JP2000221435A

JP2000221435A - 露光記録装置

Info

Publication number: JP2000221435A
Application number: JP11022301A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Miyagawa; 一郎宮川
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な構成により、記録媒体の副走査方向に対
する画像むらが生じることのない高精度な画像を形成す
ることのできる露光記録装置を提供することを目的とす
る。【解決手段】半導体レーザＬＤから出力されたレーザビ
ームＬは、結像光学系１６を構成する１／２波長板３０
により偏光方向が調整された後、偏光光学素子３２によ
って正常光Ｌｏおよび異常光Ｌｅに分離され、記録フイ
ルムＦに導かれる。この場合、記録フイルムＦの副走査
方向（矢印Ｙ方向）に分離して集光された正常光Ｌｏお
よび異常光Ｌｅが合成されることで、略矩形状の強度分
布を有する合成パターンが形成され、この合成パターン
から副走査方向（矢印Ｙ方向）にむらのない画像を形成
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光源からの光によ
り記録媒体を走査し、画像を記録する露光記録装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】画像記録の分野において、画像処理の施
されたデジタル信号に基づき、レーザ光学系を駆動制御
し、記録媒体に面積変調による画像を露光記録するレー
ザ記録装置が用いられている。なお、画像が露光記録さ
れた記録媒体は、必要に応じて現像機に供給され、潜像
から顕像に変換される。

【０００３】ここで、レーザ光源としては、例えば、単
一横モード半導体レーザや光ファイバレーザ等のコヒー
レント光源、あるいは、高出力が得られる光ファイバカ
ップルドレーザ等のインコヒーレント光源が用いられて
いる。特に、ガスレーザに比較して、小型軽量、高効
率、長寿命等の利点を有する半導体レーザが注目されて
おり、この半導体レーザを組み込んだレーザ記録装置が
開発されている。

【０００４】ところで、前記のコヒーレント光源を用い
た場合、記録媒体上に形成されるレーザビームの集光ス
ポットの強度分布はガウス分布状になる。

【０００５】また、光ファイバカップルドレーザの場
合、レーザビームが光ファイバによって記録媒体近傍ま
で導かれるため、強度分布が略一様な円形の集光スポッ
トが得られる。ここで、レーザ記録装置では、通常、副
走査搬送される記録媒体の主走査方向にレーザビームを
走査させることで２次元画像を形成しているため、円形
の集光スポットからなるレーザビームの光エネルギが主
走査方向に積分され、これによって副走査方向にガウス
分布に近い形状の強度分布が生じる。

【０００６】記録媒体上でのレーザビームの積分強度
が、図１２に示すように、副走査方向に対してガウス分
布状である場合、レーザビームの強度が変動したり、レ
ーザビームの集光点と記録媒体との位置にずれが生じる
と、特性ＡまたはＢに示すように積分強度が変動するた
め、記録媒体の発色閾値によって決定される発色範囲が
ａまたはｂのように変動し、それが画像の濃度むらとし
て出現してしまう。この濃度むらは、例えば、主走査方
向に対して直線的なエッジを有する画像の場合、前記エ
ッジの位置が副走査方向にゆらいだ画像となってしま
う。また、記録媒体に感度むらがある場合や現像機に現
像むらがある場合においても、発色閾値が変動すること
になるため、同様にして画像むらが出現してしまう。

【０００７】そこで、本出願人は、記録媒体上でのレー
ザビームの強度分布を副走査方向に略矩形状とすること
により、画像むらの出現を抑制することのできる技術を
提案している（特願平１０−６０１９６号）。このよう
な強度分布を得ることのできる光源としては、横多モー
ド半導体レーザや単一横モードが活性層方向に配列され
たアレイ半導体レーザ等を挙げることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの光
源においては、強度分布の全体形状は略矩形状となる
が、複数の光源を副走査方向に配列した場合と同様、図
１３に示すように、強度分布に凹凸の発生することがあ
る。従って、高精度な画像記録を行うためには、凹凸の
極小値が記録媒体の発色閾値よりも大きくなるように、
光源の出力を増大させたり、できるだけ極小値と極大値
との差が小さい光源を選択する、といった対策が必要に
なる場合がある。

