JP2000173926A - シリコンウエハヘのｃｖｄ膜成膜方法 - Google Patents
シリコンウエハヘのｃｖｄ膜成膜方法Info
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- JP2000173926A JP2000173926A JP10343336A JP34333698A JP2000173926A JP 2000173926 A JP2000173926 A JP 2000173926A JP 10343336 A JP10343336 A JP 10343336A JP 34333698 A JP34333698 A JP 34333698A JP 2000173926 A JP2000173926 A JP 2000173926A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハへのチッピングを防止し、Ｃ
ＶＤ成膜時の歩留まりが向上したシリコンウエハへのＣ
ＶＤ膜成膜方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜
を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜する方法
である。複数のシリコンウエハを溝１４に保持してなる
保持具１を回転すると共に、保持具１の回転を間欠的に
停止し、次いで再開する。また、複数のシリコンウエハ
を溝１４に保持してなる保持具１に微少な振動を付与す
る。
ＶＤ成膜時の歩留まりが向上したシリコンウエハへのＣ
ＶＤ膜成膜方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜
を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜する方法
である。複数のシリコンウエハを溝１４に保持してなる
保持具１を回転すると共に、保持具１の回転を間欠的に
停止し、次いで再開する。また、複数のシリコンウエハ
を溝１４に保持してなる保持具１に微少な振動を付与す
る。
Description
【０００ｌ】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
へのＣＶＤ膜成膜方法に関する。
へのＣＶＤ膜成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来から、シリコンウエハ表面に多結
晶シリコン膜を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により
成膜させることが行われている。このことにより、デバ
イス作成時に裏面に存在することになるこの多結晶シリ
コン膜が、他方の鏡面（デバイスの素子が打ち込まれる
側）の不純物をゲッタリングし、デバイス歩留まりやデ
バイス性能を向上させることができる。
晶シリコン膜を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により
成膜させることが行われている。このことにより、デバ
イス作成時に裏面に存在することになるこの多結晶シリ
コン膜が、他方の鏡面（デバイスの素子が打ち込まれる
側）の不純物をゲッタリングし、デバイス歩留まりやデ
バイス性能を向上させることができる。
【０００３】 上記の化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）
は、次のように行われる。すなわち、シリコンインゴッ
トより、スライス工程、ラッピング工程、エッチング工
程、およひ洗浄工程を経て得られたシリコンウエハを、
通常石英からなるボートと呼ばれる保持具にセットし、
それを加熱炉の中に入れ、６００〜７００℃の温度で導
入されたモノシランガス（ＳｉＨ4）がシリコンウエハ
表面で熱分解し、多結晶シリコンが析出し、シリコンウ
エハ表面に多結晶シリコン膜が形成される。なお、多結
晶シリコン膜の厚みは１．０〜１．６μｍ程度である。
は、次のように行われる。すなわち、シリコンインゴッ
トより、スライス工程、ラッピング工程、エッチング工
程、およひ洗浄工程を経て得られたシリコンウエハを、
通常石英からなるボートと呼ばれる保持具にセットし、
それを加熱炉の中に入れ、６００〜７００℃の温度で導
入されたモノシランガス（ＳｉＨ4）がシリコンウエハ
表面で熱分解し、多結晶シリコンが析出し、シリコンウ
エハ表面に多結晶シリコン膜が形成される。なお、多結
晶シリコン膜の厚みは１．０〜１．６μｍ程度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、従来
の石英からなる保持具を用いてシリコンウエハ表面に多
結晶シリコン膜をＣＶＤ成膜する場合においては、図２
に示すように、保持具１の溝形状は、シリコンウエハ１
０を載置する鍔状凸部１１の第一面１２がフラットな形
状であるため、第一面１２にシリコンウエハ１０が多結
