JP2000323395A - 露光装置及び結像面平坦化方法 - Google Patents
露光装置及び結像面平坦化方法Info
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- JP2000323395A JP2000323395A JP11132105A JP13210599A JP2000323395A JP 2000323395 A JP2000323395 A JP 2000323395A JP 11132105 A JP11132105 A JP 11132105A JP 13210599 A JP13210599 A JP 13210599A JP 2000323395 A JP2000323395 A JP 2000323395A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用する基板の大きさ、パターン形状に応じ
て柔軟かつ精度よく結像面の平坦化を行う。 【解決手段】 発光ダイオード11から照射された検出
光を、複数のスリットパターンを有し、そのスリットパ
ターンの切り替えを行うことが可能な可変スリット10
に入射させ、その可変スリットを介すことによってスリ
ット光となった検出光をウエハ6のショットエリア6a
に照射し、その反射光をディテクタ2で検出することに
よりショットエリア6aの結像面平坦度を検出し、ショ
ットエリア6aの結像面平坦化を行う。この際、可変ス
リット10を駆動させることにより、結像面平坦化を行
うショットエリアの位置及びパターン形状等に最も適し
たスリット形状を選択し、そのスリットを介したスリッ
ト光を用いて結像面平坦化を行うことにより、様々なシ
ョットエリアの条件に柔軟に対応した精度の高い結像面
平坦化が可能となる。
て柔軟かつ精度よく結像面の平坦化を行う。 【解決手段】 発光ダイオード11から照射された検出
光を、複数のスリットパターンを有し、そのスリットパ
ターンの切り替えを行うことが可能な可変スリット10
に入射させ、その可変スリットを介すことによってスリ
ット光となった検出光をウエハ6のショットエリア6a
に照射し、その反射光をディテクタ2で検出することに
よりショットエリア6aの結像面平坦度を検出し、ショ
ットエリア6aの結像面平坦化を行う。この際、可変ス
リット10を駆動させることにより、結像面平坦化を行
うショットエリアの位置及びパターン形状等に最も適し
たスリット形状を選択し、そのスリットを介したスリッ
ト光を用いて結像面平坦化を行うことにより、様々なシ
ョットエリアの条件に柔軟に対応した精度の高い結像面
平坦化が可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の結像面を平
坦化させる機能を有する露光装置及び結像面平坦化方法
に関し、特にスリット光を照射することにより結像面の
平坦化検出を行う露光装置及び結像面平坦化方法に関す
る。
坦化させる機能を有する露光装置及び結像面平坦化方法
に関し、特にスリット光を照射することにより結像面の
平坦化検出を行う露光装置及び結像面平坦化方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの多機能化及び小
型化が飛躍的に進み、それに伴い半導体デバイスにおけ
るパターンニングの微細加工精度の向上が益々必要とさ
れてきている。微細加工精度の向上を図る為には、露光
精度の向上を図ることが必須であり、その為にはマスク
上に形成されたパターンを良好な結像状態で基板上に転
写する必要がある。
型化が飛躍的に進み、それに伴い半導体デバイスにおけ
るパターンニングの微細加工精度の向上が益々必要とさ
れてきている。微細加工精度の向上を図る為には、露光
精度の向上を図ることが必須であり、その為にはマスク
上に形成されたパターンを良好な結像状態で基板上に転
写する必要がある。
【0003】この為、現在使用されている露光装置で
は、良好な結像状態を実現する為にオートフォーカス機
構を設け、それにより基板表面の位置計測を行ってい
る。そして、その位置計測の結果をもとに基板を搭載し
たステージを駆動させ基板表面の結像面平坦化を行って
いる。このようなオートフォーカス機構の1つの形態と
して、スリット光を基板表面に対して斜めに照射させ、
基板表面で反射したスリット光の反射方向を計測するこ
とにより、基板の位置決めを行う方法がある。この方法
では、焦点位置に配置された基板に対する入射スリット
光条件及びそのスリット光の基板上での反射方向等の条
件を事前に設定しておき、基板表面で反射されたスリッ
ト光の位置ずれを測定することにより、基板の位置ずれ
を検出する。このような結像面平坦化法では、その検出
精度を向上させる為に複数のスリット光を基板に入射さ
せ、その反射光を測定する方法もとられており、例えば
計測範囲の中心に1スポットを照射し、その周辺の4隅
に1スポットずつ、合計5スポットのスリット光を照射
して計測を行う方法がある。
は、良好な結像状態を実現する為にオートフォーカス機
構を設け、それにより基板表面の位置計測を行ってい
る。そして、その位置計測の結果をもとに基板を搭載し
たステージを駆動させ基板表面の結像面平坦化を行って
いる。このようなオートフォーカス機構の1つの形態と
して、スリット光を基板表面に対して斜めに照射させ、
基板表面で反射したスリット光の反射方向を計測するこ
とにより、基板の位置決めを行う方法がある。この方法
では、焦点位置に配置された基板に対する入射スリット
光条件及びそのスリット光の基板上での反射方向等の条
件を事前に設定しておき、基板表面で反射されたスリッ
ト光の位置ずれを測定することにより、基板の位置ずれ
を検出する。このような結像面平坦化法では、その検出
精度を向上させる為に複数のスリット光を基板に入射さ
せ、その反射光を測定する方法もとられており、例えば
計測範囲の中心に1スポットを照射し、その周辺の4隅
に1スポットずつ、合計5スポットのスリット光を照射
して計測を行う方法がある。
【0004】一般に、基板はそり等を有することが多く
基板自体の平坦度は低い。その為、このような基板全体
を一度に精度よく露光することは不可能であり、一般に
は基板を複数のエリアに分割し、そのそれぞれのエリア
ごとに基板の結像面平坦化を行い、その結像面平坦化を
行ったエリアごとに露光を行っている。この各エリアご
との結像面平坦化を行う際、そのエリアに対して照射さ
れた複数のスリット光は、そのエリア内の基板表面で反
射され、エリア内の基板表面から反射された反射光はデ
ィテクタによって検出されて、そのエリアにおける結像
面平坦化を行う。ここで例えば、基板のエッジ近傍にお
けるエリアの結像面平坦化を行う場合、その基板自体の
外周形状により、そのエリアに入射されたスリット光の
一部が基板の外部に照射されてしまう場合も生じる。こ
の場合、基板の外部に照射されたスリット光はディテク
タによって検出されないこととなり、このままでは正確
な結像面平坦化を行うことができない。そこで従来は、
このようにエッジ近傍のエリアの結像面平坦化を行う場
合、基板の外部に照射されるスリット光を検出するディ
テクタの検出結果に対する位置ずれ許容範囲を大きく設
定し、或いは基板の外部に照射されるスリット光の検出
結果を考慮しない設定とすることにより、基板外部に照
射されたスリット光の影響を抑え、この問題を回避して
いた。
基板自体の平坦度は低い。その為、このような基板全体
を一度に精度よく露光することは不可能であり、一般に
は基板を複数のエリアに分割し、そのそれぞれのエリア
ごとに基板の結像面平坦化を行い、その結像面平坦化を
行ったエリアごとに露光を行っている。この各エリアご
との結像面平坦化を行う際、そのエリアに対して照射さ
れた複数のスリット光は、そのエリア内の基板表面で反
射され、エリア内の基板表面から反射された反射光はデ
ィテクタによって検出されて、そのエリアにおける結像
面平坦化を行う。ここで例えば、基板のエッジ近傍にお
けるエリアの結像面平坦化を行う場合、その基板自体の
外周形状により、そのエリアに入射されたスリット光の
一部が基板の外部に照射されてしまう場合も生じる。こ
の場合、基板の外部に照射されたスリット光はディテク
タによって検出されないこととなり、このままでは正確
な結像面平坦化を行うことができない。そこで従来は、
このようにエッジ近傍のエリアの結像面平坦化を行う場
合、基板の外部に照射されるスリット光を検出するディ
テクタの検出結果に対する位置ずれ許容範囲を大きく設
定し、或いは基板の外部に照射されるスリット光の検出
結果を考慮しない設定とすることにより、基板外部に照
射されたスリット光の影響を抑え、この問題を回避して
いた。
【0005】また、このような問題が生じていないエリ
アにおいても、各スリット光ごとに位置ずれ許容範囲の
設定を変化させ、各エリア内において特に高い精度での
結像面平坦化が必要な部分を重点的に平坦化する方法も
とられている。
アにおいても、各スリット光ごとに位置ずれ許容範囲の
設定を変化させ、各エリア内において特に高い精度での
結像面平坦化が必要な部分を重点的に平坦化する方法も
とられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の複数の
スリット光を用いる方法では、基板のエッジ近傍におけ
るエリアの結像面平坦化を行う場合、基板からはみ出し
たスリット光は結像面平坦化に用いることができず、そ
の分、結像面平坦化の検出精度が落ちるという問題点が
ある。
スリット光を用いる方法では、基板のエッジ近傍におけ
るエリアの結像面平坦化を行う場合、基板からはみ出し
たスリット光は結像面平坦化に用いることができず、そ
の分、結像面平坦化の検出精度が落ちるという問題点が
ある。
【0007】また、各スリットの配置は固定されている
為、たとえ各スリットの検出精度設定に変化をもたせた
としても、多様な基板形状及びパターン形状において
は、その対応範囲に限界が生じるという問題点もある。
為、たとえ各スリットの検出精度設定に変化をもたせた
としても、多様な基板形状及びパターン形状において
は、その対応範囲に限界が生じるという問題点もある。
【0008】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であり、使用する基板の大きさ、パターン形状に応じて
柔軟かつ精度よく結像面平坦化を行うことが可能な露光
装置及び結像面平坦化方法を提供することを目的とす
る。
であり、使用する基板の大きさ、パターン形状に応じて
柔軟かつ精度よく結像面平坦化を行うことが可能な露光
装置及び結像面平坦化方法を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決する為に、基板の結像面を平坦化させる機能を有する
露光装置において、結像面平坦化の為の検出光を照射す
る検出光照射手段と、複数のスリットパターンを具備
し、前記検出光をスリット光に変換する可変スリット
と、前記基板の表面で反射した前記スリット光を検出す
る検出手段と、前記基板を駆動させる基板駆動手段とを
有することを特徴とする露光装置が提供される。
決する為に、基板の結像面を平坦化させる機能を有する
露光装置において、結像面平坦化の為の検出光を照射す
る検出光照射手段と、複数のスリットパターンを具備
し、前記検出光をスリット光に変換する可変スリット
と、前記基板の表面で反射した前記スリット光を検出す
る検出手段と、前記基板を駆動させる基板駆動手段とを
有することを特徴とする露光装置が提供される。
【0010】ここで、検出光照射手段は結像面平坦化の
為の検出光を可変スリットに照射し、可変スリットは入
射した検出光を基板サイズ等の変化に対応した配列のス
リット光に変換し、検出手段は基板の表面で反射させた
スリット光の検出を行い、基板駆動手段は検出手段の検
出結果をもとに基板の位置を駆動させ、結像面の平坦化
を行う。
為の検出光を可変スリットに照射し、可変スリットは入
射した検出光を基板サイズ等の変化に対応した配列のス
リット光に変換し、検出手段は基板の表面で反射させた
スリット光の検出を行い、基板駆動手段は検出手段の検
出結果をもとに基板の位置を駆動させ、結像面の平坦化
を行う。
【0011】また、基板の結像面を平坦化させる結像面
平坦化方法において、結像面平坦化の為の検出光を照射
し、スリットパターンを可変させ、前記検出光をスリッ
ト光に変換し、前記基板の表面で反射した前記スリット
光を検出し、前記基板を駆動させることを特徴とする結
像面平坦化方法が提供される。
平坦化方法において、結像面平坦化の為の検出光を照射
し、スリットパターンを可変させ、前記検出光をスリッ
ト光に変換し、前記基板の表面で反射した前記スリット
光を検出し、前記基板を駆動させることを特徴とする結
像面平坦化方法が提供される。
【0012】ここで、検出光は基板サイズ等の変化に対
応したスリット光に変換され、そのスリット光を基板表
面で反射させ、その反射光を検出しながら基板を移動さ
せて、結像面の平坦化を行う。
応したスリット光に変換され、そのスリット光を基板表
面で反射させ、その反射光を検出しながら基板を移動さ
せて、結像面の平坦化を行う。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は、本発明の露光装置におけ
る結像面平坦化装置1の構成を示した構成図である。
を参照して説明する。図1は、本発明の露光装置におけ
る結像面平坦化装置1の構成を示した構成図である。
【0014】結像面平坦化装置1は、結像面平坦化の為
の検出光を照射する発光ダイオード11、発光ダイオー
ド11から照射された検出光をスリット光に変換する可
変スリット10、可変スリット10を通過したスリット
光を拡散光から平行光に変換するコリメートレンズ9、
コリメートレンズ9を通過したスリット光を反射させ、
スリット光の入射方向を決める反射ミラー8、反射ミラ
ー8によって反射されたスリット光を通過させるコリメ
ートレンズ7、検出対象であるウエハ6が設置されるウ
エハステージ4、ウエハステージ4を駆動させるステー
ジ駆動手段5、ウエハ6のショットエリア6aの表面で
反射されたスリット光を、平行光から収束光に変換する
コリメートレンズ3及びコリメートレンズ3を通過した
スリット光の検出を行うディテクタ2によって構成され
ている。
の検出光を照射する発光ダイオード11、発光ダイオー
ド11から照射された検出光をスリット光に変換する可
変スリット10、可変スリット10を通過したスリット
光を拡散光から平行光に変換するコリメートレンズ9、
コリメートレンズ9を通過したスリット光を反射させ、
スリット光の入射方向を決める反射ミラー8、反射ミラ
ー8によって反射されたスリット光を通過させるコリメ
ートレンズ7、検出対象であるウエハ6が設置されるウ
エハステージ4、ウエハステージ4を駆動させるステー
ジ駆動手段5、ウエハ6のショットエリア6aの表面で
反射されたスリット光を、平行光から収束光に変換する
コリメートレンズ3及びコリメートレンズ3を通過した
スリット光の検出を行うディテクタ2によって構成され
ている。
【0015】発光ダイオード11、可変スリット10、
コリメートレンズ9及び反射ミラー8は、発光ダイオー
ド11が照射する検出光の拡散中心軸上に配置され、可
変スリット10はそのスリット面を、コリメートレンズ
9はその入射面を、それぞれ検出光の拡散中心軸と垂直
に配置される。コリメートレンズ7は、反射ミラー8で
反射されたスリット光の進行方向に、その入射面をスリ
ット光と垂直に配置される。ウエハステージ4はコリメ
ートレンズ7を通過したスリット光の進行方向上に配置
され、その上面にウエハ6を配置する。コリメートレン
ズ3及びディテクタ2は、ウエハ6のショットエリア6
aで反射されたスリット光の進行方向上に配置される。
コリメートレンズ9及び反射ミラー8は、発光ダイオー
ド11が照射する検出光の拡散中心軸上に配置され、可
変スリット10はそのスリット面を、コリメートレンズ
9はその入射面を、それぞれ検出光の拡散中心軸と垂直
に配置される。コリメートレンズ7は、反射ミラー8で
反射されたスリット光の進行方向に、その入射面をスリ
ット光と垂直に配置される。ウエハステージ4はコリメ
ートレンズ7を通過したスリット光の進行方向上に配置
され、その上面にウエハ6を配置する。コリメートレン
ズ3及びディテクタ2は、ウエハ6のショットエリア6
aで反射されたスリット光の進行方向上に配置される。
【0016】図2は、図1における可変スリット10の
拡大平面図である。可変スリット10は、中空円の円板
形状を有しており、この中空円の環状平面を面積の等し
い8つの欠中空円に分割し、その各欠中空円領域10
a、10b、10c、10d、10e、10f、10g
及び10hごとにパターンを変えたスリットが形成され
ることにより、8種類のスリットを同一平面上に配置し
た構成となっている。各欠中空円にそれぞれ形成される
スリットは、例えば、10a、10b及び10cのよう
に円形のスリット穴を1つのみ配置した構成、10d、
10e及び10fのように複数の円形のスリット穴を配
置した構成或いは10g及び10hのように線状のスリ
ットを複数配置した構成等の様々な配列及び形状とす
る。可変スリット10は、その中空円の中心軸を中心と
して回転駆動し、その回転によって任意のスリット形状
が選択される。
拡大平面図である。可変スリット10は、中空円の円板
形状を有しており、この中空円の環状平面を面積の等し
い8つの欠中空円に分割し、その各欠中空円領域10
a、10b、10c、10d、10e、10f、10g
及び10hごとにパターンを変えたスリットが形成され
ることにより、8種類のスリットを同一平面上に配置し
た構成となっている。各欠中空円にそれぞれ形成される
スリットは、例えば、10a、10b及び10cのよう
に円形のスリット穴を1つのみ配置した構成、10d、
10e及び10fのように複数の円形のスリット穴を配
置した構成或いは10g及び10hのように線状のスリ
ットを複数配置した構成等の様々な配列及び形状とす
る。可変スリット10は、その中空円の中心軸を中心と
して回転駆動し、その回転によって任意のスリット形状
が選択される。
【0017】図3は、図1における発光ダイオード1
1、可変スリット10及びコリメートレンズ9の配置を
示した拡大図である。可変スリット10は、発光ダイオ
ード11とコリメートレンズ9の間に配置され、その中
空円の環状平面部分を発光ダイオード11から照射され
る検出光の照射範囲内に配置される。可変スリット10
は、その中空円の中心軸を中心として回転し、その回転
により検出光の照射範囲内に配置される欠空中円領域を
変化させることができる。各欠空中円領域には、それぞ
れ別の形態を有するスリット穴が形成されている為、こ
の可変スリット10の回転により、発光ダイオード11
から照射された検出光が通過するスリットの形状を変化
させることができる。
1、可変スリット10及びコリメートレンズ9の配置を
示した拡大図である。可変スリット10は、発光ダイオ
ード11とコリメートレンズ9の間に配置され、その中
空円の環状平面部分を発光ダイオード11から照射され
る検出光の照射範囲内に配置される。可変スリット10
は、その中空円の中心軸を中心として回転し、その回転
により検出光の照射範囲内に配置される欠空中円領域を
変化させることができる。各欠空中円領域には、それぞ
れ別の形態を有するスリット穴が形成されている為、こ
の可変スリット10の回転により、発光ダイオード11
から照射された検出光が通過するスリットの形状を変化
させることができる。
【0018】図4は、結像面平坦化装置1の制御構成を
示したブロック図である。制御手段20は、プロセッサ
を中心とした構成となっており、記録手段21に格納さ
れたプログラムに従って動作する。制御手段20は、デ
ィテクタ2、ステージ駆動手段5、可変スリット10、
記録手段21及び条件入力手段22と電気的に接続さ
れ、結像面平坦化装置1全体の制御を行う。条件入力手
段22は、露光を行うウエハ6、ショットエリア6a及
びパターン情報等の設定条件の入力を行う。記録手段2
1は、条件入力手段22で入力された設定条件を一時的
に保存する他、入力された設定条件に対応する様々な動
作手順等が記録されたプログラムが格納されている。
示したブロック図である。制御手段20は、プロセッサ
を中心とした構成となっており、記録手段21に格納さ
れたプログラムに従って動作する。制御手段20は、デ
ィテクタ2、ステージ駆動手段5、可変スリット10、
記録手段21及び条件入力手段22と電気的に接続さ
れ、結像面平坦化装置1全体の制御を行う。条件入力手
段22は、露光を行うウエハ6、ショットエリア6a及
びパターン情報等の設定条件の入力を行う。記録手段2
1は、条件入力手段22で入力された設定条件を一時的
に保存する他、入力された設定条件に対応する様々な動
作手順等が記録されたプログラムが格納されている。
【0019】次に、図1、図2及び図4を用いて、本発
明の露光装置における結像面平坦化装置1の動作につい
て説明する。発光ダイオード11から照射された検出光
は可変スリット10に入射し、そこでスリット光に変換
される。このスリット光の形状は、上述したように可変
スリット10を回転させることにより可変することが可
能であり、その選択はウエハ6の大きさ、結像面平坦化
を行うショットエリア6aの位置及びパターン形状等に
対応して行われる。このような可変スリット10の設定
は、ウエハ6の厚み、面積、ショットエリア6aの面
積、ショットエリア6aの位置、パターン構成及びパタ
ーン精度等様々な条件に対応したスリット形状を実験に
よって事前に求めておき、それに設定条件を与えること
により行われる。具体的には、事前の実験により求めた
それぞれの設定条件に対応する動作手順等を記録したプ
ログラムを記録手段21に格納しておき、条件入力手段
22から設定条件が入力されると、制御手段20は、記
録手段21に格納されたプログラムに条件入力手段22
から入力された設定条件を対応させ、そのプログラムに
従って可変スリット10の制御を行う。制御手段20か
らの制御信号を受け取った可変スリット10は、その信
号に従って可変スリット10を回転させ、これにより、
スリット形状が決定する。
明の露光装置における結像面平坦化装置1の動作につい
て説明する。発光ダイオード11から照射された検出光
は可変スリット10に入射し、そこでスリット光に変換
される。このスリット光の形状は、上述したように可変
スリット10を回転させることにより可変することが可
能であり、その選択はウエハ6の大きさ、結像面平坦化
を行うショットエリア6aの位置及びパターン形状等に
対応して行われる。このような可変スリット10の設定
は、ウエハ6の厚み、面積、ショットエリア6aの面
積、ショットエリア6aの位置、パターン構成及びパタ
ーン精度等様々な条件に対応したスリット形状を実験に
よって事前に求めておき、それに設定条件を与えること
により行われる。具体的には、事前の実験により求めた
それぞれの設定条件に対応する動作手順等を記録したプ
ログラムを記録手段21に格納しておき、条件入力手段
22から設定条件が入力されると、制御手段20は、記
録手段21に格納されたプログラムに条件入力手段22
から入力された設定条件を対応させ、そのプログラムに
従って可変スリット10の制御を行う。制御手段20か
らの制御信号を受け取った可変スリット10は、その信
号に従って可変スリット10を回転させ、これにより、
スリット形状が決定する。
【0020】このようにスリット形状が決定された可変
スリット10を通過した検出光は、このスリットにより
スリット光に変換され、このスリット光はコリメートレ
ンズ9、反射ミラー8及びコリメートレンズ7を経てウ
エハ6のショットエリア6aに達する。ショットエリア
6aの表面で反射されたスリット光はコリメートレンズ
3を通過した後、ディテクタ2に達する。ディテクタ2
で検出された結果は制御手段20に伝えられ、そこで、
事前に実験で求められプログラムに記録されている結像
状態における検出データとの照合が行われる。そして、
その照合結果をもとにプログラムに記録された動作手順
に従ってステージ駆動手段5を制御し、ウエハ6のショ
ットエリア6aにおける結像面平坦化を行う。この際、
ステージ駆動手段5の駆動後、再びディテクタ2による
検出を行い、その結果を再びステージ駆動手段5の制御
にフィードバックしていくことも可能である。
スリット10を通過した検出光は、このスリットにより
スリット光に変換され、このスリット光はコリメートレ
ンズ9、反射ミラー8及びコリメートレンズ7を経てウ
エハ6のショットエリア6aに達する。ショットエリア
6aの表面で反射されたスリット光はコリメートレンズ
3を通過した後、ディテクタ2に達する。ディテクタ2
で検出された結果は制御手段20に伝えられ、そこで、
事前に実験で求められプログラムに記録されている結像
状態における検出データとの照合が行われる。そして、