【０００９】本発明は、前記の課題を考慮してなされた
ものであり、簡易な構成により光の強度分布を略矩形状
とし、画像むらのない高精度な画像を形成することので
きる露光記録装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る露光記録装
置では、副走査方向に対して広がりを有した強度分布か
らなる光のパターンを結像光学系を介して記録媒体上に
結像させる際、複数パターン生成手段によって前記記録
媒体の副走査方向に複数のパターンを生成し、これらを
合成することにより、副走査方向に対して略矩形状の強
度分布を示す合成パターンを生成することができる。

【００１１】この場合、光強度の変動、記録媒体の発色
閾値の変動、合成パターンの結像位置と記録媒体との位
置ずれ等によらず、画像むらのない高精度な画像を記録
することができる。

【００１２】なお、光源としては、強度分布のパターン
を略矩形状とすることのできる横多モード半導体レーザ
やアレイ半導体レーザを用いることができる。また、結
像光学系にアパーチャ部材を挿入し、パターンの副走査
方向両端部での形状を整形すれば、さらに矩形状に近い
パターンを得ることができる。

【００１３】また、複数のパターンは、光を正常光と異
常光とに分離する偏光光学素子や、頂点が光軸上に設定
され、光を光軸を中心として副走査方向に対称に分離す
るプリズム等を用いて生成することができる。

【００１４】偏光光学素子を用いる場合には、正常光と
異常光との光量の配分を等しくするため、偏光した光を
出力する光源と偏光光学素子との間に１／２波長板や１
／４波長板を配設し、これらを光軸を中心として回動制
御可能に構成することが望ましい。また、プリズムを用
いる場合には、分離された偏光が干渉しないように、副
走査方向の一方の光を導く面に１／２波長板を配設し、
偏光方向が直交するように構成することが望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明の露光
記録装置が適用されるレーザ記録装置１０を示す。この
レーザ記録装置１０は、露光ヘッド１２から出力された
レーザビームＬをドラム１４上に装着された記録フイル
ムＦ（記録媒体）に照射することで、面積変調画像を記
録するようにしたものである。なお、記録フイルムＦに
は、ドラム１４が矢印Ｘ方向（主走査方向）に回転し、
露光ヘッド１２が矢印Ｙ方向（副走査方向）に移動する
ことで、２次元画像が形成される。また、面積変調画像
とは、レーザビームＬをオンオフ制御することで、記録
フイルムＦ上に複数の画素を形成し、その画素の占める
面積によって所定の階調が得られるようにした画像であ
る。

【００１６】露光ヘッド１２は、略直線偏光からなるレ
ーザビームＬを出力する半導体レーザＬＤ（光源）と、
レーザビームＬのニアフィールドパターンを記録フイル
ムＦに結像する結像光学系１６とを備える。なお、半導
体レーザＬＤとしては、図１３に示すように、記録フイ
ルムＦの副走査方向（矢印Ｙ方向）に対して所定の幅を
有する強度分布のパターンを形成する横多モード半導体
レーザ、あるいは、複数の単一横モードが活性層方向に
配列されたアレイ半導体レーザを用いることができる。
また、このような強度分布を有するものであれば、他の
光源を用いることもできる。

【００１７】結像光学系１６は、半導体レーザＬＤから
出力されたレーザビームＬのニアフィールドパターンを
記録フイルムＦ上に結像する光学系であり、半導体レー
ザＬＤ側より、コリメータレンズ２８、１／２波長板３
０、偏光光学素子３２、シリンドリカルレンズ３４、３
６、３８、４０、集光レンズ４２が順に配列されてい
る。なお、シリンドリカルレンズ３４および３８は、レ
ーザビームＬを副走査方向（矢印Ｙ方向）にのみ集光す
る整形光学素子であり、シリンドリカルレンズ３６およ
び４０は、レーザビームＬを主走査方向（矢印Ｘ方向）
にのみ集光する整形光学素子である。

【００１８】１／２波長板３０は、コリメータレンズ２
８によってコリメートされた略直線偏光からなるレーザ
ビームＬの偏光方向を調整するもので、光学軸が１／２
波長板３０の入射面に沿った方向に設定されており、図
１に示す矢印θ方向に回転制御可能に構成される。

【００１９】偏光光学素子３２は、光学軸が互いに直交
する２つの一軸性結晶４４、４６を張り合わせ、レーザ
ビームＬを記録フイルムＦの副走査方向（矢印Ｙ方向）
に対して正常光Ｌｏおよび異常光Ｌｅに分離するもの
（Rochonプリズム）で、例えば、図３に示すように、レ
ーザビームＬの入射側に配置される一軸性結晶４４の光
学軸がレーザビームＬの光軸に平行に設定され、レーザ
ビームＬの出射側に配置される一軸性結晶４６の光学軸
が副走査方向（矢印Ｙ方向）と直交する方向に設定され
る。この場合、正常光Ｌｏは、偏光光学素子３２を直進
し、異常光Ｌｅは、偏光光学素子３２によって副走査方
向（矢印Ｙ方向）に屈折される。なお、偏光光学素子３
２としては、一軸性結晶４４の光学軸がレーザビームＬ
の光軸に直交し、一軸性結晶４６の光学軸が副走査方向
（矢印Ｙ方向）と直交する方向に設定されるもの（Woll
aston プリズム）であってもよい。

【００２０】本実施形態のレーザ記録装置１０は、基本
的には以上のように構成されるものであり、次に、その
作用効果について説明する。

【００２１】画像情報に応じて変調され、半導体レーザ
ＬＤより出力されたレーザビームＬは、コリメータレン
ズ２８によって平行光束とされた後、１／２波長板３０
に入射する。１／２波長板３０に入射した略直線偏光で
あるレーザビームＬは、その偏光方向が調整されて偏光
光学素子３２に供給される。この場合、例えば、１／２
波長板３０の光学軸の方向に対するレーザビームＬの偏
光方向をθとすると、１／２波長板３０を透過したレー
ザビームＬの偏光方向は、−θとなる。従って、１／２
波長板３０を光軸の周りに回動制御することにより、任
意の偏光方向からなるレーザビームＬを偏光光学素子３
２に導くことができる。

【００２２】偏光光学素子３２に供給されたレーザビー
ムＬは、各一軸性結晶４４、４６を透過する際に正常光
Ｌｏと異常光Ｌｅとに分離される。この場合、一軸性結
晶４４においては、レーザビームＬが光学軸に沿って進
行するため、正常光Ｌｏと異常光Ｌｅとに分離されない
が、一軸性結晶４６においては、レーザビームＬの進行
方向と光学軸とが直交し、且つ、光学軸の方向が副走査
方向（矢印Ｙ方向）と直交する方向に設定されているた
め、正常光Ｌｏは直進するが、異常光Ｌｅは副走査方向
（矢印Ｙ方向）に所定角度屈折されて出射することにな
る。なお、異常光Ｌｅの屈折角度φは、偏光光学素子３
２の光軸方向に対する厚みや材質によって任意に調整す
ることができる。

【００２３】ここで、偏光光学素子３２によって副走査
方向（矢印Ｙ方向）に分離された正常光Ｌｏおよび異常
光Ｌｅの強度は、前段に配置されている１／２波長板３
０によって同じ強度に調整することができる。すなわ
ち、１／２波長板３０を光軸を中心として回動制御し、
レーザビームＬの偏光方向が一軸性結晶４６の光学軸方
向に対して略４５゜となるように調整することにより、
正常光Ｌｏの強度と異常光Ｌｅの強度とを同じに設定す
ることができる。

【００２４】なお、１／２波長板３０の代わりに１／４
波長板を用い、この１／４波長板を光軸を中心として回
動制御することで偏光光学素子３２に入射するレーザビ
ームＬが円偏光となるように構成した場合であっても、
同様にして正常光Ｌｏの強度と異常光Ｌｅの強度を同じ
に設定することができる。また、結像光学系１６に供給
されるレーザビームＬは、直線偏光に限定されるもので
はなく、楕円偏光や円偏光であってもよいことは勿論で
ある。

【００２５】副走査方向（矢印Ｙ方向）に分離され、強
度の調整された正常光Ｌｏおよび異常光Ｌｅは、シリン
ドリカルレンズ３４、３８によって副走査方向（矢印Ｙ
方向）のみが整形される一方、シリンドリカルレンズ３
６、４０によって主走査方向（矢印Ｘ方向）のみが整形
され、集光レンズ４２を介してドラム１４上の記録フイ
ルムＦにニアフィールドパターンとして結像される。

【００２６】この場合、記録フイルムＦ上では、図４に
示すように、正常光Ｌｏによる強度分布のニアフィール
ドパターンＰｏと、異常光Ｌｅによる強度分布のニアフ
ィールドパターンＰｅとが副走査方向（矢印Ｙ方向）に
合成され、合成パターンＰｏｅが得られる。すなわち、
ニアフィールドパターンＰｏの極大値、極小値をニアフ
ィールドパターンＰｅの極小値、極大値に対応させるよ
うに、偏光光学素子３２を用いてニアフィールドパター
ンＰｏおよびＰｅの副走査方向（矢印Ｙ方向）に対する
ずれ量を調整することにより、凹凸の少ない合成パター
ンＰｏｅを得ることができる。

【００２７】従って、このような合成パターンＰｏｅを
用いて画像を記録した場合、レーザビームＬの強度変
動、レーザビームＬの結像位置と記録フイルムＦとの光
軸方向に対する位置ずれ等があっても、発色範囲ｃの変
動は極めて小さく、副走査方向（矢印Ｙ方向）に対して
画像むらが出現することはない。また、強度分布の変動
（凹凸）が少ないため、半導体レーザＬＤの出力を増大
させることなく、高精度な画像を安定して形成すること
ができる。さらに、強度分布の変動（凹凸）が少ない半
導体レーザＬＤを厳選する必要もなく、結果的にコスト
を低減させることができる。

【００２８】なお、図２の仮想線で示すように、副走査
方向（矢印Ｙ方向）に対して一定の幅の開口部４７を有
するアパーチャ部材４８を、シリンドリカルレンズ３４
と３６との間の集光部分に配置すれば、合成パターンＰ
ｏｅの副走査方向（矢印Ｙ方向）に対する形状をさらに
矩形状に近い形状とすることができ、一層良好な画像を
形成することができる。

【００２９】図５は、他の実施形態のレーザ記録装置５
０を示す。なお、図１および図２に示すレーザ記録装置
１０と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、そ
の説明を省略する。

【００３０】レーザ記録装置５０を構成する結像光学系
５２は、図１および図２に示す結像光学系１６を構成す
る偏光光学素子３２の代わりに、シリンドリカルレンズ
３６および３８間のレーザビームＬの発散する部位に一
軸性結晶５４を配設して構成される。この場合、一軸性
結晶５４の光学軸の方向は、レーザビームＬの光軸方向
と副走査方向（矢印Ｙ方向）との間となるように設定さ
れる。なお、一軸性結晶５４は、集光レンズ４２と記録
フイルムＦとの間のレーザビームＬが集光する部位に配
設してもよい。

【００３１】１／２波長板３０により偏光方向が調整さ
れ、シリンドリカルレンズ３４により副走査方向（矢印
Ｙ方向）に発散状態とされたレーザビームＬは、図６に
示すように、一軸性結晶５４により正常光Ｌｏおよび異
常光Ｌｅに分離される。この場合、正常光Ｌｏに対する
一軸性結晶５４の屈折率は、光学軸の方向によらず一定
であるため、レーザビームＬの光軸上の仮想発光点ｆｏ
から射出されてシリンドリカルレンズ３８に導かれる。
一方、異常光Ｌｅに対する一軸性結晶５４の屈折率は、
レーザビームＬの入射方向と光学軸の方向とによって異
なり、前記光学軸がレーザビームＬの光軸方向と副走査
方向（矢印Ｙ方向）との間に設定されているため、レー
ザビームＬの光軸から副走査方向（矢印Ｙ方向）に所定
量変位した仮想発光点ｆｅから射出されてシリンドリカ
ルレンズ３８に導かれる。

【００３２】この結果、正常光Ｌｏおよび異常光Ｌｅの
ニアフィールドパターンは、シリンドリカルレンズ３
８、４０および集光レンズ４２を介して記録フイルムＦ
上の副走査方向（矢印Ｙ方向）に所定量ずれた位置に夫
々集光されることにより、図１および図２に示す実施形
態の場合と同様に、図４に示す略矩形状の強度分布を得
ることができる。

【００３３】図７は、他の実施形態のレーザ記録装置６
０を示す。なお、図１および図２に示すレーザ記録装置
１０と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、そ
の説明を省略する。

