JP2000147772A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＥＤによりレジストパターンが線幅の変化
を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、かつ現
像欠陥を生じることのなく、しかも遠紫外線、荷電粒子
線、Ｘ線の如き各種の放射線に対して、高感度で解像度
性能に優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 組成物は、（Ａ）ｐ−ヒドロキシスチレ
ンと（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルおよび／または（メ
タ）アクリル酸１，１−ジメチル−３−オキソブチルと
の共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ｔ−ブトキ
シスチレンおよび／またはｐ−アセトキシスチレンとの
共重合体等で代表される樹脂、並びに（Ｂ）ベンゼン核
に有機置換基を有するか、あるいはベンゼン核の構成炭
素原子と共に形成した環構造を有するジフェニルヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体からなる
感放射線性酸発生剤を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特にＫｒＦエキシ
マレーザー等に代表される遠紫外線のほか、電子線等の
荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線の如き各種
の放射線を用いる微細加工に有用な感放射線性樹脂組成
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、
電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線
に適したレジストとして、放射線の照射（以下、「露
光」という。）により酸を発生する感放射線性酸発生剤
を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向
上させた「化学増幅型レジスト」が提案されている。従
来、このような化学増幅型レジストに特有の問題とし
て、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間（以
下、「ＰＥＤ」という。）により、レジストパターンの
線幅が変化したりあるいはＴ型形状になったりするなど
の点が指摘されていたが、近年に至り、ヒドロキシスチ
レン系繰返し単位、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルから
なる繰返し単位および露光後のアルカリ現像液に対する
重合体の溶解性を低下させる繰返し単位からなる重合体
を用いた化学増幅型感放射線性樹脂組成物（特開平７―
２０９８６８号公報参照）を始めとして、デバイス製造
への適用に耐え得る化学増幅型レジストが種々提案され
てきた。しかしながら、その一方で、デバイスの設計寸
法がサブハーフミクロン以下と微細になるに伴い、化学
増幅型レジストにおける新たな問題として、現像液に対
する露光部の溶解性の“ばらつき”などにより発生す
る、微細なパターンにおける現像残り、パターンの倒
れ、線幅変動等の現像に起因する欠陥、即ち「現像欠
陥」が発生してデバイス収率を低下させることが指摘さ
れてきた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術における前記状況に鑑み、ＰＥＤによりレジストパ
ターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりする
ことがなく、かつ現像欠陥を生じることのない化学増幅
型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供す
ることにある。さらに、本発明の他の課題は、ＫｒＦエ
キシマレーザー等の遠紫外線、電子線等の荷電粒子線、
シンクロトロン放射線等のＸ線の如き各種の放射線に対
して、高感度（低露光エネルギー量）であり、かつ解像
性能に優れた感放射線性樹脂組成物を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（Ａ）下記式（１）で表される繰返し単位（１）
と下記式（２）で表される繰返し単位（２）および／ま
たは下記式（３）で表される繰返し単位（３）とを有す
る樹脂、および（Ｂ）下記式（４）で表される感放射線
性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂
組成物、

【０００５】

【化５】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
示す。〕

【０００６】

【化６】 〔式（２）において、Ｒ² は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ³ は炭素数４〜１０の３級アルキル基または
１，１−ジメチル−３−オキソブチル基を示す。〕

【０００７】

【化７】 〔式（３）において、Ｒ⁴ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ⁵ はｔ−ブチル基またはアセチル基を示す。〕

【０００８】

【化８】 〔式（４）において、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹¹は相互に独立に水素原
子または炭素数１〜６の１価の有機基を示すか、あるい
はＲ⁶ 〜Ｒ⁸ のうちの二つが互いに結合して式（３）中
のベンゼン核を構成する炭素原子と共に３〜８員環の環
構造を形成して、Ｒ⁶ 〜Ｒ⁸ のうちの残りの一つが水素
原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示すか、ある
いはＲ⁹ 〜Ｒ¹¹のうちの二つが互いに結合して式（３）
中のベンゼン核を構成する炭素原子と共に３〜８員環の
環構造を形成して、Ｒ⁹ 〜Ｒ¹¹のうちの残りの一つが水
素原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示し、かつ
Ｒ⁶〜Ｒ¹¹のうちの少なくとも一つが水素原子以外の基
である。〕によって達成される。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）樹脂 本発明における（Ａ）成分は、前記繰返し単位（１）と
前記繰返し単位（２）および／または前記繰返し単位
（３）とを有する樹脂（以下、「（Ａ）樹脂」とい
う。）からなる。繰返し単位（１）としては、特に、ｐ
−ヒドロキシスチレン等に由来する単位が好ましい。ま
た、繰返し単位（２）を表す式（２）において、Ｒ³ の
炭素数４〜１０の３級アルキル基としては、例えば、ｔ
−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル
−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル
基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチ
ルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメ
チルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、
１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシ
ル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジ
エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘプチル基、１−
メチル−１−エチルヘプチル基、１，１−ジメチルオク
チル基等を挙げることができる。Ｒ³ としては、特に、
ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，１−
ジメチル−３−オキソブチル基（−C(CH₃)₂CH₂C(=O)C
H₃) 等が好ましい。また、繰返し単位（３）としては、
特に、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−アセチルオキシ
スチレン等に由来する単位が好ましい。（Ａ）樹脂にお
いて、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）および繰返
し単位（３）は、それぞれ単独でまたは２種以上が存在
することができる。

【００１０】（Ａ）樹脂は、繰返し単位（１）、繰返し
単位（２）および繰返し単位（３）以外の繰返し単位
（以下、「他の繰返し単位」という）を１種以上有する
こともできる。他の繰返し単位を与える単量体のうち、
分子中に１個の重合性不飽和基を有する単官能性単量体
としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ
−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレ
ン、ｐ−メトキシスチレン等のビニル芳香族化合物；
（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、無水シトラコン酸等の不飽和カルボン酸あるい
はそれらの酸無水物類；前記不飽和カルボン酸のメチル
エステル、エチルエステル、ｎ−プロピルエステル、ｉ
−プロピルエステル、ｎ−ブチルエステル、ｉ−ブチル
エステル、ｓｅｃ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステ
ル（但し、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルを除く。）、
ｎ−アミルエステル、ｎ−ヘキシルエステル、シクロヘ
キシルエステル、２−ヒドロキシエチルエステル、２−
ヒドロキシプロピルエステル、３−ヒドロキシプロピル
エステル、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピル
エステル、ベンジルエステル、イソボロニルエステル、
トリシクロデカニルエステル、１−アダマンチルエステ
ル等のエステル類；（メタ）アクリロニトリル、マレイ
ンニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シト
ラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル
類；（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコン
アミド、イタコンアミド等の不飽和アミド類；マレイミ
ド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレ
イミド等の不飽和イミド類；（メタ）アリルアルコール
等の不飽和アルコール類や、Ｎ−ビニルアニリン、ビニ
ルピリジン類、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−
ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニ
ルカルバゾール等を挙げることができる。これらの単官
能性単量体のうち、ビニル芳香族化合物、不飽和カルボ
ン酸のエステル類が好ましく、特に、スチレン、（メ
タ）アクリル酸メチル等が好ましい。

【００１１】また、他の繰返し単位を与える単量体のう
ち、分子中に２個以上の重合性不飽和基を有する多官能
性単量体としては、例えば、２価以上の多価アルコー
ル、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール等の
分子中に２個以上の水酸基を有する化合物と（メタ）ア
クリル酸とのエステル類；エポキシ樹脂に代表される分
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物と（メタ）
アクリル酸との付加物類；分子中に２個以上のアミノ基
を有する化合物と（メタ）アクリル酸との縮合物類等を
挙げることができ、具体的には、エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリ
メチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタ
エリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラ（メタ）アクリレート、トリシクロデ
カンジメタノールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジ
メチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレ
ート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド
のほか、ビスフェノールＡのエチレングリコール付加物
あるいはプロピルグリコール付加物のジ（メタ）アクリ
レート等の（ポリ）アルキレングリコール（誘導体）ジ
（メタ）アクリレート類、ビスフェノールＡジグリシジ
ルエーテルの（メタ）アクリル酸二付加物等のエポキシ
（メタ）アクリレート類等を挙げることができる。これ
らの多官能性単量体のうち、特に、エチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノー
ルジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメチル−２，５
−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ビスフェ
ノールＡジグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸二
付加物等が好ましい。他の繰返し単位を与える単量体と
して、多官能性単量体を用いることにより、（Ａ）樹脂
中に適度の架橋構造を導入して、重合体分子鎖の運動性
を低下させ、、それにより熱変形を抑制して、耐熱性な
どを改良することができる。また、多官能性単量体によ
り導入される架橋構造が酸解離性を有する場合は、直鎖
状樹脂の場合や架橋構造が酸解離性をもたない場合と比
べて、露光による分子量低下が大きくなり、露光部と未
露光部との現像液に対する溶解速度差が増大する結果、
解像度をより向上させることもできる。

【００１２】以下では、繰返し単位（１）と繰返し単位
（２）とからなり、場合により他の繰返し単位をさらに
有する（Ａ）樹脂を「樹脂（Ａ１）」とし、繰返し単位
（１）と繰返し単位（３）とからなり、場合により他の
繰返し単位をさらに有する（Ａ）樹脂を「樹脂（Ａ
２）」とし、繰返し単位（１）と繰返し単位（２）と繰
返し単位（３）とからなり、場合により他の繰返し単位
をさらに有する（Ａ）樹脂を「樹脂（Ａ３）」とする。

【００１３】本発明における好ましい（Ａ）樹脂の具体
例を構成単量体の組み合わせとして示すと、下記のもの
を挙げることができる。ｐ−ヒドロキシスチレン／（メ
タ）アクリル酸ｔ−ブチル共重合体、ｐ−ヒドロキシス
チレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチルプロピル
共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリル
酸１，１−ジメチル−３−オキソブチル共重合体、ｐ−
ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル／
スチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）
アクリル酸１，１−ジメチルプロピル／スチレン共重合
体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリル酸１，
１−ジメチル−３−オキソブチル／スチレン共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリル酸ｔ−ブチ
ル／（メタ）アクリル酸メチル共重合体、ｐ−ヒドロキ
シスチレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチルプロ
ピル／（メタ）アクリル酸メチル共重合体、ｐ−ヒドロ
キシスチレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチル−
３−オキソブチル／（メタ）アクリル酸メチル共重合
体、

【００１４】ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリ
ル酸ｔ−ブチル／エチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）ア
クリル酸１，１−ジメチルプロピル／エチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシス
チレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチル−３−オ
キソブチル／エチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリ
ル酸ｔ−ブチル／トリシクロデカンジメタノールジ（メ
タ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／
（メタ）アクリル酸１，１−ジメチルプロピル／トリシ
クロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート共重合
体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アクリル酸１，
１−ジメチル−３−オキソブチル／トリシクロデカンジ
メタノールジ（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒド
ロキシスチレン／（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル／ビス
フェノールＡジグリシジルエーテルの（メタ）アクリル
酸二付加物共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メ
タ）アクリル酸１，１−ジメチルプロピル／ビスフェノ
ールＡジグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸二付
加物共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）アク
リル酸１，１−ジメチル−３−オキソブチル／ビスフェ
ノールＡジグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸二
付加物共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／（メタ）ア
クリル酸ｔ−ブチル／２，５−ジメチル−２，５−ヘキ
サンジオールジ（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチ
ルプロピル／２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオ
ールジ（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシ
スチレン／（メタ）アクリル酸１，１−ジメチル−３−
オキソブチル／２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジ
オールジ（メタ）アクリレート共重合体等の樹脂（Ａ
１）；

【００１５】ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキ
シスチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ア
セトキシスチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／スチレン共重合体、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン／スチレン
共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキシ
スチレン／（メタ）アクリル酸メチル共重合体、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン／（メタ）
アクリル酸メチル共重合体、

【００１６】ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキ
シスチレン／エチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−アセトキシ
スチレン／エチレングリコールジ（メタ）アクリレート
共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキシ
スチレン／トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）ア
クリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ア
セトキシスチレン／トリシクロデカンジメタノールジ
（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレ
ン／ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ビスフェノールＡジグ
リシジルエーテルの（メタ）アクリル酸二付加物共重合
体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン
／ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの（メタ）ア
クリル酸二付加物共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／２，５−ジメチル−２，５
−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン／
２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メ
タ）アクリレート共重合体等の樹脂（Ａ２）。

【００１７】（Ａ）樹脂における各繰返し単位の含有率
は、次のとおりである。樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ２）お
よび樹脂（Ａ３）における繰返し単位（１）の含有率
が、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）および繰返し
単位（３）の合計量に対して、通常、３０〜９０モル
％、好ましくは５０〜８５モル％である。また、樹脂
（Ａ１）における繰返し単位（２）の含有率が、繰返し
単位（１）および繰返し単位（２）の合計量に対して、
通常、５〜７０モル％、好ましくは５〜５０モル％であ
り、樹脂（Ａ２）における繰返し単位（３）の含有率
が、繰返し単位（１）および繰返し単位（３）の合計量
に対して、通常、１０〜５０モル％、好ましくは１５〜
４０モル％であり、樹脂（Ａ３）における繰返し単位
（２）と繰返し単位（３）の合計含有率が、繰返し単位
（１）、繰返し単位（２）および繰返し単位（３）の合
計量に対して、通常、５〜７０モル％、好ましくは５〜
５０モル％である。また、樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ２）
および樹脂（Ａ３）において、単官能性単量体に由来す
る他の繰返し単位の含有率が、全繰返し単位に対して、
通常、５０モル％以下、好ましくは４０モル％以下であ
り、多官能性単量体に由来する他の繰返し単位の含有率
は、各樹脂に対して、通常、１５重量％以下、好ましく
は１０重量％以下である。この場合、樹脂（Ａ１）、樹
脂（Ａ２）および樹脂（Ａ３）における繰返し単位
（１）の含有率が３０モル％未満では、レジストとして
の感度が低下する傾向があり、一方９０モル％を超える
と、レジストとしての解像度が低下する傾向がある。ま
た、樹脂（Ａ１）における繰返し単位（２）の含有率が
５モル％未満、樹脂（Ａ２）における繰返し単位（３）
の含有率が１０モル％未満、あるいは樹脂（Ａ３）にお
ける繰返し単位（２）と繰返し単位（３）の合計含有率
が５モル％未満では、何れの場合もレジストとしての解
像度が低下する傾向があり、一方樹脂（Ａ１）における
繰返し単位（２）の含有率が７０モル％を超えるか、樹
脂（Ａ２）における繰返し単位（３）の含有率が５０モ
ル％を超えるか、あるいは樹脂（Ａ３）における繰返し
単位（２）と繰返し単位（３）の合計含有率が７０モル
％を超えると、何れの場合もレジストとしての感度が低
下する傾向がある。また、樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ２）
および樹脂（Ａ３）における単官能性単量体に由来する
他の繰返し単位の含有率が５０モル％を超えると、レジ
ストとしての解像度が低下する傾向があり、樹脂（Ａ
１）、樹脂（Ａ２）および樹脂（Ａ３）における多官能
性単量体に由来する他の繰返し単位の含有率が１５重量
％を超えると、現像液に対する溶解性が低下する傾向が
ある。

【００１８】（Ａ）樹脂は、例えば、下記（イ）〜
（ホ）等の方法により製造することができる。 （イ）繰返し単位（１）に対応する単量体と繰返し単位
（２）に対応する単量体および／または繰返し単位
（３）に対応する単量体とを、場合により他の繰返し単
位に対応する単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤
を適宜に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳
化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法によ
り共重合する方法や、カチオン重合法により共重合する
方法。 （ロ）ｔ−ブトキシスチレン類と繰返し単位（２）に対
応する単量体とを、場合により他の繰返し単位に対応す
る単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜に選
定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重合、懸
濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共重合し
たり、リビングアニオン重合したのち、酸性触媒を用い
て、共重合体中のｔ−ブチル基の少なくとも一部を選択
的に加水分解および／または加溶媒分解する方法。 （ハ）アセトキシスチレン類と繰返し単位（２）に対応
する単量体とを、場合により他の繰返し単位に対応する
単量体と共に、例えばラジカル重合開始剤を適宜に選定
して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、乳化重合、懸濁
重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により共重合した
のち、塩基性触媒を用いて、共重合体中のアセチル基の
少なくとも一部を選択的に加水分解および／または加溶
媒分解する方法。 （ニ）ｔ−ブトキシスチレン類を、場合により他の繰返
し単位に対応する単量体と共に、例えばラジカル重合開
始剤を適宜に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重
合、乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方
法により共重合したり、リビングアニオン重合したの
ち、酸性触媒を用いて、共重合体中のｔ−ブチル基の一
部を加水分解および／または加溶媒分解する方法。 （ホ）アセトキシスチレン類を、場合により他の繰返し
単位に対応する単量体と共に、例えばラジカル重合開始
剤を適宜に選定して、塊状重合、溶液重合、沈殿重合、
乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法に
より共重合したのち、塩基性触媒を用いて、共重合体中
のアセチル基の一部を加水分解および／または加溶媒分
解する方法。

【００１９】（Ａ）樹脂のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均
分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、次のとおりであ
る。多官能性単量体による架橋構造をもたない（Ａ）樹
脂のＭｗは、通常、１，０００〜１００，０００、好ま
しくは３，０００〜４０，０００、さらに好ましくは
３，０００〜３０，０００である。この場合、（Ａ）樹
脂のＭｗが１，０００未満であると、レジストとしての
感度および耐熱性が低下する傾向があり、一方１００，
０００を超えると、現像液に対する溶解性が低下する傾
向がある。多官能性単量体による架橋構造をもたない
（Ａ）樹脂のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラ
フィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量
（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、
通常、１．０〜５．０、好ましくは１．０〜４．０、さ
らに好ましくは１．０〜３．０である。また、多官能性
単量体による架橋構造を有する（Ａ）樹脂のＭｗは、通
常、３，０００〜５００，０００、好ましくは５，００
０〜４００，０００、さらに好ましくは８，０００〜３
００，０００である。この場合、（Ａ）樹脂のＭｗが
３，０００未満であると、レジストとしての感度および
耐熱性が低下する傾向があり、一方５００，０００を超
えると、現像欠陥の抑制効果が低下する傾向がある。多
官能性単量体による架橋構造を有する（Ａ）樹脂のＭｗ
／Ｍｎは、通常、１．５〜２０．０、好ましくは１．５
〜１５．０である。

【００２０】また、本発明においては、基板上に形成さ
れる塗膜の均一性を損なわず、（Ａ）樹脂との相溶性が
良好な他の樹脂（例えば、ポリ（ヒドロキシスチレン）
類等）や低分子化合物（例えば、２，２−ビス（４−ｔ
−ブトキシフェニル）プロパン等）を、（Ａ）樹脂に配
合して使用することもできる。この場合の他の樹脂や低
分子化合物の合計配合量は、（Ａ）樹脂１００重量部に
対して、５０重量部以下が好ましい。

【００２１】（Ｂ）感放射線性酸発生剤 本発明における（Ｂ）成分は、前記式（４）で表され、
露光により酸を発生する化合物（以下、「（Ｂ）酸発生
剤」という。）からなる。式（４）において、Ｒ⁶ 〜Ｒ
¹¹の炭素数１〜６の１価の有機基の具体例としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、１，１―ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル
基、１，１−ジメチルブチル基等のアルキル基；メトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシ基等のアルコキシル基；メトキシメチル
基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メ
トキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシ
エチル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロ
ピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基
等のアルコキシアルキル基；メトキシメトキシ基、エト
キシメトキシ基、１−メトキシエトキシ基、２−メトキ
シエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、２−エトキシ
エトキシ基、３−メトキシプロポキシ基、３−エトキシ
プロポキシ基、４−メトキシブトキシ基、４−エトキシ
ブトキシ基等のアルコキシアルコキシル基のほか、シア
ノ基、カルボキシル基、−COOX（但し、X は炭素数１〜
５のアルキル基を示す。）、ジアルキルアミノ基（但
し、アルキル基の合計炭素数は２〜６である。）等を挙
げることができる。

【００２２】これらの１価の有機基のうち、メチル基、
エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、メトキシ
基、エトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、
メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエ
チル基、１−エトキシエチル基、メトキシメトキシ基、
エトキシメトキシ基、１−メトキシエトキシ基、１−エ
トキシエトキシ基等が好ましい。

【００２３】また、Ｒ⁶ 〜Ｒ⁸ のうちの二つが互いに結
合して式（３）中のベンゼン核を構成する炭素原子と共
に形成した３〜８員環の環構造、およびＲ⁹ 〜Ｒ¹¹のう
ちの二つが互いに結合して式（３）中のベンゼン核を構
成する炭素原子と共に形成した３〜８員環の環構造は、
炭素環でも、あるいは窒素原子、酸素原子、硫黄原子等
の異項原子を１個以上有する複素環でもよい。前記３〜
８員環の環構造としては、式（３）中のベンゼン核を構
成する隣接する２個の炭素原子と共に形成した５〜６員
環の炭素環構造、異項原子として酸素原子を１〜２個有
し式（３）中のベンゼン核を構成する隣接する２個の炭
素原子と共に形成した５〜６員環の複素環構造等が好ま
しい。

【００２４】本発明における好ましい（Ｂ）酸発生剤の
具体例としては、下記式（５）〜（５８）で表される化
合物等を挙げることができる。

【００２５】

【化９】

【００２６】

【化１０】

【００２７】

【化１１】

【００２８】

【化１２】

【００２９】

【化１３】

【００３０】

【化１４】

【００３１】

【化１５】

【００３２】

【化１６】

【００３３】

【化１７】

【００３４】

【化１８】

【００３５】

【化１９】

【００３６】

【化２０】

【００３７】

【化２１】

【００３８】

【化２２】

【００３９】

【化２３】

【００４０】

【化２４】

【００４１】

【化２５】

【００４２】

【化２６】

【００４３】

【化２７】

【００４４】

【化２８】

【００４５】

【化２９】

【００４６】

【化３０】

【００４７】

【化３１】

【００４８】

【化３２】

【００４９】

【化３３】

【００５０】

【化３４】

【００５１】

【化３５】

【００５２】これらの（Ｂ）酸発生剤のうち、特に、式
（５）、式（６）、式（１０）、式（１１）、式（１
２）、式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１
６）、式（１９）、式（２３）、式（２５）、式（２
９）、式（３１）、式（３２）、式（３４）、式（３
５）、式（３６）、式（３７）、式（３８）、式（３
９）、式（４０）、式（４１）、式（４２）または式
（５４）で表される化合物等が好ましい。

【００５３】本発明において、（Ｂ）酸発生剤は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。本
発明における（Ｂ）酸発生剤の使用量は、（Ａ）樹脂１
００重量部当たり、通常、０．３〜２０重量部、好まし
くは０．５〜１０重量部である。この場合、（Ｂ）酸発
生剤の使用量が０．３重量部未満では、「現像欠陥」の
抑制効果を十分発揮させることが困難となったり、露光
によって発生した酸の触媒作用による化学変化を十分生
起させることが困難となるおそれがあり、また２０重量
部を超えると、組成物を塗布する際に塗布むらが生じた
り、現像時にスカム等を発生するおそれがある。

【００５４】また、本発明においては、（Ｂ）酸発生剤
と共に、下記する他の感放射線性酸発生剤（以下、「他
の酸発生剤」という。）を併用することもできる。他の
酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、ス
ルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、
ジアゾメタン化合物等を挙げることができる。以下、こ
れらの他の酸発生剤の具体例を示す。 オニウム塩化合物 オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスル
ホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ト
リフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベン
ゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンフ
ァースルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オク
タンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェ
ニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジ
フェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブ
トキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシル
ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジ
フェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ
−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オク
タンスルホネート等を挙げることができる。

【００５５】スルホン化合物 スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニル
スルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニ
ルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン
等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物 スルホン酸エステル化合物の具体例としては、α−メチ
ロールベンゾインパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスル
ホネート、α−メチロールベンゾイン２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ベンゾイントシレート、
ピロガロールのメタンスルホン酸トリエステル、ニトロ
ベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−ス
ルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α
−メチロールベンゾインｎ−オクタンスルホネート、α
−メチロールベンゾインｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート等を挙げることができる。

【００５６】スルホンイミド化合物 スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（パーフ
ルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキ
シ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−ブチルス
ルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（パーフ
ルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオ
キシ）ナフチルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスル
ホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフル
オロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオ
ロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフ
チルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフ
ルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−
カンファニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（１０−カンファニルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（１０−カンファニルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファニルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファニ
ルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（１０−カンファニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファニルスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニル
スルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチル
フェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−
メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオ
キシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチ
ルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフ
チルイミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクチルスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド等を挙げることができる。

【００５７】ジスルホニルメタン化合物 ジスルホニルメタン化合物としては、例えば下記式（５
９）で表される化合物を挙げることができる。

【００５８】

【化３６】 〔式（５９）において、Ｒ¹²およびＲ¹³は相互に独立に
炭素数１〜１０の非環式炭化水素基、炭素数３〜１０の
置換もしくは非置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２
０の置換もしくは非置換のアリール基、炭素数７〜２０
の置換もしくは非置換のアラルキル基またはヘテロ原子
を有する炭素数１〜２０の他の１価の有機基を示す。〕

【００５９】本発明における他の酸発生剤の使用割合
は、（Ｂ）酸発生剤の使用量に対して、モル比で、通
常、２０倍量未満、好ましくは１５倍量以下である。こ
の場合、他の酸発生剤の使用割合がこの範囲を外れる
と、「現像欠陥」の抑制効果が不十分となるおそれがあ
る。

【００６０】酸拡散制御剤 本発明においては、さらに、露光により（Ｂ）酸発生剤
や他の酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における
拡散現象を制御し、未露光領域での好ましくない化学反
応を抑制する作用等を有する酸拡散制御剤を配合するこ
とが好ましい。このような酸拡散制御剤を使用すること
により、組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストと
して、解像度が向上するとともに、ＰＥＤによるレジス
トパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安
定性に極めて優れたものとなる。酸拡散制御剤として
は、露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有
機化合物が好ましく、その具体例としては、式Ｒ¹⁴Ｒ¹⁵
Ｒ¹⁶Ｎ（但し、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は相互に独立に水
素原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしく
は非置換のアリール基または置換もしくは非置換のアラ
ルキル基を示す。）で表される化合物（以下、「含窒素
化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２
個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（I
I）」という。）、窒素原子を３個以上有する重合体
（以下、「含窒素化合物（III)」という。）、アミド基
含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙
げることができる。

【００６１】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、モノエ
タノールアミン等のモノアルキルアミン類；ジ−ｎ−ブ
チルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシ
ルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチル
アミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミ
ン、ジエタノールアミン等のジアルキルアミン類；トリ
エチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−
ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−
ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ
−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ
−デシルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキ
ルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルア
ニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジ
フェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルア
ミン等の芳香族アミン類を挙げることができる。含窒素
化合物（II）としては、例えば、エチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビ
ス（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（３’−ア
ミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（３’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニ
ル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，４−ビス〔１’−（４^''−アミノフェニル）−１’
−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１’−（４
^''−アミノフェニル）−１’−メチルエチル〕ベンゼン
等を挙げることができる。含窒素化合物（III)として
は、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、
ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げ
ることができる。前記アミド基含有化合物としては、例
えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオ
ンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロ
リドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物とし
ては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチル
ウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テ
トラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−
ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含
窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベ
ンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチ
ル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類；ピ
リジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２
−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニル
ピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フ
ェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸ア
ミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等の
ピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジ
ン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モ
ルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４
−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．
２．２] オクタン等を挙げることができる。

【００６２】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（Ｉ）、含窒素複素環化合物が好ましい。また、
含窒素化合物（Ｉ）の中では、トリアルキルアミン類が
特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、ピリジン
類が特に好ましい。本発明において、酸拡散制御剤は、
単独でまたは２種以上を混合して使用することができ
る。酸拡散制御剤の使用量は、（Ａ）樹脂１００重量部
当たり、通常、１５重量部以下、好ましくは０．００１
〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５〜５重量部
である。この場合、酸拡散制御剤の使用量が１５重量部
を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が
低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の使用量が
０．００１重量部未満であると、プロセス条件によって
は、パターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがあ
る。

【００６３】他の添加剤 さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応
じて、界面活性剤、増感剤等の各種の他の添加剤を配合
することもできる。前記界面活性剤は、組成物の塗布性
やストリエーション、レジストとしての現像性等を改良
する作用を示す。このような界面活性剤としては、例え
ば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレ
イルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエ
ーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、
ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレング
リコールジステアレートのほか、市販品として、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（以上、トー
ケムプロダクツ社製）、メガファックスＦ１７１，Ｆ１
７３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、フロラ
ードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム
（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳー
３８２，ＳＣー１０１，ＳＣー１０２，ＳＣー１０３，
ＳＣー１０４，ＳＣー１０５，ＳＣー１０６（以上、旭
硝子（株）製）、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）
製）、ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（以上、共栄
社化学（株）製）等を挙げることができる。これらの界
面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用する
ことができる。界面活性剤の使用量は、（Ａ）樹脂１０
０重量部当たり、通常、２重量部以下である。前記増感
剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギー
を（Ｂ）酸発生剤や他の酸発生剤に伝達することによ
り、露光による酸の生成量を増加する作用を示すもの
で、レジストとしての見掛けの感度を向上させる効果を
有する。好ましい増感剤としては、例えば、ベンゾフェ
ノン類、ローズベンガル類、アントラセン類等を挙げる
ことができる。これらの増感剤は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。増感剤の使用量
は、（Ａ）樹脂１００重量部当たり、通常、５０重量部
以下である。また、染料および／または顔料を配合する
ことにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハ
レーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合すること
により、基板との接着性を改善することができる。さら
に、他の添加剤として、４−ヒドロキシ−４’−メチル
カルコン等のハレーション防止剤、形状改良剤、保存安
定化剤、消泡剤等を配合することもできる。

【００６４】溶剤 本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
全固形分の濃度が、例えば、通常、１〜５０重量％、好
ましくは３〜４０重量％となるように、溶剤に均一に溶
解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターで
ろ過することによって、組成物溶液として調製される。
前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例え
ば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピ
レングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレング
リコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエ
チルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピル
エーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテ
ル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−
プロピル、乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸
ｎ−アミル、ぎ酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プ
ロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−
ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン
酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン
酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；ヒドロ
キシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオ
ン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、
メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキ
シプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３
−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル
−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３
−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセ
ト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等
の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素類；メチルエチルケトン、メチルｎ−プロピルケト
ン、メチルｎ−ブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘ
プタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケト
ン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ
−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができ
る。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して
使用することができる。

【００６５】レジストパターンの形成 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述したようにして調製された組成物
溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗
布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニ
ウムで被覆されたウエハー、窒化シリコンで被覆された
ウエハー、有機下層反射防止膜で被覆されたウエハー等
の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成
し、場合により予め７０〜１６０℃程度の温度で３０秒
以上加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行ったの
ち、所定のマスクパターンを介して該レジスト被膜に露
光する。その際に使用される放射線としては、（Ｂ）酸
発生剤や他の酸発生剤の種類に応じて、ｉ線（波長３６
５ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）
やＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等の遠紫
外線、電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等
のＸ線等を適宜選択して使用されるが、好ましくは遠紫
外線あるいは荷電粒子線である。また、露光量等の露光
条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の
種類等に応じて、適宜選定される。本発明においては、
解像度、現像性、パターン形状、ＰＥＤ安定性等に優
れ、高精度の微細なレジストパターンを安定して形成す
るために、露光後に７０〜１６０℃程度の温度、特に１
２０〜１６０℃の温度で３０秒以上加熱処理（以下、
「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。この場
合、ＰＥＢの加熱温度が７０℃未満であると、ＰＥＤ安
定性が低下する傾向がある。次いで、露光されたレジス
ト被膜をアルカリ現像液により、通常、１０〜５０℃、
３０〜２００秒の条件で現像することにより、所定のレ
ジストパターンを形成する。前記アルカリ現像液として
は、例えば、アルカリ金属水酸化物；アンモニア水；モ
ノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類；モノ−、
ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類；複素環式ア
ミン類；テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類；
コリン；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−
ウンデセン；１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−
５−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を、
通常、１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％の濃度
となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例え
ばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活
性剤を適量添加することもできる。このようにアルカリ
性水溶液からなる現像液を使用する場合には、一般に、
現像後、水洗する。なお、レジストパターンを形成する
際には、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響
を防止するため、レジスト被膜上に保護膜を設けること
もできる。

【００６６】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。実
施例および比較例におけるＭｗとＭｗ／Ｍｎの測定およ
び各レジストの評価は、下記の要領で行った。ＭｗおよびＭｗ／Ｍｎ 東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ^XL ２本、
Ｇ３０００Ｈ^XL １本、Ｇ４０００Ｈ^XL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフィ（ＧＰＣ）により測定した。感度 設計線幅０．２６μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、１対１の線幅に形成
する露光量を、最適露光量とし、この最適露光量で評価
した。 解像度 設計線幅０．２６μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を形成したとき、最適露光量で露光し
たときに解像されるレジストパターンの最小寸法（μ
ｍ）を解像度とした。現像欠陥 光学顕微鏡により現像欠陥の有無を観察する方法、およ
びケー・エル・エー・テンコール（株）製のＫＬＡ欠陥
検査装置を用いる下記方法により評価した。ＫＬＡ欠陥
検査装置を用いる方法：アレイモードで観察して、比較
イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差
異から抽出されるクラスターおよびアンクラスターの欠
陥総数を検出した。欠陥総数の検出は、０．１５μｍ以
上の欠陥を検出できるように、この装置の感度を設定し
て行った。評価に当たり、光学顕微鏡により現像欠陥が
観察されず、かつ前記ＫＬＡ欠陥検査装置を用いる方法
における欠陥総数がウエハー１個当り１０未満であると
き、現像欠陥が“良好”とし、光学顕微鏡により現像欠
陥が観察されるか、あるいは前記欠陥総数がウエハー１
個当り１０以上であるとき、現像欠陥が“不良”とし
た。ＰＥＤ安定性 露光直後にＰＥＢを行って現像した場合の最適露光量で
露光した試料を、雰囲気中のアンモニア濃度を５ｐｐｂ
に制御したチャンバー内に２時間引き置いたのち、ＰＥ
Ｂを行い、現像して、設計線幅０．２６μｍのライン・
アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形成したと
き、パターン上部の線幅（Ｌtop)を走査型電子顕微鏡に
て測定して、下記基準で評価した。 ０．２６×０．８５＜Ｌtop ＜０．２６×１．１：良好 ０．２６×０．８５≧Ｌtop ：細り不良 ０．２６×１．１ ≦Ｌtop ：太り不良

【００６７】（Ａ）樹脂の合成 合成例１ ｐ−アセトキシスチレン１０７ｇ、メタクリル酸ｔ−ブ
チル５０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル６ｇ、ｔ−ド
デシルメルカプタン１ｇを、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル１６０ｇに溶解し、窒素雰囲気下、反応
温度を７０℃に保持して、１６時間重合させた。重合
後、反応溶液を大量のヘキサン中に滴下して、生成樹脂
を凝固精製した。次いで、精製樹脂に、再度プロピレン
グリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたのち、
さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミン８０ｇ、
水１５ｇを加えて、沸点にて還流させつつ、８時間加水
分解反応を行なった。反応後、溶媒およびトリエチルア
ミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解した
のち、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉
末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥した。この樹脂
は、Ｍｗが１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７であり、
¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとメ
タクリル酸ｔ−ブチルとの共重合モル比が、６４：３６
であった。この樹脂を、樹脂（Ａ１-1）とする。

【００６８】合成例２ ｐ−アセトキシスチレン１００ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル２５ｇ、スチレン１８ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル６ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解し、窒素
雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して、１６時間重合
させた。重合後、反応溶液を大量のヘキサン中に滴下し
て、生成樹脂を凝固精製した。次いで、精製樹脂に、再
度プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを
加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルア
ミン８０ｇ、水１５ｇを加えて、沸点にて還流させつ
つ、８時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒および
トリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセト
ンに溶解したのち、大量の水中に滴下して凝固させ、生
成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥し
た。この樹脂は、Ｍｗが１１，５００、Ｍｗ／Ｍｎが
１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−ヒドロキ
シスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルとスチレンとの共重
合モル比が、６１：１９：２０であった。この樹脂を、
樹脂（Ａ１-2）とする。

【００６９】合成例３ ｐ−アセトキシスチレン１２５ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル２０ｇ、スチレン１０ｇ、２，５―ジメチル−２，５
―ヘキサンジオールジアクリレート８ｇ、アゾビスイソ
ブチロニトリル８ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン６ｇ
を、プロピレングリコールモノメチルエーテル１７０ｇ
に溶解し、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持し
て、１６時間重合させた。重合後、反応溶液を大量のヘ
キサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次い
で、精製樹脂に、再度プロピレングリコールモノメチル
エーテル１５０ｇを加えたのち、さらにメタノール３０
０ｇ、トリエチルアミン８０ｇ、水１５ｇを加えて、沸
点にて還流させつつ、８時間加水分解反応を行った。反
応後、溶媒およびトリエチルアミンを減圧留去し、得ら
れた樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下
して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５
０℃で一晩乾燥した。この樹脂は、Ｍｗが４０，００
０、Ｍｗ／Ｍｎが２．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結
果、ｐ−ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルと
スチレンと２，５―ジメチル−２，５―ヘキサンジオー
ルジアクリレートとの共重合モル比が、７２：１０：１
５：３であった。この樹脂を、樹脂（Ａ１-3）とする。

【００７０】合成例４ ｐ−ｔ−ブトキシスチレン１７６ｇを、テトラヒドロフ
ラン２５０ｇ中、―７８℃で、ｓｅｃ―ブチルリチウム
を触媒としてアニオン重合を行った。重合後、得られた
樹脂溶液をメタノール中に凝固して、白色の樹脂を得
た。次いで、この樹脂をジオキサン６００ｇに溶解し
て、希塩酸を加え、７０℃で２時間加水分解反応を行っ
たのち、反応溶液を多量の水中に滴下して、樹脂を凝固
させて、白色の樹脂を得た。次いで、この樹脂をアセト
ンに溶解し、大量の水中に滴下して凝固させる操作を繰
返し、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一
晩乾燥した。この樹脂は、Ｍｗが１０，４００、Ｍｗ／
Ｍｎが１．０１であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン中のｔ−ブチル基の一部のみ
が加水分解した構造を有し、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン
とｐ−ヒドロキシスチレンとのモル比が６８：３２の共
重合体であることが確認された。この樹脂を、樹脂（Ａ
２-1）とする。

【００７１】合成例５ ｐ−アセトキシスチレン１６０ｇ、アゾビスイソブチロ
ニトリル６ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解
し、窒素雰囲気下、反応温度を７５℃に保持して、２０
時間重合させた。重合後、反応溶液を大量のヘキサン中
に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、精製樹
脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１
５０ｇを加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリ
エチルアミン１０ｇ、水３０ｇを加えて、沸点にて還流
させつつ、１時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒
およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂を
アセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下して凝固さ
せ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩
乾燥した。この樹脂は、Ｍｗが９，５００、Ｍｗ／Ｍｎ
が１．５であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリｐ−ｔ
−アセトキシスチレン中のアセチル基の一部のみが加水
分解した構造を有し、ｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ア
セトキシスチレンのモル比が７０：３０の共重合体であ
ることが確認された。この樹脂を、樹脂（Ａ２-2）とす
る。

【００７２】他の樹脂の合成 比較合成例１ ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）１２ｇおよびトリエチ
ルアミン５ｇをジオキサン５０ｇに溶解した溶液に、攪
拌下で、ジ−ｔ−ブチルカーボネート７．０ｇを加え
て、室温で６時間攪拌したのち、しゅう酸を加えて、ト
リエチルアミンを中和した。次いで、反応溶液を大量の
水中に滴下して、樹脂を凝固させ、凝固した樹脂を純水
で数回洗浄して、ろ過したのち、減圧下５０℃で一晩乾
燥した。この樹脂は、Ｍｗが９，２００、Ｍｗ／Ｍｎが
１．８であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒ
ドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子
の３０モル％が、ｔ−ブトキシカルボニル基で置換され
た構造を有するものであった。この樹脂を、樹脂（ａ−
１）とする。

【００７３】

【実施例】実施例１〜１２および比較例１〜３ 表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブラン
フィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その
後、各組成物溶液をシリコンウエハー上にスピンコート
したのち、表２に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．７
μｍのレジスト被膜を形成した。次いで、表２に示す条
件で、露光およびＰＥＢを行った。その後、２．３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用
い、２３℃で１分間、パドル法により現像したのち、純
水で洗浄し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形
成した。表２の露光光源のうち、ＫｒＦエキシマレーザ
ーは（株）ニコン製ＫｒＦエキシマレーザー照射装置
（商品名：ＮＳＲ−２２０５ ＥＸ１２Ａ）用いて露光
し、電子線は（株）日立製作所製Hitachi ＨＬ７００Ｄ
（但し、加速電圧を５０ＫｅＶに改造したもの）を用い
て露光した。なお比較例１では、樹脂（ａ−１）の分解
温度が低く、１３０℃以上に加熱すると、現像後にパタ
ーンが形成されないため、該樹脂に適した温度でＰＢお
よびＰＥＢを行った。また、ＰＥＤ安定性を評価するた
め、同一の各レジストを用い、前記と同様にしてスピン
コート、ＰＢおよび露光を行なったシリコンウエハー
を、各レジスト毎に２枚づつ用意し、そのうちの１枚は
露光後直ちにＰＥＢを行い、もう１枚は雰囲気中のアン
モニア濃度を５ｐｐｂに制御したチャンバー内に２時間
引き置いたのち、ＰＥＢを行った。各レジストの評価結
果を、表３に示す。

【００７４】実施例および比較例における酸発生剤、酸
拡散制御剤、他の添加剤および溶剤は、下記のとおりで
ある。（Ｂ）酸発生剤 Ｂ―１：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート（式（１５）） Ｂ−２：４―メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート（式（２３）） Ｂ−３：ビス（３，５−ジメチルシフェニル）ヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート（式（１９）） Ｂ−４：ビス｛４−（Ｉ’−エトキシエトキシ）フェニ
ル｝ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート（式
（４２）） Ｂ−５：式（５４）で表される化合物

【００７５】他の酸発生剤 ｂ―１：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
１０―カンファースルホネート ｂ―２：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート ｂ−３：４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムｐ−トルエンスルホネート

【００７６】酸拡散制御剤 Ｃ−１：トリ−ｎ−ヘキシルアミン Ｃ―２：トリエタノールアミン Ｃ―３：２―フェニルピリジン他の添加剤 Ｄ−１：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（Ｍｗ＝８，
０００） Ｄ−２：２，２−ビス（４−ｔ−ブトキシフェニル）プ
ロパン溶剤 Ｅ−１：乳酸エチル Ｅ−２：３−エトキシプロピオン酸エチル Ｅ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート

【００７７】

【表１】

【００７８】

【表２】

【００７９】

【表３】

【００８０】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、ＰＥ
Ｄによりレジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型
形状になることがなく、かつ現像欠陥を生じることがな
く、しかも遠紫外線、荷電粒子線、Ｘ線の如き各種の放
射線に対して、高感度（低露光エネルギー量）であり、
かつ解像性能に優れている。したがって、本発明の感放
射線性樹脂組成物は、今後さらに微細化が進行すると予
想される半導体デバイス製造用の化学増幅型レジストと
して極めて好適に使用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩谷 健夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AA04 AA11 AB16 AC04 AC05 AC08 AD03 BE07 BE10 BG00 CB14 CB17 CB41 FA12

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記式（１）で表される繰返し単
   位（１）と下記式（２）で表される繰返し単位（２）お
   よび／または下記式（３）で表される繰返し単位（３）
   とを有する樹脂、および（Ｂ）下記式（４）で表される
   感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射
   線性樹脂組成物。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
   示す。〕 【化２】 〔式（２）において、Ｒ² は水素原子またはメチル基を
   示し、Ｒ³ は炭素数４〜１０の３級アルキル基または
   １，１−ジメチル−３−オキソブチル基を示す。〕 【化３】 〔式（３）において、Ｒ⁴ は水素原子またはメチル基を
   示し、Ｒ⁵ はｔ−ブチル基またはアセチル基を示す。〕 【化４】 〔式（４）において、Ｒ⁶ 〜Ｒ¹¹は相互に独立に水素原
   子または炭素数１〜６の１価の有機基を示すか、あるい
   はＲ⁶ 〜Ｒ⁸ のうちの二つが互いに結合して式（３）中
   のベンゼン核を構成する炭素原子と共に３〜８員環の環
   構造を形成して、Ｒ⁶ 〜Ｒ⁸ のうちの残りの一つが水素
   原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示すか、ある
   いはＲ⁹ 〜Ｒ¹¹のうちの二つが互いに結合して式（３）
   中のベンゼン核を構成する炭素原子と共に３〜８員環の
   環構造を形成して、Ｒ⁹ 〜Ｒ¹¹のうちの残りの一つが水
   素原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示し、かつ
   Ｒ⁶〜Ｒ¹¹のうちの少なくとも一つが水素原子以外の基
   である。〕