JP2000236144A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板に導電層と貫通孔とを形成した配線
基板において、配線基板に半導体チップを固着して半導
体基板の導電層と半導体チップの電極とをワイヤボンデ
ィングしたり、配線基板の導電層に直接半導体チップを
固着する場合に、ボンディング作業や半導体チップの固
着作業が容易かつ確実に行えるとともに、大きい固着強
度が得られる配線基板を提供する。 【解決手段】 絶縁層１に形成された導電層２の上に、
ソルダーレジスト層４から突出する略断面矩形状の突出
部３を形成するとともに、絶縁層１に貫通孔５、５を形
成し、ソルダーレジスト層４の上に半導体チップ７を固
着して、前記突出部３の頂部と半導体チップ７の電極と
をボンディングワイヤ８、８で接続するようにした配線
基板Ａおよびその製造方法。
基板において、配線基板に半導体チップを固着して半導
体基板の導電層と半導体チップの電極とをワイヤボンデ
ィングしたり、配線基板の導電層に直接半導体チップを
固着する場合に、ボンディング作業や半導体チップの固
着作業が容易かつ確実に行えるとともに、大きい固着強
度が得られる配線基板を提供する。 【解決手段】 絶縁層１に形成された導電層２の上に、
ソルダーレジスト層４から突出する略断面矩形状の突出
部３を形成するとともに、絶縁層１に貫通孔５、５を形
成し、ソルダーレジスト層４の上に半導体チップ７を固
着して、前記突出部３の頂部と半導体チップ７の電極と
をボンディングワイヤ８、８で接続するようにした配線
基板Ａおよびその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に用い
られる配線基板およびその製造方法に関し、より詳細に
は、片面配線基板、両面配線基板、ビルドアップ配線基
板等のフィルムを多層に積層して形成した配線基板とそ
の製造方法に関する。
られる配線基板およびその製造方法に関し、より詳細に
は、片面配線基板、両面配線基板、ビルドアップ配線基
板等のフィルムを多層に積層して形成した配線基板とそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種電子機器の組み立てに用いられる配
線基板として、従来はガラスエポキシ等の硬質基材に、
銅箔等の導電層を接着した後、導電層を所望の回路配線
パターン形状に加工したものが使用されてきたが、最近
では樹脂フィルムを用いた配線基板が賞用されている。
この種の配線基板としては、例えば特開平１０−２０９
２２４号公報に開示されている。そのような配線基板に
ついて、以下説明する。図１２は従来の配線基板とそれ
を用いた半導体装置の縦断面図である。図１２におい
て、４１はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その上
に銅箔等の第一の導電層４２、４２が所定パターンで形
成されている。４３、４３は前記導電層４２、４２の上
に必要により形成された第二の導電層である金めっき
層、４４は前記金めっき層４３、４３を一部露出させて
周囲部分を覆っているソルダーレジスト層、４５、４５
は前記絶縁層４１に穿設された貫通孔である。図１２に
は、配線基板をインターポーザとして用いた応用例も併
示されている。すなわち、図１２中２点鎖線で示す４６
は、後述する半導体チップを固着した中間構体をマザー
ボード（図示）に固着するために、絶縁層４１の貫通孔
４５、４５から露出する導電層４２、４２の裏面に所望
により形成した半田ボールである。４７は、前記配線基
板のソルダーレジスト層４４の上に組み付けられる電子
部品、例えば半導体チップ、同じく２点鎖線で示す４
８、４８は前記表面側の金めっき層４３、４３と半導体
チップ４７の電極との間を接続するボンディングワイ
ヤ、４９は半導体チップ４７およびボンディングワイヤ
４８、４８を被覆する封止樹脂である。
線基板として、従来はガラスエポキシ等の硬質基材に、
銅箔等の導電層を接着した後、導電層を所望の回路配線
パターン形状に加工したものが使用されてきたが、最近
では樹脂フィルムを用いた配線基板が賞用されている。
この種の配線基板としては、例えば特開平１０−２０９
２２４号公報に開示されている。そのような配線基板に
ついて、以下説明する。図１２は従来の配線基板とそれ
を用いた半導体装置の縦断面図である。図１２におい
て、４１はポリイミド樹脂等からなる絶縁層で、その上
に銅箔等の第一の導電層４２、４２が所定パターンで形
成されている。４３、４３は前記導電層４２、４２の上
に必要により形成された第二の導電層である金めっき
層、４４は前記金めっき層４３、４３を一部露出させて
周囲部分を覆っているソルダーレジスト層、４５、４５
は前記絶縁層４１に穿設された貫通孔である。図１２に
は、配線基板をインターポーザとして用いた応用例も併
示されている。すなわち、図１２中２点鎖線で示す４６
は、後述する半導体チップを固着した中間構体をマザー
ボード（図示）に固着するために、絶縁層４１の貫通孔
４５、４５から露出する導電層４２、４２の裏面に所望
により形成した半田ボールである。４７は、前記配線基
板のソルダーレジスト層４４の上に組み付けられる電子
部品、例えば半導体チップ、同じく２点鎖線で示す４
８、４８は前記表面側の金めっき層４３、４３と半導体
チップ４７の電極との間を接続するボンディングワイ
ヤ、４９は半導体チップ４７およびボンディングワイヤ
４８、４８を被覆する封止樹脂である。
【０００３】ところが、上記の構成の配線基板において
は、ソルダーレジスト層４４から露出する第二の導電層
である金めっき層４３、４３は、ソルダーレジスト層４
４よりも凹入しているため、半導体チップ４７の電極と
の間をボンディングワイヤ４８、４８で接続する際に、
接続作業がやり難いという問題点があった。一方、金め
っき層４３、４３の面積を大きくすると、接続作業性向
上するが、半導体装置としての集積度が低下して、半導
体装置が大型化するという問題点があった。また、ワイ
ヤボンディング法によらないで、半導体チップ４７の電
極を前記金めっき層４３、４３に直接接続固着するダイ
レクトマウント方式の場合は、金めっき層４３、４３の
上に半田ボール（図示省略）を形成しなければならず、
煩雑であった。
は、ソルダーレジスト層４４から露出する第二の導電層
である金めっき層４３、４３は、ソルダーレジスト層４
４よりも凹入しているため、半導体チップ４７の電極と
の間をボンディングワイヤ４８、４８で接続する際に、
接続作業がやり難いという問題点があった。一方、金め
っき層４３、４３の面積を大きくすると、接続作業性向
上するが、半導体装置としての集積度が低下して、半導
体装置が大型化するという問題点があった。また、ワイ
ヤボンディング法によらないで、半導体チップ４７の電
極を前記金めっき層４３、４３に直接接続固着するダイ
レクトマウント方式の場合は、金めっき層４３、４３の
上に半田ボール（図示省略）を形成しなければならず、
煩雑であった。
【０００４】そのため、特開平１０−２０９２２４号公
報に開示された発明では、図１３に示すように、絶縁層
４１に貫通孔４５、４５とは別に、導電層４２、４２加
工用の貫通孔５０、５０を形成し、この貫通孔５０、５
０から露出する導電層４２、４２を、絶縁層４１の貫通
孔５０、５０を利用して図示下方から押し出しピン（図
示省略）で押し出し成形して、中空状の突出部４２ａ、
４２ａを形成することが開示されている。
報に開示された発明では、図１３に示すように、絶縁層
４１に貫通孔４５、４５とは別に、導電層４２、４２加
工用の貫通孔５０、５０を形成し、この貫通孔５０、５
０から露出する導電層４２、４２を、絶縁層４１の貫通
孔５０、５０を利用して図示下方から押し出しピン（図
示省略）で押し出し成形して、中空状の突出部４２ａ、
４２ａを形成することが開示されている。
【０００５】しかしながら、このような方法では、導電
層４２、４２の押し出し成形時に導電層４２、４２が破
れたり、導電層４２、４２が絶縁層４１から剥離するた
め、所望の高さの突出部４２ａ、４２ａを形成すること
が困難であった。また、導電層４２、４２を押し出し成
形するためには、導電層４２、４２の材質はある程度展
延性を有するものであることが必要であるが、そうする
と押し出し成形後の突出部４２ａ、４２ａの機械的強度
が不足して、ワイヤボンディング方式では、ボンディン
グワイヤ４８、４８のボンディング時に、この突出部４
２ａ、４２ａが押圧によって変形してしまい、ボンディ
ングエネルギを吸収するために、ボンディング不良が発
生していた。また、ダイレクトマウント方式では、半導
体チップ４７の固着時の押圧力で突出部４２ａ、４２ａ
が変形してしまい、やはり十分な固着強度が得られなか
った。
層４２、４２の押し出し成形時に導電層４２、４２が破
れたり、導電層４２、４２が絶縁層４１から剥離するた
め、所望の高さの突出部４２ａ、４２ａを形成すること
が困難であった。また、導電層４２、４２を押し出し成
形するためには、導電層４２、４２の材質はある程度展
延性を有するものであることが必要であるが、そうする
と押し出し成形後の突出部４２ａ、４２ａの機械的強度
が不足して、ワイヤボンディング方式では、ボンディン
グワイヤ４８、４８のボンディング時に、この突出部４
２ａ、４２ａが押圧によって変形してしまい、ボンディ
ングエネルギを吸収するために、ボンディング不良が発
生していた。また、ダイレクトマウント方式では、半導
体チップ４７の固着時の押圧力で突出部４２ａ、４２ａ
が変形してしまい、やはり十分な固着強度が得られなか
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、十
分な機械的強度を有し、ワイヤボンディング方式やダイ
レクトマウント方式によっても変形しない所望高さの突
出部を有する配線基板を提供することを目的とする。本
発明は、また、十分な機械的強度を有し、ワイヤボンデ
ィング方式やダイレクトマウント方式によっても変形し
ない所望高さの突出部を有する配線基板を製造できる製
造方法を提供することを目的とする。
分な機械的強度を有し、ワイヤボンディング方式やダイ
レクトマウント方式によっても変形しない所望高さの突
出部を有する配線基板を提供することを目的とする。本
発明は、また、十分な機械的強度を有し、ワイヤボンデ
ィング方式やダイレクトマウント方式によっても変形し
ない所望高さの突出部を有する配線基板を製造できる製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁層の一方の面に導電層を形成した基材の前記絶縁層が
一つ以上の貫通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩形
状または段状の突出部を有することを特徴とする配線基
板である。本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層の表
面をウェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面
化する工程と、この粗面化された表面に無電解めっき
法、または無電解めっき層の上に電解めっき法で導電層
を形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製
造方法である。
縁層の一方の面に導電層を形成した基材の前記絶縁層が
一つ以上の貫通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩形
状または段状の突出部を有することを特徴とする配線基
板である。本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層の表
面をウェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面
化する工程と、この粗面化された表面に無電解めっき
法、または無電解めっき層の上に電解めっき法で導電層
を形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製
造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
絶縁層の一方の面に導電層を形成した基材の前記絶縁層
が一つ以上の貫通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩
形状または段状の突出部を有することを特徴とする配線
基板である。
絶縁層の一方の面に導電層を形成した基材の前記絶縁層
が一つ以上の貫通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩
形状または段状の突出部を有することを特徴とする配線
基板である。
【０００９】本発明の請求項２記載の発明は、前記突出
部が、めっきで形成されていることを特徴とする請求項
１記載の配線基板配線基板である。
部が、めっきで形成されていることを特徴とする請求項
１記載の配線基板配線基板である。
【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、前記突出
部が、銅箔をエッチングして形成されたものであること
を特徴とする請求項１記載の配線基板である。
部が、銅箔をエッチングして形成されたものであること
を特徴とする請求項１記載の配線基板である。
【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、前記突出
部を除く導電層が、突出部頂部よりも低いソルダーレジ
スト層または接着剤層で被覆されていることを特徴とす
る請求項１ないし３記載の配線基板である。
部を除く導電層が、突出部頂部よりも低いソルダーレジ
スト層または接着剤層で被覆されていることを特徴とす
る請求項１ないし３記載の配線基板である。
【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、前記基材
が、絶縁フィルムと金属箔とを積層したものであること
を特徴とする請求項１ないし４記載の配線基板である。
が、絶縁フィルムと金属箔とを積層したものであること
を特徴とする請求項１ないし４記載の配線基板である。
【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、前記基材
が、金属箔に絶縁材を塗布形成したものであることを特
徴とする請求項１ないし４記載の配線基板である。
が、金属箔に絶縁材を塗布形成したものであることを特
徴とする請求項１ないし４記載の配線基板である。
【００１４】本発明の請求項７記載の発明は、前記基材
が、絶縁フィルムに導電層をめっきで形成したものであ
ることを特徴とする請求項１ないし４記載の配線基板で
ある。
が、絶縁フィルムに導電層をめっきで形成したものであ
ることを特徴とする請求項１ないし４記載の配線基板で
ある。
【００１５】本発明の請求項８記載の発明は、前記絶縁
フィルムにめつき法で形成された導電層が、無電解めっ
き法、または無電解めっき層の上に電解めっき法のいず
れかの方法で形成されたものであることを特徴とする請
求項７記載の配線基板である。
フィルムにめつき法で形成された導電層が、無電解めっ
き法、または無電解めっき層の上に電解めっき法のいず
れかの方法で形成されたものであることを特徴とする請
求項７記載の配線基板である。
【００１６】本発明の請求項９記載の発明は、前記絶縁
フィルムにめつき法で形成された導電層が、ドライめっ
き法、またはウェットめっき法のいずれかで形成された
ものであることを特徴とする請求項７記載の配線基板で