【００３４】レーザ記録装置６０を構成する結像光学系
６２は、図１および図２に示す結像光学系１６を構成す
る１／２波長板３０および偏光光学素子３２の代わり
に、シリンドリカルレンズ４０と集光レンズ４２との間
にプリズム６４を配設して構成される。この場合、プリ
ズム６４は、図８に示すように、レーザビームＬの光軸
に対して副走査方向（矢印Ｙ方向）に対称に傾斜する出
射面６６ａ、６６ｂを有する。

【００３５】プリズム６４に入射したレーザビームＬ
は、出射面６６ａ、６６ｂにおいて屈折され、副走査方
向（矢印Ｙ方向）にずれた２組のレーザビームＬ１およ
びＬ２として記録フイルムＦに導かれ、同様にして、図
４に示す積分強度からなる強度分布を得ることができ
る。なお、プリズム６４の入射面側を傾斜面として構成
することもできる。また、出射面６６ａ、６６ｂまたは
入射面の傾斜方向は、光軸に対して対称であればよく、
例えば、プリズム６４を凹レンズ状に構成してもよい。

【００３６】図９は、図８に示すプリズム６４の入射面
の中、レーザビームＬ１を生成する側に１／２波長板６
８を配設したものである。この場合、１／２波長板６８
の光学軸の方向を略直線偏光であるレーザビームＬの偏
光方向に対して４５゜に設定することにより、レーザビ
ームＬ１の偏光方向をレーザビームＬ２の偏光方向に対
して９０゜とすることができる。これにより、レーザビ
ームＬ１およびＬ２が記録フイルムＦ上で干渉すること
がなく、副走査方向（矢印Ｙ方向）に対して矩形状とな
る強度分布を得ることができる。

【００３７】図１０は、半導体レーザＬＤから出力され
たレーザビームＬのファーフィールドパターンを記録フ
イルムＦ上に結像する結像光学系７０の構成を示す。な
お、図５に示すレーザ記録装置５０と同一の構成要素に
は、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。

【００３８】結像光学系７０は、半導体レーザＬＤ側よ
り集光レンズ７２、１／２波長板３０、一軸性結晶５
４、シリンドリカルレンズ３６、４０、集光レンズ４２
を順に配列して構成される。

【００３９】この場合、半導体レーザＬＤは、集光レン
ズ７２の焦点距離ｆの位置に配置されており、集光レン
ズ７２は、半導体レーザＬＤから出力されたレーザビー
ムＬのファーフィールドパターンを集光レンズ７２の後
側主点位置から焦点距離ｆの所（二点鎖線で示す。）に
結像する。このファーフィールドパターンは、主走査方
向に対してガウス分布状となっているので、シリンドリ
カルレンズ３６、４０を用いてその方向にのみ整形した
後、集光レンズ４２を介して記録フイルムＦに結像され
る。

【００４０】このようにして、図１および図２に示すニ
アフィールドパターンを用いた場合と同様に、副走査方
向（矢印Ｙ方向）に対して略矩形状となるファーフィー
ルドパターンを記録フイルムＦ上に結像し、むらのない
画像を形成することができる。

【００４１】図１１は、図１０に示す結像光学系７０の
ファーフィールドパターンが形成される位置に、図２の
場合と同様に、副走査方向（矢印Ｙ方向）に対するビー
ム整形を行うアパーチャ部材８６を配置したものであ
る。この場合、副走査方向（矢印Ｙ方向）に対してさら
に矩形状に近い強度分布からなるファーフィールドパタ
ーンを記録フイルムＦ上に結像することができ、これに
よって、一層好適な画像を形成することができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る露光
記録装置によれば、レーザビームの記録媒体上における
強度分布を副走査方向に対して略矩形状とすることがで
きるため、記録媒体の発色閾値の変動やレーザビームの
強度変動等の影響を受けることが殆どなく、副走査方向
に対する画像むらが好適に抑制される。このように、極
めて簡易な構成により、記録媒体の副走査方向に対する
画像むらが生じることのない画像を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態のレーザ記録装置の斜視構成図であ
る。

