JP2000182914A - Alignment mark - Google Patents

Alignment mark

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JP2000182914A
JP2000182914A JP35164998A JP35164998A JP2000182914A JP 2000182914 A JP2000182914 A JP 2000182914A JP 35164998 A JP35164998 A JP 35164998A JP 35164998 A JP35164998 A JP 35164998A JP 2000182914 A JP2000182914 A JP 2000182914A
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JP
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Patent type
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layer
mark
pattern
formed
aluminum
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JP35164998A
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Japanese (ja)
Inventor
Seiichi Funakoshi
Katsushi Yoshimitsu
克司 吉光
誠一 船越
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mark which allows high-precision and stable image recognition and detection, related to an alignment mark for image recognition which is provided to a semiconductor element.
SOLUTION: Related to the alignment mark, around a cross-shaped mark main body part 1 formed as a solid pattern of an aluminum layer 3, a diffusion reflection layer of aluminum is formed. As the diffusion reflection layer, a fine pattern 4 in stripe, lattice, or dot which is formed with the aluminum layer 3, for example, may be used. Otherwise, an opening part is formed in a fine pattern of stripe, etc., at an inter-layer insulating film 6 of lower layer, and the aluminum layer 3 comprising a rough (step) pattern corresponding to the pattern at the opening part may be a diffusion reflection layer.
COPYRIGHT: (C)2000,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アライメントマークに係わり、特に半導体素子に付けられる画像認識用のアライメントマークに関する。 The present invention relates to relates to a alignment mark, and in particular alignment marks for image recognition given to the semiconductor element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来から、半導体素子のマウント/ボンディング工程では、半導体ウェハ上に多数形成した半導体素子(LSIチップ)の四隅に設けられた、例えば十字形状のアライメントマークを、画像認識装置により認識・検出し、位置合わせを行っている。 Heretofore recognition, in mounting / bonding process of the semiconductor device, which is provided at the four corners of the semiconductor element in which a large number formed on a semiconductor wafer (LSI chip), for example, an alignment mark of a cross shape, the image recognition device · to detect, it is doing the alignment.

【0003】このようなアライメントマークの形状および構造を、図9および図10にそれぞれ示す。 [0003] The shape and structure of such an alignment mark, respectively in FIGS.

【0004】図9において、符号11は、シリコン基板を示し、この基板上の所定の位置に、電極材料であるアルミニウムにより十字形状に形成されたアライメントマーク12が、配設されている。 [0004] In FIG. 9, reference numeral 11 denotes a silicon substrate, a predetermined position on the substrate, the alignment marks 12 formed in a cross shape by aluminum as the electrode material, is disposed. そして、このようなアライメントマーク12では、図10に断面的に示すように、マーク領域と周辺領域との間の光(アライメント光)の反射率の差を利用して、認識を得ていた。 Then, in such an alignment mark 12, as shown in cross section in Figure 10, by utilizing the difference in reflectance of light (alignment light) between the mark region and the peripheral region, it was getting recognition. すなわち、マークを形成するアルミニウム層13からの反射光と、周辺領域のSiO 2等から成る層間絶縁膜14からの反射光との輝度の差(コントラスト)により、マークの画像を認識していた。 That is, the reflected light from the aluminum layer 13 to form the mark, the difference in luminance between the light reflected from the interlayer insulating film 14 made of SiO 2 or the like in the peripheral region (contrast), I recognized the image of the mark.

【0005】なお、図中符号15は、SiO 2等のフィールド層、16は保護膜をそれぞれ示す。 [0005] Incidentally, reference numeral 15 denotes a field layer such as SiO 2, 16 is a protective film, respectively. また、符号1 In addition, reference numeral 1
7は、アルミニウム層13上に設けられた反射防止膜を示し、この膜は、アルミニウムのパターン形成(露光) 7 shows the anti-reflection film provided on the aluminum layer 13, the membrane, aluminum patterning (exposure)
の際の過度の反射を防止するために設けられている。 It is provided to prevent excessive reflected upon.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような従来からのアライメントマークにおいては、以下に示すような問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the alignment mark from the conventional, there has been the following problems. すなわち、 アルミニウム層13および層間絶縁膜14の上に形成される保護膜16の厚さにばらつきが生じやすく、この厚さのばらつきにより、図11に輝度のプロフィルを示すように、マークの中央部(マーク領域)からの反射光と、周辺領域からの反射光との間の輝度の差が小さくなる。 In other words, variation is likely to occur in the thickness of the protective film 16 formed on the aluminum layer 13 and the interlayer insulating film 14, the variation in the thickness, as shown the profile of luminance in FIG. 11, the central portion of the mark and the reflected light from the (mark area), the difference in brightness between the reflected light from the peripheral region becomes small. そのため、画像認識装置による検出・認識性が不安定となる。 Therefore, detection and recognition due image recognition apparatus becomes unstable.

【0007】フォトリソグラフィによる微細配線を可能にするため、アルミニウム13層上に反射防止膜17 [0007] To enable fine wiring by photolithography, the anti-reflection film on an aluminum layers 13 on 17
が形成されているが、この反射防止膜17により、アルミニウム層13上でのアライメント光の反射率が低下する。 Are formed over a substrate by the anti-reflection film 17, the alignment light reflectance of over aluminum layer 13 is lowered. そのため、マーク領域からの反射光と周辺領域からの反射光との間の輝度差がさらに小さくなり、認識性が不安定かつ不十分となる。 Therefore, the luminance difference between the reflected light from the reflection light and the peripheral region of the mark region becomes even smaller, recognition property becomes unstable and unsatisfactory.

【0008】そして、このような問題により、パッケージング工程(マウント/ボンディング工程等)で、アライメントマークの検出に時間がかかり、検出遅延により生産性の低下が生じていた。 [0008] By such a problem, in packaging (mounting / bonding step and the like), it takes time to detect the alignment marks, reduced productivity by detection delay has occurred. また、画像認識の精度が低下するため、歩留りの低下が生じ、最悪の場合は、マークの検出が不可能となり装置が停止してしまうおそれがあった。 Further, since the accuracy of image recognition lowers, resulting a decrease in yield, in the worst case, the device becomes impossible to detect the mark there is a fear that stopped.

【0009】本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、半導体素子に付される画像認識用のアライメントマークにおいて、半導体素子のパッケージング工程等において、高精度で安定した画像認識・検出が可能なアライメントマークを提供することを目的とする。 [0009] The present invention has been made to solve these problems, in the alignment mark for image recognition to be added to the semiconductor device, the packaging process of a semiconductor device, a stable image recognition in high precision and detection and an object thereof is to provide an alignment mark as possible.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子のアライメントマークは、半導体基板上に設けられた画像認識用のアライメントマークであり、識別容易な平面形状を有し、正反射性の高い平滑な表面を有する電極材料から成るマーク本体部と、前記電極材料から成る拡散反射層を有し、前記マーク本体部の周りに形成されたマーク周辺部とを備えたことを特徴とする。 Alignment mark of a semiconductor device of the present invention, in order to solve the problem] is the alignment marks for image recognition that is provided on a semiconductor substrate, has an identification easier planar shape, highly specular smoothness a main mark portion consisting of an electrode material having a surface, has a diffuse reflection layer made of the electrode material, characterized by comprising a mark peripheral portion formed around the main mark portion.

【0011】本発明のアライメントマークにおいては、 [0011] In the alignment mark of the present invention,
アルミニウムのような電極材料により形成された、識別容易な平面形状(例えば十字形状やT字形状)を有するマーク本体部が、凹凸がなく平滑な表面を持ち、垂直に(法線方向から)入射するアライメント光をほぼ完全に正反射する。 Formed by the electrode material, such as aluminum, emblem body with easily distinguished planar shape (e.g. a cross-shaped or T-shape), has a smooth surface without irregularities, vertically (from the normal direction) incident almost completely specular alignment light. これに対して、本体部の周りの周辺領域には、電極材料により形成された微細パターンのような拡散反射層が設けられており、この層がアライメント光を拡散反射(乱反射)する。 In contrast, in the peripheral region around the body part, the diffuse reflection layer is provided, such as a fine pattern formed by the electrode material, the layer diffuse reflection (irregular reflection) of the alignment light is. そして、このような拡散反射(乱反射)により、マーク周辺部で反射し画像認識装置の検出部に達する反射光は、輝度が極めて低くなる。 By such diffuse reflection (irregular reflection), the reflected light reaching the detector of the reflected image recognition apparatus mark periphery, the luminance is extremely low.

【0012】したがって、アルミニウム層上に形成される保護膜の厚さにばらつき等が生じた場合でも、マーク本体部からの反射光と周辺部の拡散反射層からの反射光との間の輝度の差が大きくなるため、画像認識装置により、精度の高い安定した検出・認識が得られる。 Accordingly, even when the variations in the thickness of the protective film formed on the aluminum layer has occurred, the intensity between the reflected light from the diffuse reflection layer of the reflection light and the peripheral portion from the main mark portion the difference is large, the image recognition apparatus, the detection and recognition of the accurate stabilization obtained.

【0013】また、マーク本体部からの反射光と周辺部からの反射光との間に、十分に大きく安定した輝度差が得られることから、アライメント光の照射角に対する裕度が向上し、より視野角が大きくなる。 Further, between the reflective light from the reflective light and the peripheral portion from the main mark portion, since the sufficiently large stable luminance difference is obtained, and improved tolerance with respect to the irradiation angle of the alignment light, and more viewing angle increases. そのため、画像認識における各種の光学系の設定条件に幅ができ、設定が容易となる。 Therefore, the width of the setting conditions of the various optical systems of the image recognition can become easily set.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面に基いて説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明のアライメントマークの第1の実施例を示す平面図であり、図2は、図1におけるX部のA−A´断面を拡大して示す図である。 [0015] Figure 1 is a plan view showing a first embodiment of an alignment mark of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view showing the A-A'section of portion X in FIG.

【0016】図において、符号1は、シリコン基板2上の所定の位置に配設された、アルミニウムから成る十字形状のマーク本体部を示す。 [0016] In Figure, reference numeral 1 is disposed at a predetermined position on the silicon substrate 2, indicating the main mark portion of the cross-shaped made of aluminum. このマーク本体部1は、シリコン基板1上にスパッタ法等により形成されたアルミニウム層3を、所定形状のマスクを用いてパターニングすることにより形成されており、凹凸がなく平滑な表面を有している。 The emblem body 1, an aluminum layer 3 formed by sputtering or the like on a silicon substrate 1, are formed by patterning using a mask of a predetermined shape, have a smooth surface without irregularities there.

【0017】また、このようなマーク本体部1の周りの周辺領域には、アルミニウム層3によりストライプ状の微細パターン4が形成されている。 Further, in the peripheral region around such emblem body 1, a stripe-shaped fine pattern 4 is formed by an aluminum layer 3. そして、このストライプ状の微細パターン4において、パターン部であるアルミニウム層3の幅は 1μmであり、スペース部の幅は Then, in the stripe-shaped fine pattern 4, the width of the aluminum layer 3 is a pattern portion is 1 [mu] m, the width of the space portion
1〜 3μm となっている。 1 and has a 3μm. また、マーク本体部1と、微細パターン4形成部との面積比は、 1:5〜1:10とすることが望ましく、より好ましくは 1:7〜 1:8とする。 The area ratio of the main mark portion 1, a fine pattern 4 forming unit 1: 5 to 1: it is desirable to 10, more preferably 1: 7-1: 8 to. なお、図2において、符号5は、SiO 2等のフィールド層、6は層間絶縁膜、7は保護膜をそれぞれ示す。 2, reference numeral 5 is a field layer of SiO 2 or the like, 6 denotes an interlayer insulating film, 7 denotes a protective film. また、アルミニウム層3上に設けられた反射防止膜は、図示を省略する。 Moreover, the anti-reflection film provided on the aluminum layer 3, not shown.