晶シリコン膜により接着してしまい、シリコンウエハ１
０をはがす際にウエハ１０にチッピング１３が頻発する
という問題があった。
の石英からなる保持具を用いてシリコンウエハ表面に多
結晶シリコン膜をＣＶＤ成膜する場合においては、図２
に示すように、保持具１の溝形状は、シリコンウエハ１
０を載置する鍔状凸部１１の第一面１２がフラットな形
状であるため、第一面１２にシリコンウエハ１０が多結
晶シリコン膜により接着してしまい、シリコンウエハ１
０をはがす際にウエハ１０にチッピング１３が頻発する
という問題があった。
【０００５】 そこで、本発明者は、上記従来の問題に
鑑み、鋭意検討を重ねた結果、ウエハのチップ発生が保
持具とウエハの同じ筒所での長時間接触に起因している
ことを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明の
目的は、上記した従来の問題を解決した、シリコンウエ
ハへのチッピングを防止し、ＣＶＤ成膜時の歩留まりが
向上したシリコンウエハへのＣＶＤ膜成膜方法を提供す
ることである。
鑑み、鋭意検討を重ねた結果、ウエハのチップ発生が保
持具とウエハの同じ筒所での長時間接触に起因している
ことを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明の
目的は、上記した従来の問題を解決した、シリコンウエ
ハへのチッピングを防止し、ＣＶＤ成膜時の歩留まりが
向上したシリコンウエハへのＣＶＤ膜成膜方法を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本発明によれば、シリ
コンウエハ表面に多結晶シリコン膜を化学気相反応堆積
法（ＣＶＤ法）により成膜するに当たり、複数のシリコ
ンウエハを溝に保持してなる保持具を回転すると共に、
該保持具の回転を間欠的に停止し、次いで再開すること
を特徴とするシリコンウエハヘのＣＶＤ膜成膜方法、が
提供される。
コンウエハ表面に多結晶シリコン膜を化学気相反応堆積
法（ＣＶＤ法）により成膜するに当たり、複数のシリコ
ンウエハを溝に保持してなる保持具を回転すると共に、
該保持具の回転を間欠的に停止し、次いで再開すること
を特徴とするシリコンウエハヘのＣＶＤ膜成膜方法、が
提供される。
【０００７】 また、本発明によれば、シリコンウエハ
表面に多結晶シリコン膜を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ
法）により成膜するに当たり、複数のシリコンウエハを
溝に保持してなる保持具に微少な振動を付与することを
特徴とするシリコンウエハヘのＣＶＤ膜成膜方法、が提
供される。
表面に多結晶シリコン膜を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ
法）により成膜するに当たり、複数のシリコンウエハを
溝に保持してなる保持具に微少な振動を付与することを
特徴とするシリコンウエハヘのＣＶＤ膜成膜方法、が提
供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】 以下、本発明を更に詳しく説明
する。図１（ａ）（ｂ）はシリコンウエハを保持する保
持具の一例を全体概要図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は正面図である。図１（ａ）（ｂ）において、５
本の断面円形の棒状体２０を、上リング２１および下リ
ング２２により保持して、シリコンウエハを保持する保
持具１を構成している。そして、保持具１を構成する棒
状体２０の内周側には多数の溝１４が形成されている。
する。図１（ａ）（ｂ）はシリコンウエハを保持する保
持具の一例を全体概要図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は正面図である。図１（ａ）（ｂ）において、５
本の断面円形の棒状体２０を、上リング２１および下リ
ング２２により保持して、シリコンウエハを保持する保
持具１を構成している。そして、保持具１を構成する棒
状体２０の内周側には多数の溝１４が形成されている。
【０００９】 図１（ａ）（ｂ）に示すような保持具に
形成された多数の溝にシリコンウエハを載置した後、保
持具を化学気相反応堆積炉（ＣＶＤ炉）内に入れる。次
いで、ＣＶＤ炉を作動させてシリコンウエハ表面に多結
晶シリコン膜を析出させ、膜を形成するが、この際、保
持具を回転させるとともに、保持具の回転を所定時間の
インターバルをおいて間欠的に停止し、次いで再開する
ことにより、シリコンウエハと保持具の溝との接触位置
を極微少変化させる。この停止及び再開は緩やかな停止
及び再開よりは急停止、急再開が好ましい。このよう
に、シリコンウエハが載置された溝部分の位置を極微少
ずらす、あるいは変化させると、シリコンウエハと溝と
の接着が防止され、その結果、シリコンウエハのチッピ
ングが防止できる。
形成された多数の溝にシリコンウエハを載置した後、保
