JP2000199725A - Semiconductor pressure sensor device - Google Patents

Semiconductor pressure sensor device

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JP2000199725A JP11000959A JP95999A JP2000199725A JP 2000199725 A JP2000199725 A JP 2000199725A JP 11000959 A JP11000959 A JP 11000959A JP 95999 A JP95999 A JP 95999A JP 2000199725 A JP2000199725 A JP 2000199725A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor pressure sensor device to which a fluid introduction tube body can be attached later. SOLUTION: A semiconductor pressure sensor element is attached airtightly and watertightly, so as to surround a fluid inlet hole 5, to the surface of the wall part (2a), for element fixation, of a ceramic sensor case 2 which is provided with the fluid inlet hole 5. A ring-shaped soldering land 17 to which a metal tube body, for fluid inlet, is soldered and connected is formed on the rear surface of the wall part (2a) for element fixing. The soldering land 17 is connected electrically by a connecting pattern, to an electrode 14Dc, for external connection, which constitutes a grounding electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、流体圧力を半導体圧力センサ素子により検出して電気信号として出力する半導体圧力センサ装置に関するものである。 The present invention relates to relates to a semiconductor pressure sensor device for outputting as an electric signal by detecting the fluid pressure by a semiconductor pressure sensor element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図4は、従来のこの種の半導体圧力センサ装置の縦断面図を示したものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION FIG. 4 shows a longitudinal sectional view of this type of conventional semiconductor pressure sensor device. この半導体圧力センサ装置は、流体圧力を検出するSi半導体よりなる半導体圧力センサ1と、この半導体圧力センサ1を支持する樹脂製のセンサケース2と、半導体圧力センサ1に流体圧力を導く金属製の流体導入筒体3と、半導体圧力センサ1からの出力を取り出す複数の端子金具4…とを備えた構造になっている。 The semiconductor pressure sensor device includes a semiconductor pressure sensor 1 made of Si semiconductor for detecting a fluid pressure, a sensor casing 2 made of resin for supporting the semiconductor pressure sensor 1, the metal conducting fluid pressure to the semiconductor pressure sensor 1 a fluid introduction tube body 3 has a structure having a plurality of terminal fittings 4 ... and extracting an output from the semiconductor pressure sensor 1.

【0003】半導体圧力センサ素子1は、抵抗ブリッジ回路(図示せず)が形成されたダイアフラム部1aと、 [0003] The semiconductor pressure sensor element 1 includes a diaphragm portion 1a resistance bridge circuit (not shown) is formed,
このダイアフラム部1aの周囲を支持し且つ抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極(図示せず)が形成されたダイアフラム支持部1bとが一体に形成された構造になっている。 A diaphragm supporting portion 1b in which a plurality of connection electrodes connected to the support and resistance bridge circuit around (not shown) is formed in the diaphragm portion 1a has a structure that is integrally formed.

【0004】センサケース2は、半導体圧力センサ素子1のダイアフラム部1aに圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔5を備え且つ上面に半導体圧力センサ素子1のダイアフラム支持部1bが流体導入孔5を囲むようにして固定される素子固定用壁部2aと、半導体圧力センサ素子1の周囲を囲み素子固定用壁部2aに一体化された周壁部2bとを備えた構造になっている。 [0004] sensor case 2, a semiconductor pressure sensor element 1 of the and the upper surface with a fluid inlet hole 5 for introducing the fluid to be pressure measuring diaphragm portion 1a of the semiconductor pressure sensor element 1 diaphragm support portion 1b fluid introducing an element fixing wall portion 2a which is fixed so as to surround the hole 5, has a structure that includes a semiconductor pressure sensor element wall portion 2b integral with the element fixing wall portion 2a surrounds the 1.
周壁部2b内が素子収容凹部2cとなっている。 The peripheral wall portion 2b is in the element housing recess 2c.

【0005】流体導入筒体3は、その上端にフランジ状に素子取付け座3aを備えていて、この素子取付け座3 [0005] Fluid introduced cylinder 3 is provided with a device mounting seat 3a like a flange at its upper end, the element attaching seat 3
aが素子固定用壁部2aの表面に一致し且つ流体導入孔5を囲むようにしてセンサケース2の成形時に該流体導入筒体3をインサートとして一体化されている。 a is integrated fluid introduction tube body 3 during molding of the sensor case 2 so as to surround the fluid inlet hole 5 and coincides with the surface of the element fixing wall portion 2a as an insert. 素子取付け座3a上には、半導体圧力センサ素子1がそのダイアフラム部1aの受圧面1aaを流体導入孔5に向けた状態で、そのダイアフラム支持部1bが測定すべき流体の漏れがないようにして接着等で固定されている。 On the element mounting seat 3a, while the semiconductor pressure sensor element 1 with its pressure receiving surface 1aa of the diaphragm portion 1a in the fluid inlet hole 5, as no leakage of the fluid to be measured that the diaphragm support portion 1b It is fixed by bonding or the like.

【0006】複数の端子金具4…は、センサケース2にその周壁部2bを貫通して一体に取付けられている。 [0006] a plurality of terminal fittings 4 ... are mounted integrally through the peripheral wall 2b of the sensor casing 2. この場合、各端子金具4…は、その一端の接続用電極部4 In this case, 4 ... Each terminal fitting, connecting electrode 4 of one end
aが素子収容凹部2c内に突出し、その他端の接続用電極部4bがセンサケース2の外で素子固定用壁部2aの底面より下側に導かれて該素子固定用壁部2aの底面に平行する向きに設けられている。 a to the element receiving recess 2c protrudes, the other end of the connecting electrode 4b is led below the bottom surface of the element fixing wall portion 2a outside of the sensor case 2 to the bottom surface of the element fixing wall portion 2a It is provided in the direction parallel.

【0007】ダイアフラム部1aの複数の接続用電極(図示せず)と各端子金具4…の接続用電極部4a…とはボンディングワイヤ6…により相互に接続されている。 [0007] are connected to each other by a bonding wire 6 ... and the plurality of connecting electrodes of the diaphragm portion 1a (not shown) and the respective terminal fittings 4 ... of connecting electrode 4a ....

