JP2000357672A - ダイシングのこ刃集成体 - Google Patents

ダイシングのこ刃集成体

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JP2000357672A
JP2000357672A JP2000156672A JP2000156672A JP2000357672A JP 2000357672 A JP2000357672 A JP 2000357672A JP 2000156672 A JP2000156672 A JP 2000156672A JP 2000156672 A JP2000156672 A JP 2000156672A JP 2000357672 A JP2000357672 A JP 2000357672A
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JP2000156672A
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B Blair David
ビー、ブレアー デビッド
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Texas Instr Inc <Ti>
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/029Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a plurality of cutting blades

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ・アレイを取付けた基板を精密にダイ
シングする。 【解決手段】 スペーサによって隔てられていて、自動
化ダイシングのこの1本のスピンドルに取付けられた平
行な刃を持つダイシングのこ刃集成体が、重合体基板の
上に作られたCSP又はMCMデバイスを精密に分離す
ることに用いることが出来る。基板のスクライブ・スト
リートに2つの平行な切込みを同時に入れて、フリップ
チップ・デバイスを分離する。基板が下側からダイシン
グされ、こうして比較的厚手のチップ並びに熱拡散装置
を取付けたチップを持つデバイスを分離する為に薄い刃
を使うことが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は全体的に半導体デ
バイスのダイシング、更に具体的に言えば、無支持の基
板上のデバイスを分離するのこ刃集成体に関する。
【0002】
【従来の技術及び課題】半導体産業では、処理済みのウ
エーハを個別のチップに分離することは、けがき及び割
り又はレーザ・ダイシングのような技術から、回転する
円形の刃を持つダイシングのこを用いた自動化過程に発
展してきた。この方法と装置は、切込みの深さと幅を選
ぶのに、自動化、精度、きれいさ及び融通性が得られ、
業界全体で採用されている技術になった。典型的には、
半導体ウエーハが平坦で頑丈な真空チャックの上に支持
され、硬い研磨材粒子を埋め込んだ高速回転する刃をプ
ログラムして、最初に“x”方向にチップの間にストリ
ートをのこ引きし、その後、基板を90°回転させて、
交軸方向にのこ引きする。デバイスの複雑さが高まるに
つれて、高価で異質の材料を組合わせる場合が多く、デ
バイスには多数の層が作られ、それが正確にダイシング
することの困難さを強めている。のこ刃の研磨材は、刃
を形成するための一層軟質の材料のマトリクスに埋め込
んだダイヤモンド粒子であることが最も多い。ダイシン
グの刃の露出部分は、0.0005乃至0.002吋の
厚さというように薄く、これによって、この過程の間に
削摩されるコストの高い半導体基板の量を最小限にしな
がら、ダイシングされる物体上に定められる滑らかな縁
を有する精密な寸法に切断することが出来る。刃の露出
区域は、物体を完全にのこ引きする位に大きいが、破損
を最小限に抑える為に、出来るだけ小さく抑える。
【0003】典型的なダイシング又はのこ引き装置で
は、脆い刃101が、図1aに示すように、刃101を
支持する1対のフランジ103と共にスピンドル104
に取付けられる。フランジとダイシングしようとする材
料110との間には隙間105をとらなければならな
い。刃が侵食されるにつれて、この隙間が変化するが、
ダイシングされる物体と接触するのを避けるようにそれ
を制御しなければならないが、脆い刃の破損を避ける為
に、出来るだけ小さく抑えなければならない。刃集成体
の断面図が図1bに示されている。ダイシングしようと
する材料110が、典型的には、半導体ウエーハである
が、支持リング(図に示していない)に固定された、大
抵はuv離型接着剤を持つプラスチック片の支持フィル
ムの上に位置ぎめされる。支持テープ上のウエーハが、
工作面、典型的には真空チャック120の上にしっかり
と保持される。流水を使って刃及び標的材料を冷却する
と共に、のこ引き過程の間に侵食した粒子状物質を取去
る。半導体供給業者としては、同じダイシング装置を、
ウエーハ上の集積回路チップを分離する為だけではな
く、ごく最近には、1つの回路基板上に作られた複数個
のデバイスを1つ1つに分ける為にも使うことが望まし
い。基板が、パッケージ・レベル印刷配線回路のような
次の相互接続レベルになる。集積回路パッケージに対す
る回路基板は、カプトン又はユピレックスのような無充
填可撓性重合体材料、FR−4、FR−5又は繊維或い
は粒子状充填材を持つその他の重合体のような充填重合
体材料又は頑丈なセラミック状材料で作られる。相互接
続トレースは、典型的には保護被覆を持つ銅である。基
板の厚さは0.003吋から0.030吋まで大幅に変
化する。
【0004】更に回路基板に個別の又は多数のチップを
取付けて、図2aのチップ規模パッケージ(CSP)、
同じような設計の一層大形のボール・グリッド・アレイ
・パッケージ(BGA)又は図2bに示す多重チップ・
モジュール(MCM)のような集積回路パッケージの何
れを形成することが出来る。CSPデバイスは一般的に
パッケージ面積がチップ自体の1.5倍以下であること
が特徴である。図2aに示す形式は、チップ210が複
数個の小さなはんだボール211によって印刷配線基板
202に電気接続されて構成されている。基板を通る導
電バイア(図に示していない)が、パッドのアレイに対
する接触を行わせ、各々のパッドは次の相互接続レベ
ル、典型的には印刷配線板に対する電気接触をする為の
一層大きなはんだボール221を持っている。同様に、
図2bの多重チップ・モジュールが、複数個のチップ2
40を印刷配線板基板242に接続することによって構
成される。基板上の導電トレース(図に示していない)
によって、チップの間の接続が出来ると共に、それがは
んだボール241のような次の相互接続レベルに対する
接触をする手段となる。複数個のこういうデバイスを1
つの単位として組立てる製造上及びコスト上の利点は色
々ある。装置、場所、手間、時間及び材料は、1個ずつ
ではなく、何個かを組立てることにより、更に経済的に
且つ効果的に利用することが出来る。しかし、基板を、
厚さが0.010乃至0.050吋の範囲に互るチップ
を持つ個別のデバイスに正確に分離することは、多数の
問題を伴う。真空チャックとダイシングしようとする物
体の間の距離が一層大きくなるにつれて、高速回転する
刃の振動が強くなり、それが高価な回路及び高価な刃の
両方に損傷を与えるリスクを高める。ダイシングしよう
とする材料の弾性係数の変動は、振動による損傷に寄与
するだけでなく、のこ刃が研磨作用がない樹脂状の材料
で汚染され、それによって刃の効率が妨げられるという
ことにも影響する。無支持の構造は、完全に且つきれい
にのこ引きする代りに、ちぎれたり破損する傾向がある
ので、ダイシング作業にとって特に重要な問題である。
CSP又はBGAパッケージの集積回路又は多重チップ
・モジュールのようなデバイスに対する重合体基板をの
こ引きすることは、デバイスの厚さは増加している一
方、基板の縁の寸法精度及び滑らかさが変わらないまま
である為、かなりの難問を提供する。試験ソケットとの
確実な電気接触を保証する為には、デバイスはパッケー
ジ寸法及び一様性の非常に精密な制御を必要とする。基
板の縁の明確さが不良であると、組立てのこの最終段階
で試験歩留まりの失敗を招くことがあり、その結果、非
常にコスト高の損失になる。ダイシングの精度が得られ
るようにする為には、のこ刃は薄くなければならない
し、その為、それらは幾分脆い。現存の自動化ダイシン
グ装置を使って、チップのアレイを取付けた基板を精密
にダイシングするための解決策の必要がある。
【0005】
【課題を解決する為の手段及び作用】この発明の主な目
的は、基板上にアレイとして配置された複数個の集積回
路パッケージを精密に分離するのこ刃集成体を提供する
ことである。平行な刃がスペーサによって隔てられてい
て自動化ダイシング装置の1本のスピンドル上に支持さ
れているような2枚のこ刃集成体が、現存の装置を経済
的に利用して、デバイスを組込んだ基板を非常に精密な
場所でダイシングする手段になる。2枚のこ刃集成体
は、市場で入手し得る細い刃を使うことが出来、刃の間
の隔たりは、単に刃の間に挿入される低廉な1つ又は複
数のスペーサを選ぶことによって、調節される。各々の
刃の外面の上にフランジが位置ぎめされて、1枚刃集成
体と同様に、集成体を支持する。刃の露出を最小限に抑
える為に、そして刃の表面に取付けた熱拡散装置を持つ
デバイスを含めて、刃の露出部よりも背がずっと高いデ
バイスを1つ1つに分けることが出来るようにする為
に、基板は背側からダイシングする。重合体基板の上に
作られたチップ規模パッケージ(CSP)又は多重チッ
プ・モジュール(MCM)のような集積回路デバイス
は、試験ソケット内の接点と正確に併せる為に、正確な
寸法ぎめ及び精密な縁の決め出しを必要とする。フリッ
プチップ接続部を持つこのようなデバイスは、デバイス
の下からしみ出す不均一な重合体材料によって取囲まれ
ている。この下埋め材料は、スクライブ・ストリートを
十分に幅広く取って、デバイスを境に接したり又は密な
間隔で隔てるのではなく、その流出のスペースをとるこ
とを必要とする。この発明ののこ刃集成体は、同時に2
つの切れ目を入れて、幅の広いストリートを取除く手段
となり、こうして1枚刃集成体で2つの切れ目を入れる
ことによって無支持の構造をダイシングするときにみら
れる問題を避ける。更に、2枚刃集成体は、1枚刃で2
回のパスをするのとは対照的に、1回の切込みによっ
て、必要とするプロセス時間を短縮する。更にのこ刃集
成体は、スクライブ・ストリート内にある不所望の構造
に等しいか又はそれより大きな幅を持つスペーサを選
び、刃とスペーサの合計の幅がスクライブ・ストリート
の幅の範囲内であるようにすることにより、この不所望
の構造を取除くことが出来る。刃をストリートと整合さ
せ、1回の切込みをし、デバイスを破片によって汚染す
ることなく、不所望の構造を取除くことが出来る。
【0006】
【実施例】図3は、図2aに示すような複数個のフリッ
プチップ結合のチップ規模デバイス(CSP)301を
持つ回路基板302を示している。デバイスが、基板の
第1の面312上に定められたパターンで配列され、デ
バイスの間にスクライブ・ストリート317がある。チ
ップ規模パッケージは、一般的に、パッケージ面積がチ
ップの1.5倍以下であると定められている。チップ3
01が、はんだ盛上げのようなフリップチップ接点31
1により、基板302の第1の面312上の印刷配線パ
ターン(図に示していない)に電気接続される。業界で
は、「下埋め」の名前で知られている重合体材料314
が、液体状態である間に強制的にチップの下に流され
る。硬化の後、下埋め重合体が、チップと基板の間の熱
的な不釣合いから生ずる、フリップチップ接点盛上げに
対する応力を吸収することが示されている。図3aで、
下埋め材料314がチップ面積の外側に伸び出して、不
規則な形のひも(fillet)を形成すること、そして流出
の範囲がチップ毎に変わることが認められよう。下埋め
材料の流出の結果として、チップは境を接し得ず、その
代りに、基板上で比較的広いストリートを置いて隔たっ
ている。パターン決めしていない基板は比較的低廉であ
るから、このように隔てることは大した問題にはならな
い。図3bに示すように、回路基板の第2の面322
が、各々のCSPに対して、基板の面から突出するはん
だボール321のアレイを保持している。これらのはん
だボールが、デバイスと外部回路板の間の電気接点にな
る。はんだボールを使って、デバイスの電気的な検証の
為の試験接点に対する圧力接触を行わせる。図4aは、
シリコン・ウエーハをダイシングする為に用いられる普
通の方法で、即ち、上面から回路基板402をダイシン
グすることに伴う幾つかの問題を例示している。基板の
下側又は第2の面422上にはんだ盛上げ411を持つ
基板では、はんだボール411の丸くなった表面は、支
持テープ441との接触面積が乏しく、基板402より
上方のシリコン・チップ410の高さは、刃401の大
きな露出部を必要とする。薄い刃の露出部が大きいこと
と、接触不良から生ずる振動とが併さって、刃が破損す
るリスクが大きくなり、その為これは受容れ難い形式で
ある。この代りに、幅の広い刃を使えば、振動に対して
幾分の埋合せが出来るが、縁の決め出しが不満足にな
り、削摩された基板からの破片の量が多くなって、デバ
イスを汚染する。
【0007】図4bはダイシングしようとする集成体を
反転し、こうして、チップ410を支持テープ441に
取付け、基板405をチップとは反対側の面からダイシ
ングする問題を示している。チップの背側又はパターン
決めされていない面は、十分な表面積及び滑らかさを持
っていて、構造の受容れることの出来るような接着力を
持たせることが出来、回路基板だけの高さでは、図4a
の場合のように、刃の露出部を大きくすることを必要と
しない。しかし、下埋め材料414の流れ出すことの為
に必要になる幅の広いストリートは、CSPデバイスの
小さい寸法に合わせる為には、のこによる切込みを1回
よりも多く行うことを必要とする。図4bから、基板
が、位置415aでデバイス410aにごく接近してダ
イシングされて、位置415bの2回目の切込みに対す
る場所を無支持のままに残すことが認められよう。無支
持の回路基板は曲がって、刃が2回目の切込みを入れよ
うとするときに、ちぎれ又は破損し、2回目の切込みに
よって、切込みが不完全で、不規則な形のデバイスにな
る。縁が明確に限定されず、寸法が一貫しないこのよう
なデバイスは、試験ソケットと正しく接触することが出
来ず、その結果、半導体デバイスを製造する途中の非常
にコストのかかる点で、歩留まりの低下を招く。この発
明のダイシングのこ刃集成体が図5に示されている。ス
ペーサ505によって隔てられた2つののこ刃501
が、1本のスピンドル504上に位置ぎめされている。
スペーサ505及び2枚の刃501が1対のフランジ5
03によって支持されており、この集成体が、1枚刃集
成体ののこ製造業者から提供されるねじ付きナット又は
その他の手段により、スピンドル504に固定される。
回路基板502には、チップ510a及び510bにご
く接近している位置515a及び515bで、同時に切
込みが入れられる。基板502は、支持テープ521に
uv離型接着剤によって取付けられたチップ510のパ
ターンぎめされていない面を持つ第2の面522からダ
イシングする為に反転している。支持テープ521は、
リング支持体と共に、普通のダイシング過程で行われて
いるように、真空チャック520の上にしっかりと保持
されている。
【0008】好ましい実施例では、市場で入手し得る2
つのダイヤモンドのこ刃は、厚さが0.001乃至0.
002吋の範囲であると共に、刃の露出部が0.030
乃至0.075吋の範囲であって、これによって、0.
015乃至0.040吋の範囲内の厚さを持つチップを
有する、0.005乃至0.010吋の範囲内の厚さを
持つ回路基板の正確なダイシングが出来る。スペーサは
アルミニウムのような金属円板である。スペーサの厚さ
は、最終的なデバイスの基板並びにダイシングしていな
い基板の上にあるストリートの幅によって決定される。
例を挙げれば、約0.050吋のストリートの幅及びチ
ップの縁からの基板の伸出しが約0.005吋の場合、
スペーサの厚さは0.030乃至0.040吋の範囲で
ある。刃、スペーサ及びフランジを組立てたものを、ダ
イシング装置の売り主から供給される機構を使って、又
はねじ付きナットによって、スピンドルに固定する。2
枚刃が基板の面242上のストリートの範囲内で整合し
ている。刃が、パッケージの寸法によって予め決定され
た、そしてチップの区域を超える場所で、基板と接触す
る。速度、切込み深さ及び水の流量というダイシングの
このパラメータは、自動化のこにプログラムされる。1
枚ののこ刃の2回の切込みを用いて、図4bに示すよう
な1枚の刃を使って達成される基板の縁を図6aに示
し、図6bに示した、2枚刃集成体の同時切込みによる
基板の縁と比較してある。1枚刃で2回の切込みでダイ
シングすることによって得られた基板602aは、隅6
15aが寸法が足りず、縁がほつれ、基板充填材からの
多数の繊維状の突起616aを持つことが判る。図6b
では、基板602bがこの発明の2枚刃の形式を用いて
ダイシングされており、単一の残存繊維(single resid
ual fiber)のみでの明確な隅及び縁を有する。この2
つの場合に於て、チップ610a及び610bと、下埋
め材料614a及び614bは同様である。
【0009】図6aに示すように縁の明確さが良くない
基板は、試験ソケットにしっかりと坐着せず、不正確な
値になることがあり、それによってデバイスの歩留まり
の低下を招く。平行な切込みを同時に行うことにより、
その内のある場合は無支持になるような何回もの切込み
を必要とする、基板を正確に分離するという問題が解決
される。スペーサの厚さと併せて刃の幅により、取除く
べきストリートの幅が制御され、この幅は、スペーサを
変えるか、又は別のスペーサを追加することによって、
容易に調節される。2枚刃形式の利点は、無支持の構造
のダイシングが出来、必要とする切込みの回数が最小限
となり、こうしてプロセス時間が短くなり、一様で滑ら
かな断面を持つデバイスの非常に精密な寸法制御が出来
ることである。更にこれによって、過剰の基板材料を粉
砕するのではなく、切断して取除くことにより、ストリ
ート内にある材料がきれいに除かれる。基板の粉砕又は
削摩は、デバイスの上に沈積して、電気的な接触不良の
原因になり得る汚染物の過剰な量を招くことがある。2
枚刃のこ集成体及び方法の別の使い方は、重合体基板に
対するフリップチップ接点を持つ多重チップ・モジュー
ル(図2b)を分離することである。チップに接近して
モジュール基板を1つ1つに分けることが出来ること
は、モジュール面積を最小限に抑えることの助けとな
る。回路を持たないか又は簡単な整合構造を持つ幅の広
いストリートは、モジュール基板面積を増加することに
対する魅力的な代案である。更に、従来ののこ引き過程
では、チップの高さが、図4aに示すように、フランジ
の隙間の妨げとなることがあるが、基板を反転したプロ
セスは、チップの高さによって制約を受けない。多重チ
ップ・モジュールは、前にCSPデバイスについて述べ
たのと同じ試験にかけるときの精度が求められ、従っ
て、厳密な寸法の許容公差を必要とする。この発明の別
の使い方は、図7a及び7bに示すように、熱拡散装置
をチップに取付けた単一チップ及び多重チップ・デバイ
スの何れに対する基板をダイシングすることである。C
SP又は多重基板チップ・パッケージでは、CSP又は
MCMデバイスに対する基板の表面積が小さく、熱伝導
度が不良又は限界的であることがあるので、集積回路に
よって発生された熱をチップを通して周囲へ輸送する目
的の為に、熱拡散装置がチップに取付けられる場合が多
い。熱拡散装置、典型的には熱伝導性を持つ金属が、熱
グリース731を使って、チップ710のパターンぎめ
されていない面に取付けられる。CSPの定められた範
囲内で、即ち、チップの面積の1.5倍以下の範囲内
で、熱拡散装置を出来るだけ大きく作ることが望まし
い。熱拡散装置730の余分の高さがダイシングの妨げ
になるが、バッチ形式で組立てる利点は、相当のもので
あり、前に述べたものと同じく、装置、手間及び場所の
利用がよい。更に、熱拡散装置を取付けてあるCSP又
はMCMデバイスを試験したときの電気試験の際に歩留
まりの利点が認められる。図7bに示す場合、熱拡散装
置730の上面が支持テープ721と接触し、2枚刃の
こ701を使って、回路基板701をダイシングし、ス
ペーサ705が刃を隔てている。このようにして、個別
のデバイスの基板面積を熱拡散装置の面積と等しく、且
つ図示のようにチップ面積より大きな寸法にすることが
出来る。
【0010】更に別の実施例では、2枚刃ダイシングの
こは、最終的なデバイスに不所望の構造を含むスクライ
ブ・ストリートの過剰部分を取除くことが出来るように
する。図8aに示すように、あるデバイス801が、整
合構造又はインプロセス試験構造803をスクライブ・
ストリート内にパターンぎめした基板802に組込まれ
る。こういう構造は、典型的には、パターンぎめした金
属であるが、最終的なボードの組立てでは、電気的な短
絡のリスクをもたらすことがあることがあり得る為に、
完成品では不必要であると共に不所望であることがあ
る。図8cに示すように、2枚のこ刃集成体810を使
ってのこ引きすることにより、不所望の構造を持つスク
ライブ・ストリートをのこの1回のパスで分離すること
が出来る。2枚のこ刃811が、スペーサ812によっ
て隔てられており、スペーサの幅は、取除こうとするス
トリート幅に略等しい。ダイシングしようとする基板を
支持テープ821の上に位置ぎめし、のこ刃をデバイス
801の縁に位置ぎめして、1回のパスで、ストリート
及び不所望の構造803を取除くことが出来るようにす
る。図8b及び8cの位置803aは、ストリート材料
が切断され、その後除かれた区域を表す。図8bは、2
枚刃のこによってダイシングされ、ストリート材料が取
除かれた後のデバイス801のアレイの平面図を示す。
1枚刃形式を用いてこのアレイのダイシングが行われた
とすると、2回目の切込みでは支持が不良であり、明確
に限定されないデバイスが生ずる惧れが起こる。他方、
幅の広い刃を使うと、導電構造を含むストリート内の材
料が粉末になり、回路を汚染する惧れがある。この2枚
のこ刃方法及び刃集成体を上面からダイシングする場合
について説明したが、反転した基板のダイシングにも同
じく適用し得る。この発明の好ましい実施例及びある別
の使い方を以上説明したが、特許請求の範囲に述べられ
ているこの発明の範囲を逸脱せずに、ここに説明した具
体的な細部に種々の変更を加えることが出来ることを承
知されたい。
【0011】以上の説明に関し、更に以下の項目を開示
する。 (1) 1回のパスで精密な多数の平行な切れ目を入れ
ることが出来るようにするダイシングのこ刃集成体であ
って、1本のスピンドル上のスペーサによって隔てられ
た2つ又は更に多くの平行なのこ刃を含むダイシングの
こ刃集成体。 (2) 第1項に記載のダイシングのこ刃集成体に於
て、前記刃の夫々の側に1対のフランジを含むダイシン
グのこ刃集成体。 (3) 第1項に記載のダイシングのこ刃集成体に於
て、1回のパスで予じめ選ばれた隔たりの幅で平行な切
れ目を入れることが出来るように、スペーサの厚さが調
節自在であるダイシングのこ刃集成体。 (4) 第1項に記載のダイシングのこ刃集成体に於
て、前記スペーサが金属円板を含むダイシングのこ刃集
成体。 (5) 第1項に記載のダイシングのこ刃集成体に於
て、スクライブ・ストリート内にあるそのままの不所望
の構造を取除くことが出来るようにする為に、集成体が
1対の刃及びスペーサを含み、スペーサの幅は不所望の
構造の幅に等しいか又はそれを超え、スペーサと刃の合
計の幅がスクライブ・ストリートの幅以内であるダイシ
ングのこ刃集成体。 (6) 基板とのこチャックの間にアレイとして配置さ
れた複数個のデバイスを持つ無支持の基板をダイシング
することが出来るダイシングのこ刃集成体であって、1
本の回転スピンドル上に支持されたスペーサによって隔
てられた2つの平行なのこ刃を含むダイシングのこ刃集
成体。 (7) 1回のパスで精密な多数の平行な切れ目を入れ
ることが出来るダイシングのこ刃集成体であって、1本
のスピンドル上にある金属スペーサによって隔てられた
2つ又は更に多くの平行なのこ刃と、前記刃の夫々の側
にある1対のフランジとを含み、前記スペーサの厚さが
調節自在であるダイシングのこ刃集成体。
【0012】(8) 1個の基板上のフリップチップ結
合のチップ規模パッケージのアレイを分離する方法であ
って、 イ)チップのパターンぎめされていない面を支持テープ
に接着すると共に、テープ及び基板をダイシングのこの
チャック上に位置ぎめし、 ロ)スペーサによって隔てられた2つの刃を持つ2枚刃
のこ集成体を基板の背部上の精密な位置に整合させ、前
記位置がチップ寸法を超えると共に基板の寸法を定める
ようにし、 ハ)前記ダイシングのこの速度及び深さを、前記基板並
びに過剰の下埋め材料を完全に通り抜けてダイシングす
るように設定する 工程を含む方法。 (9) ダイシングの刃の露出部よりも高さが大きい、
基板上にアレイとして配置された複数個のデバイスを分
離する方法であって、 イ)前記基板から最も遠いデバイスの面を支持テープに
接着すると共に、テープ及び基板をダイシングのこのチ
ャック上で位置ぎめし、 ロ)完全に基板を切断するのに十分な露出部を持つ1枚
又は複数ののこ刃を自動化ダイシングのこに取付け、 ハ)前記刃を前記基板の背側の整合マークに整合させ、 ニ)前記のこの速度及び深さを、前記基板を完全にのこ
引きするように設定する 工程を含む方法。 (10) スクライブ・ストリート内の不所望の構造を
きれいに取除く方法であって、 イ)不所望の構造の幅に等しいか又はそれより大きなス
ペーサ、並びにその幅が、前記スペーサと組合わさって
前記スクライブ・ストリートの幅以内であるような1対
ののこ刃を選び、 ロ)前記スクライブ・ストリートを完全に切断するのに
十分な露出部を持つ平行なのこ刃及びスペーサを自動化
ダイシングのこのスピンドル上に組立て、 ハ)のこ引きしようとするデバイスを支持テープの上に
位置ぎめすると共に、テープ及び基板を自動化ダイシン
グのこのチャック上に位置ぎめし、 ニ)スクライブ・ストリート内にある不所望の構造を取
囲むように前記刃を整合させ、 ホ)前記スクライブ・ストリートを完全にのこ引きする
ように前記のこの速度及び深さを設定し、 ヘ)分離された不所望の構造を機械的に取除く 工程を含む方法。
【0013】(11) スペーサによって隔てられてい
て、自動化ダイシングのこの1本のスピンドルに取付け
られた平行な刃を持つダイシングのこ刃集成体が、重合
体基板の上に作られたCSP又はMCMデバイスを精密
に分離することに用いることが出来る。基板のスクライ
ブ・ストリートに2つの平行な切込みを同時に入れて、
フリップチップ・デバイスを分離する。基板が下側から
ダイシングされ、こうして比較的厚手のチップ並びに熱
拡散装置を取付けたチップを持つデバイスを分離する為
に薄い刃を使うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】aは回転のこ刃集成体(従来技術)を示す。b
はのこ刃集成体(従来技術)の断面図。
【図2】aはフリップチップ形チップ規模パッケージ
(CSP)(従来技術)の断面図。bはフリップチップ
相互接続部を持つ多重チップ・モジュール(従来技術)
の断面図。
【図3】aは1つの基板の上にあるフリップチップCS
Pデバイスのアレイの平面図。bは外部はんだボール接
触面からのフリップチップCSPデバイスのアレイを持
つ基板を示す。
【図4】aはCSPデバイスのアレイを持つ基板をチッ
プ面からダイシングするのに必要なのこ刃の露出部(従
来技術)を示す。bは無支持の基板のダイシング(従来
技術)を示す。
【図5】この発明の2枚のこ刃集成体の断面図。
【図6】aは1枚刃を用いて無支持の基板をダイシング
するときの基板の縁の明確さの良くないこと(現状)を
示す。bはこの発明の2枚刃集成体を用いて達成された
基板の縁の明確さを示す。
【図7】aは熱拡散装置を取付けたCSPの断面図。b
は2枚刃のこ集成体を用いて、熱拡散装置を取付けたC
SPデバイスのアレイを持つ基板をダイシングする様子
を示す。
【図8】スクライブ・ストリートに不所望の構造を持つ
デバイスのアレイ、並びにこの発明の2枚のこ刃集成体
を用いてそれを除去することを示す。
【符号の説明】
501 刃 502 基板 503 フランジ 504 スピンドル 505 スペーサ 510a,b チップ 515a,b 位置 520 真空チャック 521 支持テープ 522 第2の面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1回のパスで精密な多数の平行な切れ目
    を入れることが出来るようにするダイシングのこ刃集成
    体であって、 1本のスピンドル上のスペーサによって隔てられた2つ
    又は更に多くの平行なのこ刃を含むダイシングのこ刃集
    成体。
  2. 【請求項2】 1個の基板上のフリップチップ結合のチ
    ップ規模パッケージのアレイを分離する方法であって、 イ)チップのパターンぎめされていない面を支持テープ
    に接着すると共に、テープ及び基板をダイシングのこの
    チャック上に位置ぎめし、 ロ)スペーサによって隔てられた2つの刃を持つ2枚刃
    のこ集成体を基板の背部上の精密な位置に整合させ、前
    記位置がチップ寸法を超えると共に基板の寸法を定める
    ようにし、 ハ)前記ダイシングのこの速度及び深さを、前記基板並
    びに過剰の下埋め材料を完全に通り抜けてダイシングす
    るように設定する 工程を含む方法。
JP2000156672A 1999-05-27 2000-05-26 ダイシングのこ刃集成体 Pending JP2000357672A (ja)

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