JP2000144437A - Electroless plating method, electroless plating device, production of wiring board and device for producing wiring board - Google Patents

Electroless plating method, electroless plating device, production of wiring board and device for producing wiring board

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JP2000144437A
JP2000144437A JP32634598A JP32634598A JP2000144437A JP 2000144437 A JP2000144437 A JP 2000144437A JP 32634598 A JP32634598 A JP 32634598A JP 32634598 A JP32634598 A JP 32634598A JP 2000144437 A JP2000144437 A JP 2000144437A
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electroless plating
plated
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Inventor
Mikio Hongo
Yoshihide Yamaguchi
欣秀 山口
幹雄 本郷
Original Assignee
Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily form a thick plated film in a narrow region with high positional precision at a low cost by irradiating the surface of the object to be plated dipped into an electroless plating soln. contg. metallic ions, a complexing agent, a reducing agent, a pH regulator or the like with light beam and leaving standing it in the plating soln. for a prescribed time. SOLUTION: An object 1 to be plated whose surface has preferably been subjected to degreasing and cleaning is dipped into an electroless plating soln. contg. the metallic ions of copper, nickel, gold, palladium or the like, a complexing agent, a reducing agent and a pH regulator for the metallic ions. In this state, only the desired place of the surface of the object to be plated is irradiated with strong light beam, e.g. laser beam 2 of about 100 mW to 2,000 W for about 10 sec. In this way, the plating soln. is decomposed only in the microregion in the vicinity of the surface of the irradiated place by flash photolysis to deposit metallic oxide fine particles, which are reduced with the plating soln. to form metallic fine particles 3. This active metallic fine particles 3 act as a self-catalyst to form a thick plating film 4 on the irradiated place of the object 1 to be plated left standing in the plating soln.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は化学めっき皮膜の選択的形成方法に係り、プリント配線板、セラミック配線板、半導体基板、及び、TFT(薄膜トランジスタ)やPDP(プラズマディスプレイパネル)などの高精細ディスプレイ用配線基板といった電子部品に使用される配線導体あるいは自動車部品などに好適な無電解めっき方法及び装置、並びに、配線基板の製造方法及び装置に関する。 The present invention relates to relates to a selective formation process of a chemical plating film, printed wiring board, a ceramic wiring board, a semiconductor substrate, and a high-resolution display such as TFT (thin film transistor) and a PDP (Plasma Display Panel) use wiring board suitable electroless plating method and apparatus such as the wiring conductors or automotive parts used in electronic components such, as well as to method and apparatus for producing a wiring board.

【0002】 [0002]

【従来の技術】例えばプラスチック、セラミックス、ガラスといった非導電性物質に、無電解めっき法によりめっきを施す場合、めっきに先立って、被めっき物の表面を活性化する必要がある。 BACKGROUND ART For example plastics, ceramics, nonconductive material such as glass, when plated by electroless plating, prior to plating, it is necessary to activate the surface of the object to be plated. この活性化処理は、触媒化処理とも呼ばれており、通常、パラジウムや銀などのめっき触媒活性を有する貴金属の化合物を含む液体中に被めっき物を浸漬し、その表面にめっき触媒活性種あるいはその前駆体を吸着させることにより行われる。 The activation process is also called a catalyzing treatment, usually, by immersing the object to be plated in a liquid containing a compound of a noble metal having plating catalytic activity, such as palladium or silver, plating the catalytically active species on the surface or the precursor is carried out by adsorption.

【0003】この通常の処理方法には、被めっき物表面全体が一度に活性化できるという長所がある反面、所望の狭い領域のみを活性化することができないという短所がある。 [0003] The normal treatment method, although there are advantages that the whole object to be plated surface can activate a time, there is a disadvantage that it is not possible to activate only the desired narrow area. この方法により所望の箇所のみを選択的に活性化するためには、あらかじめマスクを形成してからマスクを含む全面を活性化し、しかる後に、マスクを除去するという煩雑な工程を経る必要がある。 To selectively activate only a desired portion by this method to activate the entire surface from forming in advance the mask includes a mask, and thereafter, it is necessary to go through a complicated process of removing the mask.

【0004】所望の狭い領域のみを選択的に活性化するという目的に対して、有機パラジウム錯体を含む有機溶剤を塗布した後に、フォトマスクを介してレーザ光又は紫外光を照射することによって選択的に金属パラジウムを析出させるという技術が知られている。 [0004] For the purpose of selectively activating only the desired narrow area, after applying an organic solvent containing an organic palladium complex, selectively by applying a laser beam or ultraviolet light through a photomask technique of depositing a metal palladium are known. しかしながら、この技術によると、有機溶剤を多量に使用するため、作業環境の悪化を招くだけでなく、被めっき物が樹脂製品である場合には、樹脂の溶解又は膨潤などにより製品の変形が起こったりして、所望のめっき皮膜が選られないという欠点がある。 However, according to this technique, since a large amount use of organic solvents, not only leads to deterioration of the working environment, when the plating body is a resin product, the deformation of the product occurred due dissolution or swelling of the resin and or, there is a disadvantage that a desired plating film is not twisted.

【0005】この様な欠点を改善した技術として、特開平9−111463号公報では、シュウ酸銅とパラジウム塩類とアルカリとを含有する活性化液を用いる方法が提案されている。 [0007] As technology improves such a drawback, in Japanese Patent Laid-Open 9-111463 discloses a method using an activated solution containing copper oxalate and palladium salts with an alkali has been proposed. この技術では、パラジウム塩類として塩化パラジウムのような水溶性の塩を使用することによって有機溶剤の使用を回避している。 This technique avoids the use of organic solvents by using a water-soluble salt such as palladium chloride as palladium salt.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の活性化方法では、活性触媒としていずれもパラジウムという貴金属から合成される化合物を用いている。 [Problems that the Invention is to Solve In this conventional activation process, are used both as an active catalyst is synthesized from the noble metal of the palladium compound. また、いずれの技術もパラジウム化合物を含有する感光性膜を被めっき面全面にいったん形成した後に、露光、現像によって不要の箇所のパラジウム化合物を洗い流すという工程を通っている。 Further, the photosensitive film any technique also containing palladium compound after once formed on the plated surface entirely, exposure, it passes through the step of washing away the palladium compound unnecessary portions by development. 従って、被めっき物が大きい場合には、たとえ実際にめっきする領域がわずかであっても、表面全体を活性化するために多量の貴金属を消費することから、めっき面積当たりの活性化コストがたいへん高くなってしまうという問題がある。 Therefore, when the object to be plated is large, even a small region where even actually plating, since it consumes a large amount of precious metal in order to activate the entire surface, activation cost per plating area is very there is a problem that becomes high.

【0007】さらに、所望箇所の金属パラジウムが、表面に付着した不要のパラジウム化合物を除去する現像処理の際に、一緒に脱落してしまったり、あるいは、触媒毒を吸着して失活したり、空気中で乾燥されることによって表面の一部が酸化してしまう恐れがある。 Furthermore, metallic palladium desired position is, during the development process of removing unwanted palladium compound attached to the surface, or accidentally fall off together or, or deactivated by adsorbed catalyst poisons, there is a possibility that part of the surface by being dried in air oxidizes.

【0008】一方、金属パラジウムの脱落を防止するために現像条件を緩やかにすると、不要箇所のパラジウム化合物が完全には除去されずに残存してしまい、これをめっき液に浸漬すると、めっき液中に存在する還元剤の作用によりパラジウム化合物が還元的に分解してパラジウム金属が析出して、異常析出の原因になったり、めっき液の消耗を著しく速める原因になったりする場合がある。 On the other hand, when the gradual development conditions in order to prevent falling off of metallic palladium, palladium compound unnecessary portions ends up remaining in the not to completely removed, it is immersed it in a plating solution, plating solution palladium compounds and palladium-metal precipitation decomposed reductively, or causing the abnormal deposition, sometimes may become significantly accelerate due to the depletion of the plating solution by the action of a reducing agent present in the. さらに、この活性化方法によれば、従来の非選択的活性化処理と比べて工程が長いため、全体としての歩留りが低下するという問題もある。 Furthermore, according to this activating method, there for process compared to conventional non-selective activation process is long, a problem that the yield as a whole decreases.