持具を化学気相反応堆積炉（ＣＶＤ炉）内に入れる。次
いで、ＣＶＤ炉を作動させてシリコンウエハ表面に多結
晶シリコン膜を析出させ、膜を形成するが、この際、保
持具を回転させるとともに、保持具の回転を所定時間の
インターバルをおいて間欠的に停止し、次いで再開する
ことにより、シリコンウエハと保持具の溝との接触位置
を極微少変化させる。この停止及び再開は緩やかな停止
及び再開よりは急停止、急再開が好ましい。このよう
に、シリコンウエハが載置された溝部分の位置を極微少
ずらす、あるいは変化させると、シリコンウエハと溝と
の接着が防止され、その結果、シリコンウエハのチッピ
ングが防止できる。
【００１０】 上記において、保持具の回転は、速度が
２ｒｐｍ〜１５ｒｐｍの範囲が好ましく使用され、保持
具の回転、停止、再開のインターバルとしては、特に限
定されないが、通常、回転は３〜８ｒｐｍ、停止及び再
開のインターバルは２〜１０分間毎が好ましく、その
時、停止は０．１秒〜５秒の範囲とすることが好まし
い。
２ｒｐｍ〜１５ｒｐｍの範囲が好ましく使用され、保持
具の回転、停止、再開のインターバルとしては、特に限
定されないが、通常、回転は３〜８ｒｐｍ、停止及び再
開のインターバルは２〜１０分間毎が好ましく、その
時、停止は０．１秒〜５秒の範囲とすることが好まし
い。
【００１１】 また、シリコンウエハのチッピングは、
保持具に微少な振動を与えることによっても、防止する
ことができる。微少な振動の付与により、シリコンウエ
ハと保持具の溝との接触位置が極微少変化し、そのた
め、シリコンウエハと溝との接着が防止される。保持具
に与える振動は微少であればよいが、少なくともシリコ
ンウエハと保持具の溝との接触位置が極微少変化するこ
とが必要である。従って、保持具の振動としては、振幅
が０．１〜５０μｍ、周波数が５Ｈｚ〜２００Ｈｚ、振
動付加時間は１秒〜１０秒で、付加インターバルは１〜
１０分毎であることが好ましい。また、本発明において
は、保持具を回転するとともに振動を付与することがよ
り好ましい。
保持具に微少な振動を与えることによっても、防止する
ことができる。微少な振動の付与により、シリコンウエ
ハと保持具の溝との接触位置が極微少変化し、そのた
め、シリコンウエハと溝との接着が防止される。保持具
に与える振動は微少であればよいが、少なくともシリコ
ンウエハと保持具の溝との接触位置が極微少変化するこ
とが必要である。従って、保持具の振動としては、振幅
が０．１〜５０μｍ、周波数が５Ｈｚ〜２００Ｈｚ、振
動付加時間は１秒〜１０秒で、付加インターバルは１〜
１０分毎であることが好ましい。また、本発明において
は、保持具を回転するとともに振動を付与することがよ
り好ましい。
【００１２】
【実施例】 以下、本発明を実施例に基づいて、さらに
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られ
るものではない。 （実施例１）８インチ径のシリコンウエハを１００枚、
溝に保持した保持具を回転数５ｒｐｍで回転した。ま
た、この保持具の回転について、停止・再開のインター
バルは５分とし、停止時間は１秒とした。以上の条件
で、シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜を化学気相
反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜した。その結果、シ
リコンウエハのエッジチッピングの発生率が０〜２％
（実施回数ｎ＝３）であった。なお、比較のため、上記
のように保持具を回転しないで、シリコンウエハに多結
晶シリコン膜をＣＶＤ法により成膜したところ、５〜１
５％の割合でエッジチッピングが発生した。
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られ
るものではない。 （実施例１）８インチ径のシリコンウエハを１００枚、
溝に保持した保持具を回転数５ｒｐｍで回転した。ま
た、この保持具の回転について、停止・再開のインター
バルは５分とし、停止時間は１秒とした。以上の条件
で、シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜を化学気相
反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜した。その結果、シ
リコンウエハのエッジチッピングの発生率が０〜２％
（実施回数ｎ＝３）であった。なお、比較のため、上記
のように保持具を回転しないで、シリコンウエハに多結
晶シリコン膜をＣＶＤ法により成膜したところ、５〜１
５％の割合でエッジチッピングが発生した。
【００１３】（実施例２）８インチ径のシリコンウエハ
を１００枚、溝に保持した保持具を、振幅５μｍ、周波
数５０Ｈｚ、振動付加時間５秒で、付加インターバル５
分毎とした。以上の条件で、シリコンウエハ表面に多結
晶シリコン膜をＣＶＤ法により成膜した。その結果、シ
リコンウエハのエッジチッピングの発生率が０〜２％
