JP2000178025A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000178025A JP2000178025A JP10361722A JP36172298A JP2000178025A JP 2000178025 A JP2000178025 A JP 2000178025A JP 10361722 A JP10361722 A JP 10361722A JP 36172298 A JP36172298 A JP 36172298A JP 2000178025 A JP2000178025 A JP 2000178025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- oxide superconductor
- bulk
- magnetic field
- superconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 59
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 38
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012465 LiTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0716—Passivating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/739—Molding, coating, shaping, or casting of superconducting material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/80—Material per se process of making same
- Y10S505/815—Process of making per se
- Y10S505/818—Coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
れずに高い捕捉磁場の確保や長期にわたる性能維持が可
能な酸化物超電導体及びその製造法を提供する。 【解決手段】1) 酸化物超電導体を、図2に例示する如
く、樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体(例えば
希土類系銅酸化物超電導バルク体)から成る構成とす
る。なお、バルク体に適量のAgを添加しても良い。この
酸化物超電導体は、減圧雰囲気下に保持した酸化物超電
導バルク体と液状樹脂とを接触させて酸化物超電導バル
ク体に樹脂を含浸させることによって作成することがで
きる。
Description
外力や腐食環境に影響されずに高い捕捉磁場の確保や長
期にわたる性能維持が可能な酸化物超電導体、並びにそ
の製造方法に関するものである。常電導材料に比べて臨
界電流密度が高く、大電流を損失なく流すことが可能で
ある超電導材料は、マグネットやエレクトロニクス応用
において画期的性格を持つものとして注目を浴びてお
り、近年、核融合実験装置,医療診断用超電導MRI,
磁気浮上列車,発電機,エネルギ−貯蔵装置,脳磁計等
への応用研究が盛んに行われるようになっている。
超電導技術の目覚ましい研究によって様々な超電導材料
が知られるようになったが、1970年の中ほどから始
まった金属酸化物超電導材料の研究により LiTi2O3, B
a(Bi,Pb)O3 ,(Ba,K) BiO3 等の比較的臨界温度(T
c)の高い酸化物超電導材料が見出され、更に1980
年代から今日までの間にそれまで予想もされなかったほ
どの高い臨界温度(Tc)を持つ(La,Sr)2CuO4 ,REBa
2Cu3O7 (REは希土類元素),Bi2Sr2Ca2Cu3O10,Ti
2Ba2Ca2Cu3O10,HgBa2Ca2 Cu3O8 等といった銅酸化物
超電導材料が次々と生み出されるに至っている。
常電導材料に比べて臨界電流密度が高いために大電流を
損失なく流すことが可能であるが、このように大電流を
流した場合には超電導体に大きな電磁力が働くので材料
強度によっては材料が破壊する場合が知られている。ま
た、最近、バルク高温超電導体(特に銅酸化物超電導
体)の特性向上と大型化に伴ってバルク体に捕捉できる
磁場の大きさが飛躍的に向上し、5テスラを超える磁場
が捕捉されるようにまでなっているが{「Superconduct
or Science andTechnology」11 (1998), 第1345〜1347
頁}、このように捕捉磁場が増加するとそれに伴って材
料にかかる電磁力も増大するため、最近では材料強度に
よって捕捉磁場が制限されてしまうといった事態に至っ
ている。そのため、捕捉磁場を利用したバルク超電導磁
石の性能向上のためには、捕捉磁場の更なる向上よりも
むしろ材料の機械的特性向上が重要となってなっている
{「Physica C」 Vol.7,No.9(1991), 第4989〜4994
頁}。
として、次の2つの方法が提案されている。1つは「材
料へのAg添加」という手法であり、この方法を講じるこ
とによりバルク酸化物超電導体の機械的強度が著しく改
善されるとされている{「JapaneseJournal of Applied
Physics」Vol.70, No.9 (1991) の第4989〜4994頁、 並
びに「Superconductor Science and Technology 」11(1
998), 第1345〜1347頁}。他の1つは「バルク超電導材
料の回りを金属リングで囲むことによって材料に予め
“圧縮の歪”を付加しておく」という手法である{「Ex
tened Abstract ofISTEC International Workshop」(19
