JP2000218165A - ハニカムフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

ハニカムフィルタ及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】破壊強度を向上することができるハニカムフィ
ルタを提供する。 【解決手段】多孔質炭化珪素焼結体よりなる基材2は孔
部内面に強度増加用のシリカ膜8が形成され、そのシリ
カ膜8を含む基材2の酸素濃度は1wt%〜10wt%であ
る。シリカ膜8を含む多孔質炭化珪素焼結体中の酸素は
炭化珪素粒子6の表層部に存在している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はディーゼルエンジン
等の内燃機関における排気ガスを浄化処理するために使
用されるハニカムフィルタに係り、詳しくはその強度向
上に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばディーゼルエンジンの排気
ガスを浄化するために、耐熱性及び熱伝導性に優れた多
孔質炭化珪素焼結体をハニカム状に形成したハニカムフ
ィルタが用いられている。このハニカムフィルタをディ
ーゼルエンジンの排気側に接続し、このフィルタによっ
て排気ガス中のスス(カーボン),NOx及びHC等を
酸化分解するようになっている。
【0003】このようなハニカムフィルタの破壊強度を
向上するためには、炭化珪素の焼成温度及び焼成時間を
最適化することにより炭化珪素粒子同士のネック(結合
部分)を成長させたり、炭化珪素粒子の粒度分布を最適
化することによりネックの数を増加させたりする方法が
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の方法を用いて多孔質炭化珪素焼結体を製造しても、多
孔質炭化珪素焼結体の強度の上限があり、さらなる強度
の向上を望むことはできない。また、多孔質炭化珪素焼
結体よりなるハニカムフィルタには、排気ガス中のパテ
ィキュレートの濾過に適した気孔径及び気孔率が存在す
る。このような気孔径、気孔率を備えた多孔質炭化珪素
焼結体を得るためには、炭化珪素粒子の粒度分布や炭化
珪素の焼成温度及び焼成時間にも制限が加えられる。
【0005】従って、このように製造されたハニカムフ
ィルタの中には十分な強度がないため、捕集されたパテ
ィキュレート中のススの燃焼再生時に発生する熱応力に
耐え切れず、破壊してしまうものがある。
【0006】本発明は上記の事情を考慮してなされたも
のであって、その目的は多孔質炭化珪素焼結体よりなる
ハニカムフィルタの強度を向上することができ、極めて
簡単な方法によって多孔質炭化珪素焼結体の孔部内面に
所望の厚さのシリカ膜を確実に形成することが可能なハ
ニカムフィルタ及びその製造方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発明は、ハニカム状に形成され
た多孔質炭化珪素焼結体の孔部内面に強度増加用のシリ
カ膜が形成され、そのシリカ膜を含む多孔質炭化珪素焼
結体の酸素濃度は1wt%〜10wt%としたことを要旨と
する。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のハニカムフィルタにおいて、前記シリカ膜を含む多孔
質炭化珪素焼結体中の酸素は炭化珪素粒子の表層部に存
在することを要旨とする。
【0009】請求項3に記載の発明は、予めハニカム状
に形成した多孔質炭化珪素焼結体を酸化雰囲気にて80
0℃〜1600℃で5〜100時間加熱することによ
り、この焼結体の孔部内面において前記焼結体の炭化珪
素の一部を酸化して強度増加用のシリカ膜を形成するよ
うにしたハニカムフィルタの製造方法を要旨とする。
【0010】請求項3に記載の製造方法によってハニカ
ムフィルタを製造すると、多孔質炭化珪素焼結体の孔部
内面において、炭化珪素の一部が酸化されて、炭化珪素
粒子の表層部にシリカ膜が形成される。シリカ膜を含む
多孔質炭化珪素焼結体の酸素濃度は1wt%〜10wt%の
範囲であることが必要である。このシリカ膜によって炭
化珪素粒子間のネックが成長するとともに、ネックの結
合角度が大きくなってネックの結合端部が滑らかにな
り、結合強度が向上するとともに、応力集中が緩和さ
れ、ハニカムフィルタの破壊強度が向上する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に従って説明する。図1及び図2に示すように、ハニカ