【0009】これに対して、レーザ照射によって生じる熱起電力を利用して金めっき皮膜形成を促進する技術(以下、「レーザ誘起めっき」と呼ぶ)が提案されている(第12回「回路実装学術講演大会」予稿集215頁(1998年3月)、及び、特開平6−280031号公報)。 [0009] In contrast, by using the thermoelectromotive force caused by the laser irradiation to promote gold plated film forming technique (hereinafter, referred to as "laser induced plating") has been proposed (12th "circuit mounting academic lecture tournament "Proceedings 215 pages (March 1998), and, JP-A-6-280031).

【0010】このレーザ誘起めっきは、めっき溶液中に浸漬した被めっき物にレーザ光を照射することにより、 [0010] By applying a laser beam to the laser-induced plating, plating object immersed in the plating solution,
局所的かつ高速に部分めっきを行うことができるものであり、上述の従来技術のようにマスクを用いる必要もない。 Are those capable of performing partial plating locally high speed, there is no need to use a mask as in the prior art mentioned above.

【0011】しかし、このレーザ誘起めっきでは、めっき反応の駆動力はレーザ照射によって生じた熱起電力が主であるので、被めっき物の熱伝導性・熱容量によって反応速度が大きく変化し、皮膜結晶が粗大化したりあるいは鬆が入ったりするため、その影響によってめっき皮膜の特性が変化する。 [0011] However, in this laser-induced plating, since the driving force of the plating reaction thermoelectromotive force is mainly caused by the laser irradiation, the reaction rate varies significantly thermally conductive, heat capacity of the object to be plated, coating crystals because the or contain coarse or or voids changes the characteristics of the plating film by the impact. また、熱伝導性の低い物質にめっきする場合には、端部と中央部とで見かけの熱容量が変わるため、被めっき物表面での皮膜特性の面内分布も大きくなりがちである。 Also, when the plated low thermal conductivity material, because the apparent heat capacity is changed at the end portion and the central portion, tends to be larger in-plane distribution of the film property in the object to be plated surface. 従って、めっき皮膜を安定した品質で形成するためには、被めっき物の材質、大きさや形状によってレーザ照射条件を調整しなければならない。 Therefore, in order to form a stable quality plating film must be adjusted laser irradiation conditions depending on the material of the object to be plated, size and shape.

【0012】また、レーザ光を掃引して被めっき物表面にラインなどの所望の形状を形成させる場合には、材質、大きさや形状を一定にしたとしても、レーザ照射出力とレーザ掃引速度との相互の複雑な関係によってめっき皮膜の断面形状が矩形となったり、団塊状となったり、極端には破線状となったりするので、所望の断面形状のめっき皮膜を得ることは困難である。 Further, by sweeping the laser beam in the case of forming a desired shape, such as the object to be plated surface line, material, even if the size and shape constant, the laser irradiation power and the laser sweep rate or it becomes cross-sectional shape of the plating film by the complex relationship each other and rectangular, or a nodular, since the extreme or a broken line shape, it is difficult to obtain a plating film of desired cross-sectional shape.

【0013】しかも、形成されためっき皮膜がヒートシンクとして機能する結果、めっき面積の増大に反比例して熱起電力が減少するので、レーザ誘起めっきを用いて大面積、あるいは長い線を形成することは容易でない。 [0013] Moreover, as a result of the plating film formed to function as a heat sink, because the thermal electromotive force in inverse proportion to the increase of the plating area is reduced, to form a large area or long lines, using laser-induced plating not easy.
熱起電力の低下を補填するためにレーザ照射出力を一定の値よりも大きくしても、めっき液の沸騰が起こってしまうのでめっき反応は速くはならず、めっき反応が停止することもある。 Be larger than a certain value of the laser irradiation power in order to compensate the reduction in the thermoelectric power, the plating reaction is not fast, because the boiling of the plating solution will happening, sometimes plating reaction stops. 逆に、レーザ照射を長時間行うことによって大面積のめっき皮膜形成を狙っても、被めっき物の被照射部への熱伝導が起こって照射部との間の温度差が縮小し、あるいはめっき液全体が加熱されてしまうことになって熱起電力が低下する。 Conversely, even if aimed plating film formed with a large area by laser irradiation is performed for a long time, and the temperature difference is reduced between the irradiation unit heat conduction going to the irradiated portion of the object to be plated, or plated thermoelectromotive force is reduced so that the entire liquid from being heated. また長時間のレーザ照射を行うとランニングコストが上昇するという別の問題も発生する。 The running cost is performed for a long time of the laser irradiation also occur another problem rises.

【0014】さらに、上記レーザ誘起めっきではレーザ照射しながらめっきを行うため、めっき液の蒸気・ミストがレーザ光路を遮ることは避け難く、複雑・精緻な光学系レーザ発振系とそれらを制御する高速処理可能な制御系を備える大掛かりなレーザ照射装置を用いたとしても、めっき皮膜の品質の安定に不可欠なレーザ照射出力の微妙な調整を行うことは困難である。 Furthermore, high speed in the laser-induced plating for performing plating while the laser irradiation, vapor mist of the plating solution is difficult to avoid that blocks the laser beam path, to control them and complexity, sophisticated optics laser oscillation system as with large-scale laser irradiation device including a processable control system also, it is difficult to perform a fine adjustment of stability essential laser irradiation output quality of the plating film. また、めっき液成分による腐食などの影響で調整機能の劣化も起こりやすい。 Also prone degradation adjustability to the influence of corrosion by a plating solution components.

【0015】上記のようなさまざまな理由により、レーザ誘起めっきは製品品目が多岐にわたるめっき業界において実用上汎用できる技術とは言い難い。 [0015] For various reasons, such as described above, hardly laser induced plating to say that technology product material is practically universal in the plating industry variety. そこで、本願発明は、レーザ照射出力の微妙な調整を要することなく、狭い領域に位置精度よく、容易かつ低コストで厚いめっき膜を形成することができ、めっき装置による自動化に適する無電解めっき方法と、該方法を用いた配線基板の製造方法及び装置とを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention without requiring a delicate adjustment of the laser irradiation power, located in a narrow area accurately, it is possible to form a thick plated film easily and at low cost, an electroless plating method suitable for automation by plating device If, and to provide a method and apparatus for producing a wiring board using the method.

【0016】 [0016]

【課題を解決するための手段】発明者らは、無電解めっき反応が自己触媒的特性をもつことに着目して鋭意検討した結果、無電解めっき液中に浸漬した被めっき物表面の所望の箇所のみに強力な光線を照射して、いわゆるフラッシュフォトリシスさせることにより、当該箇所の表面近傍のミクロ領域のみでめっき液の分解が起こって金属酸化物(もしくは金属水酸化物)微粒子が析出沈着し、これがめっき液中の還元剤によって還元され、自己触媒として作用することによって、活性化処理を無電解めっき液そのもので行うことが可能であるという現象を見出して本願発明に至った。 [Summary of the inventors have, electroless plating reaction result of intensive studies by focusing on to have autocatalytic properties desired of the plated surface was immersed in an electroless plating solution by irradiating only a powerful light points, by so-called flash photolysis, degradation occurred metal oxide plating solution only in the micro region near the surface of the portion (or metal hydroxide) particles precipitated deposits and, this is reduced by the reducing agent in the plating solution, by acting as a self-catalyst, leading to the present invention found a phenomenon that the activation treatment can be performed in the electroless plating solution itself.

【0017】本願発明では、金属イオンと、該金属イオンの錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを含む無電解めっき液に被めっき物を浸漬することにより、該被めっき物表面にめっき皮膜を形成する無電解めっき方法であって、第1の無電解めっき液に浸漬した状態で、被めっき物表面に光を照射する光照射工程と、被めっき物を第1 [0017] In the present invention, a metal ion, a complexing agent of the metallic ions, a reducing agent, by immersing the object to be plated in an electroless plating solution containing a pH adjusting agent, to said plated surface a method of electroless plating to form a plating film, immersed in the first electroless plating solution, a light irradiating step of irradiating light to the object to be plated surface of the object to be plated first
の無電解めっき液中で所定時間放置することにより、光照射箇所にめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程とを、この順で有する方法が提供される。 By leaving a predetermined electroless plating solution time, the plated film forming step of forming a plating film on the light irradiated portion, the method comprising in this order is provided. なお、めっき皮膜形成工程の後に、第2の無電解めっき液に上記被めっき物を浸漬所定時間放置するめっき皮膜成長工程を、さらに設けてもよい。 Incidentally, after the plated film forming step, a plating film growth step to the second electroless plating solution is left the object to be plated immersion predetermined time, may be further provided. 同様に、3種類以上のめっき液に順次浸漬するようにしてもよい。 Similarly, it may be successively immersed in three or more of the plating solution.

【0018】また、本願発明では、この本願発明の無電解めっき方法により、絶縁基板又は絶縁層の表面に上記めっき皮膜からなる金属配線を形成する工程を有する配線基板の製造方法が提供される。 [0018] In the present invention, by an electroless plating method of the present invention, a method of manufacturing a wiring board comprising a step of forming a metal wiring made of the plating film is provided on the surface of the insulating substrate or the insulating layer. 本願発明のめっき皮膜形成方法は、微細な領域にも容易かつ正確にめっき皮膜を形成できるため、配線の断線箇所の修復に特に適している。 Plating film forming method of the present invention, it is possible to form easily and accurately plating film in a fine area is especially suitable for repair of broken point of the wiring. この目的に用いる場合、配線の画像データと、該配線の設計データ(例えば、CAD(計算機援用設計) When used for this purpose, the image data of the wiring, the design data of the wiring (e.g., CAD (computer aided design)
データ)とを比較することにより上記断線箇所を認識する工程を、さらに儲け、光照射工程において、該断線箇所に光を照射するようにすれば、配線の修復を自動的かつ正確に行うことができ、好ましい。 The step of recognizing the broken point by comparing the data), further profit, in the light irradiation process, if so for irradiating light to the cross line position, is possible to repair wiring automatically and accurately can, preferable.

【0019】さらに、本願発明では、無電解めっき液を保持するためのめっき槽と、このめっき槽中に保持された無電解めっき液中に浸漬された処理対象基板の表面の画像データを得るための撮像部と、その処理対象基板の表面に光を照射するためのレーザ照射部と、レーザ照射部の動作を制御する制御装置とを備える無電解めっき装置と、該無電解めっき装置を備える配線基板の製造装置とが提供される。 Furthermore, in the present invention, in order to obtain a plating tank for holding an electroless plating solution, the image data of the dipped-processed substrate surface in an electroless plating solution held in the plating tank an imaging unit of the wiring with a laser irradiation unit for irradiating light on the surface of the processed substrate, and the electroless plating apparatus and a control device for controlling the operation of the laser irradiation unit, the electroless plating apparatus and the substrate manufacturing apparatus is provided. なお、この無電解めっき装置の制御装置は、配線の画像データと、該配線の設計データとを比較することにより断線箇所を認識し、レーザ照射部を制御して、当該断線箇所にレーザを照射する手段を備える。 The control device of the electroless plating apparatus, irradiation and image data of the wiring, to recognize the broken point by comparing the design data of the wiring, and controls the laser irradiation unit, a laser to the broken point comprising means for.

【0020】 [0020]

【発明の実施の形態】本願発明では、初めに、脱脂洗浄処理を行って被めっき物表面の汚れ等を取るとともに被めっき面のゼータ電位を触媒種が吸着しやすいように調整することが望ましい。 In DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, in the beginning, it is desirable to catalytic species zeta potential of the surface to be plated with performing degreasing cleaning process takes the dirt of the object to be plated surface is adjusted so as to facilitate adsorption . なお、本願発明を適用する被めっき物としては、特に制限はないが、金属板などの導電性物質に限らず、AlN,SiO 2 ,Al 23 ,SiC As the object to be plated to apply the present invention is not particularly limited, not only the conductive material such as a metal plate, AlN, SiO 2, Al 2 O 3, SiC
などの無機系絶縁体、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、 Inorganic insulators, such as, phenol resin, epoxy resin,
プリント配線基板などの有機系絶縁体でも構わない。 It may be a organic insulating material such as a printed wiring board.

【0021】本願発明で使用する触媒種(あるいはその前駆体)は、めっき液からin situで発生させたものであるため、その表面電位が大きくて吸着特性に優れているが、この脱脂洗浄処理により、被めっき面への吸着を確実に達成することができる。 The catalytic species for use in the present invention (or its precursor), since the plating solution in which was generated by in situ, but the surface potential is excellent in adsorptive properties large, the degreasing process Accordingly, it is possible to reliably achieve the adsorption to the surface to be plated. 本願発明では無電解めっきの活性化前処理として公知慣例に用いられる活性化前処理剤を使用することができる。 In the present invention it is possible to use an activating pretreatment agent used in the known customary as activating pretreatment of electroless plating. 例えば、シプレー社製クリーナーコンディショナー231などが好適である。 For example, it is preferable such as manufactured by Shipley Cleaner Conditioner 231.

【0022】脱脂洗浄処理を行った被めっき物は、十分に水洗した後、化学めっき液へ浸漬する。 The object to be plated subjected to degreasing treatment, sufficiently washed with water, immersed into the chemical plating solution. 本願発明では、フラッシュフォトリシスによって金属酸化物や金属水酸化物といった触媒又はその前駆体を析出させることのできる組成であれば、公知慣用の化学めっき液も特に問題はなく使用できるが、銅、ニッケル、パラジウム、 In the present invention, as long as the composition that can be deposited a catalyst or a precursor thereof such as metal oxide or metal hydroxide by flash photolysis, chemical plating solution in particular problems of conventionally known is usable without copper, nickel, palladium,
金の化学めっきに特に適している。 It is particularly suitable for chemical plating of gold. なお、この段階では、すなわち、単にめっき液に浸漬しただけでは、被めっき物表面は活性化された領域がないため、めっき反応は全く認められない。 At this stage, i.e., merely by immersing in a plating solution, the plated surface since there is no activated region, not recognized at all plating reaction.

【0023】本願発明に好適なめっき液の具体例としては、次のようなものが挙げられる。 [0023] Specific examples of suitable plating solution present invention include the following. すなわち、銅めっき液としては、PCK社製CC4、(株)日立製作所製A That is, the copper plating solution, PCK Co. CC4, (Ltd.) manufactured by Hitachi, Ltd. A
P2、SELECT、日立化成工業(株)製CUST− P2, SELECT, Hitachi Chemical Co., Ltd. CUST-
201、CUST3000、アトテック社製ノビガントHC,プリントガント820,ウルトラガント、奥野製薬工業(株)OPC700,OPC750,OPC77 201, CUST3000, Atotech Co. Nobiganto HC, Printgant 820, Ultra Gantt, Okuno Chemical Industries (Co.) OPC700, OPC750, OPC77
0、シプレー(株)社製キューポジットカッパーミックス328,キューポジット250,キューポジット25 0, Shipley Co., Ltd. queue port JIT COPPERMIX 328, Kyupojitto 250, Kyupojitto 25
1、(株)ワールドメタル社製MC−U,MCU−Hなどが挙げられる。 1, (stock) World Metal Co., Ltd. MCU, and the like MCU-H. また、ニッケルめっき液としては、 In addition, as the nickel plating solution,
(株)ワールドメタル社製リンデンシリーズ,ニボロン−MO、メルテックス(株)製エンプレートNI−86 (Ltd.) World Metal Co., Ltd. Linden series, Niboron -MO, en made by Meltex Co., Ltd. plate NI-86
5,NI−419,NI−426,NI−870,NI 5, NI-419, NI-426, NI-870, NI
875、日本カニゼン(株)製カニボロン、奥野製薬工業(株)製トップニコロンシリーズなどが挙げられる。 875, Japan Kanigen Co., Ltd. Kaniboron, such as Okuno Chemical Industries Co., Ltd. top Nicoron series, and the like.
金めっき液としては、(株)ワールドメタル社製CAT The gold plating solution, (Ltd.) World Metal Co., Ltd. CAT
90,CAT99,CAT92プロセス,Mn−Au, 90, CAT99, CAT92 process, Mn-Au,
gold−8、日本高純度化学(株)製IM−GOLD gold-8, Japan Pure Chemical Co., Ltd. IM-GOLD
などが挙げられる。 And the like. パラジウムめっき液としては、つぎの組成1又は組成2のものなどが挙げられる。 The palladium plating solution, and the like as the composition of the next 1 or composition 2.

【0024】組成1:(1)塩化パラジウム0.01m [0024] The composition 1: (1) palladium chloride 0.01m
ol/L、(2)エチレンジアミン0.08mol/ ol / L, (2) ethylene diamine 0.08mol /
L、(3)ホスフィン酸ナトリウム0.03mol/ L, (3) sodium phosphinate 0.03 mol /
L、(4)チオグリコール酸30mg/L。 L, (4) thioglycolic acid 30 mg / L.

