JP2000169959A - 光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングによって形成される膜の均一
性に優れた、特に光ディスク用反射膜の製作に好適なＡ
ｌ合金焼結体スパタリングターゲットを得る。 【解決手段】 Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有し、結晶粒
径が３０μ以下である光ディスク用反射膜形成用Ａｌ−
Ｔｉ合金焼結体スパタリングターゲット。
性に優れた、特に光ディスク用反射膜の製作に好適なＡ
ｌ合金焼結体スパタリングターゲットを得る。 【解決手段】 Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有し、結晶粒
径が３０μ以下である光ディスク用反射膜形成用Ａｌ−
Ｔｉ合金焼結体スパタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よって形成される膜（層）の均一性に優れた、特に光デ
ィスク用反射膜（層）に好適なＡｌ合金焼結体からなる
スパッタリングターゲットに関する。
よって形成される膜（層）の均一性に優れた、特に光デ
ィスク用反射膜（層）に好適なＡｌ合金焼結体からなる
スパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ヘッドを必要とせずに記録・
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクも再生専用
型、追記型、書き換え型があるが、いずれもアルミニウ
ム（合金）反射膜が利用されている。この中で追記型又
は書き換え型で使用されている相変化方式を用いた記録
・再生の原理を簡単に説明する。相変化光ディスクは、
基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温
させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（アモル
ファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行う。
そしてその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変
化を検出して情報の再生を行なうものである。
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクも再生専用
型、追記型、書き換え型があるが、いずれもアルミニウ
ム（合金）反射膜が利用されている。この中で追記型又
は書き換え型で使用されている相変化方式を用いた記録
・再生の原理を簡単に説明する。相変化光ディスクは、
基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温
させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（アモル
ファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行う。
そしてその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変
化を検出して情報の再生を行なうものである。
【０００３】上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞っ
たレーザー光の照射によって行なう。この場合、例えば
１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通過す
るとき、光ディスクのある点に光が照射される時間は１
００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率の検
出を行なう必要がある。また、上記結晶学的な相変化す
なわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上で、
溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでなく周辺
の誘電体保護層やアルミニウム（合金）反射膜にも繰返
し付与されることになる。このように、特にアルミニウ
ムのような金属は繰り返し昇温・冷却による熱ストレス
や経年変化も考慮しなければならない。
たレーザー光の照射によって行なう。この場合、例えば
１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通過す
るとき、光ディスクのある点に光が照射される時間は１
００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率の検
出を行なう必要がある。また、上記結晶学的な相変化す
なわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上で、
溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでなく周辺
の誘電体保護層やアルミニウム（合金）反射膜にも繰返
し付与されることになる。このように、特にアルミニウ
ムのような金属は繰り返し昇温・冷却による熱ストレス
や経年変化も考慮しなければならない。
【０００４】このようなことから相変化光ディスクは図
１に示すように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層４
の両側をＺｎＳ・ＳｉＯ2 系の高融点誘電体の保護層
３、５で挟み、さらにアルミニウム合金反射膜６を設け
た四層構造となっている。このなかで反射層６と保護層
３、５はアモルファス部と結晶部との反射率の差が大き
い光学的機能が要求されるほか、記録薄膜４の耐湿性や
熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件
の制御という機能が要求される。このように、アルミニ
ウム合金反射膜６は繊細な反射体としての機能と上記の
ような熱等のストレスに対して耐性をもち強靭である必
要がある。なお、図１において符号１はレーザー入射方
向、符号２はポリカーボネート等の基板、符号７はオー
バーコート、符号８は接着層をそれぞれ示す。
１に示すように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層４
の両側をＺｎＳ・ＳｉＯ2 系の高融点誘電体の保護層
３、５で挟み、さらにアルミニウム合金反射膜６を設け
た四層構造となっている。このなかで反射層６と保護層
３、５はアモルファス部と結晶部との反射率の差が大き
い光学的機能が要求されるほか、記録薄膜４の耐湿性や
熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件
の制御という機能が要求される。このように、アルミニ
ウム合金反射膜６は繊細な反射体としての機能と上記の
ような熱等のストレスに対して耐性をもち強靭である必
要がある。なお、図１において符号１はレーザー入射方
向、符号２はポリカーボネート等の基板、符号７はオー
バーコート、符号８は接着層をそれぞれ示す。
【０００５】上記アルミニウム合金反射膜は、通常スパ
ッタリング法によって形成されている。このスパッタリ
ング法は正の電極と負の電極となるターゲットとを対向
させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲット
の間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、
この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが
形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負
の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだ
し、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して
膜が形成されるという原理を用いたものである。上記タ
ーゲットとなるアルミニウム合金はＡｌ−Ｔｉ合金を溶
解してインゴットとした後、圧延や鍛造などにより平板
状のターゲットに加工されていた。従来このように成形
されたターゲットを使用してスパッタリングし、アルミ
ニウム合金反射膜を形成しても要求性能がそれほどシビ
ヤでない段階では特に問題となるものではなかったが、
性能が厳しく要求されるようになっている昨今ではこの
ようなターゲットの作製段階でも性能の向上が要求され
るようになった。スパッタリングにより被覆されたアル
ミニウム合金反射膜の性能の良否を観察すると、反射膜
の性能は該膜の均一性に関係し、さらにこの膜の均一性
はスパッタリングターゲットに起因することまでは分か
ったが、従来それ以上の解決策を見いだすに至っていな
かった。
ッタリング法によって形成されている。このスパッタリ
ング法は正の電極と負の電極となるターゲットとを対向
させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲット
の間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、
この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが
形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負
の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだ
し、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して
膜が形成されるという原理を用いたものである。上記タ
ーゲットとなるアルミニウム合金はＡｌ−Ｔｉ合金を溶
解してインゴットとした後、圧延や鍛造などにより平板
状のターゲットに加工されていた。従来このように成形
されたターゲットを使用してスパッタリングし、アルミ
ニウム合金反射膜を形成しても要求性能がそれほどシビ
ヤでない段階では特に問題となるものではなかったが、
性能が厳しく要求されるようになっている昨今ではこの
ようなターゲットの作製段階でも性能の向上が要求され
るようになった。スパッタリングにより被覆されたアル
ミニウム合金反射膜の性能の良否を観察すると、反射膜
の性能は該膜の均一性に関係し、さらにこの膜の均一性
はスパッタリングターゲットに起因することまでは分か
ったが、従来それ以上の解決策を見いだすに至っていな
かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アルミニウ
ム合金ターゲットの製造工程を抜本的に見直し、Ａｌ−
Ｔｉ合金ターゲットの組織を改善することによりスパッ
タリングにより形成されたアルミニウム合金反射膜
（層）の均一性を良好にし、アルミニウム合金反射膜の
もつ光学的機能を改良した光ディスク反射膜形成用スパ
ッタリングターゲットを得ることを目的とする。
ム合金ターゲットの製造工程を抜本的に見直し、Ａｌ−
Ｔｉ合金ターゲットの組織を改善することによりスパッ
タリングにより形成されたアルミニウム合金反射膜
（層）の均一性を良好にし、アルミニウム合金反射膜の
もつ光学的機能を改良した光ディスク反射膜形成用スパ
ッタリングターゲットを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を行なった結果、従来の溶
解鋳造によるインゴットの圧延又は鍛造の加工法に替
え、Ａｌ及びＴｉ粉末を焼結法により製造したＡｌ合金
焼結体スパッタリングターゲットとすることにより、ス
パッタリングにより形成されるアルミニウム合金反射膜
の均一性を著しく向上させ、安定した製造条件で再現性
よくかつ品質の良い薄膜を得ることができるとの知見を
得た。本発明はこの知見に基ずき、 １ 結晶粒径が３０μｍ以下であることを特徴とするＡ
ｌ合金焼結体からなる光ディスク反射膜形成用スパッタ
リングターゲット ２ Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有するＡｌ−Ｔｉ合金で
あることを特徴とする上記１記載の光ディスク反射膜形
成用スパッタリングターゲット ３ ＨＩＰ又はホットプレスを用いることにより粒成長
を抑制したことを特徴とする上記１又は２に記載の光デ
ィスク反射膜形成用スパッタリングターゲット 、を提供する。
めに、本発明者らは鋭意研究を行なった結果、従来の溶
解鋳造によるインゴットの圧延又は鍛造の加工法に替
え、Ａｌ及びＴｉ粉末を焼結法により製造したＡｌ合金
焼結体スパッタリングターゲットとすることにより、ス
パッタリングにより形成されるアルミニウム合金反射膜
の均一性を著しく向上させ、安定した製造条件で再現性
よくかつ品質の良い薄膜を得ることができるとの知見を
得た。本発明はこの知見に基ずき、 １ 結晶粒径が３０μｍ以下であることを特徴とするＡ
ｌ合金焼結体からなる光ディスク反射膜形成用スパッタ
リングターゲット ２ Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有するＡｌ−Ｔｉ合金で
あることを特徴とする上記１記載の光ディスク反射膜形
成用スパッタリングターゲット ３ ＨＩＰ又はホットプレスを用いることにより粒成長
を抑制したことを特徴とする上記１又は２に記載の光デ
ィスク反射膜形成用スパッタリングターゲット 、を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】従来のＡｌ−Ｔｉ合金を溶解鋳造
によりインゴットを作製し、これをさらに鍛造・圧延等
の加工により平板状のターゲットにする方法（溶製法）
は、最も簡便な方法として、コスト的にもこれ以外の方
法は現実的でないと考えられていた。しかし、この溶製
法によって製造されたスパッタリングターゲットの結晶
粒径は５０μｍ以上となる。また、Ａｌ−Ｔｉ合金の溶
製法による結果として針状の粗大なＡｌ3Ｔｉ 相が形成
される。このような粗大化した結晶はスパッタリング時
に反射膜の不均一性を増大せしめることが分かった。こ
のため、本発明は従来の溶製法に替えＡｌ−Ｔｉ合金タ
ーゲットの製造では非効率的（不利）と考えられていた
粉末の焼結により、上記のような問題を一挙に解決し、
ターゲット内の結晶粒径を３０μｍ以下に押さえ、かつ
針状の粗大なＡｌ3Ｔｉ相（金属間化合物相）を形成さ
せずに又は低減させて、ターゲットを得ることができる
ようになった。そしてこれによって得られたＡｌ−Ｔｉ
合金焼結体ターゲットを用いてスパッタリングし反射膜
を形成すると、該反射膜の均一性が著しく改善され、好
適な光ディスク用反射膜が得られることが分かった。こ
こで、本発明の「Ａｌ−Ｔｉ合金焼結体ターゲット」と
いうのは、後述するＡｌ粉末及びＴｉ粉末の均一混合粉
末をホットプレス又はＨＩＰ等により焼結して得た焼結
体を意味するものであり、焼結体の内部において完全に
合金化していない部分があっても、このＡｌ−Ｔｉ合金
焼結体に含まれるものとする。すなわち、このでいうＡ
ｌ−Ｔｉ合金焼結体ターゲットは溶解法（溶製法）によ
らずに、作製したものを意味する。
によりインゴットを作製し、これをさらに鍛造・圧延等
の加工により平板状のターゲットにする方法（溶製法）
は、最も簡便な方法として、コスト的にもこれ以外の方
法は現実的でないと考えられていた。しかし、この溶製
法によって製造されたスパッタリングターゲットの結晶
粒径は５０μｍ以上となる。また、Ａｌ−Ｔｉ合金の溶
製法による結果として針状の粗大なＡｌ3Ｔｉ 相が形成
される。このような粗大化した結晶はスパッタリング時
に反射膜の不均一性を増大せしめることが分かった。こ
のため、本発明は従来の溶製法に替えＡｌ−Ｔｉ合金タ
ーゲットの製造では非効率的（不利）と考えられていた
粉末の焼結により、上記のような問題を一挙に解決し、
ターゲット内の結晶粒径を３０μｍ以下に押さえ、かつ
針状の粗大なＡｌ3Ｔｉ相（金属間化合物相）を形成さ
せずに又は低減させて、ターゲットを得ることができる
ようになった。そしてこれによって得られたＡｌ−Ｔｉ
合金焼結体ターゲットを用いてスパッタリングし反射膜
を形成すると、該反射膜の均一性が著しく改善され、好
適な光ディスク用反射膜が得られることが分かった。こ
こで、本発明の「Ａｌ−Ｔｉ合金焼結体ターゲット」と
いうのは、後述するＡｌ粉末及びＴｉ粉末の均一混合粉
末をホットプレス又はＨＩＰ等により焼結して得た焼結
体を意味するものであり、焼結体の内部において完全に
合金化していない部分があっても、このＡｌ−Ｔｉ合金
焼結体に含まれるものとする。すなわち、このでいうＡ
ｌ−Ｔｉ合金焼結体ターゲットは溶解法（溶製法）によ
らずに、作製したものを意味する。
【０００９】粉末はそれぞれ高純度の２５μｍ〜２０μ
ｍ程度の均一微細なＡｌ粉末及びＴｉ粉末を用いる。Ａ
ｌ粉末とＴｉ粉末を十分に撹拌混合した後、予備成形後
ホットプレス又はＨＩＰ法（必要に応じてＣＩＰ後にＨ
ＩＰ）により焼結してターゲットに成形する。このよう
にして得られたＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットは、Ａｌ粉末
及びＴｉ粉末から出発しているので、溶製法によって得
られたような結晶粒の粗大化や針状の粗大な Ａｌ3Ｔｉ
相（金属間化合物相）が形成されることがない。これに
よって、良好な反射膜形成用Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲット
が得られる。Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有させる理由
は、反射膜としての光学的機能を十分に持たせること及
びさらに耐湿性や熱による変形の防止機能、繰り返し昇
温・冷却による熱ストレスや経年変化に耐性のある反射
膜とするためである。また、結晶粒径を３０μｍ以下と
する理由は、スパッタリングにより形成された反射膜の
均一性を確保するためである。
ｍ程度の均一微細なＡｌ粉末及びＴｉ粉末を用いる。Ａ
ｌ粉末とＴｉ粉末を十分に撹拌混合した後、予備成形後
ホットプレス又はＨＩＰ法（必要に応じてＣＩＰ後にＨ
ＩＰ）により焼結してターゲットに成形する。このよう
にして得られたＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットは、Ａｌ粉末
及びＴｉ粉末から出発しているので、溶製法によって得
られたような結晶粒の粗大化や針状の粗大な Ａｌ3Ｔｉ
相（金属間化合物相）が形成されることがない。これに
よって、良好な反射膜形成用Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲット
が得られる。Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有させる理由
は、反射膜としての光学的機能を十分に持たせること及
びさらに耐湿性や熱による変形の防止機能、繰り返し昇
温・冷却による熱ストレスや経年変化に耐性のある反射
膜とするためである。また、結晶粒径を３０μｍ以下と
する理由は、スパッタリングにより形成された反射膜の
均一性を確保するためである。
【００１０】
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例に基
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
【００１１】（実施例）平均粒径２５μｍのＡｌ粉末と
平均粒径２０μｍのＴｉ１．５ｗｔ％粉末とを混合し、
Ａｒガス雰囲気の条件下で、温度５５０°Ｃ、圧力１５
０Ｋｇｆ／ｃｍ 2 でホットプレスを行なった。得られた
ターゲットの密度は２．７２ｇ／ｃｍ3であった。この
ようにして得たＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体の顕微
鏡組織観察を行なったところ、図２〜図４に示すように
均一な結晶粒の組織が観察された。図２はＡｌ−Ｔｉ合
金ターゲット焼結体の全体の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ
像）であり、図３はＡｌ部位を示す顕微鏡組織写真（Ｓ
ＥＭ像）、図４はＴｉ部位を示す顕微鏡組織写真（ＳＥ
Ｍ像）である。また、このＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットを
使用して２時間（分）スパッタリングし、そのスパッタ
面の組織を観察したところ、図８に示すように平滑（平
均粗さが１．５μｍ）であり、かつ微細な組織のなエロ
ージョン面が観察された。さらにこのＡｌ−Ｔｉ合金タ
ーゲットを使用して基板上にＡｌ−Ｔｉ合金膜を形成し
たところ、φ１２０ｍｍ基板上で膜厚の均一性が±２％
であるという均一性に優れた膜が形成された。この実施
例ではホットプレスを用いて製作したが、ＨＩＴによっ
ても同様に良好なＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体が得
られた。
平均粒径２０μｍのＴｉ１．５ｗｔ％粉末とを混合し、
Ａｒガス雰囲気の条件下で、温度５５０°Ｃ、圧力１５
０Ｋｇｆ／ｃｍ 2 でホットプレスを行なった。得られた
ターゲットの密度は２．７２ｇ／ｃｍ3であった。この
ようにして得たＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体の顕微
鏡組織観察を行なったところ、図２〜図４に示すように
均一な結晶粒の組織が観察された。図２はＡｌ−Ｔｉ合
金ターゲット焼結体の全体の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ
像）であり、図３はＡｌ部位を示す顕微鏡組織写真（Ｓ
ＥＭ像）、図４はＴｉ部位を示す顕微鏡組織写真（ＳＥ
Ｍ像）である。また、このＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットを
使用して２時間（分）スパッタリングし、そのスパッタ
面の組織を観察したところ、図８に示すように平滑（平
均粗さが１．５μｍ）であり、かつ微細な組織のなエロ
ージョン面が観察された。さらにこのＡｌ−Ｔｉ合金タ
ーゲットを使用して基板上にＡｌ−Ｔｉ合金膜を形成し
たところ、φ１２０ｍｍ基板上で膜厚の均一性が±２％
であるという均一性に優れた膜が形成された。この実施
例ではホットプレスを用いて製作したが、ＨＩＴによっ
ても同様に良好なＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体が得
られた。
【００１２】（比較例）次に、Ｔｉ２ａｔ％を含有する
Ａｌ−Ｔｉ合金を１２００°Ｃで溶製してインゴットを
作製した。このインゴットを所定厚みにスライスし、さ
らに冷間圧延してＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットとした。こ
のようにして得た溶製法によるＡｌ−Ｔｉ合金ターゲッ
トの顕微鏡組織観察を行なったところ、図５〜図７に示
すように粗大な Ａｌ3Ｔｉ相（金属間化合物相）の組織
が観察された。図５はＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットの全体
の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）であり、図６はＡｌ部位
を示す顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）、図７はＴｉ部位を
示す顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。また、このＡ
ｌ−Ｔｉ合金ターゲットを使用して２時間（分）スパッ
タリングし、そのスパッタ面の組織を観察したところ、
図９に示すように平滑ではなく（平均粗さ４．５μ
ｍ）、全面の亘って結晶相を反映した針状のエロージョ
ン面が観察された。さらにこのＡｌ−Ｔｉ合金ターゲッ
トを使用して基板上にＡｌ−Ｔｉ合金膜を形成したとこ
ろ、φ１２０ｍｍ基板上で膜厚の均一性が±５％である
という膜の均一性に劣る膜が形成された。
Ａｌ−Ｔｉ合金を１２００°Ｃで溶製してインゴットを
作製した。このインゴットを所定厚みにスライスし、さ
らに冷間圧延してＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットとした。こ
のようにして得た溶製法によるＡｌ−Ｔｉ合金ターゲッ
トの顕微鏡組織観察を行なったところ、図５〜図７に示