【0008】このような半導体圧力センサ装置は、流体導入孔5に測定すべき流体が供給されて、その流体の圧力が半導体圧力センサ素子1のダイアフラム部1aに作用すると、大気圧との差によりダイアフラム部1aに物理的な歪みが生じ、この歪みに応じて該ダイアフラム部1aに設けられている抵抗ブリッジ回路の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化を出力として取出すようになっている。 [0008] Such a semiconductor pressure sensor device is supplied with the fluid to be measured in the fluid inlet hole 5, the pressure of the fluid acts on the diaphragm portion 1a of the semiconductor pressure sensor element 1, the difference between the atmospheric pressure physical distortion occurs in the diaphragm portion 1a, the resistance value of the resistance bridge circuit are provided in the diaphragm portion 1a is changed, so that the taken out as an output change of the resistance value depending on the strain.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構造の従来の半導体圧力センサ装置では、金属製の流体導入筒体3がセンサケース2の成形時に予め一体化されていたので、ユーザーの要求に応じて該流体導入筒体3の長さを変更することが困難な問題点があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the conventional semiconductor pressure sensor device having such a structure, the metal of the fluid introduction tube member 3 has been integrated beforehand during molding of the sensor casing 2, the user requests it was a difficult problem to change the length of the fluid introduction tube body 3 in accordance with the.

【0010】また、金属製の流体導入筒体3を設けると、ノイズや静電気が流体導入筒体3を通って半導体圧力センサ素子1側に侵入する可能性が高く、測定値の精度が低下したり、場合によっては半導体圧力センサ素子1が破壊されるおそれがあった。 [0010] By providing the fluid introduction tube body 3 made of metal, noise or static electricity likely to invade 1 side semiconductor pressure sensor element through the fluid introduction tube body 3, the accuracy of the measurements is reduced or, in some cases there is a risk that the semiconductor pressure sensor device 1 is destroyed.

【0011】本発明の目的は、流体導入筒体を後から取付けることができる半導体圧力センサ装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor device that can be retrofitted to the fluid introduction tube body.

【0012】本発明の他の目的は、金属製の流体導入筒体からノイズや静電気が入らないようにすることができる半導体圧力センサ装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor device that can keep out noise and static electricity from the metallic fluid introduction cylinder.

【0013】本発明の他の目的は、ケース側接続用電極と外部接続用電極とを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を容易に行える半導体圧力センサ装置を提供することにある。 Another object of the present invention provides a semiconductor pressure sensor device can be easily electrical connection between both the electrodes in the case of forming a casing side connection electrode and the external connection electrodes to the staggered position It lies in the fact.

【0014】 [0014]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子と、セラミック製のセンサケースと、複数のケース側接続用電極と、複数の外部接続用電極とを具備している。 The semiconductor pressure sensor device according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION may, comprising: a semiconductor pressure sensor element, a ceramic sensor case, a plurality of case for side connecting electrode, and a plurality of external connection electrodes doing. 半導体圧力センサ素子は、抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部と、該ダイアフラム部の周囲を支持し且つ抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極が形成されたダイアフラム支持部とが一体に形成された構造になっている。 Semiconductor pressure sensor element forming a diaphragm for the resistance bridge circuit is formed, to a diaphragm supporting portion in which a plurality of connecting electrodes are formed, which are connected to the support and resistance bridge circuit around the diaphragm portion is integrally It has become the structure.
セラミック製のセンサケースは、半導体圧力センサ素子のダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔を備え且つ上面に半導体圧力センサ素子のダイアフラム支持部が流体導入孔を囲むようにして固定される素子固定用壁部及び半導体圧力センサ素子の周囲を囲む周壁部を備えた構造になっている。 Sensor case made of ceramic, fixed diaphragm supporting portion of the semiconductor pressure sensor element and the upper surface with a fluid inlet hole for introducing the fluid to be pressure measurement diaphragm of the semiconductor pressure sensor element so as to surround the fluid inlet hole It has a structure which includes a peripheral wall portion surrounding the element fixing wall portion and the semiconductor pressure sensor element is. センサケースに設けられた複数のケース側接続用電極は、半導体圧力センサ素子に設けられた複数の接続用電極にワイヤボンディングを介して接続されている。 A plurality of case-side connecting electrodes provided on the sensor casing is connected via wire bonding to a plurality of connecting electrodes provided in the semiconductor pressure sensor element. 複数の外部接続用電極は、センサケースに設けられたケース側接続用電極部と電気的に接続されている。 A plurality of external connection electrodes is connected case side and electrically connecting the electrode portion provided on the sensor case. 素子固定用壁部の下面には、流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた金属製の流体導入用筒体が半田付け接続される環状の半田付けランドが形成されている。 On the lower surface of the element fixing wall portions, the soldering lands of the annular fluid inlet hole and communicating with the fluid introduction path metallic fluid introduction accommodating cylinder having therein a are connected soldering are formed. 半田付けランドは、複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続されている。 Soldering land is electrically connected to the ground electrode of the plurality of external connection electrodes. この半田付けランドには、任意の長さの流体導入用筒体が半田付け接続できる。 The soldering lands fluid introduction accommodating cylinder of any length can connect soldering. そのため製造時あるいはユーザーが使用する時点等の、いずれかの時点において任意の長さの流体導入用筒体を半田付けで接続することができる。 Therefore it is possible to connect at the time such as during manufacturing or users use, any length fluid introduction accommodating cylinder in at any time by soldering.

【0015】このようにセンサケースの素子固定用壁部の下面に、流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた金属製の流体導入用筒体が半田付け接続される環状の半田付けランドを設けておくと、後から任意の長さの流体導入用筒体を半田付けで接続できるので、汎用性が高くなる。 [0015] the lower surface of the element fixing wall portion of the thus sensor case, soldering annular fluid inlet hole and communicating with the fluid introduction path metallic fluid introduction accommodating cylinder having therein a is connected soldered it is preferable to form a land, since the fluid introduction tube of any length can be connected by soldering later, versatility is increased. また、半田付けランドを複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続すると、この半田付けランドに電気的に接続された金属製の流体導入用筒体からノイズや静電気が入っても、これらはアース側に逃がされるので、測定精度が低下したり、半導体圧力センサ素子が破壊されるのを防止することができる。 Moreover, when electrically connected to the ground electrode of the plurality of external connection electrodes soldering lands, contain noise or static to the soldering lands from electrically connected to a metallic fluid introduction tube body also, because these are being released to the ground side, or reduces the measuring accuracy, the semiconductor pressure sensor element can be prevented from being destroyed.

【0016】上記の如き半導体圧力センサ装置にあっては、下記の構成とすることが好ましい。 [0016] In the above-described semiconductor pressure sensor device, it is preferable that the following configuration. 即ち、センサケースは、素子固定用壁部を含む第1のケース構成部分と、該第1のケース構成部分の上面に下面が接合されて周壁部の一部を構成する環状の第2のケース構成部分と、該第2のケース構成部分の上面に下面が接合されて周壁部の残部を構成し且つ内側に第2のケース構成部分の上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第3のケース構成部分とから構成されている。 That is, the sensor case, the first case component and the second case an annular lower surface to the upper surface of the case structure the first portion constitutes a part of a joined circumferential wall comprising an element for fixing the wall section and component, a part of the upper surface of the second case component is formed so as to expose the annular lower surface is joined to form the balance of the peripheral wall portion and the inner side on the upper surface of the case component of the second and a third case structure portion of the annular. 第3のケース構成部分の内側に露出する第2のケース構成部分の上面の部分には、複数のケース側接続用電極が形成されている。 On the upper surface portion of the second casing component which is exposed to the inside of the third case components, a plurality of case-side connecting electrodes are formed. 第3のケース構成部分の下に位置する第2のケース構成部分の上面の部分には、それぞれ複数のケース側接続用電極に接続されてセンサケースの周壁部の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンが形成されている。 Third on the upper surface portion of the second casing component located under the casing components, a plurality of conductive and extending to the outer peripheral surface of the peripheral wall portion of each connected to a plurality of case for side connecting electrode sensor casing lead pattern is formed. 第1のケース構成部分の下面及び第3のケース構成部分の上面には、複数の導電性引出パターンと複数の外部接続用電極とをそれぞれ接続する複数の接続用導電パターンが形成されている。 On the upper surface of the lower surface and the third case the components of the first casing component, a plurality of connection conductive patterns for connecting the plurality of conductive lead patterns and a plurality of the external connection electrodes are formed. このような構成にすると、 With such a structure,
ケース側接続用電極と外部接続用電極とを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を確実に行うことができる。 The electrical connection between both the electrodes in the case of forming a casing side connection electrode and the external connection electrodes to the staggered position can be reliably performed. また、ケースの上下に外部接続用電極を設けると、上下逆でも使用できるので使い勝手が向上する。 Further, when providing the external connection electrodes on the top and bottom of the case, also usability is improved because it can be used upside down.

【0017】さらに本発明の半導体圧力センサ装置にあっては、複数のケース側接続用電極、複数の外部接続用電極、複数の接続用導電パターン及び前記半田付けランドは、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、該下地層の上に形成されたNiメッキ層と、該Niメッキ層の上に形成されたA Furthermore in the semiconductor pressure sensor device of the present invention, a plurality of case-side connecting electrodes, a plurality of external connection electrodes, a plurality of connecting conductive patterns and the soldering lands is formed by vapor deposition or sputtering an underlayer made of tungsten, a Ni plated layer formed on the underlayer, a formed on the Ni plating layer
g,Agの合金またはAuのメッキ層とから構成されていることが好ましい。 g, it is preferably composed of a plating layer of an alloy or Au of Ag. センサケースを構成しているセラミックの表面には導電性のよいメッキを直接形成しにくいため、セラミックとなじみがよいタングステンをスパッタリング等により設けて下地層としているのである。 Since the ceramic surface constituting the sensor case difficult to directly form a good plating conductivity, with each other to the underlying layer of ceramic and familiar good tungsten provided by sputtering or the like.
そしてNiメッキ層はタングステン下地層との接合強度が強く、このNiメッキ層にはAg,Agの合金またはAuのメッキ層を所要の接合強度をもって容易に形成することができる。 The Ni plated layer has a strong bonding strength between the tungsten underlayer, this Ni plating layer can be easily formed with Ag, the required bonding strength plating layer of an alloy or Au of Ag. したがってセラミックの表面に導電性のよいメッキ層からなる電極及び導電パターンを確実に設けることができる。 Accordingly ceramic electrode and the conductive pattern made of a conductive good plating layer on the surface can be reliably provided.

【0018】 [0018]

【発明の実施の形態】図1〜図3は本発明に係る半導体圧力センサ装置における実施の形態の一例を示したもので、図1(A)は本例の半導体圧力センサ装置の平面図、図1(B)は本例の半導体圧力センサ装置の縦断端面図、図2は本例の半導体圧力センサ装置の底面図、図3は本例の半導体圧力センサ装置の半導体圧力センサ素子上に形成されている抵抗ブリッジ回路等の電気的構成図である。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Figures 1-3 show an example embodiment of the semiconductor pressure sensor device according to the present invention, FIG. 1 (A) is a plan view of a semiconductor pressure sensor device of this embodiment, FIG. 1 (B) longitudinal end view of a semiconductor pressure sensor device of this embodiment, FIG. 2 is a bottom view of a semiconductor pressure sensor device of this embodiment, FIG. 3 is formed on the semiconductor pressure sensor element of the semiconductor pressure sensor device of this embodiment it is an electrical block diagram of such a resistance bridge circuit being.

【0019】本例の半導体圧力センサ装置は、流体圧力を検出するSi半導体よりなる半導体圧力センサ1と、 The semiconductor pressure sensor device of this embodiment includes a semiconductor pressure sensor 1 made of Si semiconductor for detecting a fluid pressure,
この半導体圧力センサ1を支持するセラミック製のセンサケース2と金属製の流体導入用筒体19とを備えた構造になっている。 It has a structure that includes a sensor casing 2 made of metal fluid introduction accommodating cylinder 19 made of ceramic for supporting the semiconductor pressure sensor 1.

【0020】半導体圧力センサ素子1は、図3に示すような抵抗r1,r2,r3,r4からなる抵抗ブリッジ回路7 The semiconductor pressure sensor element 1, resistor bridge circuit 7 comprising resistors r1, r2, r3, r4, as shown in FIG. 3
と、抵抗R4 のみからなる抵抗回路とが形成されたダイアフラム部1aと、このダイアフラム部1aの周囲を支持し且つ抵抗ブリッジ回路7に接続された複数の接続用電極8a〜8f等が形成されたダイアフラム支持部1b When the diaphragm portion 1a and the resistor circuit comprising only resistors R4 are formed, a plurality of connecting electrodes 8a~8f or the like connected to surrounding support and resistance bridge circuit 7 of the diaphragm portion 1a is formed the diaphragm support portion 1b
とが一体に形成されたSi半導体基板から構成されている。 Bets are composed Si semiconductor substrate formed integrally. 抵抗ブリッジ回路7の抵抗r1,r4は端子部7bに接続され、抵抗r4,r3は端子部7cに接続され、抵抗r3, Resistance r1, r4 of the resistance bridge circuit 7 is connected to a terminal portion 7b, resistance r4, r3 is connected to the terminal portions 7c, resistors r3,
r2は端子部7dに接続され、抵抗r2,r1は端子部7eに接続されている。 r2 is connected to the terminal portion 7d, the resistor r2, r1 is connected to the terminal portion 7e. 抵抗R4 の両端は、端子部7a,7f Both ends of the resistor R4, the terminal portions 7a, 7f
に接続されている。 It is connected to the. これら端子部7a〜7fは、対応する接続用電極8a〜8fに接続されている。 These terminal portions 7a~7f is connected to the corresponding connection electrode 8 a to 8 f. このような抵抗ブリッジ回路7等が形成されているダイアフラム部1aの表面は、保護用の絶縁樹脂層1cで覆われている。 Surface of the diaphragm portion 1a such resistance bridge circuit 7 and the like are formed is covered with an insulating resin layer 1c for protection.

【0021】センサケース2は、半導体圧力センサ素子1のダイアフラム部1aに圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔5を備え且つ上面に半導体圧力センサ素子1のダイアフラム支持部1bが流体導入孔5を囲むようにして固定される素子固定用壁部2aと、半導体圧力センサ素子1の周囲を囲み素子固定用壁部2aに一体化された周壁部2bとを備えた構造になっている。 The sensor case 2, a semiconductor pressure sensor element 1 of the and the upper surface with a fluid inlet hole 5 for introducing the fluid to be pressure measuring diaphragm portion 1a of the semiconductor pressure sensor element 1 diaphragm support portion 1b fluid introducing an element fixing wall portion 2a which is fixed so as to surround the hole 5, has a structure that includes a semiconductor pressure sensor element wall portion 2b integral with the element fixing wall portion 2a surrounds the 1.
周壁部2b内は、素子収容凹部2cとなっている。 The peripheral wall 2b has a device housing recess 2c. センサケース2の周壁部2bの輪郭形状は、4つの角部を有するほぼ矩形形状を呈している。 Contour of the peripheral wall 2b of the sensor casing 2, and has a generally rectangular shape with four corners. 半導体圧力センサ素子1のダイアフラム支持部1bの素子固定用壁部2aに対する固定は、両者の熱膨張係数に差があっても剥離しないように、硬化しても撓み性のあるゲル状の接着剤により行われている。 Fixed with respect to the semiconductor pressure sensor element 1 of the device for fixing the wall section 2a of the diaphragm support portion 1b so as not to peel even if there is a difference in thermal expansion coefficient therebetween, the cured gel adhesive that is also a flexible and It has been made by.

【0022】このようなセンサケース2は、素子固定用壁部2aを含む第1のケース構成部分9と、該第1のケース構成部分9の上面に下面が接合されて周壁部2bの一部を構成する環状の第2のケース構成部分10と、該第2のケース構成部分10の上面に下面が接合されて周壁部2bの残部を構成し且つ内側に第2のケース構成部分10の上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第3のケース構成部分11とにより構成されている。 [0022] Such sensor casing 2, a portion of the first and casing components 9, the lower surface is joined to the upper surface of the first casing component 9 peripheral wall 2b including an element fixing wall portion 2a constituting the second case component 10 of the annular upper surface of the second case component 10 bottom surface is joined to form the balance of the peripheral wall 2b and inside the upper surface of the second case component 10 It is constituted by a part the third case component 11 of the annular is formed to expose the annular. これらのケース構成部分9〜11は、焼成前のグリーンボディの状態で重ね合わされて同時に焼成されて一体化されている。 These cases components 9-11 are integrated by firing simultaneously superposed state before firing of the green body.

【0023】センサケース2には、半導体圧力センサ素子1に設けられている複数の接続用電極8a〜8fのうちの所要の接続用電極にボンディングワイヤ6a〜6f [0023] The sensor case 2, the bonding wires 6a~6f the required connecting electrodes of a plurality of connecting electrodes 8a~8f provided in the semiconductor pressure sensor element 1
により接続された複数のケース側接続用電極12a〜1 Multiple cases for side connecting electrode connected by 12a~1
2fが形成されている。 2f are formed. ケース側接続用電極12a〜1 Case side connecting electrode 12a~1
2fは、後に詳しく説明する外部接続用電極14Da〜 2f is an external connection electrode 14Da~ described in detail later
14Df,14Ua〜14Ufと同様にタングステン下地層とNiメッキ層とAuメッキ層とから構成されている。 14Df, and a tungsten underlayer and the Ni plating layer and the Au plating layer as with 14Ua~14Uf. これらケース側接続用電極12a〜12fは、第3 These case-side connecting electrodes 12a~12f a third
のケース構成部分11の内側に露出する第2のケース構成部分10の上面の部分に形成されている。 It is formed in the second upper surface portion of the casing components 10 exposed to the inside of the case component 11. 第3のケース構成部分11の下に位置する第2のケース構成部分1 Second case components located below the third casing component 11 1
0の上面の部分には、それぞれ複数のケース側接続用電極12a〜12fに接続されてセンサケース2の周壁部2bの外周面まで延びる複数の導電性引出パターン13 On the upper surface portion of 0, a plurality of conductive lead pattern 13 extending respectively connected to the plurality of case-side connecting electrodes 12a~12f and to the outer surface of the peripheral wall portion 2b of the sensor casing 2
a〜13fが形成されている。 a~13f is formed. これら複数の導電性引出パターン13a〜13fは、ケース側接続用電極12a The plurality of conductive lead patterns 13a~13f the electrode 12a for the case-side connection
〜12fを構成するタングステン下地層が延長されて構成されている。 Tungsten underlayer constituting the ~12f are configured by extended.

【0024】また第1のケース構成部分9の下面及び第3のケース構成部分11の上面には、複数の導電性引出パターン13a〜13fとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極14Da〜14Dfと複数の外部接続用電極14Ua〜14Ufとがそれぞれ形成されている。 [0024] The lower and upper surfaces of the third case component 11 of the first casing component 9, a plurality of external connection electrodes 14Da~14Df a plurality of connecting each and a plurality of conductive lead patterns 13a~13f the external connection electrodes 14Ua~14Uf of are formed. またセンサケース2の周壁部2bの外周面には、第1ないし第3のケース構成部分9〜11が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ積層方向と直交し且つ外周面から離れる方向に開口する複数の溝部1 Also on the outer peripheral surface of the peripheral wall 2b of the sensor casing 2 and orthogonal to the first to third casing component 9 to 11 extend toward the stacking direction of stacked open to both sides in the laminating direction and the stacking direction a plurality of grooves which opens in a direction away from the outer peripheral surface 1
5a〜15fが形成されている。 5a~15f is formed. 特に、溝部15a,1 In particular, the groove 15a, 1
5c,15d,15fは、センサケース2のほぼ矩形形状をなす周壁部2bの4つの角部にそれぞれ形成されている。 5c, 15d, 15f are formed respectively on the four corners of the peripheral wall 2b forming the substantially rectangular shape of the sensor casing 2. 前述の通り、複数の導電性引出パターン13a〜 As described above, a plurality of conductive lead patterns 13a~
13fの外側端部は、それぞれ対応する複数の溝部15 The outer end of 13f has a plurality of grooves 15 which correspond respectively
a〜15f内に露出している。 Exposed in the a~15f.

【0025】複数の外部接続用電極14Da〜14D [0025] a plurality of external connection electrode 14Da~14D
f,14Ua〜14Ufのうち、第1のケース構成部分9の下面に形成される第1グループに属する複数の外部接続用電極14Da〜14Dfと、第3のケース構成部分11の上面に形成される第2グループに属する複数の外部接続用電極14Ua〜14Ufは、それぞれ複数の溝部15a〜15fの積層方向両側の開口部に隣接して形成されている。 f, of the 14Ua~14Uf, is formed with a plurality of external connection electrodes 14Da~14Df belonging to the first group being formed on the lower surface of the first case component 9, on the upper surface of the third casing component 11 a plurality of external connection electrodes 14Ua~14Uf belonging to the second group are respectively formed adjacent to the opening of the both sides in the laminating direction of the plurality of grooves 15a to 15f. これらの溝部15a〜15f内で、これら溝部の内部に露出する導電性引出パターン13a〜 Within these grooves 15a to 15f, the conductive lead patterns 13a~ exposed inside these grooves
13fの外側端部と、これら溝部の積層方向両側に位置する対になった複数の外部接続用電極14Da〜14D An outer end portion of 13f, a plurality of external connection electrodes 14Da~14D paired located on both sides in the laminating direction of the groove
f,14Ua〜14Ufとは、これら溝部内に沿って設けられた複数の接続用導電パターン16a〜16fにより電気的に接続されている。 f, A 14Ua~14Uf, are electrically connected by a plurality of connection conductive patterns 16a~16f provided along these groove.

【0026】素子固定用壁部2aを構成している第1のケース構成部分9の下面には、流体導入孔5を囲むように環状の半田付けランド17が形成されている。 [0026] The lower surface of the first casing component 9 constituting the device for fixing the wall section 2a, annular soldering land 17 so as to surround the fluid inlet hole 5 are formed. この半田付けランド17は、複数の外部接続用電極14Da〜 The soldering land 17, a plurality of external connection electrodes 14Da~
14Dfの中のアース電極となる外部接続用電極14D A ground electrode in the 14Df external connection electrode 14D
cに接続パターン18を介して電気的に接続されている。 It is electrically connected via the connection pattern 18 to c. そしてこの半田付けランド17には、半導体圧力センサ素子1のダイアフラム部1aに圧力測定の対象となる流体を流体導入孔5を経て導くための金属製の流体導入用筒体19が半田20により接続されている。 And this soldering land 17, connected by a semiconductor pressure sensor device 1 of the diaphragm portion 1a metallic fluid introduction accommodating cylinder 19 is solder 20 for guiding the fluid to be pressure measurement through the fluid inlet hole 5 in It is. なお、 It should be noted that,
半田付けランド17に対する流体導入用筒体19の半田20付け接続は、製造段階で行ってよいが、ユーザーが使用するとに行ってもよい。 Solder 20 with connection of the fluid introduction tube body 19 with respect to the soldering lands 17, may be performed at the manufacturing stage may be carried out as when the user uses.

【0027】複数のケース側接続用電極12a〜12 [0027] for a plurality of the case-side connection electrode 12a~12
f、複数の外部接続用電極14Da〜14Df,14U f, a plurality of external connection electrodes 14Da~14Df, 14U
a〜14Uf、複数の接続用導電パターン16a〜16 A~14Uf, conductive patterns for multiple connections 16a~16
f及び半田付けランド17は、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、これら下地層の上に形成されたNiメッキ層と、これらN f and soldering land 17, an underlying layer made of tungsten which is formed by vapor deposition or sputtering, and the Ni plating layer formed on these underlying layers, these N
iメッキ層の上に形成されたAg,Agの合金またはA Ag formed on the i-plated layer, Ag alloys or A
uのメッキ層とから構成されている。 It is composed of a plating layer of u.

【0028】このようにセンサケース2の素子固定用壁部2aの下面に、流体導入孔5と連通する流体導入路1 [0028] the lower surface of the thus element fixing wall portion 2a of the sensor casing 2, the fluid introduction path 1 which communicates with the fluid inlet hole 5
9aを内部に備えた金属製の流体導入用筒体19が半田付け接続される環状の半田付けランド17を設けておくと、後から任意の長さの流体導入用筒体19を半田20 When metallic fluid introduction accommodating cylinder 19 having a 9a therein preferably provided a soldering lands 17 of annular connected soldered, the fluid introduction accommodating cylinder 19 of any length solder later 20
付けで接続できるので、汎用性が高くなる。 Can be connected by attaching, versatility is increased. また、半田付けランド20を複数の外部接続用電極14Da〜14 Further, a plurality of soldering lands 20 for external connection electrode 14Da~14
Dfの中のアース電極を構成する外部接続用電極14D External connection electrode 14D that constitutes the ground electrode in the Df
cに接続パターン18により電気的に接続すると、この半田付けランド17に電気的に接続された金属製の流体導入用筒体19からノイズや静電気が入っても、これらは半田付けランド17からアース側に逃がされるので、 When electrically connected by the connection to c pattern 18, also electrically contain noise or static electricity from the connected metallic fluid introduction accommodating cylinder 19 to the soldering lands 17, which are grounded from the soldering lands 17 since the released to the side,
これらによって測定精度が低下したり、半導体圧力センサ素子1が破壊されるのを防止することができる。 These by lowered measurement accuracy, the semiconductor pressure sensor element 1 can be prevented from being destroyed.