ムフィルタ1の基材2は高い融点(〜3000℃)を有
する多孔質炭化珪素焼結体によってハニカム状に形成さ
れると共に、全体として四角柱状をなしている。なお、
基材2は2000〜2100℃の温度で焼結されてい
る。そして、この基材2には軸線方向に平行に延びる多
数のガス通過孔3が形成され、各ガス通過孔3の供給側
及び排出側のいずれか一端が炭化珪素質の小片4によっ
て交互に封止されている。この基材2において、各ガス
通過孔3の内壁面には所定の酸素濃度(1〜10wt%)
を有するシリカ膜が形成されている。
【0012】そこで、基材2の製造方法について説明す
ると、先ず、炭化珪素粉末を主成分とする原料により、
公知の方法に従ってハニカム状基材2を焼成する。この
とき、図3,4に示すように、基材2における炭化珪素
粒子6同士は互いにネック7にて結合しており、炭化珪
素粒子6間のネック7の結合角度は小さくネック7の結
合端部は先鋭状になっている。従って、この状態で基材
2に曲げ荷重が作用すると、ネック7の結合端部に応力
が集中する。
【0013】そして、この基材2を炭化珪素製の炉に入
れ、炉内を空気雰囲気、すなわち酸化雰囲気とするとと
もに、炉内の温度を5〜100時間にわたって800〜
1600℃の範囲の温度に保持する。
【0014】この加熱温度が800℃未満であると、酸
化反応が起こり難く、1600℃を越えると、酸化反応
が進みすぎて、シリカ膜が焼結体内部まで形成されて、
強度低下を招く。
【0015】上記の加熱処理により、図5,6に示すよ
うに、各ガス通過孔3の内壁面及び基材2の表面におい
て、炭化珪素粒子6の表層部が酸化され、所定の酸素濃
度(1〜10wt%)のシリカ膜8が形成される。このシ
リカ膜8によって炭化珪素粒子6間のネック7が成長す
るとともに、ネック7の結合角度が大きくなってネック
7の結合端部が滑らかになる。従って、ネック7の結合
強度が向上するとともに、ネック7の結合端部での応力
集中が緩和され、基材2の破壊強度が向上する。このシ
リカ膜の生成量は前記空気量,加熱時間,加熱温度等に
依存して変化するため、これらを制御することにより、
所望の酸素濃度の均一なシリカ膜8を形成できる。
【0016】その後、前記シリカ膜8に、白金に代表さ
れる白金族元素やその他の金属元素及びその酸化物等か
らなる酸化触媒を担持させ、ガス通過孔3の供給側及び
排出側のいずれか一端を炭化珪素質の小片4によって交
互に封止すれば、内燃機関等の排気ガスを浄化するため
のハニカムフィルタ1が形成される。
【0017】そして、排気ガスが排気通路5内におい
て、図1に矢印Aで示すように、その供給側からハニカ
ムフィルタ1内に導入されると、ガス通過孔3間の壁部
により、排気ガス中のススやHC等が濾過されると共
に、シリカ膜8上の触媒により、燃焼再生される。そし
て、浄化された排気ガスが矢印Bで示すように、ハニカ
ムフィルタ1から排出される。
【0018】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 (実施例1)炭化珪素粉末を主成分とする原料の押出成
形加工により、図2において辺L1,L2がそれぞれ3
3mmの正方形状をなし、図1において長さL3が150
mmの四角柱状をなすハニカム状基材2を形成した。この
ハニカム基材2において、辺L1,L2に沿って正方形
状の開口部を有する18個のガス通過孔3を形成し、ガ
ス通過孔3の開口部の一辺Wを1.8mm、壁厚Dを0.
36mmに設定した。この基材2を炭化珪素製の炉内に入
れ、炉内を空気雰囲気とするとともに、1400℃で3
0時間にわたって加熱した。
【0019】その結果、表1に示すように、基材2の重
量は126.135gから5.331g増加して13
1.466gとなり、ガス通過孔3の内面全体に、酸素
濃度として4.23wt%のシリカ膜8が形成された。
【0020】次に、上記のようにして得られた基材2の
破壊荷重をオートグラフを用いて3点曲げ法で測定し
た。なお、下部スパンは135mmとし、ヘッドスピード
は0.5mm/分に設定した。シリカ膜8を含む基材2の
破壊強度は、図7に示すように約550kg/cm2 であっ
た。ちなみに、前記基材2と同様の形状寸法及びほぼ重
量を備えシリカ膜を形成していない基材の破壊強度は、
図7に示すように350kg/cm2 であった。
【0021】上記の基材2の圧力損失は、図8に示すよ
うに10.5KPaであった。図9に示すように、この
ときの気孔径は約8.5μmであり、気孔率は約44.
