JP2000340810A - Solar battery and manufacture thereof - Google Patents

Solar battery and manufacture thereof

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JP2000340810A
JP2000340810A JP11147639A JP14763999A JP2000340810A JP 2000340810 A JP2000340810 A JP 2000340810A JP 11147639 A JP11147639 A JP 11147639A JP 14763999 A JP14763999 A JP 14763999A JP 2000340810 A JP2000340810 A JP 2000340810A
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JP
Japan
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electrode
semiconductor layer
region
conductivity type
diffusion layer
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Pending
Application number
JP11147639A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Joge
利男 上下
Shigeru Kokuuchi
滋 穀内
Kunihiro Matsukuma
邦浩 松熊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce production cost by manufacturing a solar battery with high yield. SOLUTION: A solar battery is provided with a first conductivity first semiconductor layer, a plurality of second conductivity second semiconductor layers which contact the first semiconductor layer in a electrically floating state, and an electrode 9 electrically connected to the first semiconductor layer. The plurality of second semiconductor layers include a first region 2 and a plurality of second regions 3, which are distributed or are arranged at nearly equal intervals between the first region and the electrode. Thus, the need for high accuracy in positioning the electrode and the second semiconductor layers in eliminated, and production yield is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池セル及び
その製造方法に関する。
The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の太陽電池セルは、片面受光型が大
半であるが、両面受光型については、いくつかの型式が
開発あるいは製品化されている。その例としては、下記
のようなものがある。即ち、表受光面にn+ 拡散層、裏
面にn+ 及びp+ の拡散層を有し、それぞれに電極を付
けた3電極両面受光セル、裏面n+ 拡散層をフローティ
ングとし、表面のn+ 拡散層と裏面のp+ 拡散層に電極
を付けた2電極型両面受光セル等がある。これらのセル
は、いずれもセル裏面に、n+ 拡散層及びp+ 拡散層を
櫛目状に形成し、両者の櫛目が相互に入り組んだ精緻で
複雑なパターンを形成し、且つ、それぞれの拡散層は一
体となっている。
2. Description of the Related Art Most of conventional solar cells are of a single-sided light receiving type, but several types of a double-sided light receiving type have been developed or commercialized. Examples are as follows. That, n + diffusion layer in Table light-receiving surface, has a diffusion layer of the n + and p + on the back, 3 electrodes bifacial cells carrying thereon an electrode, respectively, the back surface n + diffusion layer and the floating of the surface n + There is a two-electrode double-sided light receiving cell in which electrodes are attached to the diffusion layer and the p + diffusion layer on the back surface. In each of these cells, an n + diffusion layer and ap + diffusion layer are formed in a comb shape on the back surface of the cell, and a fine and complicated pattern in which both the combs are intertwined is formed. Are united.

【0003】セル裏面のパターンエッチング、即ち、シ
リコン基板にリン拡散を行った後、セル裏面のn+ 拡散
層をあるパターンでを削り取るには、まず、レジスト材
を表面全体に、裏面にはパターンとして印刷する。この
下で、当該基板をフッ硝酸等の薬品によってレジスト材
の付いていない部分のn+ 拡散層を削り、然る後に、レ
ジストを薬品で落とす方法が一般的に採用されている。
In order to etch the n + diffusion layer on the back surface of the cell in a certain pattern after pattern etching of the back surface of the cell, that is, phosphorus diffusion into the silicon substrate, first, a resist material is applied on the entire front surface and the pattern is applied on the back surface. Print as Under this, a method is generally employed in which the n + diffusion layer in the portion of the substrate where the resist material is not attached is etched with a chemical such as hydrofluoric nitric acid, and then the resist is dropped with a chemical.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような両面受光
セルは、セル裏面のパターンエッチングにおいて、精密
なエッチング・パターンを作成し、且つ、当該パターン
上に、n+ 電極,p+ 電極を精密に形成する必要があ
る。これらの作業に印刷機を使用する場合、印刷機の位
置合わせ精度等に限界があり、従って、n+ 拡散層とp
+ 拡散層の形成を粗くし、太陽電池としての性能を落と
すか、または性能を保持し、歩留りを落とすかすること
になる。
In the double-sided light receiving cell as described above, a precise etching pattern is formed in the pattern etching on the back surface of the cell, and an n + electrode and a p + electrode are precisely formed on the pattern. Must be formed. When using the printing machine to these tasks, there is a limit to the positioning accuracy and the like of the printing press, therefore, n + diffusion layer and the p
+ Either the formation of the diffusion layer is roughened, and the performance as a solar cell is reduced, or the performance is maintained and the yield is reduced.

【0005】また、上記のような、太陽電池セルの裏面
形成工程時に必要なパターンエッチングにおいて、量産
性に乏しいフッ硝酸や、エッチング後のレジスト除去用
有機洗浄薬品として、通常の太陽電池セル製造工程では
使用することのない特殊で高価な薬品を使用する必要が
あった。
In the above-described pattern etching required in the step of forming the back surface of a photovoltaic cell, fluoric nitric acid, which is poor in mass productivity, or an organic cleaning chemical for removing a resist after etching, is used in a normal photovoltaic cell manufacturing process. Then, it was necessary to use a special and expensive chemical which was not used.

【0006】本発明は、上記のような問題点を考慮して
なされたものであり、高歩留まりあるいは低コストで製
造可能な太陽電池セル及びその製造方法を提供する。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a solar cell which can be manufactured at a high yield or at low cost, and a method for manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による第1の太陽
電池セルは、第1導電型の第1半導体層と、第1半導体
層に電気的に接続される電極と、電極の周囲に沿う領域
において、分散配置されるかまたは略等間隔に配置さ
れ、第1半導体層に接し、電気的にフローティング状態
に在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、を備え
る。本太陽電池セルにおいて、電気的にフローティング
状態に在る第2半導体層は太陽電池セルの発電効率を向
上する働きがある。さらに、複数の第2半導体層は、電
極の周囲に沿う領域において、分散配置されるかまたは
略等間隔に配置されるので、電極の位置が多少ずれて
も、第2半導体層の総面積を確保できる。従って、太陽
電池セルの製造歩留まりが向上する。
A first solar cell according to the present invention comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, an electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a periphery of the electrode. And a plurality of second semiconductor layers of the second conductivity type, which are dispersed or arranged at substantially equal intervals in the region, are in contact with the first semiconductor layer, and are in an electrically floating state. In the present solar cell, the second semiconductor layer in an electrically floating state has a function of improving the power generation efficiency of the solar cell. Further, since the plurality of second semiconductor layers are dispersed or arranged at substantially equal intervals in a region along the periphery of the electrode, the total area of the second semiconductor layer can be reduced even if the position of the electrode is slightly shifted. Can be secured. Therefore, the production yield of the solar cell is improved.