【0029】また、第1のケース構成部分9の下面及び第3のケース構成部分11の上面に、複数の導電性引出パターン13a〜13fとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極14Da〜14Df,14Ua〜14Ufを形成すると、センサケース2の面上に電極が存在するため小型化され、実装面積を広く必要としない面実装型の半導体圧力センサ装置を得ることができる。 Further, the first on the lower surface and the upper surface of the third case component 11 of the casing component 9, a plurality of conductive lead patterns 13a~13f and connecting a plurality of external connection electrodes 14Da~14Df, 14Ua When forming the ~14Uf, is miniaturized since the electrode is present on the surface of the sensor casing 2, it is possible to obtain a surface-mounting type semiconductor pressure sensor device which does not require a large mounting area. また、各電極14Da〜14Df,14Ua〜14Ufはセンサケース2の面上に設けられているので、印刷技術等で一括してして形成することができて、各電極の形成もを容易に行うことができる。 Each electrode 14Da~14Df, since 14Ua~14Uf is provided on the surface of the sensor casing 2, and can be formed by collectively a printing technique or the like, easily perform the formation of the electrodes be able to. また、外部接続用電極14Da〜 Also, external connection electrodes 14Da~
14Df,14Ua〜14Ufは第1のケース構成部分9の下面と第3のケース構成部分11の上面とに設けているので、用途に応じてセンサケース2の上下を逆にしても実装することができる。 14Df, 14Ua~14Uf is be implemented even if the upper and lower sensor case 2 in the reverse, depending on the lower surface and so is provided on the upper surface of the third case component 11, the application of the first casing component 9 it can.

【0030】さらに、第1のケース構成部分9の下面と第3のケース構成部分11の上面の各外部接続用電極1 Furthermore, the external connection electrodes on the lower surface and the upper surface of the third case component 11 of the first casing component 9 1
4Da〜14Df,14Ua〜14Ufと、第3のケース構成部分11の内側に露出する第2のケース構成部分10の上面の部分に形成されているケース側接続用電極12a〜12fとの接続は、第3のケース構成部分11 4Da~14Df, and 14Ua~14Uf, connected between the third casing component 11 of the second case component 10 of the upper surface of the portion formed by being case-side connecting electrodes 12a~12f exposed to inside, third case component 11
の下に位置する第2のケース構成部分10の上面の部分でセンサケース2の周壁部2bの外周面まで延びる複数の導電性引出パターン13a〜13fと、センサケース2の側面に設けられた複数の接続用導電パターン16a Multiple provided in the second plurality of conductive lead patterns 13a~13f extending to the outer peripheral surface of the peripheral wall portion 2b of the sensor casing 2 at the portion of the upper surface of the case component 10, the side surface of the sensor case 2 located under the conductive pattern 16a for connection
〜16fとにより行っているので、ケース側接続用電極12a〜12fと外部接続用電極14Da〜14Df, Since performed by the ~16F, for case-side connecting electrode 12a~12f and the external connection electrodes 14Da~14Df,
14Ua〜14Ufとが段違いの位置に形成されていても、両方の電極間の電気的接続を容易に行うことができる。 Even a 14Ua~14Uf has been formed on the uneven positions, the electrical connection between both the electrodes can be easily performed.

【0031】特に、センサケース2の周壁部2bの外周面に、第1ないし第3のケース構成部分9〜11が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ積層方向と直交し且つ外周面から離れる方向に開口する複数の溝部15a〜15fを形成し、複数の導電性引出パターン13a〜13fの外側端部をそれぞれ対応する複数の溝部15a〜15f内に露出させ、複数の外部接続用電極14Da〜14Df,14Ua〜14Uf [0031] In particular, the outer peripheral surface of the peripheral wall 2b of the sensor casing 2, and open and the stacking direction in the stacking direction on both sides extending toward the stacking direction in which the first to third casing components 9-11 are laminated the orthogonal and a plurality of grooves 15a to 15f which opens in a direction away from the outer peripheral surface is formed to expose the outer ends of the plurality of conductive lead patterns 13a~13f to the corresponding the plurality of grooves 15a to 15f, a plurality external connection electrodes 14Da~14Df, 14Ua~14Uf
のうち、第1のケース構成部分9の下面に形成される第1グループに属する複数の外部接続用電極14Da〜1 Among the first plurality of external connection electrodes belonging to the first group is formed on the lower surface of the casing component 9 14Da~1
4Dfと、第3のケース構成部分11の上面に形成される第2グループに属する複数の外部接続用電極14Ua 4Df and, a third plurality of external connection electrodes belonging to the second group to be formed on the upper surface of the case component 11 14Ua
〜14Ufを、それぞれ複数の溝部15a〜15fの積層方向両側の開口部に隣接して形成し、複数の溝部15 The ~14Uf, respectively formed adjacent to the opening of the both sides in the laminating direction of the plurality of grooves 15a to 15f, a plurality of grooves 15
a〜15f内にはこれら溝部の内部に露出する導電性引出パターン13a〜13fの外側端部と該溝部の積層方向両側に位置する対の外部接続用電極14Da〜14D Conductive lead pattern 13a~13f outer end and the groove portion of the both sides in the laminating direction is located on the pair of external connection electrodes 14Da~14D is in a~15f exposed inside these grooves
f,14Ua〜14Ufとを電気的に接続する複数の接続用導電パターン16a〜16fを形成すると、ケース側接続用電極12a〜12fと外部接続用電極14Da f, to form a plurality of connection conductive patterns 16a~16f for electrically connecting the 14Ua~14Uf, electrode case-side connection 12a~12f and the external connection electrodes 14Da
〜14Df,14Ua〜14Ufとを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を確実に行うことができる。 ~14Df, it is possible to reliably perform the electrical connection between the both in the case of forming the position of the stepped and 14Ua~14Uf electrode.

【0032】また、センサケース2の周壁部2bの輪郭形状を、4つの角部を有するほぼ矩形形状とし、センサケース2の周壁部2bの複数の溝部15a〜15fのうち4つの溝部15a,15c,15d,16fを周壁部2bの4つの角部にそれぞれ形成すると、センサケース2がセラミック製で、該セラミックの角部は欠け易くても、各角部に溝部15a,15c,15d,16fを形成することにより欠けを防止することができる。 Further, the contour of the peripheral wall 2b of the sensor casing 2, four corner portions is substantially rectangular in shape having four grooves 15a of the plurality of grooves 15a~15f of the peripheral wall 2b of the sensor casing 2, 15c , 15d, when the respectively formed on the four corners of the peripheral wall 2b 16f, the sensor casing 2 is made of ceramics, even if the corner portion of the ceramic easily chipped, the groove 15a at each corner, 15c, 15d, a 16f it is possible to prevent chipping by forming. 電気的接続の用途にこれらの角部15a,15c,15d,1 Use in these corners 15a of the electrical connection, 15c, 15d, 1
6fの溝を利用することにより、外部接続用電極の数が多くなった場合でも、隣接する溝部間の距離を離すことができて、半田による短絡を防止できる。 By utilizing a groove 6f, even when the increasingly number of external connection electrodes, it is possible to increase the distance between the grooves adjacent, it can prevent a short circuit caused by solder.

【0033】さらに、複数のケース側接続用電極12a Furthermore, the electrodes 12a for a plurality of the case-side connection
〜12f、複数の外部接続用電極14Da〜14Df, ~12F, a plurality of external connection electrodes 14Da~14Df,
14Ua〜14Uf及び複数の接続用導電パターン16 14Ua~14Uf and a plurality of connecting conductive patterns 16
a〜16fを、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、該下地層の上に形成されたNiメッキ層と、該Niメッキ層の上に形成されたAg,Agの合金またはAuのメッキ層とから構成すると、センサケース2を構成しているセラミックの表面に導電性のよいメッキを直接形成できなくても、タングステンはセラミックにとなじみがよくてスパッタリングにより容易に設けることができ、Niメッキ層はタングステン下地層との接合強度が強く、このNiメッキ層にはAg,Agの合金またはAuのメッキ層を所要の接合強度をもつて容易に形成することができ、したがってセラミックの表面に導電性のよいメッキ層を設けることができる。 The A~16f, an underlying layer made of tungsten which is formed by vapor deposition or sputtering, and the Ni plating layer formed on the underlying layer, Ag formed on the Ni plating layer, an alloy of Ag or Au of the consist and the plating layer, even without direct form good plated conductivity on the surface of the ceramic constituting the sensor case 2, tungsten can be easily provided by sputtering is well familiar with the ceramic , Ni plating layer has a strong bonding strength between the tungsten underlayer, Ag in the Ni plating layer, and having a required bonding strength plating layer of an alloy or Au of Ag can easily be formed, thus ceramic it can be provided a good plating layer conductivity to the surface.

【0034】 [0034]

【発明の効果】本発明に係る半導体圧力センサ装置おいては、センサケースの素子固定用壁部の下面に、流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた金属製の流体導入用筒体が半田付け接続される環状の半田付けランドを設けているので、後から任意の長さの流体導入用筒体を半田付けで接続でき、汎用性が高くなる。 The Keep semiconductor pressure sensor device according to the present invention, the lower surface of the element fixing wall portion of the sensor case, the fluid introduction hole communicating with fluid introduction path metallic fluid introduction tube provided inside the since the body is provided with a soldering land of annular connected soldered, the fluid introduction tube of any length can be connected by soldering later, versatility is increased. また、半田付けランドを複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続しているので、この半田付けランドに電気的に接続される金属製の流体導入用筒体からノイズや静電気が内部にることなくなる。 Further, since the electrically connected to the ground electrode of the plurality of external connection electrodes soldering land, noise and static electricity from the soldering metal fluid introduction accommodating cylinder which is electrically connected to the land but no longer can cook inside. その本発明によれば、ノイズや静電気はアース側に逃がされることになり、測定精度が低下したり、半導体圧力センサ素子が破壊されるのを防止することができる。 According to that invention, noise or static electricity will be released to the ground side, the measurement accuracy can be prevented or reduced, that the semiconductor pressure sensor element is destroyed.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】(A)は本発明に係る半導体圧力センサ装置における実施の形態の一例を示す平面図、(B)は本例の半導体圧力センサ装置の縦断端面図である。 1 (A) is a plan view showing an example of an embodiment of a semiconductor pressure sensor device according to the present invention, (B) is a longitudinal end view of a semiconductor pressure sensor device of the present embodiment.

【図2】本例の半導体圧力センサ装置の底面図である。 2 is a bottom view of a semiconductor pressure sensor device of the present embodiment.

【図3】本例の半導体圧力センサ装置の半導体圧力センサ素子上に形成されている抵抗ブリッジ回路等の電気的構成図である。 Figure 3 is an electrical block diagram of such a resistance bridge circuit formed on the semiconductor pressure sensor element of the semiconductor pressure sensor device of the present embodiment.

【図4】従来の半導体圧力センサ装置の縦断端面図である。 4 is a longitudinal end view of a conventional semiconductor pressure sensor device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 半導体圧力センサ 1a ダイアフラム部 1aa 受圧面 1b ダイアフラム支持部 1c 樹脂層 2 センサケース 2a 素子固定用壁部 2b 周壁部 2c 素子収容凹部 3 流体導入筒体 3a 素子取付け座 4 端子金具 4a,4b 接続用電極部 5 流体導入孔 6,6a〜6f ボンディングワイヤ 7 抵抗ブリッジ回路 7a〜7f 端子部 8a〜8f 接続用電極 9 第1のケース構成部分 10 第2のケース構成部分 11 第3のケース構成部分 12a〜12f ケース側接続用電極 13a〜13f 導電性引出パターン 14Da〜14Df,14Ua〜14Uf 外部接続用電極 15a〜15f 溝部 16a〜16f 接続用導電パターン 17 半田付けランド 18 接続パターン 19 流体導入用筒体 20 半田 1 semiconductor pressure sensor 1a diaphragm 1aa pressure receiving surface 1b diaphragm supporting portion 1c resin layer 2 sensor case 2a element fixing wall portion 2b peripheral wall 2c element accommodating recess 3 fluid introduction tube body 3a element mounting seat 4 terminal fittings 4a, for 4b connected electrode portion 5 fluid inlet hole 6,6a~6f bonding wires 7 resistance bridge circuit 7a~7f terminal portion 8a~8f connection electrode 9 first case component 10 and the second case component 11 third case components 12a ~12f case side connecting electrode 13a~13f conductive lead pattern 14Da~14Df, 14Ua~14Uf external connection electrode 15a~15f groove 16a~16f connecting conductive patterns 17 soldering lands 18 connected pattern 19 fluid introduction accommodating cylinder 20 solder

