JP2000339677A - Magnetic recording medium and its production - Google Patents

Magnetic recording medium and its production

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JP2000339677A
JP2000339677A JP14811099A JP14811099A JP2000339677A JP 2000339677 A JP2000339677 A JP 2000339677A JP 14811099 A JP14811099 A JP 14811099A JP 14811099 A JP14811099 A JP 14811099A JP 2000339677 A JP2000339677 A JP 2000339677A
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recording medium
protective layer
layer
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JP14811099A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Hara
Hiroyuki Hyodo
Sota Matsuo
Maki Miyasato
浩之 兵藤
直毅 原
真樹 宮里
壮太 松尾
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
富士電機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a protective film having high corrosion resistance for a recording medium by keeping a substrate at a negative potential to the ground potential of a film forming device when a protective layer to protect a magnetic recording layer is to be formed. SOLUTION: A negative substrate bias is applied in a plasma CVD film forming process so as to control the energy of ions reaching the substrate. Thereby, the film quality of a carbon protective layer can be controlled as well as the coverage of the magnetic layer surface can be increased. A voltage to be applied is preferably -600 V or higher and -200 V or lower. Usually in an ion beam vapor deposition process, a substrate 20 is grounded, and a positive voltage V1 corresponding to the irradiation energy is added to a metal ion source 21, while a negative high voltage V2 corresponding to an ion drawing potential is applied on an ion accelerating zone 22, mass separation zone 23 and ion deceleration zone 24. By keeping the substrate at a negative potential V3 to the ground potential, a dense protective film having high hardness can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明はコンピュータなどの情報機器用の記憶装置等に使用される磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a magnetic recording medium and a manufacturing method thereof, used in the storage device for information equipment such as a computer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来の磁気記録媒体は、一般に、非磁性の基板上にCrを含む非磁性の金属下地層、Co系合金磁性層、更に磁気ヘッドとの摺動による摩耗やドライブ雰囲気中のガス系コンタミによる腐食より磁性層を保護するためのカーボン系保護層がスパッタリング法により形成されている。 Conventional magnetic recording media typically nonmagnetic containing Cr on the non-magnetic substrate metal underlayer, Co-based alloy magnetic layer and further in the sliding due to wear or drive atmosphere of the magnetic head carbon-based protective layer for protecting the magnetic layer from corrosion by gas system contamination is formed by sputtering.

【0003】磁気記録媒体の磁気記録密度を向上させるには、磁気記録媒体の保護膜を薄膜化することが有効である。 [0003] In order to improve the magnetic recording density of a magnetic recording medium, it is effective to thin the protective layer of the magnetic recording medium. しかし、現在使用されているスパッタリング法において、カーボン系保護膜の膜厚を薄くしていくと、磁気ヘッドとの摺動特性が悪くなり磨耗をおこすことにより磁性層を破壊したり、ドライブ雰囲気中のガス系コンタミによる腐食から磁性層を保護できなくなってくる。 However, in a sputtering method, which is currently used and continue to reduce the film thickness of the carbon-based protective film, or destroy the magnetic layer by causing the sliding characteristics are poor abrasion of the magnetic head in the drive atmosphere it becomes impossible to protect the magnetic layer from by the gas system contamination corrosion.

【0004】耐磨耗性の改善のために、磁気記録媒体の基体の上に設けた強磁性金属薄膜の表面上に、炭化水素ガスを含むガスのイオン化プラズマ分解重合反応により炭化水素保護膜を形成する方法が特許第2552799 [0004] For the wear resistance improvement, on the surface of the ferromagnetic metal thin film provided on a substrate of a magnetic recording medium, the ionization plasma decomposition polymerization reaction of a gas containing a hydrocarbon gas to a hydrocarbon protective layer a method of forming the No. 2552799
号にて提案されているが、この方法では高湿度条件下での耐磨耗性は向上するものの、ガス系コンタミネーションによる腐食対策については未だ改善の余地がある。 Has been proposed in JP, although improved in wear resistance at high humidity conditions The method, there is still room for improvement for the corrosion protection by the gas system contamination.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、保護膜の成膜装置に電気的な観点から改善を加えて、ガス系コンタミネーションによる腐食に強い磁気記録媒体用保護膜を形成することを課題とするものである。 BRIEF Problem to be Solved] The present invention aims to the film formation apparatus of the protective layer by adding an improvement from the electrical point of view, to form a strong magnetic recording medium protective layer to corrosion by gas system contamination it is an.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するために、この発明によれば、カーボン系保護層成膜にプラズマCVD法を適用し、かつ、基板バイアス電位として成膜装置アース電位に対して−200V以上、−600V以下の電位を印加することによって、緻密で高硬度を有するカーボン保護膜を形成する。 Means for Solving the Problems] To solve this problem, according to the present invention, by a plasma CVD method on a carbonaceous protective layer deposition, and, with respect to the film forming apparatus ground potential as the substrate bias potential -200V or Te, by applying the following potentials -600 V, to form a carbon protective film having a dense high hardness.