【0008】第2半導体層は、点状(ドット状)である
ことが好ましい。さらに、具体的な形状としては、点状
かつ矩形状、あるいは点状かつ円状などが有る。
It is preferable that the second semiconductor layer has a dot shape (dot shape). Further, specific shapes include a point and a rectangle, and a point and a circle.

【0009】また、電極は、好ましくは、第1半導体層
よりも高不純物濃度の第1導電型の半導体層を介して第
1半導体層に接続される。ここで、高不純物濃度の半導
体層の不純物が電極の金属元素とすれば、高不純物濃度
の半導体層と電極を同時に形成する製造プロセスが適用
できるので、低コスト化が可能になる。そのようなプロ
セスとしては、例えばアルミニウムを含んだ電極を印刷
して焼成するプロセスが有る。
Further, the electrode is preferably connected to the first semiconductor layer via a first conductivity type semiconductor layer having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer. Here, when the impurity of the semiconductor layer with a high impurity concentration is a metal element of the electrode, a manufacturing process for simultaneously forming the semiconductor layer with a high impurity concentration and the electrode can be applied, so that the cost can be reduced. As such a process, for example, there is a process of printing and firing an electrode containing aluminum.

【0010】また、本発明による第2の太陽電池セル
は、第1導電型の第1半導層と、第1半導層に接し、電
気的にフローティング状態に在る、複数の第2導電型の
第2半導体層と、第1半導体層に電気的に接続される電
極とを備える。かつ、第2の太陽電池セルにおいて、複
数の第2半導体層は、第1領域と、第1領域と電極との
間の領域において分散配置されるかまたは略等間隔に配
置される複数の第2領域と、を含む。本太陽電池セルに
おいては、第2半導体層の第1領域により第2半導体層
の面積をある程度確保する。さらに、複数の第2領域
が、第1領域と電極との間の領域において分散配置され
るかまたは略等間隔に配置されるので、第1領域と電極
を離し第1領域をフローティング状態にするために必要
な電極と第1領域の位置合わせのために高い精度を必要
としない。かつ、複数の第2領域により第2半導体層の
総面積を増やすことができる。従って、高効率の太陽電
池セルの製造歩留まりを向上できる。
The second solar battery cell according to the present invention comprises a first semiconductor layer of the first conductivity type and a plurality of second conductive layers in contact with the first semiconductor layer and in an electrically floating state. A second semiconductor layer of a mold type; and electrodes electrically connected to the first semiconductor layer. Further, in the second solar cell, the plurality of second semiconductor layers are dispersed in the first region and the region between the first region and the electrode, or the plurality of second semiconductor layers are disposed at substantially equal intervals. And two regions. In the present solar cell, the area of the second semiconductor layer is secured to some extent by the first region of the second semiconductor layer. Further, since the plurality of second regions are dispersed or arranged at substantially equal intervals in the region between the first region and the electrode, the first region is separated from the electrode and the first region is brought into a floating state. Therefore, high precision is not required for the alignment of the electrode and the first region necessary for the above. In addition, the total area of the second semiconductor layer can be increased by the plurality of second regions. Therefore, the production yield of highly efficient solar cells can be improved.

【0011】なお、第2半導体層の総面積を増やすため
には、第1領域の面積が第2領域の面積よりも大きいこ
とが好ましい。
In order to increase the total area of the second semiconductor layer, the area of the first region is preferably larger than the area of the second region.

【0012】本発明による第3の太陽電池セルは、第1
導電型の第1半導層と、第1半導層に接し、電気的にフ
ローティング状態に在る、複数の第2導電型の第2半導
体層と、第1半導体層に電気的に接続される電極と、を
備える。かつ、第3の太陽電池セルにおいては、複数の
第2半導体層は、第1領域と、第1領域と電極との間の
領域に配置される、第1領域よりも面積が小さな複数の
第2領域と、を含む。第1領域よりも面積が小さな複数
の第2領域が第1領域と電極の間に配置されることによ
り、第1領域をフローティング状態にするために必要な
電極と第1領域の位置合わせのために高い精度を必要と
しない。かつ、複数の第2領域により第2半導体層の総
面積を増やすことができる。従って、高効率の太陽電池
セルの製造歩留まりを向上できる。
[0012] The third solar cell according to the present invention comprises a first solar cell.
A conductive first semiconductor layer, a plurality of second conductive second semiconductor layers in contact with the first semiconductor layer and electrically floating, and electrically connected to the first semiconductor layer; Electrodes. And in the third solar cell, the plurality of second semiconductor layers are arranged in the first region and the region between the first region and the electrode, and the plurality of second semiconductor layers are smaller in area than the first region. And two regions. A plurality of second regions having an area smaller than that of the first region are arranged between the first region and the electrode, so that the electrode and the first region necessary for bringing the first region into a floating state are aligned. Does not require high precision. In addition, the total area of the second semiconductor layer can be increased by the plurality of second regions. Therefore, the production yield of highly efficient solar cells can be improved.