【0025】組成2:(1)塩化パラジウム0.01m [0025] The composition 2: (1) palladium chloride 0.01m
ol/L、(2)エチレンジアミン0.08mol/ ol / L, (2) ethylene diamine 0.08mol /
L、(3)チオグリコール酸50mg/L、(4)トリメチルアミンボラン0.06mol/L。 L, (3) thioglycolic acid 50mg / L, (4) trimethylamine borane 0.06 mol / L.

【0026】本願発明に好適なめっき液の濃度は、光線を照射する場合は各処理液メーカが推奨する建浴濃度に対して0.5倍〜2倍の範囲とし、光線照射を行わない2番目以降のめっき液については、メーカが推奨する建浴濃度に対して0.8〜1.2倍とすることが好ましい。 The preferred concentration of the plating solution in the present invention, when irradiating the light beam is in the range of 0.5 times to 2 times the initial make-up concentrations each processing solution recommended by the manufacturer and does not beam irradiation 2 th the subsequent plating solution preferably 0.8 to 1.2 times the initial make-up concentration recommended by the manufacturer.

【0027】このようなめっき液に被めっき物を浸漬した後、本願発明では、被めっき物表面の所望の領域のみに強力な光線を照射する。 [0027] After immersing the object to be plated in such a plating solution in the present invention, irradiation with strong light only in a desired region of the object to be plated surface. この際の照射方法には、公知慣例のものを特に問題はなく適用できる。 The irradiation method in this, a known practice in particular issue is applicable without. 所望の領域に選択的に照射するために、例えば、フォトマスクを介して照射してもよいが、レーザビ−ムのように指向性の高い線源を用いてビ−ム径を細く絞れば、微細領域の選択的活性化に特に好都合である。 To selectively irradiating a desired region, for example, may be irradiated through a photomask, but Rezabi - bi with high directivity radiation source as beam - if throttled thinner beam diameter, it is particularly advantageous for the selective activation of the micro-region. レーザビ−ムを用いる場合には、CO 2レーザ、YAG(Yttrium Aluminium Gar Rezabi - in the case of using the beam is, CO 2 lasers, YAG (Yttrium Aluminium Gar
net)レーザ、アルゴンイオンレーザ、エキシマレーザなどが好適であるが、特にこれらに限定させるわけではなく、また、これらと公知慣例の照射方法とを適宜組み合わせたり、これらのレーザを相互に組み合わせて使用したり、あるいは、これらの高調波を使用したりすることも差し支えない。 net) laser, argon ion laser, but an excimer laser is preferable, not to particularly limited to, addition, or combination of the irradiation method of the known practices as appropriate, use a combination of these lasers to one another or, alternatively, no problem may be or use these harmonics.

【0028】本願発明に好適なレーザ光出力の範囲は1 The present preferred range of the laser beam output to invention 1
00mW〜2000Wであるが、より望ましくは、0. It is a 00MW~2000W, more preferably, 0.
5〜100Wである。 Is 5~100W. レーザ出力が100mWより小さいと、フラッシュフォトリシスが起きにくくなり、その結果、めっき触媒あるいはその前駆体となる金属塩酸化物が生成しにくくなる場合がある。 And laser output 100mW smaller, hardly occur Flash Photolysis, as a result, the plating catalyst or a metal salt compound as a precursor thereof is less likely to generate. また逆に、2000 On the contrary, 2000
Wを越えると、めっき液の沸騰が起こってめっき触媒又はその前駆体が生成しにくくなったり、あるいは、せっかく生成しても、触媒又はその前駆体の基板への付着が、沸騰に伴う乱流によって妨げられたりするので、所望のパターンを得にくくなる場合がある。 Exceeds W, or become plating catalyst or a precursor thereof is hardly generated happening boiling of the plating solution, or be generated much trouble, the adhesion to the substrate of the catalyst or its precursor, turbulence caused by boiling since or hindered by, it may become difficult to obtain a desired pattern.

【0029】一方、照射時間は10秒以内とすることが好適であり、3秒以内とすることがさらに好ましい。 On the other hand, the irradiation time is preferably set to 10 seconds, more preferably within 3 seconds. 照射時間が10秒を越えると、めっき液の沸騰が起こってめっき触媒又はその前駆体が生成しにくくなったり、あるいは、上述のレーザ誘起めっきが起こってめっき皮膜特性が変動しやすくなる場合がある。 When the irradiation time exceeds 10 seconds, the plating solution or boiling becomes plating catalyst or a precursor thereof is hardly generated happened, or there may be a case where the laser-induced plating described above plating film properties are likely to vary happening .

【0030】なお、照射光の発振形態は、連続発振、チョッパ発振、パルス発振のいずれであっても構わない。 [0030] The oscillation mode of the illumination light may be either of continuous oscillation, the chopper oscillator, pulsed.
パルス発振にすることにより、出力波ピーク値を調整することもできる。 By the pulse oscillation, it is also possible to adjust the output wave peak value.

【0031】本願発明では、光が照射された被めっき物表面のごく近傍では、めっき液中に溶解している金属塩類(以下、錯体を含む)のフラッシュフォトリシスが起こる。 [0031] In the present invention, in the immediate vicinity of the object to be plated surface irradiated with light, the metal salts dissolved in the plating solution (hereinafter, including complex) Flash Photolysis happens in. フォトリシスが表面近傍のみで起きてめっき液バルク中で起こらない理由は、現時点ではよくわかっていないが、(1)照射光による被めっき面の温度上昇、 Why photolysis does not occur only in waking plating solution bulk near the surface is not well understood at this time, (1) the temperature rise of the plated surface by irradiation light,
(2)めっき液による冷却作用、(3)前記(1)と(2)とによって起きるめっき液のマイクロ撹拌作用、 (2) cooling action, (3) the (1) and (2) the micro stirring action of the plating solution caused by by the plating solution,
(4)金属塩類の分子吸光、及び、(5)照射光と表面からの反射光との干渉現象などが複雑に影響しているものと思われる。 (4) molecular absorption of metal salts, and are believed to have affected the like is complicated interference phenomenon and reflected light from the (5) irradiation light and the surface.

【0032】めっき液中に溶解していた金属塩類がフラッシュフォトリシスを起こすと、金属酸化物もしくは金属水酸化物の微粒子が析出する。 The metal salts dissolved in the plating solution is the cause flash photolysis, fine particles of a metal oxide or metal hydroxide is precipitated. 例えば、銅めっき液からは酸化銅(Cu 2 O及び/又はCuO)、ニッケルめっき液からは水酸化ニッケル(NiOH及び/又はNi For example, copper oxide from a copper plating solution (Cu 2 O and / or CuO), the nickel plating solution nickel hydroxide (NiOH and / or Ni
(OH) 2 )が析出し、これが基板に沈着する。 (OH) 2) is deposited, which is deposited on the substrate.

【0033】このようにして所望の領域のみに沈着した金属酸化物もしくは金属水酸化物は、そのままでもめっき反応を触媒する活性を有しているが、めっき液中の還元剤の作用によって次第に還元され、さらに高活性を有する純金属になる。 [0033] In this way, the deposited metal oxide or metal hydroxide only in a desired region, has the activity to catalyze the plating reaction it is, progressively reduced by the action of a reducing agent in the plating solution It is, the pure metals, further comprising a high activity. 例えば、水酸化ニッケルのめっき液中での還元反応を例示すると、以下のようになる。 For example, to illustrate the reduction reaction of the plating solution of nickel hydroxide, as follows.

【0034】 [0034]

【化1】 [Formula 1]

【0035】化学めっき反応は自己触媒的特性を有しているため、いったん反応が開始すればそれ以上の触媒は不要である。 [0035] For the chemical plating reaction to have autocatalytic properties, once the reaction has started more catalysts is not necessary. 従って、めっき反応の核となる物質はごくわずかでよく、上記フラッシュフォトリシスによって析出沈着した量で十分であって、光照射を繰り返す必要はない。 Therefore, substance of the plating reaction nuclei well negligible, a sufficient amount deposited deposited by the flash photolysis is not necessary to repeat the light irradiation. しかし、めっきの初期付き回り性を確保するため、複数回繰り返して照射するしても構わない。 However, to ensure the initial throwing of plating, it may be irradiated by a plurality of times. なお、 It should be noted that,
本願発明では、従来のレーザ誘起めっきとは異なり、レーザ照射により直接エネルギーを付与してめっき皮膜を成長させるものではないことから、皮膜形成の間レーザを照射し続ける必要はない。 In the present invention, unlike the conventional laser-induced plating, since it is not intended to grow the plating film by applying energy directly by laser irradiation, it is not necessary to continue to irradiate the laser during the film formation.