98),第 115〜 118頁}。なお、この方法によると、予
付加の圧縮歪により磁場を捕捉させた時に生じる引張応
力が緩和されるので材料の破壊が抑えられ、捕捉磁場が
向上するとされている。
や「金属リングによる補強」といった方法は作業性やコ
ストの面での更なる改善が望まれるものであり、また腐
食性環境での長期使用によって強化性能が劣化するとい
う問題も認識された。
のは、大きな電磁力や使用時の急激な昇温・冷却に伴う
熱歪といった外力や内部応力に十分に耐えると共に、腐
食性環境にも悪影響を受けることがなく、長期にわたっ
て高い捕捉磁場を発揮できる酸化物超電導体の容易かつ
安価を提供手段を確立することであった。
研究を行った結果、次のような新規知見を得ることがで
きた。 a) 酸化物超電導バルク体は疑似単結晶状態のセラミッ
クスであるが、実際にはその製造過程において微小なク
ラックや気孔が内在されるのを防止することが困難であ
る。特に、その表層部に微小クラックや気孔が内在され
がちである。 b) そして、このような酸化物超電導バルク体に“大き
な機械的衝撃力",“急激な温度変化による熱衝撃力",
“大きな電磁気力”等が加わると、前記クラックや気孔
に応力集中が起こり、このクラックや気孔を起点として
比較的大きな割れに進展する。 c) また、長時間、湿気や炭酸ガスの多い腐食性雰囲気
に曝されるような場合には、腐食によって酸化物超電導
バルク体材料が劣化したり反応相が生成したりして新た
な割れが生じ、これが比較的大きな割れに進展する。
うな比較的大きな割れが生じると、これが超電導電流の
妨げとなるため捕捉磁場の大きな低下をもたらす。 e) ところが、一般に溶融法によって製造されるために
材料密度が非常に高くて塗料等の内部浸透などが起こり
得る筈がないと考えられがちであった“酸化物超電導バ
ルク体”であっても、真空中における樹脂含浸等の手法
を適用すると、表面に開口した微小クラック部だけでな
く、これらを通して表層部全体に、更にはバルク内部に
までも樹脂が浸透し、表面の耐食性が著しく改善される
上にバルク超電導材料そのものの機械的強度が飛躍的に
向上するので使用時の外力,内部応力あるいは腐食によ
る割れの進展が極力抑えられ、長期にわたって十分に高
い捕捉磁場を維持することが可能になる。 f) しかも、樹脂含浸による酸化物超電導バルク体マト
リックスの超電導特性の劣化は全く認められないため、
この方法は、酸化物超電導体の優れた超電導特性を維持
したままで機械的特性,耐食性を向上するという極めて
有利な手段である。
含浸させるに際して、予め該酸化物超電導バルク体に孔
を設けておけばこの孔を通じてもバルク体内部に速やか
に樹脂を含浸させることができるので、酸化物超電導体
の使用形態によってはより有利な材料が得られることに
なる。
されたものであり、下記の酸化物超電導体並びに該酸化
物超電導体の製造方法を提供するものである。 1) 樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体から成る
ことを特徴とする、酸化物超電導体。 2) 酸化物超電導バルク体が希土類元素(Y,La,Nd,
Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm及びYbのうちの1種以上)
を含む銅酸化物超電導体である、前記1)項記載の酸化物
超電導体。 3) 酸化物超電導バルク体が、REBa2Cu3Oy (REは
Y,Dy,Ho,Er,Tm又はYbのうちの1種以上)を母相と
すると共に、該母層中に50体積%以下のRE 2 BaCuO
5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm及びYbのう
ちの1種以上)相を含む銅酸化物超電導体である、前記
1)項又は2)項記載の酸化物超電導体。 4) 酸化物超電導バルク体が、RE1+x Ba2-x Cu3 Oy
(REはLa,Nd,Sm,Eu及びGdのうちの1種以上)を母
相とすると共に、該母層中に50体積%以下のRE4-2x
Ba2+2x Cu2-x O10-2x (REはLa及びNdのうちの1種
以上)相又はRE2 BaCuO5 (REはSm,Eu及びGdの1
種以上)相を含む銅酸化物超電導体である、前記1)項又
は2)項記載の酸化物超電導体。 5) 酸化物超電導バルク体が40重量%以下のAgを含ん
で成る、前記3)項又は4)項記載の酸化物超電導体。 6) 含浸させた樹脂がエポキシ系樹脂である、前記1)乃
至5)項の何れかに記載の酸化物超電導体。 7) 減圧雰囲気下に保持した酸化物超電導バルク体と液
状樹脂とを接触させて酸化物超電導バルク体に樹脂を含
浸させることを特徴とする、前記1)乃至6)項の何れかに
記載の酸化物超電導体の製造方法。 8) 酸化物超電導バルク体の外表面から樹脂を含浸させ
る、前記7)項記載の酸化物超電導体の製造方法。 9) 予め酸化物超電導バルク体に孔を設けておくことに
より、酸化物超電導バルク体の外表面と内部の両方から
樹脂を含浸させる、前記7)項記載の酸化物超電導体の製
造方法。
バルク体としてはこれまで知られていた何れの種類のも
のでも良いが、捕捉磁場の高い高温超電導体として知ら
れるRE−Ba−Cu−O系超電導体(REは希土類元素で
あってY,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm及びYb
のうちの1種以上を意味する)として知られる銅酸化物
超電導バルク体が好適であると言える。中でも、酸化物
超電導バルク体が、捕捉磁場のより高い材料として知ら
れているREBa2Cu3Oy (REはY,Dy,Ho,Er,Tm又
はYbのうちの1種以上)を母相とすると共に該母層中に
50体積%以下のRE2 BaCuO5(REはY,Sm,Eu,Gd,
Dy,Ho,Er,Tm及びYbのうちの1種以上)相を分散相と