（実施回数ｎ＝３）であった。
を１００枚、溝に保持した保持具を、振幅５μｍ、周波
数５０Ｈｚ、振動付加時間５秒で、付加インターバル５
分毎とした。以上の条件で、シリコンウエハ表面に多結
晶シリコン膜をＣＶＤ法により成膜した。その結果、シ
リコンウエハのエッジチッピングの発生率が０〜２％
（実施回数ｎ＝３）であった。
【００１４】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれ
ば、シリコンウエハヘのＣＶＤ成膜時において、シリコ
ンウエハヘのチッピングが防止され、ＣＶＤ成膜時の歩
留まりが向上するという顕著な効果を奏する。
ば、シリコンウエハヘのＣＶＤ成膜時において、シリコ
ンウエハヘのチッピングが防止され、ＣＶＤ成膜時の歩
留まりが向上するという顕著な効果を奏する。
【図ｌ】 シリコンウエハを保持する保持具の一例を全
体概要図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図であ
る。
体概要図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図であ
る。
【図２】 石英からなる保持具の溝形状を示す部分説明
図である。
図である。
ｌ…保持具、１０…シリコンウエハ、１４…溝、２０…
棒状体、２１…上リング、２２…下リング。
棒状体、２１…上リング、２２…下リング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA29 BB03 CA04 CA12 FA10 GA02 GA06 GA08 LA01 LA15 5F045 AB03 AF03 EM08 EM10
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜
を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜するに当
たり、 複数のシリコンウエハを溝に保持してなる保持具を回転
すると共に、該保持具の回転を間欠的に停止し、次いで
再開することを特徴とするシリコンウエハへのＣＶＤ膜
成膜方法。 - 【請求項２】 シリコンウエハ表面に多結晶シリコン膜
を化学気相反応堆積法（ＣＶＤ法）により成膜するに当
たり、 複数のシリコンウエハを溝に保持してなる保持具に微少
な振動を付与することを特徴とするシリコンウエハへの
ＣＶＤ膜成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10343336A JP2000173926A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | シリコンウエハヘのｃｖｄ膜成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10343336A JP2000173926A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | シリコンウエハヘのｃｖｄ膜成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173926A true JP2000173926A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18360745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10343336A Withdrawn JP2000173926A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | シリコンウエハヘのｃｖｄ膜成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020043260A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶膜の成膜方法、基板載置機構および成膜装置 |
| JP2021174891A (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP10343336A patent/JP2000173926A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020043260A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶膜の成膜方法、基板載置機構および成膜装置 |
| JP2021174891A (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
| JP7330134B2 (ja) | 2020-04-27 | 2023-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |