JP2000200936A - 表面実装型レ―ザ―ダイオ―ド及びその製造方法 - Google Patents

表面実装型レ―ザ―ダイオ―ド及びその製造方法

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JP2000200936A
JP2000200936A JP10376920A JP37692098A JP2000200936A JP 2000200936 A JP2000200936 A JP 2000200936A JP 10376920 A JP10376920 A JP 10376920A JP 37692098 A JP37692098 A JP 37692098A JP 2000200936 A JP2000200936 A JP 2000200936A
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laser diode
metal
spacer
mounting
sheet
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JP10376920A
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Inventor
Katsuhiko Noguchi
克彦 野口
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Citizen Electronics Co Ltd
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Citizen Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 LD素子横向き実装のため特殊装置が必要と
なり、また、実装精度の確保困難、加工工程が集合体で
処理出来ずコストアップになる。 【解決手段】 LD素子12のアノード電極11aとカ
ソード電極11bを形成した鉄、アルミ系又は銅系等の
金属からなる金属基板11と、金属基板11上にLD素
子12実装を妨げない様な中抜きしたボリイミド系のス
ペーサー14を接着シート等で熱圧着し、金属基板11
上にLD素子12を実装し、スペーサー14上に鉄、ア
ルミ系又は銅系等の金属からなる金属シート16を接着
シート等で熱圧着する。LD素子の実装に特殊な装置を
必要とせず、加工工程は集合体で行ない個品に分割す
る。生産性が向上しコストが低減する。更に、実装精度
は画像認識を前提とし高い精度が確保でき、個品がロボ
ットで容易に取り扱いができ個品の便利範囲が拡大でき
る。小型、薄型で安価となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種AV機器、コ
イピュータ用記憶装置、その他一般電子機器にひろく使
用されているレーザーダイオードに係わり、特に表面実
装型レーザーダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のレーザーダイオード(以下、LD
と省略する)としては、図8に示す様なハーメチックシ
ール型のものがある。このハーメチックシール型LD
は、コパール等の放熱性の優れた金属ステム1と、LD
素子2のアノード側とカソード側をそれぞれダイボンデ
ィングしワイヤ3でワイヤーボンディングする金属端子
棒(アノード端子4、カソード端子5)と、この両端子
棒4、5と金属ステム1間を絶縁するガラス6等の絶縁
体と、金属ケース7及び透明ガラス8からなるカバー9
を金属ステム1と機密封止した構成になっている。LD
素子2はカソード電極5に横向きにダイボンドされ、L
D素子2に電圧を印加すると、レーザー光は金属ケース
7の上面に設けられた透明ガラス8で封止された窓穴7
aから上方(矢印A方向)に照射される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来技術においては次のような問題点を有している。
即ち、LD素子を横向きにダイボンディイング及びワイ
ヤーボンディングしなければならないため、ボンダーの
一部を横向きにする特殊な装置が必要で、集合処理等一
括大量生産が出来ず、一個づつの加工プロセスのためコ
ストアップになると言う問題があった。
【0004】また、LD素子の光を妨げない様にまた、
発熱するため放熱効果を妨げない様に中空状態で組み立
てを行い、且つ、ミクロンレベルの加工精度を必要とす
るため、各種治具等が必要となる等の問題があった。
【0005】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、その目的は、小型、薄型化が可能であり、製造工程
が簡素化され、多数個生産が可能な安価な表面実装型L
D及びその製造方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるLDは、レーザーダイオード素子の
アノード側電極とカソード側電極を形成した金属基板
と、該金属基板上にレーザーダイオード素子の実装を妨
げない様な中抜きしたスペーサを接着シート等の接着手
段で熱圧着し、前記金属基板上にレーザーダイオード素
子を実装し、前記スペーサー上に金属シートを接着シー
ト等の接着手段で熱圧着したことを特徴とするものであ
る。
【0007】また、本発明におけるLDの製造方法は、
鉄、アルミ系又は銅系等の金属からなる多数個取りする
集合基板に複数個のスルーホールを形成し、電極パター
ン形成部を除きレジスト等で絶縁層を形成し電極パター
ン形成部に金メッキを施す集合基板形成工程と、前記集
合基板にレーザーダイオード素子実装を妨げない様な中
抜きされたスペーサーを接着シート等の接着手段で熱圧
着するスペーサー熱圧着工程と、前記集合基板のアノー
ド電極にレーザーダイオード素子を半田等でダイボンド
しワイヤによるワイヤボンドするレーザーダイオード素
子実装工程と、前記スペーサー上に接着シート等の接着
手段で鉄、アルミ系又は銅系等の金属からなる金属シー
トを熱圧着する金属シートを熱圧着工程により表面実装
型レーザーダイオード集合体を構成した後、該集合体を
ワイヤーソウ又はスライシングマシン等の分割手段で個
品に分割する分割工程とよりなることを特徴とするもの
である。
【0008】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
るLD及びその製造方法について説明する。図1は、本
発明の実施の形態に係わるLDの構造を示す透視した状
態の斜視図である。図2〜図5はその製造方法を示し、
図2は、集合基板にスルーホール及び電極パターンを形
成した状態の平面図である。図3は、中抜きされたスペ
ーサー集合体の平面図である。図4は、集合基板にスペ
ーサー集合体を熱圧着した後LD素子を実装した状態の
平面図である。図5は、金属シート集合体の平面図であ
る。図6は、図2の斜線部Bの単品の基板の斜視図であ
る。図7は、製造工程を示すフローチャートである。
【0009】先ず本発明の表面実装型LDの構成につい
て説明する。図1及び図6において、表面実装型LD1
0は、鉄、アルミ系又は銅系等の金属からなる金属基板
11にレジスト等でLD素子12のダイボンド部(アノ
ード電極11a)及びワイヤーボンド部(カソード電極
11b)を除き絶縁層13を形成する。スルーホール1
1c1、11c2は絶縁層13をスルーホール11c
1、11c2内にも設け、その上に電極を付け、アノー
ド電極11aとカソード電極11bを分離するためのも
のである。スルーホール11c1はレジストが中に入ら
ない処理、例えば、ドライフィルム処理を必要とし、ス
ルーホール11c2の方はレジスト処理後にカソード電
極11b形成時スルーホール11c2内の金メッキ処理
を施す。前記金属基板11はダイボンド及びワイヤーボ
ンドするため予め金メッキ等が施されている。
【0010】14は、ポリイミド系のスペーサーであ
る。前記金属基板11上にスペーサー14を貼付する手
段として、耐熱性と接着性に優れた図7に示す下接着シ
ート、例えば、デュポン社製の商品名「パイララックス
シート」等を使用して熱圧着する。上記したポリイミド
系のスペーサーと接着シートの総厚は略500μm(ス
ペースー400μm+接着シート100μm)程度であ
る。
【0011】次に、金属基板11にLD素子12を実装
する。LD素子12は図4(a)で示すように、P層・
N層間にある発光部12aを保護するため側面にエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる絶縁被膜がコーティ
ングされており、更に、発光を妨げないようなダイボン
ド面の上面電極12bと下面電極12cが形成されてい
る。この上面電極12bと下面電極12cは、LD素子
12の上下面の略半分を被覆しており、LD素子12を
ダイボンドするときに必要な面積だけ電極を形成し電極
材料の削減を図ったものである。上下面電極はLD素子
12の上下面の全面に形成しても良い。電極部分の面積
を増大することにより放熱性は向上するものである。上
記したLD素子12の実装精度は、レーザー励振部を中
心として画像認識を前提としたボンダーで、例えば、±
7μm以内の実装精度を確保する。ダイボンド時の接続
材料は半田系が好ましい。その後、ワイヤー15を使っ
てワイヤーボンディングを行う。
【0012】16は、鉄、アルミ系又は銅系等の金属か
らなる金属シートである。金属シート16を前記ポリイ
ミド系のスペーサー13の上面に前述した接着シート
「パイララックスシート」を用いて熱圧着する。前記金
属シート16の機能は、LD素子12及びボンディング
部の保護と同時に、外部からの圧力の加わるのを防ぐ。
金属シート16の厚さは略100μm程度である。後述
する様に、製造工程を集合体で行い分割して個品にする
が、ロボット等で容易に取り扱える様にするためのもの
である。
【0013】上記した構成により、金属基板11にLD
素子12を横向きにすることなく、従って、特殊な装置
や治具を使用する必要もなく精度良く実装することがで
きる。LD素子12に電圧を印加するとレーザー光は矢
印A方向に照射される。金属基板11と上面に配設した
金属シート16のLD素子12の実装部は光の屈折を考
慮して中空となっているが、光の特性に影響を及ぼさな
ければ低融点ガラスまたはエポキシ系、シリコン系の樹
脂等で充填しても構わないことは言うまでもない。
【0014】次に本発明の表面実装型LDの製造方法に
ついて説明する。図2及び図7において、集合基板加工
工程は、鉄、アルミ系又は銅系等の金属よりなる多数個
取りする集合基板11Aの外形は概ね100mm×10
0mm×1mm程度の集合体で構成する。後工程で個品
に分割されるが製品個数で略500個程度が確保でき
る。前記集合基板11Aは、所定の位置(分割線上)に
複数のスルーホール11c(円形)、11d(亀甲形)
を形成し、レジスト等でLD素子12のダイボンド部
(アノード電極11a)及びワイヤーボンド部(カソー
ド電極11b)を除き絶縁層13(図6)を形成する。
前記集合基板11Aはダイボンド及びワイヤーボンドす
るため予め金メッキ等が施されている。
【0015】スペーサー熱圧着工程は、図3に示す様
に、前記集合基板11AにLD素子12の実装を妨げな
い様に、所定の幅と間隔に複数の長穴14aが中抜きさ
れたボリイミド系のスペーサー集合体14Aを耐熱性及
び接着性に優れた下接着シート17、例えば、「パイラ
ラックスシート」等を貼付し熱圧着する。
【0016】LD素子実装工程は、図4に示す様に、前
記集合基板11Aのアノード電極11aにLD素子12
を半田等を使用しボンダーで特殊な装置を使用すること
なくダイボンドする。この時、実装精度は前述した様に
レーザー励振部を中心にした画像認識を前提としたボン
ダーで±7μm以内の精度を確保するものである。その
後ワイヤー15を使用してワイヤーボンディングする。
【0017】金属シートの熱圧着工程は、図5に示す様
に、前記ボリイミド系のスペーサー集合体14A上に上
接着シート18(パイララックスシート)を貼付し、上
接着シート18で鉄、アルミ系又は銅系等の金属からな
り長穴16aを設けた金属シート集合体16Aを集合基
板11Aに位置合わせして熱圧着することにより表面実
装型LD集合体が構成される。
【0018】分割工程は、前記表面実装型LD集合体を
分割ラインX、Yに沿ってワイヤーソウ又はスライシン
グマシン等の分割手段で個品に分割して図1に示す表面
実装型LD10が完成される。完成された個品は所定の
検査を経てテーピングされ出荷される。
【0019】上述した製造方法により製造された表面実
装型LD集合体は加工精度が優れ、それを分割した個品
はレーザー光が発光する方向に何ら障害物のないオープ
ンの状態である。略直方体の個品の総体公差としてミク
ロンレベルのブロックができ、ロボット等で取り扱いが
可能となる。
【0020】
【発明の効果】前述したように、本発明の構成により、
LD素子を横向きにして実装することがなく、従って、
実装に特殊な装置を必要としない。また、加工プロセス
が多数個取り可能な集合体で処理する等一括生産ができ
生産性が向上しコスト低減を図ることができる。更に、
実装精度はレーザー励振部を中心とした画像認識を前提
としたボンダーで±7μm以内の精度が確保でき、ま
た、個品がロボットで取り扱いが可能のため、例えば、
光ピックアップ用としてモニター用フォトダイオード、
受光用OEICまたはホログラムレンズ等の複合モジュ
ールにする際取り扱いの容易な部品として便利である等
小型、薄型で安価な表面実装型LDとその製造方法を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる表面実装型LDの
構造を示す透視した状態の斜視図である。
【図2】本発明の製造方法を示す集合基板に電極パター
ンを形成した状態の平面図である。
【図3】図2の集合基板に熱圧着するスペーサー集合体
の平面図である。
【図4】図4(a)はLD素子の斜視図、図4(b)は
図3の集合基板にLD素子を実装した状態の平面図であ
る。
【図5】図4のスペーサー集合体に熱圧着する金属シー
ト集合体の平面図である。
【図6】図2の斜線部Bの金属基板単品の斜視図であ
る。
【図7】本発明の製造工程を示すフローチャートであ
る。
【図8】従来のハーメチックシール型LDの概要を示す
断面図である。
【符号の説明】
10 表面実装型LD 11 金属基板 11A 集合基板 11a アノード電極 11b カソード電極 11c、11d スルーホール 12 LD素子 13 絶縁層 14 スペーサー 14A スペーサー集合体 14a、16a 長穴 15 ワイヤー 16 金属シート 16A 金属シート集合体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザーダイオード素子のアノード側電
    極とカソード側電極を形成した金属基板と、該金属基板
    上にレーザーダイオード素子の実装を妨げない様な中抜
    きしたスペーサを接着シート等の接着手段で熱圧着し、
    前記金属基板上にレーザーダイオード素子を実装し、前
    記スペーサー上に金属シートを接着シート等の接着手段
    で熱圧着したことを特徴とする表面実装型レーザーダイ
    オード。
  2. 【請求項2】 鉄、アルミ系又は銅系等の金属からなる
    多数個取りする集合基板に複数個のスルーホールを形成
    し、電極パターン形成部を除きレジスト等で絶縁層を形
    成し電極パターン形成部に金メッキを施す集合基板形成
    工程と、前記集合基板にレーザーダイオード素子実装を
    妨げない様な中抜きされたスペーサーを接着シート等の
    接着手段で熱圧着するスペーサー熱圧着工程と、前記集
    合基板のアノード電極にレーザーダイオード素子を半田
    等でダイボンドしワイヤによるワイヤボンドするレーザ
    ーダイオード素子実装工程と、前記スペーサー上に接着
    シート等の接着手段で鉄、アルミ系又は銅系等の金属か
    らなる金属シートを熱圧着する金属シートを熱圧着工程
    により表面実装型レーザーダイオード集合体を構成した
    後、該集合体をワイヤーソウ又はスライシングマシン等
    の分割手段で個品に分割する分割工程とよりなることを
    特徴とする表面実装型レーザーダイオードの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011055568A1 (ja) * 2009-11-03 2011-05-12 株式会社オートネットワーク技術研究所 光通信モジュール

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WO2011055568A1 (ja) * 2009-11-03 2011-05-12 株式会社オートネットワーク技術研究所 光通信モジュール
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