JP2001004935A

JP2001004935A - 光スイッチ

Info

Publication number: JP2001004935A
Application number: JP17721299A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kajiyama; 真一梶山; Satoru Takasugi; 哲高杉; Naoto Uetsuka; 尚登上塚; Tatsuo Teraoka; 達夫寺岡
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1999-06-23
Filing date: 1999-06-23
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】【課題】低損失、低消費電力、低コスト、小型の光ス
イッチを提供する。【解決手段】固定側光ファイバ１３をスイッチ基盤１
に固定し、スイッチ基盤１より伸びた複数の梁２を設
け、可動ブロック４に梁２が所定方向にのみ余裕をもっ
て挿入される複数の孔３を形成し、孔３に梁２を挿入す
ることにより、可動ブロック４をスイッチ基盤１には接
触させず移動可能に支持し、可動ブロック４に移動側光
ファイバ５を保持させ可動ヨーク６を取り付け、可動ブ
ロック４の両端に電磁石７を設け、各電磁石の一極を可
動ヨーク６に臨ませ他極同士を固定ヨーク８で連絡し、
固定ヨーク８の中間に永久磁石９を設ける。電磁石７を
含む閉ループ磁気回路を形成すると、可動ブロック４が
移動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送路を切り換
え制御するための光スイッチに係り、特に、低損失、低
消費電力、低コスト、小型の光スイッチに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、インターネットやＩＳＤＮの普及
による急激な情報伝送量の増加に伴い、遠距離はもとよ
り近距離におけるＷＤＭ伝送技術の早急な開発が求めら
れている。近距離ＷＤＭ伝送システムにおいては、市内
を巡る基幹回線と個人或いは企業の専用回線との間で、
市内至る所で情報のやりとりをするため、膨大な量の伝
送路制御用光スイッチが必要になる。光スイッチには、
低損失、低消費電力、低コスト、小型であることが求め
られている。

【０００３】従来、光スイッチには、用途により様々な
ものが研究され提案されている。例えば、グレーティン
グを用い、特定の波長のみを切り換える熱光学的方式、
プリズム、ミラー或いは光ファイバ自体を機械的に移動
して光路を切り換える機械制御方式、静電気力や電磁力
を用いて光路を切り換える電気制御方式がある。また、
光ファイバの位置決め方式として、一般にはＶ溝を形成
した基盤に光ファイバを乗せ、各々の光ファイバの突き
合わせを切り換えるものが知られている。また、光ファ
イバに特殊なコーティングを施し、この光ファイバに外
力を直接与えて所定の位置に移動させる方式もある。

【０００４】この中で電磁力を用いたものは、比較的簡
単で確実に光ファイバに駆動力を与えることができる。
図５に一例を示す。図５（ａ）に示された光スイッチ
は、光ファイバ５１に磁性体のコーティングが施してあ
り、電磁回路５２により磁場を発生させると光ファイバ
５１が湾曲して光ファイバ５３に突き合わせ接続され
る。一方、電磁回路５２による磁場をなくし、電磁回路
５４により磁場を発生させると光ファイバ５１は前記光
ファイバ５３と反対側の光ファイバ５５に突き合わせ接
続される。この場合、正確に光ファイバ同士が突き合わ
されるように、光ファイバ５３，５５をＶ溝基盤に固定
する方法や、光ファイバ５１の移動距離をガイド溝によ
り制御する方法が知られている。

【０００５】図５（ｂ）に示された光スイッチは、各々
の光ファイバ５３，５５，５６をブロックに固定し、移
動側光ファイバ５６のブロック上に永久磁石５７を取り
付けたものである。この光スイッチは、電磁回路５２に
より磁場を発生させると、発生磁場により永久磁石５７
に吸引力又は反発力が生じるので、電磁回路５２だけで
図５（ａ）の光スイッチと同じ効果が得られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）、図５
（ｂ）のいずれの光スイッチであっても、突き合わせを
している間は、必ず磁場を発生させなくてはならないと
いう問題がある。伝送システムにおいては消費電力を抑
えるのがよく、このためには、例えば、光ファイバの切
り換えのときだけ電磁回路５２，５４に通電するものが
望まれる。

【０００７】また、２本並んだ光ファイバのコア間隔は
通常２５０μｍ程度であり、光ファイバ５１，５６の端
末は、常に直線から１２５μｍオフセットした状態にな
る。その結果、曲げ半径を大きくするために光ファイバ
５１，５６の余長を長くとらなければならなくなり、光
スイッチとしてのサイズが大きくなってしまう問題があ
る。

【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、低損失、低消費電力、低コスト、小型の光スイッチ
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、１本の光ファイバの端末を移動させて複数
本の光ファイバの端末のいずれかに突き合わせ接続する
ことにより光伝送路を切り換える光スイッチにおいて、
前記複数本の光ファイバの端末を所定間隔で並べてスイ
ッチ基盤に固定し、このスイッチ基盤より前記複数本の
光ファイバの端末の延長方向と平行に伸びた複数の梁を
設け、前記スイッチ基盤とは別体のブロックに前記梁が
前記複数本の光ファイバの端末の並び方向にのみ余裕を
もって挿入される複数の孔を形成し、これらの孔に前記
梁を挿入することにより、前記ブロックを前記スイッチ
基盤には接触させず、かつ前記複数本の光ファイバの端
末の並び方向にのみ所定範囲だけ移動可能に支持し、こ
の可動ブロックに前記複数本の光ファイバの端末に対向
する前記１本の光ファイバの端末を保持させ、この可動
ブロックに前記複数本の光ファイバの端末の並び方向に
幅を有する可動ヨークを取り付け、前記可動ブロックの
移動範囲の両端にそれぞれ電磁石を設け、各電磁石の一
極をそれぞれ前記可動ヨークに臨ませ、各電磁石の他極
同士を固定ヨークで連絡し、この固定ヨークの中間に一
極を前記可動ヨークに向けた永久磁石を設け、前記いず
れかの電磁石、前記固定ヨーク及び前記可動ヨークを含
む閉ループ磁気回路を形成することにより、前記可動ブ
ロックを移動させるものである。

【００１０】前記可動ブロックを、前記１本の光ファイ
バの端末を固定するためのガイド溝及び前記孔を形成す
るための溝を異方性エッチングにより形成した２つのシ
リコン基盤を閉じ合わせることにより形成してもよい。

【００１１】前記可動ブロックに端末が保持された光フ
ァイバを前記可動ブロックより所定距離隔てて前記スイ
ッチ基盤に固定してもよい。

【００１２】前記スイッチ基盤を石英の切削加工により
形成してもよい。

【００１３】前記スイッチ基盤を石英のプレス加工によ
り形成してもよい。

【００１４】前記スイッチ基盤の光ファイバ端末と前記
可動ブロックの光ファイバ端末との間に、複数の光導波
路が一端では前記複数本の光ファイバの端末の間隔で並
び他端では前記可動ブロックの移動範囲に等しい間隔で
並ぶように光導波路間隔を変化させた光導波路モジュー
ルを設けてもよい。

【００１５】前記梁を金属製の円柱状のストレートピン
で構成してもよい。

【００１６】前記梁を前記スイッチ基盤と一体的に石英
で構成してもよい。

【００１７】一方の電磁石に前記永久磁石による磁界と
同一方向の磁界を発生させると共に他方の電磁石に前記
永久磁石による磁界と反対方向の磁界を発生させること
により、一方の電磁石を含む閉ループ磁気回路を形成さ
せ、前記両電磁石に発生させる磁界の方向を反転させる
ことにより、他方の電磁石を含む閉ループ磁気回路を形
成させ、前記両電磁石の磁界を解消することにより、前
記永久磁石を含む閉ループ磁気回路を形成させてもよ
い。

【００１８】前記閉ループ磁気回路が前記可動ヨークに
対して間隙を有し、この間隙が前記可動ブロックの移動
位置によらず維持されてもよい。

【００１９】前記可動ヨーク及び前記固定ヨークを強磁
性体の箔で構成してもよい。

【００２０】前記光スイッチを複数集積してもよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づいて詳述する。

【００２２】図１に示されるように、本発明に係る光ス
イッチは、この光スイッチの基体となるスイッチ基盤１
と、端末がスイッチ基盤１に固定される複数本の光ファ
イバ（図示せず；以下、固定側光ファイバという）と、
スイッチ基盤１より光ファイバの端末の延長方向と平行
に伸びた複数の梁２と、スイッチ基盤１とは別体で、梁
２が挿入される孔３を有する可動ブロック４と、この可
動ブロック４に端末が保持されかつ可動ブロック４より
所定距離隔ててスイッチ基盤１に固定される１本の光フ
ァイバ（以下、移動側光ファイバという）５と、可動ブ
ロック４に取り付けられた可動ヨーク６と、可動ブロッ
ク４の移動範囲の両端外方に設けた電磁石７ａ，７ｂ
と、これら電磁石７ａ，７ｂを貫通して一端を可動ヨー
ク６に臨ませた左部ヨーク８ａ及び右部ヨーク８ｂと、
左部ヨーク８ａ及び右部ヨーク８ｂの他端同士を連絡し
てなる固定ヨーク８と、固定ヨーク８の中間部分に設け
た永久磁石９と、この永久磁石９に接して可動ヨーク６
の上部を覆う中間ヨーク１０とを備える。

【００２３】図示しない固定側光ファイバの端末の並び
方向は、図１上では左右方向である。スイッチ基盤１に
は、可動ブロック４より幅の広い溝１１が設けられてお
り、この溝１１に可動ブロック４が収容されている。梁
２は、金属製の円柱状のストレートピンで構成されてお
り、図示しない基端部でスイッチ基盤１に固定されてい
る。或いは、プロセス技術により、梁２をスイッチ基盤
１と一体的に石英で構成してもよい。図１の光スイッチ
では、２本の梁２が設けられている。２本の梁２は、固
定側光ファイバの端末の並び方向と平行に並べられてい
る。

【００２４】梁２と同間隔に並ぶ２個の孔３は、梁２の
径にほぼ等しい上下幅を有し、梁２の径より大きい左右
幅を有する。従って、可動ブロック４は、左右方向のみ
に移動可能である。また、可動ブロック４の移動範囲
は、梁２と孔３との隙間の幅により決まる。さらに、ス
イッチ基盤１の溝１１の底から梁２までの距離が可動ブ
ロック４の底面から孔３までの距離よりも大きいため、
可動ブロック４をスイッチ基盤１には接触させずに梁２
で支持することができる。図１（ａ）では、可動ブロッ
ク４が移動範囲の右端に位置しており、図１（ｂ）で
は、可動ブロック４が移動範囲の左端に位置している。

【００２５】可動ブロック４は、移動側光ファイバ５の
端末を固定するためのガイド溝及び孔を形成するための
溝を異方性エッチングにより形成した２つのシリコン基
盤を閉じ合わせることにより形成することができる。

【００２６】可動ヨーク６は、高透磁率材料又は強磁性
体材料からなる。可動ヨーク６は、可動ブロック４の上
に所定の厚さで設けられ、可動ブロック４と同じ左右幅
を有する。電磁石７ａ，７ｂは、左部ヨーク８ａ又は右
部ヨーク８ｂの周囲にソレノイドを形成してなる。これ
らの電磁石７ａ，７ｂのソレノイドには、個別に電力を
印加することができる。左部ヨーク８ａ及び右部ヨーク
８ｂの一端は、スイッチ基盤１の溝１１の端に揃えてあ
り、可動ブロック４が移動範囲の右端に位置していると
きは、右部ヨーク８ｂと可動ヨーク６とが近接し、可動
ブロック４が移動範囲の左端に位置しているときは、右
部ヨーク８ｂは可動ヨーク６から離れて左部ヨーク８ａ
と可動ヨーク６とが近接するようになっている。左部ヨ
ーク８ａ及び右部ヨーク８ｂの他端は、それぞれ上方向
に立ち上げられ、さらに左右方向に折り曲げられて互い
に連絡されている。即ち、ここでは、左部ヨーク８ａ、
右部ヨーク８ｂ及び固定ヨーク８は一体的に構成されて
いる。電磁石７ａ，７ｂは、立ち上げ部分に設けられて
いる。永久磁石９は、例えば、Ｓ極を固定ヨーク８に接
し、Ｎ極を中間ヨーク１０に接している。永久磁石９の
Ｎ極は、可動ヨーク６に向いている。

【００２７】この光スイッチにおいて、図１（ａ）に示
されるように、右側の電磁石７ｂに上向きの磁界を発生
させると共に左側の電磁石７ａに下向きの磁界を発生さ
せる。これらの磁界は、固定ヨーク８及び可動ヨーク６
を伝わってループを形成しようとする。しかし、右側の
電磁石７ｂによる磁界は永久磁石９による磁界と同一方
向であり、左側の電磁石７ａによる磁界は永久磁石９に
よる磁界と反対方向である。左側の電磁石７ａによる磁
界と永久磁石９による磁界とは打ち消し合い、右側の電
磁石７ｂを含む閉ループ磁気回路のみが形成される。こ
れにより、可動ブロック４が右側に引き寄せられ、移動
範囲の右端まで移動する。

【００２８】逆に、図１（ｂ）に示されるように、右側
の電磁石７ｂに下向きの磁界を発生させると共に左側の
電磁石７ａに上向きの磁界を発生させると、右側の電磁
石７ｂによる磁界と永久磁石９による磁界とが打ち消し
合い、左側の電磁石７ａを含む閉ループ磁気回路のみが
形成されるため、可動ブロック４が移動範囲の左端まで
移動する。

【００２９】以上のようにして可動ブロック４が移動す
ることにより、移動側光ファイバ５の端末が移動するの
で、電磁石７ａ，７ｂの電流を制御することで光伝送路
を切り換えることができる。

【００３０】また、両方の電磁石７ａ，７ｂの電流を遮
断すると、永久磁石９による磁界だけが存在することに
なる。図１（ａ）の状態で電流を遮断したときには、永
久磁石９により右側の閉ループ磁気回路が形成され、図
１（ｂ）の状態で電流を遮断したときには、永久磁石９
により左側の閉ループ磁気回路が形成される。いずれの
場合も、可動ブロック４は電流を遮断したときの位置に
保持されることになる。従って、光伝送路を切り換える
ときだけ電力が必要となり、光伝送路を維持するときは
電力は不要となる。

【００３１】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００３２】図２に磁気回路部分を省略した光スイッチ
を示す。この光スイッチでは、梁２は、ストレートピン
で構成されている。スイッチ基盤１は、固定側光ファイ
バを固定した前端部１ａと、光導波路モジュール１２を
収容した間隔整合部１ｂと、可動ブロック４を収容した
切り換え部１ｃと、移動側光ファイバ５を固定した後端
部１ｄとを一体的に構成したものである。

【００３３】スイッチ基盤１は、石英の切削加工、或い
は石英のプレス加工により形成される。後端部１ｄに
は、梁２を嵌め込むためのＶ溝が形成されている。この
光スイッチは、予め梁２をＶ溝に接着固定すると共に、
移動側光ファイバ５の端末を可動ブロック４に取り付け
ておき、この可動ブロック４を梁２に装着し、それから
移動側光ファイバ５を後端部１ｄに固定したものであ
る。その固定位置は、可動ブロック４から数ｍｍの位置
である。なお、後端部１ｄには固定位置の前方に移動側
光ファイバの移動用空間を確保する溝が形成されてい
る。

