JP2000339212A - Data changing method for nonvolatile memory - Google Patents

Data changing method for nonvolatile memory

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JP2000339212A
JP2000339212A JP15292999A JP15292999A JP2000339212A JP 2000339212 A JP2000339212 A JP 2000339212A JP 15292999 A JP15292999 A JP 15292999A JP 15292999 A JP15292999 A JP 15292999A JP 2000339212 A JP2000339212 A JP 2000339212A
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JP
Japan
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block
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JP15292999A
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Inventor
Masahiro Ando
Ryuji Takahashi
正博 安藤
隆二 高橋
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Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data rewriting method of making data intrinsic to a device possible to stored in a nonvolatile memory such as a flash ROM and making the device simple. SOLUTION: When a rewriting instruction and data come from an input port 1, a block including a desired address is read from the flash ROM 4, written in a buffer RAM 2 via a CPU 3 for retraction and the block in the flash ROM 4 which is read now is deleted by a program. Next, data of the desired address in the buffer RAM 2 are rewritten to new data and written in the flash ROM 4 by gathering them by one block. Then, data to be rewritten appears to be rewritten by unit of byte/word in appearance though the entire block is actually rewritten.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電源を切っても内容が保存される不揮発性メモリのデータ変更方法に関する。 The present invention relates to relates to a data change method of the non-volatile memory whose contents are preserved even when the power is turned off.

【0002】 [0002]

【従来の技術】一度記憶したら電源を切っても内容が保存される不揮発性メモリの一種としてフラッシュメモリ(flash memory)が知られている。 Even when the power is turned off When the Background of the Invention once the contents stored in flash memory (flash memory) has been known as a kind of non-volatile memory to be saved. フラッシュメモリは、あるまとまった単位、例えば128バイトのブロック単位で消去されるか、あるいは全内容を一括消去され、1バイト又は1ワードずづ消去/書き込みができないため、ファームウェアとしてのプログラムを記憶している機器組込用のROMとして使う場合は、プログラムのバージョンアップという用途でしか書き込み機能が使えない。 Flash memory is either erased in blocks of a certain cohesive unit, for example, 128 bytes, or are collectively erased the entire contents, it can not be one byte or one word not a Dzu erase / write, stores a program as firmware If you want to use as a ROM for equipment assembly write and are, writing function can not be used only in applications that version-up of the program.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プログラムの実行により所定の動作を行う装置では、例えば装置出荷時の設定情報や、装置固有のパラメータ等の固有のデータを保存する必要がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the apparatus for performing a predetermined operation by the execution of the program, for example, setting information at the time of device shipment, it is necessary to store the specific data, such as device-specific parameters. これらの設定情報やデータ等は1バイト又は1ワードというような単位で書き込み・消去が必要であるため、電気的に1バイトずつ書き込み・消去が可能なEEPROM(Electrically Era Since these settings information and data are needed write and erase units such as that 1 byte or 1 word, electrically writable and erase one byte EEPROM (Electrically Era
sable and Programmable Read Only Memory)に記憶されるのが一般的であった。 sable and Programmable Read Only Memory) being stored in it was common. 装置に記憶部として上記フラッシュROMの他、EEPROMをつけるのでは、回路も複雑になり、基板面積も大きくなってしまう。 Device in addition to the above flash ROM as a storage unit, than put EEPROM, the circuit becomes complicated, resulting in larger substrate area.

【0004】本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、上記フラッシュROMのような不揮発性メモリに装置固有のデータを保存させることができ、装置が簡略化できるデータ書き換え方法の提供を目的とする。 [0004] The present invention has been made in view of the above, it is possible to store the device-specific data in the nonvolatile memory as the flash ROM, and provides the data rewriting method of device can be simplified for the purpose.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る不揮発性メモリのデータ変更方法は、上記課題を解決するために、 Data change method of a nonvolatile memory according to the present invention, in order to solve the problems] In order to solve the above problems,
不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1 At least 1 comprising rewriting target portion of the non-volatile memory
ブロックをバッファメモリに読み込む読み込み工程と、 And reading process of reading the block in the buffer memory,
上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少なくとも1ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換え工程と、上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なくとも1ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程とを備える。 A rewriting step of rewriting only necessary portions of the at least one block read into the buffer memory in the read process, at least one block is rewritten only a necessary part in the redrawing process and a step of returning to the non-volatile memory.