すように粗大な Ａｌ3Ｔｉ相（金属間化合物相）の組織
が観察された。図５はＡｌ−Ｔｉ合金ターゲットの全体
の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）であり、図６はＡｌ部位
を示す顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）、図７はＴｉ部位を
示す顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。また、このＡ
ｌ−Ｔｉ合金ターゲットを使用して２時間（分）スパッ
タリングし、そのスパッタ面の組織を観察したところ、
図９に示すように平滑ではなく（平均粗さ４．５μ
ｍ）、全面の亘って結晶相を反映した針状のエロージョ
ン面が観察された。さらにこのＡｌ−Ｔｉ合金ターゲッ
トを使用して基板上にＡｌ−Ｔｉ合金膜を形成したとこ
ろ、φ１２０ｍｍ基板上で膜厚の均一性が±５％である
という膜の均一性に劣る膜が形成された。
【００１３】
【発明の効果】本発明の、結晶粒径が３０μｍ以下であ
るＡｌ合金焼結体ターゲットを用いてスパッタリングす
ると、光ディスク用反射膜に好適な光学的機能を十分に
持ちかつ、また耐湿性や熱による変形の防止機能、繰り
返し昇温・冷却による熱ストレスや経年変化に耐性のあ
る反射膜を形成することができる。従来の溶製法による
Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲットを用いてスパッタリングした
ものに比べて反射膜の均一性に優れ、品質の良好な膜を
安定して再現性良く製造できる著しい特徴を有してい
る。
るＡｌ合金焼結体ターゲットを用いてスパッタリングす
ると、光ディスク用反射膜に好適な光学的機能を十分に
持ちかつ、また耐湿性や熱による変形の防止機能、繰り
返し昇温・冷却による熱ストレスや経年変化に耐性のあ
る反射膜を形成することができる。従来の溶製法による
Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲットを用いてスパッタリングした
ものに比べて反射膜の均一性に優れ、品質の良好な膜を
安定して再現性良く製造できる著しい特徴を有してい
る。
【図１】記録薄膜層構造の断面説明図である。
【図２】実施例のＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体の顕
微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図３】実施例のＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体のＡ
ｌ部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
ｌ部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図４】実施例のＡｌ−Ｔｉ合金ターゲット焼結体のＴ
ｉ部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
ｉ部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図５】比較例の溶製Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲットの顕微
鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図６】比較例の溶製Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲットのＡｌ
部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図７】比較例の溶製Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲットのＴｉ
部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
部位の顕微鏡組織写真（ＳＥＭ像）である。
【図８】実施例のスパッタリングによるＡｌ−Ｔｉ合金
焼結体ターゲットのエロージョン面の組織写真である。
焼結体ターゲットのエロージョン面の組織写真である。
【図９】比較例のスパッタリングによる溶製Ａｌ−Ｔｉ
合金ターゲットのエロージョン面の組織写真である。
合金ターゲットのエロージョン面の組織写真である。
１ レーザー入射方向 ２ ポリカーボネート等の基板 ３ ＺｎＳ・ＳｉＯ2 等の誘電体保護層 ４ Ｓｅ・Ｓｂ・Ｔｅ等の相変化記録層 ５ ＺｎＳ・ＳｉＯ2 等の誘電体保護層 ６ Ａｌ合金反射層 ７ オーバーコート ８ 接着層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月２７日（１９９９．１２．
２７）
２７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】上記の課題を解決するために、本発明者ら
は鋭意研究を行った結果、従来の溶解鋳造等の加工法に
替え、Ａｌ及びＴｉ粉末を焼結法により製造したＡｌ合
金焼結体スパッタリングターゲットとすることにより、
スパッタリングにより形成されるアルミニウム合金反射
膜の均一性を著しく向上させ、安定した製造条件で再現
性よくかつ品質の良い薄膜を得ることができるとの知見
を得た。本発明はこの知見に基づき、 １ 結晶粒径が３０μｍ以下であり、金属間化合物相が
形成されていないことを特徴とするＡｌ合金焼結体から
なる光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット ２ Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有するＡｌ−Ｔｉ合金で
あることを特徴とする上記１記載の光ディスク反射膜形
成用スパッタリングターゲット ３ ＨＩＰ又はホットプレスを用いて焼結することによ
り粒成長を抑制したことを特徴とする上記１又は２記載
の光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット 、を提供する。
