JP2000252553A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ励起固体レーザ装置

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JP2000252553A
JP2000252553A JP5103899A JP5103899A JP2000252553A JP 2000252553 A JP2000252553 A JP 2000252553A JP 5103899 A JP5103899 A JP 5103899A JP 5103899 A JP5103899 A JP 5103899A JP 2000252553 A JP2000252553 A JP 2000252553A
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resonator
laser
semiconductor laser
state laser
solid
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JP5103899A
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English (en)
Inventor
Yoshifumi Yoshioka
善文 吉岡
Kimitada Tojo
公資 東條
Tomoshi Iriguchi
知史 入口
Kazuma Watanabe
一馬 渡辺
Yutaka Kobayashi
裕 小林
Katsuto Inagaki
勝人 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】外気温度変化や外気の流れにより、共振器内の
空気や光学素子の屈折率が変化してレーザ出力が不安定
になることを防止した半導体レーザ励起固体レーザ装置
を提供する。 【解決手段】波長809nm半導体レーザ光に対して高
透過率になるよう両面をコーティングした光透過窓24
と、共振器18からのSHG出力光に対して高透過率に
なるよう両面をコーティングした光透過窓25を備えた
密閉構造のチャンバ26内に共振器18を収容すること
により、外気温度変化や外気の流れによる共振器18内
への影響を遮断することができ、レーザ出力光の安定性
を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種計測器、レー
ザプリンタ、医療機器あるいは光造形などの各種分野に
用いられる半導体レーザ励起固体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ励起固体レーザ装置(以
下、固体レーザ装置と称す)は、光共振器内に置かれた
固体レーザ媒質(例えばYAG結晶等)に、半導体レー
ザの励起源から出力されたレーザ光を集光して照射し、
その固体レーザ媒質及び非線形光学結晶のSHG(Se
cond Harmonic Generation)
素子を励起することによって光共振器(以下、共振器と
称す)内でレーザ発振を引き起こさせる方式の固体レー
ザ装置である。
【0003】従来の固体レーザ装置は図4に示すよう
に、励起光を出力するための半導体レーザ(LD)1
と、励起光を集光するための励起光結合系を形成するレ
ンズ2、3と、固体レーザ媒質4、SHG素子5及び出
力ミラー6からなる基本波及び第2高調波レーザ光を発
生させる共振器18と、この共振器18を温度制御する
ために用いられる温度モニタライン10、例えばペルチ
ェ素子(TEC)のような温度制御素子9を駆動するた
めのTEC駆動ライン11及び共振器温度調節器17
と、ビームスプリッター7、フォトダイオード8、ブル
ーレーザ光モニタライン12及びLDドライバ16から
なりSHG波を一定に保持する後述のAPC(Auto
Power Control)機構19から構成され
ている。
【0004】そして、このような半導体レーザ励起方式
の固体レーザ装置において、共振器18は他の光学部品
と共に非密閉構造のハウジングケース27に収納されて
使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体レーザ装置
は上記のように構成されているが、共振器18が単に非
密閉構造のハウジングケースに収納されているだけであ
るため、外気温度変化や外気の流れが共振器18に空気
の揺らぎや熱擾乱の影響を与え、空気や光学素子の屈折
率が変化し、これがレーザ出力の不安定要因となる。例
えば、共振器長が約20mm、屈折率1.5の共振器を
使用する場合、図5に示すようなレーザ出力光における
透過ピークの周波数間隔、すなわち縦モード間隔はおよ
そ5GHzであるが、この周波数間隔は波長946nmな
るレーザ光に対しては、0.015nmなる波長間隔に
相当する。
【0006】一方、共振器周辺の空気が室温付近で1℃
変化すると、波長946nmのレーザ光であれば、0.
001nmに相当する波長の揺らぎを発生する。図2の
左部分はこのような半導体レーザ励起固体レーザ装置を
ほぼ環境温度一定の室内に放置した場合のSHGレーザ
光の出力特性を示したものであるが、図のようにランダ
ムに出力強度が変化する不安定現象が現れる。このよう
な不安定現象は不規則かつ突発的に起こるためにAPC
制御を行なっていても、レーザ出力の不安定性を除去す
ることができないという問題があった。また、共振器1
8が外気に対して非密閉構造であるため、外気中に含ま
れる粉塵が共振器18内の光学部品に付着し、これがレ
ーザ出力の低下をもたらす要因になりやすいという問題
があった。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、外気温度変化や外気の流れの影響を除
去し、また、外気中に含まれる粉じんによるレーザ出力
の低下を起こさない半導体レーザ励起固体レーザ装置を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1の発明は、半導体レーザからの出力光によ
り励起される固体レーザ媒質を含む光共振器内に非線形
光学結晶を収容して、上記固体レーザ媒質から誘導放出
される基本波の第2高調波を光共振器内で発振させ出力
ミラーを介して外部に出力するように構成されたレーザ
装置において、光共振器を密閉構造として、外気と遮断
したことを特徴とする。
【0009】さらに、請求項2の発明は、請求項1記載
の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、光共振器
全体を一定温度に保つ機構を設けたことを特徴とする。
本発明の固体レーザ装置は上記のように構成されてお
り、外気温度変化や外気の流れによる共振器への影響や
外気中に含まれる粉塵によるレーザ出力の低下を防止す
ることができ、レーザ出力の不安定要因を除くことがで
きる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の固体レーザ装置の一実施
例を図1の構成図に基づき説明する。本装置は、励起光
を出力するための半導体レーザ(LD)1と、励起光を
集光するための励起光結合系を形成するレンズ2、3
と、固体レーザ媒質4、SHG素子5及び出力ミラー6
からなる基本波及び第2高調波(SHG)レーザ光を発
生させる共振器18と、この共振器18を温度制御する
ための温度モニタライン10、温度制御素子(例えばペ
ルチェ素子)9を駆動するためのTEC駆動ライン11
及び共振器温度調節器17と、ビームスプリッター7、
フォトダイオード8、ブルーレーザ光モニタライン12
及びLDドライバ16からなりSHG波を一定に保持す
るためのAPC機構19から構成されている。
【0011】前記共振器18はLD励起光を透過させる
ための光透過窓24とSHGレーザ光を透過させるため
の光透過窓25を一体とした密閉型チャンバ26内に収
容され、チャンバ26外の空気の流れや熱擾乱から遮断
されている。光透過窓24は光の屈折により光軸がずれ
ないようにするため、平行光線が通過するレンズ2と3
の間に設置され、その両面は波長809nmなるLD励
起光に対して高透過率となる誘電体膜がコーティングさ
れている。また、光透過窓25はSHGレーザ出力光側
に配置され、その両面はSHGレーザ出力光に対して高
透過率となる誘電体膜がコーティングされている。
【0012】一方、共振器18内の固体レーザ媒質4に
はNd:YAG結晶、SHG素子5にはKnbOの非
線形結晶を用い、固体レーザ媒質4の励起光入射端面4
a及び出力ミラー6の凹面には946nmの基本波並び
にそのSHG波に対して高い反射率をもつ誘電体多層膜
がコーティングされている。
【0013】この固体レーザ装置では、半導体レーザ1
から発生した励起光がレンズ2によって平行光線とされ
た後、光透過窓24を透過しレンズ3によって収束さ
れ、固体レーザ媒質4を励起する。この固体レーザ媒質
4は、その励起光入射端面4aと出力ミラー6からなる
共振器18内に配置されており、レーザ発振を起こす。
このとき、同様に共振器18内に配置されたSHG素子
5中において第2高調波が発生し、Nd:YAG946
nmレーザ光の第2高調波である473nmのブルーレ
ーザ光(SHG光)を発振させる。これにより波長変換
が行われ、短波長化したブルーレーザ光が出力ミラー6
及び光透過窓25を通過して外部へ出力される。
【0014】一方、このブルーレーザ光は前記APC機
構19のビームスプリッター7によって実際のブルーレ
ーザ光とモニタ用レーザ光に分離され、モニタ用レーザ
光はフォトダイオード8に導かれてその強度が検出され
る。この検出された強度信号は、半導体レーザ1の励起
光強度を調節するための駆動電流を出力するLDドライ
バ16にフィードバックされ、ブルーレーザ光強度が一
定値になるようLDドライバからの駆動電流が制御され
る。
【0015】図2は共振器18の構造が密閉型と非密閉
型の違いによって外部環境に対する出力特性の影響を明
らかにするため、APC機構を作動させずに出力特性を
測定したものであるが、非密閉型に比し密閉型の出力特
性の安定性が著しく向上している。
【0016】図3は、本発明の固体レーザ装置の他の実