【0006】すなわち、不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1ブロックをバッファメモリに読み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性メモリに戻す。 Namely, reading at least one block including a rewritten portion of the non-volatile memory in the buffer memory, and returns after rewriting only necessary portions in the non-volatile memory.

【0007】従来、機器組み込みのファームウェアのプログラムメモリとしてフラッシュROMを使う場合、プログラムのバージョンアップという用途でしか書き換え機能が使われないが、フラッシュROMが持つブロック単位での消去/書き込みと装置の持つバッファRAMを利用して、EEPROMのようにバイト或いはワード単位で装置固有のデータを保存することができる。 Conventionally, when using a flash ROM as a program memory for the device-embedded firmware, only rewrite function in applications that upgrade program is not used, with the erasing / writing the device in block units with a flash ROM by utilizing the buffer RAM, a byte or word units as EEPROM may store device-specific data.

【0008】また、プログラム的に書き換え禁止のブロックを作っておき、そこに書き換えプログラムを用意しておくことで、他のプログラムROMを持たなくともフラッシュROM自身で書き換えることが可能となる。 [0008] Alternatively, it is acceptable to make a block of programs to rewrite ban, by preparing a rewrite program there, it is possible to rewrite in a flash ROM itself without no other program ROM.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described with reference to the drawings, embodiments of the present invention. この実施の形態は、プログラムROMとして不揮発性メモリの一種であるフラッシュROMを用いた図1に示すマイクロコンピュータを積んだ装置である。 This embodiment is a device loaded with a microcomputer shown in FIG. 1 using a flash ROM which is a kind of non-volatile memory as a program ROM.

【0010】内部にROM/RAM5を備えた中央演算処理装置(CPU)3には、入力ポート1と、バッファRAM2とフラッシュROM4が接続されている。 [0010] internal central processing unit having a ROM / RAM 5 in (CPU) 3 includes an input port 1, the buffer RAM2 and flash ROM4 is connected.

【0011】書き換え命令とデータが入力ポート1から来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロックをフラッシュROM4から読み込み、CPU3を介してバッファRAM2に退避のため書き込み、今、読み込んだフラッシュROM4内のブロックを消去する。 [0011] When the rewrite instruction and data coming from the input port 1, the program reads the block that contains the address of the target from the flash ROM4, writing for the evacuation to buffer RAM2 through the CPU3, now, block in the flash ROM4 to read to erase.

【0012】次に、バッファRAM2内の目的アドレスのデータを新しいデータに書き換え、1ブロック分をまとめてフラッシュROM4に書き込む。 [0012] Next, rewriting the data of the target address of the buffer RAM2 to the new data is written to the flash ROM4 together one block. すると、実際にはブロック全体を書き換えているものの、見かけ上は書き換えるべきデータをバイト/ワード単位で書き換えたように見える。 Then, although in practice is rewritten entire block, it appears to rewrite the data to apparently rewritten in byte / word units.

【0013】図2及び図3を用いて詳細な動作を説明する。 [0013] a detailed operation with reference to FIGS. 入力ポート1から書き換え命令とデータが供給されると、先ず、図2のステップS1にて、書き込むべきアドレスとデータをCPU3のレジスタに例えば16ビット単位でストアする。 Rewriting instruction and data are supplied from the input port 1, first, at step S1 of FIG. 2, stores the address and data registers, for example, 16 bits of CPU3 be written.

【0014】次に、ステップS2で図3に示すように目的アドレスを含む1ブロックをフラッシュROM4からバッファRAM2へ読み込む。 [0014] Next, read one block containing the desired address as shown in FIG. 3 in step S2 from the flash ROM4 to the buffer RAM 2. そして、ステップS3でフラッシュROM4内の上記1ブロックを消去する。 Then, to erase the block of the flash ROM4 in step S3.

【0015】次に、ステップS4においてバッファRA [0015] Next, the buffer RA in the step S4
M2内で書き込むべきアドレスにデータを書き込む。 Writing data to the address to be written in the M2.

【0016】そして、ステップS5でバッファRAM2 [0016] The buffer RAM2 in step S5
からCPU3へ16ビット単位でデータをストアし、ステップS6でCPU3からフラッシュROM4へデータを書き込む。 Stores the data in 16-bit units to CPU3 from and writes data from CPU3 in step S6 to the flash ROM 4.

【0017】また、フラッシュROM4を書き換える際にそのプログラム自体が消えないためには、CPU3内部ROM/RAM5内に、またはフラッシュROM4内のプログラム的に書き換え禁止にされたブロックに格納する必要がある。 Further, in order to the program itself does not disappear when rewriting the flash ROM4 is in CPU3 internal ROM / RAM 5, or should be stored in blocks in the program to rewrite prohibited in flash ROM4.

