JP2000164655A - Method and device for alignment - Google Patents

Method and device for alignment

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JP2000164655A
JP2000164655A JP33264098A JP33264098A JP2000164655A JP 2000164655 A JP2000164655 A JP 2000164655A JP 33264098 A JP33264098 A JP 33264098A JP 33264098 A JP33264098 A JP 33264098A JP 2000164655 A JP2000164655 A JP 2000164655A
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JP
Japan
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alignment mark
semiconductor wafer
alignment
holding
probe
Prior art date
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Pending
Application number
JP33264098A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Furumoto
建二 古本
Mikiya Mai
幹也 真井
Tomoyuki Nakayama
知之 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately align a probe terminal provided at a probe seat with an inspection electrode formed at a semiconductor wafer. SOLUTION: A wafer tray 10 for holding a semiconductor wafer 1 is placed on a Z/θ table 21 which is movable in a Z-axis direction and a θ direction, while the Z/θ table 21 is held tightly by an X/Y table 22 movable in X and Y-axis directions, with the semiconductor wafer 1 being movable in the Z-axis θ-, X-axis, and Y-axis directions. A wiring board is held by a holding board 23 comprising two through-holes 23a. A device main body 25 is provided with two camera holding arms 26, extending toward each through hole 23a of the holding board 23, and a CCD camera 23 is fixed to the tip part of each camera- holding arm 26, which reads each image of a first alignment mark of the semiconductor wafer 1 and a second alignment mark of a probe seat positioned near each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに形
成されている第1のアライメントマークと、光透過性を
有するプローブシートに形成されている第2のアライメ
ントマークとを位置合わせするためのアライメント装置
及びアライメント方法に関し、詳しくは、半導体ウエハ
上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電
極にプローブシートの各プローブ端子を接続して、複数
の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で一括
して検査する際に用いられるアライメント装置及びアラ
イメント方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alignment for aligning a first alignment mark formed on a semiconductor wafer with a second alignment mark formed on a probe sheet having optical transparency. For the apparatus and the alignment method, specifically, each probe terminal of a probe sheet is connected to each inspection electrode of a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer, and electrical characteristics of the plurality of semiconductor integrated circuit elements are measured. The present invention relates to an alignment apparatus and an alignment method used when performing a batch inspection in a wafer state.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームのインナーリードとがボン
ディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体
集積回路素子及びインナーリードが樹脂又はセラミック
により封止された状態で供給され、プリント基板に実装
されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor integrated circuit device, after a semiconductor integrated circuit element and an inner lead of a lead frame are electrically connected by a bonding wire, the semiconductor integrated circuit element and the inner lead are sealed with resin or ceramic. It was supplied in a state where it was mounted on a printed circuit board.

【0003】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路素子を半導体ウエハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。
However, due to the demand for miniaturization and cost reduction of electronic equipment, a method of mounting a semiconductor integrated circuit element on a circuit board in a bare chip state as cut out from a semiconductor wafer has been developed, and the quality has been guaranteed. It is desired to supply bare chips at a low price.

【0004】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウエハ状態で
(ウエハレベルで)一括してバーインを行なうことが低
コスト化の点で望ましい。そこで、例えば、NIKKEI MIC
RODEVICES 1997年 7月号に記載されるように、複数の半
導体集積回路素子が形成された半導体ウエハを保持する
ウエハトレイと、該ウエハトレイに保持された半導体ウ
エハと対向するように設けられ、該半導体ウエハの半導
体集積回路素子の検査用電極と接続されるプローブ端子
を有する検査用基板を備えた半導体集積回路の検査装置
を用いて行なう検査方法が提案されている。
In order to perform quality assurance on bare chips, it is desirable to perform burn-in on the electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit elements in a wafer state (at a wafer level) in terms of cost reduction. So, for example, NIKKEI MIC
RODEVICES As described in the July 1997 issue, a wafer tray holding a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor integrated circuit elements are formed, and a semiconductor wafer provided to face the semiconductor wafer held on the wafer tray. There has been proposed an inspection method performed by using an inspection apparatus for a semiconductor integrated circuit provided with an inspection substrate having a probe terminal connected to an inspection electrode of the semiconductor integrated circuit element.

【0005】以下、前記の半導体集積回路の検査装置及
び検査方法について、図5及び図6を参照しながら説明
する。尚、図6は図5における要部の拡大断面図であ
る。
Hereinafter, the inspection apparatus and the inspection method of the semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part in FIG.

【0006】図5及び図6に示すように、半導体ウエハ
1の上に形成された複数の半導体集積回路素子の表面に
は多数の検査用電極2がそれぞれ設けられており、各検
査用電極2の周縁部はパッシベーション膜3によって覆
われている。
As shown in FIGS. 5 and 6, a large number of test electrodes 2 are provided on the surface of a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer 1, respectively. Is covered with a passivation film 3.

【0007】半導体ウエハ1と対向するように検査用基
板4が設けられており、該検査用基板4は、配線層5a
を有する配線基板5と、周縁部が剛性リング6によって
配線基板5に固定された例えばポリイミドシートからな
るプローブシート7と、該プローブシート7における半
導体ウエハ1の検査用電極2と対応する部位に設けられ
た半球状のプローブ端子8と、配線基板5とプローブシ
ート7との間に設けられ、配線基板5の配線層5aの一
端部とプローブ端子8とを電気的に接続する異方導電性
ゴムシート9とを備えている。
An inspection substrate 4 is provided so as to face the semiconductor wafer 1, and the inspection substrate 4 has a wiring layer 5a.
And a probe sheet 7 made of, for example, a polyimide sheet whose peripheral edge is fixed to the wiring board 5 by a rigid ring 6, and provided at a portion of the probe sheet 7 corresponding to the inspection electrode 2 of the semiconductor wafer 1. Anisotropic conductive rubber that is provided between the probe terminal 8 having the hemispherical shape and the wiring board 5 and the probe sheet 7 and electrically connects one end of the wiring layer 5 a of the wiring board 5 to the probe terminal 8. And a seat 9.

【0008】半導体ウエハ1はウエハトレイ10のウエ
ハ保持部10aに保持されており、該ウエハトレイ10
におけるウェハ保持部10aの周囲には弾性体からなる
環状のシール部材11が設けられている。ウエハトレイ
10におけるウエハ保持部10aとシール部材11との
間には環状の凹状溝12が形成されており、該凹状溝1
2はウエハ保持部10aの下側に形成されている連通路
13によっても互いに連通している。ウエハトレイ10
の一側部には減圧バルブ14が設けられており、該減圧
バルブ14は減圧供給路15を介して真空ポンプ16に
接続されている。
The semiconductor wafer 1 is held by a wafer holding portion 10a of a wafer tray 10.
Around the wafer holding portion 10a, an annular seal member 11 made of an elastic body is provided. An annular concave groove 12 is formed between the wafer holding portion 10 a and the seal member 11 in the wafer tray 10.
Numerals 2 also communicate with each other by a communication passage 13 formed below the wafer holding portion 10a. Wafer tray 10
On one side, a pressure reducing valve 14 is provided, and the pressure reducing valve 14 is connected to a vacuum pump 16 via a pressure reducing supply path 15.

【0009】尚、配線基板5の配線層5aの他端部は、
電源電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給
する検査装置17に配線基板5のコネクタ5bを介して
接続される。
The other end of the wiring layer 5a of the wiring board 5 is
An inspection device 17 that supplies an inspection voltage such as a power supply voltage, a ground voltage, or a signal voltage is connected via the connector 5 b of the wiring board 5.

【0010】以下、前述の検査用基板4及びウエハトレ
イ10からなるウエハカセットを用いて行なう検査方法
について説明する。
Hereinafter, an inspection method performed using a wafer cassette including the inspection substrate 4 and the wafer tray 10 will be described.

【0011】半導体ウエハ1を保持しているウエハトレ
イ10を、水平方向及び上下方向に移動可能な図示しな
い可動テーブルの上に載置すると共に、ウエハトレイ1
0の上に検査用基板4を配置した後、可動ステージを水
平方向へ移動してウエハトレイ10に保持されている半
導体ウエハ1と検査用基板4のプローブシート7との位
置合わせを行ない、その後、可動ステージを上方へ移動
して、半導体ウエハ1とプローブシート7とを互いに接
近させる。
A wafer tray 10 holding a semiconductor wafer 1 is placed on a movable table (not shown) movable in the horizontal and vertical directions.
After the inspection substrate 4 is placed on the inspection substrate 4, the movable stage is moved in the horizontal direction to align the semiconductor wafer 1 held on the wafer tray 10 with the probe sheet 7 of the inspection substrate 4, and thereafter, The movable stage is moved upward to bring the semiconductor wafer 1 and the probe sheet 7 closer to each other.

【0012】次に、真空ポンプ16を駆動して減圧用凹
状溝12の内部を減圧すると、プローブシート7とシー
ル部材11の先端部とが接触するため、ウエハトレイ1
0、シール部材11及びプローブシート7によって密封
空間18が形成される。その後、減圧用凹状溝12の内
部を更に減圧して密封空間18を減圧すると、プローブ
シート7に設けられている各プローブ端子8と半導体ウ
エハ1の各検査用電極2とが接触する。
Next, when the inside of the depressurizing groove 12 is depressurized by driving the vacuum pump 16, the probe sheet 7 and the tip of the seal member 11 come into contact with each other.
A sealed space 18 is formed by the sealing member 11 and the probe sheet 7. Thereafter, when the inside of the depressurized concave groove 12 is further depressurized to depressurize the sealed space 18, each probe terminal 8 provided on the probe sheet 7 comes into contact with each inspection electrode 2 of the semiconductor wafer 1.

【0013】次に、配線基板5のコネクタ5bを検査装
置17に接続した後、半導体ウエハ1の各検査用電極2
に検査用電圧を印加すると共に、各検査用電極2からの
出力信号を受けて、半導体ウエハ1上に形成されている
各半導体集積回路素子の電気特性を評価する。
Next, after the connector 5b of the wiring board 5 is connected to the inspection apparatus 17, each of the inspection electrodes 2 on the semiconductor wafer 1 is connected.
In addition to applying a test voltage to the semiconductor integrated circuit device 1 and receiving an output signal from each test electrode 2, the electrical characteristics of each semiconductor integrated circuit element formed on the semiconductor wafer 1 are evaluated.

【0014】ところで、半導体ウエハ1をプローブシー
ト7に対して位置決めするアライメント工程は次のよう
にして行なわれている。
Incidentally, the alignment step of positioning the semiconductor wafer 1 with respect to the probe sheet 7 is performed as follows.