5%であった。ちなみに、シリカ膜を形成していない基
材の圧力損失は9.8KPaであり、このときの気孔径
は約9μm、気孔率は約46%であった。
【0022】(実施例2)実施例1の基材2と同様の形
状寸法を備えた多孔質炭化珪素焼結体よりなる基材2
を、空気雰囲気の炉内で1450℃で90時間にわたっ
て加熱した。
【0023】その結果、表1に示すように、基材2の重
量は125.121gから10.552g増加して13
5.673gとなり、ガス通過孔3の内面全体に、酸素
濃度として8.43wt%のシリカ膜が形成された。
【0024】次に、上記のようにして得られた基材2の
破壊荷重を実施例1と同様にして測定した。この実施例
のシリカ膜8を含む基材2の破壊強度は、図7に示すよ
うに約450kg/cm2 であった。
【0025】上記の基材2の圧力損失は、図8に示すよ
うに12.6KPaであった。図9に示すように、この
ときの気孔径は約8.1μmであり、気孔率は約44%
であった。
【0026】(比較例1)実施例1の基材2と同様の形
状寸法を備えた多孔質炭化珪素焼結体よりなる基材2
を、空気雰囲気の炉内で1300℃で300時間にわた
って加熱した。
【0027】その結果、表1に示すように、基材2の重
量は125.562gから16.257g増加して14
1.819gとなり、ガス通過孔3の内面全体に、酸素
濃度として12.94wt%のシリカ膜が形成された。
【0028】次に、上記のようにして得られた基材2の
破壊荷重を実施例1と同様にして測定した。この実施例
のシリカ膜8を含む基材2の破壊強度は、図7に示すよ
うに約460kg/cm2 であった。
【0029】上記の基材2の圧力損失は、図8に示すよ
うに9.9KPaであった。図9に示すように、このと
きの気孔径は約8.9μmであり、気孔率は約45.5
%であった。
【0030】(比較例2)実施例1の基材2と同様の形
状寸法を備えた多孔質炭化珪素焼結体よりなる基材2
を、空気雰囲気の炉内で1300℃で4時間にわたって
加熱した。
【0031】その結果、表1に示すように、基材2の重
量は125.479gから1.002g増加して12
6.481gとなり、ガス通過孔3の内面全体に、酸素
濃度として0.799wt%のシリカ膜が形成された。
【0032】次に、上記のようにして得られた基材2の
破壊荷重を実施例1と同様にして測定した。この実施例
のシリカ膜8を含む基材2の破壊強度は、シリカ膜を形
成していない基材の破壊強度350kg/cm2 以下であっ
た。
【0033】上記の基材2の圧力損失は、図8に示すよ
うに15KPaよりはるかに上回っていた。図9に示す
ように、このときの気孔径も8μmを下回っており、気
孔率は44%を下回っていた。
【0034】
【表1】 上記の実施例1,2及び比較例1,2の破壊強度の測定
結果に基づいて、図7に示すように基材2の破壊強度と
酸素濃度との関係を得ることができる。基材2の酸素濃
度が1〜10wt%の範囲であると、破壊強度は390kg
/cm2 〜550kg/cm2 の範囲となり、シリカ膜が形成
されていない基材の破壊強度の1.11〜1.57倍の
破壊強度を得ることができる。また、基材2の酸素濃度
が2〜8wt%の範囲であると、破壊強度は480kg/cm
2 〜550kg/cm2 の範囲となり、シリカ膜が形成され
ていない基材の破壊強度の1.37〜1.57倍の破壊
強度を得ることができる。さらに、基材2の酸素濃度が
4〜6wt%の範囲であると、破壊強度は540kg/cm2
〜550kg/cm2 の範囲となり、シリカ膜が形成されて
いない基材の破壊強度の1.54〜1.57倍の破壊強
度を得ることができる。
【0035】また、実施例1,2及び比較例1,2の圧
力損失の測定結果に基づいて図8に示すように基材2の
圧力損失と酸素濃度との関係を得ることができる。さら
に、実施例1,2及び比較例1,2の気孔径及び気孔率
の測定結果に基づいて図9に示すように基材2の気孔径
及び気孔率と酸素濃度との関係を得ることができる。図
8及び図9に基づいて、基材2の気孔径及び気孔率が低
下すればするほど、圧力損失が大きくなることが分か
る。
【0036】以上のことから、破壊強度を向上しつつ、
圧力損失が15KPa未満の基材2を得るためには、酸
素濃度として1〜10wt%のシリカ膜8を基材2の炭化
珪素粒子の表層部に形成すればよい。また、1〜10wt
%のシリカ膜8は、基材2を酸化雰囲気にて800℃〜
1600℃で5〜100時間加熱することにより得るこ
とができる。
【0037】また、酸素濃度として2〜8wt%のシリカ
膜8を形成した基材2は、シリカ膜が形成されていない
基材の破壊強度の1.37〜1.57倍の破壊強度を得
ることができるとともに、圧力損失を12.5KPa未
満とすることができ、良好な特性のハニカムフィルタを
得ることができる。
【0038】さらに、酸素濃度として4〜6wt%のシリ
カ膜8を形成した基材2は、シリカ膜が形成されていな
い基材の破壊強度の約1.5倍以上の破壊強度を得るこ
とができるとともに、圧力損失を12.5KPa未満と
することができ、より良好な特性のハニカムフィルタを
得ることができる。
【0039】なお、上記実施形態は次のように変更して
もよく、その場合でも同様の作用および効果を得ること
ができる。 ・ 上記実施形態では、基材2は全体として四角柱状に
形成したが、円柱状に形成した基材に実施してもよい。
【0040】・ 上記実施形態では、基材2を空気雰囲
気で加熱することにより炭化珪素粒子を酸化させたが、
炭化珪素粒子の酸化はこれに限定されるものではない。
次に、上記実施形態から把握できる他の技術的思想を以
下に記載する。
【0041】・ 請求項1及び2のいずれか1項に記載
のハニカムフィルタにおいて、前記シリカ膜を含む多孔
質炭化珪素焼結体の酸素濃度は2wt%〜8wt%であるハ
ニカムフィルタ。
【0042】・ 請求項1及び2のいずれか1項に記載
のハニカムフィルタにおいて、前記シリカ膜を含む多孔
質炭化珪素焼結体の酸素濃度は4wt%〜6wt%であるハ
ニカムフィルタ。
【0043】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1及び2の
いずれかに記載の発明は、ハニカムフィルタの破壊強度
を向上することができるという優れた効果を発揮する。
【0044】請求項3に記載の発明は、炭化珪素焼結体
の強度低下を招くことなく、極めて簡単な方法によって
孔部内面に所望のシリカ膜を確実に形成することができ
るという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法によって製造されるハニカム
フィルタの断面図。
【図2】同じくハニカムフィルタの側面図。
【図3】焼成時の多孔質炭化珪素焼結体を示す模式図。
【図4】同じく焼成時の多孔質炭化珪素焼結体を拡大し
て示す模式図。
【図5】シリカ膜を形成した多孔質炭化珪素焼結体を示
す模式図。
【図6】同じくシリカ膜を形成した多孔質炭化珪素焼結
体を拡大して示す模式図。
【図7】多孔質炭化珪素焼結体の破壊強度と酸素濃度と
の関係を示す線図。
【図8】多孔質炭化珪素焼結体の圧力損失と酸素濃度と
の関係を示す線図。
【図9】多孔質炭化珪素焼結体の気孔径及び気孔率と酸
素濃度との関係を示す線図。
【符号の説明】
2…基材、3…ガス通過孔、6…炭化珪素粒子、7…ネ
ック、8…シリカ膜。
フロントページの続き Fターム(参考) 4D048 AA06 AA18 AB01 AB03 BA06X BA06Y BA45X BA45Y BB02 4G069 AA01 AA03 AA08 BA02A BA02B BB15A BB15B BD04A BD04B BD05A BD05B CA03 CA07 CA10 CA13 CA15 CA18 EA19 EA27 EB17Y FA04 FC07

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ハニカム状に形成された多孔質炭化珪素
    焼結体の孔部内面に強度増加用のシリカ膜が形成され、
    そのシリカ膜を含む多孔質炭化珪素焼結体の酸素濃度は
    1wt%〜10wt%であるハニカムフィルタ。
  2. 【請求項2】 前記シリカ膜を含む多孔質炭化珪素焼結
    体中の酸素は炭化珪素粒子の表層部に存在する請求項1
    に記載のハニカムフィルタ。
  3. 【請求項3】 予めハニカム状に形成した多孔質炭化珪
    素焼結体を酸化雰囲気にて800℃〜1600℃で5〜
    100時間加熱することにより、この焼結体の孔部内面
    において前記焼結体の炭化珪素の一部を酸化して強度増
    加用のシリカ膜を形成するようにしたハニカムフィルタ
    の製造方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004275854A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Tokyo Yogyo Co Ltd 炭化珪素質ハニカム構造体とそれを用いたセラミックフィルター
WO2005014171A1 (ja) * 2003-08-12 2005-02-17 Ngk Insulators, Ltd. 炭化珪素質触媒体及びその製造方法
US7311750B2 (en) 2004-06-25 2007-12-25 Ibeden Co., Ltd. Filter, method of manufacturing the same, and exhaust gas purification device
WO2007147669A1 (de) * 2006-06-22 2007-12-27 Robert Bosch Gmbh Filter zur reinigung eines partikel enthaltenden gasstromes sowie verfahren zu seiner herstellung
JP2010099557A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 金属触媒担持粒子とその製造方法及び金属触媒担持粒子分散液並びに触媒
EP2441513A1 (en) 2010-10-13 2012-04-18 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb catalyst body and method for manufacturing honeycomb catalyst body
EP2441741A1 (en) 2010-10-13 2012-04-18 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb structured body and exhaust gas purifying apparatus
JP2012106223A (ja) * 2010-04-09 2012-06-07 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体
EP2495043A1 (en) * 2009-10-30 2012-09-05 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Exhaust cleaner for internal combustion engine
WO2013145245A1 (ja) * 2012-03-29 2013-10-03 イビデン株式会社 ハニカム構造体、排ガス浄化用ハニカムフィルタ及び排ガス浄化装置
WO2013175552A1 (ja) * 2012-05-21 2013-11-28 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ、排ガス浄化装置、及び、排ガス浄化方法
JP2015029940A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ
JP2016124761A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京窯業株式会社 炭化珪素質セラミックス焼結体
US10286358B2 (en) 2013-07-31 2019-05-14 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004275854A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Tokyo Yogyo Co Ltd 炭化珪素質ハニカム構造体とそれを用いたセラミックフィルター
WO2005014171A1 (ja) * 2003-08-12 2005-02-17 Ngk Insulators, Ltd. 炭化珪素質触媒体及びその製造方法
EP1666146A1 (en) 2003-08-12 2006-06-07 Ngk Insulators, Ltd. Silicon carbide based catalyst material and method for preparation thereof
US7311750B2 (en) 2004-06-25 2007-12-25 Ibeden Co., Ltd. Filter, method of manufacturing the same, and exhaust gas purification device
WO2007147669A1 (de) * 2006-06-22 2007-12-27 Robert Bosch Gmbh Filter zur reinigung eines partikel enthaltenden gasstromes sowie verfahren zu seiner herstellung
JP2010099557A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 金属触媒担持粒子とその製造方法及び金属触媒担持粒子分散液並びに触媒
JPWO2011052676A1 (ja) * 2009-10-30 2013-03-21 住友大阪セメント株式会社 内燃機関の排気浄化装置
EP2495043A4 (en) * 2009-10-30 2014-04-23 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd EXHAUST GAS CLEANER FOR A COMBUSTION ENGINE
EP2495043A1 (en) * 2009-10-30 2012-09-05 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Exhaust cleaner for internal combustion engine
JP2012106223A (ja) * 2010-04-09 2012-06-07 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体
EP2441741A1 (en) 2010-10-13 2012-04-18 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb structured body and exhaust gas purifying apparatus
EP2441513A1 (en) 2010-10-13 2012-04-18 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb catalyst body and method for manufacturing honeycomb catalyst body
JPWO2013145245A1 (ja) * 2012-03-29 2015-08-03 イビデン株式会社 ハニカム構造体、排ガス浄化用ハニカムフィルタ及び排ガス浄化装置
EP2832710A4 (en) * 2012-03-29 2015-06-03 Ibiden Co Ltd HONEYCOMB STRUCTURE, HONEYCOMB FILTER FOR EXHAUST GAS PURIFICATION AND EXHAUST GAS PURIFICATION DEVICE
WO2013145245A1 (ja) * 2012-03-29 2013-10-03 イビデン株式会社 ハニカム構造体、排ガス浄化用ハニカムフィルタ及び排ガス浄化装置
WO2013175552A1 (ja) * 2012-05-21 2013-11-28 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ、排ガス浄化装置、及び、排ガス浄化方法
JPWO2013175552A1 (ja) * 2012-05-21 2016-01-12 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ、排ガス浄化装置、及び、排ガス浄化方法
EP2862616A2 (en) 2013-07-31 2015-04-22 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter
JP2015029940A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ
US9702283B2 (en) 2013-07-31 2017-07-11 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter
US10286358B2 (en) 2013-07-31 2019-05-14 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb filter
JP2016124761A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京窯業株式会社 炭化珪素質セラミックス焼結体

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