ある。
フィルムにめつき法で形成された導電層が、ドライめっ
き法、またはウェットめっき法のいずれかで形成された
ものであることを特徴とする請求項７記載の配線基板で
ある。
【００１７】本発明の請求項１０記載の発明は、前記絶
縁フィルムと導電層の接合面において、絶縁フィルムの
表面と導電層の表面のいずれか一方または両方が粗面化
されていることを特徴とする請求項１ないし９記載の配
線基板である。
縁フィルムと導電層の接合面において、絶縁フィルムの
表面と導電層の表面のいずれか一方または両方が粗面化
されていることを特徴とする請求項１ないし９記載の配
線基板である。
【００１８】本発明の請求項１１記載の発明は、前記絶
縁層が、全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムであ
ることを特徴とする請求項１ないし１０記載の配線基板
である。
縁層が、全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムであ
ることを特徴とする請求項１ないし１０記載の配線基板
である。
【００１９】本発明の請求項１２記載の発明は、絶縁層
の上に導電層を形成する工程と、この導電層の表面をウ
ェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面化する
工程と、この粗面化された表面に無電解めっき法、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法で突出部を形成す
る工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法で
ある。
の上に導電層を形成する工程と、この導電層の表面をウ
ェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面化する
工程と、この粗面化された表面に無電解めっき法、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法で突出部を形成す
る工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法で
ある。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例について、以下、図面を参照
して説明する。図１は本発明の第１実施例の配線基板Ａ
の縦断面図である。図１において、１は絶縁層で、例え
ば全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムが用いられ
る。全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムとして、
例えば、Ｋ社製のＮＰ／ＣＴは、熱膨張係数が１５〜２
０×１０-6／℃、水蒸気透過率が０．１３ｇ・２０μ／
ｍ２・ｄａｙ（４０℃，９０％ＲＨ）、吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ ）、融点が２８０℃（ＮＰタイ
プ）および３２５℃（ＣＴタイプ）の諸特性を有する。
全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムは、後述する
ように優れた特長を有するが、全芳香族ポリエステル液
晶ポリマフィルムに代えて、ポリイミド、エポキシ、ポ
エチレン等の可撓性を有する他の樹脂を用いてもよい。
２、２は絶縁層１の表面に形成された銅等よりなる厚さ
が１５〜２０μｍ程度の銅電層である。３、３は前記導
電層２、２の上に形成された所望高さの突出部で、例え
ば厚さが５〜３０μｍ程度の銅単独層または厚さが５〜
３０μｍ程度の銅層の上に厚さが０．５〜２．０μｍ程
度の金層を積層したものである。４は前記突出部３、３
を一部突出させて周囲部分を覆っているソルダーレジス
ト層である。５、５は前記絶縁層１に穿設した貫通孔
で、この貫通孔５、５から前記導電層２、２の裏面が露
出させてある。以上が本発明の配線基板Ａの実施例であ
る。
して説明する。図１は本発明の第１実施例の配線基板Ａ
の縦断面図である。図１において、１は絶縁層で、例え
ば全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムが用いられ
る。全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムとして、
例えば、Ｋ社製のＮＰ／ＣＴは、熱膨張係数が１５〜２
０×１０-6／℃、水蒸気透過率が０．１３ｇ・２０μ／
ｍ２・ｄａｙ（４０℃，９０％ＲＨ）、吸水率が０．０
４％（２３℃，２４Ｈ ）、融点が２８０℃（ＮＰタイ
プ）および３２５℃（ＣＴタイプ）の諸特性を有する。
全芳香族ポリエステル液晶ポリマフィルムは、後述する
ように優れた特長を有するが、全芳香族ポリエステル液
晶ポリマフィルムに代えて、ポリイミド、エポキシ、ポ
エチレン等の可撓性を有する他の樹脂を用いてもよい。
２、２は絶縁層１の表面に形成された銅等よりなる厚さ
が１５〜２０μｍ程度の銅電層である。３、３は前記導
電層２、２の上に形成された所望高さの突出部で、例え
ば厚さが５〜３０μｍ程度の銅単独層または厚さが５〜
３０μｍ程度の銅層の上に厚さが０．５〜２．０μｍ程
度の金層を積層したものである。４は前記突出部３、３
を一部突出させて周囲部分を覆っているソルダーレジス
ト層である。５、５は前記絶縁層１に穿設した貫通孔
で、この貫通孔５、５から前記導電層２、２の裏面が露
出させてある。以上が本発明の配線基板Ａの実施例であ
る。
【００２１】図１には、本発明の配線基板Ａのインター
ポーザとしての応用例も併示してある。すなわち、図１
中に２点鎖線で示す６は、後述する半導体チップを固着
した中間構体をマザーボード（図示）に固着するため
に、絶縁層１の貫通孔５、５から露出する導電層２、２
の裏面に所望により形成した半田ボールである。７は、
前記配線基板Ａ上に組み付けられる電子部品、例えば半
導体チップ、同じく２点鎖線で示す８、８は前記突出部
３、３と半導体チップ７の電極との間を接続するボンデ
ィングワイヤ、９は前記半導体チップ７およびボンディ
ングワイヤ８、８を被覆している封止樹脂である。ここ
で、本発明の配線基板Ａは、図１２に示す金めっき層４
３、４３がソルダーレジスト層４４から凹入した従来の
配線基板と相違して、ボンディングワイヤ８、８を接続
するボンディング部分にソルダーレジスト層４から突出
する内部が充実した無空の突出部３、３を有するので、
この突出部３、３へのボンディングワイヤ８、８の接続
にコレット等が邪魔にならず、接続作業が著しく容易に
なるという特長がある。しかも、図１３に示す導電層４
２、４２を押し出して成形した中空状の突出部４２ａ、
４２ａに比較して、突出部４２ａ、４２ａの形成時に導
電層４２、４２の破れが生じたり、導電層４２、４２が
絶縁層４１から剥離することもない。また、導電層２、
２の材質として展延性を有するものを用いる必要がな
く、材料の選択範囲が広くなり、安価な材料を採用でき
る。のみならず、突出部３、３が中空状ではなく内部が
充実した無空状態であるので、ワイヤボンディング方式
を採用した場合は、ボンディングワイヤ８、８のボンデ
ィング時に、突出部３、３が変形してボンディングエネ
ルギを吸収することがないので、容易かつ確実にボンデ
ィングが実施できるという特長がある。また、ダイレク
トマウント方式を採用した場合は、半導体チップの押圧
力で突出部３、３が変形しないので、容易かつ確実に固
着できるという特長がある。
ポーザとしての応用例も併示してある。すなわち、図１
中に２点鎖線で示す６は、後述する半導体チップを固着
した中間構体をマザーボード（図示）に固着するため
に、絶縁層１の貫通孔５、５から露出する導電層２、２
の裏面に所望により形成した半田ボールである。７は、
前記配線基板Ａ上に組み付けられる電子部品、例えば半
導体チップ、同じく２点鎖線で示す８、８は前記突出部
３、３と半導体チップ７の電極との間を接続するボンデ
ィングワイヤ、９は前記半導体チップ７およびボンディ
ングワイヤ８、８を被覆している封止樹脂である。ここ
で、本発明の配線基板Ａは、図１２に示す金めっき層４
３、４３がソルダーレジスト層４４から凹入した従来の
配線基板と相違して、ボンディングワイヤ８、８を接続
するボンディング部分にソルダーレジスト層４から突出
する内部が充実した無空の突出部３、３を有するので、
この突出部３、３へのボンディングワイヤ８、８の接続
にコレット等が邪魔にならず、接続作業が著しく容易に
なるという特長がある。しかも、図１３に示す導電層４
２、４２を押し出して成形した中空状の突出部４２ａ、
４２ａに比較して、突出部４２ａ、４２ａの形成時に導
電層４２、４２の破れが生じたり、導電層４２、４２が
絶縁層４１から剥離することもない。また、導電層２、
２の材質として展延性を有するものを用いる必要がな
く、材料の選択範囲が広くなり、安価な材料を採用でき
る。のみならず、突出部３、３が中空状ではなく内部が
充実した無空状態であるので、ワイヤボンディング方式
を採用した場合は、ボンディングワイヤ８、８のボンデ
ィング時に、突出部３、３が変形してボンディングエネ
ルギを吸収することがないので、容易かつ確実にボンデ
ィングが実施できるという特長がある。また、ダイレク
トマウント方式を採用した場合は、半導体チップの押圧
力で突出部３、３が変形しないので、容易かつ確実に固
着できるという特長がある。
【００２２】図２は前記配線基板Ａの要部拡大縦断面図
である。すなわち、絶縁層１の表面１ａに、表面粗度が
０．１〜１０μｍ程度、望ましくは１．０〜５．０μｍ
程度の粗面が形成されている。このように、絶縁層１の
表面１ａを粗面化すると、絶縁層１の表面が活性化され
て、直接無電解めっき法で導電層２、２を形成すること
が可能になる。もちろん、無電解めっき層の上に電解め
っき層を積層して導電層２、２を形成することもでき
る。図２ではまた、導電層２、２の少なくとも突出部
３、３の形成位置の表面２ａ、２ａを粗面化した状態が
示されている。このように導電層２、２の表面２ａ、２
ａを粗面化しておくことにより、この粗面の上に突出部
３、３を形成した場合、導電層２、２と突出部３、３と
の固着強度を増大させることができる特長がある。さら
にまた、図２では、絶縁層１の貫通孔５の底部に露出す
る導電層２の裏面２ｂと、絶縁層１の貫通孔５の内壁面
５ａとが、前記同様に表面粗度が０．１〜１０μｍ程
度、望ましくは１．０〜５．０μｍ程度の粗面に形成さ
れている。このように粗面を形成した状態にしておく
と、後にこの貫通孔５、５の底部に露出する導電層２の
裏面に必要に応じて金めっき層やボール端子等を形成し
た場合に、金めっき層やボール端子と導電層２、２、貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａとの固着強度を、前記粗
面によって著しく大きくすることができ、それぞれの接
合面で剥離は生じないという特長がある。
である。すなわち、絶縁層１の表面１ａに、表面粗度が
０．１〜１０μｍ程度、望ましくは１．０〜５．０μｍ
程度の粗面が形成されている。このように、絶縁層１の
表面１ａを粗面化すると、絶縁層１の表面が活性化され
て、直接無電解めっき法で導電層２、２を形成すること
が可能になる。もちろん、無電解めっき層の上に電解め
っき層を積層して導電層２、２を形成することもでき
る。図２ではまた、導電層２、２の少なくとも突出部
３、３の形成位置の表面２ａ、２ａを粗面化した状態が
示されている。このように導電層２、２の表面２ａ、２
ａを粗面化しておくことにより、この粗面の上に突出部
３、３を形成した場合、導電層２、２と突出部３、３と
の固着強度を増大させることができる特長がある。さら
にまた、図２では、絶縁層１の貫通孔５の底部に露出す
る導電層２の裏面２ｂと、絶縁層１の貫通孔５の内壁面
５ａとが、前記同様に表面粗度が０．１〜１０μｍ程
度、望ましくは１．０〜５．０μｍ程度の粗面に形成さ
れている。このように粗面を形成した状態にしておく
と、後にこの貫通孔５、５の底部に露出する導電層２の
裏面に必要に応じて金めっき層やボール端子等を形成し
た場合に、金めっき層やボール端子と導電層２、２、貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａとの固着強度を、前記粗
面によって著しく大きくすることができ、それぞれの接
合面で剥離は生じないという特長がある。
【００２３】次に、本発明の上記配線基板Ａおよびそれ
を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図３
（ａ）〜（ｌ）は本発明の配線基板Ａおよびそれを用い
た半導体装置の製造方法の工程ブロック図で、図４
（ａ）〜（ｇ）および図５（ｈ）〜（ｌ）は前記各工程
における絶縁層等の状態を示す縦断面図である。以下、
上記図３（ａ）〜（ｌ）、図４（ａ）〜（ｇ）および図
５（ｈ）〜（ｌ）を用いて本発明の配線基板Ａおよびそ
れを用いた半導体装置の製造方法について説明する。ま
ず、厚さが２５〜５０μｍ程度の全芳香族ポリエステル
液晶ポリマフィルムからなる絶縁層１を用意する［図３
（ａ）、図４（ａ）］。この絶縁層１の表面は図４
（ａ）の円内に一部拡大して示すように平滑であるた
め、この表面に直接無電解めっき法で導電層２、２を形
成することはできない。そこで、前記絶縁層１の表面を
ウェットブラスト処理または液体ホーニング処理によ
り、表面粗度が０．１〜１０μｍ程度、好ましくは０．
５〜５．０μｍ程度に粗面化する［図３（ｂ）、図４
（ｂ）］。このウェットブラスト処理または液体ホーニ
ング処理は、例えば粒径が１０〜３００μｍ程度で硬度
がヌープ硬度で１３００〜２５００の範囲（またはモー
ス硬度で７〜１５の範囲）の多角状の砥粒を用いて、ポ
ンプ圧力１〜５ｋｇ／ｃｍ２、砥粒と液体との比率は５
〜４０ｖｏｌ％程度の条件で実施する。上記粗面化した
絶縁層１は、粗面化によって活性化されているために、
絶縁材料でありながら直接無電解めっきが可能である。
そのため、絶縁層１の全面に例えば無電解銅めっきを施
して、厚さが１５〜２０μｍ程度の導電層２０を形成す
る［図３（ｃ）、図４（ｃ）］。次に、この導電層２０
の上に所望パターンのフォトレジスト層１１、１１を形
成し［図３（ｄ）、図４（ｄ）］、フォトレジスト層１
１、１１に覆われていない導電層２０をドライまたはウ
ェットプロセスにより選択的にエッチング除去して、所
望パターンの回路配線となる導電層２、２を形成し［図
３（ｅ）、図４（ｅ）］、フォトレジスト層１１、１１
除去し、導電層２、２を露出させる［図３（ｆ）、図４
（ｆ）］。次に、絶縁層１の表面および裏面に所望パタ
ーンのフォトレジスト層１２、１３を形成する［図３
（ｇ）、図５（ｇ）］、次に、フォトレジスト層１１、
１２で覆われていない絶縁層１をドライまたはウェット
プロセスにより選択的にエッチング除去して、貫通孔
５、５を形成して、この貫通孔５、５から導電層２、２
の一部を露出させる［図３（ｈ）、図５（ｈ）］。次
に、フォトレジスト層１２の窓孔１２ａから露出してい
る導電層２、２の表面２ａ、２ａを、前記絶縁層１の粗
面化と同様のウェットブラスト処理または液体ホーニン
グ処理によって粗面化する。このとき、前記貫通孔５、
５から露出する導電層２、２の表面２ｂ、２ｂおよび貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａも同時に粗面化する［図
３（ｉ）、図５（ｉ）］。次に、表面のフォトレジスト
層１２の窓孔１２ａから露出する導電層２、２の粗面化
された表面２ａ、２ａに、無電解めっき法により、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法により銅等よりな
る内部が充実した無空状態の突出部３、３を形成する。
なお、この突出部３、３の頂部に必要に応じて金めっき
層を積層形成してもよい［図３（ｊ）、図５（ｊ）］。
このとき、絶縁層１の貫通孔５、５から導電層２、２の
裏面２ｂ、２ｂが露出している状態にしておくと、この
導電層２、２の表面２ａ、２ａにも、同様に無電解めっ
き法により、または無電解めっき層の上に電解めっき法
で導電をが形成することもできる。次に、表面および裏
面のフォトレジスト層１２、１３を除去してから、表面
に突出部３、３が露出するように、ソルダーレジスト層
４を形成する［図３（ｋ）、図５（ｋ）］。以上で、本
発明の配線基板Ａが製作される。
を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図３
（ａ）〜（ｌ）は本発明の配線基板Ａおよびそれを用い
た半導体装置の製造方法の工程ブロック図で、図４
（ａ）〜（ｇ）および図５（ｈ）〜（ｌ）は前記各工程
における絶縁層等の状態を示す縦断面図である。以下、
上記図３（ａ）〜（ｌ）、図４（ａ）〜（ｇ）および図
５（ｈ）〜（ｌ）を用いて本発明の配線基板Ａおよびそ
れを用いた半導体装置の製造方法について説明する。ま
ず、厚さが２５〜５０μｍ程度の全芳香族ポリエステル
液晶ポリマフィルムからなる絶縁層１を用意する［図３
（ａ）、図４（ａ）］。この絶縁層１の表面は図４
（ａ）の円内に一部拡大して示すように平滑であるた
め、この表面に直接無電解めっき法で導電層２、２を形
成することはできない。そこで、前記絶縁層１の表面を
ウェットブラスト処理または液体ホーニング処理によ
り、表面粗度が０．１〜１０μｍ程度、好ましくは０．
５〜５．０μｍ程度に粗面化する［図３（ｂ）、図４
（ｂ）］。このウェットブラスト処理または液体ホーニ
ング処理は、例えば粒径が１０〜３００μｍ程度で硬度
がヌープ硬度で１３００〜２５００の範囲（またはモー
ス硬度で７〜１５の範囲）の多角状の砥粒を用いて、ポ
ンプ圧力１〜５ｋｇ／ｃｍ２、砥粒と液体との比率は５
〜４０ｖｏｌ％程度の条件で実施する。上記粗面化した
絶縁層１は、粗面化によって活性化されているために、
絶縁材料でありながら直接無電解めっきが可能である。
そのため、絶縁層１の全面に例えば無電解銅めっきを施
して、厚さが１５〜２０μｍ程度の導電層２０を形成す
る［図３（ｃ）、図４（ｃ）］。次に、この導電層２０
の上に所望パターンのフォトレジスト層１１、１１を形
成し［図３（ｄ）、図４（ｄ）］、フォトレジスト層１
１、１１に覆われていない導電層２０をドライまたはウ
ェットプロセスにより選択的にエッチング除去して、所
望パターンの回路配線となる導電層２、２を形成し［図
３（ｅ）、図４（ｅ）］、フォトレジスト層１１、１１
除去し、導電層２、２を露出させる［図３（ｆ）、図４
（ｆ）］。次に、絶縁層１の表面および裏面に所望パタ
ーンのフォトレジスト層１２、１３を形成する［図３
（ｇ）、図５（ｇ）］、次に、フォトレジスト層１１、
１２で覆われていない絶縁層１をドライまたはウェット
プロセスにより選択的にエッチング除去して、貫通孔
５、５を形成して、この貫通孔５、５から導電層２、２
の一部を露出させる［図３（ｈ）、図５（ｈ）］。次
に、フォトレジスト層１２の窓孔１２ａから露出してい
る導電層２、２の表面２ａ、２ａを、前記絶縁層１の粗
面化と同様のウェットブラスト処理または液体ホーニン
グ処理によって粗面化する。このとき、前記貫通孔５、
５から露出する導電層２、２の表面２ｂ、２ｂおよび貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａも同時に粗面化する［図
３（ｉ）、図５（ｉ）］。次に、表面のフォトレジスト
層１２の窓孔１２ａから露出する導電層２、２の粗面化
された表面２ａ、２ａに、無電解めっき法により、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法により銅等よりな
る内部が充実した無空状態の突出部３、３を形成する。
なお、この突出部３、３の頂部に必要に応じて金めっき
層を積層形成してもよい［図３（ｊ）、図５（ｊ）］。
このとき、絶縁層１の貫通孔５、５から導電層２、２の
裏面２ｂ、２ｂが露出している状態にしておくと、この
導電層２、２の表面２ａ、２ａにも、同様に無電解めっ
き法により、または無電解めっき層の上に電解めっき法
で導電をが形成することもできる。次に、表面および裏
面のフォトレジスト層１２、１３を除去してから、表面
に突出部３、３が露出するように、ソルダーレジスト層
４を形成する［図３（ｋ）、図５（ｋ）］。以上で、本
発明の配線基板Ａが製作される。
【００２４】なお、上記実施例に示した全芳香族ポリエ
ステル液晶ポリマフィルムよりなる絶縁層１を用いる配
線基板Ａにあっては、絶縁層１の吸水率が０．０４％
（２３℃，２４Ｈ ）と、従来のポリイミド樹脂フィル
ムの吸水率２．９％（２３℃，２４Ｈ ）に比較して約
７０分の１であり、これに伴って、絶縁層１の導電層２
０形成前の粗面化のためのウェットブラスト処理または
液体ホーニング処理工程、ウェットエッチング工程、導
電層２、２の表面２ａ、２ａおよび裏面２ｂ、２ｂや貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａの粗面化のためのウェッ
トブラスト処理または液体ホーニング処理工程等におい
て、絶縁層１の吸湿寸法変化率は４×１０-6／℃（Ｒ
Ｈ）と、従来のポリイミド樹脂フィルムの吸湿寸法変化
率２２×１０-6／℃（ＲＨ）と比較して約５分の１に低
減でき、回路配線パターンの変形等が生じない配線基板
Ａが提供できるという特長がある。
ステル液晶ポリマフィルムよりなる絶縁層１を用いる配
線基板Ａにあっては、絶縁層１の吸水率が０．０４％
（２３℃，２４Ｈ ）と、従来のポリイミド樹脂フィル
ムの吸水率２．９％（２３℃，２４Ｈ ）に比較して約
７０分の１であり、これに伴って、絶縁層１の導電層２
０形成前の粗面化のためのウェットブラスト処理または
液体ホーニング処理工程、ウェットエッチング工程、導
電層２、２の表面２ａ、２ａおよび裏面２ｂ、２ｂや貫
通孔５、５の内壁面５ａ、５ａの粗面化のためのウェッ
トブラスト処理または液体ホーニング処理工程等におい
て、絶縁層１の吸湿寸法変化率は４×１０-6／℃（Ｒ
Ｈ）と、従来のポリイミド樹脂フィルムの吸湿寸法変化
率２２×１０-6／℃（ＲＨ）と比較して約５分の１に低
減でき、回路配線パターンの変形等が生じない配線基板
Ａが提供できるという特長がある。
【００２５】次に、上記の配線基板Ａの応用例の製造方
法について説明する。上記の配線基板Ａにおけるソルダ
ーレジスト層４の上に、図中２点鎖線で示すように、接
着剤により半導体チップ７を固着し、配線基板Ａの突出
部３、３と半導体チップ７の電極とを、ボンディングワ
イヤ８、８によって接続する。このとき、突出部３、３
がソルダーレジスト層４から突出しているので、ボンデ
ィングコレット等がソルダーレジスト層４で邪魔されて
浮くことがなく、ボンディング作業が著しく容易にな
る。しかも、突出部３、３は内部が充実した無空状態で
十分な機械的強度を有するため、ボンディングワイヤ
８、８のボンディング時に、突出部３、３がボンディン
グコレット等の押圧力で変形することがなく、確実にボ
ンディングできるという特長がある。次に、前記ボンデ
ィングの完了した突出部３、３、半導体チップ７および
ボンディングワイヤ８、８を覆って封止樹脂９で封止す
る。なお、絶縁層１の貫通孔５、５の底面に露出する導
電層２、２の裏面に、所望により半田ボール６、６を形
成する。すると、図１に示したと同様の半導体装置が得
られる［（図３（ｌ）、図５（ｌ）］。
法について説明する。上記の配線基板Ａにおけるソルダ
ーレジスト層４の上に、図中２点鎖線で示すように、接
着剤により半導体チップ７を固着し、配線基板Ａの突出
部３、３と半導体チップ７の電極とを、ボンディングワ
イヤ８、８によって接続する。このとき、突出部３、３
がソルダーレジスト層４から突出しているので、ボンデ
ィングコレット等がソルダーレジスト層４で邪魔されて
浮くことがなく、ボンディング作業が著しく容易にな
る。しかも、突出部３、３は内部が充実した無空状態で
十分な機械的強度を有するため、ボンディングワイヤ
８、８のボンディング時に、突出部３、３がボンディン
グコレット等の押圧力で変形することがなく、確実にボ
ンディングできるという特長がある。次に、前記ボンデ
ィングの完了した突出部３、３、半導体チップ７および
ボンディングワイヤ８、８を覆って封止樹脂９で封止す
る。なお、絶縁層１の貫通孔５、５の底面に露出する導
電層２、２の裏面に、所望により半田ボール６、６を形
成する。すると、図１に示したと同様の半導体装置が得
られる［（図３（ｌ）、図５（ｌ）］。
【００２６】なお、上記製造方法の実施例では、絶縁層
１の全面に導電層２０を形成しておき［（図３（ｃ）、
図４（ｃ）］、これをフォトエッチングにより所望のパ
ターン化して導電層２、２を形成する場合について説明
したが［（図３（ｆ）、図４（ｆ）］、他の方法で導電
層２、２を形成するようにしてもよい。すなわち、図６
（ａ）〜（ｄ）は、本発明における導電層の別の形成方
法を示す各工程の絶縁層等の縦断面図である。まず、絶
縁層１を用意し［（図６（ａ）］、その表面１ａをウェ
ットブラスト法または液体ホーニング法により粗面化し
た後、所望の回路配線パターンの窓孔１４ａを有するフ
ォトレジスト層１４を形成するか、あるいは所望の回路
配線パターンの窓孔１４ａを有するフォトレジスト層１
４を形成した後、窓孔１４ａから露出している絶縁層１
の表面１ａを粗面化し［（図６（ｂ）］、その粗面化さ
れた表面１ａに導電層２２０を形成する［（図６
（ｃ）］。このとき、前記［（図６（ｂ）］の工程で、
後者のように所望の回路配線パターンの窓孔１４ａを有
するフォトレジスト層１４を形成した後、窓孔１４ａか
ら露出している絶縁層１の表面１ａを粗面化して、導電
層２２０を形成すると、フォトレジスト層１４の上にも
図示するように、導電層２２０が形成される。次に、フ
ォトレジスト層１４を（後者の場合、その上の導電層２
２０とともに）除去すると、所望の回路配線パターンの
導電層２２、２２が形成される［（図６（ｄ）］
１の全面に導電層２０を形成しておき［（図３（ｃ）、
図４（ｃ）］、これをフォトエッチングにより所望のパ
ターン化して導電層２、２を形成する場合について説明
したが［（図３（ｆ）、図４（ｆ）］、他の方法で導電
層２、２を形成するようにしてもよい。すなわち、図６
（ａ）〜（ｄ）は、本発明における導電層の別の形成方
法を示す各工程の絶縁層等の縦断面図である。まず、絶
縁層１を用意し［（図６（ａ）］、その表面１ａをウェ
ットブラスト法または液体ホーニング法により粗面化し
た後、所望の回路配線パターンの窓孔１４ａを有するフ
ォトレジスト層１４を形成するか、あるいは所望の回路
配線パターンの窓孔１４ａを有するフォトレジスト層１
４を形成した後、窓孔１４ａから露出している絶縁層１
の表面１ａを粗面化し［（図６（ｂ）］、その粗面化さ
れた表面１ａに導電層２２０を形成する［（図６
（ｃ）］。このとき、前記［（図６（ｂ）］の工程で、
後者のように所望の回路配線パターンの窓孔１４ａを有
するフォトレジスト層１４を形成した後、窓孔１４ａか
ら露出している絶縁層１の表面１ａを粗面化して、導電
層２２０を形成すると、フォトレジスト層１４の上にも
図示するように、導電層２２０が形成される。次に、フ
ォトレジスト層１４を（後者の場合、その上の導電層２
２０とともに）除去すると、所望の回路配線パターンの
導電層２２、２２が形成される［（図６（ｄ）］
【００２７】図７（ａ）〜（ｇ）は、本発明における突
出部の別の形成方法を示す各工程の絶縁層等の縦断面図
である。まず、絶縁層１を用意し、その表面１ａ全面を
ウェットブラスト法または液体ホーニング法により粗面
化した後［（図７（ａ）］、表面１ａ全面に無電解めっ
き法により銅等よりなる導電層２３０を形成し［（図７
（ｂ）］、続いてこの導電層２３０の上に所望厚さの例
えば導箔よりなる金属層３００を接着形成する［（図７
（ｃ）］。次に、金属層３００の上に所望パターンのフ
ォトレジスト層１５を形成し［（図７（ｄ）］、フォト
レジスト層１５に覆われていない金属層３００をドライ
またはウェットエッチングにより除去すると、所望パタ
ーンの突出部３０が形成されるとともに、導電層２３０
が露出する［（図７（ｅ）］。次に、フォトレジスト層
１５を除去し、所望パターンのフォトレジスト層１６を
形成し［（図７（ｆ）］、フォトレジスト層１６に覆わ
れていない導電層２３０をドライまたはウェットエッチ
ングにより除去した後、フォトレジスト層１６を除去す
ると、所望パターンの導電層２３の上に略断面矩形状の
突出部３０が形成された中間構体が得られる［（図７
（ｇ）］。
出部の別の形成方法を示す各工程の絶縁層等の縦断面図
である。まず、絶縁層１を用意し、その表面１ａ全面を
ウェットブラスト法または液体ホーニング法により粗面
化した後［（図７（ａ）］、表面１ａ全面に無電解めっ
き法により銅等よりなる導電層２３０を形成し［（図７
（ｂ）］、続いてこの導電層２３０の上に所望厚さの例
えば導箔よりなる金属層３００を接着形成する［（図７
（ｃ）］。次に、金属層３００の上に所望パターンのフ
ォトレジスト層１５を形成し［（図７（ｄ）］、フォト
レジスト層１５に覆われていない金属層３００をドライ
またはウェットエッチングにより除去すると、所望パタ
ーンの突出部３０が形成されるとともに、導電層２３０
が露出する［（図７（ｅ）］。次に、フォトレジスト層
１５を除去し、所望パターンのフォトレジスト層１６を
形成し［（図７（ｆ）］、フォトレジスト層１６に覆わ
れていない導電層２３０をドライまたはウェットエッチ
ングにより除去した後、フォトレジスト層１６を除去す
ると、所望パターンの導電層２３の上に略断面矩形状の
突出部３０が形成された中間構体が得られる［（図７
（ｇ）］。
【００２８】なお、上記図７の実施例では、導電層２３
０は無電解めっき法により、または無電解めっき層の上
に電解めっき法により形成し、金属層３００は金属箔の
接着により形成する場合について説明したが、両方とも
めっき法または金属箔の接着法で形成してもよい。
０は無電解めっき法により、または無電解めっき層の上
に電解めっき法により形成し、金属層３００は金属箔の
接着により形成する場合について説明したが、両方とも
めっき法または金属箔の接着法で形成してもよい。
【００２９】図８は、本発明の配線基板の別の実施例の
要部拡大縦断面図である。この実施例が図２と相違する
点は、絶縁層１に形成した貫通孔５、５の底面に露出す
る導電層２の粗面に形成された裏面２ｂと、貫通孔５、
５の粗面化された内壁面５ａ、５ａと、貫通孔５、５の
周辺の粗面化された絶縁層１の裏面１ｂとにまたがっ
て、無電解めっき法、または無電解めっき層の上に電解
めっき法により金等よりなる導電層１７を形成している
点である。このような構成であると、前記粗面２ｂと粗
面化された内壁面５ａ、５ａと粗面化された絶縁層１の
裏面１ｂとによって、これらと導電層１７との固着強度
は著しく大きくなり、これらと導電層１７との接合界面
で剥離は生じない。なお、この配線基板に半導体チップ
７を固着した後、上記導電層１７にさらに半田ボール
（図示省略）を固着してもよい。
要部拡大縦断面図である。この実施例が図２と相違する
点は、絶縁層１に形成した貫通孔５、５の底面に露出す