【0015】まず、検査用基板4側に設けられた第1の
CCDカメラを半導体ウエハ1に設けられた認識位置に
移動した後、半導体ウエハ1の検査用電極2の映像を第
1のCCDカメラに取り込むと共に、ウエハトレイ10
側に設けられた第2のCCDカメラをプローブシート7
に設けられた認識位置に移動した後、プローブシート7
に設けられたプローブ端子8の映像を第2のCCDカメ
ラに取り込む。
First, after moving the first CCD camera provided on the inspection substrate 4 side to the recognition position provided on the semiconductor wafer 1, the image of the inspection electrode 2 on the semiconductor wafer 1 is transferred to the first CCD camera. And the wafer tray 10
The second CCD camera provided on the side
After moving to the recognition position provided in the probe sheet 7
The image of the probe terminal 8 provided on the second CCD camera is taken into the second CCD camera.

【0016】次に、第1のCCDカメラに取り込まれた
映像と第2のCCDカメラに取り込まれた映像とが対応
するように、ウエハトレイ10が載置されている可動ス
テージを水平方向のX軸方向及びY軸方向にそれぞれ所
定量だけ移動する。
Next, the movable stage on which the wafer tray 10 is mounted is moved along the horizontal X-axis so that the image captured by the first CCD camera and the image captured by the second CCD camera correspond to each other. In the direction and the Y-axis direction by a predetermined amount.

【0017】次に、ウエハトレイ10が載置されている
可動ステージを上方に移動させて、半導体ウエハ1とプ
ローブシート7とを互いに接近させた後、密封空間18
を減圧してプローブシート7に設けられている各プロー
ブ端子8と半導体ウエハ1の各検査用電極2とを接触さ
せる。
Next, the movable stage on which the wafer tray 10 is mounted is moved upward to bring the semiconductor wafer 1 and the probe sheet 7 closer to each other.
Is reduced to bring each probe terminal 8 provided on the probe sheet 7 into contact with each inspection electrode 2 of the semiconductor wafer 1.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、検査用基板4のプローブシート7に設けられてい
る各プローブ端子8と、ウエハトレイ10に保持されて
いる半導体ウエハ1の各検査用電極2とを確実に接触さ
せるためには、半導体ウエハ1とプローブシート7との
位置合わせの精度は非常に重要である。
As described above, each probe terminal 8 provided on the probe sheet 7 of the inspection substrate 4 and each inspection electrode of the semiconductor wafer 1 held on the wafer tray 10 as described above. In order for the semiconductor wafer 1 and the probe sheet 7 to come into contact with each other reliably, the accuracy of the alignment between the semiconductor wafer 1 and the probe sheet 7 is very important.

【0019】ところが、従来のアライメント方法による
と、上下方向に間隔を持っている半導体ウエハ1の検査
用電極2の映像及びプローブシート7のプローブ端子8
の映像を取り込むため、検査用電極2の映像とプローブ
シート7の映像との間に誤差が生じてしまうこと、第1
のCCDカメラに取り込まれた映像及び第2のCCDカ
メラに取り込まれた映像に基づき半導体ウエハの移動量
を演算するため、移動量に演算上の誤差が生じてしまう
こと、及び、密封空間18を減圧してプローブシート7
と半導体ウエハ1とを互いに接近させる際に、プローブ
シート7と半導体ウエハ1とが位置ずれしてしまうこと
等の理由によって、プローブ端子8と検査用電極2とが
位置ずれをしてしまうという問題がある。
However, according to the conventional alignment method, the image of the inspection electrode 2 of the semiconductor wafer 1 and the probe terminal 8 of the probe sheet 7 which are spaced apart in the vertical direction.
Error occurs between the image of the inspection electrode 2 and the image of the probe sheet 7,
Since the movement amount of the semiconductor wafer is calculated based on the image captured by the CCD camera and the image captured by the second CCD camera, a calculation error occurs in the movement amount, and Reduce pressure and probe sheet 7
When the probe sheet 7 and the semiconductor wafer 1 are brought close to each other, the probe sheet 8 and the semiconductor wafer 1 are displaced, for example, because the probe terminals 8 and the inspection electrode 2 are displaced. There is.

【0020】前記に鑑み、本発明は、プローブシートに
設けられているプローブ端子と半導体ウエハに形成され
ている検査用電極とを正確に位置合わせできるようにす
ることを目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to enable accurate alignment between a probe terminal provided on a probe sheet and an inspection electrode formed on a semiconductor wafer.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るアライメント装置は、検査用電極を有
する複数の半導体集積回路素子が形成されている半導体
ウエハに設けられた第1のアライメントマークと、検査
用電極と対応する位置にプローブ端子を有する光透過性
のプローブシートに設けられた第2のアライメントマー
クとを位置合わせするためのアライメント装置を対象と
し、第1のアライメントマーク及び第2のアライメント
マークと対応する位置に貫通孔を有しており、プローブ
シートを保持する保持基板と、半導体ウエハを上下方向
へ移動させる上下方向移動手段と、半導体ウエハを水平
方向へ移動させる水平方向移動手段と、平面的に互いに
近傍に位置する第1のアライメントマーク及び第2のア
ライメントマークの各映像を保持基板の貫通孔を通して
取り込む光学装置と、光学装置に取り込まれた第1のア
ライメントマーク及び第2のアライメントマークの各映
像に基づき、第1のアライメントマークと第2のアライ
メントマークとが重なるように、水平方向移動手段が半
導体ウエハを水平方向へ移動させる移動量及び上下方向
移動手段が半導体ウエハを上下方向へ移動させる移動量
を演算する演算手段とを備えている。
In order to achieve the above-mentioned object, an alignment apparatus according to the present invention comprises a first device provided on a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor integrated circuit elements having test electrodes formed thereon. The present invention is directed to an alignment apparatus for aligning an alignment mark and a second alignment mark provided on a light-transmitting probe sheet having a probe terminal at a position corresponding to an inspection electrode. A through hole at a position corresponding to the second alignment mark, a holding substrate for holding the probe sheet, a vertical moving means for vertically moving the semiconductor wafer, and a horizontal moving means for horizontally moving the semiconductor wafer; Direction moving means, a first alignment mark and a second alignment mark located near each other in a plane An optical device that captures each image through the through hole of the holding substrate; and a first alignment mark and a second alignment mark based on each image of the first alignment mark and the second alignment mark captured by the optical device. The moving means for calculating the moving amount of the horizontal moving means for moving the semiconductor wafer in the horizontal direction and the moving means for moving the semiconductor wafer in the vertical direction are provided.