【0018】したがって、上記実施の形態によれば、プログラムを格納してあるフラッシュROM4でありながらEEPROMのように装置固有のデータを保存することができる。 [0018] Thus, according to the above embodiment, it is possible to store the device-specific data as EEPROM while a flash ROM4 are stored programs. また、バッファRAM2を使うことでフラッシュROM4の書き込み速度の遅さをカバーすることができる。 Further, it is possible to cover the slowness of the writing speed of the flash ROM4 by using the buffer RAM 2. EEPROMを付けなくて済むので、装置が簡略化できる。 Since it is not necessary with the EEPROM, device can be simplified.

【0019】 [0019]

【発明の効果】本発明では、不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1ブロックをバッファメモリに読み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性メモリに戻すので、上記フラッシュROMのような不揮発性メモリに装置固有のデータを保存させることができ、装置を簡略化できる。 In the present invention, reading at least one block including a rewritten portion of the non-volatile memory in the buffer memory, so back after rewriting only necessary portions in the non-volatile memory, nonvolatile memory, such as the flash ROM it is possible to store the device-specific data, the apparatus can be simplified.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態となる装置のブロック図である。 1 is a block diagram of a form to become apparatus according to the present invention.

【図2】上記装置の動作を説明するためのフローチャートである。 2 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus.

【図3】上記装置の動作を説明するための図である。 3 is a diagram for explaining the operation of the apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 入力ポート、2 バッファRAM、3 CPU、4 1 input port, second buffer RAM, 3 CPU, 4
フラッシュROM Flash ROM

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1ブロックをバッファメモリに読み込む読み込み工程と、 上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少なくとも1ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換え工程と、 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なくとも1ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程とを備えることを特徴とする不揮発性メモリのデータ変更方法。 And reading step 1. A read at least one block including a rewritten portion of the non-volatile memory to the buffer memory, the rewriting step of rewriting only necessary portions of the at least one block read into the buffer memory in the read process, data change method of the non-volatile memory, characterized in that it comprises the step of returning at least one block which is rewritten only necessary positions in the nonvolatile memory in the redrawing process.
  2. 【請求項2】 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なくとも1ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程の前に、上記不揮発性メモリ内の上記1ブロックを消去しておく工程を備えることを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 The method according to claim 2, wherein at least one block is rewritten only a necessary part in the redrawing process prior to the step of returning to the non-volatile memory, characterized in that it comprises a step to keep erasing the first block in the nonvolatile memory non-volatile data change method of a memory according to claim 1,.
  3. 【請求項3】 上記読み込み工程で上記不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1ブロックをバッファメモリに読み込むときには、中央演算処理装置のレジスタに所定ビット単位でデータをストアしながら読み込むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 When wherein reading the at least one block including a rewritten portion of the nonvolatile memory in the read process in the buffer memory, and wherein a read while storing data in a predetermined bit unit in the register of the central processing unit non-volatile data change method of a memory according to claim 1.
  4. 【請求項4】 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なくとも1ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程では、中央演算処理装置のレジスタに所定ビット単位でデータをストアしながら戻すことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 The method according to claim 4 wherein the step of returning at least one block is rewritten only a necessary part in the redrawing process in the nonvolatile memory, characterized in that the register of the central processing unit returns while storing data in a predetermined bit unit data change method of a nonvolatile memory according to claim 1.
  5. 【請求項5】 上記不揮発性メモリの中に書き換え禁止ブロックを形成し、そのブロックに書き換えプログラムを格納しておくことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 Wherein said nonvolatile rewrite disable block form in memory, nonvolatile data change method of a memory according to claim 1, wherein the storing the rewriting program to the block.
  6. 【請求項6】 上記書き換え禁止ブロックは書き換え対称箇所を含む少なくとも1ブロックとはならないことを特徴とする請求項5記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 Wherein said rewrite disable block nonvolatile data change method of a memory according to claim 5, wherein the not at least one block including a rewriting symmetric locations.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6728164B2 (en) 2001-09-26 2004-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Flash memory rewrite circuit, semiconductor integrated circuit, memory card having the semiconductor integrated circuit thereof, method of rewriting flash memory and flash memory rewriting program
JP2005531842A (en) * 2002-06-28 2005-10-20 アクサルト・エス・アー System for implementing the writing method and the method of the nonvolatile memory

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