る導電層２の粗面に形成された裏面２ｂと、貫通孔５、
５の粗面化された内壁面５ａ、５ａと、貫通孔５、５の
周辺の粗面化された絶縁層１の裏面１ｂとにまたがっ
て、無電解めっき法、または無電解めっき層の上に電解
めっき法により金等よりなる導電層１７を形成している
点である。このような構成であると、前記粗面２ｂと粗
面化された内壁面５ａ、５ａと粗面化された絶縁層１の
裏面１ｂとによって、これらと導電層１７との固着強度
は著しく大きくなり、これらと導電層１７との接合界面
で剥離は生じない。なお、この配線基板に半導体チップ
７を固着した後、上記導電層１７にさらに半田ボール
（図示省略）を固着してもよい。
【００３０】図９は、本発明の突出部の別の実施例を示
す要部拡大縦断面図である。すなわち、本実施例の突出
部３１は、図２の略矩形状の突出部３に代えて、その頂
部周辺肩部に１つの段部３２を有する断面段状のもので
あり、他は図２と同様である。このように、突出部３１
の頂部周辺肩部に段部３２を有すると、この突出部３１
を被覆する場合に、被覆材がこの頂部周辺肩部で薄くな
ったり、頂部周辺肩部が露出することがなくなり、それ
に伴う不都合が解消されるという特長がある。なお、こ
の段部３２は２つ以上設けてもよい。
す要部拡大縦断面図である。すなわち、本実施例の突出
部３１は、図２の略矩形状の突出部３に代えて、その頂
部周辺肩部に１つの段部３２を有する断面段状のもので
あり、他は図２と同様である。このように、突出部３１
の頂部周辺肩部に段部３２を有すると、この突出部３１
を被覆する場合に、被覆材がこの頂部周辺肩部で薄くな
ったり、頂部周辺肩部が露出することがなくなり、それ
に伴う不都合が解消されるという特長がある。なお、こ
の段部３２は２つ以上設けてもよい。
【００３０】図１０は、本発明の突出部のさらに別の実
施例を示す縦断面図である。すなわち、この実施例の突
出部３３は、導電層２の上に所望の突出部よりも大きい
基部３４を形成し、この基部３４の上に所望の大きさの
略縦長矩形状である棒状凸部３５を形成したものであ
る。このような突出部３３によれば、図８の突出部３に
比較して突出部３３の体積を小さくできて、突出部形成
用のめっき液等の使用量が減少し、原価低減が図れると
いう特長がある。
施例を示す縦断面図である。すなわち、この実施例の突
出部３３は、導電層２の上に所望の突出部よりも大きい
基部３４を形成し、この基部３４の上に所望の大きさの
略縦長矩形状である棒状凸部３５を形成したものであ
る。このような突出部３３によれば、図８の突出部３に
比較して突出部３３の体積を小さくできて、突出部形成
用のめっき液等の使用量が減少し、原価低減が図れると
いう特長がある。
【００３１】図１１は、本発明の配線基板および半導体
チップの別の実施例を示す縦断面図である。すなわち、
この実施例の配線基板は、突出部３６、３６が図１０の
棒状凸部３５と同様に、図８の突出部３よりも小さく形
成されており、しかも突出部３６、３６の少なくとも頂
部に金めつき層３７、３７が形成されている。また、絶
縁層１の貫通孔５、５の底面に露出する導電層２、２に
所望により金めっき層１９、１９が形成されている。さ
らに、本実施例の半導体チップ７０は、配線基板に対し
てワイヤボンディング方式ではなく、ダイレクトマウン
ト方式で固着されるものを示しており、その下面に前記
突出部３６、３６と同一ピッチで、金めっき層等よりな
る電極７１、７１を備えており、これらの電極７１、７
１を突出部３６、３６頂部の金めつき層３７、３７に、
金−シリコン共晶ろう材等により固着するようにしたも
のである。なお、配線基板と半導体チップ７０とを半田
により固着する場合は、配線基板の突出部３６、３６の
頂部に形成した金めっき層３７、３７および半導体チッ
プ７０の下面に形成した金めっき層よりなる電極７１、
７１に代えて、半田層または半田と濡れやすい金属層を
形成してもよい。
チップの別の実施例を示す縦断面図である。すなわち、
この実施例の配線基板は、突出部３６、３６が図１０の
棒状凸部３５と同様に、図８の突出部３よりも小さく形
成されており、しかも突出部３６、３６の少なくとも頂
部に金めつき層３７、３７が形成されている。また、絶
縁層１の貫通孔５、５の底面に露出する導電層２、２に
所望により金めっき層１９、１９が形成されている。さ
らに、本実施例の半導体チップ７０は、配線基板に対し
てワイヤボンディング方式ではなく、ダイレクトマウン
ト方式で固着されるものを示しており、その下面に前記
突出部３６、３６と同一ピッチで、金めっき層等よりな
る電極７１、７１を備えており、これらの電極７１、７
１を突出部３６、３６頂部の金めつき層３７、３７に、
金−シリコン共晶ろう材等により固着するようにしたも
のである。なお、配線基板と半導体チップ７０とを半田
により固着する場合は、配線基板の突出部３６、３６の
頂部に形成した金めっき層３７、３７および半導体チッ
プ７０の下面に形成した金めっき層よりなる電極７１、
７１に代えて、半田層または半田と濡れやすい金属層を
形成してもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁層の一方の
面に導電層を形成した基材の前記絶縁層が一つ以上の貫
通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩形状または段状
の突出部を有することを特徴とする配線基板であるか
ら、前記突出部の上にワイヤボンディングしたり、半導
体チップの電極を固着する場合に、ボンディング作業や
固着作業が容易に行えるのみならず、大きい固着強度が
得られる配線基板が提供できる。本発明はまた、絶縁層
の上に導電層を形成する工程と、この導電層の表面をウ
ェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面化する
工程と、この粗面化された表面に無電解めっき法、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法で突出部を形成す
る工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法で
あるであるから、前記各種の特徴を有する突出部を有す
る配線基板を容易に製造できる製造方法が提供できる。
面に導電層を形成した基材の前記絶縁層が一つ以上の貫
通孔を有し、前記導電層の上に略断面矩形状または段状
の突出部を有することを特徴とする配線基板であるか
ら、前記突出部の上にワイヤボンディングしたり、半導
体チップの電極を固着する場合に、ボンディング作業や
固着作業が容易に行えるのみならず、大きい固着強度が
得られる配線基板が提供できる。本発明はまた、絶縁層
の上に導電層を形成する工程と、この導電層の表面をウ
ェットブラスト法または液体ホーニング法で粗面化する
工程と、この粗面化された表面に無電解めっき法、また
は無電解めっき層の上に電解めっき法で突出部を形成す
る工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法で
あるであるから、前記各種の特徴を有する突出部を有す
る配線基板を容易に製造できる製造方法が提供できる。
【図１】 本発明の一実施例の配線基板Ａの縦断面図
【図２】 本発明の一実施例の配線基板Ａの要部拡大縦
断面図
断面図
【図３】 図１の配線基板Ａの製造方法について説明す
る工程ブロック図
る工程ブロック図
【図４】 図１の配線基板Ａの製造方法について説明す
る一連の工程の内、前半の各工程における絶縁層等の縦
断面図
る一連の工程の内、前半の各工程における絶縁層等の縦
断面図
【図５】 図１の配線基板Ａの製造方法について説明す
る一連の工程の内、後半の各工程における絶縁層等の状
態の縦断面図
る一連の工程の内、後半の各工程における絶縁層等の状
態の縦断面図
【図６】 本発明の配線基板における導電層の別の形成