【図２】図１に示すレーザ記録装置の平面構成図であ
る。

【図３】図２に示す偏光光学素子の作用説明図である。

【図４】２つのニアフィールドパターンを合成して得ら
れる合成パターンの説明図である。

【図５】他の実施形態に係るレーザ記録装置の平面構成
図である。

【図６】図５に示す一軸性結晶の作用説明図である。

【図７】他の実施形態に係るレーザ記録装置の平面構成
図である。

【図８】図７に示すプリズムの作用説明図である。

【図９】図７に示すプリズムに１／２波長板を設けた構
成の説明図である。

【図１０】他の実施形態に係るレーザ記録装置の平面構
成図である。

【図１１】図１０に示すレーザ記録装置におけるファー
フィールドパターンが形成される位置にアパーチャ部材
を配設した場合の平面構成図である。

【図１２】従来のガウス分布状の強度分布を有する光源
を用いた場合の画像むら発生の説明図である。

【図１３】副走査方向に広がりを有したレーザビームの
合成前の強度分布の説明図である。

【符号の説明】

１０、５０、６０…レーザ記録装置１２…露光ヘッド１４…ドラム１６、５２、６
２、７０…結像光学系３０、６８…１／２波長板３２…偏光光学素
子４４、４６、５４…一軸性結晶６４…プリズムＦ…記録フイルムＬＤ…半導体レー
ザ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】副走査方向に対して広がりを有した強度分
布からなる光を出力する光源を用いて記録媒体を主走査
し、画像を記録する露光記録装置であって、前記光源から出力された光のパターンを記録媒体上に結
像する結像光学系と、前記光のパターンを前記記録媒体上の前記副走査方向に
対して複数生成する複数パターン生成手段とを備え、複数の前記パターンを重畳させることで前記副走査方向
に対して略矩形状の強度分布からなる合成パターンを生
成し、前記合成パターンにより前記記録媒体を主走査す
ることを特徴とする露光記録装置。
【請求項２】請求項１記載の装置において、前記光源
は、横多モード半導体レーザであることを特徴とする露
光記録装置。
【請求項３】請求項１記載の装置において、前記光源
は、アレイ半導体レーザであることを特徴とする露光記
録装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の装置にお
いて、前記結像光学系は、前記光源から出力される光の
ニアフィールドパターンを前記記録媒体上に結像するこ
とを特徴とする露光記録装置。
【請求項５】請求項１〜３のいずれかに記載の装置にお
いて、前記結像光学系は、前記光源から出力される光の
ファーフィールドパターンを前記記録媒体上に結像する
ことを特徴とする露光記録装置。
【請求項６】請求項１〜３のいずれかに記載の装置にお
いて、前記結像光学系は、前記パターンにおける前記副
走査方向の両端部をけるアパーチャ部材を有することを
特徴とする露光記録装置。
【請求項７】請求項１記載の装置において、前記複数パ
ターン生成手段は、前記光を正常光と異常光とに分離す
る偏光光学素子であることを特徴とする露光記録装置。
【請求項８】請求項７記載の装置において、前記偏光光
学素子は、前記光が略平行光束となる部位に配設され、
前記正常光と前記異常光とを異なる角度で射出すること
を特徴とする露光記録装置。
【請求項９】請求項７記載の装置において、前記偏光光
学素子は、前記光が発散する部位または集光する部位に
配設され、前記正常光と前記異常光とを前記副走査方向
に対する異なる位置から射出することを特徴とする露光
記録装置。
【請求項１０】請求項７記載の装置において、前記光源
と前記偏光光学素子との間には、偏光した前記光の光軸
を中心として回動制御可能な１／２波長板または１／４
波長板が配設され、前記偏光光学素子から射出される前
記正常光と前記異常光の光量配分を前記１／２波長板ま
たは前記１／４波長板の回動角度によって制御すること
を特徴とする露光記録装置。
【請求項１１】請求項７記載の装置において、前記偏光
光学素子は、一軸性結晶であることを特徴とする露光記
録装置。
【請求項１２】請求項１記載の装置において、前記複数
パターン生成手段は、前記光の光軸上に頂点が設定さ
れ、前記光軸を中心として前記光を前記副走査方向に対
称に分離するプリズムであることを特徴とする露光記録
装置。
【請求項１３】請求項１２記載の装置において、前記プ
リズムには、前記光軸を中心として対称となる副走査方
向の一方の面に１／２波長板が配設されることを特徴と
する露光記録装置。