through-hole formation step and the bump formation step is similar to the process described in Figure 17 of Example 1 (b) ~ (d).

【0054】本発明は、上記実施例に限定されず、本発明の範囲内で適宜変形実施できる。 [0054] The present invention is not limited to the above embodiments can be appropriately modified practiced within the scope of the present invention.

【0055】例えば、バンプの形態は実施例の図18、 [0055] For example, Figure in the form of bumps Example 18,
図19等に示した形態に限定されない。 Not limited to the mode shown in FIG. 19 or the like.

【0056】本発明のコンタクト部品は、CPS検査用、BGA検査用、ハンダボールを接点として有するI [0056] contact element of the present invention, I have for CPS inspection, for BGA inspection, the solder balls as a contact
C基板検査用、1チップバーイン検査用のテープキャリア用、バーンインプローブカード用、又は、メンブレンプローブカード用、ウェハ一括バーインボード用、ウエハレベル一括CPS検査用、などとして用いることができる。 C substrate inspection, 1 chip burn-in tape carrier for inspection, for burn-in probe card, or can be used for membrane probe card, wafer batch burn-board, wafer-level batch CPS inspection, as such.

【0057】 [0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
ハンダボール等の接点の変形を抑えることができるコンタクト部品等を提供できる。 It can provide contact elements or the like which can suppress the deformation of the contacts such as solder balls. また、ハンダボールやハンダパッド等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、接触信頼性に優れるコンタクト部品等を提供できる。 Further, the contact area and good conduction between the contacts such as solder balls or solder pads can be sufficiently ensured, it is possible to provide a contact element or the like having excellent contact reliability. さらに、平坦パッド等の接点との接触面積や良好な導通を十分に確保することができ、接触信頼性に優れるコンタクト部品等を提供できる。 Furthermore, it is possible to secure a sufficient contact area and good conduction between the contacts, such as a flat pad, it is possible to provide a contact element or the like having excellent contact reliability.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの一態様を説明するための図であり、(a) [1] is a diagram for explaining one embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention, (a)
はスルーホール部分の平面図、(b)及び(c)はそれぞれバンプ成長後のバンプの態様を示す部分断面図であり(a)のA−A線位置における断面図である。 Is a plan view of a through hole portion, a sectional view taken along line A-A position of (b) and (c) is a partial sectional view showing an aspect of a bump after the bump growth, respectively (a).

【図2】本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための図であり、(a)は部分平面図、 [Figure 2] is a diagram for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention, (a) is a partial plan view,
(b)は(a)のB−B線断面図である。 (B) is a sectional view taken along line B-B of (a).

【図3】本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための部分断面図である。 3 is a partial sectional view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention.

【図4】本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための図であり、 Is a diagram for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention; FIG,
(a)はスルーホール部分の平面図、(b)はバンプ成長後のバンプの一態様を示す部分平面図、(c)はバンプ成長後のバンプの他の態様を示す部分平面図、(d) (A) is a plan view of a through hole portion, (b) is a partial plan view illustrating one embodiment of the bump after the bump growth, (c) is a partial plan view showing another embodiment of the bump after the bump growth, (d )
は(c)のC−C線断面図である。 It is a C-C line cross-sectional view of (c).

【図5】本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための平面図である。 Is a plan view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention; FIG.

【図6】本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための図であり、 [Figure 6] is a diagram for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention,
(a)は部分平面図、(b)は(A)のD−D線断面図である。 (A) is a partial plan view, a D-D line cross-sectional view of (b) is (A).

【図7】本発明のコンタクト部品におけるバンプ及びスルーホールの他の態様を説明するための部分平面図である。 7 is a partial plan view for explaining another embodiment of the bump and the through-hole in the contact part of the present invention.

【図8】本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための斜視図である。 8 is a perspective view for explaining another embodiment of the bump in contact element of the present invention.

【図9】本発明のコンタクト部品におけるバンプの他の態様及びその形成工程を説明するための部分断面である。 9 is a partial sectional view for explaining another embodiment and its formation process of the bumps in the contact part of the present invention.

【図10】本発明のコンタクト部品におけるスルーホールの他の態様を説明するための部分平面図である。 It is a partial plan view for explaining another embodiment of the through hole in the contact part of the present invention; FIG.

【図11】本発明のコンタクト部品におけるスルーホールの他の態様を説明するための部分平面図である。 11 is a partial plan view for explaining another embodiment of the through hole in the contact part of the present invention.

【図12】本発明のコンタクト部品におけるスルーホールの他の態様を説明するための部分平面図である。 It is a partial plan view for explaining another embodiment of the through hole in the contact part of the present invention; FIG.

【図13】本発明のコンタクト構造の一態様を説明するための部分平面図である。 13 is a partial plan view for illustrating one embodiment of a contact structure of the present invention.

【図14】本発明のコンタクト構造の他の態様を説明するための部分平面図である。 14 is a partial plan view for explaining another embodiment of the contact structure of the present invention.

【図15】バンプを等方性メッキで成長させる場合の寸法関係を説明するために部分断面図である。 15 is a partial cross-sectional view for explaining the dimensional relationship when growing the bump isotropic plating.

【図16】並列ピン数(孤立小バンプの数に相当)と接触抵抗との関係を表す図である。 16 is a diagram showing the relationship between contact resistance and the parallel pin number (corresponding to the number of isolated small bumps).

【図17】本発明のコンタクト部品の形成工程の一例を説明するための部分断面図である。 17 is a partial sectional view for explaining an example of a contact element of the forming process of the present invention.

【図18】バンプとハンダボールとの接触の様子を説明するための断面図である。 18 is a sectional view for explaining the state of contact between the bump and the solder balls.

【図19】本発明のコンタクト部品を用いたバーンインボード等の一例を説明するための断面図である。 19 is a sectional view for explaining an example of a burn-in board or the like using the contact element of the present invention.

【図20】絶縁性基材が支持体で支持された構造の本発明のコンタクト部品の製造工程の一例を説明するための断面図である。 20 is a cross-sectional view of the insulating substrate will be described an example of a contact element of the manufacturing process of the present invention the supporting structure a support.

【図21】プローブカードの一態様を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。 [Figure 21] is a diagram for describing one embodiment of a probe card, (a) shows the plan view, (b) is a cross-sectional view.

【図22】プローブカードの他の態様を説明するための部分断面図である。 Figure 22 is a partial cross-sectional view for explaining another embodiment of the probe card.

【図23】1チップバーンイン用のコンタクタを説明するための正面図である。 [23] 1 is a front view for explaining a contactor for chip burn.

【図24】BGAを説明するための図であり、(a)は断面図、(b)は底面図である。 [Figure 24] is a diagram for explaining a BGA, (a) is a cross-sectional view, (b) is a bottom view.

【図25】CSPを説明するための平面図である。 Figure 25 is a plan view for explaining the CSP.

【図26】従来のコンタクト部品の一態様を説明するための図であり、(a)はバンプ部付近の部分断面図、 [Figure 26] is a diagram for describing one embodiment of a conventional contact element, (a) shows the partial sectional view of the vicinity of the bump portion,
(b)はバンプとハンダボールとの接触の様子を説明するための部分断面図である。 (B) is a partial sectional view for explaining a state of contact between the bump and the solder balls.

【図27】従来のコンタクト部品におけるバンプの他の態様を説明するための部分断面図である。 27 is a partial cross-sectional view for explaining another embodiment of the bump in the conventional contact element.

【図28】従来のコンタクト部品におけるバンプの他の態様及びハンダボールとの接触の様子を説明するための部分断面図である。 Figure 28 is a partial sectional view for explaining a state of contact with other aspects and solder ball bumps of the conventional contact element.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 バンプ 2 中心凹部 3 外周凸部 3a 小バンプ 4 絶縁性基材 5 スルーホール 6 孤立電極又は配線 7 コンタクト部品 7' バンプ付きメンブレン 8 支持体(支持枠) 14 ポリイミドフィルム 16 銅薄膜 20 ハンダボール 21 接点 22 ウエハ 23 チップ 24 被検査体 51 異方性導電ゴム 52 多層配線基盤 61 銅薄膜/ポリイミド積層フィルム 62 アルミニウム板 63 シリコンゴムシート 64 リング 65 熱硬化性接着剤 1 bump 2 central recess 3 outer convex portion 3a small bumps 4 insulating substrate 5 through hole 6 isolated electrodes or wiring 7 contact element 7 'membrane with bumps 8 support (supporting frame) 14 polyimide film 16 thin copper film 20 solder balls 21 contacts 22 wafer 23 chips 24 to be inspected 51 anisotropic conductive rubber 52 multilayer wiring board 61 thin copper film / polyimide laminate film 62 aluminum plates 63 silicone rubber sheet 64 ring 65 thermosetting adhesive

Claims (14)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、 前記バンプは、前記バンプの中心部分に低融点金属材料からなる被検査体上の接点の変形率を小さく抑えることを目的とした中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とするコンタクト部品。 1. A formed on one surface of the insulating substrate and the bumps in contact with the contacts on the device under test, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating substrate, the insulating substrate a contact part formed was through the through hole and a conductive portion for conducting and said isolated electrode or wire and the bump, the bump test subject on made of a low melting point metal material in the center portion of the bump of having a central recess for the purpose of possible to reduce the deformation rate of the contact, the contact part and having an outer convex portion around the said central recess.
  2. 【請求項2】 前記バンプは、前記中心凹部を囲むように形成された複数の小バンプからなる外周凸部を有し、 Wherein said bump has a outer convex portion composed of a plurality of small bumps formed so as to surround the central recess,
    前記外周凸部において隣り合う前記小バンプは基部において互いに合体されており、かつ、前記外周凸部は前記小バンプ頂部の曲率を維持することで前記小バンプ頂部で形成される凹凸を有することを特徴とする請求項1に記載のコンタクト部品。 Wherein the small bump adjacent the outer convex section are combined with each other at the base, and the outer convex portions having irregularities which the formed small bump top by maintaining the curvature of the small bump top contact component according to claim 1, wherein.
  3. 【請求項3】 前記中心凹部の周囲に前記外周凸部を環状に設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクト部品。 3. A contact element according to claim 1 or 2, characterized in that the outer convex portion around said central recess provided in the circular.
  4. 【請求項4】 絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、 一体として形成された前記バンプの表面に、起伏を有することを特徴とするコンタクト部品。 4. A formed on one surface of the insulating substrate and the bumps in contact with the contacts on the device under test, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating substrate, the insulating substrate a contact part formed was through the through hole and a conductive portion for conducting and said isolated electrode or wire and the bump, contact, wherein the surface of the bump formed integrally, in that it has undulations parts.
  5. 【請求項5】 絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、 前記バンプの中心部分に中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とするコンタクト部品。 5. A formed on one surface of the insulating substrate and the bumps in contact with the contacts on the device under test, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating substrate, the insulating substrate a contact part formed was through the through hole and a conductive portion for conducting and said isolated electrode or wire and the bump has a central recess in the center portion of the bump, outer convex around said central recess contact elements, characterized in that it comprises a part.
  6. 【請求項6】 絶縁性基材の一方の面に形成され被検査体上の接点と接触するバンプと、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したスルーホールを介して前記バンプと前記孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有するコンタクト部品であって、 一体として形成された前記バンプの中心部分に中心凹部を有し、該中心凹部の周囲に外周凸部を有することを特徴とする請求項5に記載のコンタクト部品。 6. is formed on one surface of the insulating substrate and the bumps in contact with the contacts on the device under test, and the isolated electrode or wiring is formed on the other surface of the insulating substrate, the insulating substrate a contact part formed was through the through hole and a conductive portion for conducting and said isolated electrode or wire and the bump has a central recess in the center portion of the bump formed integrally, said central recess contact component according to claim 5, characterized in that it comprises an outer convex portion around the.
  7. 【請求項7】 前記バンプの表面を粗面化したことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のコンタクト部品。 7. A contact element according to any one of claims 1 to 6, characterized in that roughened surface of the bump.
  8. 【請求項8】前記低融点金属材料からなる被検査体上の接点が、球状のハンダ、又は平坦状のハンダからなる接点であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のコンタクト部品。 8. contact on the low melting point of a metallic material to be inspected body, spherical solder, or characterized in that it is a contact made of flat solder to any one of claims 1 to 7 contact component according.
  9. 【請求項9】 前記コンタクト部品における絶縁性基材が、絶縁性基材の熱膨張を低く抑えることが可能となるように支持体(支持枠)に支持されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のコンタクト部品。 Claims 9. insulating substrate in the contact part, characterized in that it is supported by the support body (support frame) so it is possible to reduce the thermal expansion of the insulating substrate contact component according to any one of 1 to 8.
  10. 【請求項10】前記コンタクト部品は、ベアチップ又はパッケージされたICチップの電気的試験を行うための試験装置におけるコンタクタとして使用されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のコンタクト部品。 Wherein said contact element is claimed in any one of claims 1 to 9, characterized in that it is used as a contactor in the test apparatus for performing an electrical test of IC chips bare chip or package contact parts.
  11. 【請求項11】 絶縁性基材に環状に連続した一のスルーホールを形成し、バンプをスルーホールから電解メッキ法又は無電解メッキ法によって成長させる工程を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 11. A form one of the through holes continuous in an annular insulating substrate, the production of contact parts, characterized in that it comprises a step of growing a bump from the through-holes by an electrolytic plating method or an electroless plating method Method.
  12. 【請求項12】 絶縁性基材に複数のスルーホールを環状に配列形成するとともに、該複数のスルーホールから電解メッキ法又は無電解メッキ法によって成長したバンプの中心部分に凹部が形成されるようにバンプを成長させる工程を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 12. The plurality of through-holes as well as arranged annularly formed on an insulating substrate, such that the recess is formed in the central portion of the bump grown from the plurality of through holes by an electrolytic plating method or an electroless plating method method for producing a contact element, characterized in that it comprises a step of growing a bump on.
  13. 【請求項13】 絶縁性基材の一方の面に孤立電極又は配線を形成し、かつ、前記孤立電極又は配線とハンダボールとを直接接触させるためのスルーホールを前記絶縁性基材に形成した構造を有することを特徴とするコンタクト構造。 13. forms one isolated electrode or wiring on the surface of the insulating substrate, and to form a through hole for contacting the isolated electrode or the wiring and solder balls directly on the insulating substrate contact structure characterized by having a structure.
  14. 【請求項14】 異方性導電ゴム上の接点と直接ハンダボールを接触させる構造を有することを特徴とするコンタクト構造。 14. The contact structure characterized by having a structure of contacting directly solder balls and the contacts on the anisotropic conductive rubber.
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