【0022】本発明のアライメント装置によると、平面
的に互いに近傍に位置する第1のアライメントマーク及
び第2のアライメントマークの各映像を保持基板の貫通
孔を通して取り込む光学装置と、光学装置に取り込まれ
た第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマ
ークの各映像に基づき、第1のアライメントマークと第
2のアライメントマークとが重なるように、半導体ウエ
ハを水平方向へ移動させる移動量及び上下方向へ移動さ
せる移動量を演算する演算手段とを備えているため、平
面的に互いに近傍に位置する第1のアライメントマーク
及び第2のアライメントマークの各映像を取り込むこと
ができるので、予め半導体ウエハとプローブシートとの
相対位置を計測しておく必要がなくなり、また、同一の
光学装置により半導体ウエハの第1のアライメントマー
ク及びプローブシートの第2のアライメントマークの各
映像を取り込むことができるので、半導体ウエハの映像
とプローブシートの映像との間に誤差が生じ難くなり、
さらに、同一の光学装置に取り込まれた半導体ウエハ及
びプローブシートの各映像に基づいて半導体ウエハを移
動させる移動量を演算できるため、移動量の演算上の誤
差が生じ難くなる。
According to the alignment apparatus of the present invention, an optical device for capturing the images of the first alignment mark and the second alignment mark located near each other in a plane through the through hole of the holding substrate, and the optical device for capturing the images. A moving amount for moving the semiconductor wafer in the horizontal direction and a moving amount in the vertical direction so that the first alignment mark and the second alignment mark overlap each other, based on the images of the first alignment mark and the second alignment mark. Since the calculation means for calculating the amount of movement to be moved is provided, each image of the first alignment mark and the second alignment mark which are located close to each other in a plane can be taken in. It is no longer necessary to measure the relative position with respect to It is possible to capture the first alignment mark and the image of the second alignment mark of the probe sheet body wafer, error is unlikely to occur between the video and the probe sheet image of the semiconductor wafer,
Further, the amount of movement for moving the semiconductor wafer can be calculated based on the images of the semiconductor wafer and the probe sheet taken into the same optical device, so that errors in the calculation of the amount of movement hardly occur.

【0023】前記の目的を達成するため、本発明に係る
アライメント方法は、検査用電極を有する複数の半導体
集積回路素子が形成されている半導体ウエハに設けられ
た第1のアライメントマークと、検査用電極と対応する
位置にプローブ端子を有する光透過性のプローブシート
に設けられた第2のアライメントマークとを位置合わせ
するアライメント方法を対象とし、プローブシートを、
第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマー
クと対応する位置に貫通孔を有する保持基板に、第2の
アライメントマークが貫通孔と対向するように保持する
工程と、第1のアライメントマークが第2のアライメン
トマークに対して平面的に近傍に位置するように、半導
体ウエハを配置する工程と、平面的に互いに近傍に位置
する第1のアライメントマーク及び第2のアライメント
マークの各映像を保持基板の貫通孔を通して光学装置に
取り込む工程と、光学装置に取り込まれた第1のアライ
メントマーク及び第2のアライメントマークの各映像に
基づき、第1のアライメントマークと第2のアライメン
トマークとが重なるように、半導体ウエハを水平方向及
び上下方向へ移動させる工程とを備えている。
In order to achieve the above object, an alignment method according to the present invention comprises a first alignment mark provided on a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor integrated circuit elements having inspection electrodes are formed; The present invention is directed to an alignment method for aligning a second alignment mark provided on a light transmissive probe sheet having a probe terminal at a position corresponding to an electrode.
Holding the second alignment mark on a holding substrate having a through hole at a position corresponding to the first alignment mark and the second alignment mark so that the second alignment mark faces the through hole; Arranging the semiconductor wafer so as to be located in the vicinity of the alignment mark in plan view, and the images of the first alignment mark and the second alignment mark located in proximity to each other in plan view A step of taking in the optical device through the through hole, and based on each image of the first alignment mark and the second alignment mark taken in the optical device, so that the first alignment mark and the second alignment mark overlap with each other. Moving the semiconductor wafer in the horizontal and vertical directions.

【0024】本発明のアライメント方法によると、第1
のアライメントマークが第2のアライメントマークの近
傍に位置するように半導体ウエハを移動させた後に、第
1のアライメントマーク及び第2のアライメントマーク
の映像を取り込むため、予め半導体ウエハとプローブシ
ートとの相対位置を計測しておく必要がなくなり、ま
た、互いに近傍に位置する第1のアライメントマーク及
び第2のアライメントマークの各映像を光学装置に取り
込むため、半導体ウエハの映像とプローブシートの映像
との間に誤差が生じ難くなり、さらに、同一の光学装置
に取り込まれた半導体ウエハ及びプローブシートの各映
像に基づいて半導体ウエハを移動させるため、移動量の
演算上の誤差が生じ難くなる。
According to the alignment method of the present invention, the first
After moving the semiconductor wafer so that the first alignment mark is positioned near the second alignment mark, in order to capture the images of the first alignment mark and the second alignment mark, the relative position between the semiconductor wafer and the probe sheet is previously determined. There is no need to measure the position, and the images of the first alignment mark and the second alignment mark located near each other are taken into the optical device. In addition, since the semiconductor wafer is moved based on the images of the semiconductor wafer and the probe sheet taken into the same optical device, an error in the calculation of the movement amount is less likely to occur.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
アライメント方法について図1〜図6を参照しながら説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An alignment method according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0026】尚、従来と同様、図5及び図6に示すよう
に、半導体ウエハ1の上に形成された複数の半導体集積
回路素子の表面には多数の検査用電極2がそれぞれ設け
られており、各検査用電極2の周縁部はパッシベーショ
ン膜3によって覆われている。検査用基板4は、配線層
5aを有する配線基板5と、周縁部が剛性リング6によ
って配線基板5に固定された例えばポリイミドシートか
らなる光透過性のプローブシート7と、該プローブシー
ト7における半導体ウエハ1の検査用電極2と対応する
部位に設けられた半球状のプローブ端子8と、配線基板
5とプローブシート7との間に設けられ、配線基板5の
配線層5aの一端部とプローブ端子8とを電気的に接続
する光透過性の異方導電性ゴムシート9とを備えてい
る。
As in the prior art, as shown in FIGS. 5 and 6, a large number of test electrodes 2 are provided on the surface of a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer 1, respectively. The periphery of each test electrode 2 is covered with a passivation film 3. The inspection board 4 includes a wiring board 5 having a wiring layer 5 a, a light-transmitting probe sheet 7 made of, for example, a polyimide sheet whose peripheral edge is fixed to the wiring board 5 by a rigid ring 6, and a semiconductor in the probe sheet 7. A hemispherical probe terminal 8 provided at a portion of the wafer 1 corresponding to the inspection electrode 2, provided between the wiring board 5 and the probe sheet 7, and one end of a wiring layer 5 a of the wiring board 5 and the probe terminal And a light-transmissive anisotropic conductive rubber sheet 9 for electrically connecting the conductive rubber sheet 8 to the conductive rubber sheet 8.

【0027】図1に示すように、ウエハトレイ10は上
下方向(Z軸方向)及び傾斜方法(θ方向)に移動可能
な上下方向移動手段としてのZ・θテーブル21の上に
載置されていると共に、Z・θテーブル21は左右方向
(X軸方向)及び前後方向(Y軸方向)に移動可能な水
平方向移動手段としてのX・Yテーブル22に固持され
ており、これらによって、ウエハトレイ10に保持され
ている半導体ウエハ1は、Z軸方向、θ方向、X軸方向
及びY軸方向にそれぞれ移動可能である。
As shown in FIG. 1, the wafer tray 10 is placed on a Z.theta. Table 21 as a vertical moving means capable of moving in a vertical direction (Z-axis direction) and a tilting method (.theta. Direction). At the same time, the Z · θ table 21 is fixed to an XY table 22 as a horizontal moving means capable of moving in the left-right direction (X-axis direction) and the front-back direction (Y-axis direction). The held semiconductor wafer 1 is movable in the Z-axis direction, the θ-direction, the X-axis direction, and the Y-axis direction.

【0028】図1及び図2(a)、(b)に示すよう
に、検査用基板4の配線基板5は、例えば2つの貫通孔
23aを有する保持基板23に保持されており、該保持
基板23は、アライメント装置に設けられている図示し
ない基板保持手段に保持されている。
As shown in FIGS. 1 and 2A and 2B, the wiring board 5 of the inspection board 4 is held by a holding board 23 having, for example, two through holes 23a. Reference numeral 23 is held by a substrate holding means (not shown) provided in the alignment apparatus.

【0029】図1に示すように、アライメント装置に
は、装置本体25から保持基板23の各貫通孔23aに
向かって延びる例えば2つのカメラ保持アーム26が設
けられており、各カメラ保持アーム26の先端部には、
ピント合わせ用のレンズ27aを有する光学装置として
のCCDカメラ27がそれぞれ固定されている。
As shown in FIG. 1, the alignment apparatus is provided with, for example, two camera holding arms 26 extending from the apparatus main body 25 toward the respective through holes 23a of the holding substrate 23. At the tip,
CCD cameras 27 as optical devices each having a lens 27a for focusing are fixed.

【0030】図2(b)及び図3(a)、(b)に示す
ように、半導体ウエハ1の周縁部には例えば2個の第1
のアライメントマーク1aが形成されていると共に、プ
ローブカード7の周縁部における第1のアライメントマ
ーク1aと対応する位置にも例えば2個の第2のアライ
メントマーク7aが形成されている。
As shown in FIGS. 2 (b) and 3 (a) and 3 (b), for example, two first
Are formed, and, for example, two second alignment marks 7a are also formed at positions corresponding to the first alignment marks 1a on the periphery of the probe card 7.

