JP2000261018A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池

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JP2000261018A
JP2000261018A JP11060560A JP6056099A JP2000261018A JP 2000261018 A JP2000261018 A JP 2000261018A JP 11060560 A JP11060560 A JP 11060560A JP 6056099 A JP6056099 A JP 6056099A JP 2000261018 A JP2000261018 A JP 2000261018A
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solar cell
solar
panel
cell
silicon
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JP11060560A
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English (en)
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Naoto Mogi
木 直 人 茂
Atsushi Kamata
田 敦 之 鎌
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電性基板と半導体薄膜とにより太陽光を効
率的に集めて起電力を発生させると共に、太陽電池パネ
ルの外観の向上も図る。 【解決手段】 平板状で導電性を有するグラファイトや
非晶質カーボン等の基材6の両面に半導体薄膜7(7
a、7b)をそれぞれ積層して形成された複数のセル5
と、これら複数のセル5を収納すると共に太陽光が入射
される一面のみに光透過性の板4を有する扁平な密閉箱
状のパネル2とを備え、複数のセル5が前記パネル2に
おける太陽光入射面に対して所定の角度傾斜して設置さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池パネル、特
に多結晶シリコン等の半導体薄膜を活性層とするセルの
構成を改良し、かつこのセルを収納用のパネルに対して
所定角度で効率良く配置した太陽電池に関する。
【0002】
【従来の技術】結晶性のシリコン半導体、もしくは、非
晶質シリコン半導体を用いた太陽電池は、価格の低下と
効率の向上に伴い、一般家庭を含む電力消費施設におい
て商用電力に替わって用いられるようになってきた。し
かしながら、地上での太陽光のエネルギー密度は低いた
め、一般家庭の電力を太陽電池だけで満たそうとした場
合には、住宅の屋根のうち、太陽電池を設置可能な部分
が全て太陽電池パネルにより覆われる程度の大面積にわ
たり太陽電池パネルを設置する必要がある。
【0003】また、ビルディングの外壁面の全てを太陽
電池パネルで覆ったとしても、ビルディングの内部で消
費される電力の全てを太陽光発電により賄うのには充分
でなく、太陽光発電により得ることができるのは、全消
費電力の一部分に過ぎない。このために、太陽光発電を
取り入れた住宅の外観は、日のあたる側の屋根の全面が
太陽電池パネルによって覆われたような景観になり、ま
た、太陽光発電を取り入れたビルディングの外観は、外
壁面の全てが太陽電池パネルで埋め尽くされたような景
観になってしまう。
【0004】太陽電池は、太陽光エネルギーを可能な限
り有効に利用するために、太陽電池セル面での太陽光の
反射が小さくなるような構造上の工夫をしている。しか
しながら、住宅の屋根やビルディングの外壁面の広い面
積を太陽電池パネルによって覆った場合には、上記構造
上の工夫にも拘わらず太陽光が太陽電池セル表面で反射
されて、この光が特定な方向に反射されることになり、
周囲の住民に不快感を与えるなどの問題が発生する。太
陽電池が社会で幅広く用いられるようになるためには、
太陽電池がユーザ等に不快感を与えるような現象の発生
は極力抑制することが必要である。
【0005】太陽電池パネルからの太陽光の反射は、太
陽光を受光し発電する太陽電池セル表面の光反射を低く
すれば当然低減される。太陽電池セルを構成するシリコ
ン半導体表面の光反射を低減する方法は良く知られてい
る。例えば、シリコン半導体表面に反射防止膜を形成
し、光干渉効果によって反射を低減する方法は最も一般
的である。しかしながら、太陽光に含まれる可視領域の
全波長光が太陽電池の発電に寄与するが、反射防止膜に
よって、全可視光波長の光に対して反射防止となる条件
を設定することは難しい。つまり、反射防止対策を施す
と、特定波長の光はカットされることになるため、その
分どうしても発電効率の低下を招くことになる。
【0006】これに加えて、太陽電池の向きを太陽の移
動に合わせて動かすようなことをしない場合には、太陽
光の太陽電池セル表面への入射角度は太陽の運行と共に
変化する。干渉効果を用いた反射防止膜では、あらゆる
角度から入射する光に対して一様に低い反射率となる条
件とすることはできない。太陽電池パネル面での太陽エ
ネルギー密度が高くなる太陽高度が高いという条件、換
言すれば、太陽光の入射角が太陽電池パネルの受光面に
対して垂直に近い条件の時に太陽電池セル面での反射率
が最も小さくなるような反射防止膜を形成した太陽電池
においては、太陽高度が低くなり、太陽電池パネル面へ
の太陽光の入射角が垂直軸から大きくはずれるようにな
ると、太陽電池セル表面での太陽光の反射が強くなる現
象が現れることになる。
【0007】半導体表面を不規則な状態に凹凸化すれ
ば、表面反射そのものを減らさなくとも、光反射の方向
が分散されることによって、特定な方向への太陽光の反
射を抑制でき、太陽電池パネル面のまぶしさを抑えるこ
とができる。しかしながら、この方法は反射そのものを
抑制するものでないために、太陽電池の効率向上に寄与
するものではなく、むしろ、反射光成分が増大し、太陽
電池の効率を低下せしめることにもなる。
【0008】半導体表面を不規則に凹凸化するのではな
く、半導体表面が一定角度以上の微小表面で覆われたよ
うな構造とすると、表面へ入射した光が表面で2回以上
表面反射された後に反射される光の割合が増大し、半導
体表面での光反射が大幅に低減する。凹凸の表面が45
度以上になると反射光がほとんどない状態となり、半導
体表面が非常に暗く見える太陽電池セルとなる。しかし
ながら、太陽電池セルの半導体表面を非常に暗く見える
条件となるように凹凸化することは、値段の高い単結晶
シリコンを用いた太陽電池であって、単結晶の結晶表面
の特異性を利用して結晶のエッチングを行なう方法が適
用できる場合には実現可能であっても、多結晶シリコン
を用いる場合には単結晶シリコンを用いる場合のように
性能の高い凹凸面を形成することは難しい。さらに、凹
凸化するための製造工程が追加されるために、低価格化
が極めて重要な太陽電池においては、好ましい製造方法
であるとはいえない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
太陽電池によれば、パネルが設置された建造物の景観が
表面反射等によりあまり好ましくない状態となり、ま
た、セルの表面の平滑化を調整して地球の自転に伴う太
陽光の入射角度の変化による反射を抑えるようにしても
充分な反射抑制が行なえないばかりでなく、製造工程の
煩雑化を招くという問題点を有していた。
【0010】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたものであり、半導体薄膜層をセルの表面に形成する
と共に、このセルの面をパネル平面に対して所定角度傾
斜させて設置することにより、高い効率により太陽光か
らエネルギを集めると共に、パネル表面での反射光を低
減することができる太陽電池パネルを提供することを目
的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る太陽電池は、平板状で導電性を有する
基材の両面に半導体薄膜をそれぞれ積層して形成された
複数のセルと、これら複数のセルを収納すると共に太陽
光が入射される一面のみに光透過性の板を有する扁平な
密閉箱状のパネルとを備え、前記複数のセルが前記パネ
ルにおける太陽光入射面に対して所定の角度傾斜して設
置されていることを特徴としている。
【0012】以上のように構成したので、基材の両面に
形成された半導体薄膜の活性層により太陽光のエネルギ
ーをセル両面を用いて集めることができると共に、扁平
な密閉箱状のパネル内の太陽光入射面に対してセルが所
定角度傾斜するように設けられているので、並列に傾斜
設置されたセルの一面で反射した太陽光を隣接するセル
の他面の半導体薄膜層で集めることができ、効率の良い
太陽電池となる。またパネルの太陽光透過面以外の面の
内側を白色等の光反射色で形成しておくことにより、前
