JP2000246223A - 有機物処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理槽内部の温度制御が、外気温の影響によ
り不安定となることを簡素な構成により解消する。 【解決手段】 処理槽１の外面に、面状ヒータを用いて
なる下部ヒータＨ₁ 及び上部ヒータＨ₂ を被着する。下
部ヒータＨ₁ の基材Ｓの表面に、ヒータ芯線Ｌの近傍に
位置して第１の温度センサ５を、ヒータ芯線Ｌから離れ
た位置に第２の温度センサ６を取付け、これら第１，第
２の温度センサ５，６の検出温度に基づいて下部ヒータ
Ｈ₁ の通電を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理槽に投入され
た有機物を、該処理槽の内部に収納された担体中に生息
する微生物の活動により分解処理する有機物処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般家庭、飲食店の厨房内に発生する厨
芥（生ごみ）等の有機物を処理するための一方法とし
て、微生物による分解を利用する方法がある。この方法
による有機物処理装置は、微生物の担体（木質細片、お
が屑、活性炭等）を収納する処理槽の上部に投入口を開
設し、また内部に攪拌体を配して構成され、前記投入口
を経て処理槽内に投入される有機物を前記攪拌体の回転
により担体と共に攪拌し、該担体中に取り込んで分解処
理する構成となっている。

【０００３】処理槽の内部は、前記有機物の投入時を含
めて周期的に行われる前記攪拌体による担体の攪拌、換
気ファンの動作により連続的又は間欠的に行われる換
気、及びヒータによる処理槽の内部加熱により、前記微
生物の活動に適した環境に維持されており、前述の如
く、処理槽に投入されて担体中に取り込まれた有機物
は、前記環境下にて良好な活性を有する微生物の活動に
より、堆肥化した少量の残留物を残し、炭酸ガスを主成
分とするガスと水とに分解される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】さて以上の如く構成さ
れた有機物処理装置において、処理槽の内部加熱は、一
般的に、シート状の基材の面内にヒータ芯線を埋設して
なる面状ヒータを処理槽の外面に被着して、処理槽の外
側から加熱する簡素な構成によりなされており、前記面
状ヒータへの通電を、これの表面温度の検出結果に基づ
いて制御し、処理槽の内部温度を所定の温度に維持する
温度制御が行われている。

【０００５】この温度制御は、温度センサによるヒータ
の表面温度の検出結果を所定の目標温度と比較し、検出
温度が目標温度を上回ったとき、面状ヒータへの通電を
オフし、検出温度が目標温度を下回ったとき、面状ヒー
タへの通電をオンするオンオフ制御により行い制御系の
簡素化を図っている。また、面状ヒータの表面温度を検
出する温度センサは、発熱部となるヒータ芯線から所定
距離だけ離れた位置に配し、面状ヒータへの通電時にお
ける検出温度の急変を抑えて、頻繁なオンオフ動作がな
されないようにしている。

【０００６】ところがこのような構成とした場合、前述
の如く配された温度センサの検出温度に周辺温度の影響
が生じ、周辺温度が低い場合には、これに応じて実際よ
りも低めの検出温度が得られ、この検出温度に基づく前
述した温度制御により、面状ヒータ表面の温度が過剰に
上昇し、負荷の増大による寿命の低下を引き起こす虞れ
があり、またランニングコストの上昇を招来するという
問題があり、更に、ヒータ芯線の一部に過熱防止のため
に設けた温度ヒューズの断線が多発し、頻繁な取り換え
を強いられるという問題があった。

【０００７】本願出願人による特開平10-90692号公報
（B09B 3/00）には、外気温度を検出し、この検出温度
の高低に基づいて前述した温度制御の基準となる目標温
度を高低に変更する構成とした有機物処理装置が提案さ
れている。この構成によれば、外気温が低い場合、これ
に応じて低めに設定された目標温度に基づいて温度制御
がなされることから、外気温の影響による前述した問題
を解消することが可能である。

【０００８】ところがこの構成において、例えば、外気
温度が13℃以上であるとき前記目標温度を31℃に、外気
温度が13℃未満であるとき前記目標温度を21℃に夫々設
定して温度制御を行い、面状ヒータの温度変化を正確に
調べると、外気温度が十分に低い（例えば−５℃）場
合、前記温度センサの検出温度は、図10中に一点鎖線に
より示す如く緩やかに上昇し、前記目標温度21℃に達す
るまで長時間を要することから、この間に面状ヒータの
表面温度は、図中に実線により示す如く、70℃以上に上
昇して、この温度の前後にてオンオフされる結果、処理
槽の内部は十分に加熱される。

【０００９】ところが、外気温度が前記13℃に近い（例
えば10℃）場合、前記温度センサの検出温度は、図11中
に一点鎖線により示す如く比較的急峻に上昇し、前記目
標温度21℃に達するまでの時間が短くなり、この間に面
状ヒータの表面温度は、図中に実線により示す如く、50
℃前後にまでしか上昇せず、この温度の前後にてオンオ
フされる結果、処理槽内部の加熱が不十分となり、適正
な温度を維持することが難しく、処理能力の低下を引き
起こすという問題が生じる。

【００１０】このような問題を解消するためには、外気
温の高低に応じて目標温度を多段階に設定する必要があ
り、制御系の構成の複雑化を招来する上、目標温度を設
定するためのデータ取りに多大の手間を要するという不
都合がある。

【００１１】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、外気温の影響による温度制御の不安定さを簡素
な構成により解消することができ、処理槽の内部を適正
な温度に維持して、処理能力の低下を来すことのない有
機物処理装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の第１発明に係る
有機物処理装置は、有機物を分解処理する処理槽と、該
処理槽の内部を加熱するヒータとを備える有機物処理装
置において、前記ヒータの発熱部近傍の温度を検出する
第１の温度センサと、前記発熱部から所定距離だけ離れ
た位置の温度を検出する第２の温度センサと、前記第１
の温度センサ及び第２の温度センサの検出温度と、これ
ら夫々に対して設定された目標温度との比較結果に基づ
いて、前記ヒータへの通電を制御する温度制御手段とを
具備することを特徴とする。

【００１３】本発明においては、従来から温度制御にお
いて用いられており、処理槽の加熱用のヒータの温度を
発熱部から離れた位置にて検出する第２の温度センサに
加えて、処理槽の加熱用のヒータの表面温度を発熱部の
近傍にて検出する第１の温度センサを設け、これら両者
の検出温度に基づいてヒータの通電制御を実行し、第１
の温度センサの検出温度により発熱部の過熱を監視しつ
つ、第２の温度センサの検出温度に基づき処理槽内を所
望の温度に維持する。

【００１４】また第２発明に係る有機物処理装置は、前
記第１の温度センサの検出温度に対する目標温度は、前
記第２の温度センサの検出温度に対する目標温度よりも
高くしてあることを特徴とする。

【００１５】この発明においては、第１の温度センサの
目標温度を高く設定し、発熱部の過熱の監視を確実に行
わせ、第２の温度センサの目標温度を、処理槽内に維持
すべき温度を基準として低く設定し、これら双方の検出
温度に基づくヒータの通電制御を誤りなく実行する。

【００１６】また第３発明に係る有機物処理装置は、前
記温度制御手段は、前記ヒータへの通電をオンオフ制御
する構成としてあることを特徴とする。

【００１７】この発明においては、第１，第２の温度セ
ンサの検出温度に基づくヒータの通電制御を、通電をオ
ンオフするオンオフ制御により簡素に実行する。

【００１８】また第４発明に係る有機物処理装置は、前
記ヒータは、前記処理槽の外面に被着されたシート状の
基材にヒータ芯線を埋設してある面状ヒータであり、前
記第１の温度センサは、前記ヒータ芯線の近傍の基材表
面に貼着されたサーミスタにより、前記第２の温度セン
サは、前記ヒータ芯線から離れた位置の基材表面に貼着
されたサーミスタにより構成してある。

【００１９】この発明においては、処理槽加熱用のヒー
タを、該処理槽の外面に被着された面状ヒータにより簡
素に構成し、また第１，第２の温度センサを面状ヒータ
の基材上に貼着されたサーミスタにより簡素に構成す
る。

【００２０】更に第５発明に係る有機物処理装置は、前
記第１の温度センサの貼着位置は、前記面状ヒータの表
面内の中央部に設定してあることを特徴とする。

【００２１】この発明においては、ヒータ線の過熱監視
のための第１の温度センサを、面状ヒータの中央部近傍
に貼着し、ヒータ線の温度を周囲の状況に影響されるこ
となく正確に検出する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。図１は、本発明に係る有機
物処理装置の正面断面図、図２は、図１のII−II線によ
る側断面図である。図において１は、有機物を分解処理
する処理槽である。この処理槽１は、図２に示す如く、
下半部を半円形とした側断面形状を有し、また上部の略
全面に有機物投入のための開口を備える中空容器であ
り、矩形箱形をなす外装ケース２の内部に支持されてい
る。

【００２３】図２に示す如く処理槽１の上部開口には、
外装ケース２の天板から垂下された短寸筒形の投入シュ
ート20が差し込まれ、処理対象となる有機物の投入口が
形成されており、この投入口の上部は、外装ケース２の
上面に、その後縁に沿った軸回りに揺動自在に枢支され
た上蓋21により開閉自在に覆ってある。

【００２４】図１に示す如く処理槽１の上部一側には、
運転制御のための制御基板３が配設された基板室30が設
けてあり、該基板室30と同側の投入シュート20の背面と
の間に、該投入シュート20の壁面を貫通する多数の排気
孔22，22（図２参照）を介して処理槽１の内部に連通す
る排気風路32が形成されており、処理槽１の内部の空気
は、前記排気風路32の中途に配された換気ファンＦの動
作により外装ケース２の外部に排気されるようになして
ある。

【００２５】処理槽１の上部には、図２に示す如く、適
宜の幅に亘って内側に折り返されて前記投入口の周囲を
縁取る折り返し部10が形成され、該折り返し部10には、
これを内外に貫通する複数の吸気孔11，11…が形成され
ている。また外装ケース２の底面には、これを内外に貫
通する複数の吸気孔12，12…が、図１に示すように形成
されており、前記換気ファンＦの動作により処理槽１か
らの排気がなされた場合、図１中に矢符により示す如
く、前記吸気孔12，12…を経て外装ケース２の内部に外
気が吸込まれ、この外気が、処理槽１との間の間隙を風
路として上方に向けて流れ、前記吸気孔11，11…の夫々
を経て処理槽１の内部に導入される構成となっている。

【００２６】処理槽１の内側には、両側壁間に横架され
た攪拌軸40と、該攪拌軸40から放射状に突設された複数
の攪拌棒41，41…とを備える攪拌体４が配してあり、処
理槽１の一側外部への攪拌軸40の突出端は、伝動ベルト
及び伝動歯車の組み合わせにより構成された伝動機構42
を介して、外装ケース２の同側底部に配された攪拌モー
タＭの出力軸に連結されている。処理槽１の内部には、
図２に示す如く、おが屑、木質細片等を用いてなる微生
物の担体Ａが収納されており、この担体Ａは、前記攪拌
モータＭにより伝動機構42を介して減速駆動される攪拌
体４の回転により、幅方向及び深さ方向の略全域に亘っ
て攪拌される。

【００２７】この攪拌動作は、上部の投入口から処理槽
１内へ有機物が投入されたとき、この有機物を担体Ａ中
に取り込むべく行なわれ、その後の運転中においては、
有機物の分解により担体Ａ中に生成される水分及びガス
を処理槽１の上部空間に放出して、該担体Ａの内部環境
の悪化を防ぐべく所定の周期毎に行なわれる。

【００２８】また前述した換気ファンＦの動作による処
理槽１内部の換気は、処理槽１の内部に投入される有機
物の量に応じて、連続的又は間欠的に行われる。このよ
うな動作により、前記攪拌に伴って担体Ａから放出され
る水分及びガスが排出され、また処理槽１に導入された
外気が前記担体Ａ中に取り込まれる。

【００２９】半円形断面をなす処理槽１の底部外面に
は、図２に示す如く、内部加熱のための下部ヒータＨ₁
が被着されている。また矩形箱形をなす処理槽１の上半
部にも内部加熱のための上部ヒータＨ₂ が被着されてい
る。

【００３０】図３は、本発明に係る有機物処理装置の一
部破断背面図であり、前記下部ヒータＨ₁ 及び上部ヒー
タＨ₂ の被着態様が示されている。図示の如く、処理槽
１の下部に被着された下部ヒータＨ₁ 、及び処理槽１の
上部に被着された上部ヒータＨ₂ は、いずれも、シート
状の基材Ｓに、これの表面全体を往復する態様にヒータ
芯線Ｌを埋設してなる面状ヒータであり、下部ヒータＨ
₁ には、表面温度検出用の第１の温度センサ５と第２の
温度センサ６とが、また上部ヒータＨ₂ には、表面温度
検出用の第１の温度センサ５のみが取付けてある。

【００３１】これらの温度センサ５，６は、いずれも、
周辺温度によりその抵抗値を換えるサーミスタを前記基
材Ｓの表面に貼着して簡素に構成することができ、第１
の温度センサ５は、基材Ｓの略中央部にヒータ芯線Ｌに
近接して配してあり、第２の温度センサ６は、基材Ｓの
一隅部にヒータ芯線Ｌから適長離隔した位置に配してあ
る。

【００３２】また処理槽１の上半部の上部ヒータＨ
₂ は、該処理槽１外面の角部にて折り曲げ、該処理槽１
の側面にも一体的に被着されている。図４は、本発明に
係る有機物処理装置の一部破断側面図であり、前記上部
ヒータＨ₂ の処理槽１の側面における被着態様が示され
ている。なお、下部ヒータＨ₁ の被着部となる処理槽１
の下半部の側面には、図示の如く、強度確保のためのリ
ブが突設されており、該側面は下部ヒータＨ₁ の被着範
囲に含めていないが、上部ヒータＨ₂ と同様に、下部ヒ
ータＨ₁ の被着域を処理槽１の側面にまで延長すること
は可能である。

【００３３】図５は、上部ヒータＨ₂ を取り外して示す
正面図である。本図に示す如く上部ヒータＨ₂ の基材Ｓ
は、処理槽１の背面に被着される主部Ｓ₁ の一側に、該
主部Ｓ₁ よりも狭幅に構成され、処理槽１の側面に被着
される副部Ｓ₂ を連設した構成となっている。これら両
部に亘って埋設されたヒータ芯線Ｌは、図示の如く、主
部Ｓ₁ と副部Ｓ₂ の連結部において、所定の曲率にて屈
曲させた弛み部Ｌ₁ を有しており、図３及び図４に示す
如く処理槽１の上半部に被着したとき、前記弛み部Ｌ₁
が、処理槽１の背面と側面との角部に位置し、この角部
での基材Ｓの折り曲げに追随して伸長して、前記角部で
の折り曲げによる断線を防ぎ、図３及び図４に示す如
く、処理槽１の背面と側面とに亘る被着を可能としてい
る。なお図５中の50は、ヒータ芯線Ｌの過熱防止のため
に設けた温度ヒューズである。

【００３４】以上の如き下部ヒータＨ₁ による処理槽１
の内部加熱は、担体Ａの内部温度を微生物の活動に適し
た温度に保つべく、処理槽１上部の基板室30の内部に配
した制御基板３上に構成された運転制御部７（図６参
照）の後述する温度制御動作により、前記第１，第２の
温度センサ５，６により夫々検出される下部ヒータＨ₁
の表面上の異なる位置での表面温度に基づいて、下部ヒ
ータＨ₁ への通電をオンオフすることにより行われる。