【0031】尚、第1のアライメントマーク1aとして
は、半導体ウエハ1の上に形成されている半導体集積回
路素子のパターンを用いることができると共に、第2の
アライメントマーク7aとしては、プローブシート7に
設けられているプローブ端子8を用いることができる
が、いずれにしても、第1のアライメントマーク1aと
第2のアライメントマーク7aとは、ほぼ対応する位置
に形成されていることが好ましい。また、保持基板23
の貫通孔23aは、第1のアライメントマーク1a及び
第2のアライメントマーク7aの位置と対応する部位に
形成されている。
As the first alignment mark 1a, a pattern of a semiconductor integrated circuit element formed on the semiconductor wafer 1 can be used, and as the second alignment mark 7a, a pattern on the probe sheet 7 can be used. Although the provided probe terminal 8 can be used, in any case, it is preferable that the first alignment mark 1a and the second alignment mark 7a are formed at substantially corresponding positions. Also, the holding substrate 23
Are formed at positions corresponding to the positions of the first alignment mark 1a and the second alignment mark 7a.

【0032】以下、前述したアライメント装置を用いて
行なうアライメント方法について説明する。
Hereinafter, an alignment method performed using the above-described alignment apparatus will be described.

【0033】まず、予め、プローブシート7の第2のア
ライメントマーク7aが保持基板23の貫通孔23aを
通してCCDカメラ27により認識できる位置に、検査
用基板4の配線基板5を保持基板23に保持させてお
く。
First, the wiring board 5 of the inspection board 4 is held by the holding board 23 at a position where the second alignment mark 7a of the probe sheet 7 can be recognized by the CCD camera 27 through the through hole 23a of the holding board 23 in advance. Keep it.

【0034】次に、図4に示すように、半導体ウエハ1
の第1のアライメントマーク1aが保持基板23の貫通
孔23aを通してCCDカメラ27により認識できるよ
うに、半導体ウエハ1をウエハトレイ10の上に配置す
る。つまり、第1のアライメントマーク1aと第2のア
ライメントマーク7aとが平面的に互いに近傍に位置す
るように、半導体ウエハ1をウエハトレイ10の上に配
置する。前述したように、プローブシート7及び異方導
電性ゴムシート9は光透過性であるから、半導体ウエハ
1の第1のアライメントマーク1aを保持基板23の貫
通孔23aを通してCCDカメラ27により認識するこ
とができる。
Next, as shown in FIG.
The semiconductor wafer 1 is placed on the wafer tray 10 so that the first alignment mark 1a can be recognized by the CCD camera 27 through the through hole 23a of the holding substrate 23. That is, the semiconductor wafer 1 is arranged on the wafer tray 10 such that the first alignment mark 1a and the second alignment mark 7a are located close to each other in a plane. As described above, since the probe sheet 7 and the anisotropic conductive rubber sheet 9 are optically transparent, the first alignment mark 1a of the semiconductor wafer 1 can be recognized by the CCD camera 27 through the through hole 23a of the holding substrate 23. Can be.

【0035】尚、第1のアライメントマーク1aと第2
のアライメントマーク7aとが平面的に互いに近傍に位
置していないときには、X・Yテーブル22をX軸方向
及びY軸方向にそれぞれ移動して、第1のアライメント
マーク1aと第2のアライメントマーク7aとが平面的
に互いに近傍に位置するようにしてもよい。
Note that the first alignment mark 1a and the second
When the first and second alignment marks 7a are not positioned close to each other in the plane, the XY table 22 is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. May be located close to each other in a plane.

【0036】次に、半導体ウエハ1がプローブシート7
に対して接触しない範囲で接近するように、Z・θテー
ブル21を上方へ移動する。
Next, the semiconductor wafer 1 is connected to the probe sheet 7.
The Z · θ table 21 is moved upward so as to approach in a range where it does not contact the.

【0037】次に、平面的に互いに近傍に位置する第1
のアライメントマーク1a及び第2のアライメントマー
ク7aを各CCDカメラ27により保持基板23の貫通
孔23aを通してそれぞれ認識した後、第1のアライメ
ントマーク1aの映像及び第2のアライメントマーク7
aの映像を取り込む。
Next, first planarly-located first proximity members
After the CCD camera 27 recognizes the alignment mark 1a and the second alignment mark 7a through the through holes 23a of the holding substrate 23, the image of the first alignment mark 1a and the second alignment mark 7a
Capture the video of a.

【0038】次に、各CCDカメラ27に取り込まれた
第1のアライメントマーク1aの映像と第2のアライメ
ントマーク7aの映像とが互いに重なるような、Z軸方
向の移動量、θ方向の角度、X軸方向の移動量及びY軸
方向の移動量をそれぞれ演算した後、第1のアライメン
トマーク1aの映像と第2のアライメントマーク7aの
映像とが互いに重なるように、Z・θテーブル21をZ
軸方向に所定量だけ移動し且つθ方向に所定の角度だけ
傾斜すると共に、X・Yテーブル22をX軸方向及びY
軸方向に所定量だけ移動する。
Next, the amount of movement in the Z-axis direction, the angle in the θ direction, the angle in the θ direction, so that the image of the first alignment mark 1a and the image of the second alignment mark 7a captured by each CCD camera 27 overlap each other. After calculating the amount of movement in the X-axis direction and the amount of movement in the Y-axis direction, the Z · θ table 21 is set so that the image of the first alignment mark 1a and the image of the second alignment mark 7a overlap each other.
The XY table 22 is moved by a predetermined amount in the axial direction and tilted by a predetermined angle in the θ direction.
Move by a predetermined amount in the axial direction.

【0039】本発明の一実施形態によると、第1のアラ
イメントマーク1aが第2のアライメントマーク7bの
近傍に位置するように半導体ウエハ1を移動させた後
に、第1のアライメントマーク1a及び第2のアライメ
ントマーク7bの映像を取り込むため、予め半導体ウエ
ハとプローブシートとの相対位置を計測しておく必要が
なくない。
According to one embodiment of the present invention, after the semiconductor wafer 1 is moved so that the first alignment mark 1a is positioned near the second alignment mark 7b, the first alignment mark 1a and the second Since the image of the alignment mark 7b is captured, it is not necessary to measure the relative position between the semiconductor wafer and the probe sheet in advance.

【0040】また、互いに近傍に位置する第1のアライ
メントマーク1a及び第2のアライメントマーク7aの
各映像を同一のCCDカメラ27に取り込むため、半導
体ウエハ1の映像とプローブシート7の映像との間に誤
差が生じ難くなる。
Further, since the images of the first alignment mark 1a and the second alignment mark 7a located near each other are captured by the same CCD camera 27, the image of the semiconductor wafer 1 and the image of the probe sheet 7 are interposed. Error is less likely to occur.

【0041】さらに、同一のCCDカメラ27に取り込
まれた半導体ウエハ1の映像及びプローブシート7の映
像に基づいて、半導体ウエハ1を移動させるため、移動
量の演算上の誤差が生じ難くなる。
Furthermore, since the semiconductor wafer 1 is moved based on the image of the semiconductor wafer 1 and the image of the probe sheet 7 captured by the same CCD camera 27, an error in the calculation of the amount of movement hardly occurs.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明に係るアライメント装置又はアラ
イメント方法によると、予め半導体ウエハとプローブシ
ートとの相対位置を計測しておく必要がなくなるため、
アライメント工程の簡略化及び高速化が可能になるの
で、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路
素子の電気的特性をウェハ状態で一括して検査する検査
工程の効率が向上する。
According to the alignment apparatus or the alignment method according to the present invention, it is not necessary to previously measure the relative position between the semiconductor wafer and the probe sheet.
Since the alignment process can be simplified and speeded up, the efficiency of the inspection process for inspecting the electrical characteristics of a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer collectively in a wafer state is improved.

【0043】また、半導体ウエハの映像及びプローブシ
ートの映像が同一の光学装置に取り込まれるため、半導
体ウエハの映像とプローブシートの映像との間に誤差が
生じ難くなると共に、同一の光学装置に取り込まれた半
導体ウエハ及びプローブシートの各映像に基づいて半導
体ウエハを移動させるため、移動量の演算上の誤差が生
じ難くなるので、半導体ウエハに形成されている検査用
電極とプローブシートに設けられているプローブ端子と
の位置合わせを、例えば±3μm程度の高精度で行なう
ことができる。
Further, since the image of the semiconductor wafer and the image of the probe sheet are captured by the same optical device, an error between the image of the semiconductor wafer and the image of the probe sheet hardly occurs, and the image is captured by the same optical device. Since the semiconductor wafer is moved on the basis of the images of the semiconductor wafer and the probe sheet, the calculation error of the amount of movement is less likely to occur, so that the inspection electrode and the probe sheet formed on the semiconductor wafer are provided. Positioning with the probe terminal can be performed with high accuracy of, for example, about ± 3 μm.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係るアライメント装置及
びアライメント方法を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an alignment apparatus and an alignment method according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)は本発明の一実施形態に係るアライメン
ト装置における保持基板の平面図であり、(b)は本発
明の一実施形態に係るアライメント方法を示す断面図で
ある。
FIG. 2A is a plan view of a holding substrate in the alignment apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating an alignment method according to one embodiment of the present invention.

【図3】(a)は本発明の一実施形態に係るアライメン
ト装置及びアライメント方法に用いる半導体ウエハの平
面図であり、(b)は本発明の一実施形態に係るアライ
メント装置及びアライメント方法に用いるプローブシー
トの平面図である。
FIG. 3A is a plan view of a semiconductor wafer used in an alignment apparatus and an alignment method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is used in an alignment apparatus and an alignment method according to an embodiment of the present invention; It is a top view of a probe sheet.

【図4】本発明の一実施形態に係るアライメント方法の
一工程を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing one step of an alignment method according to an embodiment of the present invention.

【図5】従来及び本発明の一実施形態に係るアライメン
ト装置及びアライメント方法の対象となる半導体集積回
路の検査装置の断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an alignment apparatus according to the related art and an inspection apparatus for a semiconductor integrated circuit to which the alignment method is applied according to an embodiment of the present invention.

【図6】従来及び本発明の一実施形態に係るアライメン
ト装置及びアライメント方法の対象となる半導体集積回
路の検査装置の要部拡大断面図である。
FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of an alignment apparatus and an inspection apparatus for a semiconductor integrated circuit which is an object of the alignment method according to the related art and one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハ 1a 第1のアライメントマーク 2 検査用電極 3 パッシベーション膜 4 検査用基板 5 配線基板 5a 配線層 5b コネクタ 6 剛性リング 7 プローブシート 7a 第2のアライメントマーク 8 プローブ端子 9 異方導電性ゴムシート 10 ウエハトレイ 10a ウエハ保持部 11 シール部材 12 凹状溝 13 連通路 14 減圧バルブ 15 減圧供給路 16 真空ポンプ 17 検査装置 18 密封空間 21 Z・θテーブル 22 X・Yテーブル 23 保持基板 23a 貫通孔 25 装置本体 26 カメラ保持アーム 27 CCDカメラ 27a レンズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 1a First alignment mark 2 Inspection electrode 3 Passivation film 4 Inspection board 5 Wiring board 5a Wiring layer 5b Connector 6 Rigid ring 7 Probe sheet 7a Second alignment mark 8 Probe terminal 9 Anisotropic conductive rubber sheet DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer tray 10a Wafer holding part 11 Sealing member 12 Concave groove 13 Communication path 14 Pressure reducing valve 15 Pressure reducing supply path 16 Vacuum pump 17 Inspection device 18 Sealed space 21 Z / θ table 22 XY table 23 Holding substrate 23a Through hole 25 Device body 26 Camera holding arm 27 CCD camera 27a Lens