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部と前記ダイアフラム部の周囲を支持し且つ前記抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極が形成されたダイアフラム支持部とが一体に形成されてなる半導体圧力センサ素子と、 前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔を備え且つ上面に前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム支持部が前記流体導入孔を囲むようにして固定される素子固定用壁部及び前記半導体圧力センサ素子の周囲を囲む周壁部を備えたセラミック製のセンサケースと、 前記センサケースに設けられ前記複数の接続用電極にワイヤボンディングにより接続される複数のケース側接続用電極と、 前記センサケースに設けられ前記ケース側接 And 1. A resistor bridge circuit supporting the periphery of the diaphragm and the diaphragm portion is formed and the resistance bridge circuit a plurality of connection electrodes connected to the formed diaphragms support portion is formed integrally the semiconductor pressure sensor element, wherein the semiconductor pressure the diaphragm supporting portion the fluid of the semiconductor pressure sensor element and the upper surface with a fluid inlet hole for guiding the diaphragm of the sensor element a fluid to be pressure measurements made Te and ceramic sensor case having a peripheral wall portion surrounding the element fixing wall portion and the semiconductor pressure sensor element which is fixed so as to surround the introduction hole, wire bonded to the plurality of connection electrodes provided on the sensor casing a plurality of cases for side connecting electrode connected by said case side contact provided in the sensor case 続用電極部と電気的に接続された複数の外部接続用電極とを具備し、 前記素子固定用壁部の下面には、前記流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた金属製の流体導入用筒体が半田付け接続される環状の半田付けランドが形成されており、 前記半田付けランドが前記複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。 And a plurality of external connection electrodes that are electrically connected to the connection electrode section on the lower surface of the element fixing wall portion, the metal having a fluid inlet passage communicating with the fluid inlet hole therein fluid introduction accommodating cylinder in are formed soldering lands of an annular connected soldered, said soldering lands are electrically connected to the ground electrode of the plurality of external connection electrodes the semiconductor pressure sensor device according to claim.
  2. 【請求項2】 抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部と前記ダイアフラム部の周囲を支持し且つ前記抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極が形成されたダイアフラム支持部とが一体に形成されてなる半導体圧力センサ素子と、 前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔を備え且つ上面に前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム支持部が前記流体導入孔を囲むようにして固定される素子固定用壁部及び前記半導体圧力センサ素子の周囲を囲む周壁部を備えたセンサケースと、 前記センサケースの前記素子固定用壁部に対して固定されて前記流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた流体導入用筒体と、 前記センサケースに設けられ前記複数の接続用電 2. A resistance bridge circuit supporting the periphery of the diaphragm and the diaphragm portion is formed and the resistance bridge circuit a plurality of connection electrodes connected to the formed diaphragms support portion is formed integrally the semiconductor pressure sensor element, wherein the semiconductor pressure the diaphragm supporting portion the fluid of the semiconductor pressure sensor element and the upper surface with a fluid inlet hole for guiding the diaphragm of the sensor element a fluid to be pressure measurements made Te a sensor case having a peripheral wall portion surrounding the element fixing wall portion and the semiconductor pressure sensor element which is fixed so as to surround the introduction hole, said fluid being fixed to the element fixing wall portion of the sensor case a fluid introduction tube body provided with a fluid introduction path for introducing hole communicating with the interior, electrostatic a provided plurality of connection to the sensor casing 極にワイヤボンディングにより接続される複数のケース側接続用電極と、 前記センサケースに設けられ前記ケース側接続用電極部と電気的に接続された複数の外部接続用電極とを具備し、 前記センサケースはセラミック材料により形成され、 前記流体導入用筒体は金属により形成され、 前記素子固定用壁部の下面には、流体導入孔を囲むように環状の半田付けランドが形成され、 前記流体導入用筒体が前記半田付けランドに半田付けにより接続され、 前記半田付けランドが前記複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。 Comprising a plurality of cases for side connecting electrode connected by wire bonding to the electrode, and a plurality of external connection electrodes that are provided connected the the case side electrically and connecting electrode section to the sensor case, the sensor case is formed by a ceramic material, wherein the fluid introduction tube body is formed of metal, on the lower surface of the element fixing wall, an annular soldering lands are formed so as to surround the fluid introduction hole, the fluid inlet use cylinder is connected by soldering to the soldering land, the semiconductor pressure sensor device, characterized in that the soldering lands are electrically connected to the ground electrode of the plurality of external connection electrodes.
  3. 【請求項3】 前記センサケースは、前記素子固定用壁部を含む第1のケース構成部分と、前記第1のケース構成部分の上面に下面が接合されて前記周壁部の一部を構成する環状の第2のケース構成部分と、前記第2のケース構成部分の上面に下面が接合されて前記周壁部の残部を構成し且つ内側に前記第2のケース構成部分の前記上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第3のケース構成部分とから構成され、 前記第3のケース構成部分の内側に露出する前記第2のケース構成部分の前記上面の部分には前記複数のケース側接続用電極が形成され、 前記第3のケース構成部分の下に位置する前記第2のケース構成部分の前記上面の部分には、それぞれ前記複数のケース側接続用電極に接続されて前記センサケースの前記周壁 Wherein the sensor case constitute a first case component including the element fixing wall portion, a portion of the lower surface to the upper surface of the first case component is joined the peripheral wall a second case components of the annular part of said top surface of said second casing component lower surface is joined to and inwardly form the balance of the peripheral wall portion on the upper surface of the second case component is composed of a third case component of the formed annular to expose the annular, said the portion of the upper surface of the second case component exposed to the inside of the third case components plurality the case-side connecting electrodes are formed, wherein the portion of the upper surface of the third casing component the second casing component located below the, are respectively connected to the plurality of case for side connecting electrode the peripheral wall of the sensor case の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンが形成され、 前記第1のケース構成部分の前記下面及び前記第3のケース構成部分の前記上面には、前記複数の導電性引出パターンと前記複数の外部接続用電極とをそれぞれ接続する複数の接続用導電パターンが形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体圧力センサ装置。 Of a plurality of conductive lead patterns extending to the outer peripheral surface is formed, wherein the said top surface of said bottom surface and said third case components of the first case component, the plurality of said plurality of conductive lead patterns semiconductor pressure sensor apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the conductive pattern for a plurality of connections for connecting the external connection electrodes are formed.
  4. 【請求項4】 前記複数のケース側接続用電極、前記複数の外部接続用電極、前記複数の接続用導電パターン及び前記半田付けランドは、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、前記下地層の上に形成されたNiメッキ層と、前記Niメッキ層の上に形成されたAg,Agの合金またはAuのメッキ層とから構成されている請求項3に記載の半導体圧力センサ装置。 Wherein said plurality of casing-side connecting electrodes, said plurality of external connection electrodes, the plurality of connecting conductive patterns and the soldering land, and the base layer made of tungsten which is formed by vapor deposition or sputtering, semiconductor pressure sensor device according to the the foundation layer Ni plating layer formed on the Ag formed on the Ni plating layer, claim 3 which is composed of the plating layer of an alloy or Au of Ag .
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