【００３４】光導波路モジュール１２は、２本の光導波
路を有し、これらの光導波路が一端では固定側光ファイ
バ１３の端末の間隔で並び他端では可動ブロック４の移
動範囲に等しい間隔で並ぶように光導波路間隔を変化さ
せたものである。即ち、この光導波路モジュール１２は
コアピッチ変換の機能を有し、例えば、固定側光ファイ
バ１３の端末の間隔が２５０μｍであったときに、可動
ブロック４側の光導波路間隔を狭めて数十μｍとするこ
とができる。これにより、可動ブロック４の移動範囲は
数十μｍあればよいことになる。

【００３５】図３に示される光スイッチでは、梁１３が
スイッチ基盤１と一体的に構成されている。このように
梁１３は形状により機能を異ならせることができる。こ
こでは、梁１３は可動ブロック４の移動範囲を両側から
規制するものである。

【００３６】図４に示される光スイッチは、予め固定側
光ファイバ１３を光導波路に調心して固定した光導波路
モジュール１２と、移動側光ファイバ５の端末及び可動
ヨーク６を取り付けた可動ブロック４と、可動ブロック
４の移動範囲の両端外方に設けた電磁石７ａ，７ｂと、
電磁石７ａ，７ｂを貫通して一端を可動ヨーク６に臨ま
せた左部ヨーク８ａ及び右部ヨーク８ｂと、左部ヨーク
８ａ及び右部ヨーク８ｂの他端同士を連絡してなる固定
ヨーク８と、固定ヨーク８の中間部分に設けた永久磁石
９と、この永久磁石９に接して可動ヨーク４の上部を覆
う上部ヨーク１４とを備える。この光スイッチでは、左
部ヨーク８ａ及び右部ヨーク８ｂの一端がスイッチ基盤
１の溝端に揃えてあり、左部ヨーク８ａ及び右部ヨーク
８ｂの他端は、移動側光ファイバ５の軸方向に折り曲げ
られさらに左右方向に折り曲げられて互いに連絡されて
いる。左右ヨークを連絡してなる固定ヨーク８の上面に
可動ヨーク６の上部まで伸びた上部ヨーク１４が設けら
れ、この上部ヨーク１４の上面に永久磁石９が取り付け
られている。即ち、固定ヨーク８が立ち上げられていな
いので、光スイッチの高さが図１のものより低くなって
いる。また、各ヨーク６，８，１４は、厚みが０．５ｍ
ｍ未満の強磁性体の箔で構成されている。

【００３７】可動ブロック４は、梁２により支持されて
おり、スイッチ基盤１には接触していない。また、可動
ヨーク６は、左部ヨーク８ａ、右部ヨーク８ｂ及び上部
ヨーク１４のいずれとも僅かな間隙を保ち接触しない。

【００３８】光伝送路を切り換えるには左右いずれかの
電磁石７ａ，７ｂのソレノイドに電流を流し、可動ブロ
ック４を移動させる。光導波路モジュール１２をスイッ
チ基盤１に取り付ける際には、このようにして移動側光
ファイバ５を片方に寄せておいた状態で、光導波路のコ
アを移動側光ファイバ５に調心する。即ち、光導波路の
コアと移動側光ファイバ５とに各々斜め研磨及び低反射
処理を施した後、コアと光ファイバとの接続損失が最も
小さくなる位置で調心する。それから、光導波路モジュ
ール１２をスイッチ基盤１に固定する。なお、光導波路
モジュール１２には梁を挿入する孔を設けないので、光
導波路モジュールの構造を単純化することができる。

【００３９】本発明の光スイッチでは、これまでに述べ
た光スイッチを多段に積み重ねることができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。

【００４１】（１）可動ブロックに取り付けた可動ヨー
クを含む閉ループ磁気回路を形成することにより、可動
ブロックを移動させるので、消費電力を少なくすること
ができる。

【００４２】（２）シリコン基盤の溝を異方性エッチン
グにより形成したので、高精度に光ファイバと孔とが配
置できる。これにより光ファイバの突き合わせが正確に
なり、製造される不良品が減る。即ち、歩留まりが向上
する。また、光ファイバの突き合わせが正確であるた
め、光スイッチにおける光損失が少なくなる。即ち、低
損失な光スイッチを提供することができる。

【００４３】（３）可動ブロックに端末が保持された光
ファイバを可動ブロックより所定距離隔ててスイッチ基
盤に固定したので、光ファイバの曲げを小さくすること
ができる。これにより低損失な光スイッチを提供するこ
とができる。

【００４４】（４）スイッチ基盤を石英の切削加工によ
り形成した場合、高精度に光ファイバと梁とが配置でき
る。これにより低損失な光スイッチを提供することがで
きる。

【００４５】（５）スイッチ基盤を石英のプレス加工に
より形成した場合、光スイッチの部品点数が少なくな
る。これにより低価格な光スイッチを提供することがで
きる。

【００４６】（６）光導波路モジュールによりコアピッ
チ変換するので、可動ブロックの移動範囲を固定側光フ
ァイバの端末の間隔より狭めることができる。従って、
光ファイバの曲げを小さくすることができると共に消費
電力を少なくすることができる。

【００４７】（７）梁を金属製の円柱状のストレートピ
ンで構成する場合、この梁には汎用品を用いることがで
きる。これにより低価格な光スイッチを提供することが
できる。

【００４８】（８）梁をスイッチ基盤と一体的に石英で
構成した場合、光スイッチの部品点数が少なくなる。こ
れにより低価格な光スイッチを提供することができる。

【００４９】（９）電磁石を制御することで光伝送路を
切り換え、永久磁石だけで光伝送路を維持するようにし
たので、消費電力を少なくすることができる。

【００５０】（１０）可動ヨークが閉ループ磁気回路を
構成する他の部材と接触しないので、摩擦抵抗がなくな
る。従って、消費電力を少なくすることができる。

【００５１】（１１）可動ヨーク及び固定ヨークを強磁
性体の箔で構成する場合、小型になり、また、固定ヨー
クの曲げ加工も容易になる。従って、低価格な光スイッ
チを提供することができる。

【００５２】（１２）光スイッチを複数集積する場合、
個々の光スイッチが小型、低価格であるため、集積型の
光スイッチも小型、低価格となる。また、このように光
スイッチを集積すると、光ファイバを多芯化することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示す光スイッチの部分断
面図である。

【図２】本発明の他の実施形態を示す光スイッチの部分
斜視図である。

【図３】本発明の他の実施形態を示す光スイッチの部分
斜視図である。

【図４】本発明の他の実施形態を示す光スイッチの斜視
図である。

【図５】従来の光スイッチの平面図である。

【符号の説明】

１スイッチ基盤２梁３孔４可動ブロック５移動側光ファイバ６可動ヨーク７ａ，７ｂ電磁石８固定ヨーク９永久磁石１２光導波路モジュール１３固定側光ファイバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上塚尚登茨城県日立市日高町５丁目１番１号日立電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者寺岡達夫茨城県日立市日高町５丁目１番１号日立電線株式会社オプトロシステム研究所内Ｆターム(参考） 2H036 KA03 LA03 LA07 2H037 AA01 BA31 DA04 DA12 DA16 2H041 AA14 AB19 AC05 AZ03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１本の光ファイバの端末を移動させて複
数本の光ファイバの端末のいずれかに突き合わせ接続す
ることにより光伝送路を切り換える光スイッチにおい
て、前記複数本の光ファイバの端末を所定間隔で並べて
スイッチ基盤に固定し、このスイッチ基盤より前記複数
本の光ファイバの端末の延長方向と平行に伸びた複数の
梁を設け、前記スイッチ基盤とは別体のブロックに前記
梁が前記複数本の光ファイバの端末の並び方向にのみ余
裕をもって挿入される複数の孔を形成し、これらの孔に
前記梁を挿入することにより、前記ブロックを前記スイ
ッチ基盤には接触させず、かつ前記複数本の光ファイバ
の端末の並び方向にのみ所定範囲だけ移動可能に支持
し、この可動ブロックに前記複数本の光ファイバの端末
に対向する前記１本の光ファイバの端末を保持させ、こ
の可動ブロックに前記複数本の光ファイバの端末の並び
方向に幅を有する可動ヨークを取り付け、前記可動ブロ
ックの移動範囲の両端にそれぞれ電磁石を設け、各電磁
石の一極をそれぞれ前記可動ヨークに臨ませ、各電磁石
の他極同士を固定ヨークで連絡し、この固定ヨークの中
間に一極を前記可動ヨークに向けた永久磁石を設け、前
記いずれかの電磁石、前記固定ヨーク及び前記可動ヨー
クを含む閉ループ磁気回路を形成することにより、前記
可動ブロックを移動させることを特徴とする光スイッ
チ。
【請求項２】前記可動ブロックを、前記１本の光ファ
イバの端末を固定するためのガイド溝及び前記孔を形成
するための溝を異方性エッチングにより形成した２つの
シリコン基盤を閉じ合わせることにより形成したことを
特徴とする請求項１記載の光スイッチ。
【請求項３】前記可動ブロックに端末が保持された光
ファイバを前記可動ブロックより所定距離隔てて前記ス
イッチ基盤に固定したことを特徴とする請求項１又は２
記載の光スイッチ。
【請求項４】前記スイッチ基盤を石英の切削加工によ
り形成したことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載
の光スイッチ。
【請求項５】前記スイッチ基盤を石英のプレス加工に
より形成したことを特徴とする請求項１〜３いずれか記
載の光スイッチ。
【請求項６】前記スイッチ基盤の光ファイバ端末と前
記可動ブロックの光ファイバ端末との間に、複数の光導
波路が一端では前記複数本の光ファイバの端末の間隔で
並び他端では前記可動ブロックの移動範囲に等しい間隔
で並ぶように光導波路間隔を変化させた光導波路モジュ
ールを設けたことを特徴とする請求項１〜５いずれか記
載の光スイッチ。
【請求項７】前記梁を金属製の円柱状のストレートピ
ンで構成したことを特徴とする請求項１〜６いずれか記
載の光スイッチ。
【請求項８】前記梁を前記スイッチ基盤と一体的に石
英で構成したことを特徴とする請求項１〜６いずれか記
載の光スイッチ。
【請求項９】一方の電磁石に前記永久磁石による磁界
と同一方向の磁界を発生させると共に他方の電磁石に前
記永久磁石による磁界と反対方向の磁界を発生させるこ
とにより、一方の電磁石を含む閉ループ磁気回路を形成
させ、前記両電磁石に発生させる磁界の方向を反転させ
ることにより、他方の電磁石を含む閉ループ磁気回路を
形成させ、前記両電磁石の磁界を解消することにより、
前記永久磁石を含む閉ループ磁気回路を形成させること
を特徴とする請求項１〜８いずれか記載の光スイッチ。
【請求項１０】前記閉ループ磁気回路が前記可動ヨー
クに対して間隙を有し、この間隙が前記可動ブロックの
移動位置によらず維持されることを特徴とする請求項１
〜９いずれか記載の光スイッチ。
【請求項１１】前記可動ヨーク及び前記固定ヨークを
強磁性体の箔で構成したことを特徴とする請求項１〜１
０いずれか記載の光スイッチ。
【請求項１２】前記光スイッチを複数集積したことを
特徴とする請求項１〜１１いずれか記載の光スイッチ。