【0036】上述のように、本願発明では、所望の箇所のみを選択的に活性化処理した被めっき物を引き続き化学銅めっき液中へ浸漬することによって、所望の箇所のみへの選択的な化学めっき皮膜を形成することができる。 [0036] As described above, in the present invention, subsequently by dipping the electroless copper plating solution, selective chemical to only the desired positions of the object to be plated treated selectively activate only a desired portion it is possible to form a plating film. その際、2種類以上の無電解めっき液を用意し、第1の無電解めっき液中で選択的活性化を行った後、第2 At that time, it provides two or more of the electroless plating solution, after the selective activation by first electroless plating solution, the second
の無電解めっき液中へ移して無電解めっき皮膜を形成してもよい。 Electroless plating film transferred to an electroless plating solution of may be formed. 例えば、吸光係数の高い金属錯体を含有するめっき液を第1の無電解めっき液として活性化を行った後、めっき速度の速い無電解めっき液へ浸漬することによって高速めっきを行うなど、それぞれのめっき液の特徴を生かして組み合わせることによってめっき速度を増大したり、皮膜特性(電気伝導度、破断伸びなど)を改善できるという効果がある。 For example, after activating a plating solution containing a high metal complexes of extinction coefficient as the first electroless plating solution, such as performing high-speed plating by dipping the fast plating rates electroless plating solution, respectively or to increase the plating rate by combining with taking advantage of the plating solution, there is an effect that can improve the film properties (electrical conductivity, elongation at break, etc.). この他、第1の無電解めっき液と第2の無電解めっき液とで金属の種類を変え、例えば第1の無電解めっきとして無電解パラジウムめっき液、第2の無電解めっき液として無電解銅めっき液、とすることも差し支えない。 In addition, changing the type of metal in the first electroless plating solution and the second electroless plating solution, for example, an electroless palladium plating solution as the first electroless plating, an electroless as the second electroless plating solution copper plating solution, and also no problem be.

【0037】本願発明によって提供される選択的めっき皮膜形成方法は、配線基板の製造方法へと応用することができる。 [0037] Selective plating film forming method provided by the present invention can be applied to a method for manufacturing a wiring substrate. 本願発明の選択的めっき皮膜形成方法を用い、CADデータに基づいて基板上を光照射掃引することによって、フォトマスクを使用しないで所望の配線を形成できる。 Using selective plating film forming method of the present invention, by irradiating light sweeps across the substrate on the basis of the CAD data, to form a desired wiring without using a photomask. この方法によって配線基板を作成すると、 Creating a wiring substrate by this method,
マスク伸縮などの影響を受けず、マスク作成のための工数や時間を削減できる優れたプロセスが構築できる。 Not affected by mask expansion and contraction, excellent process that can reduce the man-hours and time for the creation mask can be constructed. また、この方法は断線箇所の修復に適用することも容易である。 Further, this method is easy to apply to the repair of broken point.

【0038】なお、本願発明のめっき皮膜形成方法は、 It should be noted, the plating film forming method of the present invention,
通常の方法により形成された絶縁基板や絶縁膜の表面に配線を形成する場合に適用することもできる。 It can also be applied to a case of forming a wiring on the surface of a conventional insulating substrate or an insulating film formed by the method. すなわち、本願発明の配線基板の製造方法は、(1)通常の方法により形成された配線基板の断線箇所を本願発明のめっき皮膜形成方法により修復する工程を備えるものであってもよく、(2)基板表面に第1の配線を形成する第1の配線形成工程と、該第1の配線を覆うように基板表面に所定のパターンの絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜表面に第2の配線を形成する第2の配線形成工程とを備える配線基板の製造方法であって、第1の配線及び/又は第2の配線を本願発明のめっき皮膜形成方法により形成するものであってもよい。 That method of manufacturing a wiring board of the present invention may be one comprising the step of repairing the plating film forming method of the present invention (1) broken portion of the wiring board formed by conventional methods, (2 ) a first wiring forming step of forming a first wiring on the substrate surface, an insulating film forming step of forming an insulating film having a predetermined pattern on the substrate surface so as to cover the wiring of the first, the insulating film surface second a second wiring forming step in the method of manufacturing the wiring board comprising forming a wiring, in which the first wiring and / or the second wiring is formed by plating film forming method of the present invention it may be. また、絶縁膜形成工程と、第2の配線形成工程とを所望回数繰り返すことにより、多層配線基板としても構わない。 Further, an insulating film formation step, by a second wiring forming step is repeated a desired number of times, may be a multi-layer wiring board.

【0039】 [0039]

【実施例】以下、本願発明の実施の形態を、図面を用いて具体的に説明する。 EXAMPLES Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. なお、ここでは説明を簡単にするために片面基板の作成例を示すが、同様の操作により両面基板を作成することもできる。 Here, shows an example of creating single-sided board in order to simplify the explanation, it is also possible to create a double-sided substrate in the same manner.

【0040】<実施例1>本実施例におけるめっき処理を、図1(a)及び(b)に模式的に図示する。 [0040] The plating process in the <Embodiment 1> This embodiment is schematically illustrated in FIG. 1 (a) and (b). 縦横各10cm、厚さ1.6mmのガラスエポキシ基板1(日立化成工業(株)製の「MCL−E−67」の銅箔をエッチング除去したもの)を被めっき物として用い、60 Using vertical and horizontal each 10 cm, a glass epoxy substrate 1 having a thickness of 1.6 mm (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. copper foil "MCL-E-67" which was removed by etching) as an object to be plated, 60
℃のシプレー社製「コンディショナー231」6%水溶液に3分間浸漬した後、十分に水洗した。 After immersed for 3 minutes in Shipley Co. "Conditioner 231" 6% aqueous solution of ° C., was thoroughly washed with water.

【0041】図1(a)に示すように、上記基板1を液温60℃、pH7.0に保持した(株)ワールドメタル社製無電解ニッケルめっき液5「ニボロン−MO」を満たしたパッドに浸漬し、アルゴンイオンレーザ2(最大出力2W)を用いて、上記ガラスエポキシ基板の所望の箇所を0.5秒間照射して酸化ニッケル微粒子3を吸着させた。 As shown in FIG. 1 (a), the substrate 1 a liquid temperature 60 ° C., was filled with "Niboron -MO" the Corporation World Ltd. Metal Co. electroless nickel plating solution 5 held in pH7.0 pad immersed in, using an argon-ion laser 2 (maximum output 2W), and the nickel oxide fine particle 3 is adsorbed by the desired portion of the glass epoxy substrate was irradiated for 0.5 seconds. レーザ照射後、さらに基板をめっき液5に浸漬し続け、約1時間後に取り出したところ、図1(b)に示すように、所望の箇所のみにニッケル皮膜4の形成が認められた。 After laser irradiation, continues further dipping the substrate in a plating solution 5, was taken out after about one hour, as shown in FIG. 1 (b), formation of the nickel film 4 was observed only in a desired location. なお、図1(a)では、図を見やすくするため、金属微粒子3のハッチングは省略した。 In FIG. 1 (a), for clarity of illustration, hatching of the fine metal particles 3 are omitted.

【0042】<実施例2>本実施例では、被めっき物、 [0042] <Example 2> In the present embodiment, the object to be plated,
洗浄脱脂剤及びレーザ装置は実施例1と同じものを用いたが、実施例1における無電解ニッケルめっき液に替えて、液温50℃、pH9.0に保持した無電解パラジウムめっき液を使用した。 While cleaning degreasing agent and a laser device using the same as in example 1, in place of the electroless nickel plating solution in Example 1, liquid temperature 50 ° C., using an electroless palladium plating solution was maintained at pH9.0 . なお、無電解パラジウムめっき液の組成は、(1)塩化パラジウム0.01ml/L、 The composition of the electroless palladium plating solution, (1) palladium chloride 0.01 ml / L,
(2)エチレンジアミン0.08mol/L、(3)ホスフィン酸ナトリウム0.03mol/L、及び、 (2) ethylenediamine 0.08 mol / L, (3) sodium phosphinate 0.03 mol / L and,
(4)チオグリコール酸30mg/Lとした。 (4) and thioglycolic acid 30 mg / L.