施例を示す構成図である。図において、チャンバ26に
は熱伝導のよい金属(例えばアルミニュウム)または金
属化合物を用い、温度制御素子9をチャンバ26に密着
させることにより共振器全体を一定温度に制御してい
る。この結果、共振器18内部を広い温度範囲にわたっ
て均一温度に保つことができ、レーザ出力光の安定度を
さらに向上させることができる。なお、前記光透過窓2
4、25の配置場所については、本実施例に限定される
ものではなく、共振器18寄りに変えることも可能であ
る。
【0017】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装
置は上記のように構成されており、共振器部を密閉構造
とすることによって、外気温度変化や外気の流れが共振
器内の光学素子の特性に与える影響を排除することがで
き、レーザ出力の安定性を向上させることができる。ま
た、密閉構造により、外気中に含まれる粉塵が共振器内
に混入し光学素子に付着し、レーザ出力の低下をもたら
す要因を排除することができる。さらに、共振器部を密
閉構造とし、かつ共振器部全体を一定温度に保持する機
構を設けることにより、環境温度の広い範囲にわたって
レーザ出力の安定性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の実
施例を示す構成図である。
【図2】従来及び本発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の出力特性比較図である。
【図3】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の他
の実施例を示す構成図である。
【図4】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置を示す
構成図である。
【図5】半導体レーザ励起固体レーザ装置のレーザ出力
光の透過ピークを示す周波数特性図である。
【符号の説明】
1・・・半導体レーザ(LD) 2、3・・・レンズ 4・・・固体レーザ媒質 4a・・・励起光入射端面 5・・・SHG素子 6・・・出力ミラー 7・・・ビームスプリッター 8・・・フォトダイオード 9・・・温度制御素子 10、14・・・温度モニタライン 11、15・・・TEC駆動ライン 12・・・ブルーレーザー出力モニタライン 13・・・LD駆動ライン 16・・・LDドライバ 17・・・共振器温度調節器 18・・・共振器 19・・・APC機構 24、25・・・光透過窓 26・・・チャンバ 27・・・ハウジングケース
フロントページの続き (72)発明者 入口 知史 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 渡辺 一馬 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 小林 裕 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 稲垣 勝人 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 Fターム(参考) 5F072 AB02 AB13 JJ05 KK06 KK12 KK15 KK16 KK21 KK26 KK30 PP07 QQ02 TT05 TT16 TT28

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザからの出力光により励起され
    る固体レーザ媒質を含む光共振器内に非線形光学結晶を
    収容して、上記固体レーザ媒質から誘導放出される基本
    波の第2高調波を光共振器内で発振させ出力ミラーを介
    して外部に出力するように構成されたレーザ装置におい
    て、前記光共振器を密閉構造に構成し、外気と遮断した
    ことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
  2. 【請求項2】光共振器の全体を一定温度に保つ温度調節
    機構を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体レ
    ーザ励起固体レーザ装置。
JP5103899A 1999-02-26 1999-02-26 半導体レーザ励起固体レーザ装置 Pending JP2000252553A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002111105A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Shibaura Mechatronics Corp レーザダイオードモジュール装置およびレーザ発振器
WO2019123516A1 (ja) * 2017-12-18 2019-06-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、euv光生成システム、及び電子デバイスの製造方法

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