は鋭意研究を行った結果、従来の溶解鋳造等の加工法に
替え、Ａｌ及びＴｉ粉末を焼結法により製造したＡｌ合
金焼結体スパッタリングターゲットとすることにより、
スパッタリングにより形成されるアルミニウム合金反射
膜の均一性を著しく向上させ、安定した製造条件で再現
性よくかつ品質の良い薄膜を得ることができるとの知見
を得た。本発明はこの知見に基づき、 １ 結晶粒径が３０μｍ以下であり、金属間化合物相が
形成されていないことを特徴とするＡｌ合金焼結体から
なる光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット ２ Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有するＡｌ−Ｔｉ合金で
あることを特徴とする上記１記載の光ディスク反射膜形
成用スパッタリングターゲット ３ ＨＩＰ又はホットプレスを用いて焼結することによ
り粒成長を抑制したことを特徴とする上記１又は２記載
の光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット 、を提供する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高見 英生 茨城県北茨城市華川町臼場187番地４ 株 式会社ジャパンエナジー磯原工場内 Ｆターム(参考） 4K029 BA23 BC07 BD09 DC04 DC09 5D121 AA05 EE03 EE10 EE14
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶粒径が３０μｍ以下であることを特
徴とするＡｌ合金焼結体からなる光ディスク反射膜形成
用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 Ｔｉを０．１〜５ａｔ％含有するＡｌ−
Ｔｉ合金であることを特徴とする請求項１記載の光ディ
スク反射膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 ＨＩＰ又はホットプレスを用いて焼結す
ることにより粒成長を抑制したことを特徴とする請求項
１又は２に記載の光ディスク反射膜形成用スパッタリン
グターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594098A JP2000169959A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594098A JP2000169959A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット |
| TW88119518A TW474999B (en) | 1998-12-04 | 1999-11-09 | Sputtering target for forming reflective film for optical disk |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000169959A true JP2000169959A (ja) | 2000-06-20 |
Family
ID=18380042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34594098A Pending JP2000169959A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000169959A (ja) |
| TW (1) | TW474999B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148424A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｔｉ－Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
| CN111455329A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-07-28 | 长沙迅洋新材料科技有限公司 | 一种铝钛硼靶材及其粉末固相合金化烧结方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3907666B2 (ja) | 2004-07-15 | 2007-04-18 | 株式会社神戸製鋼所 | レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体 |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34594098A patent/JP2000169959A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-09 TW TW88119518A patent/TW474999B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148424A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｔｉ－Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
| CN111455329A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-07-28 | 长沙迅洋新材料科技有限公司 | 一种铝钛硼靶材及其粉末固相合金化烧结方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW474999B (en) | 2002-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021119 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100813 |