【0043】実施例1と同様に、基板表面の所望箇所に0.5秒間のレーザ照射を行ってパラジウム微粒子を基板表面に吸着させた後、レーザ照射を止めてから約1分間めっき液に浸漬してパラジウム微粒子を成長させた。 [0043] In the same manner as in Example 1 immersed, after adsorbing the palladium particles on the substrate surface by performing a laser irradiation 0.5 sec to a desired portion of the substrate surface, in about 1 minute plating solution after stopping the laser irradiation the palladium particles were grown in.
この後、この基板をパラジウムめっき液から取り出して、十分に水洗した後、厚膜用化学銅めっき液AP2 Thereafter, remove the substrate from the palladium plating solution, sufficiently washed with water, a thick film for chemical copper plating solution AP2
((株)日立製作所製、pH12.2、液温68〜72 ((Ltd.) manufactured by Hitachi, Ltd., pH12.2, a liquid temperature of 68 to 72
℃)へ浸漬して銅めっき皮膜を成長させ、1時間後に取り出して被めっき領域の断面形状を観察したところ、上記アルゴンレーザの被照射箇所のみに約3μmのめっき皮膜が成長していた。 ° C.) immersed by growing copper plating film to, and taken out after 1 hour was observed the cross sectional shape of the plating zone, the plating film of about 3μm only the irradiated portion of the argon laser was grown.

【0044】<実施例3>本実施例では、被めっき物、 [0044] <Example 3> In the present embodiment, the object to be plated,
洗浄脱脂剤及びレーザ装置は実施例1と同じものを用いたが、実施例1における無電解ニッケルめっき液に替えて、シプレー社製化学銅めっき液「キューポジットカッパーミックス328(キューポジットカッパーミックス328A(125ml/L)、キューポジットカッパーミックス328L(125ml/L)、及び、キューポジットカッパーミックス328C(25ml/L)の混合液、室温)を用いた。 While cleaning degreasing agent and a laser device using the same as in example 1, in place of the electroless nickel plating solution in Example 1, manufactured by Shipley electroless copper plating solution "Queue Po JIT COPPERMIX 328 (queue port JIT COPPERMIX 328A (125 ml / L), the queue port JIT COPPERMIX 328L (125 ml / L), and a mixture of the queue port JIT COPPERMIX 328C (25 ml / L), was used at room temperature).

【0045】実施例1と同様に、アルゴンイオンレーザを被めっき物表面の所望の箇所に照射し、100μm/ [0045] Similarly to Example 1, an argon ion laser is irradiated on a desired position of the object to be plated surface, 100 [mu] m /
秒の速度で照射箇所を掃引した。 It was swept irradiation position, in seconds, speed of. 所望のパターンのレーザ照射掃引をした後、めっき液中に約30分間浸漬してから取り出したところ、レーザ掃引箇所のみに銅めっき皮膜が成長していた。 After the laser irradiation sweep of the desired pattern, was taken out from the immersed for about 30 minutes in a plating solution, a copper plating film was grown only in the laser sweep position.

【0046】<実施例4>本実施例では、実施例3で作製した基板を0.2規定の希硫酸で処理した後、さらに第2の銅めっき液へ浸漬することによってめっき皮膜の厚みを増大させた。 [0046] In <Embodiment 4> This embodiment, the thickness of the plating film by after processing the substrate prepared in Example 3 with dilute sulfuric acid of 0.2N, further immersed into a second copper plating solution increased. 本実施例で用いた第2の銅めっき液は、厚膜用化学銅めっき液AP2((株)日立製作所製、pH12.2、液温68〜72℃)であり、このめっき液へ12時間浸漬して、めっき皮膜を30μmの厚さになるまで成長させた。 Second copper plating solution used in this example, a thick film for chemical copper plating solution AP2 ((Ltd.) manufactured by Hitachi, PH12.2, liquid temperature 68 to 72 ° C.) was 12 hours into the plating solution immersed in, and the plating film is grown to a thickness of 30 [mu] m.

【0047】<実施例5>本実施例では、被めっき物として日立化成工業(株)製「MCL−E−67」(サイズは実施例1と同じ)を用いたが、銅箔を除去する際には、実施例1のように全面エッチングすることはせず、 [0047] In <Example 5> The present embodiment has been used manufactured by Hitachi Chemical as an object to be plated, Ltd. "MCL-E-67" (size same as Example 1), to remove the copper foil the not be entirely etched as in example 1 time,
所望の銅パターンを残した。 Leaving the desired copper pattern. このようにして作製した銅パターン付きガラスエポキシ基板の銅パターンの一部をナイフで削り取ることによって配線断線箇所を形成させた。 Some of the thus copper pattern of the copper patterned glass epoxy substrate fabricated to form a wiring disconnection location by scraping with a knife.

【0048】上記基板を、実施例3と同様にして、化学銅めっき液に浸漬し、上述の配線断線箇所にレーザ照射を行うことで、当該断線箇所にめっき触媒活性を有する銅微粒子を付着させた。 [0048] the substrate, in the same manner as in Example 3, was immersed in a chemical copper plating solution, by performing laser irradiation to the wiring broken point described above, by attaching copper fine particles having a plating catalytic activity to the broken point It was. その後、実施例4と同様に厚膜用化学銅めっき液へ1時間浸漬して銅めっき皮膜を成長させたところ、上述の配線断線箇所にはめっき皮膜が成長し、その両側の配線上へ成長しためっき皮膜と一体化しており、電気的な接続には問題が見られなかった。 Then, Example 4 and was grown to a thick film for chemical copper plating solution was immersed for 1 hour copper plating film in the same manner, the wiring disconnection location of the aforementioned growth plating film grow on both sides onto the wire is integral with the plating film was not observed problem in electrical connection.

【0049】<実施例6>本実施例では、実施例5と同様の、断線箇所に対するめっき処理を、図2に示すめっきシステム200を用いて行った。 [0049] In <Embodiment 6> The present embodiment, as in Example 5, a plating process for the broken point was performed using the plating system 200 shown in FIG.

【0050】本実施例のめっきシステム200は、脱脂洗浄処理用洗浄液を保持するための洗浄槽201と、基板を水洗・乾燥するための水洗機構202と、めっき液を保持するためのめっき槽203と、めっき皮膜を成長させるための成長槽209と、めっき液槽ごと内部に固定された処理対象基板を位置合わせするためのXYステージ204と、これらの間で基板を搬送するための搬送機構205と、XYステージの駆動部206と、基板表面を撮影するためのCCD(電荷結合素子)カメラを備える撮像部207と、基板表面にレーザを照射するためのレーザ照射部208と、制御装置210とを備える。 The plating system 200 of the present embodiment includes a cleaning bath 201 for holding a degreasing treatment for cleaning liquid, a washing mechanism 202 for washing and drying the substrate, the plating solution plating tank 203 for holding the When a growth chamber 209 for growing a plating film, an XY stage 204 for aligning the processed substrate fixed inside each plating solution tank, the transport mechanism 205 for transporting the substrate between these When a drive portion 206 of the XY stage, an imaging unit 207 comprising a CCD (charge coupled device) camera for photographing a substrate surface, the laser irradiation unit 208 for irradiating a laser on the substrate surface, the control device 210 equipped with a.

【0051】制御装置210は、水洗機構202、搬送機構205、XYステージ駆動部206、撮像部207 The control device 210, flush mechanism 202, transport mechanism 205, XY stage driving unit 206, imaging unit 207
及びレーザ照射部208の動作を制御するための情報処理装置であり、主記憶装置211、CPU(中央演算処理装置)212、入出力装置213及び外部記憶装置2 And an information processing apparatus for controlling the operation of the laser irradiation unit 208, main memory 211, CPU (central processing unit) 212, output device 213 and the external storage device 2
14を備える。 Equipped with a 14. 外部記憶装置214には、CAD(計算機援用設計)データベース220(図3に図示)が保持されている。 The external storage device 214, CAD (computer aided design) data base 220 (shown in FIG. 3) is held. 本願発明では、処理対象基板の配線の位置情報を保持しているものであれば、周知慣用のCADデータベースのいずれを用いても構わない。 In the present invention, as long as it holds the position information of the wiring substrate to be processed, it may be used any of conventionally well-known CAD database.

【0052】なお、以下に説明する制御装置210の各機能は、外部記憶装置214にあらかじめ保持され、主記憶装置211に読み込まれたプログラムを、CPU2 [0052] Incidentally, the respective functions of the control unit 210 to be described below, held in advance in the external storage device 214, a program read into main memory 211, CPU 2
12が実行することにより実現されるが、本願発明はこのようなソフトウエア及び汎用プロセッサによる実現手段には限られず、例えばこれら各機能を実現するためのハードワイヤードロジックを含むハードウエア装置や、 12 but can be realized by executing, the present invention is not limited to implementation means by such software and a general purpose processor, for example, hardware devices that contain hardwired logic for performing the respective functions,
該ハードウエア装置と汎用プロセッサとの組み合わせにより実現してもよい。 It may be realized by a combination of the hardware device and a general-purpose processor.

【0053】つぎに、制御装置210における処理の流れを、図3を用いて説明する。 Next, the flow of processing in the control unit 210 will be described with reference to FIG. なお、洗浄槽201には、実施例5と同様、あらかじめ、60℃のシプレー社製「コンディショナー231」6%水溶液が保持されている。 Incidentally, the cleaning tank 201, as in Example 5, previously, 60 ° C. of Shipley Co. "Conditioner 231" 6% aqueous solution is held. また、めっき槽203には、実施例3と同様のキューポジットカッパーミックス328液(室温)が保持されており、成長槽209には、液温約70℃に保たれた(株)日立製作所製厚膜用化学銅めっき液AP2があらかじめ保持されている。 Moreover, the plating tank 203, Example 3 are held the same queue port JIT COPPERMIX 328 solution (room temperature) and, in the growth tank 209 was kept liquid temperature of about 70 ° C. (Ltd.) manufactured by Hitachi, Ltd. thick film for chemical copper plating solution AP2 is held in advance.

【0054】制御装置210は、入出力装置212を介してめっき処理が指示されると、まず、搬送機構205 [0054] controller 210, the plating process is instructed via the input device 212, first, the transport mechanism 205
により処理対象基板を洗浄槽201に投入し、3分後に取り出して、水洗機構202へ搬送する(ステップ30 Was charged processed substrate to the cleaning tank 201, the taken out after 3 minutes, transported to the washing mechanism 202 (Step 30
1)。 1). 次に、制御装置210は、水洗機構202の水噴射バルブを開き、処理対象基板表面を水で洗浄した後(ステップ302)、搬送機構205によりめっき槽2 Next, the controller 210 opens the water injection valve of the flush mechanism 202, after the processed surface of the substrate was washed with water (step 302), plating tank 2 by the transfer mechanism 205
03の所定の位置に固定し(ステップ303)、処理対象基板を入れたまま、めっき槽203をXYステージ2 03 is fixed to a predetermined position (step 303), without turning processed substrate, the plating tank 203 XY stage 2
04の所定の位置に載置する(ステップ304)。 04 is placed at a predetermined position (step 304).

【0055】続いて、制御装置210は、撮像部207 [0055] Subsequently, the control unit 210 includes an imaging unit 207
により処理対象基板の画像データを採取し、外部記憶装置214に保持されたCADデータベースに登録された配線情報と比較することにより断線箇所を検出して、レーザ照射位置を決定する(ステップ305)。 The image data of the processing target substrate was taken, by detecting the broken point by comparing the routing information registered in the CAD database held in the external storage device 214, to determine the laser irradiation position (step 305).

【0056】次に、制御装置210は、XYステージ駆動部206を制御してXYステージ204を操作し、載置されためっき槽203内の基板を位置合わせした後(ステップ306)、撮像部207によって処理対象基板を再度撮影して、断線箇所(すなわちレーザ照射箇所)の位置を認識して、さらに精密に位置合わせする(ステップ307)。 Next, the control unit 210, the XY stage 204 to operate by controlling the XY stage drive unit 206, after aligning the substrate placed thereon in the plating tank 203 (step 306), the imaging unit 207 by photographing the processed substrate again by, recognizes the position of the broken point (i.e. laser irradiated portion), more precisely align (step 307).

【0057】レーザ照射箇所が所定の位置(すなわち、 [0057] Laser irradiation position is a predetermined position (i.e.,
レーザ照射部208の光軸位置)に配置されると、制御装置210は、レーザ照射部208を操作し、断線箇所にレーザ光を掃引(100μm/秒)する。 When placed in the optical axis position) of the laser irradiation unit 208, the control unit 210 operates the laser irradiation unit 208, sweeps the laser beam to the broken point (100 [mu] m / sec).

【0058】次に、制御装置210は、搬送機構205 Next, the control device 210, transport mechanism 205
によりめっき槽203をXYステージから降ろして(ステップ309)、所定時間(本実施例では30分)放置した後、めっき槽203から処理対象基板を取り出して成長槽209へ移す(311)。 And down the plating tank 203 from the XY stage (step 309) and allowed to stand (30 min in this embodiment) a predetermined time, transfers removed the processed substrate from the plating tank 203 to the growth chamber 209 (311).

【0059】最後に、制御装置210は、所定時間(本実施例では1時間)が経過すると、搬送機構205により成長槽209から処理対象基板を取り出して(ステップ312)、水洗機構202により洗浄し、乾燥する(ステップ313)。 [0059] Finally, the control device 210, has elapsed (1 hour in this embodiment) a predetermined time, takes out the processed substrate from the growth chamber 209 by the transfer mechanism 205 (step 312), washed with water washing mechanism 202 , dried (step 313).

【0060】このめっきシステムを用いて、実施例5と同様に配線を断線させた基板を用い、断線箇所を修復する処理を行ったところ、実施例5と同様、良好な接続を自動的に得ることができた。 [0060] Using this plating system, a substrate obtained by broken wires in the same manner as in Example 5, was subjected to treatment to repair the broken point, as in Example 5, to obtain a good connection automatically it could be.

【0061】なお、本実施例では、めっき槽203で処理した後、さらに成長槽209によりめっき皮膜を厚くする処理を行っているが、1種類のめっき液のみで処理する場合には、成長槽209及びステップ311,31 [0061] Incidentally, in the present embodiment, after the treatment with the plating bath 203, it is performed a process of further thickening the plating film by the growth vessel 209, to be processed in only one type of plating solution, the growth tank 209 and step 311,31
2の処理を省略してもよい。 2 handle may be omitted. また、成長槽209への投入の前に、前処理を行うようにしてもよい。 Also, prior to introduction into the growth chamber 209, pre-processing may be performed.

【0062】本実施例では、処理対象基板をXYステージ上に配置した後、照射位置決定処理(ステップ30 [0062] In the present embodiment, after placing the processed substrate on the XY stage, the irradiation position determination process (step 30
5)を行っているが、ステップ304より前の段階であらかじめ照射位置を決定するようにしてもよい。 5) it is performed, and may be determined in advance irradiation position in the previous step from the step 304. このようにする場合は、XYステージ204へのめっき槽20 When doing so, the plating tank 20 to the XY stage 204
3の載置後、基板表面の位置合わせマークなどによりステップ306の位置合わせを行い、その後撮像部207 3 after loading, aligns the step 306 or the like alignment mark of the substrate surface, then the imaging unit 207
により基板の画像データを取得して、当該画像データをもとに精密位置合わせ(ステップ307)を行うようにしてもよい。 The acquired image data of the substrate, alignment precise position on the basis of the image data may be performed (step 307).

【0063】 [0063]

【発明の効果】本願発明によれば、レーザ照射出力の微妙な調整を要することなく、狭い領域に位置精度よく、 According to the present invention, according to the present invention, without requiring delicate adjustment of the laser irradiation power, high positional accuracy in a narrow region,
容易かつ低コストで厚いめっき膜を形成することができる。 It is possible to form a thick plated film easily and at low cost.

