JP2000290066A - 半導体製造装置用セラミックス部品 - Google Patents
半導体製造装置用セラミックス部品Info
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- JP2000290066A JP2000290066A JP9750999A JP9750999A JP2000290066A JP 2000290066 A JP2000290066 A JP 2000290066A JP 9750999 A JP9750999 A JP 9750999A JP 9750999 A JP9750999 A JP 9750999A JP 2000290066 A JP2000290066 A JP 2000290066A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電管やウェハー保持材等の半導体製造装置
に用いる優れたセラミックス部品を提供する。 【解決手段】 化学的耐食性及び耐プラズマ性が要求さ
れる個所の半導体製造装置の部品であり、分子式がＹ３
Ａｌ５Ｏ１２からなる多結晶透光性半導体製造装置用の
セラミックス部品である。
に用いる優れたセラミックス部品を提供する。 【解決手段】 化学的耐食性及び耐プラズマ性が要求さ
れる個所の半導体製造装置の部品であり、分子式がＹ３
Ａｌ５Ｏ１２からなる多結晶透光性半導体製造装置用の
セラミックス部品である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 この発明は、半導体製造装
置に用いるセラミックス部品に関するものである。
置に用いるセラミックス部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 半導体製造に関わる装置には多少に関
わらず石英，アルミナ，シリコン等無機系で高純度のセ
ラミックス部品が多用化されている。その部品例として
炉芯管，放電管，電極カバー，ウェハー保持材，均一化
リング，プレート等多種多様にわたっている。
わらず石英，アルミナ，シリコン等無機系で高純度のセ
ラミックス部品が多用化されている。その部品例として
炉芯管，放電管，電極カバー，ウェハー保持材，均一化
リング，プレート等多種多様にわたっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 半導体製造装置に多
用化されていても、石英は外国からのインゴット輸入が
大半で石英メーカーはインゴットから切り出し、加工を
している（材料確保が不安定）。又、火加工が多く一部
を除き熟練した職人の手作業も多く精度的にも同一寸法
を確保するのが困難な状況にある。アルミナも高純度品
の透光性の材料が開発されているが、石英のような透明
ではなく用途が限られる。さらに石英，アルミナは異物
発生の問題がある。これらの製品は高真空プラズマにさ
らされるチャンバー内で使用され、エッチング（腐食）
時はシリコンウェハーのみでなく電極を形成する部材も
同時に侵され、異物が発生し、今後更に超微細化を求め
る回路形成に大きなネックとなってくる。
用化されていても、石英は外国からのインゴット輸入が
大半で石英メーカーはインゴットから切り出し、加工を
している（材料確保が不安定）。又、火加工が多く一部
を除き熟練した職人の手作業も多く精度的にも同一寸法
を確保するのが困難な状況にある。アルミナも高純度品
の透光性の材料が開発されているが、石英のような透明
ではなく用途が限られる。さらに石英，アルミナは異物
発生の問題がある。これらの製品は高真空プラズマにさ
らされるチャンバー内で使用され、エッチング（腐食）
時はシリコンウェハーのみでなく電極を形成する部材も
同時に侵され、異物が発生し、今後更に超微細化を求め
る回路形成に大きなネックとなってくる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】 Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラ
ミックスには、単結晶のセラミックスと多結晶のセラミ
ックスがある。単結晶のＹ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックス
は透明で、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２レーザーの発振子として使
用されており、応用例としてレーザマーカ，医療用レー
ザメスが挙げられる。多結晶のＹ３Ａｌ５Ｏ１２セラミ
ックスは通常不透明であるが、最近透明なものが開発さ
れている。
ミックスには、単結晶のセラミックスと多結晶のセラミ
ックスがある。単結晶のＹ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックス
は透明で、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２レーザーの発振子として使
用されており、応用例としてレーザマーカ，医療用レー
ザメスが挙げられる。多結晶のＹ３Ａｌ５Ｏ１２セラミ
ックスは通常不透明であるが、最近透明なものが開発さ
れている。
【０００５】透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミック
スの特徴及び特性は次の通りである。 （イ）透明性 図１に示す如く、単結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ
１２セラミックスと同等の透明度を持っており高透過ス
ペクトルは紫外線領域から近赤外線領域まで、ほぼ理論
透過率に近い値を持っている。 （ロ）温度依存性 図２に示す如く、透光性多結晶Ｙ３
Ａｌ５Ｏ１２セラミックスは約１４００℃まで室温強度
を維持するが、アルミナＡＩ２Ｏ３では約１０００℃，
石英は約１１００℃から強度低下が認められる。 （ハ）組織及び硬度 透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セ
ラミックスは均一、微細な結晶粒子で構成され、粒子個
々の結晶界面には高温で軟化するアモルファス相（無定
形相）が全く存在しないため問題となる異物が発生しに
くい。又、サファイアに次ぐ硬度を持っておりエッチン
グでの減耗率が少ない。 （ニ）化学性特性 アルカリ蒸気に対する耐食性はアル
ミナセラミックスの１０倍以上あって、プラズマエッチ
ング後も表面状態の面荒れは殆ど変化しない。 （ホ）加工，耐熱性 耐熱では１３００℃の高温におい
てサーマルエッチングによる透過率の低下がない。又、
加工の面では鋳込手法（スリップキャスティング法）が
可能で、ニアネットシェイプ成形が容易である。 （ヘ）透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックスの物
理的特性は表１の通りである。
スの特徴及び特性は次の通りである。 （イ）透明性 図１に示す如く、単結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ
１２セラミックスと同等の透明度を持っており高透過ス
ペクトルは紫外線領域から近赤外線領域まで、ほぼ理論
透過率に近い値を持っている。 （ロ）温度依存性 図２に示す如く、透光性多結晶Ｙ３
Ａｌ５Ｏ１２セラミックスは約１４００℃まで室温強度
を維持するが、アルミナＡＩ２Ｏ３では約１０００℃，
石英は約１１００℃から強度低下が認められる。 （ハ）組織及び硬度 透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セ
ラミックスは均一、微細な結晶粒子で構成され、粒子個
々の結晶界面には高温で軟化するアモルファス相（無定
形相）が全く存在しないため問題となる異物が発生しに
くい。又、サファイアに次ぐ硬度を持っておりエッチン
グでの減耗率が少ない。 （ニ）化学性特性 アルカリ蒸気に対する耐食性はアル
ミナセラミックスの１０倍以上あって、プラズマエッチ
ング後も表面状態の面荒れは殆ど変化しない。 （ホ）加工，耐熱性 耐熱では１３００℃の高温におい
てサーマルエッチングによる透過率の低下がない。又、
加工の面では鋳込手法（スリップキャスティング法）が
可能で、ニアネットシェイプ成形が容易である。 （ヘ）透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックスの物
理的特性は表１の通りである。
【０００６】
【表１】
【０００７】（ト）透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラ
ミックス及び比較例としてのアルミナ及び石英の不純物
量は表２の通りである。
ミックス及び比較例としてのアルミナ及び石英の不純物
量は表２の通りである。
【０００８】
【表２】
【０００９】抵抗率からみても絶縁を必要とする部材へ
適用出来る。純度の面で不純物量からみれば石英との比
較でＣａやＴｉには劣勢であるが、硬度面でエッチング
がされにくい材料の為異物の発生が少なく十分カバーで
き、更にアルミナセラミックスと比較した場合、透光性
多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックスは非常に純度が高
い。
適用出来る。純度の面で不純物量からみれば石英との比
較でＣａやＴｉには劣勢であるが、硬度面でエッチング
がされにくい材料の為異物の発生が少なく十分カバーで
き、更にアルミナセラミックスと比較した場合、透光性
多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックスは非常に純度が高
い。
【００１０】即ち、この発明に係る半導体製造装置用セ
ラミックス部品は、化学的耐食性及び耐プラズマ性が要
求される個所の半導体製造装置部品であり、分子式がＹ
３Ａｌ５Ｏ１２からなる多結晶透光性セラミックス部品
である。
ラミックス部品は、化学的耐食性及び耐プラズマ性が要
求される個所の半導体製造装置部品であり、分子式がＹ
３Ａｌ５Ｏ１２からなる多結晶透光性セラミックス部品
である。
【００１１】
【発明の効果】 透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミ
ックス部品は、半導体製造装置で高熱やプラズマを使用
し熱酸化や化学反応によりシリコンウェハー上に回路，
膜付け等の処理を行う真空チャンパー内の部材として用
いると、優れた耐久性を有する。
ックス部品は、半導体製造装置で高熱やプラズマを使用
し熱酸化や化学反応によりシリコンウェハー上に回路，
膜付け等の処理を行う真空チャンパー内の部材として用
いると、優れた耐久性を有する。
【図１】 透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックス
の直線光透過スペクトル図である。
の直線光透過スペクトル図である。
【図２】 透光性多結晶Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２セラミックス
の曲げ強度の温度依存性図である。
の曲げ強度の温度依存性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳谷 高公 香川県三豊郡詫間町香田80神島化学工業株 式会社詫間工場内 Ｆターム(参考） 4G031 AA08 AA29 BA15 BA18 BA26 CA01 5F031 DA13 EA01 HA62 MA28 MA32
Claims (1)
- 【請求項１】 化学的耐食性及び耐プラズマ性が要求さ
れる個所の半導体製造装置の部品であり、分子式がＹ３
Ａｌ５Ｏ１２からなる多結晶透光性半導体製造装置用セ
ラミックス部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9750999A JP2000290066A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 半導体製造装置用セラミックス部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9750999A JP2000290066A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 半導体製造装置用セラミックス部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000290066A true JP2000290066A (ja) | 2000-10-17 |
Family
ID=14194240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9750999A Pending JP2000290066A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 半導体製造装置用セラミックス部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000290066A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006273445A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Murata Mfg Co Ltd | 物品搬送装置 |
| JP2008239459A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Covalent Materials Corp | イットリウム・アルミニウム・ガーネット系複合材 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2010126430A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Hidehiro Yoshida | 透光性ｙａｇ多結晶体とその製造方法 |
| JP2016058567A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 日本碍子株式会社 | 透光性焼結セラミック支持体及びその製造方法 |
| KR20210134238A (ko) * | 2020-04-30 | 2021-11-09 | 토토 가부시키가이샤 | 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 |
| JP2023528325A (ja) * | 2020-05-26 | 2023-07-04 | ヘレーウス コナミック ノース アメリカ エルエルシー | 複数の片から形成されたプラズマ耐性セラミック体 |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP9750999A patent/JP2000290066A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006273445A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Murata Mfg Co Ltd | 物品搬送装置 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2008239459A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Covalent Materials Corp | イットリウム・アルミニウム・ガーネット系複合材 |
| JP2010126430A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Hidehiro Yoshida | 透光性ｙａｇ多結晶体とその製造方法 |
| JP2016058567A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 日本碍子株式会社 | 透光性焼結セラミック支持体及びその製造方法 |
| KR20210134238A (ko) * | 2020-04-30 | 2021-11-09 | 토토 가부시키가이샤 | 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 |
| KR102582528B1 (ko) | 2020-04-30 | 2023-09-26 | 토토 가부시키가이샤 | 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 |
| JP2023528325A (ja) * | 2020-05-26 | 2023-07-04 | ヘレーウス コナミック ノース アメリカ エルエルシー | 複数の片から形成されたプラズマ耐性セラミック体 |
| JP7507888B2 (ja) | 2020-05-26 | 2024-06-28 | ヘレーウス コナミック ノース アメリカ エルエルシー | 複数の片から形成されたプラズマ耐性セラミック体 |
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