その照合結果をもとにプログラムに記録された動作手順
に従ってステージ駆動手段5を制御し、ウエハ6のショ
ットエリア6aにおける結像面平坦化を行う。この際、
ステージ駆動手段5の駆動後、再びディテクタ2による
検出を行い、その結果を再びステージ駆動手段5の制御
にフィードバックしていくことも可能である。
【0021】そして、1つのショットエリア6aでの結
像面平坦化及び露光が終了すると、制御手段20は、記
録手段21に格納されたプログラムに従ってステージ駆
動手段5を駆動させ、ウエハステージ4をスライドさせ
ることにより、次のショットエリアでの結像面平坦化及
び露光を行う。このように各ショットエリアごとに結像
面平坦化及び露光を繰り返し、ウエハ6内のすべてのシ
ョットエリアでの結像面平坦化及び露光を行う。
像面平坦化及び露光が終了すると、制御手段20は、記
録手段21に格納されたプログラムに従ってステージ駆
動手段5を駆動させ、ウエハステージ4をスライドさせ
ることにより、次のショットエリアでの結像面平坦化及
び露光を行う。このように各ショットエリアごとに結像
面平坦化及び露光を繰り返し、ウエハ6内のすべてのシ
ョットエリアでの結像面平坦化及び露光を行う。
【0022】図5の(a)は、ウエハ6のショットエリ
ア6aに照射されたスリット光の様子を示した平面図で
あり、図5の(b)は、ショットエリア6bにスリット
光を照射した様子を示した平面図である。図5では図2
に示した欠中空円領域10fのスリットが選択されてい
る。
ア6aに照射されたスリット光の様子を示した平面図で
あり、図5の(b)は、ショットエリア6bにスリット
光を照射した様子を示した平面図である。図5では図2
に示した欠中空円領域10fのスリットが選択されてい
る。
【0023】ここで、図5の(a)に示したショットエ
リア6aの場合、スリット光12a、12b、12c、
12d、12eは、すべてウエハ6の表面に照射されて
おり、これらの反射光をディテクタ2で検出することに
より、ショットエリア6aの結像面平坦化を行うことが
できる。しかし、ウエハ6のエッジ近傍に位置するショ
ットエリア6bの場合、ショットエリア6bに照射され
るスリット光のうち、スリット光12eはウエハ6の外
部に照射されてしまうことになり、ウエハ6の外部に照
射されたスリット光の反射光はディテクタ2では検出で
きない。その為、このままではショットエリア6bの結
像面平坦化を行うことができないことになる。
リア6aの場合、スリット光12a、12b、12c、
12d、12eは、すべてウエハ6の表面に照射されて
おり、これらの反射光をディテクタ2で検出することに
より、ショットエリア6aの結像面平坦化を行うことが
できる。しかし、ウエハ6のエッジ近傍に位置するショ
ットエリア6bの場合、ショットエリア6bに照射され
るスリット光のうち、スリット光12eはウエハ6の外
部に照射されてしまうことになり、ウエハ6の外部に照
射されたスリット光の反射光はディテクタ2では検出で
きない。その為、このままではショットエリア6bの結
像面平坦化を行うことができないことになる。
【0024】そこで、ショットエリア6bに達した場
合、可変スリット10の欠中空円領域を切り替え、すべ
てのスリット光をウエハ6に照射できるようにする。図
6は、欠中空円領域10eのスリットを用いたスリット
光がショットエリア6bに照射される様子を示した平面
図である。図6に示すように、欠中空円領域10eのス
リットを用いたスリット光の場合、そのすべてのスリッ
ト光12f、12g、12h、12i、12jはウエハ
6の表面に照射されており、この反射光をディテクタ2
で検出することにより結像面平坦化を行うことが可能と
なる。このスリット形状の切り替えは、ショットエリア
に応じて自動的にスリット形状を切り替えるプログラム
を記録手段21に格納しておき、制御手段20がそのプ
ログラムの内容に従って可変スリット10を制御するこ
とにより行う。このスリット形状の切り替えは、ショッ
トエリアの位置だけではなくパターン形状等その他の要
素によっても行うことが可能であり、その場合、各要素
に適したスリット形状を予め求めておき、それに従って
自動的にスリット形状を選択する内容をプログラムに記
録しておき、制御手段20はそのプログラムの内容に従
って可変スリット10を制御してスリット形状の切り替
えを行うこととなる。
合、可変スリット10の欠中空円領域を切り替え、すべ
てのスリット光をウエハ6に照射できるようにする。図
6は、欠中空円領域10eのスリットを用いたスリット
光がショットエリア6bに照射される様子を示した平面
図である。図6に示すように、欠中空円領域10eのス
リットを用いたスリット光の場合、そのすべてのスリッ
ト光12f、12g、12h、12i、12jはウエハ
6の表面に照射されており、この反射光をディテクタ2
で検出することにより結像面平坦化を行うことが可能と
なる。このスリット形状の切り替えは、ショットエリア
に応じて自動的にスリット形状を切り替えるプログラム