【0064】本願発明の提供する技術により、従来技術の有していた下記のような課題が解決できた。 [0064] By providing the technology of the present invention, the following problems that had prior art can be resolved. (1) 本願発明によれば、被めっき物表面全体に触媒前駆体膜を形成する必要がない。 (1) According to the present invention, there is no need to form a catalyst precursor film on the entire object to be plated surface. また、無電解ニッケルめっきや無電解銅めっきでは貴金属やその化合物を使用せずに選択的な活性化が可能である。 Further, in the electroless nickel plating or electroless copper plating it is possible selective activation without the use of precious metals and their compounds. 従って、処理コストを低下させることが可能である。 Therefore, it is possible to reduce the processing cost. (2) 従来は被めっき面全面に触媒の前駆体を成膜した後に不要箇所のみを除去するという工程を経る必要があったが、本願発明の技術によると必要箇所のみの選択的活性化であるので不要箇所に触媒が残留することがない。 (2) Conventionally, it is necessary to go through the step of removing only unnecessary portions after forming the precursor of the catalyst surface to be plated entirely, by selective activation of only a necessary part according to techniques of the present invention never catalyst remains in the required position because there. (3) 活性化不要箇所に触媒が付いていないため、めっき異常析出の発生を抑制できる。 (3) for the activation unnecessary portions does not have a catalyst, the occurrence of plating abnormal deposition can be suppressed. (4)無電解めっきにそのまま使用するめっき液中で活性化するため、触媒の被毒や失活の危険がない。 (4) to activate in the plating solution to be used directly in the electroless plating, there is no risk of poisoning or deactivation of the catalyst. (5)非選択的活性化処理と同程度の短い工程で選択的活性化が可能である。 (5) can selectively activated in non-selective activation comparable short process. (6)めっき皮膜形成を微細領域のみで達成できるので、パターン修正などに簡便に適用できる。 (6) Since the plating film formation can be achieved only in the fine region, it can be easily applied to such pattern modification. (7)マスク製造やレジスト膜形成などの工程を最小限に抑えることができるので、省資源かつ環境に優しい工程が構築できる。 (7) Since the processes such as mask fabrication and resist film formed can be minimized, friendly process resource saving and environment can be constructed.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】実施例1における配線基板の製造方法を示す概略図である。 1 is a schematic diagram showing a method of manufacturing the wiring substrate of the first embodiment.

【図2】実施例6におけるめっきシステムの構成を示す概略図である。 2 is a schematic diagram showing the structure of a plating system in Example 6.

【図3】実施例6のめっきシステムにおける制御装置の処理の流れを示す流れ図である。 3 is a flow diagram showing the flow of processing of the control unit in the plating system of Example 6.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…処理対象基板(被めっき物)、2…照射光(レーザ)、3…金属微粒子、4…めっき皮膜、5…めっき液、200…めっきシステム、201…洗浄槽、202 1 ... processed substrate (object to be plated), 2 ... irradiating light (laser), 3 ... metal particulates, 4 ... plating film, 5 ... plating solution, 200 ... plating system, 201 ... cleaning tank, 202
…水洗機構、203…めっき槽、204…XYステージ、205…搬送機構、206…XYステージ駆動部、 ... flush mechanism, 203 ... plating tank, 204 ... XY stage, 205 ... transport mechanism, 206 ... XY stage drive unit,
207…撮像部、208…レーザ照射部、209…成長槽、210…制御装置、211…主記憶装置、212… 207 ... imaging unit, 208 ... laser irradiation portion, 209 ... growth tank, 210 ... controller, 211 ... main memory, 212 ...
CPU、213…入出力装置、214…外部記憶装置、 CPU, 213 ... input and output device, 214 ... an external storage device,
220…CADデータベース。 220 ... CAD database.

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Claims (12)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】金属イオンと、該金属イオンの錯化剤と、 And 1. A metal ion, a complexing agent of the metallic ions,
    還元剤と、pH調整剤とを含む無電解めっき液に被めっき物を浸漬することにより、該被めっき物表面にめっき皮膜を形成する無電解めっき方法において、 第1の無電解めっき液に浸漬した状態で、上記被めっき物表面に光を照射する光照射工程と、 上記被めっき物を第1の無電解めっき液中で所定時間放置することにより、上記照射箇所にめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程とを、この順で有することを特徴とする無電解めっき方法。 A reducing agent, by immersing the object to be plated in an electroless plating solution containing a pH adjusting agent, in an electroless plating method of forming a plating film to said plated surface, immersed in the first electroless plating solution in state, the light irradiation step of irradiating light to the object to be plated surface, by leaving a predetermined time the object to be plated in a first electroless plating solution, the plating to form a plating film on the irradiated portion a film forming step, an electroless plating method characterized by comprising in this order.
  2. 【請求項2】上記第1の無電解めっき液に浸漬する前に、 上記被めっき物の表面を、脱脂、洗浄する脱脂洗浄工程を、さらに有することを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 To 2. A prior to immersion in the first electroless plating solution, the surface of the object to be plated, degreasing, cleaning for degreasing step, further electroless according to claim 1, characterized in that it has plating method.
  3. 【請求項3】上記金属イオンは、銅、ニッケル、金、パラジウムのいずれかのイオンであることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 Wherein said metal ions are copper, nickel, gold, electroless plating method according to claim 1, characterized in that any ions palladium.
  4. 【請求項4】上記光の照射は、フォトマスクを介して所定のパターンに行われることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 Irradiation wherein said light is an electroless plating method according to claim 1, wherein the performed in a predetermined pattern through a photomask.
  5. 【請求項5】上記光の照射は、レーザ光を掃引することにより所定のパターンに行われることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 Irradiation wherein said light is an electroless plating method according to claim 1, wherein the performed in a predetermined pattern by sweeping a laser beam.
  6. 【請求項6】上記光は、CO 2レーザ、YAGレーザ、 Wherein said light, CO 2 laser, YAG laser,
    アルゴンイオンレーザ、及びエキシマレーザのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 Electroless plating method according to claim 1, characterized in that the argon ion laser, and one of an excimer laser.
  7. 【請求項7】上記めっき皮膜形成工程の後に、 第2の無電解めっき液に上記被めっき物を浸漬所定時間放置するめっき皮膜成長工程を、さらに有することを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。 After 7. The plating film forming step, a second plating film growth step the object to be plated in an electroless plating solution is left immersed predetermined time, according to claim 1 free of wherein further comprising electrolytic plating method.
  8. 【請求項8】請求項1記載の無電解めっき方法により、 8. The electroless plating method according to claim 1, wherein,
    絶縁基板又は絶縁層の表面に上記めっき皮膜からなる金属配線を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 Method for manufacturing a wiring substrate characterized by having a step of forming a metal wiring made of the plating film on the surface of the insulating substrate or the insulating layer.
  9. 【請求項9】上記金属配線の形成は、配線の断線箇所に行われることを特徴とする請求項8記載の配線基板の製造方法。 Formation of 9. The metal wiring method of manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein the performed broken point of the line.
  10. 【請求項10】上記断線箇所を有する配線の画像データと、該配線の設計データとを比較することにより上記断線箇所を認識する工程を、さらに備え、 上記光照射工程は、該断線箇所に上記光を照射する工程であることを特徴とする請求項8記載の配線基板の製造方法。 10. A image data of the wiring having the broken point, the step of recognizing the broken point by comparing the design data of the wiring, further comprising, the light irradiation process, above the cross line position a method for manufacturing a wiring board according to claim 8, characterized in that the step of irradiating the light.
  11. 【請求項11】無電解めっき液を保持するためのめっき槽と、 上記めっき槽中に保持された上記無電解めっき液中に浸漬された処理対象基板の表面の画像データを得るための撮像部と、 上記めっき槽中に保持された上記無電解めっき液中に浸漬された処理対象基板の表面に、レーザを照射するためのレーザ照射部と、 上記レーザ照射部の動作を制御する制御装置とを備え、 上記制御装置は、 上記断線箇所を有する配線の画像データと、該配線の設計データとを比較することにより上記断線箇所を認識し、レーザ照射部を制御して、当該断線箇所にレーザを照射する手段を備えることを特徴とする無電解めっき装置。 11. Electroless plating solution and plating tank for holding the imaging unit for obtaining the image data of the dipped-processed substrate surface in the electroless plating solution held in the plating tank If, on the soaked processed surface of the substrate in the electroless plating solution held in the plating tank, and the laser irradiation portion for irradiating laser, a controller for controlling the operation of the laser irradiation unit comprising a said control device, the image data of the lines having the broken point, recognizing the broken point by comparing the design data of the wiring, and controls the laser irradiation unit, a laser to the broken point electroless plating apparatus comprising means for irradiating.
  12. 【請求項12】上記無電解めっき装置を備えることを特徴とする配線基板の製造装置。 12. The apparatus for manufacturing a wiring board which comprises the above-mentioned electroless plating apparatus.
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