【００３５】また上部ヒータＨ₂ による処理槽１の内部
加熱は、同じく運転制御部７の動作により、前記第１の
温度センサ５により検出される表面温度に基づいて上部
ヒータＨ₂ への通電をオンオフすることにより、下部ヒ
ータＨ₁ による加熱を補助すべく行われる。なお、下部
ヒータＨ₁ と同様に上部ヒータＨ₂ にも第１，第２の温
度センサ５，６を取付け、これらの検出結果に基づい
て、下部ヒータＨ₁ と同様の温度制御を行わせるように
してもよい。

【００３６】このような温度制御は、前述した攪拌及び
換気制御と共になされ、これらの制御により担体Ａの内
部は、適量の空気の供給と適正な温度の維持とにより、
微生物の活動に適した環境に保たれ、処理槽１内に投入
されて担体Ａ中に取り込まれた有機物は、堆肥化した少
量の残留物を残し、炭酸ガスを主成分とするガスと水と
に分解される。

【００３７】このような分解処理の進行に伴って前記担
体Ａ中には、分解処理後の残留物、有機物と共に投入さ
れる難分解物（ビニール袋、割箸、貝殻等）が蓄積さ
れ、該担体Ａ中における微生物の生息環境が悪化し、処
理能力の低下を招くことから、劣化した担体Ａを交換す
る必要がある。

【００３８】この交換は、図２に示す如く、外装ケース
２の前面下部に着脱自在に設けた外蓋26を取外し、処理
槽１の底面の一側（前側）に引出し式のシャッタ23によ
り覆って開設された排出口を開放して、処理槽１内部の
担体Ａを、これの下部に設けた排出シュート24上に取出
し、該排出シュート24前部の取出口25から外部に取り出
し、その後、前記シャッタ23及び外蓋26をこの順に装着
して、前記上蓋21の持ち上げにより開放された前記投入
口から処理槽１の内部に新たな担体Ａを投入する手順に
よりなされる。

【００３９】図６は、本発明に係る有機物処理装置の制
御系のブロック図であり、前述の如く制御基板３上にマ
イクロプロセッサを用いて構成された運転制御部７の入
力側には、運転操作及び運転状態表示のための操作表示
部８が接続されている。該操作表示部８は、運転操作の
ための各種の操作部、及び運転状態の表示のための表示
部を備えており、図１に示す如く、前記基板室30上部を
覆う外装ケース２の天板上に、使用者による操作及び視
認が可能に配設されている。

【００４０】また運転制御部７の入力側には、装置各部
の状態を検出する図示しない各種のセンサの出力と共
に、下部ヒータＨ₁ に前述の如く取付けられた第１の温
度センサ５及び第２の温度センサ６の出力が与えられて
いる。一方運転制御部７の出力側には、前記攪拌体４
（の駆動用のモータＭ）、換気ファンＦ、下部ヒータＨ
₁及び上部ヒータＨ₂ に与えられており、運転制御部７
は、前記温度センサ５，６の出力により下部ヒータＨ₁
の表面温度を認識し、処理槽１の内部温度を適正に保つ
べく、以下の手順により温度制御動作を行う。

【００４１】図７は、温度制御動作の流れを示すフロー
チャートである。なお、以下の説明においては、第１，
第２の温度センサ５，６を備える下部ヒータＨ₁ の制御
について述べるが、前述の如く、上部ヒータＨ₂ におい
て同様の制御動作を行わせることも可能である。

【００４２】運転制御部７は、有機物処理装置の電源の
投入に応じてその動作を開始し、入力側に接続された第
１，第２の温度センサ５，６による検出温度Ｔ₁ ，Ｔ₂
を所定のサンプリング周期にて取込み（ステップ１）、
まずヒータ芯線Ｌから離して配された第２の温度センサ
６の検出温度Ｔ₂ を、これに対して予め設定された目標
温度Ｔ₂₀と比較する（ステップ２，３）。

【００４３】ステップ２での比較の結果、前記検出温度
Ｔ₂ が、前記目標温度Ｔ₂₀未満であると判定された場
合、処理槽１の内部の温度が過度に低下していると判定
し、次に、ヒータ芯線Ｌに近接して配された第１の温度
センサ５の検出温度Ｔ₁ を、これに対して予め設定され
た目標温度Ｔ₁₀と比較する（ステップ４）。

【００４４】この比較の結果、第１の温度センサ５の検
出温度Ｔ₁ が目標温度Ｔ₁₀未満であると判定された場合
には、下部ヒータＨ₁ への通電に支障がないと判定し、
出力側の下部ヒータＨ₁ に動作指令を発し、該ヒータＨ
₁ への通電を行わせ（ステップ５）、処理槽１の加熱を
開始してステップ１に戻り、同様の動作を繰り返す。

【００４５】またステップ４での比較の結果、前記Ｔ₁
が前記Ｔ₁₀以上であると判定された場合には、下部ヒー
タＨ₁ のヒータ芯線Ｌが過熱状態にあり、通電に支障が
あると判定して、該ヒータＨ₁ への通電開始を保留して
ステップ１に戻り、同様の動作を繰り返す。このように
ヒータ芯線Ｌの過熱監視のために用いられる第１の温度
センサ５は、前述の如く、面状ヒータとして構成された
下部ヒータＨ₁ の面内中央部に貼着されていることか
ら、前記過熱の有無を周囲の状況に影響されることなく
正確に判定することができる。

【００４６】また前記ステップ３での比較の結果、第２
の温度センサ６の検出温度Ｔ₂ が、所定の不感帯Δを含
めて前記目標温度Ｔ₂₀を上回っていると判定された場合
には、処理槽１の内部温度が過度に上昇していると判定
し、該ヒータＨ₁ への通電を停止し（ステップ６）、処
理槽１の加熱を止めてステップ１に戻り、同様の動作を
繰り返す。

【００４７】またステップ２，３での比較の結果、第２
の温度センサ５による検出温度Ｔ₂が、前記不感帯Δ内
に含まれていると判定された場合には、次に、第１の温
度センサ５の検出温度Ｔ₁ を目標温度Ｔ₁₀と比較し（ス
テップ７）、第１の温度センサ５の検出温度Ｔ₁ が、所
定の不感帯Δを含めて前記目標温度Ｔ₁₀未満であると判
定された場合には、下部ヒータＨ₁ への通電に支障がな
いと判定し、通電中であるか否かに拘わらず夫々の状態
を維持し、ステップ１に戻って同様の動作を繰り返す。

【００４８】更に、ステップ７での比較の結果、第１の
温度センサ５の検出温度Ｔ₁ が、所定の不感帯Δを含め
て前記目標温度Ｔ₁₀以上であると判定された場合には、
下部ヒータＨ₁ のヒータ芯線Ｌが過熱状態にあり、通電
に支障があると判定して、通電中である場合にはこの通
電を停止し、通電停止中である場合にはその状態を維持
し、ステップ１に戻って同様の動作を繰り返す。

【００４９】以上の如く本発明においては、下部ヒータ
Ｈ₁ のオンオフ制御が、ヒータ芯線Ｌに近接して配され
た第１の温度センサ５の検出温度Ｔ₁ と、ヒータ芯線Ｌ
から離して配された第２の温度センサ６の検出温度Ｔ₂
との双方を用いてなされるから、処理槽１の内部温度
を、下部ヒータＨ₁ の過剰な昇温を伴わない範囲におい
て所望の温度に保つことができ、外部温度の影響による
不安定さを伴うことなく温度制御がなされ、処理槽１内
部を可及的に良好な環境に維持することができ、処理能
力の低下を来すことなく安定した有機物処理を行わせる
ことができる。

【００５０】第１の温度センサ５の検出温度Ｔ₁ に対す
る目標温度Ｔ₁₀は、ヒータ芯線の昇温限界を基準とし
て、例えば、80℃に設定される。また第２の温度センサ
６の検出温度Ｔ₂ に対する目標温度Ｔ₂₀は、処理槽１の
内部に実現すべき温度を基準として、例えば、31℃に設
定され、前記不感帯Δは、数℃の範囲内にて適宜に設定
し得る。

【００５１】図８及び図９は、以上の如き温度制御が行
われる本発明に係る有機物処理装置において、前記図10
及び図11と同様に、外気温度が−５℃及び10℃である条
件下において、第２の温度センサ６による検出温度と、
下部ヒータＨ₁ の実際の表面温度との変化の様子を調べ
た結果を示す図である。

【００５２】外気温度が−５℃である場合、第２の温度
センサ６の検出温度Ｔ₂ は、図８中に一点鎖線により示
す如く、時間の経過と共に緩やかに上昇して20℃をわず
かに超える温度において平衡し、この平衡温度が、前述
の如く31℃に設定された目標温度Ｔ₂₀に満たないことか
ら、前記検出温度Ｔ₂ に基づく制御動作はなされず、下
部ヒータＨ₁ の表面温度は、図中に実線により示す如
く、時間の経過と共に上昇する。

【００５３】本発明においては、このような場合におい
ても、前述の如く、第１の温度センサ５の検出温度Ｔ₁
に基づく下部ヒータＨ₁ のオンオフ制御がなされるか
ら、下部ヒータＨ₁ の表面温度は、第１の温度センサ５
の検出温度Ｔ₁ に対して設定された目標温度Ｔ₁₀（＝80
℃）の前後において安定し、処理槽１の内部を十分に加
熱することが可能となる。また下部ヒータＨ₁ の表面温
度が過剰に上昇することもなく、該ヒータＨ₁ の寿命の
低下、及びランニングコストの上昇を未然に防止するこ
とができる。

【００５４】一方、外気温度が10℃である場合、第２の
温度センサ６の検出温度Ｔ₂ は、図９中に一点鎖線によ
り示す如く、時間の経過に従って比較的急峻に上昇し、
前記目標温度Ｔ₂₀として設定された31℃に到達すること
から、下部ヒータＨ₁ は、第２の温度センサ６の検出温
度Ｔ₂ に基づいてオンオフされ、該下部ヒータＨ₁ の表
面温度は、図中に実線により示す如く、70℃以上の温度
において安定し、処理槽１の内部は十分に加熱される。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述した如く本発明の第１発明に係
る有機物処理装置においては、処理槽の内部加熱のため
のヒータに、これの発熱部近傍に配した第１の温度セン
サと、発熱部から離して配した第２の温度センサとを設
け、これらの温度センサの検出温度に基づいてヒータへ
の通電制御を実行して、第１の温度センサの検出温度に
より発熱部の過熱を監視しつつ、第２の温度センサの検
出温度に基づき処理槽内を所望の温度に維持する簡素な
構成により、外気温の影響を排除して安定した温度制御
がなされ、処理槽の内部を適正な温度に維持して、処理
能力の低下、ヒータ負荷の増大等の不具合の発生を未然
に防止することができる。

【００５６】また第２発明に係る有機物処理装置におい
ては、前記第１の温度センサの検出温度に対する目標温
度をヒータの過熱監視のために高く、第２の温度センサ
の検出温度に対する目標温度を処理槽内に維持すべき温
度を基準として低く設定したから、これらの検出温度に
基づく温度制御を誤りなく行わせることができる。

【００５７】また第３発明に係る有機物処理装置におい
ては、第１，第２の温度センサの検出温度に基づくヒー
タの通電制御をオンオフ制御により実行するから、簡素
な制御系の構成により、外気温度の影響を緩和した温度
制御を実現することが可能となる。