【0007】現在使用されているスパッタリング法によるカーボン保護膜の成膜は、グラファイト系のターゲットをArガス、または、Arガスと炭化水素、水素、窒素の混合ガスでスパッタしている。 [0007] formation of the carbon protective layer by a sputtering method in current use, a graphite-base target, Ar gas, or are sputtered with Ar gas and a hydrocarbon, hydrogen, a mixed gas of nitrogen. しかし、スパッタ法によるカ一ボン膜は、物理的な気相成長法により成膜しているため、膜密度等が低くなる。 However, mosquitoes one carbon film by sputtering, because of the film by physical vapor deposition, film density, etc. is lowered. これに比べて、化学的なガス分解による成膜を行うCVDにおいては、原料ガスを高エネルギーで分解し成膜するため、グラファイト成分が低く、一般に級密で高硬度である。 In contrast, in the CVD for forming a film by chemical gas decomposition, for forming decomposing the raw material gas with high energy, graphite component is low, generally high hardness Kyumitsu.

【0008】この発明においては、プラズマCVD成膜中において負の基板バイアスを印加することにより、基板に到達するイオンのエネルギーを調整することによって、カーボン保護層の膜質を制御し、かつ、磁性層表面のカバレージを上げることができる。 [0008] In the present invention, by applying a negative substrate bias during plasma CVD film deposition, by adjusting the energy of the ions reaching the substrate, to control the quality of the carbon protective layer and the magnetic layer it is possible to increase the coverage of the surface. 印加電位が過剰であると、イオン化された原料のエネルギーが大き<なり、基板の逆エッチングおよびカーボンのグラファイト化を招き、磁気ヘッドとの摺動特性がわるくなり、かつ、表面のカバレージも低下する。 When the applied potential is excessive, the size of energy material ionized <become, invites reverse etching and carbon graphitization of the substrate, becomes poor sliding characteristics between the magnetic head and, even coverage of the surface decreases . したがって、印加電位は、−600V以上−200V以下が好ましい。 Therefore, the applied potential is preferably equal to or less than than -600 V -200 V.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の実施例である磁気記録媒体(以下、媒体)の層構成図を示す。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The magnetic recording medium of an embodiment of the present invention (hereinafter, the medium) showing the layer structure diagram of. 円周方向にテクスチュア加工が施されたNi−Pメッキ層2を有するアルミ合金基板1上にCr合金下地層3、Co合金磁性層4が順次DCマグネトロンスパッタ法により成膜され、その後連続で、ECR-CVD法によりカーボン保護膜を成膜している。 Cr alloy undercoating layer 3, Co alloy magnetic layer 4 is formed by sequentially DC magnetron sputtering method on an aluminum alloy substrate 1 having a textured is Ni-P plating layer 2 which has been subjected in the circumferential direction, thereafter continuously, and forming a carbon protective film by ECR-CVD method. また、スパッタカーボンの場合は、 In addition, in the case of the sputtering carbon,
前記基板上にCr合金下地層、Co合金磁性層、カーボン保護層を順次DCマグネトロンスパッタリング法により成膜している。 Cr alloy undercoating layer on the substrate, Co alloy magnetic layer is formed by sequentially DC magnetron sputtering a carbon protective layer. スパッタ時のアルゴン圧力は10mTorr Argon pressure during the sputtering 10mTorr
一定とした。 It was constant.

【0010】図2は成膜時の基板バイアス電位とラマン分光分析より測定したラマンパラメータであるB/Aの関係を示す。 [0010] Figure 2 shows the relationship between a Raman parameters measured from the substrate bias potential and Raman spectroscopic analysis at the time of film formation B / A. B/Aは514nmの波長を用いたラマン分光分析より得られるラマンスペクトルの1,800cm -1から900 B / A is from the Raman spectra of 1,800Cm -1 obtained from Raman spectroscopy using a wavelength of 514 nm 900
cm -1の領域において、ピーク強度Bとバックグラウンド補正を行った後のピーク強度Aとの比を意味する。 In the region of cm -1, it means the ratio of the peak intensity A after the peak intensity B and background correction. 図2 Figure 2
は縦軸にB/A、横軸に基板電位(マイナスV)をとったもので、ラマンパラメータB/Aが基板バイアス電位に依存することを示している。 The longitudinal axis B / A, which was taken substrate potential (minus V) on the horizontal axis, the Raman parameter B / A indicating that that depends on the substrate bias potential.

【0011】図2からわかるように、基板バイアス電圧を負に増加させるにつれて、ラマンパラメータB/Aは減少し、基板バイアスを−200V以上印加した場合、B/ [0011] As can be seen from Figure 2, as increasing the substrate bias voltage to the negative, Raman parameter B / A is decreased, when applying a substrate bias -200V or higher, B /
A=1.50以下の値になった。 A = 1.50 equal to or less than the value.

【0012】図3はスパッタカーボン膜とCVDカーボン膜の磁気ヘッドとの摺動特性を測定した結果を示す。 [0012] Figure 3 shows the results of measurement of the sliding properties of the magnetic head of the sputtered carbon film and the CVD carbon film.
摺動測定は、磁気ヘッドと媒体が接触した状態から、媒体が『回転→停止→回転→・・・』を繰り返すことによって、磁気ヘッドが『浮上→接触→浮上→…』を繰り返すCSS(Contact Start Stop)試験により行った。 Sliding measurements from a state where the magnetic head and the medium are in contact, by the medium repeats "rotation → stop → rotation → · · ·", CSS the magnetic head repeats the "floating → contact → floating → ..." (Contact Start Stop) was carried out by test. 一回の『回転→停止』を1サイクルとし、最大100,000サイクルまでの試験を行った。 And one of the "rotation → Stop" 1 cycle, tested up to 100,000 cycles. 最大回転速度は5,400rpmとし、測定半径は17mm、磁気ヘッドの押し付け荷重を3.5g Maximum rotation speed was 5,400 rpm, measured radius 17 mm, the pressing load of the magnetic head 3.5g
fとした。 It was f. ECR-CVDカーボンは基板バイアスを−10 ECR-CVD carbon -10 substrate bias
0、−200、−400、−600Vとして作製し、膜厚を60Åにした。 0, -200, -400, manufactured as -600 V, and the film thickness to 60 Å. また、通常のスパッタカーボンも作製し、膜厚を Further, conventional sputtered carbon also manufactured, the thickness
100Åとした。 Was 100Å. この時の、スパッタカーボンのB/Aは At this time, the sputtered carbon B / A is
1.5である。 1.5.

【0013】CVDカーボン膜において、基板バイアス−100Vの場合、4,000回のCSSで摩耗が起こった。 [0013] In CVD carbon film, when the substrate bias -100 V, occurred wear 4,000 times CSS. しかし、基板バイアスを−200V、−300Vかけた場合、100, However, the substrate bias -200V, when subjected -300V, 100,
000回以上のCSS耐久性を達成できた。 000 times more than the CSS durability can be achieved. スパッタカーボンの場合(図3のSp.-C:H)は、カーボン膜厚が100Å For sputtered carbon (Sp.-C of Figure 3: H), the carbon film thickness 100Å
であるにも関わらず、900から2,000回のCSSで摩耗を起こした。 Despite it, it caused the wear 2,000 of CSS 900. これらのことより、CVDカーボン膜は、基板バイアスを−200V以上印加することによって、耐久性が改善されることがわかった。 Than that of these, CVD carbon film, by applying a substrate bias -200V or higher, it was found that the durability is improved.

【0014】図4に、高温高湿放置後の磁性層からのC [0014] FIG. 4, C of the magnetic layer after leaving the high-temperature and high-humidity
o析出量について,スパッタカーボン膜とCVDカーボン膜を測定した結果を示す。 For o precipitation amount, showing the results of measurement of the sputtered carbon film and the CVD carbon film. Co析出量は、高温高湿(8 Co deposition amount, the high temperature and high humidity (8
5℃、相対湿度80%)中に96時間放置した後、媒体を超純水中に浸し、その抽出液をICPプラズマ発光分析によって、測定したものである。 5 ° C., allowed to stand 96 hours in 80% relative humidity), immersing the media in ultrapure water, the extract by ICP plasma emission spectrometry, is measured. 図4より、スパッタカーボン膜に対して、CVDカーボン膜の方が磁性層からのC From FIG. 4, with respect to sputtered carbon films, C from it is the magnetic layer of the CVD carbon film
o析出量を抑えていることがわかる。 It can be seen that by suppressing the o amount of precipitation. また、CVDカーボン50Åとスパッタカーボン膜100Å品が同レベルのC Further, CVD carbon 50Å and sputtered carbon film 100Å products of the same level C
o析出量であり、CVD膜は膜厚を薄くしても、Co析出を抑制できることがわかる。 An o deposition amount, CVD film be small thickness, it can be seen that inhibited Co precipitation.

【0015】図5は、アンモニア系の表面吸着ガス量をスパッタカーボン膜とCVD膜について測定した結果を示すものである。 [0015] Figure 5 shows the results of surface adsorption gas amount of ammonia-based measured for sputtered carbon film and the CVD film. S1はダイヤモンドライクカーボンのサンプルでB/Aは1.5、S2は炭化窒化水素(窒素8 S1 is B / A is 1.5 in the sample diamond-like carbon, S2 hydrocarbon nitride (nitrogen 8
%)のサンプルでB/Aは1.18、S3はアモルファス窒化炭素(窒素12%)のサンプルで、S1〜S3はいずれもスパッタカーボン膜である。 The sample B / A of%) 1.18, S3 is a sample of amorphous carbon nitride (12% nitrogen), S1 to S3 are both sputtered carbon film. これに対して、S4〜 On the other hand, S4~
S6はいずれもCVDカーボン膜のサンプルであり、バイアス電圧はそれぞれ100V、200V、400Vであり、B/A Both S6 is the sample of the CVD carbon film, the bias voltage is respectively 100V, 200V, 400V, B / A
はそれぞれ1.5、1.4、1.3である。 Are each 1.5,1.4,1.3. この表面ガス吸着試験は、デシケータをNH 3ガスで1ppmの濃度に一定に保った後、媒体を24時間放置し、しかるのち媒体表面のNH 4イオン量をTOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析計)にて測定することにより行った。 The superficial gas adsorption test was kept constant at a concentration of 1ppm a desiccator with NH 3 gas, the medium was allowed to stand 24 hours, the NH 4 ion content of later the medium surface accordingly TOF-SIMS (time-of-flight secondary ion It was carried out by measuring at a mass spectrometer). また、定量評価を行うために、NH 4イオン量をトータルイオン量で割った値で評価を行った。 Further, in order to perform a quantitative evaluation, it was evaluated by a value obtained by dividing the NH 4 ion amount in total ion amount. 図5より、CVD From FIG. 5, CVD
膜の吸着NH 4イオン量はスパッタカーボン膜と比較して少ないことが明らかである。 Adsorbed NH 4 ion content of the membrane is clear that small compared with the sputtered carbon film.

【0016】次に、基板電位を成膜装置アース電位に対して負電位にする具体的な方法について述べる。 Next, we described a specific method of the negative potential of the substrate potential to the film forming apparatus ground potential. 近時、 In recent years,
この種の成膜装置は多種多様な構造のものが多数開発され、実施されているので、主なもののみを略示的に示すことにする。 This kind of the film forming apparatus was developed many things a wide variety of structures, since it is implemented, it will be shown only the main ones substantially expressly.

【0017】図6は、プラズマCVD装置の一例を示すもので、反応室の中にRFコイル10にて励起されている放電電極11が設けられ、ヒータ15を内蔵する基板ホルダ12上に載置されている基板13の表面にプラズマ14を発生させる。 [0017] FIG. 6 shows an example of a plasma CVD apparatus, discharge electrodes 11 are excited by the RF coil 10 is provided in the reaction chamber, placed on the substrate holder 12 having a built-in heater 15 on the surface of the substrate 13 which is to generate a plasma 14. V0はこの発明により、基板に対して負電位を与えるバイアス電源である。 V0 by the present invention, a bias power source for supplying a negative potential relative to the substrate.

【0018】図7は、イオンビーム蒸着装置の一例を示すもので、通常は基板20を接地電位とし、照射エネルギに相当する正の電位V1を金属イオン源21に与え、 [0018] Figure 7 shows an example of an ion beam deposition device, usually the ground potential of the substrate 20, provides a positive potential V1 corresponding to the irradiation energy to the metal ion source 21,
イオン加速部22、質量分離部(通常は電磁石)23およびイオン減速部24にはイオン引出電位に相当する負の高電位V2を印加する。 Ion acceleration portion 22, mass separation unit (typically electromagnets) to 23 and ion reduction unit 24 applies a negative high potential V2 corresponding to the ion extraction potential. V1は通常10〜100V、V2 V1 is usually 10~100V, V2
は通常数10KVである。 It is usually the number of 10KV. この発明では、通常は安全性の確保のために接地電位とされる基板電位を接地電位に対して負電位V3とすることにより、前述したとおり緻密かつ高硬度の保護膜を形成することができる。 In the present invention, typically by a negative potential V3 of the substrate potential to be the ground potential in order to ensure safety with respect to the ground potential, it is possible to form a protective film of dense and high hardness as described above .

【0019】 [0019]

【発明の効果】以上のように、この発明はカーボン保護層の成膜時に−600V以上−200V以下の電位を基体に印加し、かつ、ラマンパラメータB/Aが1.5以下であることにより、高硬度を有し優れた摺動特性を示し、かつ表面ガスコンタミ吸着や磁性層中からのCo析出を抑制できる保護膜を提供できる。 As the foregoing, the invention provides a -200V following potential than -600V when forming the carbon protective layer is applied to the substrate, and, by Raman parameter B / A is 1.5 or less, high indicates excellent sliding characteristics have a hardness, and can provide a protective film can suppress the Co deposition from the surface gas contamination adsorption or magnetic layer.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の実施例にかかる磁気記録媒体の層構成図 [1] a layer diagram of a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention

【図2】基板バイアス電圧とラマンパラメータとの関係を示す特性線図 [Figure 2] characteristic diagram showing the relationship between the substrate bias voltage and the Raman parameters

【図3】本願実施例と従来例のコンタクトスタートストップ特性比較図 [Figure 3] a contact start-stop characteristics comparison diagram of the present embodiment and the conventional example

【図4】コバルト析出量に関するスパッタ膜とCVD膜との特性比較図 [4] characteristic comparison diagram between the sputtered film and the CVD film related cobalt deposition amount

【図5】アンモニアガス表面吸着量に関するスパッタ膜とCVD膜との特性比較図 [5] characteristic comparison diagram between the sputtered film and the CVD film related ammonia gas surface adsorption

【図6】プラズマCVD装置におけるこの発明の実施例の概念図 Figure 6 is a conceptual diagram of an embodiment of the present invention in the plasma CVD apparatus

【図7】イオンビーム蒸着装置におけるこの発明の実施例の概念図 [7] conceptual diagram of an embodiment of the present invention in an ion beam deposition apparatus

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1:アルミ合金基板、2:ニッケル燐メッキ層、クロム合金下地層、4:コバルト合金磁性層、5:カーボン保護膜層、V0,V3:基板への負電位印加手段 1: Aluminum alloy substrate, 2: nickel-phosphorus plating layer, chrome alloy underlayer, 4: cobalt alloy magnetic layer, 5: carbon protective layer, V0, V3: negative potential applying means to the substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 壮太 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 原 直毅 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 Fターム(参考) 5D006 AA02 AA05 BB01 CA01 DA03 EA03 FA02 5D112 AA03 AA05 AA07 AA24 BB05 BC05 BD04 FA04 FA06 FA10 FB26 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Sota Matsuo, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Kawasaki-ku, Tanabeshinden No. 1 No. 1 Fuji Electric Co., Ltd. in the (72) inventor Naoki Hara Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Kawasaki-ku, Tanabeshinden No. 1 No. 1 Fuji Electric Co., Ltd. in the F-term (reference) 5D006 AA02 AA05 BB01 CA01 DA03 EA03 FA02 5D112 AA03 AA05 AA07 AA24 BB05 BC05 BD04 FA04 FA06 FA10 FB26

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】非磁性基板上にスパッタリング法によりC C by a sputtering method 1. A non-magnetic substrate
    rを含む非磁性下地層、Coを含む磁性記録層などが設けられ、更にプラズマ−CVD法により磁性記録層を保護するための保護層が設けられる磁気記録媒体において、保護層の構成元素にカーボンが含まれ、保護層の成膜時に基板電位を成膜装置アース電位に対して負電位とすることを特徴とする磁気記録媒体製造方法。 Non-magnetic undercoat layer containing r, like magnetic recording layer is provided containing Co, a magnetic recording medium where the protective layer is provided for protecting the magnetic recording layer by further plasma -CVD method, carbon as a constituent element of the protective layer It includes, a magnetic recording medium manufacturing method characterized by the negative potential of the substrate potential at the time of film formation of the protective layer against deposition apparatus ground potential.
  2. 【請求項2】ラマンパラメータB/A(514nmの波長を用いたラマン分光分析より得られるカーボン系保護層のラマンスペクトルの1800cm -1から900cm -1の領域においてピーク強度Bとバックグラウンド補正を行った後のピーク強度Aとの比)が1.5以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体製造方法。 Wherein performing Raman parameter B / A (wavelength peak intensity B and background correction in the region of 900 cm -1 from 1800 cm -1 of the Raman spectrum of the carbon-based protective layer obtained from the Raman spectroscopic analysis using a 514nm the magnetic recording medium manufacturing method of claim 1, wherein the ratio of the peak intensity a) is 1.5 or less after.
  3. 【請求項3】カーボン系保護層成膜時に印加する電位が−600V以上−200V以下であることを特徴とする請求項1 3. A process according to claim 1 in which the potential applied during the carbon-based protective layer deposition is equal to or less than -200V or -600V
    または2に記載の磁気記録媒体製造方法。 Or second magnetic recording medium manufacturing method according to.
  4. 【請求項4】保護層の厚さが30Å以上150Å以下であることを特徴とする請求項3記載の磁気記録媒体製造方法。 4. A magnetic recording medium manufacturing method of claim 3, wherein the thickness of the protective layer is less than 150Å than 30 Å.
  5. 【請求項5】ECR-CVD法を用いてカーボン保護膜を形成することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。 5. A magnetic recording medium manufacturing method according to any one of claims 1 to 4 by using the ECR-CVD method, and forming a carbon protective film.
  6. 【請求項6】イオンビーム法を用いてカーボン保護膜を形成することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。 6. A magnetic recording medium manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that to form a carbon protective film by using an ion beam method.
  7. 【請求項7】非磁性基板上にスパッタリング法によりC C by a sputtering method 7. nonmagnetic substrate
    rを含む非磁性下地層、Coを含む磁性記録層などが設けられ、更にプラズマ−CVD法により磁性記録層を保護するための保護層が設けられる磁気記録媒体において、保護層の構成元素にカーボンが含まれ、保護層の成膜時に基板電位が成膜装置アース電位に対して−600V以上−200V以下とされ保護層の厚さが30Å以上150Å以下とされることを特徴とする磁気記録媒体。 Non-magnetic undercoat layer containing r, like magnetic recording layer is provided containing Co, a magnetic recording medium where the protective layer is provided for protecting the magnetic recording layer by further plasma -CVD method, carbon as a constituent element of the protective layer the magnetic recording medium characterized in that is included, the substrate potential at the time of deposition of the protective layer thickness of -600V over -200V follows is a protective layer against deposition apparatus ground potential is less 150Å or more 30Å .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006351135A (en) * 2005-06-17 2006-12-28 Hoya Corp Magnetic disk and manufacturing method for magnetic disk
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