して含む酸化物超電導体や、RE1+x Ba2-x Cu3 Oy (
REはLa,Nd,Sm,Eu及びGdのうちの1種以上であっ
て、 好ましくは−0.1 <x<0.2, 6.5<y<7.2 の範囲
のもの)を母相とすると共に該母層中に50体積%以下の
RE4-2x Ba2+2x Cu2-x O10-2x (REはLa及びNdのう
ちの1種以上であって、 好ましくは−0.2 <x<0.3 の
範囲のもの)相又はRE2 BaCuO5 ( REはSm,Eu及び
Gdの1種以上)相を分散相として含む酸化物超電導体が
より好適であると言える。なお、これら酸化物超電導体
において分散相の含有割合を50体積%以下と定めたの
は、分散相の含有割合が50体積%を超えると超電導特性
が劣化傾向を見せるからである。
樹脂としては、エポキシ系樹脂,尿素樹脂,フェノ−ル
樹脂,不飽和ポリエステル樹脂,ポリウレタン,アルキ
ド樹脂,メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂が適当である。
にAgを含有させることは更なる強度向上に有利であり、
高い捕捉磁場を維持する上で効果的であるが、その含有
割合が40重量%を超えると超電導特性が劣化傾向を見せ
る。従って、Agを含有させる場合には、その含有割合は
40重量%以下に抑えるのが好ましい。
させる手法としては、真空等の減圧雰囲気下に保持した
酸化物超電導バルク体と液状樹脂とを接触させる方法が
工程であるが、樹脂含浸が可能であれば“加圧含浸法”
等といったその他の方法によっても差し支えはない。た
だ、単に酸化物超電導バルク体表面に樹脂コ−ティング
を施すだけの手法では樹脂の含浸は起きず、腐食性雰囲
気からの保護は可能かも知れないが、高い捕捉磁場を長
期にわたって維持する効果は得られない。
る大きな熱歪や大きな電磁力等に十分に耐え得る機械的
特性と十分な耐食性を備えていて高い捕捉磁場特性を長
期にわたって維持できる“酸化物超電導体”を容易かつ
安価に提供するもので、例えば酸化物超電導バルク体を
高電磁力下で応用する場合や、酸化物超電導バルク体に
磁場を捕捉させて高温超電導磁石として利用する場合に
極めて有用な技術となり得る。また、酸化物超電導バル
ク体に樹脂含浸層を有せしめることは、バルク体製造時
に発生した微小クラックや気孔を起点とする割れの発生
及び進展や腐食の抑制効果だけでなく、外部から受ける
直接的な機械的衝撃を緩和する効果にもつながる。中で
も、樹脂を酸化物超電導バルク体の表面深く浸透させる
と、冷却の際の温度差による熱歪による応力発生緩和に
も顕著な効果が発揮される。
BaCuO5 相をそれぞれ0,10,20,30及び40体積%分散
して含有する各バルク材料を、溶融法により作製した。
溶融条件は、常法通りにYBa2Cu3Oy 素材を1100℃
に20分加熱した後、1050℃まで30分で冷却し、
その後SmBa2Cu3Oy 相を種結晶として設置してから、更
に900℃まで 0.5℃/hの速度で冷却する条件を採用し
た。そして、結晶成長後、1気圧の酸素気流中で400
℃において250時間の酸素アニ−ルを行った。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて下記「条件1」及び「条件
2」の含浸法により樹脂を浸透させた組とを用意した。 条件1…ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂と芳香族ポリ
アミンをそれぞれ30℃まで予熱した状態で、配合組成
(重量比)100:32で混合させ、真空下で脱気を行
った。次に、バルク超電導体を70℃まで予熱し、真空
槽の中で減圧した。バルク体を覆うように樹脂を注ぎ込
み、大気圧以上に加圧させ、80℃下において6時間、
120℃下において2時間、加熱することにより硬化さ
せた。 条件2…ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂と芳香族ポリ
アミンをそれぞれ30℃まで予熱した状態で、配合組成
(重量比)100:32で混合させた。次に、バルク超
電導体を70℃まで予熱し、バルク体を覆うように樹脂
を注ぎ込み、真空槽の中で減圧し脱気を行った。十分脱
泡した後、大気圧中で80℃下において6時間、120
℃下において2時間、加熱することにより硬化させた。
物超電導体も図1に示す形状を有していた。次いで、こ
れら各超電導体を100Kまで冷却し、この温度で10
Tの磁場を印加した後、温度を50Kとし、その後磁場
をゆっくり低下させていって磁場を除去した後、ホ−ル
素子を用いて超電導体表面の磁場分布を測定した。その
結果、真空含浸しなかった試料は全て破壊していること
が確認された。一方、真空含浸した試料の捕捉磁場は、
Y211相の含有量が0,10,20,30及び40体積%の試
料においてそれぞれ 2.5T,3T,4T,4T及び3T
という値が得られた。また、「条件1」及び「条件2」
の何れで樹脂含浸処理したものも捕捉磁場は同様の結果
となった。
の断面の組織観察を行ったところ、表面から内部に向か
ってバルク材料の微小なクラックや気孔を中心に樹脂が
浸透していて、表層が樹脂含浸層となっていることが確
認された。なお、図2で示すのは前記図1のA−A断面
の観察状態を模式図化したものであり、図3で示すのは
前記図1のB−B断面の観察状態を模式図化したもので
ある。
った試料は全て割れが観察されたのに対し、真空含浸し
た試料では割れが観察されず、全てにおいて比較的大き
な捕捉磁場が得られた。なお、Y211相の含有量によ
る捕捉磁場の違いは、Y211含有量による臨界電流密
度の差を反映しているものであることは言うまでもな
い。
内に Sm2BaCuO5(Sm211相)をそれぞれ0,10,20,
30及び40体積%分散して含有するバルク材料を、溶融法
により作製した。溶融条件は、 Sm0.9Ba2.1Cu3Oy 素材
を“酸素分圧を1%に保ったアルゴンとの混合ガスを流
した雰囲気”中で1050℃に20分加熱した後、12
00℃まで20分で冷却し、その後NdBa2Cu3Oy 相を種
結晶として設置してから、900℃まで 0.5℃/hの速度
で冷却する条件を採用した。この時、結晶成長させた段
階で、Sm211相が0及び10体積%の試料では大きなク
ラックが観察された。また、肉眼では観察されなかった
ものの、Sm211相が20体積%の試料でもクラックが認
められた。
をそれぞれ30及び40体積%含有するバルク超電導体に対
し、1気圧の酸素気流中で350℃において200時間
の酸素アニ−ルを施した。次いで、このようにして得ら
れた各バルク超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理を
しない組と、これらを真空容器に入れて実施例1に示し
た「条件1」及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させ
た組とを用意した。
却し、10Tの磁場を印加した後、温度を50Kとし、
その後磁場をゆっくり低下させていって磁場を除去した
後、ホ−ル素子を用いて超電導体表面の磁場分布を測定
した。その結果、真空含浸しなかった試料は何れも破壊
していることが確認された。一方、真空含浸した試料の
捕捉磁場は、Sm211相の含有量が30及び40体積%の試
料においてそれぞれ8T及び 6.5Tという値が得られ
た。また、「条件1」及び「条件2」の何れで樹脂含浸
処理したものも捕捉磁場は同様の結果となった。
った試料は全て割れが観察されたのに対し、真空含浸し
た試料では割れが観察されず、比較的大きな捕捉磁場が
得られた。なお、Sm211相の含有量による捕捉磁場の
違いは、Sm211相の含有量による臨界電流密度の差を
反映したものであり、また実施例1の試料に比べて捕捉
磁場が大きく向上しているのはSm系の優れた臨界電流特
性を反映したものである。
内に Nd3.6Ba2.4Cu1.8Oz ( Nd422相)を0,10,2
0,30及び40体積%分散して含有する各バルク材料を、
溶融法により作製した。溶融条件は、“酸素分圧を 0.1
%に保ったアルゴンとの混合ガスを流した雰囲気”中で
1040℃に20分加熱した後、1010℃まで20分
で冷却し、その後MgO単結晶を種結晶として設置してか
ら、更に900℃まで 0.5℃/hの速度で冷却する条件を
採用した。この時、結晶成長させた段階で、Nd422相
が0及び10体積%の試料では大きなクラックが観察され
た。
をそれぞれ20,30及び40体積%含有するバルク超電導体
に対し、1気圧の酸素気流中で300℃において300
時間の酸素アニ−ルを施した。次いで、このようにして
得られた各バルク超電導体につき、そのまま樹脂含浸処
理をしない組と、これらを真空容器に入れて実施例1に
示した「条件1」及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透
させた組とを用意した。
却し、10Tの磁場を印加した後、温度を50Kとし、
その後磁場をゆっくり低下させていって磁場を除去した
後、ホ−ル素子を用いて超電導体表面の磁場分布を測定
した。その結果、真空含浸しなかった試料は全て破壊し
ていることが確認された。一方、真空含浸した試料の捕
捉磁場は、Nd422相の含有量が20,30及び40体積%の
試料においてそれぞれ3T, 6.5T及び5Tという値が
得られた。また、「条件1」及び「条件2」の何れで樹
脂含浸処理したものも捕捉磁場は同様の結果となった。
った試料では割れが観察されたのに対し、真空含浸した
試料では割れが観察されず、比較的大きな捕捉磁場が得
られた。
2 BaCuO5 相をそれぞれ0,10,20,30及び40体積%分
散して含有する各バルク材料のそれぞれに対し、更にAg
を10重量%含有させた試料を、溶融法により作製した。
溶融条件は、YBa2Cu3Oy 素材を1050℃に20分加
熱した後、1000℃まで30分で冷却し、その後YBa
2Cu3Oy 相を種結晶として設置してから、更に900℃
まで 0.5℃/hの速度で冷却する条件を採用した。そし
て、結晶成長後、1気圧の酸素気流中で400℃におい
て250時間の酸素アニ−ルを行った。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて実施例1に示した「条件1」
及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させた組とを用意
した。
却し、10Tの磁場を印加した後、温度を50Kとし、
その後磁場をゆっくり低下させていって磁場を除去した
後、ホ−ル素子を用いて超電導体表面の磁場分布を測定
した。その結果、真空含浸しなかった試料のうち、Y2
11相の含有量が0及び10体積%の試料は破壊している
ことが確認された。また、破壊していないY211相の
含有量が20,30及び40体積%の試料の捕捉磁場は、それ
ぞれ 1.5T,3T及び2Tであった。一方、真空含浸し
た試料は全て破壊しておらず、捕捉磁場は、Y211相
の含有量が0,10,20,30及び40体積%の試料において
それぞれ 2.5T,3T, 4.5T,5T及び3Tという値
が得られ、破壊していない試料で比較した場合、真空含
浸した試料の方が全てにおいて高い捕捉磁場を記録し
た。また、「条件1」及び「条件2」の何れで樹脂含浸
処理したものも捕捉磁場は同様の結果となった。
いても樹脂の真空含浸により捕捉磁場が向上することが
分かる。
内に Sm2BaCuO5(Sm211相)をそれぞれ0,10,20,
30及び40体積%分散して含有するバルク材料のそれぞれ
に対し、更にAgを15重量%含有させた試料を、溶融法に
より作製した。溶融条件は、 Sm0.9Ba2.1Cu3Oy 素材を
“酸素分圧を1%に保ったアルゴンとの混合ガスを流し
た雰囲気”中で1010℃に20分加熱した後、990
℃まで20分で冷却し、その後SmBa2Cu3Oy 相を種結晶
として設置してから、更に850℃まで 0.5℃/hの速度
で冷却する条件を採用した。この時、結晶成長させた段
階で、肉眼では観察されなかったものの、Sm211相を
含まない試料ではクラックの存在が確認された。
1相をそれぞれ10,20,30及び40体積%含有するバルク
超電導体に対して、1気圧の酸素気流中で350℃にお
いて200時間の酸素アニ−ルを施した。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて実施例1に示した「条件1」
及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させた組とを用意
した。
却し、10Tの磁場を印加した後、温度を50Kとし、
その後磁場をゆっくり低下させていって磁場を除去した
後、ホ−ル素子を用いて超電導体表面の磁場分布を測定
した。その結果、真空含浸しなかった試料の捕捉磁場は
Sm211相の量が10,20,30及び40体積%の試料におい
てそれぞれ5T,6T,6T及び4Tであった。一方、
真空含浸した試料の捕捉磁場はSm211相の量が10,2
0,30及び40体積%の試料においてそれぞれ6T,9
T,9T及び7Tであった。また、「条件1」及び「条
件2」の何れで樹脂含浸処理したものも捕捉磁場は同様
の結果となった。
ても、Ag添加した試料に樹脂の真空含浸を施すと捕捉磁
場が向上することが確認された。
内に Sm2BaCuO5(Sm211相)を30体積%分散して含有
するバルク材料に更に酸化銀を10重量%含有させた試料
を、溶融法により作製した。溶融条件は、 Sm0.9Ba2.1C
u3Oy 素材を“酸素分圧を1%に保ったアルゴンとの混
合ガスを流した雰囲気”中で1010℃に20分加熱し
た後、990℃まで20分で冷却し、その後SmBa2Cu3O
y 相を種結晶として設置してから、更に850℃まで
0.5℃/hの速度で冷却する条件を採用した。そして、結
晶成長後、1気圧の酸素気流中で350℃において20
0時間の酸素アニ−ルを行った。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて実施例1に示した「条件1」
及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させた組とを用意
した。
却し、10Tの磁場を印加した後、液体窒素に浸漬して
温度を77Kとし、その後磁場をゆっくり低下させてい
って磁場を除去した後、ホ−ル素子を用いて超電導体表
面の磁場分布を測定した。そして、その後更にこの過程
を繰り返し、一回毎に捕捉磁場の測定を行った。
「1」と規定し、これを基準にして繰り返しによる捕捉
磁場の変化を示したグラフである。この図4から明らか
なように、真空含浸しなかった試料では測定回数と共に
捕捉磁場は低下して行くのに対し、真空含浸した試料で
は捕捉磁場は全く低下しないことが分かる。また、「条
件1」及び「条件2」の何れで樹脂含浸処理したものも
捕捉磁場は同様の結果となった。
り返しの冷却及び電磁力印加に対しても捕捉磁場の劣化
を防ぐ効果のあることが確認された。
内に Gd2BaCuO5(Gd211相)を30体積%分散して含有
するバルク材料に更に酸化銀を10重量%含有させた試料
を、溶融法により作製した。溶融条件は、 Gd0.9Ba2.1C
u3Oy 素材を“酸素分圧を1%に保ったアルゴンとの混
合ガスを流した雰囲気”中で1000℃に20分加熱し
た後、980℃まで20分で冷却し、その後GdBa2Cu3O
y 相を種結晶として設置してから、850℃まで 0.5℃
/hの速度で冷却する条件を採用した。そして、結晶成長
後、1気圧の酸素気流中で350℃において200時間
の酸素アニ−ルを行った。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて実施例1に示した「条件1」
及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させた組とを用意
した。
却し、10Tの磁場を印加した後、液体窒素に浸漬して
温度を77Kとし、その後磁場をゆっくり低下させてい
って磁場を除去した後、ホ−ル素子を用いて超電導体表
面の磁場分布を測定した。そして、その後更にこの過程
を繰り返し、一回毎に捕捉磁場の測定を行った。
「1」と規定し、これを基準にして繰り返しによる捕捉
磁場の変化を示したグラフである。この図5から明らか
なように、真空含浸しなかった試料では測定回数と共に
捕捉磁場は低下して行くのに対し、真空含浸した試料で
は捕捉磁場は全く低下しないことが分かる。また、「条
件1」及び「条件2」の何れで樹脂含浸処理したものも
捕捉磁場は同様の結果となった。
ても、真空含浸した試料では繰り返しの冷却及び電磁力
印加に対しても捕捉磁場の劣化を防ぐ効果のあることが
確認された。
2 BaCuO5 相を30体積%分散して含有するバルク材料
を、溶融法により作製した。溶融条件は、YBa2Cu3Oy
素材を1100℃に20分加熱した後、1050℃まで
30分で冷却し、その後SmBa2Cu3Oy 相を種結晶として
設置してから、更に900℃まで 0.5℃/hの速度で冷却
する条件を採用した。そして、結晶成長後、1気圧の酸
素気流中で400℃において250時間の酸素アニ−ル
を行った。
超電導体につき、そのまま樹脂含浸処理をしない組と、
これらを真空容器に入れて実施例1に示した「条件1」
及び「条件2」の含浸法で樹脂を浸透させた組とを用意
した。
浸漬して77Kまで冷却し、また室温まで昇温する作業
を繰り返した。その結果、樹脂の真空含浸を施さなかっ
た試料では3回の冷却・昇温で肉眼で割れが観察された
のに対し、真空含浸した試料では20回冷却・昇温を繰
り返しても割れが観察されなかった。また、「条件1」
及び「条件2」の何れで樹脂含浸処理したものも捕捉磁
場は同様の結果となった。
を向上させるだけでなく、試料を液体窒素で冷却した際
に試料表面と内部で生じる大きな温度差が樹脂含浸によ
り樹脂が熱絶縁材の働きをし、熱歪の緩和にも貢献する
ことを示すものである。
系,Nd系及びGd系の銅酸化物超電導体についての実施例
を示すに止めたが、その他のLa系,Eu系,Dy系,Ho系,
Er系,Tm系及びYb系あるいはこれら希土類元素を複合で
含む系の酸化物超電導バルク体に樹脂含浸させたもの
も、上記実施例の場合と同様に優れた効果を発揮するこ
とも確認済である。
ば、高い捕捉磁場の確保といった超電導特性の向上だけ
でなく、冷却及び昇温の温度履歴や電磁力印加を繰り返
し行った電磁的履歴あるいは腐食性雰囲気中での長期使
用等の場合においても捕捉磁場の劣化がない酸化物超電
導体を用意かつ安価に提供することができるなど、産業
上極めて有用な効果がもたらされる。
る説明図である。
る観察状態を模式図化して示した図面である。
る観察状態を模式図化して示した図面である。
磁場測定結果を示すグラフである。
磁場測定結果を示すグラフである。
24)
内に Sm2BaCuO5(Sm211相)をそれぞれ0,10,20,
30及び40体積%分散して含有するバルク材料を、溶融法
により作製した。溶融条件は、 Sm0.9Ba2.1Cu3Oy 素材
を“酸素分圧を1%に保ったアルゴンとの混合ガスを流
した雰囲気”中で1200℃に20分加熱した後、10
50℃まで20分で冷却し、その後NdBa2Cu3Oy 相を種
結晶として設置してから、900℃まで 0.5℃/hの速度
で冷却する条件を採用した。この時、結晶成長させた段
階で、Sm211相が0及び10体積%の試料では大きなク
ラックが観察された。また、肉眼では観察されなかった
ものの、Sm211相が20体積%の試料でもクラックが認
められた。
Claims (9)
- 【請求項1】 樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク
体から成ることを特徴とする、酸化物超電導体。 - 【請求項2】 酸化物超電導バルク体が希土類元素
(Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm及びYbのう
ちの1種以上)を含む銅酸化物超電導体である、請求項
1記載の酸化物超電導体。 - 【請求項3】 酸化物超電導バルク体が、REBa2Cu3O
y (REはY,Dy,Ho,Er,Tm又はYbのうちの1種以
上)を母相とすると共に、該母層中に50体積%以下の
RE2 BaCuO5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,
Tm及びYbのうちの1種以上)相を含む銅酸化物超電導体
である、請求項1又は2記載の酸化物超電導体。 - 【請求項4】 酸化物超電導バルク体が、RE1+x Ba
2-x Cu3 Oy (REはLa,Nd,Sm,Eu及びGdのうちの1
種以上)を母相とすると共に、該母層中に50体積%以
下のRE4-2x Ba2+2x Cu2-x O10-2x (REはLa及びNd
のうちの1種以上)相又はRE2 BaCuO5 (REはSm,
Eu及びGdの1種以上)相を含む銅酸化物超電導体であ
る、請求項1又は2記載の酸化物超電導体。 - 【請求項5】 酸化物超電導バルク体が40重量%以下
のAgを含んで成る、請求項3又は4記載の酸化物超電導
体。 - 【請求項6】 含浸させた樹脂がエポキシ系樹脂であ
る、請求項1乃至5の何れかに記載の酸化物超電導体。 - 【請求項7】 減圧雰囲気下に保持した酸化物超電導バ
ルク体と液状樹脂とを接触させて酸化物超電導バルク体
に樹脂を含浸させることを特徴とする、請求項1乃至6
の何れかに記載の酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項8】 酸化物超電導バルク体の外表面から樹脂
を含浸させる、請求項7記載の酸化物超電導体の製造方
法。 - 【請求項9】 予め酸化物超電導バルク体に孔を設けて
おくことにより、酸化物超電導バルク体の外表面と内部
の両方から樹脂を含浸させる、請求項7記載の酸化物超
電導体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36172298A JP3144675B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
US09/464,800 US6297199B1 (en) | 1998-12-18 | 1999-12-17 | Resin impregnated oxide superconductor and process for producing same |
EP99125407A EP1011153B1 (en) | 1998-12-18 | 1999-12-20 | Oxide superconductor and process for producing same |
DE69931332T DE69931332T2 (de) | 1998-12-18 | 1999-12-20 | Oxydsupraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36172298A JP3144675B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000178025A true JP2000178025A (ja) | 2000-06-27 |
JP3144675B2 JP3144675B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=18474665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36172298A Expired - Lifetime JP3144675B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6297199B1 (ja) |
EP (1) | EP1011153B1 (ja) |
JP (1) | JP3144675B2 (ja) |
DE (1) | DE69931332T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359408A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Internatl Superconductivity Technology Center | 永久電流スイッチとその使用方法 |
JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
JP2009114006A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Railway Technical Res Inst | 酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体 |
WO2014189043A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3858221B2 (ja) | 2002-06-12 | 2006-12-13 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 高温超電導バルク材製超電導磁石及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261286A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Showa Highpolymer Co Ltd | 成形品の安定化方法 |
JPH01282176A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Showa Highpolymer Co Ltd | 成形品の安定化法 |
FR2665462B1 (fr) * | 1990-08-02 | 1997-08-29 | Centre Nat Rech Scient | Procede de cristallisation en presence de champ magnetique. |
JP2786330B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1998-08-13 | 株式会社日立製作所 | 超電導マグネットコイル、及び該マグネットコイルに用いる硬化性樹脂組成物 |
GB2294592B (en) * | 1994-10-04 | 1997-01-15 | Toshiba Kk | Superconducting coil and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP36172298A patent/JP3144675B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-12-17 US US09/464,800 patent/US6297199B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-20 DE DE69931332T patent/DE69931332T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-20 EP EP99125407A patent/EP1011153B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359408A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Internatl Superconductivity Technology Center | 永久電流スイッチとその使用方法 |
JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
JP4673668B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-04-20 | 新日本製鐵株式会社 | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
JP2009114006A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Railway Technical Res Inst | 酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体 |
WO2014189043A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6297199B1 (en) | 2001-10-02 |
DE69931332D1 (de) | 2006-06-22 |
DE69931332T2 (de) | 2007-02-01 |
JP3144675B2 (ja) | 2001-03-12 |
EP1011153A3 (en) | 2003-09-03 |
EP1011153A2 (en) | 2000-06-21 |
EP1011153B1 (en) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ma et al. | Development of powder-in-tube processed iron pnictide wires and tapes | |
Kenfaui et al. | An effective approach for the development of reliable YBCO bulk cryomagnets with high trapped field performances | |
Watanabe et al. | Nb/sub 3/Sn multifilamentary wires with CuNb reinforcing stabilizer | |
Bock et al. | Melt cast processed (MCP)-BSCCO 2212 tubes for power applications up to 10 kA | |
Huang et al. | An efficient approach for superconducting joint of YBCO coated conductors | |
US8512799B2 (en) | Process of producing a superconducting magnet made of a high-temperature bulk superconductor | |
JP3144675B2 (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
EP1035593B1 (en) | Resin impregnated oxide superconductor and process for producing same | |
Kumakura et al. | Superconducting properties of textured Bi-Sr-Ca-Cu-O tapes prepared by applying doctor blade casting | |
JP3100375B1 (ja) | 特性維持性能に優れた酸化物超電導体及びその製造方法 | |
JP3090658B1 (ja) | 耐割れ性に優れた酸化物超電導体及びその製造方法 | |
JP3100370B2 (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
Suo et al. | Transport critical current densities and n factors in mono-and multifilamentary MgB/sub 2//Fe tapes and wires using fine powders | |
Tomita et al. | Mechanical properties of bulk superconductors with resin impregnation | |
Nishijima et al. | Strain dependence of critical current for Nb 3 Al superconducting wire fabricated by restacked RHQT process | |
Murakami et al. | Tensile properties of DyBaCuO low porosity bulk material melt-processed in oxygen atmosphere | |
Tachikawa | Recent developments in high-field superconductors | |
JP2557498B2 (ja) | 線状超電導材の製造方法 | |
Hamasaki et al. | Effects of Hot Isostatic Pressing on Superconducting Properties of Nb/ss Sheathed PbMo 6 S 8 Monofilamentary Wires | |
Sharma et al. | Improved superconducting properties of the composite-processed V3Ga wires with changed configuration | |
Pickus | SUPERCONDUCTORS BY POWDER METALLURGY TECHNIOUES | |
JPH08241635A (ja) | 酸化物超電導線材およびその製造方法 | |
Kumakura | Bi-2212/Ag composite tapes processed by doctor-blade or dip-coating process | |
Kimura et al. | Improvement of thermal stability with alloy impregnation in Gd-Ba-Cu-O superconductors for pulsed field magnetization | |
Sessions | Materials Sessions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 9 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 12 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 12 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140105 Year of fee payment: 13 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |