JP2001042826A - Active matrix type light emitting panel and display device - Google Patents

Active matrix type light emitting panel and display device

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JP2001042826A
JP2001042826A JP21667399A JP21667399A JP2001042826A JP 2001042826 A JP2001042826 A JP 2001042826A JP 21667399 A JP21667399 A JP 21667399A JP 21667399 A JP21667399 A JP 21667399A JP 2001042826 A JP2001042826 A JP 2001042826A
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light
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light emitting
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Ishizuka
真一 石塚
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
パイオニア株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make uniformly controllable the luminance over the surface of a light emitting panel by providing a conversion active element, which converts a data signal current into a data signal voltage, in each pixel or a data driver circuit.
SOLUTION: In each pixel of a data driver circuit, a conversion active element is provided to convert a data signal current into a data signal voltage. In a light emitting panel, a current-voltage converting circuit 31 is provided between a source S of an address selecting electric field effect type transistor(FET) 11 and a gate G of a driving FET 12 and a data driver 26 is constituted of a constant current driver. The circuit 31 has a conversion FET 33, which is an active element to conduct a current-voltage conversion, and a buffer circuit 35 with a switch. The FET 33 has a same element structure of the FET 12. In other words, element structure parameters, which determine element characteristics such as a channel width and a carrier density profile, are formed in the same manner.
COPYRIGHT: (C)2001,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリクス型表示装置、特に、有機エレクトロルミネセンス素子等の発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an active matrix display device, particularly to an active matrix display device using a light emitting element such as an organic electroluminescence element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子と称する)は発光素子を流れる電流によってその発光輝度を制御することができ、このような発光素子をマトリクス状に配置して構成される発光パネルを用いたマトリクス型ディスプレイの開発が広く進められている。 BACKGROUND ART Organic electroluminescent device (hereinafter, referred to as organic EL device) can control the light emission luminance by a current flowing through the light emitting element is constituted by arranging such light-emitting elements in a matrix development of a matrix type display using a light-emitting panel has been promoted widespread that. かかる有機EL素子を用いた発光パネルとして、有機EL素子を単にマトリクス状に配置した単純マトリクス型発光パネルと、マトリクス状に配置した有機EL素子の各々にトランジスタからなる駆動素子を加えたアクティブマトリクス型発光パネルがある。 As a light-emitting panel employing such organic EL devices, an active matrix type plus a simple matrix type light emitting panel disposed an organic EL device simply in a matrix, a driving element in each of the organic EL elements arranged in a matrix of transistors there is a light-emitting panel. アクティブマトリクス型発光パネルは単純マトリクス型発光パネルに比べて、低消費電力であり、また画素間のクロストークが少ないなどの利点を有し、特に大画面ディスプレイや高精細度ディスプレイに適している。 The active matrix type light emitting panel compared to simple matrix type light emitting panel, low power consumption, also it has advantages such as less cross talk between pixels, are particularly suitable for large-screen display and high-definition display.

【0003】図1は、従来のアクティブマトリクス型発光パネルの1つの画素10に対応する回路構成の1例を示している。 [0003] Figure 1 shows an example of a circuit configuration corresponding to one pixel 10 of a conventional active matrix light-emitting panel. かかる回路構成は、例えば、特開平8−2 Such circuitry may, for example, JP-A-8-2
41057号公報に開示されている。 It disclosed in 41057 JP. 図1において、F In Figure 1, F
ET(Field Effect Transistor)11(アドレス選択用トランジスタ)のゲートGは、アドレス信号が供給されるアドレス走査電極線(アドレスライン)に接続され、 The gate G of ET (Field Effect Transistor) 11 (address selection transistor) is connected to the address scanning electrode line is supplied with an address signal (address lines),
FET11のソースSはデータ信号が供給されるデータ電極線(データライン)に接続されている。 The source S of the FET11 is connected to the data electrode lines supplied data signal (data lines). FET11 FET11
のドレインDはFET12(駆動用トランジスタ)のゲートGに接続され、キャパシタ13を通じて接地されている。 The drain D is connected to the gate G of the FET 12 (driving transistor), it is grounded through the capacitor 13. FET12のソースSは接地され、ドレインDは有機EL素子15の陰極に接続され、有機EL素子15 The source S of the FET12 is grounded, the drain D is connected to the cathode of the organic EL element 15, the organic EL element 15
の陽極を通じて電源に接続されている。 It is connected to the power supply through the anode. この回路の発光制御動作について述べると、先ず、図1においてFET Describing the light emission control operation of the circuit, first of all, FET 1
11のゲートGにオン電圧が供給されると、FET11 When ON voltage is supplied to the gate G of 11, FET 11
はソースSに供給されるデータの電圧をドレインDへ伝達する。 It transmits the voltage of the data supplied to the source S to the drain D. FET11のゲートGがオフ電圧であるとFE When the gate G of the FET11 is off voltage FE
T11はいわゆるカットオフとなり、FET11のドレインDはオープン状態となる。 T11 is a so-called cut-off, drain D of FET11 is an open state. 従って、FET11のゲートGがオン電圧の期間に、ソースSの電圧がキャパシタ13に充電され、その電圧がFET12のゲートGに供給されて、FET12にはそのゲート電圧とソース電圧に基づいた電流が有機EL素子15を通じてドレインDからソースSへ流れ、有機EL素子15を発光せしめる。 Therefore, the period of the gate G is the ON voltage of the FET 11, the voltage of the source S is charged in the capacitor 13, the voltage that is supplied to the gate G of the FET12, the FET12 is current based on the gate voltage and the source voltage through the organic EL element 15 flows from the drain D to the source S, allowed to emit the organic EL element 15. また、FET11のゲートGがオフ電圧になると、 Further, the gate G of the FET11 is turned off voltage,
FET11はオープン状態となり、FET12はキャパシタ13に蓄積された電荷によりゲートGの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、有機EL素子1 FET11 becomes open, FET 12 is the voltage of the gate G is maintained by electrical charges accumulated in the capacitor 13 maintains the drive current until a next scan, the organic EL element 1
5の発光も維持される。 5 of emission is maintained.

【0004】しかしながら、下記に述べる理由によって、発光パネルの面内に亘って各画素の輝度を均一に制御することは困難であった。 However, for the reasons described below, it is difficult across the plane of the light emission panel to uniformly control the luminance of each pixel. 図2は、温度をパラメータとしたときの駆動トランジスタの電気的特性(電流−電圧特性)を示している。 2, the electrical characteristics of the drive transistor when the temperature as a parameter - indicates the (current-voltage characteristic). 図2に示すように、駆動トランジスタの電気的特性は顕著な温度依存性を有している。 As shown in FIG. 2, the electrical characteristics of the driving transistor has a significant temperature dependence.
すなわち、ゲート−ソース電圧を一定としても温度変化によってドレイン−ソース電流(駆動電流)は大きく変化し、有機EL素子の輝度も大きく変化することになる。 That is, the gate - drain by even temperature changes at a constant source voltage - source current (driving current) is changed greatly, so that changes greater luminance of the organic EL element. 従って、発光パネル面内の温度分布によって駆動トランジスタの電気的特性は変化し、発光パネル面内において輝度のばらつきが生じる。 Therefore, the electrical characteristics of the driving transistor by the temperature distribution of the light emission panel plane changes, the variation in luminance occurs in the light emitting panel plane. 尚、発光素子の電流−輝度特性には温度依存性はほとんどない。 The current of the light-emitting element - temperature dependence is little in luminance characteristics. 更に、各画素に設けられた駆動トランジスタには製造上のばらつきが生じる場合があり、これらの原因によって発光パネル面内の輝度に不均一が生じるという問題点があった。 Furthermore, the driving transistor provided in each pixel may manufacturing variations occur, there problem that the luminance of the light-emitting panel surface is uneven occurs by these causes.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光パネルの面内に亘って輝度を均一に制御することが可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。 [0008] The present invention has been made in view of the foregoing and has its object, an active matrix capable of uniformly control the luminance over the plane of the light emitting panel and to provide a type display device.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明による発光パネルは、マトリクス状に配置された発光素子と、データ信号電流を蓄積して保持する保持回路と、該保持された電圧に応じて発光素子の各々を駆動する駆動素子と、を含むアクティブマトリクス型の発光パネルであって、データ信号電流をデータ信号電圧に変換する変換能動素子を備えていることを特徴としている。 Means for Solving the Problems A light emitting panel according to the present invention, a light emitting element arranged in a matrix, and a holding circuit for holding and storing the data signal current, the light emitting device in accordance with a voltage the holding a light-emitting panel of an active matrix type comprising a driving element for driving each, and is characterized in that it comprises a conversion active element for converting the data signal current to the data signal voltage.

【0007】本発明による表示装置は、マトリクス状に配置された発光素子及び上記発光素子の各々を駆動する駆動素子を含むアクティブマトリクス型発光パネルと、 [0007] The display device according to the invention, an active matrix light-emitting panel including a driving element for driving each of the light emitting element and the light-emitting element arranged in a matrix,
上記アクティブマトリクス型発光パネルにデータ信号電圧を供給する信号電圧供給回路と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、信号電圧供給回路は、データ信号電流をデータ信号電圧に変換する変換能動素子を有することを特徴としている。 An active matrix display device having a signal voltage supplying circuit for supplying a data signal voltage to the active matrix type light emitting panel, the signal voltage supply circuit, converts the active element for converting the data signal current to the data signal voltage It is characterized by having a.

【0008】本発明の他の特徴として、上記変換能動素子は駆動素子と実質的に同一の素子構造又は実質的に同一の電気的特性を有している。 [0008] Another aspect of the present invention, the above conversion active elements have substantially the same element structure or substantially identical electrical characteristics and the driving element.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。 Example of the embodiment of the present invention in detail with reference to the drawings. 尚、以下に説明する図において、実質的に同等な部分には同一の参照符を付している。 In the drawings described below, substantially equivalent parts are denoted by the same reference numerals. 図3 Figure 3
は、本発明の第1の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルを用いた有機EL表示装置20の構成を概略的に示している。 Has a structure of an organic EL display device 20 using an active matrix light-emitting panel according to a first embodiment of the present invention shown schematically.

【0010】図3において、アナログ/デジタル(A/ [0010] In FIG. 3, an analog / digital (A /
D)変換器21は、アナログ映像信号を受けてデジタル映像信号データに変換する。 D) converter 21 converts the digital video signal data receiving an analog video signal. 変換により得られたデジタル映像信号はA/D変換器21からフレームメモリ23 The frame memory 23 the digital video signal obtained by the conversion from the A / D converter 21
に供給され、コントローラ24の制御により書き込み蓄積される。 Is fed to, it is written accumulated by the control of the controller 24. コントローラ24は、入力映像信号の水平及び垂直同期信号に同期してフレームメモリ23、アドレス走査ドライバ25、データドライバ26、及び電源回路28の各々を制御する。 The controller 24 includes a frame memory 23 in synchronism with the horizontal and vertical synchronizing signals of the input video signal, the address scan driver 25, and controls each of the data driver 26, and a power supply circuit 28.

【0011】フレームメモリ23に蓄積されたデジタル映像信号データは、コントローラ24によって読み出され、データドライバ26に送られる。 [0011] Digital video signal data stored in the frame memory 23 is read out by the controller 24, it is sent to the data driver 26. また、コントローラ24は、アクティブマトリクス型発光パネル30の各行及び各列にそれぞれ接続されたデータドライバ26及びアドレス走査ドライバ25を順次制御することにより、フレームメモリ23に蓄積されていた映像に対応させて発光パネル30の各画素の有機EL素子の発光を制御する。 The controller 24, by sequentially controlling an active matrix light-emitting panel 30 row and to each column connected data driver 26 and the address scan driver 25, so as to correspond to the image accumulated in the frame memory 23 controlling the light emission of the organic EL element of each pixel of the light emission panel 30. 尚、発光パネル30において、複数の有機EL Note that in the light emitting panel 30, a plurality of organic EL
素子15はアドレス走査ドライバ25からの走査電極線であるアドレスラインA 1 〜A m 、及びデータドライバ2 Element 15 address lines are scan electrode lines from the address scan driver 25 A 1 ~A m, and the data driver 2
6からのデータ電極線であるデータラインB 1 〜B nの複数の交差位置にマトリクス状に配置されている。 Are arranged in a matrix form a plurality of intersections of the data lines B 1 .about.B n is the data electrode line from the 6. 上記したコントローラ24の制御によって所望の映像を発光パネル30に表示させることができる。 It can be displayed on the light emitting panel 30 a desired image under the control of the controller 24 described above. 電源回路28はまた、発光パネル30の全ての有機EL素子へ電力を供給する。 Power supply circuit 28 also supplies power to all the organic EL elements of the light emitting panel 30.

【0012】図4は、本発明の第1の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルの単位画素に対応する回路構成を示したものである。 [0012] Figure 4 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to a unit pixel of an active matrix light-emitting panel according to a first embodiment of the present invention. 本実施例が図1に示した従来技術の回路構成と異なるのは、アドレス選択用FET This embodiment is different from the conventional circuit technology configuration shown in FIG. 1, an address selection FET
11のソースSと駆動用FET12のゲートGとの間に電流−電圧変換回路31が設けられており、データドライバ26は定電流ドライバにより構成されている点である。 Current between the source S of 11 and the gate G of the driving FET 12 - voltage conversion circuit 31 is provided, the data driver 26 is the point which is constituted by a constant current driver. 電流−電圧変換回路31は電流−電圧変換を行う能動素子である変換用FET33及びスイッチ付きのバッファ回路35を有している。 Current - voltage conversion circuit 31 is a current - has a conversion FET33 and the buffer circuit 35 with the switch is an active element for voltage conversion. 本実施例において、変換用FET33は駆動用FET12と同一の素子構造を有している。 In this embodiment, conversion FET33 has the same element structure as the driving FET 12. すなわち、チャネル幅やキャリア濃度プロファイル等の素子特性を決定する各素子構造パラメータ値は同一に形成されている。 That is, each device structure parameter value that determines device characteristics such as the channel width and the carrier concentration profile is formed in the same. 従って、変換用FET33は駆動用FET12と実質的に同一の電気的特性を有している。 Thus, conversion FET33 has substantially the same electrical characteristics and the driving FET 12. 尚、変換用FET33は、発光パネルの作製プロセスにおいて駆動用FET12と同時に形成することもできる。 Incidentally, conversion FET33 can also be formed simultaneously with the driving FET12 in the fabrication process of the light-emitting panel.

【0013】図4において、変換用FET33のソースSは発光パネル30の共通のグランド(GND)に接地されている。 [0013] In FIG. 4, the source S of the converting FET33 are grounded to the common ground of the light emitting panel 30 (GND). 変換用FET33のドレインD及びゲートGは接続されてスイッチ付きバッファ回路35の入力端に接続されている。 The drain D and the gate G of the converting FET33 is connected to an input terminal of the switch with the buffer circuit 35 is connected. スイッチ付きバッファ回路35の出力端は駆動用FET12のゲートG及びキャパシタ13 The gate G and the capacitor 13 of the output terminal of the switch with a buffer circuit 35 for driving FET12
に接続されている。 It is connected to the. スイッチ付きバッファ回路35のスイッチ回路(図示しない)の入力端はアドレスラインに接続され、変換用FET33により電流−電圧変換された電圧をアドレス信号に応じて駆動用FET12のゲートG及びキャパシタ13に中継する。 Input terminal of the switch circuit having the switch buffer circuit 35 (not shown) is connected to the address lines, by converting FET33 current - relaying the voltage converted voltage to the gate G and the capacitor 13 of the drive FET12 in accordance with the address signal to.

【0014】次に、変換用FET33が駆動用FET1 [0014] Next, FET1 for driving conversion FET33
2の温度特性を相殺する動作について説明する。 The operation to cancel the second temperature characteristic will be described. まず、 First of all,
駆動用FET12の電流−電圧特性は以下のように説明することができる。 Current of the driving FET 12 - voltage characteristics can be explained as follows. FET12を流れる電流I DSは有機EL素子15の駆動電流I dr Current I DS flowing FET12 drive current I dr of the organic EL element 15 vに等しく、FET12のゲート電圧をV sigとしたとき、次式で表される。 v equally, when the gate voltage of the FET12 and the V sig, is expressed by the following equation.

【0015】 [0015]

【数1】 I DS =I drv =(1/2L)μ nOX W(V sig −V T2 (1) ここで、μ nはチャネルの移動度、C OXはゲート酸化膜容量、Wはトランジスタのチャネル幅、Lはトランジスタの実効チャネル長、V Tは閾値電圧である。 [Number 1] I DS = I drv = (1 / 2L) μ in n C OX W (V sig -V T) 2 (1) where, mu n is the mobility of the channel, C OX denotes a gate oxide film capacitance, W is the channel width of the transistor, L is the effective channel length of the transistor, V T is the threshold voltage.

【0016】上記のパラメータのうち、発光パネル30 [0016] Among the above parameters, the light emitting panel 30
の面内でばらつくパラメータ、すなわち、発光パネル3 Parameter varies in the plane, i.e., the light-emitting panel 3
0の製作に起因してばらつくパラメータは、μ n 0 parameter variations due to the production of, μ n,
OX 、W、L、及びV Tの全てである。 C OX, it is all of W, L, and V T. 一方、温度によって変化するパラメータは、μ n 、V Tである。 Meanwhile, the parameter that varies with temperature is mu n, V T. 従って、 Therefore,
図1に示した従来の駆動回路においては、駆動用FET In the conventional driving circuit shown in FIG. 1, the driving FET
12のゲートに一定電圧(V sig )を与えても、FET It is given a constant voltage (V sig) to the gate of 12, FET
12の製作時に生じるばらつき、及び発光パネル30内の温度分布によるばらつきによって、各画素の駆動用F Variation occurs 12 during manufacture, and the variation due to the temperature distribution of the light emission panel 30, F for driving each pixel
ET12の駆動電流は大きくばらついてしまう。 The drive current of the ET12 would vary greatly.

【0017】次に、変換用FET33を用いた場合について説明する。 [0017] Next, description will be given of a case where using a conversion for FET33. 有機EL素子15の駆動電流I drvは(1)と同様に次式で表される。 Drive current I drv organic EL element 15 is represented by the same manner the following equation (1).

【0018】 [0018]

【数2】 I drv =I DS =(1/2L)μ nOX W(V GS −V T2 =K(V GS −V T2 (2) ここで、 [Number 2] I drv = I DS = (1 / 2L) μ n C OX W (V GS -V T) 2 = K (V GS -V T) 2 (2) where,

【0019】 [0019]

【数3】 K=(1/2L)μ nOX W (3) また、変換用FET33の電流−電圧変換式は定電流ドライバ26の電流をI Equation 3] K = (1 / 2L) μ n C OX W (3) The current of the converting FET 33 - the current-voltage conversion type constant current driver 26 I sigとすると、次式で表される。 When sig, it is expressed by the following equation.
尚、下記において、本実施例における変換用FET33 In the following, for conversion in the present embodiment FET33
のパラメータには「'」を付して示す。 The parameters are denoted by a " '".

【0020】 [0020]

【数4】 I DS '=I sig =(1/2L')μ n 'C OX 'W'(V GS −V T ') 2 =K'(V GS −V T ') 2 (4) ここで、 Equation 4] I DS '= I sig = ( 1 / 2L') μ n 'C OX' W '(V GS -V T') 2 = K '(V GS -V T') 2 (4) where so,

【0021】 [0021]

【数5】 K'=(1/2L')μ n 'C OX 'W' (5) また、V GS =V sigであるので、式(4)から、 Equation 5] K '= (1 / 2L' ) μ n 'C OX' W '(5) In addition, since it is V GS = V sig, from equation (4),

【0022】 [0022]

【数6】 V sig =(I sig /K') 1/2 +V T ' (6) 従って、式(2),(6)から駆動電流I drvは、次式で表される。 [6] V sig = (I sig / K ') 1/2 + V T' (6) Thus, equation (2), the drive current I drv to (6), is expressed by the following equation.

【0023】 [0023]

【数7】 I drv =K(V sig −V T2 [Equation 7] I drv = K (V sig -V T) 2 =K{(I sig /K') 1/2 −(V T −V T ')} 2 (7) 上記により得られた駆動電流I drvを表す式(7)において、V T ≫V T −V T 'であるので、従来技術における駆動電流I drvを表す式(2)と比較すると、駆動電流の温度依存性が相殺されることがわかる。 = K {(I sig / K ') 1/2 - (V T -V T')} in 2 (7) expression for the drive current I drv obtained by the above (7), V T »V T - since a V T ', when compared to formula (2) representing the driving current I drv in the prior art, it can be seen that the temperature dependency of the driving current is canceled out.

【0024】また、V T −V T '≒0とみなせるので、駆動電流I drvは次式で与えられる。 Further, since it regarded as V T -V T '≒ 0, the drive current I drv is given by the following equation.

【0025】 [0025]

【数8】 I drv ≒(K/K')I sig (8) 更に、本実施例では、各画素に対し駆動用FET12と同一の素子構造及び同一の素子構造パラメータ値の変換用FET33が形成されている。 Equation 8] I drv ≒ (K / K ' ) I sig (8) Further, in the present embodiment, conversion FET33 of the same device structure and the same device structure parameter values and drive FET12 to each pixel formation It is. すなわち、駆動用FE In other words, the drive for FE
T12に近接して、駆動用FET12と実質的に同一素子構造の変換用FET33を設けているので、FET1 Close to the T12, since substantially provided conversion FET33 the same element structure as the driving FET 12, FET1
2及びFET33の各パラメータは等しいとみなすことができる。 Each parameter 2 and FET33 can be regarded as equal. 従って、K=K',V T =V T 'であるので、式(8)は、 Thus, K = K ', V T = V T' are the formula (8),

【0026】 [0026]

【数9】 I drv =I sig (9) となり、各画素の駆動用FET12の駆動電流I Equation 9] I drv = I sig (9), and the drive current I of the drive FET12 of each pixel
drvは、発光パネル面内の位置に依らず、定電流データドライバ26の信号電流のみによって確定される。 drv is irrespective of the position of the light-emitting panel plane, it is determined only by the signal current of the constant current data driver 26. すなわち、発光パネル面内の温度分布及び駆動トランジスタのばらつきに依らず所望の輝度で各画素の有機EL素子15を駆動することができる。 That is, it is possible to drive the organic EL element 15 of each pixel with a desired luminance regardless of the variation in the temperature distribution and the driving transistor of a light emitting panel plane.

【0027】尚、本実施例においては、変換用FET3 [0027] In the present embodiment, conversion FET3
3と駆動用FET12との間にスイッチ付きバッファ回路35を設けている。 3 and is provided with a switch with a buffer circuit 35 between the driving FET 12. これは、アドレス選択用トランジスタ11がアドレス信号に応じて導通した直後では変換用FET33のゲート電圧がキャパシタ13の保持電圧よりも低くなる場合があり、このときキャパシタ13に蓄積されていた電荷が変換用FET33による電流−電圧変換に影響するのを防ぐためである。 This is immediately after the address selection transistor 11 becomes conductive in response to the address signal may gate voltage of the converting FET33 is lower than the holding voltage of the capacitor 13, this time the charges accumulated in the capacitor 13 is converted current by use FET 33 - in order to prevent from affecting the voltage conversion. このようなスイッチ付きバッファ回路としては、例えばFETでソースフォロワ及びスイッチ回路等を構成することができる。 Examples of such switches with a buffer circuit, for example, can constitute a source follower and a switch circuit, and the like in FET.
また、ダイオード等で構成してもよいが、これらに限定されない。 It may also be constituted by a diode or the like, but is not limited thereto. さらに、アドレス信号のタイミング制御、又は他の方法によりスイッチ回路を設けない構成とすることもできる。 Furthermore, it is also possible to adopt a configuration without the switching circuit by the timing control, or otherwise address signal.

【0028】図5は、本発明の第2の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルの単位画素に対応する回路構成を示したものである。 [0028] FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to a unit pixel of an active matrix light-emitting panel according to a second embodiment of the present invention. 本実施例が第1の実施例と異なるのは、電流−電圧変換回路31を定電流データドライバ26内の各データラインに構成している点である。 This embodiment differs from the first embodiment, the current - in that constitute a voltage converting circuit 31 to each data line of the constant-current data driver 26. 電流−電圧変換回路31は電流−電圧変換を行う能動素子であるFET33及びバッファ回路36を有している。 Current - voltage conversion circuit 31 is a current - has an active element for voltage conversion FET33 and the buffer circuit 36. 本実施例において、変換用FET33は駆動用F In this embodiment, conversion FET33 is F drive
ET12と同一の素子構造を有し、各素子構造パラメータ値も同一に形成されている。 Has the same device structure and ET12, the device structure parameter values ​​are also formed on the same.

【0029】図5において、変換用FET33のソースSは発光パネル30と共通のグランド(GND)に接地されている。 [0029] In FIG. 5, the source S of the converting FET33 are grounded to the common ground and the light emitting panel 30 (GND). FET33のドレインD及びゲートGは接続されてバッファ回路36の入力端に接続されている。 The drain D and the gate G of the FET33 is connected to an input terminal of the buffer circuit 36 ​​is connected.
バッファ回路36の出力端はデータラインBjとして発光パネル30の列方向の各画素に接続されている。 The output terminal of the buffer circuit 36 ​​is connected to each pixel in the column direction of the light emitting panel 30 as a data line Bj. 変換用FET33が駆動用FET12の温度特性を相殺する動作については、第1の実施例の場合と同様に説明することができる。 The operation in which the conversion FET33 to offset the temperature characteristics of the driving FET 12, can be described as in the first embodiment. すなわち、上記した式(2),(4)において、V GS ≒V sigを仮定すると、有機EL素子15 That is, the equation (2), (4), assuming a V GS ≒ V sig, the organic EL element 15
の駆動電流I Of the drive current I drvは、次式で表される。 drv is expressed by the following equation. 尚、下記において、本実施例における変換用FET33のパラメータには「''」を付して示す。 In the following, the parameters of the conversion FET33 in the present embodiment are denoted a " ''".

【0030】 [0030]

【数10】 I drv ≒K{(I sig /K'') 1/2 −(V T −V T '')} 2 (10) 上記の式(10)において、V T ≫V T −V T ''であるので、式(2)に示される変換用FET33を設けない場合に比べて駆動電流の温度依存性が大きく低減されることがわかる。 Equation 10] I drv ≒ K {(I sig / K '') 1/2 - (V T -V T '')} 2 (10) In the above formula (10), V T »V T -V since a T '', it is understood that the temperature dependence of the drive current as compared with the case without the conversion FET33 represented by formula (2) is greatly reduced. また、V T −V T ''≒0とみなすことができ、駆動電流I dr Further, it can be assumed that V T -V T '' ≒ 0 , the driving current I dr vは次式で与えられる。 v is given by the following equation.

【0031】 [0031]

【数11】 I drv ≒(K/K'')I sig (11) 本実施例では、定電流データドライバ26内に設けた変換用FET33は駆動用FET12と同一の素子構造を有し、各素子構造パラメータ値も同一に形成されているので、式(11)において、K/K''≒1とみなすことができる。 In Equation 11] I drv ≒ (K / K ' ') I sig (11) embodiment, conversion FET33 provided to the constant-current data driver 26 has the same element structure and a driving FET 12, each since the device structure parameter values ​​are also formed in the same, in the formula (11) can be regarded as a K / K '' ≒ 1. 従って、有機EL素子15の駆動電流I drv Therefore, the drive current I drv organic EL element 15
は定電流データドライバ26の信号電流とほぼ等しくなり、駆動用FET12の温度依存性及び素子特性のばらつきに起因する特性の不均一が相殺される。 Is approximately equal to the signal current of the constant current data driver 26, nonuniformity of the characteristics due to variations in the temperature dependence and the element characteristics of the driving FET12 is canceled.

【0032】尚、上記した実施例において、変換用FE [0032] Incidentally, in the embodiment described above, conversion FE
T33として、駆動用FET12と同一の素子構造及び同一の素子構造パラメータ値を有するFETを用いたが、駆動用FET12と実質的に同一の電気的特性を得られる構造のFETにより駆動用FETを構成してもよい。 As T33, but using FET having the same device structure and the same device structure parameter values ​​and drive FET12, constituting the driving FET by driving FET12 substantially FET structure as a result of the same electrical characteristics it may be. また、必ずしもこれらに限定されず、駆動用FET Also, it not necessarily limited to, the driving FET
12と同様な温度特性を有するFETにより駆動用FE 12 FE driving the FET having the same temperature characteristics as
Tを構成してもよい。 T may be configured. 更に、例えば、ドライバ回路からの距離に応じて各行毎、各列毎、又は各画素毎に素子構造パラメータ値を変えてもよい。 Furthermore, for example, each row each depending on the distance from the driver circuit, each of the columns, or may change the device structure parameter values ​​for each pixel.

【0033】また、データドライバ26を発光パネル3 [0033] In addition, the data driver 26 light-emitting panel 3
0の外部に設けた場合を例に説明したが、発光パネル3 The case of providing the 0 of the external has been described as an example, but the light-emitting panel 3
0内にデータドライバ回路を形成するようにしてもよい。 It may be formed of data driver circuits in the 0. 前述の第1の実施例においては、能動変換素子及びスイッチ回路付きバッファ回路を各画素に対して設けた場合を例に説明したが、必ずしも全ての画素に設ける必要はなく、設計上の都合等により適宜選択して適用することが可能である。 In the first embodiment described above, although the active transducer and the switch circuit with a buffer circuit has been described as an example the case of providing for each pixel, it is not necessary to provide the necessarily all pixels, for convenience of design, etc. It can be applied appropriately selected by.

【0034】 [0034]

【発明の効果】上記したことから明らかなように、本発明によれば、各画素、又はデータドライバ回路内にデータ信号電流をデータ信号電圧に変換する変換能動素子を設けることにより、発光パネル面内における温度分布、 As apparent from the above, according to the present invention, according to the present invention, by providing the conversion active element for converting the data signal current to the data signal voltage to each pixel, or the data driver circuit, the light emitting panel surface the temperature distribution in the inner,
及び駆動素子のばらつきに起因する特性の不均一を相殺し、発光パネル面内に亘って輝度を均一に制御することが可能なアクティブマトリクス型発光パネルを実現できる。 And offset the non-uniformity of characteristics due to variation of the drive element can be realized an active matrix light-emitting panel which can uniformly control the luminance over the light-emitting panel surface.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】従来のアクティブマトリクス型発光パネルの1 [1] 1 of a conventional active matrix type light emitting panel
つの画素に対応する回路構成の1例を示す図である。 One of which is a view showing an example of a circuit configuration corresponding to the pixel.

【図2】有機EL素子を駆動する駆動用FETの電流− [Figure 2] of the drive FET that drives the organic EL element current -
電圧特性を温度をパラメータとして示す図である。 It is a diagram illustrating a voltage characteristic of the temperature as a parameter.

【図3】本発明の第1の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルを用いた有機EL表示装置の構成を概略的に示すブロック図である。 3 is a block diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device using an active matrix light-emitting panel according to a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルの単位画素に対応する回路構成を示す図である。 4 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to a unit pixel of the first active matrix light-emitting panel according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例であるアクティブマトリクス型発光パネルの単位画素に対応する回路構成を示す図である。 5 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to a unit pixel of an active matrix light-emitting panel according to a second embodiment of the present invention.

【主要部分の符号の説明】 Description of the main part of the code]

10 画素 11 アドレス選択用FET 12 駆動用FET 13 キャパシタ 15 発光素子 20 表示装置 21 A/D変換器 23 フレームメモリ 24 コントローラ 25 アドレス走査ドライバ 26 データドライバ 28 電源回路 30 発光パネル 31 電流−電圧変換回路 33 変換用FET 35、36 バッファ回路 10 pixels 11 address selection FET 12 driving FET 13 capacitor 15 light-emitting element 20 display 21 A / D converter 23 a frame memory 24 controller 25 address scan driver 26 data driver 28 supply circuit 30 emitting panel 31 current - voltage converter circuit 33 conversion FET 35,36 buffer circuit

Claims (13)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された発光素子と、 And 1. A light emitting elements arranged in a matrix,
    データ信号電流を蓄積して保持する保持回路と、該保持された電圧に応じて前記発光素子の各々を駆動する駆動素子と、を含むアクティブマトリクス型の発光パネルであって、 前記データ信号電流をデータ信号電圧に変換する変換能動素子を備えていることを特徴とする発光パネル。 A holding circuit for holding and storing the data signal current, a driving element for driving each of the light emitting device in accordance with a voltage the holding, a light-emitting panel of an active matrix type including, the data signal current emitting panel, characterized in that it comprises a conversion active element for converting the data signal voltage.
  2. 【請求項2】 前記変換能動素子は前記駆動素子と実質的に同一の素子構造を有することを特徴とする請求項1 2. A method according to claim wherein the conversion active element is characterized by having substantially the same element structure as the driving element 1
    に記載の発光パネル。 The light-emitting panel according to.
  3. 【請求項3】 前記変換能動素子は、インピーダンス変換のためのバッファ回路を介して前記駆動素子に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光パネル。 Wherein said converting active element, light-emitting panel according to claim 1 or 2, characterized in that via a buffer circuit for impedance conversion is connected to the driving element.
  4. 【請求項4】 前記バッファ回路は、変換された前記信号電圧をアドレス信号に応じて前記保持回路に中継するスイッチ回路を更に有することを特徴とする請求項3に記載の発光パネル。 Wherein said buffer circuit includes light emitting panel of claim 3, further comprising a switch circuit that relays in the holding circuit in accordance with converted the signal voltage to the address signal.
  5. 【請求項5】 前記変換能動素子は、前記駆動素子と実質的に同一の電気的特性を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1に記載の発光パネル。 Wherein said converting active element, light-emitting panel according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it has the drive element substantially identical electrical characteristics.
  6. 【請求項6】 前記変換能動素子は、前記駆動素子と同時に形成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1に記載の発光パネル。 Wherein said converting active element, light-emitting panel according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it is formed simultaneously with the driving element.
  7. 【請求項7】 前記駆動素子及び前記変換能動素子は電界効果型トランジスタ(FET)であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1に記載の発光パネル。 7. The light-emitting panel according to any one of claims 1 to 6, wherein the drive element and the converting active element is a field effect transistor (FET).
  8. 【請求項8】 マトリクス状に配置された発光素子及び前記発光素子の各々を駆動する駆動素子を含むアクティブマトリクス型発光パネルと、前記アクティブマトリクス型発光パネルにデータ信号電圧を供給する信号電圧供給回路と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、 前記信号電圧供給回路は、データ信号電流を前記データ信号電圧に変換する変換能動素子を有することを特徴とする表示装置。 8. The active matrix type light emitting panel including a driving element for driving each of the light emitting element and the light emitting element are arranged in matrix, a signal voltage supplying circuit for supplying a data signal voltage to the active matrix type light emitting panel When, an active matrix display device having the signal voltage supply circuit, display device characterized by having a conversion active element for converting the data signal current to the data signal voltage.
  9. 【請求項9】 前記変換能動素子は、前記駆動素子と実質的に同一の素子構造を有することを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 Wherein said converting active element, a display device according to claim 8, characterized in that it comprises the drive element substantially identical device structure.
  10. 【請求項10】 前記変換能動素子は、インピーダンス変換のためのバッファ回路を介して前記アクティブマトリクス型発光パネルに接続されていることを特徴とする請求項9に記載の表示装置。 Wherein said converting active element, a display device according to claim 9, characterized in that via a buffer circuit for impedance conversion is connected to the active matrix light-emitting panel.
  11. 【請求項11】 前記バッファ回路は、変換された前記信号電圧をアドレス信号に応じて前記データ信号電圧を出力せしめるスイッチ回路を更に有することを特徴とする請求項10に記載の表示装置。 Wherein said buffer circuit, a display device according to claim 10, further comprising a switching circuit that allowed to output the data signal voltage in response to converted the signal voltage to the address signal.
  12. 【請求項12】 前記変換能動素子は、前記駆動素子と実質的に同一の電気的特性を有することを特徴とする請求項8ないし11のいずれか1に記載の表示装置。 12. The method of claim 11, wherein converting the active element, a display device according to any one of claims 8 to 11, characterized in that having the drive element substantially identical electrical characteristics.
  13. 【請求項13】 前記駆動素子及び前記変換能動素子は電界効果型トランジスタ(FET)であることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか1に記載の表示装置。 13. The display device according to any one of claims 8, wherein the drive element and the converting active element is a field effect transistor (FET) 12.
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