JP2000331968A - Wafer protection tape - Google Patents

Wafer protection tape

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JP2000331968A
JP2000331968A JP11141382A JP14138299A JP2000331968A JP 2000331968 A JP2000331968 A JP 2000331968A JP 11141382 A JP11141382 A JP 11141382A JP 14138299 A JP14138299 A JP 14138299A JP 2000331968 A JP2000331968 A JP 2000331968A
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JP
Japan
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wafer
sheet
protection tape
processing
station
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Application number
JP11141382A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Ishikawa
俊彦 石川
Yasushi Katagiri
恭 片桐
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
株式会社東京精密
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer protection tape which can prevent damages to a wafer, when the wafer is worked or transported, and, in addition, can be handles easily when the wafer is transferred. SOLUTION: A wafer protection tape T is stuck to one surface of a wafer W, when the other surface of the wafer W is worked with a planarizing device and is composed of a flexible first sheet B and a second sheet D having elastic strength. The recessed and projected sections (x) formed on the surface of the wafer W are absorbed by the flexible first sheet B and the warping of the wafer caused by the own-weight of the wafer W is held by means of the second sheet D.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ保護テープ
に係り、特に平面加工装置でウェーハの裏面を加工する
際にウェーハの表面に貼着されるウェーハ保護テープに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer protection tape, and more particularly, to a wafer protection tape that is adhered to the front surface of a wafer when processing the back surface of the wafer with a plane processing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】平面加工装置例えば平面研削装置は、ウ
ェーハの表面をチャックテーブルで吸着保持してウェー
ハの裏面を砥石で研削する。このため、加工に際してウ
ェーハの表面側に形成されている回路が破損したり汚れ
たりするおそれがある。そこで、平面加工装置でウェー
ハを加工する場合、ウェーハは表面に保護テープを貼着
して加工するようにしている。
2. Description of the Related Art A plane processing apparatus such as a plane grinding apparatus suction-holds the front surface of a wafer with a chuck table and grinds the back surface of the wafer with a grindstone. For this reason, the circuit formed on the front surface side of the wafer may be damaged or stained during processing. Therefore, when processing a wafer with a plane processing apparatus, the wafer is processed by attaching a protective tape to the surface.
【0003】そして、従来の保護テープは、図3に示す
ように、ポリオレフィン等の弾性材料で成形したシート
1に粘着剤2を塗布したものを使用していた。これは弾
性材料で成形したシート1を使用することにより、ウェ
ーハWのデバイス面に形成されている凹凸(パンプ等)
を吸収することができるからであり、これにより、加工
時における局部的な応力集中を避け、ウェーハに生じる
割れや欠けを防止しようとするものである。
As a conventional protective tape, as shown in FIG. 3, an adhesive 2 is applied to a sheet 1 formed of an elastic material such as polyolefin. This is because, by using the sheet 1 formed of an elastic material, irregularities (pumps and the like) formed on the device surface of the wafer W
This is intended to prevent local stress concentration at the time of processing and to prevent cracking and chipping occurring in the wafer.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、弾性材
料で成形したシート1は、ウェーハWと共に変形するた
め、自重などの影響でウェーハに反りが生じやすく、搬
送時においてウェーハが破損したり、取り扱いが極めて
不便であるという欠点がある。このような欠点を解消す
べく、図4に示すように、ガラス繊維等を混入させたあ
る程度強度を有するシート3に粘着剤4を塗布した保護
テープもあるが、この場合、ウェーハWに形成されてい
る凹凸を吸収することができず、裏面加工時に裏面に凹
凸が転写され、その部分に応力集中が発生してウェーハ
Wに割れや欠けが生じやすいという欠点がある。
However, since the sheet 1 formed of an elastic material is deformed together with the wafer W, the wafer is apt to be warped due to the influence of its own weight, etc. It has the disadvantage of being extremely inconvenient. As shown in FIG. 4, in order to solve such a drawback, there is a protective tape in which an adhesive 4 is applied to a sheet 3 having a certain degree of strength mixed with glass fibers or the like. The irregularities cannot be absorbed, and the irregularities are transferred to the rear surface during the processing of the rear surface, so that stress concentration occurs at that portion, so that the wafer W tends to be cracked or chipped.
【0005】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、加工時や搬送時におけるウェーハの破損を防止
し、また、搬送時における取り扱いが容易なウェーハ保
護テープを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a wafer protection tape that prevents damage to a wafer during processing and transport and that is easy to handle during transport. I do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、平面加工装置でウェーハの一方面を加工
する際に該ウェーハの他方面に貼着されるウェーハ保護
テープにおいて、前記ウェーハの他方面に貼着され、該
ウェーハに形成されている凹凸に倣って変形し、該凹凸
を吸収可能な弾性力を有する第1シートと、前記第1の
シートに貼着され、前記ウェーハの自重による反りを防
止可能な強度を有する第2シートと、からなることを特
徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer protection tape which is adhered to the other surface of a wafer when one surface of the wafer is processed by a plane processing apparatus. A first sheet that is adhered to the other surface of the wafer, deforms in accordance with the irregularities formed on the wafer, and has an elastic force capable of absorbing the irregularities, and is adhered to the first sheet; And a second sheet having a strength capable of preventing warpage due to its own weight.
【0007】本発明によれば、ウェーハ保護テープは、
第1シートと第2シートの2つのシートから構成されて
いる。ウェーハに形成されている凹凸は、弾性力を有す
る第1シートによって吸収される。これにより、加工時
における局部的な応力集中を避け、ウェーハに生じる割
れや欠けを防止することができる。また、その第1シー
トには、強度を有する第2シートが貼着されているの
で、自重によるウェーハの反りを防止することができ
る。これにより、搬送時におけるウェーハの取り扱いが
容易になる。
According to the present invention, the wafer protection tape comprises:
It is composed of two sheets, a first sheet and a second sheet. The unevenness formed on the wafer is absorbed by the first sheet having elasticity. As a result, local stress concentration at the time of processing can be avoided, and cracks and chips generated in the wafer can be prevented. Further, since the second sheet having strength is attached to the first sheet, the warpage of the wafer due to its own weight can be prevented. This facilitates handling of the wafer during transfer.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ保護テープの好ましい実施の形態について詳
説する。本発明に係るウェーハ保護テープは、平面加工
装置でウェーハの裏面を加工する際に、そのウェーハの
表面に形成されている回路を保護するためにウェーハの
表面に貼着されるものである。そこで、まず、本発明に
係るウェーハ保護テープが使用される平面研削装置の概
要について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer protection tape according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. The wafer protection tape according to the present invention is affixed to the front surface of a wafer in order to protect a circuit formed on the front surface of the wafer when the back surface of the wafer is processed by the plane processing apparatus. Therefore, first, an outline of a surface grinding apparatus using the wafer protection tape according to the present invention will be described.
【0009】図1は、平面研削装置10の構成を示す斜
視図である。同図に示すように、平面研削装置10は、
本体12にカセット収納ステージ14、アライメントス
テージ16、粗研削ステーション18、精研削ステーシ
ョン20、研磨ステーション22、研磨布洗浄ステージ
23、研磨布ドレッシングステージ27及びウェーハ洗
浄ステージ24が設けられて構成されている。
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a surface grinding apparatus 10. As shown in FIG.
The main body 12 is provided with a cassette storage stage 14, an alignment stage 16, a rough grinding station 18, a fine grinding station 20, a polishing station 22, a polishing cloth cleaning stage 23, a polishing cloth dressing stage 27, and a wafer cleaning stage 24. .
【0010】カセット収納ステージ14には、2台のカ
セット26、26がセットされ、これらのカセット2
6、26には、加工前のウェーハWが多数枚収納されて
いる。カセット26に収納されているウェーハWは、搬
送用ロボット30のハンド31に吸着保持されて1枚ず
つカセット26から取り出され、アライメントステージ
16に搬送される。
On the cassette storage stage 14, two cassettes 26, 26 are set.
A large number of unprocessed wafers W are stored in the wafers 6 and 26. The wafers W stored in the cassette 26 are sucked and held by the hand 31 of the transfer robot 30, taken out of the cassette 26 one by one, and transferred to the alignment stage 16.
【0011】アライメントステージ16は、ウェーハW
を所定の位置に位置合わせするステージである。このア
ライメントステージ16で位置合わせされたウェーハW
は、前記搬送用ロボット30によって空のチャック32
に向けて搬送され、該チャック32に吸着保持される。
チャック32は、インデックステーブル34に設置され
ており、該インデックステーブル34には、このチャッ
ク32を含めて4台のチャック32、36、38、40
が同心円上に90°間隔で配設されている。ここで、図
1において、チャック36は、粗研削ステーション18
に位置しており、ウェーハWは、この粗研削ステーショ
ン18で粗研削される。また、チャック38は、精研削
ステーション20に位置しており、ウェーハWは、この
精研削ステーション20で仕上げ研削される。さらに、
チャック40は、研磨ステーション22に位置してお
り、ウェーハWは、この研磨ステーション22で研磨さ
れる。
[0011] The alignment stage 16
Is a stage for adjusting the position to a predetermined position. The wafer W aligned by the alignment stage 16
Is an empty chuck 32 by the transfer robot 30.
And is sucked and held by the chuck 32.
The chuck 32 is installed on an index table 34. The index table 34 includes four chucks 32, 36, 38, 40 including the chuck 32.
Are arranged at 90 ° intervals on concentric circles. Here, in FIG. 1, the chuck 36 is
, And the wafer W is roughly ground at the rough grinding station 18. The chuck 38 is located at the fine grinding station 20, and the wafer W is finish-ground at the fine grinding station 20. further,
The chuck 40 is located at the polishing station 22, and the wafer W is polished at the polishing station 22.
【0012】前記チャック32に吸着保持されたウェー
ハWは、図示しない測定ゲージによってその厚みが測定
される。厚みが測定されたウェーハWは、インデックス
テーブル34の回転で粗研削ステーション18に移動
し、粗研削ステーション18のカップ型砥石46によっ
てウェーハWの裏面が粗研削される。ここで、この粗研
削ステーション18のカップ型砥石46は、図1に示す
ように、モータ48に連結されており、このモータ48
に駆動されて回転する。また、このカップ型砥石46
は、モータ48のサポート用ケーシング50を介して砥
石送り装置52に取り付けられており、この砥石送り装
置52に駆動されて昇降移動する。そして、この砥石送
り装置52に駆動されて下降することにより、ウェーハ
Wの裏面に押し付けられて、ウェーハWの裏面を粗研削
する。
The thickness of the wafer W sucked and held by the chuck 32 is measured by a measuring gauge (not shown). The wafer W whose thickness has been measured moves to the rough grinding station 18 by rotation of the index table 34, and the back surface of the wafer W is roughly ground by the cup-type grindstone 46 of the rough grinding station 18. Here, the cup-shaped grindstone 46 of the rough grinding station 18 is connected to a motor 48 as shown in FIG.
It is driven to rotate. In addition, the cup-shaped whetstone 46
Is mounted on a grindstone feeder 52 via a support casing 50 of a motor 48, and is driven up and down by the grindstone feeder 52. Then, the wafer W is driven by the grindstone feeder 52 and descends, thereby being pressed against the back surface of the wafer W and roughly grinding the back surface of the wafer W.
【0013】粗研削ステーション18で裏面が粗研削さ
れたウェーハWは、図示しない厚み測定ゲージによって
その厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハW
は、インデックステーブル34の回転で精研削ステーシ
ョン20に移動し、精研削ステーション20のカップ型
砥石54によって仕上げ研削される。なお、この精研削
ステーション20の構成は、粗研削ステーション18の
構成と略同じである。
The thickness of the wafer W whose back surface has been roughly ground at the rough grinding station 18 is measured by a thickness measuring gauge (not shown). Wafer W with measured thickness
Is moved to the fine grinding station 20 by the rotation of the index table 34, and is finish-ground by the cup-type grindstone 54 of the fine grinding station 20. The configuration of the fine grinding station 20 is substantially the same as the configuration of the coarse grinding station 18.
【0014】精研削ステーション20で裏面が精研削さ
れたウェーハWは、図示しない厚み測定ゲージによって
その厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハW
は、インデックステーブル34の回転で研磨ステーショ
ン22に移動し、研磨ステーション22の研磨布56と
該研磨布56から供給されるスラリとによって研磨さ
れ、その裏面に生じている加工変質層が除去される。
The thickness of the wafer W whose back surface has been finely ground in the fine grinding station 20 is measured by a thickness measuring gauge (not shown). Wafer W with measured thickness
Is moved to the polishing station 22 by the rotation of the index table 34, is polished by the polishing cloth 56 of the polishing station 22 and the slurry supplied from the polishing cloth 56, and the affected layer generated on the back surface is removed. .
【0015】研磨ステーション22で研磨されたウェー
ハWは、図示しない搬送ロボットによってウェーハ洗浄
ステージ24に搬送され、該ウェーハ洗浄ステージ24
で洗浄、乾燥される。なお、ウェーハ洗浄ステージ24
としては、リンス洗浄機能及びスピン乾燥機能を有する
ステージが適用される。ウェーハ洗浄ステージ24で洗
浄、乾燥が終了したウェーハWは、ロボット30のハン
ド31に吸着保持されて、カセット26の所定の棚に収
納される。
The wafer W polished in the polishing station 22 is transferred to a wafer cleaning stage 24 by a transfer robot (not shown).
And washed. The wafer cleaning stage 24
A stage having a rinsing function and a spin drying function is applied. The wafer W that has been cleaned and dried in the wafer cleaning stage 24 is suction-held by the hand 31 of the robot 30 and stored in a predetermined shelf of the cassette 26.
【0016】平面研削装置10は以上のように構成され
ている。上記の説明から明らかなように、ウェーハWは
平面研削装置10で加工する際、表面側をチャック3
2、36、38、40で吸着保持して、その裏面側を加
工するようにしている。このため、ウェーハWは、表面
側に形成されている回路が加工により破損したり汚れた
りするおそれがある。
The surface grinding apparatus 10 is configured as described above. As is apparent from the above description, when the wafer W is processed by the surface grinding device 10, the front surface side is the chuck 3
It is held by suction at 2, 36, 38, and 40, and the back side is processed. For this reason, the circuit formed on the front surface side of the wafer W may be damaged or stained by processing.
【0017】そこで、ウェーハWは、加工に際して、そ
の表面にウェーハ保護テープを貼着して、表面に形成さ
れた回路等の破損や汚れを防止するようにしている。以
下、本発明に係るウェーハ保護テープの実施の形態につ
いて説明する。図2は、本実施の形態のウェーハ保護テ
ープTの構成を示す要部断面図である。同図に示すよう
に、本実施の形態のウェーハ保護テープTは、ウェーハ
Wの表面に粘着剤Aを介して貼着される第1シートB
と、その第1シートBに粘着剤Cを介して貼着される第
2シートDによって構成されている。そして、第1シー
トBは、ウェーハWに形成されている凹凸xに倣って変
形可能な弾性力を有する材料、たとえばポリエレフィン
等によって成形されており、第2シートDは、ウェーハ
Wの自重による反りを防止可能な強度を有する材料、た
とえば、ポリエチレンテレフタレート等によって成形さ
れている。
Therefore, when processing the wafer W, a wafer protection tape is stuck on the surface thereof to prevent breakage and contamination of circuits and the like formed on the surface. Hereinafter, embodiments of the wafer protection tape according to the present invention will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a configuration of the wafer protection tape T of the present embodiment. As shown in FIG. 1, a wafer protection tape T of the present embodiment includes a first sheet B adhered to the surface of a wafer W via an adhesive A.
And a second sheet D attached to the first sheet B via an adhesive C. The first sheet B is formed of a material having an elastic force capable of deforming in accordance with the irregularities x formed on the wafer W, for example, a polyelefin, and the second sheet D is warped by its own weight. Is formed of a material having a strength capable of preventing the occurrence of a crack, for example, polyethylene terephthalate or the like.
【0018】以上のように構成された本実施の形態のウ
ェーハ保護テープTによれば、ウェーハWの表面に形成
されている凹凸xは、弾性力を有する第1シートBによ
って吸収することができるので、これにより、裏面加工
時に局部的な応力集中が生じるのを回避することができ
る。また、第1シートBには、強度を有する第2シート
Dが貼着されているので、自重によるウェーハWの反り
を防止することができる。これにより、ウェーハWの搬
送時における取り扱いが容易になる。
According to the wafer protection tape T of the present embodiment configured as described above, the unevenness x formed on the surface of the wafer W can be absorbed by the first sheet B having an elastic force. Therefore, it is possible to avoid occurrence of local stress concentration at the time of processing the back surface. Further, since the second sheet D having strength is attached to the first sheet B, the warp of the wafer W due to its own weight can be prevented. This facilitates handling of the wafer W during transfer.
【0019】さらに、ガラスのような固形物を使用せ
ず、弾性体で構成することにより、保護テープを連続で
扱うことができ、自動化が容易になる。
Furthermore, by using an elastic body without using a solid material such as glass, the protection tape can be handled continuously, which facilitates automation.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハに形成されている凹凸を吸収することができる
とともに、自重によるウェーハの反りを防止することが
できる。これにより、加工時における局部的な応力集中
を避け、ウェーハに生じる割れや欠けを防止することが
できるとともに、搬送時におけるウェーハの取り扱いが
容易になる。
As described above, according to the present invention,
The unevenness formed on the wafer can be absorbed, and the warpage of the wafer due to its own weight can be prevented. Thereby, local stress concentration at the time of processing can be avoided, cracking or chipping occurring in the wafer can be prevented, and handling of the wafer at the time of transport becomes easy.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】平面研削装置の構成を示す斜視図FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a surface grinding device.
【図2】本発明に係るウェーハ保護テープの構成を示す
構成を示す要部断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a configuration of a wafer protection tape according to the present invention.
【図3】従来のウェーハ保護テープの構成を示す構成を
示す断面図
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional wafer protection tape.
【図4】従来のウェーハ保護テープの構成を示す構成を
示す断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional wafer protection tape.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
10…平面研削装置、W…ウェーハ、T…ウェーハ保護
テープ、A…粘着剤、B…第1シート、C…粘着剤、D
…第2シート
10: Surface grinding device, W: Wafer, T: Wafer protection tape, A: Adhesive, B: First sheet, C: Adhesive, D
… Second sheet

Claims (1)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 平面加工装置でウェーハの一方面を加工
    する際に該ウェーハの他方面に貼着されるウェーハ保護
    テープにおいて、 前記ウェーハの他方面に貼着され、該ウェーハに形成さ
    れている凹凸に倣って変形し、該凹凸を吸収可能な弾性
    力を有する第1シートと、 前記第1のシートに貼着され、前記ウェーハの自重によ
    る反りを防止可能な強度を有する第2シートと、からな
    ることを特徴とするウェーハ保護テープ。
    1. A wafer protection tape which is attached to the other surface of a wafer when one surface of the wafer is processed by a plane processing device, wherein the tape is attached to the other surface of the wafer and formed on the wafer. A first sheet deformed in accordance with the unevenness and having an elastic force capable of absorbing the unevenness; and a second sheet adhered to the first sheet and having a strength capable of preventing warpage due to the weight of the wafer, A wafer protection tape, comprising:
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