【0018】このように構成される第1の実施例においては、アルミニウム層3によるベタパターンとして形成された十字形状のマーク本体部1が、凹凸がなく平滑な表面を有し、垂直に法線方向から入射するアライメント光Lをほぼ100%正反射するのに対して、その周辺領域にアルミニウム層3により形成されたストライプ状の微細パターン4が、アライメント光Lを拡散反射(乱反射) [0018] In the first embodiment thus configured, emblem body 1 of the cross shape formed as a solid pattern of aluminum layer 3 has a smooth surface without irregularities, perpendicularly normal whereas almost 100% of the regular reflection of the alignment light L incident from the direction, the aluminum layer 3 striped fine pattern 4 formed by the peripheral region, the diffuse reflection of the alignment light L (irregular reflection)
するので、この周辺領域から反射して画像認識装置の検出部に達する反射光は、輝度が極めて低くなる。 Because, the reflected light reaching the detector of the reflected and the image recognition device from the peripheral region, the luminance is extremely low.

【0019】したがって、アルミニウム層3上に形成される保護膜7の厚さにばらつき等が生じた場合でも、図3に示すように、中央のマーク本体部1からの反射光と、周辺領域の微細パターン4形成部からの反射光との輝度の差が、従来に比べて約3倍と極めて大きくなる。 [0019] Therefore, even when the variation in thickness of the protective film 7 is formed on the aluminum layer 3 or the like occurs, as shown in FIG. 3, the reflected light from the center of the main mark portion 1, the peripheral region the difference in brightness between the reflected light from the fine pattern 4 forming part becomes very large as about three times as compared with the prior art.
その結果、画像認識装置により、精度の高い安定した検出・認識を得ることができる。 As a result, the image recognition apparatus, it is possible to obtain the detection and recognition using highly accurate stable.

【0020】また、マーク本体部1からの反射光と周辺領域からの反射光との間に、十分に大きく安定した輝度差が得られることから、アライメント光の照射角に対する裕度が向上し、より広視角での認識が可能となる。 Further, between the reflected light from the reflected light and the peripheral region of the main mark portion 1, since the sufficiently large stable luminance difference is obtained, and improved tolerance with respect to the irradiation angle of the alignment light, it is possible to recognize in a more wide viewing angle. 具体的には、法線方向から最大15゜の視野角内での認識が可能である実験結果が得られた。 Specifically, from the normal direction it is possible recognition of at most 15 ° viewing angle within the experimental results.

【0021】次に、本発明の第2の実施例について説明する。 Next, a description will be given of a second embodiment of the present invention.

【0022】第2の実施例においては、図4に示すように、アルミニウムから成る平滑な表面を有するマーク本体部1の周りに、アルミニウム層3により矩形ドット状の微細パターン8が形成されている。 [0022] In the second embodiment, as shown in FIG. 4, around the emblem body 1 having a smooth surface made of aluminum, a rectangular dot-shaped fine pattern 8 is formed by an aluminum layer 3 . そして、この矩形ドット状の微細パターン8において、ドットの幅は 1μ Then, in the rectangular dot-like fine pattern 8, the width of the dots 1μ
m で、スペース部の幅は 1〜 4μm となっている。 In m, width of the space portion has a. 1 to 4 [mu] m. また、マーク本体部1と微細パターン8形成部との面積比は、 1:5〜1:10、より好ましくは 1:7〜 1:8となっている。 The area ratio of the main mark portion 1 and the fine pattern 8 forming part, 1: 5 to 1: 10, more preferably, 1: 8: 7-1.