フロントページの続き (72)発明者 中山 知之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC06 AC14 AE03 2G032 AA00 AF02 AF04 AL03 4M106 AA01 BA01 BA14 CA70 DD03 DD09 DD10 DD13 DG26 DJ03 DJ04 DJ05 DJ06 DJ07 5F031 CA02 JA04 JA38 JA50 MA33 9A001 BB06 KK31 Continued on the front page (72) Inventor Tomoyuki Nakayama 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term (reference) 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC06 AC14 AE03 2G032 AA00 AF02 AF04 AL03 4M106 AA01 BA01 BA14 CA70 DD03 DD09 DD10 DD13 DG26 DJ03 DJ04 DJ05 DJ06 DJ07 5F031 CA02 JA04 JA38 JA50 MA33 9A001 BB06 KK31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検査用電極を有する複数の半導体集積回
路素子が形成されている半導体ウエハに設けられた第1
のアライメントマークと、前記検査用電極と対応する位
置にプローブ端子を有する光透過性のプローブシートに
設けられた第2のアライメントマークとを位置合わせす
るためのアライメント装置であって、 前記第1のアライメントマーク及び第2のアライメント
マークと対応する位置に貫通孔を有しており、前記プロ
ーブシートを保持する保持基板と、 前記半導体ウエハを上下方向へ移動させる上下方向移動
手段と、 前記半導体ウエハを水平方向へ移動させる水平方向移動
手段と、 平面的に互いに近傍に位置する前記第1のアライメント
マーク及び第2のアライメントマークの各映像を前記保
持基板の貫通孔を通して取り込む光学装置と、 前記光学装置に取り込まれた前記第1のアライメントマ
ーク及び第2のアライメントマークの各映像に基づき、
前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメン
トマークとが重なるように、前記水平方向移動手段が前
記半導体ウエハを水平方向へ移動させる移動量及び前記
上下方向移動手段が前記半導体ウエハを上下方向へ移動
させる移動量を演算する演算手段とを備えていることを
特徴とするアライメント装置。
A first semiconductor integrated circuit device having a plurality of semiconductor integrated circuit devices having inspection electrodes;
An alignment device for aligning a second alignment mark provided on a light-transmitting probe sheet having a probe terminal at a position corresponding to the inspection electrode, wherein the first alignment mark and the second alignment mark are provided. A through hole at a position corresponding to the alignment mark and the second alignment mark, a holding substrate for holding the probe sheet, a vertical moving means for vertically moving the semiconductor wafer, A horizontal moving means for moving in a horizontal direction, an optical device for taking in images of the first alignment mark and the second alignment mark which are positioned close to each other in a plane through a through hole of the holding substrate, and the optical device Each of the first alignment mark and the second alignment mark captured in Based on the,
The horizontal moving means moves the semiconductor wafer in the horizontal direction and the vertical moving means moves the semiconductor wafer in the vertical direction so that the first alignment mark and the second alignment mark overlap. An alignment device comprising: a calculating unit that calculates a moving amount to be moved.
【請求項2】 検査用電極を有する複数の半導体集積回
路素子が形成されている半導体ウエハに設けられた第1
のアライメントマークと、前記検査用電極と対応する位
置にプローブ端子を有する光透過性のプローブシートに
設けられた第2のアライメントマークとを位置合わせす
るアライメント方法であって、 前記プローブシートを、前記第1のアライメントマーク
及び第2のアライメントマークと対応する位置に貫通孔
を有する保持基板に、前記第2のアライメントマークが
前記貫通孔と対向するように保持する工程と、 前記第1のアライメントマークが前記第2のアライメン
トマークに対して平面的に近傍に位置するように、前記
半導体ウエハを配置する工程と、 平面的に互いに近傍に位置する前記第1のアライメント
マーク及び第2のアライメントマークの各映像を前記保
持基板の貫通孔を通して光学装置に取り込む工程と、 前記光学装置に取り込まれた前記第1のアライメントマ
ーク及び第2のアライメントマークの各映像に基づき、
前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメン
トマークとが重なるように、前記半導体ウエハを水平方
向及び上下方向へ移動させる工程とを備えていることを
特徴とするアライメント方法。
2. A semiconductor device comprising: a first semiconductor wafer having a plurality of semiconductor integrated circuit devices having test electrodes formed thereon;
An alignment method for aligning a second alignment mark provided on a light transmissive probe sheet having a probe terminal at a position corresponding to the inspection electrode, wherein the probe sheet comprises: Holding the second alignment mark on a holding substrate having a through hole at a position corresponding to the first alignment mark and the second alignment mark so that the second alignment mark faces the through hole; and the first alignment mark. Arranging the semiconductor wafer so that the first alignment mark and the second alignment mark are located near each other in a plane with respect to the second alignment mark. Capturing each image into an optical device through a through hole in the holding substrate; Based on the images of the first alignment mark and the second alignment mark inserted,
Moving the semiconductor wafer in the horizontal and vertical directions so that the first alignment mark and the second alignment mark overlap with each other.
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