記セルの一面ばかりでなくパネルの内側には入射されて
もセルからは外れた光をパネル内側の反射面により反射
させてセルの他面または状況によってはセルの一面にも
再集光することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る太陽電池の好
適な実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に
説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る太陽電池
の全体構成を示している。図1において、太陽電池1は
概略的には、パネル2と、セル5とにより構成されてい
る。
【0014】太陽電池用パネル2は、上部が開口した箱
状の金属製キャビネット3の開口部を透明な板としての
強化ガラス4により塞ぐことにより構成されている。金
属製のキャビネット3の内側面は、太陽光に対して散乱
反射率の高い白色に塗装されている。太陽電池用セル5
は半導体薄膜の部分の一辺が略10cmの正方形であ
る。太陽電池用パネル2の厚みは太陽電池用セル5の大
きさに依存する。太陽電池用パネル2を薄くしたい場合
には、セル寸法を小さく取ればよい。
【0015】太陽電池用セル5は、板状もしくは膜状の
基材6の両面側に例えば多結晶シリコン等の半導体によ
り薄膜層7を形成することにより構成されている。太陽
電池用のセル5の製造方法については後述するが、セル
5の面とパネル2の面とがなす角度が略45度となるよ
うにしてパネル2内に取り付けられており、また、隣接
するセル5は、太陽電池パネル2の強化ガラス4の面の
垂直方向から見た場合に、セル5同士が互いに重ならな
いように、かつ、隙間なく平行に並ぶように配置されて
いる。
【0016】太陽電池用パネル2の強化ガラス4を通し
て入射した太陽光は、太陽電池用セル5の太陽に向いた
側の面の半導体薄膜層7でその一部が反射し、その一部
は隣接する太陽電池セル5の太陽に向いた面とは反射側
の面に照射される。また、反射光の一部は、さらに反射
され金属製キャビネット3の内側面で散乱され、隣接す
る太陽電池セル5により吸収される。したがって、セル
5により挟まれた空間は、太陽電池用セル5によって直
接吸収されなかった太陽光によって満たされ、再び太陽
電池用セル5によって吸収される。
【0017】次に、図2を参照しながら上記実施形態に
用いられる太陽電池セル5の詳細な構成を説明する。導
電性で耐熱性の板状の基材としての非晶質カーボン薄板
6はその両面に、半導体薄膜層としての多結晶シリコン
層7aおよび7bを備えている。多結晶シリコン層7a
および7b中にはp型シリコンにn型不純物であるリン
(P)を拡散させて、結晶表面に沿ってpn接合を形成
している。多結晶シリコン層7aおよび7bの表面に
は、アルミニウム(Al)等の金属よりなるn型電極5
1a,51bおよび集電電極52a,52b(ただし、
52bは背面にあるため図2においては図示されず符号
のみ表示する。)が形成されている。非晶質カーボン薄
板6の表面には、多結晶シリコン層7aおよび多結晶シ
リコン層7bからなる2つの独立した太陽電池に対して
共通のp型電極53aまたは53bが形成されている。
【0018】図2に示す、非晶質カーボン膜6の両側に
多結晶シリコン薄膜7aおよび7bが形成された構造体
は、図3に示すようなセル製造装置10により製造され
ている。図3に示すように、セル製造装置10は、非晶
質カーボンフィルム6を溶融シリコン12が貯留された
シリコン溜11の底面のスリット(図示せず)を通して
引き出す一方、溶融シリコンが両面に付着されて引き出
された非晶質カーボンフィルム6を冷却装置13により
急速に冷却せしめることによって高速にシリコン結晶成
長を行なえるようにしたものである。シリコン溜11へ
のシリコン原料の供給はシリコン粉末供給塔14より粉
末シリコン15を供給することにより行ない、これによ
り成長膜厚の制御性を高めている。
【0019】上記シリコン溜11の溶融温度は摂氏14
00度程度である。また、冷却装置13は水冷ジャケッ
トを備え、多結晶シリコンを急速に冷却するためにシリ
コン薄膜7の付着したカーボン基材6をアルゴンガス中
を通過させている。なお、冷却装置13の内部構成の詳
細説明は省略するが、シリコン薄膜7が付着された基材
6の両面に下側より上側にナミナフロー状態と呼ばれる
層流状態でアルゴンガスを流すことにより、急速冷却す
る技術が効果的である。
【0020】なお、符号16は、セル製造装置10を挿
通させられるカーボン基材6のフィルムを一定速度で移
動させるための移動用ローラである。この移動用ローラ
16は、特に冷却装置13の出側に設けられているもの
により多結晶シリコン薄膜の面制御を行なうこともでき
る。したがって、冷却装置13の直近の出側のローラ1
6がセルフィルムを押圧する押圧力は調整可能な構成と
しておくことが望ましい。
【0021】図3のセル製造装置10により連続的に製
造されたセルのフィルムを用いて、太陽電池用セル5を
製造する方法について、図4を用いて説明する。図4に
おいて、長さ10cm程度の所定の長さにカットされた
セルフィルムは、図4(a)に示すように、非晶質カー
ボン層6の両表面の全面にわたって多結晶シリコン薄膜
7が積層された状態となっている。次に、図4(b)に
示すように、パネル組み付け後は上下両端縁となる箇所
に対してエッチングを行なうことにより、表面側の多結
晶シリコン層7aと裏面側の多結晶シリコン層7bとが
形成される。
【0022】その後、所定のパターニング等によりn型
電極51aおよび51bがそれぞれ多結晶シリコン層7
aおよび7b上に形成され、同時にそれぞれの多結晶シ
リコン層7aおよび7b上に櫛形の終電電極52aおよ
び52bが形成される。さらに、カーボン基材6の剥き
出しにされた端縁側にはp型電極53aまたは53bが
形成される。なお、p型電極53aまたは53bは、基
材6に対する共通電極であるので、何れか一方だけを設
けるようにしても良い。
【0023】以上の構成を有する実施形態に係る太陽電
池の作用につき以下に説明する。上記実施形態に係る太
陽電池は、板状シリコン多結晶の中央部をシート状の非
晶質カーボン層が貫いたセル構造を有し、非晶質カーボ
ン層を挟む両側の板状シリコン多結晶中にはpn接合、
もしくは、pin接合が形成されてなり、非晶質カーボ
ン層は非晶質カーボン層を挟む両側の板状シリコン多結
晶中に形成されたpn接合、もしくは、pin接合の共
通電極として機能するセル構造を有し、上記構造を有す
るセルをアレー状に配列せしめた太陽電池であって、セ
ル面とアレー面とが所定の角度になるようにセルが取り
付けられ、セルの太陽に相対する側の面に入射した太陽
光の反射光が、セルの太陽とは反対の面、すなわち、セ
ルの裏面に照射させるようにしたことを特徴としてい
る。上記太陽電池において基材6の両面に形成された多
結晶シリコン薄膜7に形成される接合は、シリコン薄膜
中に起電力を発生させ得る接合であれば、pn接合でも
pin接合の何れであっても良い。
【0024】本発明は、太陽電池セルの光入射面を、太
陽電池パネル面に対して平行に設置するのではなく、太
陽電池パネル面に対して一定角度傾け、一定間隔で配列
させることによって、太陽電池パネル面に入射した太陽
光が太陽電池セル面で反射された後、太陽電池セルで囲
まれた空間領域に閉じこめられるようにすることによっ
て、太陽光の太陽電池パネル面での反射光強度を低減せ
しめている。
【0025】また、本発明のこの実施形態は、太陽電池
セルとして、板状太陽電池セルの両側の面に、それぞれ
pn接合もしくはpin接合が形成されたものであっ
て、太陽電池セルの両側の面で光発電が起きるようにし
たことを特徴とする太陽電池セルを、太陽電池パネル面
に対して一定角度傾け、一定間隔で配列させることによ
って、太陽電池パネル面に入射した太陽光が太陽電池セ
ル面で反射された後、太陽電池セルで囲まれた空間領域
に閉じこめられるようにする一方、太陽電池セルの太陽
に相当する側とは反対側の太陽電池セル面側でも太陽光
発電が起きるようにしたことを特徴とする太陽電池であ
る。
【0026】また、本発明のこの実施形態は、太陽電池
の両側の面で太陽光発電が起きるようにしたことを特徴
とする太陽電池セルを、グラファイトまたは非晶質カー
ボンのような板状もしくは膜状であって、かつ、溶融シ
リコンとの濡れが良好であるところの基材の両側の面の
相対する位置において同時に、溶融状態となったシリコ
ンを固化させる工程を含む工程を経て製作することを特
徴とする太陽電池の製造方法へと発展させることも可能
である。
【0027】本発明のように、太陽電池のセル面が、太
陽電池パネル面と平行にはならず、一定角度傾けて取り
付け、かつ、太陽電池セルの間隔を一定間隔で取り付け
た場合、太陽電池セルの太陽に向いた側の面に入射した
太陽光は、この面で反射されて、太陽電池セルの太陽に
向いた面の逆側の面、すなわち、裏面を照射することに
なる。太陽電池セルの裏側面に入り込んだ太陽光は、太
陽電池セルの裏側の空間に閉じ込められる結果となり、
太陽光は太陽電池パネル面から反射される量は極めて少
量となる。この太陽光太陽電池セル面への閉じ込め効果
は、太陽電池セルの幾何学配置により決まってしまうも
のであり、太陽光の波長や太陽光高度、すなわち、太陽
光と太陽電池パネル面とがなす角度にはほとんど依存し
ない。
【0028】このために、干渉効果により反射防止効果
を生じせしめる場合とは異なり、太陽高度の変化によっ
て太陽電池パネル面からの光反射が増大するような現象
は発生しない。太陽電池セル面と太陽電池セルを取り付
けた太陽電池パネル面とがなす角度は、45度を中心に
前後22.5度の範囲で有効であった。したがって、図
1に示すように、パネル2の透明な強化ガラス板4に対
するセル5の傾斜角θは、22.5度から67.5度の
範囲であることが望ましいが、太陽宇電池の設置される
箇所の特殊性を考慮して、この範囲よりも狭い角度やこ
れより広い角度でセルを傾斜させても良い。
【0029】本発明の実施形態に係る太陽電池の場合、
太陽電池セルの裏面側に入り込んだ太陽光は太陽電池の
裏面側に形成された半導体層で吸収され、半導体層中に
形成されている接合によって起電力を生じ、太陽電池セ
ルの裏面側でも太陽光発電が起きる。本発明では、太陽
光の反射抑制効果のみならず、抑制した光反射成分を太
陽光発電に有効に寄与せしめることができるため、太陽
電池の効率を向上させることにも有効であった。
【0030】本発明の作用効果は、本発明の実施形態の
ように、膜状もしくは板状の基材の両側にシリコン半導
体層を設け、このシリコン半導体層中に接合を形成する
ことにより太陽電池セルを構成しなくても、セルの片面
にだけ半導体相および接合を形成した従来の太陽電池セ
ルの裏面同士を貼り合わせたものを用いても構成でき
る。しかしながら、このような方法では、太陽電池セル
を太陽電池パネル面に対して45度となるよう設置した
場合、太陽電池セルを太陽電池パネル面に対して平行と
なるようおいた場合に比べて、概略2.8倍の面積の太
陽電池セルが必要となる。太陽電池セルのコストは太陽
電池セルの面積と共に増大することから、従来の太陽電
池セルを2枚合わせて本発明の方式をとるのは、製造コ
ストの点から利点はない。本発明の太陽電池は、一枚の
太陽電池の裏と表で独立に発電を行うことができる太陽
電池セルが、従来の片側でしか発電できない太陽電池と
同程度のコストで製造できるようなって始めて経済的に
成り立つ方式である。
【0031】グラファイトや非晶質カーボンの膜状や板
状の基材上に結晶性シリコン堆積させて太陽電池を製作
するような多結晶シリコン太陽電池では、その光電変換
効率は結晶粒の大きさに強く依存する。グラファイトや
非晶質カーボンの膜や板状基材上に結晶性シリコン堆積
させる方法を用いる場合、基材の両側にほぼ対称的にシ
リコン結晶層を堆積させることは、基材の片側にシリコ
ン堆積層を形成する場合に比べて、大きな結晶粒を成長
せしめる点で容易である。
【0032】グラファイトや非晶質カーボンよりなる基
材6の両側面にシリコン堆積層を形成する方法には、C
VD(Chemical Vapour Deposition―化学的気相―)法
と呼ばれる方法によって、Siを構成原子として含むガ
スを分解し、気相中から個体シリコンを堆積させる方法
や、溶融シリコン溜11にグラファイトや非晶質カーボ
ンの基材6を順次接触させながら、溶融シリコン溜11
からグラファイトや非晶質カーボンの基材6を順次引き
出すことによって、連続的にグラファイトや非晶質カー
ボンの基材6の両側表面にシリコン結晶を溶融固化させ
て液相から固体シリコン層7を形成する方法や、溶射法
と呼ばれる方法によって、固体シリコン粉末を高温ガス
と共に基材6に吹き付けることによって、基材6上に固
体シリコン層を膜状に形成する方法である。このうち、
CVD法や溶射法で堆積したシリコン層7の結晶粒はは
なはだ小さいものであり、このままでは効率の高い太陽
電池セルを形成することが困難なため、堆積したシリコ
ン層を融点まで加熱し溶融固化させ結晶粒径を増大させ
ることが必要となる。
【0033】基材6に堆積したシリコンを溶融固化させ
粒径拡大を図るには、基材6側からの結晶核発生を抑制
し、溶融シリコンの表面から結晶が成長させることが重
要となる。ところで、グラファイトや非晶質カーボンの
基材6の両側にシリコン結晶を溶融固化させる場合に
は、基材を挟んで対称的な熱分布を形成しない限り溶融
固化プロセスを連続的に進めることはできない。溶融し
たシリコンの冷却は融液表面から進むことになり、した
がって結晶成長も融液表面から進むことを意味してい
る。すなわち、基材の両側にシリコン薄膜を溶融固化さ
せる工程を用いることは、結晶粒の大きい多結晶シリコ
ン層を成長せしめることが容易となる。基材の両側にシ
リコン層を形成する方式は高効率の太陽電池の成長に適
している。
【0034】グラファイトや非晶質カーボンのような基
材にシリコンを溶融堆積する場合には、基材と固体シリ
コンの熱膨張の差によって、シリコンを溶融固化させた
基材が大きく反る現象が起きる。この基材の変形現象の
ために大面積の太陽電池セルが製作することが困難とな
る。しかしながら、本発明の場合のように基材の両側に
対称的にシリコン層を形成する場合には、基材とシリコ
ン層に熱膨張係数に差がある場合でも、基材が反るよう
な問題は発生せず、大面積の太陽電池セルを製作するこ
とができる。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、これまでは単結晶
表面に深い凹凸を形成することによって実現していた
が、本発明によれば、グラファイトや非晶質カーボンの
ような基材の両面に半導体結晶を堆積することにより太
陽電池用のセルを形成したので、太陽電池表面での太陽
光の反射の少なく、かつ効率の高い太陽電池を安価に製
造することができる。
【0036】また、太陽電池を密閉されたパネルと、こ
のパネルの太陽光受光面に対して所定角度傾斜させて設
置したセルとにより構成するようにしたので、太陽電池
という環境汚染の少ないエネルギー源の活用拡大を図る
ため低コストで高い効率を実現でき、さらに工業的価値
の極めて高い太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る太陽電池を示す図。
【図2】本発明の実施形態に係る太陽電池に用いたセル
の構造を示す図。
【図3】本発明の実施形態に係る太陽電池用セルの製造
装置を示す斜視図。
【図4】本発明の実施形態に係る太陽電池用セルの製造
工程を示す工程図。
【符号の説明】 1 太陽電池 2 パネル 3 扁平箱 4 透明板 5 セル 6 導電性基材 7、7a、7b 半導体薄膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平板状で導電性を有する基材の両面に半導
    体薄膜をそれぞれ積層して形成された複数のセルと、こ
    れら複数のセルを収納すると共に太陽光が入射される一
    面のみに光透過性の板を有する扁平な密閉箱状のパネル
    とを備え、 前記複数のセルが前記パネルにおける太陽光入射面に対
    して所定の角度傾斜して設置されていることを特徴とす
    る太陽電池。
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JP (1) JP2000261018A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287997A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Fujikura Ltd 太陽電池モジュール
JP2010251478A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Toyota Central R&D Labs Inc 太陽電池モジュール
KR200451001Y1 (ko) 2009-12-08 2010-11-16 정한오 다층형 양면 태양전지모듈
KR101041102B1 (ko) 2009-06-30 2011-06-13 (주)티엠테크 태양광 전지판의 냉각장치
JP2011530688A (ja) * 2008-08-06 2011-12-22 メリーランド・ブラッシュ・カンパニー 太陽エネルギー変換
KR101144483B1 (ko) 2009-09-30 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치, 이를 포함하는 태양광 발전 시스템 및 이의 제조방법
KR101176083B1 (ko) 2010-06-25 2012-08-22 김미지 산란광 집광으로 공간 이용 효율을 향상시킨 태양전지 모듈

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