【0023】このように構成される第2の実施例においては、アルミニウム層3によるベタパターンとして形成された十字形状のマーク本体部1が、凹凸がなく平滑な表面を有し、アライメント光をほぼ完全に正反射するのに対して、周辺領域にアルミニウム層3により形成された矩形ドット状の微細パターン8が、アライメント光を拡散反射するので、この周辺領域から反射して画像認識装置に達する反射光の輝度が極めて低くなる。 [0023] In the second embodiment thus configured, emblem body 1 of the cross shape formed as a solid pattern of aluminum layer 3 has a smooth surface without irregularities, substantially alignment light whereas fully specular reflection, a rectangular dot-shaped fine pattern 8 formed by the aluminum layer 3 in the peripheral region, since the diffuse reflection of the alignment light, reaches the image recognition device is reflected from the surrounding area reflected brightness of the light is very low. したがって、マーク本体部1からの反射光と周辺の微細パターン8形成部からの反射光との輝度の差が大きくなり、画像認識装置による精度の高い安定した検出・認識が得られる。 Therefore, the difference in brightness between the reflected light from the reflection light and surrounding fine pattern 8 forming part of the emblem body 1 is increased, the detection and recognition of stable and high-accuracy by the image recognition device can be obtained.

【0024】次に、本発明の第3の実施例および第4の実施例を、図5乃至図7に基いてそれぞれ説明する。 Next, the third and fourth embodiments of the present invention, respectively described with reference to FIGS. 5-7. なお、これらの図において、図1および図2と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略する。 In these figures, parts common to Figures 1 and 2, its description is omitted with the same reference numerals. また、図5および図7において、アルミニウム層3の凹凸(段差)パターンの凹パターン部9を、黒塗り部または斜線部として示す。 Further, in FIGS. 5 and 7, the aluminum layer 3 of the unevenness (level difference) pattern of concave pattern portion 9, shown as a black portion or the oblique line portion.

【0025】第3の実施例では、図5および図6にそれぞれ示すように、シリコン基板2上の所定の位置に、アルミニウムから成る平滑な表面を有するマーク本体部1 [0025] In the third embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, at a predetermined position on the silicon substrate 2, the mark body 1 having a smooth surface made of aluminum
が配設されており、このマーク本体部1の周辺領域において、SiO 2等の層間絶縁膜6が、ストライプ状の微細パターンでエッチングされている。 There are disposed, in the peripheral region of the main mark portion 1, an interlayer insulating film 6 of SiO 2 or the like is etched in a stripe-shaped fine pattern. また、第4の実施例では、図7に示すように、マーク本体部1の周辺領域において、層間絶縁膜6が、矩形ドット状の微細パターンでエッチングされている。 In the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, in the peripheral region of the main mark portion 1, an interlayer insulating film 6 are etched in a rectangular dot-like fine pattern.

【0026】そして、このようなストライプ状または矩形ドット状の開口部を有する層間絶縁膜6上に、スパッタ法等によりアルミニウム層3が形成され、層間絶縁膜6の開口部のパターンに対応したストライプ状または矩形ドット状の凹凸(段差)パターンを有する拡散反射層が形成されている。 [0026] Then, on the interlayer insulating film 6 having an opening of such a stripe-shaped or rectangular dot shape, the aluminum layer 3 is formed by sputtering or the like, stripe corresponding to the pattern of openings of the interlayer insulating film 6 Jo or diffuse reflection layer having a rectangular dot-like unevenness (level difference) pattern is formed.

【0027】なお、層間絶縁膜6の開口部のパターンにおいて、開口部と非開口部の幅は、ともに 2〜 3μm となっている。 [0027] Note that in the pattern of openings of the interlayer insulating film 6, the width of the opening and non-opening portions are both a. 2 to 3 [mu] m. また、マーク本体部1と、アルミニウム層3の凹凸(段差)パターン形成部との面積比は、 1:5〜 The area ratio of the main mark portion 1, and the aluminum layer 3 unevenness (level difference) pattern forming unit is 1: 5
1:10、より好ましくは 1:7〜1:8となっている。 1:10, and more preferably from 1: 7 to 1: and has a 8.

【0028】このように構成される第3乃至第4の実施例においては、平滑な表面を有するアルミニウムから成るマーク本体部1が、法線方向から入射するアライメント光をほぼ完全に正反射する。 [0028] In such third to fourth embodiment constructed, emblem body 1 made of aluminum having a smooth surface, almost completely specular alignment light incident from the normal direction. これに対して、その周辺領域のアルミニウム層3に形成された微細な凹凸(段差)パターンが、アライメント光を拡散反射するので、 In contrast, fine irregularities (steps) pattern formed on the aluminum layer 3 in the peripheral region, since the diffuse reflection of the alignment light,
この周辺領域から反射して画像認識装置に達する反射光の輝度が極めて低くなる。 Brightness of reflected light reaching the image recognition device is reflected from the peripheral region becomes very low. したがって、アルミニウム3 Therefore, aluminum 3
層上に形成される保護膜の厚さにばらつき等がある場合でも、マーク本体部1からの反射光と、周辺領域のアルミニウムの微細な凹凸(段差)パターンからの反射光との輝度の差が大きくなり、画像認識装置による精度の高い安定した検出・認識が得られる。 Even if there are variations such as the thickness of the protective film to be formed on the layer, the difference in brightness between the reflected light of the reflected light from the fine irregularities (steps) pattern of aluminum in the peripheral region of the main mark portion 1 increases, the detection and recognition of stable and high-accuracy by the image recognition device can be obtained.

【0029】なお、以上の実施例では、アルミニウム層3または層間絶縁膜6の開口部の微細パターンとして、 [0029] In the above embodiment, as a fine pattern of openings in the aluminum layer 3 or the interlayer insulating film 6,
ストライプ状および矩形ドット状のパターンを形成した例について説明したが、微細パターンはこれらに限定されない。 It has been described stripes and example of forming a rectangular dotted pattern, but is not micropattern limited thereto. 図8に示すように、縦横のラインを適当な間隔をおいて組み合わせた格子状のパターン10、または円形等のドット状のパターンとしても、同様な効果を上げることができる。 As shown in FIG. 8, a lattice-like pattern 10 that combines the line of vertical and horizontal at appropriate intervals or as a dot-like pattern such as a circle, it is possible to raise the same effect.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明のアライメントマークによれば、以下の効果を得ることができる。 As apparent from the foregoing description, according to the alignment mark of the present invention, it is possible to obtain the following effects.

【0031】(1) 画像認識でのマーク中央部からの反射光と、周辺領域からの反射光との輝度差が大きくなるので、マーク上等に形成される保護膜の膜厚等のばらつきに影響されず、高精度で安定した認識が可能となる。 [0031] (1) and reflected light from the mark center portion of the image recognition, the luminance difference between the reflected light from the peripheral region becomes large, the variation of such film thickness of the protective film to be marked choice formed not affected, thereby enabling stable recognized with high accuracy.

【0032】(2) また、高精度で安定した画像認識が可能になることから、パッケージング工程での生産性が向上する。 [0032] (2) Further, since it becomes possible to perform stable image recognition in high precision, thereby improving the productivity in the packaging process.

【0033】(3) さらに、認識精度が向上するため、アライメントマークのサイズを、従来の 180μm 角から76 [0033] (3) Moreover, since the recognition accuracy is improved, the size of the alignment mark, the conventional 180μm angle 76
μm 角へと縮小することができる。 It can be reduced to the μm angle. したがって、半導体素子上の配線可能なスペースが拡大し、配線層設計の自由度が向上する。 Thus, expanded wire available space on the semiconductor element, thereby improving the degree of freedom of the wiring layer design.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のアライメントマークの第1の実施例を示す平面図。 Plan view of a first embodiment of an alignment mark of the present invention; FIG.

【図2】図1におけるX部のA−A´断面図。 [2] A-A'sectional view of X portion in FIG.

【図3】本発明の第1の実施例において、アライメントマークからの反射光の輝度を示すラインプロフィル。 In a first embodiment of the present invention; FIG line profile showing the luminance of the reflected light from the alignment mark.

【図4】本発明のアライメントマークの第2の実施例を示す平面図。 Plan view of a second embodiment of an alignment mark of the present invention; FIG.

【図5】本発明のアライメントマークの第3の実施例を示す平面図。 5 is a plan view showing a third embodiment of the alignment mark of the present invention.

【図6】図5におけるX部のB−B´断面図。 [6] B-B'sectional view of X portion in FIG.

【図7】本発明のアライメントマークの第4の実施例を示す平面図。 7 is a plan view showing a fourth embodiment of the alignment mark of the present invention.

【図8】本発明のアライメントマークの別の実施例を示す平面図。 Figure 8 is a plan view showing another embodiment of an alignment mark of the present invention.

【図9】従来のアライメントマークの平面図。 FIG. 9 is a plan view of a conventional alignment mark.

【図10】図9のC−C´断面図。 [10] C-C'sectional view of FIG.

【図11】従来のアライメントマークからの反射光の輝度を示すラインプロフィル。 [11] line profile showing the brightness of light reflected from the conventional alignment mark.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1………マーク本体部 2………シリコン基板 3………アルミニウム層 4………ストライプ状の微細パターン 6………層間絶縁膜 7………保護膜 8………矩形ドット状の微細パターン 9………アルミニウム層の凹パターン部 10………格子状のパターン 1 ......... emblem body 2 ......... silicon substrate 3 ......... aluminum layer 4 ......... striped fine pattern 6 ......... interlayer insulating film 7 ......... protective film 8 ......... rectangular dot-shaped fine pattern 9 ......... concave pattern portion 10 ......... grid pattern the aluminum layer

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 半導体基板上に設けられた画像認識用のアライメントマークであり、 識別容易な平面形状を有し、正反射性の高い平滑な表面を有する電極材料から成るマーク本体部と、 前記電極材料から成る拡散反射層を有し、前記マーク本体部の周りに形成されたマーク周辺部とを備えたことを特徴とするアライメントマーク。 1. A are alignment marks for image recognition that is provided on a semiconductor substrate, has an identification easier planar shape, and a main mark portion consisting of an electrode material having a high specular smooth surface, the has a diffuse reflection layer made of electrode material, the alignment marks, characterized in that a mark peripheral portion formed around the main mark portion.
  2. 【請求項2】 前記マーク本体部と前記マーク周辺部との面積比が、 1:5〜1:10であることを特徴とする請求項1記載のアライメントマーク。 Wherein the area ratio of the main mark portion and the mark peripheral portion is 1: 5 to 1: alignment mark according to claim 1, wherein the 10.
  3. 【請求項3】 前記拡散反射層が、微細パターンを有する電極材料層であることを特徴とする請求項1または2 Wherein the diffuse reflection layer, according to claim 1 or 2, characterized in that the electrode material layer having a fine pattern
    記載のアライメントマーク。 Alignment mark described.
  4. 【請求項4】 前記微細パターンが、ストライプ状または格子状あるいはドット状のパターンであることを特徴とする請求項3記載のアライメントマーク。 Wherein said fine patterns, an alignment mark according to claim 3, characterized in that the pattern of stripes or lattice-like or dot-like.
  5. 【請求項5】 前記微細パターンにおいて、電極材料部の幅が 1〜 3μm であり、スペース部の幅が 1〜 4μm 5. The fine pattern, the width of the electrode material portions are. 1 to 3 [mu] m, the width of the space portion is. 1 to 4 [mu] m
    であることを特徴とする請求項4記載のアライメントマーク。 Alignment mark according to claim 4, characterized in that.
  6. 【請求項6】 前記拡散反射層が、微細パターンの開口部を有する層間絶縁膜上に形成された前記電極材料層であることを特徴とする請求項1または2記載のアライメントマーク。 Wherein said diffuse reflection layer, an alignment mark according to claim 1 or 2, characterized in that said electrode material layer formed on the interlayer insulating film having an opening of a fine pattern.
  7. 【請求項7】 前記層間絶縁膜の開口部の微細パターンが、ストライプ状または格子状あるいはドット状のパターンであることを特徴とする請求項6記載のアライメントマーク。 Wherein said interlayer fine pattern of openings in the insulating film, an alignment mark according to claim 6, characterized in that the pattern of stripes or lattice-like or dot-like.
  8. 【請求項8】 前記微細パターンにおいて、開口部および非開口部の幅が、それぞれ 2〜 3μm であることを特徴とする請求項7記載のアライメントマーク。 8. The fine pattern, the alignment mark according to claim 7, wherein a width of the opening and non-opening portions are each. 2 to 3 [mu] m.
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