【0013】さらに、本発明による太陽電池セルの第1
の製造方法は、第1導電型の半導体基板に、その表面上
に分散配置される、または略等間隔に配置される第2導
電型の複数の半導体層を形成する第1の工程と、半導体
基板表面における複数の半導体層の一部を含む領域に、
アルミニウムを含む電極を印刷する第2の工程と、電極
を焼成かる第3の工程と、を含む。第1の製造方法によ
れば、分散配置されるかまたは略等間隔に配置される第
2導電型の複数の半導体層の一部を含む領域に、アルミ
ニウムを含む電極を印刷し焼成することにより、第2導
電型の半導体層をフローティング状態にするために必要
な電極と半導体層の位置合わせのために高い精度を必要
せず、かつ、第2半導体層の総面積を確保することがで
きる。従って、高効率の太陽電池セルの製造歩留まりを
向上できる。
Further, the first of the solar cells according to the present invention.
A first step of forming a plurality of semiconductor layers of the second conductivity type, which are dispersed on the surface of the semiconductor substrate of the first conductivity type or arranged at substantially equal intervals, on the semiconductor substrate of the first conductivity type; In the region including a part of the plurality of semiconductor layers on the substrate surface,
The method includes a second step of printing an electrode containing aluminum and a third step of firing the electrode. According to the first manufacturing method, an electrode containing aluminum is printed and fired in a region including a part of the plurality of semiconductor layers of the second conductivity type which are dispersed or arranged at substantially equal intervals. In addition, high accuracy is not required for the alignment between the electrode and the semiconductor layer required to bring the second conductivity type semiconductor layer into a floating state, and the total area of the second semiconductor layer can be secured. Therefore, the production yield of highly efficient solar cells can be improved.

【0014】本発明による太陽電池セルの第2の製造方
法は、第1導電型の半導体基板の表面に第2導電型の半
導体層を形成する第1の工程と、半導体層表面に複数の
酸化チタン膜を形成する第2の工程と、酸化チタン膜を
マスクとして前記半導体層を蝕刻して、第2導電型の複
数の領域を形成する第3の工程と、を含む。第2の製造
方法によれば、酸化チタン膜をマスクとする蝕刻(エッ
チング)により半導体層をパターンニングするので、ホ
トリソグラフィーなどのプロセスを必要せず、製造プロ
セスを簡略化できる。従って、太陽電池セルを低コスト
化することができる。
According to a second method of manufacturing a solar cell according to the present invention, a first step of forming a semiconductor layer of a second conductivity type on a surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type; A second step of forming a titanium film; and a third step of etching the semiconductor layer using the titanium oxide film as a mask to form a plurality of regions of the second conductivity type. According to the second manufacturing method, since the semiconductor layer is patterned by etching (etching) using the titanium oxide film as a mask, a process such as photolithography is not required, and the manufacturing process can be simplified. Therefore, the cost of the solar cell can be reduced.

【0015】なお、上述した第1導電型及び第2導電型
は、それぞれp型またはn型であり、互いに反対導電型
である。また、本発明は、両面受光型太陽電池セル及び
方面受光型太陽電池セルに適用できる。
The first conductivity type and the second conductivity type are p-type or n-type, respectively, and are opposite to each other. Further, the present invention can be applied to a double-sided light receiving solar cell and a direction light receiving solar cell.

【0016】本発明による太陽電池セル及びその製造方
法の他の特徴は、以下の記載より明らかになるであろ
う。
[0016] Other features of the solar battery cell and the method of manufacturing the same according to the present invention will become apparent from the following description.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明による太陽電池セルは、p
型半導体基板の裏面に形成するn+ 拡散層を、第1の領
域である主n+ 拡散層部領域と、第2の領域である多数
の微小アイランド形成領域との2領域構成とする。且
つ、p+ 拡散層及びその電極を形成するためのアルミ・
ペースト印刷の精度に十分な裕度を取った寸法で第1の
領域を作成するという手段により、アルミ・ペースト印
刷が、当該n+ 拡散層アイランドに一部重なることはあ
っても、その大部分は独立を保ち、且つ、第1の領域の
+ 拡散層主要部には接触することのないようにする。
これにより、高い歩留りで印刷可能なセル製造プロセス
を提供することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A solar cell according to the present invention has p
The n + diffusion layer formed on the back surface of the die semiconductor substrate has a two-region configuration including a main n + diffusion layer portion region as a first region and a large number of minute island formation regions as a second region. And aluminum for forming the p + diffusion layer and its electrode.
By means of creating the first region with dimensions that allow sufficient margin for the accuracy of the paste printing, the aluminum paste printing may partially overlap the n + diffusion layer island, but most of the island Is kept independent and does not contact the main part of the n + diffusion layer in the first region.
Thereby, it is possible to provide a cell manufacturing process capable of printing at a high yield.

【0018】更に、上記の裏面n+ 拡散層の構成におい
て、第1の領域をなくし、裏面全体を上記の第2の領域
で構成し、この上に、裏面p+ 電極をアルミ・ペースト
で印刷する。これにより、当該電極部以外は、多数の小
さなn+ 拡散層を有する裏面n+ 拡散層フローティング
2電極型両面受光セルを得ることができ、印刷精度,位
置合わせを全く考慮することのないセル製造プロセスを
提供することができる。
Further, in the structure of the back surface n + diffusion layer, the first region is eliminated, and the whole back surface is constituted by the second region, and a back surface p + electrode is printed thereon with aluminum paste. I do. Thereby, it is possible to obtain a backside n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light receiving cell having a large number of small n + diffusion layers other than the electrode section, and to manufacture a cell without considering printing accuracy and alignment at all. Process can be provided.

【0019】本発明による太陽電池セル製造方法は、セ
ルの裏面に特定のパターンでn+ 拡散層を形成するため
に行うパターンエッチング処理において、特殊なレジス
ト材及びその溶剤を使用することなく、通常の太陽電池
製造工程で実施するTiO2反射防止膜をパターンに切
ったメタルマスクを基板裏面に被せて形成し、この反射
防止膜をレジストとして使用する。従って、量産性に優
れたパターンエッチングが可能となる。
The method of manufacturing a solar cell according to the present invention can be applied to a pattern etching process for forming an n + diffusion layer in a specific pattern on the back surface of a cell without using a special resist material and its solvent. Of the TiO 2 anti-reflection film formed in the solar cell manufacturing process is covered with a metal mask which is cut into a pattern, and this anti-reflection film is used as a resist. Therefore, pattern etching excellent in mass productivity can be performed.

【0020】以下、本発明の実施例として、裏面n+
散層フローティング2電極型両面受光セルへの適用例を
図面を参照して説明する。
Hereinafter, as an embodiment of the present invention, an example of application to a backside n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light receiving cell will be described with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の実施例として、両面受光
セル裏面のn+ 拡散層パターンを示すものである。裏面
+ 拡散層フローティング2電極型両面受光セル1は、
その裏面に、複数のストライプ状の主n+ 拡散層部2の
領域と、A部詳細図に示す小さなn+ 拡散層アイランド
5が主n+ 拡散層部2の周囲に多数配置されたドット状
(点状)のn+ 拡散層アイランド領域3の2種の領域の
+ 拡散層領域を有している。これらのn+ 拡散層領域
はp基板に形成される。また、電極形成領域4は、当該
セル1の長手方向中央部の広い領域に、p+ バスバー電
極6が設けられる領域であり、主n+ 拡散層部2の列間
のn+ 拡散層アイランド領域3は、p+フィンガー電極
7が形成される領域である。
FIG. 1 shows an n + diffusion layer pattern on the back surface of a double-sided light receiving cell as an embodiment of the present invention. The back side n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light receiving cell 1
On its back surface, a plurality of stripe-shaped main n + diffusion layer portions 2 and a large number of small n + diffusion layer islands 5 shown in the detailed view of portion A are arranged around the main n + diffusion layer portion 2 in a dot shape. It has two types of (dot-like) n + diffusion layer island regions 3 of n + diffusion layer regions. These n + diffusion layer regions are formed on the p substrate. The electrode forming region 4 is a region where the p + bus bar electrode 6 is provided in a wide region at the center in the longitudinal direction of the cell 1, and the n + diffusion layer island region between the main n + diffusion layer portions 2 is provided. Reference numeral 3 denotes a region where the p + finger electrode 7 is formed.

【0022】図2は、上記のように当該両面受光セル1
の裏面に形成したn+ 拡散層パターンに、p+ 電極を印
刷・焼成した裏面電極パターンを示すものである。ま
た、図3は、当該両面受光セル1の断面を原理的に説明
する図である。図2,図3に示すように、上記のn+
散層パターンを形成したセル裏面において、電極形成領
域4にはp+ バスバー電極6を、n+ 拡散層アイランド
領域にはp+ バスバー電極6に接続されるp+ フィンガ
ー電極7をアルミ・ペーストで印刷し、焼成する。図3
に示すように、予めリン拡散されたn+ 拡散層8は、表
受光面は全面そのまま残し、裏面は、上述のように、主
+ 拡散層部2及びn+ アイランド5で構成されるパタ
ーンを残して、その他の部分は基板のp型層に達するま
で削り取られてn+ 拡散層パターンが形成されている。
上述のp+ 電極のアルミ・ペースト印刷・焼成により、
この電極の部分にp+ 拡散層12が形成される。フィン
ガー電極7が形成される部分は、n+ 拡散層アイランド
領域3上であり、フィンガー電極印刷部分のn+ アイラ
ンド領域はp+ 拡散層12で埋まり、一部のn+ 拡散層
アイランド5は、p+ 拡散層12とショート状態とな
る。一方、主n+ 拡散層部2は、電極の印刷精度に十分
裕度をとって、p+ フィンガー電極7が印刷できるよう
に、相互の距離をとっており、これによりp+ フィンガ
ー電極7が接することのないようにしている。また、p
+ バスバー電極6は、その大部分は電極印刷領域4に印
刷されるが、当該領域4は印刷誤差を考慮して電極幅よ
り小さく作成してあり、従って、一部はn+ アイランド
とショートさせるようにしている。図4は、n+ 拡散層
とp+ フィンガー電極7の相対位置を詳細に説明する図
である。p+ フィンガー電極7は複数のn+ アイランド
5とショートして形成されている。図には、正規の位置
からづれて印刷されたp+ フィンガー電極9を併記して
いるが、p+ フィンガー電極が主n+ 拡散層部2に接し
ない範囲の印刷精度が保たれれば、そのづれとは無関係
に、p+ フィンガー電極にショートするn+アイランド
5の数は本質的に変らないことになり、主n+ 拡散層部
2及び当該電極に触れていないn+ 拡散層アイランド5
は、フローティングn+ 拡散層として動作するので、そ
の印刷づれがセル性能に影響を及ぼすことはない。
FIG. 2 shows the double-sided light receiving cell 1 as described above.
3 shows a back electrode pattern in which ap + electrode is printed and fired on an n + diffusion layer pattern formed on the back surface of FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining the cross section of the double-sided light receiving cell 1 in principle. Figure 2, as shown in FIG. 3, in a cell back surface forming the above n + diffusion layer pattern, the p + bus bar electrode 6 to the electrode formation region 4, n + the diffusion layer island region p + bus bar electrode 6 the p + finger electrodes 7 connected to the printed with aluminum paste is fired. FIG.
As shown in the figure, the n + diffusion layer 8 preliminarily diffused with phosphorus has the entire front and light receiving surface as it is, and the back surface has the pattern composed of the main n + diffusion layer portion 2 and the n + island 5 as described above. The remaining portion is cut away until it reaches the p-type layer of the substrate to form an n + diffusion layer pattern.
By printing the aluminum paste on the p + electrode and firing it,
A p + diffusion layer 12 is formed in the area of this electrode. The portion where the finger electrode 7 is formed is on the n + diffusion layer island region 3, the n + island region of the finger electrode printed portion is filled with the p + diffusion layer 12, and a part of the n + diffusion layer island 5 is A short-circuit state occurs with the p + diffusion layer 12. On the other hand, the main n + diffusion layer 2 is, taking sufficient allowance in the printing accuracy of the electrodes, p + as finger electrodes 7 can be printed, it takes the mutual distance, thereby p + finger electrodes 7 I try not to touch them. Also, p
+ Bus bar electrode 6, its although most are printed on the electrode print region 4, the area 4 has been created smaller than the electrode width in consideration of the printing errors, therefore, in part to n + island and short Like that. FIG. 4 is a diagram for explaining the relative positions of the n + diffusion layer and the p + finger electrode 7 in detail. The p + finger electrode 7 is formed to be short-circuited with the plurality of n + islands 5. In the drawing, the p + finger electrode 9 printed from the regular position is also shown. However, if the printing accuracy in a range where the p + finger electrode does not contact the main n + diffusion layer portion 2 is maintained, the Irrespective of this, the number of n + islands 5 that short-circuit to the p + finger electrode is essentially unchanged, and the main n + diffusion layer 2 and the n + diffusion layer islands 5 that are not touching the electrode
Operates as a floating n + diffusion layer, so that the print misalignment does not affect the cell performance.

【0023】なお、この裏面n+ フローティング2電極
型両面受光セルは、その表受光面は、全面n+ 拡散され
ており、図5に示すように、表受光面n+ 電極即ちバス
バー電極10及びフィンガー電極11が形成される。
[0023] Incidentally, the back surface n + floating two-electrode type bifacial cells, the table receiving surface is entirely n + diffusion, as shown in FIG. 5, Table light-receiving surface n + electrode or busbar electrodes 10 and The finger electrode 11 is formed.

【0024】次に、本発明を3電極型両面受光セルへ適
用した実施例につき説明する。
Next, an embodiment in which the present invention is applied to a three-electrode double-sided light receiving cell will be described.

【0025】図6は、本発明を適用した3電極型両面受
光太陽電池セル13の裏面n+ 拡散層形成パターン例
(A)及びこれに対応した裏面の電極パターン(B)を
示すものである。図の(A)に示すように、前述の裏面
+ 拡散層フローティング2電極型両面受光セルと同様
に、主n+ 拡散層部2とn+ 拡散層アイランド領域3と
で構成する。この3電極型の場合は、裏面n+ 電極は一
つに繋がる必要があるので、主n+ 拡散層部2は連結さ
れた構造となる。そこで本実施例においては、主n+
散層部2のパターン形状を櫛歯状にしている。一方、セ
ル裏面電極は、図の(B)のように、p+ バスバー電極
6とそれに接続されるp+ フィンガー電極7で構成され
るp+ 電極と、n+ バスバー電極14とn+ フィンガー
電極15で構成されるn+ 電極の2種をそれぞれ、アル
ミ・ペースト,銀ペーストの印刷によって形成する。p
+ 電極及びn+ 電極は、バスバー電極(6,14)を柄
部とし、フィンガー電極(7,15)を歯部とする櫛歯
状パターンを有する。そして、歯部すなわちp+ フィン
ガー電極7とn+ フィンガー電極15とが、互いに噛み
合うように、交互に配置される。
FIG. 6 shows an example (A) of a back surface n + diffusion layer forming pattern of a three-electrode double-sided light receiving solar cell 13 to which the present invention is applied, and a corresponding back electrode pattern (B). . As shown in (A) of the figure, similarly to the above-mentioned double-sided light receiving cell with the floating back surface n + diffusion layer, it is composed of the main n + diffusion layer portion 2 and the n + diffusion layer island region 3. In the case of this three-electrode type, since the back surface n + electrodes need to be connected to one, the main n + diffusion layer portion 2 has a connected structure. Therefore, in this embodiment, the pattern shape of the main n + diffusion layer 2 is comb-shaped. On the other hand, as shown in FIG. 2B, the cell back surface electrode includes a p + electrode composed of a p + bus bar electrode 6 and a p + finger electrode 7 connected thereto, an n + bus bar electrode 14 and an n + finger electrode. Two types of n + electrodes 15 are formed by printing aluminum paste and silver paste, respectively. p
The + electrode and the n + electrode have a comb-like pattern in which the bus bar electrodes (6, 14) are used as the handle and the finger electrodes (7, 15) are used as the teeth. The teeth, that is, the p + finger electrodes 7 and the n + finger electrodes 15 are alternately arranged so as to mesh with each other.

【0026】本実施例においても、上記の裏面n+ フロ
ーティング2電極型両面受光セルの実施例と同様に、印
刷精度の裕度を考慮したn+ 拡散層パターンとなってい
る。このため、p+ 電極印刷及びp+ 拡散層形成におい
て、そのフィンガー電極部は、n+ 拡散層アイランド領
域3に形成され、主n+ 拡散層部2に接することは容易
に避けることが可能となるとともに、バスバー電極部
は、一部n+ アイランドにショートして形成される。一
方、n+ 電極は、表受光面と裏面に形成されるので、裏
面のn+ バスバー電極14の幅は、p+ バスバー電極6
の幅に比べて細くすることができるので、n+ 拡散層の
バスバー対応部の幅に対し、印刷精度を考慮した細い幅
の電極形成で可能となる。なお、上記のように製作され
た3電極型両面受光セルの裏面n+ 拡散層は、電極付き
+ 拡散層と、p+ フィンガー電極7及びp+ バスバー
電極6とショートせずに残っているフローティングのn
+ 拡散層アイランドの構成で動作することとなる。
In this embodiment, as in the embodiment of the back side n + floating two-electrode double-sided light receiving cell, the n + diffusion layer pattern takes into consideration the margin of printing accuracy. For this reason, in printing the p + electrode and forming the p + diffusion layer, the finger electrode portion is formed in the n + diffusion layer island region 3 and can be easily prevented from being in contact with the main n + diffusion layer portion 2. At the same time, the bus bar electrode portion is formed to be partially short-circuited to the n + island. On the other hand, n + electrodes, since it is formed on the back surface and front light-receiving surface, the width of the back surface of the n + bus bar electrode 14, p + bus bar electrode 6
Therefore, it is possible to form an electrode having a narrow width in consideration of printing accuracy with respect to the width of the bus bar corresponding portion of the n + diffusion layer. The back surface n + diffusion layer of the three-electrode double-sided light receiving cell manufactured as described above remains without being short-circuited to the n + diffusion layer with electrodes, the p + finger electrode 7 and the p + bus bar electrode 6. Floating n
+ It operates with the structure of the diffusion layer island.

【0027】なお、上記に説明した本発明を適用した3
電極型両面受光太陽電池セル13において、セルの表受
光面のn+ 電極を割愛すると、表面に電極のない2電極
太陽電池セルとなり、且つ、片面受光及び両面受光が可
能となる。
It should be noted that the above-described present invention 3
In the electrode-type double-sided photovoltaic cell 13, if the n + electrode on the front light-receiving surface of the cell is omitted, a two-electrode photovoltaic cell without an electrode on the surface is provided, and single-sided light reception and double-sided light reception are possible.

【0028】次に、本発明の他の実施例を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0029】図7は、本発明による、セルの裏面全体
に、多数の小さなn+ 拡散層アイランド5を一様に構成
して、その上に、p+ 電極を形成する裏面n+ 拡散層フ
ローティング2電極型両面受光セルの裏面パターンを説
明する図である。図7のA部詳細図に示すように、裏面
には、全体に亘り一様に、小さなn+ 拡散層アイランド
5を構成している。この上に、バスバー電極6及びフィ
ンガー電極7よりなるp+ 電極をアルミ・ペーストで印
刷し、焼成する。従って、本実施例では、裏面電極形成
及びp+ 拡散層形成のための印刷を、セルの裏面のn+
拡散層のパターンに無関係に行うことができ、表受光面
の電極印刷と同等なプロセスとなることから、量産性の
高い両面受光セルを提供できる。
FIG. 7 shows a large number of small n + diffusion layer islands 5 uniformly formed on the entire back surface of a cell according to the present invention, on which a back surface n + diffusion layer floating forming ap + electrode. It is a figure explaining the back surface pattern of a two-electrode type double-sided light receiving cell. As shown in the detailed view of the part A in FIG. 7, a small n + diffusion layer island 5 is formed uniformly on the entire back surface. On this, ap + electrode composed of the bus bar electrode 6 and the finger electrode 7 is printed with aluminum paste and fired. Therefore, in the present embodiment, printing for forming the back surface electrode and forming the p + diffusion layer is performed on the n +
Since the process can be performed irrespective of the pattern of the diffusion layer and the process is equivalent to that of electrode printing on the front light receiving surface, a double-sided light receiving cell with high mass productivity can be provided.

【0030】次に、本発明による太陽電池製造方法の実
施例を、裏面n+ 拡散層フローティング2電極型両面受
光セル及び3電極型両面受光太陽電池セルを例にとり説
明する。
Next, an embodiment of a method for manufacturing a solar cell according to the present invention will be described with reference to a double-sided double-sided light receiving cell and a double-sided light-receiving solar cell with a backside n + diffusion layer.

【0031】図8は、本発明を適用した裏面n+ 拡散層
フローティング2電極型両面受光太陽電池セルの製造プ
ロセスの手順を、従来のプロセス手順と対比して説明す
るものである。標準的な片面受光の太陽電池セルの製造
は、シリコン基板にテクスチャーエッチングを行った
後、リン拡散,表面の酸化処理,TiO2 による反射防
止膜形成を行い、その後に、表受光面及び裏面の電極印
刷・焼成を行うのが一般的である。一方、当該両面受光
セルの従来の製造プロセスは、図8の(A)に示すよう
に、リン拡散及びリンガラス除去後、表受光面及び裏面
にレジスト形成を行う。即ち、表受光面は全面にレジス
ト材を印刷し、裏面は形成するn+ 拡散層パターンをレ
ジスト印刷する。これをフッ硝酸等のエッチング液で、
レジストのない部分を削り取る、いわゆる接合分離を行
う。その後、パッシベーション酸化処理,反射防止膜形
成を行い、然る後に、裏面及び表受光面の電極を印刷用
マスクを当てて印刷し、焼成する。このプロセスにおい
て、裏面パターンエッチングを行う必要があるが、特殊
なレジスト材,エッチング液及び有機溶剤薬品等は、量
産プロセスに乗りにくい。
FIG. 8 illustrates the procedure of the manufacturing process of the back side n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light receiving solar cell to which the present invention is applied, in comparison with the conventional process procedure. Production of solar cells of a standard single-sided light receiving after performing texture etching in the silicon substrate, phosphorus diffusion, oxidation treatment of the surface, subjected to anti-reflection film formed by TiO 2, then, front light-receiving surface and the back surface of the It is common to perform electrode printing and firing. On the other hand, in the conventional manufacturing process of the double-sided light receiving cell, as shown in FIG. 8A, after phosphorus diffusion and phosphorus glass removal, a resist is formed on the front light receiving surface and the back surface. That is, a resist material is printed on the entire front and light receiving surfaces, and the n + diffusion layer pattern to be formed is printed on the rear surface. Use an etchant such as hydrofluoric nitric acid
The so-called junction separation is performed by scraping off portions without resist. Thereafter, passivation oxidation treatment and formation of an antireflection film are performed, and thereafter, the electrodes on the back surface and the front light receiving surface are printed with a printing mask, and baked. In this process, it is necessary to perform backside pattern etching, but it is difficult to use a special resist material, an etching solution, an organic solvent chemical, and the like in a mass production process.

【0032】一方、本発明によるプロセスでは、図8の
(B)に示すように、(1) テキスチャー・エッチングか
ら(3) 表受光面TiO2 膜形成までは、標準的な片面受
光セルのプロセスと同等であり、次の(4) 裏面反射防止
膜形成において、裏面パターンエッチングのためのメタ
ルマスクを被せて、メタルマスクの開口部に反射防止膜
を形成するので、この作業も殆ど標準的プロセスとな
る。この段階で、シリコン基板の両面に、反射防止膜T
iO2 によるレジストが形成されることになり、次のプ
ロセス(5) ,(6) で、アルカリ溶液により裏面パターン
・エッチングを行い、次にフッ酸で両面のTiO2 膜を
除去する。この後の処理は、従来と全く同じく、(7) の
パッシベーション酸化から(11)の電極後処理を行う。な
お、上記のプロセスを更に簡単化し、レジスト材として
使用したTiO2 膜を反射防止膜として残し、(6) Ti
2 膜除去から(8) 反射防止膜形成までを省くこともで
きる。この場合、セルは、裏面パターン・エッチング
で、n+ 拡散層部以外は、p型シリコン基板の裸部とな
るので、裏面については、再度、反射防止膜を全体に付
ける処理を行う。
On the other hand, in the process according to the present invention, as shown in FIG. 8B, the process from (1) texture etching to (3) formation of the front light receiving surface TiO 2 film is performed by a standard single side light receiving cell process. In the following (4) Backside anti-reflection film formation, a metal mask for back surface pattern etching is covered and an anti-reflection film is formed at the opening of the metal mask, so this work is almost a standard process. Becomes At this stage, an antireflection film T is formed on both sides of the silicon substrate.
A resist made of iO 2 is formed. In the next processes (5) and (6), the back surface is etched with an alkaline solution, and then the TiO 2 films on both surfaces are removed with hydrofluoric acid. In the subsequent process, the post-electrode treatment of (11) is performed from the passivation oxidation of (7) just as in the prior art. The above process is further simplified, and the TiO 2 film used as a resist material is left as an anti-reflection film, and (6) Ti
The process from the removal of the O 2 film to the formation of the antireflection film (8) can be omitted. In this case, since the cell becomes a bare portion of the p-type silicon substrate except for the n + diffusion layer portion by the back surface pattern etching, the back surface is again subjected to the process of applying the antireflection film to the whole.