【００５８】また第４発明に係る有機物処理装置におい
ては、処理槽加熱用のヒータを面状ヒータにより、第
１，第２の温度センサを面状ヒータの表面に貼着したサ
ーミスタにより構成したから、簡素な構成により外気温
度の影響を緩和した温度制御を実現することが可能とな
る。

【００５９】更に第５発明に係る有機物処理装置におい
ては、第１の温度センサとしてのサーミスタを、面状ヒ
ータの表面内の中央部に貼着したから、ヒータ芯線の過
熱を周囲の状況に影響されることなく正確に検出するこ
とができ、この検出温度に基づく温度制御を精度良く実
行することが可能となる等、本発明は優れた効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る有機物処理装置の正面断面図であ
る。

【図２】図１のII−II線による側断面図である。

【図３】処理槽加熱用のヒータの被着態様を示す本発明
に係る有機物処理装置の一部破断背面図である。

【図４】処理槽の側面における加熱用ヒータの被着態様
を示す本発明に係る有機物処理装置の一部破断側面図で
ある。

【図５】処理槽の上半部の加熱用の上部ヒータの正面図
である。

【図６】本発明に係る有機物処理装置の制御系のブロッ
ク図である。

【図７】本発明に係る有機物処理装置の温度制御動作の
流れを示すフローチャートである。

【図８】本発明に係る有機物処理装置を外気温度が−５
℃である条件下において運転し温度センサによる検出温
度とヒータの表面温度との変化の様子を調べた結果を示
す図である。

【図９】本発明に係る有機物処理装置を外気温度が10℃
である条件下において運転し温度センサによる検出温度
とヒータの表面温度との変化の様子を調べた結果を示す
図である。

【図１０】従来の有機物処理装置を外気温度が−５℃で
ある条件下において運転し温度センサによる検出温度と
ヒータの表面温度との変化の様子を調べた結果を示す図
である。

【図１１】従来の有機物処理装置を外気温度が10℃であ
る条件下において運転し温度センサによる検出温度とヒ
ータの表面温度との変化の様子を調べた結果を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ 処理槽 ５ 第１の温度センサ ６ 第２の温度センサ ７ 運転制御部 Ｈ₁ 下部ヒータ Ｈ₂ 上部ヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 佳展 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 浅田 雅彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大西 義久 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4D004 AA01 AA03 CA18 CB28 CB32 CB44 CC08 DA01 DA02 DA06 DA13

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機物を分解処理する処理槽と、該処理
   槽の内部を加熱するヒータとを備える有機物処理装置に
   おいて、前記ヒータの発熱部近傍の温度を検出する第１
   の温度センサと、前記発熱部から所定距離だけ離れた位
   置の温度を検出する第２の温度センサと、前記第１の温
   度センサ及び第２の温度センサの検出温度と、これら夫
   々に対して設定された目標温度との比較結果に基づい
   て、前記ヒータへの通電を制御する温度制御手段とを具
   備することを特徴とする有機物処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の温度センサの検出温度に対す
   る目標温度は、前記第２の温度センサの検出温度に対す
   る目標温度よりも高くしてある請求項１乃至請求項２の
   いずれかに記載の有機物処理装置。
3. 【請求項３】 前記温度制御手段は、前記ヒータへの通
   電をオンオフ制御する構成としてある請求項１又は請求
   項２記載の有機物処理装置。
4. 【請求項４】 前記ヒータは、前記処理槽の外面に被着
   されたシート状の基材にヒータ芯線を埋設してある面状
   ヒータであり、前記第１の温度センサは、前記ヒータ芯
   線の近傍の基材表面に貼着されたサーミスタにより、前
   記第２の温度センサは、前記ヒータ芯線から離れた位置
   の基材表面に貼着されたサーミスタにより構成してある
   請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機物処理装
   置。
5. 【請求項５】 前記第１の温度センサの貼着位置は、前
   記面状ヒータの表面内の中央部に設定してある請求項４
   記載の有機物処理装置。