方法について説明する各工程の絶縁層等の縦断面図
方法について説明する各工程の絶縁層等の縦断面図
【図７】 本発明の配線基板における導電層および突出
部の別の形成方法につい説明する各工程の絶縁層等の縦
断面図
部の別の形成方法につい説明する各工程の絶縁層等の縦
断面図
【図８】 本発明の他の実施例の配線基板の要部拡大縦
断面図
断面図
【図９】 本発明のさらに他の実施例の配線基板の要部
拡大縦断面図
拡大縦断面図
【図１０】 本発明のさらに他の実施例の配線基板の要
部拡大縦断面図
部拡大縦断面図
【図１１】 本発明のさらに他の実施例の配線基板およ
び半導体チップとの組み付け前の縦断面図
び半導体チップとの組み付け前の縦断面図
【図１２】従来の配線基板の縦断面図
【図１３】従来の他の配線基板の縦断面図
１ 絶縁層 ２ 導電層 ３、３０、３１、３３、３６ 突出部 ４ ソルダーレジスト層 ５ 貫通孔 ６ 半田ボール ７、７０ 半導体チップ ８ ボンディングワイヤ ９ 封止樹脂３２ ３２ 段部
Claims (12)
- 【請求項１】絶縁層の一方の面に導電層を形成した基材
の前記絶縁層が一つ以上の貫通孔を有し、前記導電層の
上に略断面矩形状または段状の突出部を有することを特
徴とする配線基板。 - 【請求項２】前記突出部が、めっきで形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記突出部が、銅箔をエッチングして形成
されたものであることを特徴とする請求項１記載の配線
基板。 - 【請求項４】前記突出部を除く導電層が、突出部頂部よ
りも低いソルダーレジスト層または接着剤層で被覆され
ていることを特徴とする請求項１ないし３記載の配線基
板。 - 【請求項５】前記基材が、絶縁フィルムと金属箔とを積
層したものであることを特徴とする請求項１ないし４記
載の配線基板。 - 【請求項６】前記基材が、金属箔に絶縁材を塗布形成し
たものであることを特徴とする請求項１ないし４記載の
配線基板。 - 【請求項７】前記基材が、絶縁フィルムに導電層をめっ
きで形成したものであることを特徴とする請求項１ない
し４記載の配線基板。 - 【請求項８】前記絶縁フィルムにめつき法で形成された
導電層が、無電解めっき法、または無電解めっき層の上
に電解めっき法のいずれかの方法で形成されたものであ
ることを特徴とする請求項７記載の配線基板。 - 【請求項９】前記絶縁フィルムにめつき法で形成された
導電層が、ドライめっき法、またはウェットめっき法の
いずれかで形成されたものであることを特徴とする請求
項７記載の配線基板。 - 【請求項１０】前記絶縁フィルムと導電層の接合面にお
いて、絶縁フィルムの表面と導電層の表面のいずれか一
方または両方が粗面化されていることを特徴とする請求
項１ないし９記載の配線基板。 - 【請求項１１】前記絶縁層が、全芳香族ポリエステル液
晶ポリマフィルムであることを特徴とする請求項１ない
し１０記載の配線基板。 - 【請求項１２】絶縁層の上に導電層を形成する工程と、
この導電層の表面をウェットブラスト法または液体ホー
ニング法で粗面化する工程と、この粗面化された表面に
無電解めっき法、または無電解めっき層の上に電解めっ
き法で突出部を形成する工程とを含むことを特徴とする
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518399A JP2000236144A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518399A JP2000236144A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236144A true JP2000236144A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12434743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3518399A Pending JP2000236144A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000236144A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831354B2 (en) | 2001-08-10 | 2004-12-14 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor package and method of fabricating same |
| US8069558B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing substrate having built-in components |
| JP2012084410A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュスイッチ、実装基板及びプッシュスイッチ実装方法 |
| JP2012084409A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュスイッチ |
| JP2014022640A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Fujitsu Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法、電子機器及び電子機器の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP3518399A patent/JP2000236144A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831354B2 (en) | 2001-08-10 | 2004-12-14 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor package and method of fabricating same |
| US8069558B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing substrate having built-in components |
| JP2012084410A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュスイッチ、実装基板及びプッシュスイッチ実装方法 |
| JP2012084409A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュスイッチ |
| JP2014022640A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Fujitsu Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法、電子機器及び電子機器の製造方法 |
| US9754830B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-09-05 | Fujitsu Limited | Wiring substrate, method for manufacturing wiring substrate, electronic device and method for manufacturing electronic device |
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