【0033】図9は、上記の裏面反射防止膜を形成する
ときに使用するメタルマスクについて、3電極型両面受
光セルの例で説明するものである。図9の(1)に示す
第1メタルマスク・パターン16は、第1領域の主n+
拡散層部形成用開口部18、及び第2領域のn+ アイラ
ンド開口部19を有している。また、図9の(2)に示
す第2メタルマスク・パターン17は、第1領域の主n
+ 拡散層部群を接続する為の開口部20を有している。
上記のプロセス・フローで説明したように、裏面反射防
止膜形成において、この2枚のメタルマスク16,17
を使用するが、反射防止膜の形成は2段階で行う。即
ち、最初は、第1メタルマスクを使用して行い、次に、
第2メタルマスクを使用して膜を形成する。この2段階
の反射防止膜形成によって、セル裏面に、図9の(3)
に示すレジスト・パターンを形成することができる。こ
のパターン・レジストを形成したものを、エッチング液
でエッチングすることにより、n+ 拡散層パターンがセ
ル裏面に形成される。以上のように、本発明による太陽
電池セルの製造方法は、セル裏面パターン・エッチング
を、メタルマスクを使用してパターンとして反射防止膜
(TiO2 )を形成し、当該膜をレジストとして使用す
るという手段により、量産性に優れている。
FIG. 9 illustrates a metal mask used for forming the above-described back surface anti-reflection film, using an example of a three-electrode double-sided light receiving cell. The first metal mask pattern 16 shown in (1) in FIG. 9, the main of the first region n +
An opening 18 for forming a diffusion layer and an n + island opening 19 in the second region are provided. The second metal mask pattern 17 shown in (2) of FIG.
+ An opening 20 for connecting the diffusion layer group is provided.
As described in the above process flow, in forming the back surface anti-reflection film, the two metal masks 16 and 17 are used.
Is used, but the formation of the antireflection film is performed in two stages. That is, first, the first metal mask is used, and then,
A film is formed using the second metal mask. By this two-stage formation of the antireflection film, (3) of FIG.
Can be formed. By etching the patterned resist with an etchant, an n + diffusion layer pattern is formed on the back surface of the cell. As described above, in the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, the anti-reflection film (TiO 2 ) is formed as a pattern using a metal mask by using a metal mask, and the film is used as a resist. By means, it is excellent in mass productivity.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、太陽電池セルを、歩留
り良く、または低コストで製造することが可能となる。
According to the present invention, solar cells can be manufactured with good yield or at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による、裏面n+ 拡散層フローティング
2電極型両面受光太陽電池セルの実施例。
FIG. 1 shows an embodiment of a backside n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light receiving solar cell according to the present invention.

【図2】図1の裏面電極パターン。FIG. 2 is a back electrode pattern of FIG. 1;

【図3】図2の断面を原理的に説明する図。FIG. 3 is a view for explaining the cross section of FIG. 2 in principle;

【図4】図2の一部を詳細に示す図。FIG. 4 is a diagram showing a part of FIG. 2 in detail.

【図5】図1の裏面n+ 拡散層フローティング2電極型
両面受光太陽電池セルの表受光面の説明図。
FIG. 5 is an explanatory view of a front light-receiving surface of the back side n + diffusion layer floating two-electrode double-sided light-receiving solar cell of FIG. 1;

【図6】本発明による3電極型両面受光太陽電池セルの
実施例。
FIG. 6 shows an embodiment of a three-electrode double-sided light receiving solar cell according to the present invention.

【図7】本発明による他の実施例。FIG. 7 shows another embodiment according to the present invention.

【図8】本発明による両面受光太陽電池の製造プロセス
のフロー。
FIG. 8 is a flowchart of a manufacturing process of the double-sided light receiving solar cell according to the present invention.