を記録手段21に格納しておき、制御手段20がそのプ
ログラムの内容に従って可変スリット10を制御するこ
とにより行う。このスリット形状の切り替えは、ショッ
トエリアの位置だけではなくパターン形状等その他の要
素によっても行うことが可能であり、その場合、各要素
に適したスリット形状を予め求めておき、それに従って
自動的にスリット形状を選択する内容をプログラムに記
録しておき、制御手段20はそのプログラムの内容に従
って可変スリット10を制御してスリット形状の切り替
えを行うこととなる。
【0025】このように、本形態では、複数のスリット
パターンを有する可変スリット10を駆動させ、ウエハ
6内のショットエリアの位置及びパターン形状等に適し
たスリットを選択し、選択されたスリットを介したスリ
ット光をウエハ6に照射し、その反射光を検出すること
により結像面の平坦化を行うこととした為、ウエハ6に
おけるショットエリアの位置及びパターン形状等の様々
な条件に対して精度よく結像平坦化を行うことが可能と
なり、結果として露光精度を向上させ、品質の向上及び
歩留まりの向上を図ることができる。
パターンを有する可変スリット10を駆動させ、ウエハ
6内のショットエリアの位置及びパターン形状等に適し
たスリットを選択し、選択されたスリットを介したスリ
ット光をウエハ6に照射し、その反射光を検出すること
により結像面の平坦化を行うこととした為、ウエハ6に
おけるショットエリアの位置及びパターン形状等の様々
な条件に対して精度よく結像平坦化を行うことが可能と
なり、結果として露光精度を向上させ、品質の向上及び
歩留まりの向上を図ることができる。
【0026】なお、本形態では可変スリット10の制御
を自動で行うこととしたが、ショットエリアの状況に応
じて作業者がマニュアルで操作し、スリット形状を変更
することとしてもよい。
を自動で行うこととしたが、ショットエリアの状況に応
じて作業者がマニュアルで操作し、スリット形状を変更
することとしてもよい。
【0027】また、可変スリット10の駆動によるスリ
ット形状の変更に加え、従来のように各スリットの検出
精度設定に変化をもたせ、さらに詳細な条件に柔軟に対
応できる構成としてもよい。
ット形状の変更に加え、従来のように各スリットの検出
精度設定に変化をもたせ、さらに詳細な条件に柔軟に対
応できる構成としてもよい。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、複数の
スリットパターンを有する可変スリットを駆動させ、基
板内のショットエリアの位置及びパターン形状等に適し
たスリットを選択し、選択されたスリットを介したスリ
ット光を基板に照射し、その反射光を検出することによ
り結像面の平坦化を行うこととした為、基板におけるシ
ョットエリアの位置及びパターン形状等の様々な条件に
対して精度よく結像平坦化を行うことが可能となり、結
果として露光精度を向上させ、品質の向上及び歩留まり
の向上を図ることができる。
スリットパターンを有する可変スリットを駆動させ、基
板内のショットエリアの位置及びパターン形状等に適し
たスリットを選択し、選択されたスリットを介したスリ
ット光を基板に照射し、その反射光を検出することによ
り結像面の平坦化を行うこととした為、基板におけるシ
ョットエリアの位置及びパターン形状等の様々な条件に
対して精度よく結像平坦化を行うことが可能となり、結
果として露光精度を向上させ、品質の向上及び歩留まり
の向上を図ることができる。
【0029】また、本発明では、スリットパターンを可
変させ、そのスリットパターンを介したスリット光を基
板に照射して、結像面の平坦化を行うこととした為、基
板上の様々な条件に柔軟に適応し、精度よい結像面の平
坦化を行うことが可能となる。
変させ、そのスリットパターンを介したスリット光を基
板に照射して、結像面の平坦化を行うこととした為、基
板上の様々な条件に柔軟に適応し、精度よい結像面の平
坦化を行うことが可能となる。
【図1】本発明の露光装置における結像面平坦化装置の
構成を示した構成図である。
構成を示した構成図である。
【図2】図1における可変スリットの拡大平面図であ
る。
る。
【図3】図1における発光ダイオード、可変スリット及
びコリメートレンズの配置を示した拡大図である。
びコリメートレンズの配置を示した拡大図である。
【図4】結像面平坦化装置の制御構成を示したブロック
図である。
図である。
【図5】スリット光がウエハのショットエリアに照射さ
れる様子を示した平面図である。
れる様子を示した平面図である。
【図6】スリット光がウエハのショットエリアに照射さ
れる様子を示した平面図である。
れる様子を示した平面図である。
1・・・結像面平坦化装置、2・・・ディテクタ、4・・・ウエ
ハステージ、5・・・ステージ駆動手段、6・・・ウエハ、6
a・・・ショットエリア、10・・・可変スリット、11・・・
発光ダイオード
ハステージ、5・・・ステージ駆動手段、6・・・ウエハ、6
a・・・ショットエリア、10・・・可変スリット、11・・・
発光ダイオード
Claims (4)
- 【請求項1】 基板の結像面を平坦化させる機能を有す
る露光装置において、 結像面平坦化の為の検出光を照射する検出光照射手段
と、 複数のスリットパターンを具備し、前記検出光をスリッ
ト光に変換する可変スリットと、 前記基板の表面で反射した前記スリット光を検出する検
出手段と、 前記基板を駆動させる基板駆動手段と、 を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記可変スリットは、複数のスリットパ
ターンが同心円上に配列され、前記同心円の中心点を中
心として回転駆動することにより、前記スリットパター
ンの可変を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装
置。 - 【請求項3】 前記可変スリットは、事前に設定された
プログラムに従ってスリットパターンの変更を行うこと
を特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項4】 基板の結像面を平坦化させる結像面平坦
化方法において、 結像面平坦化の為の検出光を照射し、 スリットパターンを可変させ、 前記検出光をスリット光に変換し、 前記基板の表面で反射した前記スリット光を検出し、 前記基板を駆動させることを特徴とする結像面平坦化方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11132105A JP2000323395A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 露光装置及び結像面平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11132105A JP2000323395A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 露光装置及び結像面平坦化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000323395A true JP2000323395A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15073576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11132105A Pending JP2000323395A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 露光装置及び結像面平坦化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000323395A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9715170B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-07-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical proximity correction method and method of manufacturing extreme ultraviolet mask by using the optical proximity correction method |
CN112150541A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-29 | 中国石油大学(华东) | 一种多led晶片定位算法 |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP11132105A patent/JP2000323395A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9715170B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-07-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical proximity correction method and method of manufacturing extreme ultraviolet mask by using the optical proximity correction method |
CN112150541A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-29 | 中国石油大学(华东) | 一种多led晶片定位算法 |
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