JP2000327883A - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition and semiconductor device

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JP2000327883A
JP2000327883A JP14029899A JP14029899A JP2000327883A JP 2000327883 A JP2000327883 A JP 2000327883A JP 14029899 A JP14029899 A JP 14029899A JP 14029899 A JP14029899 A JP 14029899A JP 2000327883 A JP2000327883 A JP 2000327883A
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epoxy resin
resin
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epoxy
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JP14029899A
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Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Ito
祐輔 伊藤
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
住友ベークライト株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition excellent in moldability, curability, mold release characteristics, heat resistance, and resistance to solder crack by using, as essential ingredients, an epoxy resin containing a diepoxy resin and a resin having at least three epoxy groups, a phenol resin curative, fused silica, a cure accelerator, and an organopolysiloxane. SOLUTION: An epoxy resin composition for semiconductor sealing is prepared by using, as essential ingredients, (A) an epoxy resin which contains 10-60 wt.% at least one crystalline epoxy resin selected from among epoxy resins represented by formulas I, II, and III (wherein R is H, halogen or 1-9C alkyl) and 40-90 wt.% noncrystalline epoxy resin having, on average, at least three epoxy groups, (B) a phenol resin curative, (C) fused silica in an amount of 75-93 wt.% of the composition, and (D) a polyether-group-containing organopolysiloxane exemplified by formula IV in an amount of 0.05-2 wt.% of the composition.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は成形性、耐半田クラック性に優れ、特に薄型パッケージに好適な半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention moldability, excellent in solder crack resistance, is particularly preferred epoxy resin composition for semiconductor encapsulation thin package, and a semiconductor device using the same.

【0002】 [0002]

【従来の技術】IC、LSI等の半導体素子の封止方法としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形による方法が低コスト、大量生産に適した方法として採用されて久しく、信頼性の点でもエポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化剤の改良により向上が図られてきた。 BACKGROUND ART IC, a long time is employed as a method for the method according to transfer molding is suitable for low cost, mass production of the epoxy resin composition as a sealing method of a semiconductor device such as LSI, also Ya epoxy resin in terms of reliability improved by improving the phenolic resin curing agents it has been attempted. しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も年々進み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。 However, miniaturization of electronic equipment in recent years, weight reduction, the market trend of high performance, high integration of semiconductors proceeds year by year, also, among the surface mounting of the semiconductor device is facilitated, epoxy semiconductor encapsulating request to the resin composition are becoming increasingly severe. このため、従来からの樹脂組成物では解決出来ない問題点も出てきている。 Therefore, the resin composition of the conventional and involves some problems that can not be resolved. その最大の問題点は、半導体装置の表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬、或いはリフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、樹脂組成物の硬化物が吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装置が割れたり、チップ、 Its biggest problem, the semiconductor device is solder dipping adoption of surface mount semiconductor devices, or suddenly exposed to a high temperature of over 200 ° C. in a reflow step, moisture cured product of the resin composition has absorbed moisture is explosively the stress at the time of vaporization, or crack the semiconductor device, chips,
リードフレーム、インナーリード上の各種メッキされた接合部分との各界面で剥離が生じ、信頼性が著しく低下する現象である。 Leadframe occurs peeling at the interfaces between the various plated joint portion on the inner leads, a phenomenon that the reliability is significantly lowered.

【0003】更に近年、半導体装置の薄型化に伴い、半導体装置中に占める樹脂組成物の硬化物の厚みが一段と薄くなってきており、64M、256MDRAMの半導体装置は、1mm厚のTSOPが主流となりつつある。 [0003] More recently, with the thinning of the semiconductor device, the thickness of the cured product of the resin composition occupied in the semiconductor device and is becoming increasingly thin, 64M, semiconductor device 256MDRAM is a 1mm thick TSOP becomes mainstream while there.
これら薄型パッケージには、樹脂組成物の成形時の充填性が良好で、金線変形が少なく、チップやリードフレームの変形(チップシフトやダイパッドシフトと呼ぶ)がないことが要求され、そのため樹脂組成物は、成形時の流動性に優れることが必要である。 These thin package, a good filling property at the time of molding the resin composition, less gold wires deform, deformation of the chip and the lead frame (referred to as a chip shift or die pad shift) is required that there is no, so the resin composition things, it is necessary to be excellent in fluidity during molding.

【0004】樹脂組成物としては、従来からオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂及び溶融シリカに代表される無機充填材からなる樹脂組成物が一般的である。 [0004] As the resin composition, conventionally made of an inorganic filler represented by ortho-cresol novolak type epoxy resin and a phenol novolak resin and a fused silica resin composition is generally used. この樹脂組成物は、多官能樹脂同士の硬化反応を伴うため、成形時の反応性が高く、硬化後の架橋密度が高いため、硬化物の硬度が高く、離型性、耐熱性に優れる等の特徴を有するため、広く使用されている。 The resin composition is accompanied the curing reaction of the polyfunctional resins together high reactivity at the time of molding, due to the high cross-linking density after curing, high hardness of the cured product, release properties, etc. excellent in heat resistance since having the characteristics, it is widely used. ところが、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、成形温度での溶融粘度が高いため、成形時の流動性に劣り、このため無機充填材を多量に配合できないので硬化物の低吸湿化に限界がある、或いは薄型パッケージの場合、充填性に劣る、基材との濡れ性が不足するため密着性に劣る等、更なる改良が望まれている。 However, the ortho-cresol novolak type epoxy resin, due to a high melt viscosity at the molding temperature, poor fluidity during molding, there is a limit to the low moisture absorption of the cured product because Accordingly unable blending an inorganic filler in a large amount, or in the case of thin package, poor filling properties, or the like poor adhesion due to the lack of wettability with the substrate, the further improvement has been desired. このためオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の内、分子量が小さく軟化点の低いものを使用して、成形時の流動性を向上させる試みもなされているが、このように軟化点の低いものを用いると、樹脂組成物が常温でも粘着性を示し、製造工程、成形時の使用工程等で、樹脂組成物の融着やタブレット変形等の原因となり、作業性が著しく劣る。 Thus among the ortho-cresol novolak type epoxy resin, using as low molecular weight of less softening point, but have also been made an attempt to improve the flowability during molding, the use of having a low thus softening point the resin composition also shows a tackiness at normal temperature, in the manufacturing process, use process such as the time of molding, it causes such as fusion or tablet deformation of the resin composition, workability is remarkably deteriorated.

【0005】一方、成形温度では低粘度となるが、常温では結晶性の固体であるエポキシ樹脂として、3, [0005] On the other hand, a low viscosity at the molding temperature, the epoxy resin is a crystalline solid at room temperature, 3,
3',5,5'−テトラメチル−4,4'−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂が開発され、実際に使用されている。 3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-dihydroxybiphenyl diglycidyl ether-type epoxy resins have been developed and actually used. このエポキシ樹脂を用いた樹脂組成物は、無機充填材の高充填化が可能なため低吸湿化が実現しやすく、且つ成形時に高い流動性を示すため、薄型パッケージ等の充填性に優れている。 The epoxy resin resin composition using, since high filling of the inorganic filler is capable likely low moisture absorption is achieved, because and exhibits high flowability during molding, has excellent filling property, such as thin package . しかし2官能のエポキシ樹脂であることにより、成形時の反応性が低く硬化性や離型性に劣り、又、硬化後の架橋密度が低いため成形品の耐熱性が低下し、半田処理の際の耐半田クラック性等の信頼性も不十分である。 However, by a bifunctional epoxy resin, poor in curability and releasability reactivity is low at the time of molding, also due to the low cross-linking density after curing reduces the heat resistance of the molded article, during soldering reliability such as the solder crack resistance is also insufficient.

【0006】上記の欠点を改良するために、前記のビフェニル型エポキシ樹脂よりも更に結晶性の高い、例えば式(1)、式(2)、一般式(3)で示されるエポキシ樹脂(以後、高結晶性エポキシ樹脂と呼ぶ)と、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の様な、1分子中に平均3個以上のエポキシ基を有する非結晶性エポキシ樹脂(以下、多官能エポキシ樹脂という)とを併用することも検討されてきている。 [0006] In order to improve the above drawbacks, higher crystallinity than the biphenyl type epoxy resins, such as those of the formula (1), equation (2), epoxy resin (hereinafter represented by the general formula (3), together referred to as the highly crystalline epoxy resin), such as ortho-cresol novolak type epoxy resin, non-crystalline epoxy resin having an average of 3 or more epoxy groups in one molecule (hereinafter, a) that a polyfunctional epoxy resin it has also been considered to be. 特に、高結晶性エポキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂とを加熱混合した樹脂、或いはそれぞれのエポキシ樹脂の前駆物質である高結晶性フェノール類と1分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上有する非結晶性フェノール樹脂類(以下、多官能フェノール樹脂類という)とを予め加熱混合した後にエピクロロヒドリンでグリシジルエーテル化した樹脂は、高結晶性エポキシ樹脂が多官能エポキシ樹脂中で結晶化するため、低軟化点の多官能エポキシ樹脂を用いた場合でも、室温で粘着性を示さず、樹脂組成物の製造工程での作業性に優れるうえ、成形時には高結晶性エポキシ樹脂が溶融して低粘度化することにより樹脂組成物が高流動化して、薄型パッケージの場合、充填性にも優れ、更に硬化後は高結晶性エポキシ樹脂の剛直な構造が架 In particular, highly crystalline epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin and heating mixed resin, or a highly crystalline phenols and amorphous having a phenolic hydroxyl group average 3 or more in one molecule with the respective epoxy resin precursor sex phenolic resins (hereinafter, referred to as multi-functional phenolic resins) resins glycidyl etherified with epichlorohydrin after the previously heated mixing is, since the highly crystalline epoxy resin is crystallized in a multi-functional epoxy resin, even with a polyfunctional epoxy resin having a low softening point, it does not exhibit tack at room temperature, after which is excellent in workability in the manufacturing process of the resin composition, during molding by melting the highly crystalline epoxy resin low viscosity resin composition is highly fluidized by, for thin packages, excellent filling property, even after curing rigid structure of the highly crystalline epoxy resin rack 構造を形成するため、耐熱性が高く、耐半田クラック性にも優れる半導体装置を与える等、非常に効果的である。 To form the structure, high heat resistance, such as providing a semiconductor device excellent in soldering crack resistance and is very effective. ところが、高結晶性エポキシ樹脂は、樹脂組成物を加熱混練する際にいったん溶融するが、その結晶性の高さから、再結晶化を起こすため、加熱混練後でも結晶性が残存し、この残存結晶が成形時になって初めて溶融するため、硬化性が低い、バリやボイドが発生する、得られた半導体装置の表面にしみができやすい等の成形性に劣る欠点がある。 However, the highly crystalline epoxy resin, but once melted when heated and kneaded resin composition, from the crystalline high, to cause recrystallization, crystalline even after heat kneading remains, this residual the crystal is melted Not until the time of molding, low curability, burrs and voids are generated, there is a disadvantage that poor moldability, such as easily can stain the surface of the obtained semiconductor device. 又、高結晶性エポキシ樹脂が加熱混練時に再結晶化する過程で、樹脂成分との相溶性の低いカルナバワックス等の離型剤を分離・析出させていることも判明した。 Further, in the course of highly crystalline epoxy resin is re-crystallize upon heating and kneading, it was also found that the release agent low carnauba wax, compatible with the resin component are separated and precipitation. この離型剤の不均一化のため、離型性が劣り、 For nonuniformity of the release agent, poor releasability,
離型剤による金型表面の汚染も発生する。 Contamination of the mold surface with a release agent also occur. しかも、その高結晶性エポキシ樹脂の結晶残存度が、加熱混練条件により左右されるため、同じ配合であっても流動性が一定した樹脂組成物を得にくいという製造上の問題点も有している。 Moreover, the crystal remaining of the highly crystalline epoxy resin, because affected by heat kneading conditions, flowability even in the same formulation is also have problems in manufacturing that it is difficult to obtain a constant resin composition there. これらを改良することを目的に、予め高結晶性エポキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤とを溶融混合して、残存結晶の少ない均一な樹脂を調製してから、他の配合成分を混合後、加熱混練して均一な樹脂組成物を得る試みも提案されているが、混練温度である80〜110℃の温度で高結晶性エポキシ樹脂が再結晶化しやすい性質を有するため、安定した樹脂組成物が得られていない。 The purpose of improving these, by melt mixing the previously highly crystalline epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin and the phenolic resin curing agent, the less uniform resin having residual crystals from the preparation, the other ingredients after mixing, there have been proposed attempts to obtain a uniform resin composition was heated and kneaded, highly crystalline epoxy resin at a temperature of a kneading temperature 80 to 110 ° C. is because it has a property of easily recrystallized, stable resin composition is not obtained.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、多官能エポキシ樹脂に由来する硬化性、成形性、及び成形後の耐熱性を有し、且つ無機充填材を多量に配合しても成形時の低粘度、高流動性を実現でき、充填性、離型性、連続成形性に優れ、金型汚れがなく製造安定性にも優れ、特に薄型パッケージに好適な半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention, the curable derived from a polyfunctional epoxy resin, moldability, and has heat resistance after molding, and even if the inorganic filler was large amount during forming low viscosity, can achieve high fluidity, filling property, releasability, excellent continuous moldability, excellent manufacturing stability without mold contamination, in particular epoxy resin composition for a suitable semiconductor encapsulation thin package, and there is provided a semiconductor device using the same.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式(1)、式(2)、一般式(3)から選択される1種以上の結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に10〜6 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an (A) formula (1), equation (2), one or more crystalline epoxy resin selected from the general formula (3) in the total epoxy resin 10 6
0重量%含み、且つ1分子中にエポキシ基を平均3個以上有する非結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に4 Wherein 0 wt%, the non-crystalline epoxy resin having and an epoxy group average 3 or more in one molecule in the total epoxy resin 4
0〜90重量%含むエポキシ樹脂、又は、式(4)、式(5)、一般式(6)から選択される1種以上の結晶性フェノール類(a)と、1分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上有する非結晶性フェノール樹脂類(b) 0-90 wt% including epoxy resin, or the formula (4), Equation (5), one or more crystalline phenols selected from the general formulas (6) and (a), the phenolic hydroxyl groups per molecule amorphous phenolic resins having an average of 3 or more (b)
とを重量比(a/b)0.05〜1で混合し、グリシジルエーテル化したエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)溶融シリカ、(D)硬化促進剤、及び(E)全エポキシ樹脂組成物中に0.05〜2重量%の一般式(7)で示されるポリエーテル基含有オルガノポリシロキサンを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。 Preparative weight ratio were mixed in (a / b) 0.05~1, glycidyl etherified epoxy resin, (B) a phenolic resin curing agent, (C) fused silica, (D) a curing accelerator, and (E) epoxy resin composition for semiconductor encapsulation is characterized in that a polyether group-containing organopolysiloxane as an essential component represented by the total epoxy resin composition 0.05-2 wt% of the general formula (7), and a semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element using the same.

【化4】 [Of 4] (一般式(3)中のRは、水素、ハロゲン、炭素数1〜 (R in the general formula (3), hydrogen, halogen, 1 to carbon atoms
9までのアルキル基から選択される原子又は基であり、 An atom or group selected from an alkyl group of up to 9,
互いに同一であっても異なっていてもよい。 It may be the same or different from each other. )

【0009】 [0009]

【化5】 [Of 5] (一般式(6)中のRは、水素、ハロゲン、炭素数1〜 (R in the general formula (6) is hydrogen, halogen, 1 to carbon atoms
9までのアルキル基から選択される原子又は基であり、 An atom or group selected from an alkyl group of up to 9,
互いに同一であっても異なっていてもよい。 It may be the same or different from each other. )

【0010】 [0010]

【化6】 [Omitted] (式中のR 1は、炭素数1〜12のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。R 2は炭素数1 (R 1 in the formula is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, an organic group selected from aralkyl, good .R 2 also being the same or different 1 to 4 carbon atoms
〜9のアルキレン基を示す。 It shows a to 9 alkylene group. 3は水素原子もしくは炭素数1〜9のアルキル基を示す。 R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. Aは、炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される1価の有機基を示す。 A represents carbon, nitrogen, oxygen, sulfur, a monovalent organic group composed of atoms selected from hydrogen. 4は、炭素数1〜12のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基、 R 4 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, an organic group selected from aralkyl group,
もしくは炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される1価の有機基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。 Or carbon, nitrogen, oxygen, sulfur, a monovalent organic group composed of atoms selected from hydrogen, may be the same or different from each other. 又、平均値であるl、 In addition, the average value of l,
m、n、a、及びbについては以下の関係にある。 m, n, a, and the following relation for b is. l≧0、m≧0、n≧1、l+m+n≧5、n/(l+ l ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5, n / (l +
m+n)=0.02〜0.8、a≧0、b≧0、a+b m + n) = 0.02~0.8, a ≧ 0, b ≧ 0, a + b
≧1) ≧ 1)

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂は、式(1)のビフェニル型、式(2)のビスフェノールF型、及び一般式(3)のスチルベン型からなる群から選択される1種以上の結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に10〜60重量%含み、且つ多官能エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に40〜90重量%含むエポキシ樹脂、又は、式(4)のビフェニル型、式(5)のビスフェノールF型、及び一般式(6)のスチルベン型からなる群から選択される1種以上の結晶性フェノール類(a)と、多官能フェノール樹脂類(b)とを重量比(a/b)0.05〜1で混合し、グリシジルエーテル化したエポキシ樹脂(以下、エポキシ樹脂(c)という)である。 Epoxy resin used in the Detailed Description of the Invention The present invention provides biphenyl of formula (1) is selected from bisphenol F type, and the group consisting of stilbene-type of the general formula (3) in equation (2) 1 comprises 10 to 60 wt% seed more crystalline epoxy resin in the total epoxy resin, and a polyfunctional epoxy resin in the total epoxy resin 40-90 wt% including epoxy resin, or biphenyl type of formula (4), bisphenol F of the formula (5), and the general formula 1 or more crystalline phenols selected from the group consisting of stilbene-type (6) and (a), polyfunctional phenolic resins (b) and the weight ratio of It was mixed with (a / b) 0.05 to 1, glycidyl etherified epoxy resin (hereinafter, epoxy resin (c) hereinafter) is.

【0012】式(1)、式(2)、一般式(3)で示される結晶性エポキシ樹脂は、1分子中にエポキシ基を2 [0012] Equation (1), equation (2), the crystalline epoxy resin represented by the general formula (3), 2 epoxy groups in the molecule
個有するジエポキシであり、いずれも非常に強い結晶性を示すため、融点未満の温度では固体であるが、融点以上の温度では低粘度の液状物質となる。 A diepoxy with number, to indicate both a very strong crystallinity, but at temperatures lower than the melting point is solid, the low viscosity liquid material at a temperature higher than the melting point. このため溶融シリカを高充填化しても、樹脂組成物の成形時の溶融粘度が低く、薄型パッケージの場合、充填性に優れ、半導体素子の金線変形が少なく、又、チップシフトやダイパッドシフトが少ない。 It is highly filled the Thus fused silica, low melt viscosity during molding of the resin composition, when a thin package, excellent filling property, gold deformation is small semiconductor device, also the chip shifts and the die pad shift Few. 一般式(3)で示される結晶性エポキシ樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。 Specific examples of the crystalline epoxy resin represented by the general formula (3) below, but is not limited thereto.

【化7】 [Omitted]

【0013】式(1)、式(2)、一般式(3)から選択される1種以上の結晶性エポキシ樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に10〜60重量%が好ましい。 [0013] Equation (1), equation (2), the amount of the general formula (3) one or more crystalline epoxy resin selected from, preferably 10 to 60% by weight of the total epoxy resin.
10重量%未満だと、低粘度化の効果が少なく、溶融シリカを高充填化できないため、硬化物の吸湿量が大きくなり、半導体装置の耐半田クラック性が低下し、又、成形時の溶融粘度も大きくなり、薄型パッケージの場合、 If it is less than 10% by weight, less effect of lower viscosity, can not be highly filled the fused silica, the moisture absorption of the cured product is increased, soldering crack resistance of the semiconductor device is lowered, also the melt during molding viscosity also increases, in the case of a thin package,
成形性に劣るので好ましくない。 Undesirably poor moldability. 又、60重量%を越えると、樹脂組成物の成形時の硬化性が低下し、硬化物の耐熱性が低下し、耐半田クラック性が低下するので好ましくない。 Also, undesirably it exceeds 60 wt%, reduced curability during molding of the resin composition, reduces the heat resistance of the cured product, the soldering crack resistance is deteriorated. 一方、多官能エポキシ樹脂としては、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。 On the other hand, as the polyfunctional epoxy resins, for example, ortho-cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resins, triphenolmethane type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins, and the like. These it may be mixed even by itself. その具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。 It shows a specific example below, but the invention is not limited thereto.

【化8】 [Of 8]

【0014】 [0014]

【化9】 [Omitted]

【0015】これらの多官能エポキシ樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に40〜90重量%が好ましい。 [0015] The amount of these polyfunctional epoxy resins, preferably 40 to 90% by weight of the total epoxy resin. 40重量%未満だと、樹脂組成物の成形時の硬化性が低くなり、硬化物の耐熱性が低下し、耐半田クラック性が低下するので好ましくない。 If it is less than 40 wt%, the lower the curability during molding of the resin composition, reduces the heat resistance of the cured product, the soldering crack resistance is undesirably reduced. 一方、90重量%を越えると、粘度が高くなり薄型パッケージの場合、充填性に劣り、又、基材との接着性が低下するため、半田処理時に基材との界面で剥離が生じやすくなり、更に溶融シリカを高充填化できないため、硬化物の吸湿量が大きくなり、半導体装置の耐半田クラック性が低下するので好ましくない。 On the other hand, if it exceeds 90 wt%, in the case of thin package increases viscosity, poor filling properties, In addition, since the adhesion to the substrate is lowered, likely to occur peeling at the interface between the substrate at the time of soldering , can not be a higher fill the fused silica, the moisture absorption of the cured product is increased, since the soldering crack resistance of the semiconductor device is undesirably reduced. 式(1)、式(2)、一般式(3)から選択される1種以上の結晶性エポキシ樹脂と、多官能エポキシ樹脂とは、他の配合材料と混合してから加熱混練して使用することができるが、残存結晶をより低減するためには、予めこれらのエポキシ樹脂を加熱混合して用いることが好ましい。 Equation (1), equation (2), the general formula (3) one or more crystalline epoxy resin selected from a polyfunctional epoxy resin, and heating and kneading after mixed with other compounding materials used can be, in order to further reduce the residual crystals, it is preferable to use a heat-mixed in advance these epoxy resins.

【0016】又、式(4)、式(5)、一般式(6)から選択される1種以上の結晶性フェノール類(a)と多官能フェノール樹脂類をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂に用いる、一般式(6)で示される結晶性フェノール類の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。 [0017] Equation (4), Equation (5), the general formula (6) one or more crystalline phenol selected from (a) polyfunctional phenolic resins and epoxy resins obtained by glycidyl etherification used in the general formula specific examples of the crystalline phenols represented by (6) below, but is not limited thereto.

【化10】 [Of 10]

【0017】一方、多官能フェノール樹脂類としては、 [0017] On the other hand, as a multi-functional phenolic resins are,
例えば、オルソクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。 For example, ortho-cresol novolak resins, dicyclopentadiene-modified phenol resins, triphenolmethane resins, naphthol aralkyl resins, and the like. These may be used singly or in admixture. その具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。 It shows a specific example below, but the invention is not limited thereto.

【化11】 [Of 11]

【0018】 [0018]

【化12】 [Of 12] 式(4)、式(5)、一般式(6)から選択される1種以上の結晶性フェノール類(a)と、多官能フェノール樹脂類(b)との重量比(a/b)としては、0.05 Equation (4), Equation (5), a weight ratio of 1 or more crystalline phenols selected from the general formulas (6) and (a), polyfunctional phenolic resins and (b) (a / b) 0.05
〜1が好ましく、特に、0.2〜0.5が好ましい。 To 1 it is preferred, particularly preferably 0.2 to 0.5. 重量比(a/b)が0.05未満だと、グリシジルエーテル化した時に生成した結晶性エポキシ樹脂に由来する低粘度、低弾性、高密着、耐半田クラック性に優れるという特性を十分に発現できないので好ましくない。 When it is less than 0.05 weight ratio (a / b), a low viscosity, low elasticity derived from the crystalline epoxy resin produced when glycidyl ethers, higher adhesion, sufficiently express properties of excellent soldering crack resistance unfavorable can not be. 1を越えると、グリシジルエーテル化した時に生成した多官能エポキシ樹脂に由来する高いガラス転移温度、熱時曲げ強度を十分に発現できないので好ましくない。 Exceeds 1, high glass transition temperatures derived from multifunctional epoxy resin produced when glycidyl etherification, can not sufficiently express the hot bending strength is not preferred. 本発明のエポキシ樹脂(c)の合成方法については特に限定しないが、例えば、混合したフェノール類と多官能フェノール樹脂類を過剰のエピクロルヒドリンに溶解した後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の存在下で50〜150℃、好ましくは60〜12 Although not particularly limited for the synthesis method of the epoxy resin (c) of the present invention, for example, after dissolving the mixed phenols and multifunctional phenolic resins in an excess of epichlorohydrin, sodium hydroxide, an alkali metal such as potassium hydroxide 50 to 150 ° C. in the presence of a hydroxide, preferably 60-12
0℃で1〜10時間反応させる方法等が挙げられる。 0 method and the like are reacted for 1 to 10 hours at ° C.. 反応終了後、過剰のエピクロルヒドリンを留去し、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで溶剤を留去することにより得ることができる。 After completion of the reaction, the excess epichlorohydrin was distilled off, toluene the residue was dissolved in a solvent such as methyl isobutyl ketone, filtered and the inorganic salts were removed by water washing, and then be obtained by removing the solvent it can. 生成したエポキシ樹脂(c)の塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオンは極力少ないことが望ましい。 Chloride ions, sodium ions resulting epoxy resin (c), other free ions is desirably as small as possible.

【0019】本発明に用いられるフェノール樹脂硬化剤としては、エポキシ樹脂と硬化反応し、架橋構造を形成できるフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA、トリフェノールメタン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The phenol resin curing agent used in the present invention the curing reaction with the epoxy resin refers monomer having a phenolic hydroxyl group capable of forming a crosslinked structure, oligomers, polymers in general, for example, phenol novolak resin, phenol aralkyl resin , terpene-modified phenol resins, dicyclopentadiene-modified phenolic resins, bisphenol a, but triphenolmethane like, but is not limited thereto. これらのフェノール樹脂硬化剤は、単独でも混合して用いてもよい。 These phenolic resin curing agent may be used singly or in admixture. 本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基数との当量比としては、好ましくは0.5〜2、特に好ましくは1〜1.2である。 The equivalent ratio of epoxy groups of total epoxy resin used in the present invention and the number of phenolic hydroxyl groups of the total phenolic resin curing agent is preferably 0.5 to 2, particularly preferably 1 to 1.2.

【0020】本発明に用いられる溶融シリカには、形状・製法により球状シリカと破砕シリカがある。 The fused silica used in the present invention is spherical silica and crushed silica by the shape and manufacturing methods. 溶融シリカの配合量としては、全樹脂組成物中に75〜93重量%が好ましい。 The amount of fused silica, 75-93 wt% is preferred for the total resin composition. 75重量%未満だと、封止された半導体装置の吸湿量が増大し、又、半田処理温度での強度が低下してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラックが発生し易くなるので好ましくない。 If it is less than 75 wt%, moisture absorption is increased in the sealed semiconductor device, also, since the strength at soldering temperature decreases, the crack in the semiconductor device is likely to occur during the soldering process is not preferred . 一方、93重量% On the other hand, 93% by weight
を越えると、樹脂組成物の成形時の流動性が低下し、未充填やチップシフト、パッドシフトが発生し易くなるので好ましくない。 By weight, it decreases the fluidity during molding of the resin composition, unfilled or chip shift, the pad shift is likely to occur undesirably. 特に、溶融シリカを高充填化するためには、球状シリカを用い、又、球状シリカの粒度分布を広くすることは成形時の樹脂組成物の溶融粘度を低減するためには有効である。 In particular, in order to highly filled the fused silica, using spherical silica, also possible to widen the particle size distribution of the spherical silica is effective to reduce the melt viscosity of the resin composition during molding.

【0021】本発明に用いられる硬化促進剤としては、 [0021] As the curing accelerator used in the present invention,
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応の触媒となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミジン系化合物、トリフェニルホスフィン、 The epoxy cross-linking reaction between the resin and the phenolic resin curing agent refers to what can be a catalyst, for example, tributylamine, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene amidine compounds such as -7, triphenylphosphine,
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。 Organophosphorus compounds such as tetraphenylphosphonium · tetraphenylborate, imidazole compounds such as 2-methylimidazole. これらは単独でも混合して用いてもよい。 These may be used alone or in admixture.

【0022】本発明に用いられる一般式(7)で示されるオルガノポリシロキサンは、分子中にポリエーテル基を有している。 The organopolysiloxane represented by the general formula to be used in the present invention (7) has a polyether group in the molecule. 一般式(7)のオルガノポリシロキサンは、樹脂成分が溶融した状態で樹脂成分中に一部相溶し、且つ一部は非相溶性の界面活性作用をする。 Organopolysiloxane of the general formula (7), the resin component compatible part resin component in a molten state, and part of the surface activity of the incompatible. このため、樹脂組成物の加熱混練時に、一般式(7)のオルガノポリシロキサンが、高結晶性エポキシ樹脂の再結晶化を防止し、均一な樹脂組成物となり、硬化性の低下が少なく、又、バリやボイドの発生がなく、更に加熱混練条件の違いによる流動性のバラツキがなくなる。 Therefore, when heating and kneading the resin composition, the organopolysiloxane of the general formula (7), highly crystalline to prevent recrystallization of the epoxy resin becomes a uniform resin composition, less reduction of curability, and , no burrs and voids, further variations in the fluidity is lost due to the difference in heat-kneading conditions. 更に、離型剤が結晶性エポキシ樹脂の結晶化に伴って分離・析出するのを防ぐため、離型性に優れ、金型汚れや成形品である半導体装置表面の汚れも発生しにくくなる。 Furthermore, in order to prevent a release agent to separate and precipitate with the crystallization of the crystalline epoxy resin is excellent in releasability, contamination of the semiconductor device surface is a mold deposit and the molded product is less likely to occur. ポリエーテル基数(n)は、一般式(7)のオルガノポリシロキサンの重合度(l+m+n)に対し、0.02〜0. Polyether groups (n) is to the general formula (7) polymerization degree of the organopolysiloxane of (l + m + n), 0.02~0.
8の範囲にあることが好ましい。 It is preferably in the 8 range. 0.02未満だと樹脂成分の均一化の効果が得られず、又、0.8を越えると樹脂成分との相溶性が高くなりすぎ、界面活性効果が得られず、又、樹脂組成物の吸湿量が増大し、耐半田クラック性が低下するので好ましくない。 If it is less than 0.02 can not be obtained the effect of homogenizing the resin component, also too high compatibility with the resin component exceeds 0.8, not surface active effect is obtained, also, the resin composition unfavorable moisture content increases, the soldering crack resistance is deteriorated. 一般式(7)のオルガノポリシロキサンの分子中には、ポリエーテル基以外にも炭素、酸素、窒素、硫黄、水素原子から選択される原子から構成される種々の基を有している。 In the molecule of the organopolysiloxane of the general formula (7), a carbon other than a polyether group, oxygen, nitrogen, sulfur, and has a variety of groups composed of atoms selected from hydrogen atoms. これらの基としては、例えば、エポキシ基、水酸基、アミノ基、 These groups, e.g., epoxy group, hydroxyl group, an amino group,
ウレイド基、メルカプト基等のエポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化剤との反応性を有する官能基や、アリール基等が挙げられる。 A ureido group, or a functional group having reactivity with the epoxy resin or phenolic resin curing agent such as a mercapto group, an aryl group and the like. 一般式(7)のオルガノポリシロキサンの添加量は、全樹脂組成物中に0.05〜2重量%であることが好ましい。 Amount of the organopolysiloxane of the general formula (7) is preferably in the total resin composition is 0.05 to 2 wt%. 0.05重量%未満だと、樹脂成分の均一化の効果が十分でなく、樹脂組成物の成形性の向上が望めないので好ましくない。 If it is less than 0.05 wt%, the effect of the uniformity of the resin component is not sufficient, because not be expected to improve the moldability of the resin composition is not preferable. 又、2重量%を越えると、半導体装置内部の基材と樹脂組成物の硬化物との界面の接着性が低下するとともに、成形時に硬化物や金型の表面を汚染してしまう等、成形性が低下するので好ましくない。 Further, if it exceeds 2 wt%, such as with adhesive at the interface between the cured product of the semiconductor device inside the substrate and the resin composition is lowered, contaminate the surface of the cured product and the mold during molding, molding sex is undesirably reduced.

【0023】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(E)成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、カップリング剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類、 The resin composition of the present invention, (A) ~ (E) Other components, brominated epoxy resin if necessary, antimony oxide, flame retardants such as phosphorus compounds, coupling agents, natural waxes, synthetic waxes , higher fatty acid and its metal salts,
もしくはパラフィン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、酸化防止剤等の各種の添加剤が適宜配合可能である。 Or releasing agent such as paraffin, a coloring agent such as carbon black, various additives such as an antioxidant can be appropriately blended. 本発明の樹脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて混合し、ロール、押し出し機等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。 The resin composition of the present invention is obtained by (A) ~ (E) component, and other additives are mixed using a mixer, and kneading roll, a kneading machine such as an extruder, pulverized cooling . 本発明の樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来の成形方法で硬化成形すればよい By using the resin composition of the present invention, sealing the electronic components such as semiconductor devices, in manufacturing a semiconductor device, transfer molding, compression molding, it may be cured molded by conventional molding methods such as injection molding

【0024】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 [0024] will be specifically described in the present invention embodiment. 配合割合は重量部とする。 Mixing ratio to parts by weight. 実施例1 式(8)を主成分とするエポキシ樹脂(融点103℃) 2.9重量部 Epoxy resin (melting point 103 ° C.) 2.9 parts by weight of a main component in Example 1 Formula (8)

【化13】 [Of 13]

【0025】 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点55℃、エポキシ当量2 00) 4.5重量部 フェノールノボラック樹脂(軟化点75℃、水酸基当量103) 3.6重量部 球状溶融シリカ 88.0重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 式(9)のオルガノポリシロキサン 0.3重量部 The ortho-cresol novolak type epoxy resin (softening point 55 ° C., epoxy equivalent 2 00) 4.5 parts by weight of phenol novolak resin (softening point 75 ° C., a hydroxyl equivalent of 103) 3.6 parts by weight of spherical fused silica 88.0 weight parts 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter, referred to as DBU) organopolysiloxane 0.3 parts by weight of 0.2 part by weight (9)

【化14】 [Of 14]

【0026】 カルナバワックス 0.2重量部 カーボンブラック 0.3重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と4 [0026] After the carnauba wax 0.2 parts by weight Carbon black 0.3 part by weight were mixed using a mixer, surface temperature 90 ° C. and 4
5℃の2本ロールを用いて30回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とした。 30 times kneaded using a 5 ° C. 2-roll of the kneaded product sheet obtained by pulverizing after cooling to obtain a resin composition. 得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。 Characteristics of the resulting resin composition was evaluated by the following method. 結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0027】評価方法 スパイラルフロー:EMMI−I−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、 [0027] Evaluation method Spiral flow: EMMI-I-66 with a spiral flow mold measuring in conformity with a mold temperature of 175 ° C.,
注入圧力70kg/cm 2 、硬化時間2分で測定した。 Injection pressure 70 kg / cm 2, measured at 2 minutes curing time.
単位cm。 Unit cm. チップシフト量:32ピンリードオンチップ構造TSO Chip shift: 32-pin lead-on-chip structure TSO
P(パッケージサイズ、10×21mm、厚み1.0m P (package size, 10 × 21mm, thickness 1.0m
m、シリコンチップサイズ9×18mm、リードフレームは鉄/ニッケル合金(42アロイ)製、チップとインナーリード間は厚み100μmのポリイミドテープで接着されている)を金型温度175℃、射出圧力75kg m, a silicon chip size 9 × 18 mm, the lead frame is an iron / nickel alloy (42 alloy) steel, between the chip and the inner leads are bonded with a polyimide tape having a thickness of 100 [mu] m) the mold temperature 175 ° C., injection pressure 75kg
/cm 2 、2分間でトランスファー成形した。 Was transfer molded at / cm 2, 2 min. 得られたパッケージを樹脂組成物の注入方向に沿って中心で切断し、断面を観察してパッケージ下面からチップ両端までの距離を求め、その差をチップシフト量とした。 The resulting package was cut at the center along the injecting direction of the resin composition, determine the distance from the bottom of the package to the chip ends by observing the cross-section was the difference between the chip shift amount. 単位μ Unit μ
m。 m. バリ量:前記のチップシフト量を測定したリードオンチップ構造TSOPの成形時に、エアベント部に発生したバリの長さを測定した。 Bali amount: during molding of the lead-on-chip structure TSOP of measuring the chip shift amount of the, length was measured burr generated in the air vent portion. 単位mm。 Unit mm. ガラス転移温度(Tg):金型温度175℃、射出圧力75kg/cm 2 、2分間でトランスファー成形したテストピースを、更に175℃、4時間で後硬化し、熱機械分析装置〔セイコー電子(株)・製TMA−120、 Glass transition temperature (Tg): mold temperature 175 ° C., injection pressure 75 kg / cm 2, the test piece was transfer molded for 2 minutes, further 175 ° C., and post cured for 4 hours, a thermal mechanical analyzer [Seiko (strain ) made TMA-120,
昇温速度5℃/分〕を用いて測定した。 It was measured using a heating rate 5 ° C. / min]. 熱時強度:240℃での曲げ強さをJIS−K6911 Hot strength: The flexural strength at 240 ° C. JIS-K6911
に準じて測定した。 It was measured in accordance with. 耐半田クラック性:100ピンTQFP(パッケージサイズ14×14mm、厚み1.4mm、シリコンチップサイズ8.0×8.0mm、リードフレームは42アロイ製)を金型温度175℃、射出圧力75kg/c Soldering crack resistance: 100-pin TQFP (package size 14 × 14 mm, thickness 1.4 mm, a silicon chip size 8.0 × 8.0 mm, the lead frame is made of 42 alloy) mold temperature 175 ° C., injection pressure 75 kg / c
2 、2分間でトランスファー成形し、175℃、8時間で後硬化した。 and transfer molding in m 2, 2 minutes, 175 ° C., and post-cured for 8 hours. 得られたパッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で168時間放置し、その後240℃ The resulting package 85 ° C., and left under a relative humidity of 85% for 168 hours, then 240 ° C.
の半田槽に10秒間浸漬した。 It was immersed for 10 seconds in a solder bath of. 顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック((クラック発生パッケージ数)/ Observing the package with a microscope, the external cracks ((crack generation number of packages) /
(全パッケージ数)×100)を%で表示した。 It was displayed in% (total number of package) × 100). 又、チップと樹脂組成物との剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率((剥離面積)/(チップ面積)×100)を%で表示した。 Further, the ratio of the peeling area of ​​the chip and the resin composition was measured using an ultrasonic flaw detector was displayed with a release rate ((peeling area) / (chip area) × 100)%. 離型性:前記の耐半田クラック性を評価した100ピンTQFPを成形する際に、金型が開いた時の離型性を評価した。 Releasability: When molding a 100-pin TQFP evaluating the above solder crack resistance was evaluated releasability when the mold is opened. ○は離型性良好を示し、×は金型付着、又はランナー折れが発生したことを示す。 ○ represents a good releasability, × indicates that mold attachment, or the runner breaking occurs. 金型汚れ:前記の離型性を評価した金型で、金型温度1 Mold contamination: the mold was evaluated releasability of the mold temperature 1
75℃、射出圧力75kg/cm 2 、2分間で連続10 75 ° C., continuous injection pressure 75kg / cm 2, 2 min 10
0回トランスファー成形し、成形後の金型の表面を目視で観察した。 0 times to transfer molding, to observe the mold surface after molding by visual observation. 金型表面に変色が認められた場合を×、認められなかった場合を○で表示した。 × a case where discoloration mold surface was observed was indicated by ○ and the case where not observed.

【0028】実施例2〜4、比較例1〜4 表1の配合に従い、実施例1と同様にして樹脂組成物を得て、実施例1と同様にして評価した。 [0028] Examples 2-4, in accordance with the formulation of Comparative Examples 1-4 in Table 1, to obtain a resin composition in the same manner as in Example 1 was evaluated in the same manner as in Example 1. 結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1. なお、実施例2〜4、比較例3、4で用いたエポキシ樹脂A〜Cの内容及び式(12)〜式(15)のオルガノポリシロキサンの構造を以下に示す。 Incidentally, illustrated examples 2-4, the structure of the organopolysiloxane of the contents and the formula of the epoxy resin A~C used in Comparative Examples 3 and 4 (12) to (15) below. エポキシ樹脂Aは、4,4'−ジヒドロキシ−3,3',5,5'− Epoxy resin A, 4,4'-dihydroxy-3,3 ', 5,5'-
テトラメチルスチルベンとオルソクレゾールノボラック樹脂(軟化点70℃)との重量比9:10の混合物を、 The weight ratio mixture 9:10 with tetramethyl stilbene and ortho-cresol novolak resin (℃ softening point 70),
エピクロロヒドリンを用いて常法でグリシジルエーテル化したもの(エポキシ当量193)である。 It is obtained by glycidyl etherification in a conventional manner with epichlorohydrin (epoxy equivalent 193). エポキシ樹脂Bは、4,4'−ジヒドロキシビフェニルとオルソクレゾールノボラック樹脂(軟化点70℃)との重量比2:8の混合物を、エピクロロヒドリンを用いて常法でグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂(エポキシ当量190)である。 Epoxy Resin B, 4,4'-dihydroxybiphenyl and ortho-cresol novolac resin (softening point 70 ° C.) the weight ratio of 2: 8 mixture of epoxy resins of glycidyl etherified in a conventional manner using epichlorohydrin it is a (epoxy equivalent 190). エポキシ樹脂Cは、式(10)のビスフェノールFと式(11)の樹脂(軟化点90℃)との重量比3:7の混合物を、エピクロロヒドリンを用いて常法でグリシジルエーテル化したもの(エポキシ当量2 Epoxy resin C, the weight ratio of the resin (softening point 90 ° C.) of the formula (10) bisphenol F and equation (11) of the 3: 7 mixture was glycidyl etherified in a conventional manner using epichlorohydrin things (epoxy equivalent of 2
60)である。 60) a.

【化15】 [Of 15]

【0029】 [0029]

【化16】 [Of 16]

【0030】 [0030]

【化17】 [Of 17]

【0031】 [0031]

【化18】 [Of 18]

【0032】 [0032]

【化19】 [Of 19]

【0033】 [0033]

【化20】 [Of 20]

【0034】 [0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】 [0035]

【発明の効果】本発明に従うと、硬化性、充填性、離型性に優れ、特に薄型パッケージに好適な半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は低吸湿性、耐熱性、耐半田クラック性に優れる。 According to the present invention, the curable, filling property, excellent in releasability, in particular epoxy resin composition for a suitable semiconductor encapsulation thin package is obtained, a semiconductor device is low hygroscopicity using the same , heat resistance, excellent solder crack resistance.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 61:06 83:08) Fターム(参考) 4J002 CC033 CC063 CC073 CD04X CD05W CD06X CP054 CP184 DJ017 EJ036 EJ046 EN028 EQ018 EU118 EW138 EW178 FA087 FD017 FD070 FD090 FD130 FD143 FD146 FD158 FD160 FD314 GJ02 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA04 EA06 EB03 EB04 EB13 EB19 EC01 EC03 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) C08L 61:06 83:08) F-term (reference) 4J002 CC033 CC063 CC073 CD04X CD05W CD06X CP054 CP184 DJ017 EJ036 EJ046 EN028 EQ018 EU118 EW138 EW178 FA087 FD017 FD070 FD090 FD130 FD143 FD146 FD158 FD160 FD314 GJ02 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA04 EA06 EB03 EB04 EB13 EB19 EC01 EC03

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 (A)式(1)、式(2)、一般式(3)から選択される1種以上の結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に10〜60重量%含み、且つ1分子中にエポキシ基を平均3個以上有する非結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に40〜90重量%含むエポキシ樹脂、又は、式(4)、式(5)、一般式(6)から選択される1種以上の結晶性フェノール類(a)と、1 1. A (A) formula (1), equation (2), the general formula (3) one or more crystalline epoxy resin selected from include 10 to 60% by weight of the total epoxy resin, and 1 non-crystalline epoxy resin 40 to 90 wt% including epoxy resin in the total epoxy resin having an epoxy group average 3 or more in a molecule, or selected from the formula (4), equation (5), the general formula (6) one or more crystalline phenol are (a), 1
    分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上有する非結晶性フェノール樹脂類(b)とを重量比(a/b)0. Amorphous phenolic resins having a phenolic hydroxyl group average 3 or more in the molecule (b) in a weight ratio (a / b) 0.
    05〜1で混合し、グリシジルエーテル化したエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)溶融シリカ、(D)硬化促進剤、及び(E)全エポキシ樹脂組成物中に0.05〜2重量%の一般式(7)で示されるポリエーテル基含有オルガノポリシロキサンを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Were mixed with 05 to 1, glycidyl etherified epoxy resin, (B) a phenolic resin curing agent, (C) fused silica, (D) a curing accelerator, and (E) 0.05 to the total epoxy resin composition 2 wt% of the general formula (7) an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which comprises a polyether group-containing organopolysiloxane as an essential component represented by. 【化1】 [Formula 1] (一般式(3)中のRは、水素、ハロゲン、炭素数1〜 (R in the general formula (3), hydrogen, halogen, 1 to carbon atoms
    9までのアルキル基から選択される原子又は基であり、 An atom or group selected from an alkyl group of up to 9,
    互いに同一であっても異なっていてもよい。 It may be the same or different from each other. ) 【化2】 ) ## STR2 ## (一般式(6)中のRは、水素、ハロゲン、炭素数1〜 (R in the general formula (6) is hydrogen, halogen, 1 to carbon atoms
    9までのアルキル基から選択される原子又は基であり、 An atom or group selected from an alkyl group of up to 9,
    互いに同一であっても異なっていてもよい。 It may be the same or different from each other. ) 【化3】 ) [Formula 3] (式中のR 1は、炭素数1〜12のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。R 2は炭素数1 (R 1 in the formula is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, an organic group selected from aralkyl, good .R 2 also being the same or different 1 to 4 carbon atoms
    〜9のアルキレン基を示す。 It shows a to 9 alkylene group. 3は水素原子もしくは炭素数1〜9のアルキル基を示す。 R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. Aは、炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される1価の有機基を示す。 A represents carbon, nitrogen, oxygen, sulfur, a monovalent organic group composed of atoms selected from hydrogen. 4は、炭素数1〜12のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基、 R 4 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, an organic group selected from aralkyl group,
    もしくは炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される1価の有機基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。 Or carbon, nitrogen, oxygen, sulfur, a monovalent organic group composed of atoms selected from hydrogen, may be the same or different from each other. 又、平均値であるl、 In addition, the average value of l,
    m、n、a、及びbについては以下の関係にある。 m, n, a, and the following relation for b is. l≧0、m≧0、n≧1、l+m+n≧5、n/(l+ l ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5, n / (l +
    m+n)=0.02〜0.8、a≧0、b≧0、a+b m + n) = 0.02~0.8, a ≧ 0, b ≧ 0, a + b
    ≧1) ≧ 1)
  2. 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 2. A semiconductor device characterized by comprising sealing the semiconductor element using the epoxy resin composition of claim 1, wherein.
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