【図9】セルの裏面パターン・エッチング用のメタルマ
スク及び裏面n+ 拡散層パターンを説明するための図。
FIG. 9 is a diagram for explaining a metal mask for etching the back surface pattern of the cell and a back surface n + diffusion layer pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…裏面n+ 拡散層フローティング2電極型太陽電池セ
ル、2…主n+ 拡散層部、3…n+ 拡散層アイランド領
域、4…電極形成領域、5…n+ 拡散層アイランド、6
…裏面p+ バスバー電極、7…裏面p+ フィンガー電
極、8…n+ 拡散層、9…正規の位置からづれたp+
ィンガー電極、10…表受光面n+ バスバー電極、11
…表受光面n+ フィンガー電極、12…p+ 拡散層、1
3…3電極型両面受光太陽電池セル、14…裏面n+
スバー電極、15…裏面n+ フィンガー電極、16…第
1メタルマスク、17…第2メタルマスク、18…n+
主要部形成用開口部、19…n+ アイランド形成用開口
部領域、20…n+ 拡散層連結部形成用開口部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Back surface n + diffusion layer floating 2-electrode solar cell, 2 ... Main n + diffusion layer part, 3 ... n + diffusion layer island area, 4 ... Electrode formation area, 5 ... n + diffusion layer island, 6
... Backside p + bus bar electrode, 7 ... Backside p + finger electrode, 8 ... n + diffusion layer, 9 ... p + finger electrode deviated from regular position, 10 ... Front light receiving surface n + busbar electrode, 11
... n + finger electrodes on the front light receiving surface, 12 ... p + diffusion layer, 1
3 ... Three-electrode double-sided light-receiving solar cell, 14 ... Backside n + bus bar electrode, 15 ... Backside n + finger electrode, 16 ... First metal mask, 17 ... Second metal mask, 18 ... n +
Main portion forming the opening, 19 ... n + island formation openings region, 20 ... n + diffusion layer connecting portion forming openings.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1導電型の第1半導体層と、 前記第1半導体層に電気的に接続される電極と、 前記電極の周囲に沿う領域において、分散配置され、前
記第1半導体層に接し、電気的にフローティング状態に
在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、を備えるこ
とを特徴とする太陽電池セル。
A first conductive type first semiconductor layer; an electrode electrically connected to the first semiconductor layer; and a region distributed along a periphery of the electrode. A plurality of second semiconductor layers of the second conductivity type that are in contact with and electrically floating.
【請求項2】第1導電型の第1半導体層と、 前記第1半導体層に電気的に接続される電極と、 前記電極の周囲に沿う領域において、略等間隔に配置さ
れ、前記第1半導体層に接し、電気的にフローティング
状態に在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、を備
えることを特徴とする太陽電池セル。
A first semiconductor layer of a first conductivity type; an electrode electrically connected to the first semiconductor layer; and a first semiconductor layer disposed at substantially equal intervals in a region along a periphery of the electrode. A plurality of second conductive type second semiconductor layers in contact with the semiconductor layer and in an electrically floating state.
【請求項3】請求項1または2において、前記第2半導
体層が点状であることを特徴とする太陽電池セル。
3. The solar cell according to claim 1, wherein the second semiconductor layer is shaped like a dot.
【請求項4】請求項1または2において、前記電極が、
前記第1半導体層よりも高不純物濃度の第1導電型の半
導体層を介して前記第1半導体層に接続されることを特
徴とする太陽電池セル。
4. The method according to claim 1, wherein the electrode is
A solar cell connected to the first semiconductor layer via a first conductivity type semiconductor layer having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer.
【請求項5】請求項4において、前記高不純物濃度の半
導体層の不純物が前記電極の金属元素であることを特徴
とする太陽電池セル。
5. The solar cell according to claim 4, wherein the impurity of the high impurity concentration semiconductor layer is a metal element of the electrode.
【請求項6】第1導電型の第1半導層と、 前記第1半導層に接し、電気的にフローティング状態に
在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、 前記第1半導体層に電気的に接続される電極と、を備
え、 前記複数の第2半導体層は、第1領域と、前記第1領域
と前記電極との間の領域において分散配置される複数の
第2領域と、を含むことを特徴とする太陽電池セル。
6. A first semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of second semiconductor layers of a second conductivity type in contact with the first semiconductor layer and in an electrically floating state; An electrode electrically connected to one semiconductor layer, wherein the plurality of second semiconductor layers are distributed in a first region and a region between the first region and the electrode. A solar cell comprising: two regions.
【請求項7】第1導電型の第1半導層と、 前記第1半導層に接し、電気的にフローティング状態に
在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、 前記第1半導体層に電気的に接続される電極と、を備
え、 前記複数の第2半導体層は、第1領域と、前記第1領域
と前記電極との間の領域において略等間隔に配置される
複数の第2領域と、を含むことを特徴とする太陽電池セ
ル。
7. A first semiconductor layer of a first conductivity type, a plurality of second semiconductor layers of a second conductivity type in contact with the first semiconductor layer and in an electrically floating state, An electrode electrically connected to one semiconductor layer, wherein the plurality of second semiconductor layers are arranged at substantially equal intervals in a first region and a region between the first region and the electrode And a plurality of second regions.
【請求項8】請求項6または7において、前記第1領域
の面積が前記第2領域の面積よりも大きいことを特徴と
する太陽電池セル。
8. The solar cell according to claim 6, wherein the area of the first region is larger than the area of the second region.
【請求項9】第1導電型の第1半導層と、 前記第1半導層に接し、電気的にフローティング状態に
在る、複数の第2導電型の第2半導体層と、 前記第1半導体層に電気的に接続される電極と、を備
え、 前記複数の第2半導体層は、第1領域と、前記第1領域
と前記電極との間の領域に配置される、前記第1領域よ
りも面積が小さな複数の第2領域と、を含むことを特徴
とする太陽電池セル。
9. A first semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of second semiconductor layers of a second conductivity type in contact with the first semiconductor layer and in an electrically floating state; An electrode electrically connected to one semiconductor layer, wherein the plurality of second semiconductor layers are disposed in a first region and in a region between the first region and the electrode. And a plurality of second regions having an area smaller than the region.
【請求項10】第1導電型の半導体基板に、その表面上
に分散配置される、または略等間隔に配置される第2導
電型の複数の半導体層を形成する第1の工程と、 前記半導体基板表面における前記複数の半導体層の一部
を含む領域に、アルミニウムを含む電極を印刷する第2
の工程と、 前記電極を焼成する第3の工程と、を含むことを特徴と
する太陽電池セルの製造方法。
10. A first step of forming a plurality of semiconductor layers of a second conductivity type on a surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type, which are dispersed on the surface or arranged at substantially equal intervals; A second step of printing an electrode containing aluminum on a region including a part of the plurality of semiconductor layers on the surface of the semiconductor substrate;
And a third step of firing the electrode. A method for manufacturing a solar cell, comprising:
【請求項11】第1導電型の半導体基板の表面に第2導
電型の半導体層を形成する第1の工程と、 前記半導体層表面に複数の酸化チタン膜を形成する第2
の工程と、 前記酸化チタン膜をマスクとして前記半導体層を蝕刻し
て、第2導電型の複数の領域を形成する第3の工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
11. A first step of forming a second conductivity type semiconductor layer on a surface of a first conductivity type semiconductor substrate, and a second step of forming a plurality of titanium oxide films on the semiconductor layer surface.
A step of etching the semiconductor layer using the titanium oxide film as a mask to form a plurality of regions of the second conductivity type;
A method for manufacturing a solar cell, comprising:
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