JP2000137341A - 電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度、高画質で耐久時の電位変動の少ない
電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ
ートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 【解決手段】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該感光層が特定の構造を有するジスアゾ顔
料とヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有すること
を特徴とする電子写真感光体、該電子写真感光体を有す
るプロセスカートリッジ及び電子写真装置。
電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ
ートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 【解決手段】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該感光層が特定の構造を有するジスアゾ顔
料とヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有すること
を特徴とする電子写真感光体、該電子写真感光体を有す
るプロセスカートリッジ及び電子写真装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、詳しくは特定の化合物を含有する感光層を有する
電子写真感光体に関する。また、本発明は、該電子写真
感光体を備えたプロセスカートリッジ及び電子写真装置
に関する。
関し、詳しくは特定の化合物を含有する感光層を有する
電子写真感光体に関する。また、本発明は、該電子写真
感光体を備えたプロセスカートリッジ及び電子写真装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機光導電体を用いた電子写真感光体
は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層と電荷発生材料
を含有する電荷発生層を積層した機能分離型電子写真感
光体の開発により、感度及び耐久性において著しい改善
がなされ実用化されるようになってきた。
は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層と電荷発生材料
を含有する電荷発生層を積層した機能分離型電子写真感
光体の開発により、感度及び耐久性において著しい改善
がなされ実用化されるようになってきた。
【０００３】一方、近年、複写機にレーザー光による書
き込み機能を持たせる等の目的で、可視域から赤外波長
域までの幅広い分光感度を有する感光体の開発が盛んで
ある。こうした目的を達成する方法として、可視光域に
感度を有する電荷発生材料と赤外域に感度を有する電荷
発生材料を混合あるいは積層した電荷発生層を用いる方
法が知られている。
き込み機能を持たせる等の目的で、可視域から赤外波長
域までの幅広い分光感度を有する感光体の開発が盛んで
ある。こうした目的を達成する方法として、可視光域に
感度を有する電荷発生材料と赤外域に感度を有する電荷
発生材料を混合あるいは積層した電荷発生層を用いる方
法が知られている。
【０００４】また、端末用プリンターとして電子写真技
術を応用したプリンターが広く普及している。これらは
主としてレーザー光を光源とするレーザビームプリンタ
ーであり、その光源としてはコスト、装置の大きさ等の
点から半導体レーザーが用いられる。現在、主として用
いられている半導体レーザーは、その発振波長が７９０
〜８２０ｎｍと長波長であるため、これら長波長の光に
十分な感度を有する電子写真感光体の開発が進められて
おり、感度及び耐久性の改良のために電荷発生材料を混
合あるいは積層した電荷発生層を用いる方法が知られて
いる。
術を応用したプリンターが広く普及している。これらは
主としてレーザー光を光源とするレーザビームプリンタ
ーであり、その光源としてはコスト、装置の大きさ等の
点から半導体レーザーが用いられる。現在、主として用
いられている半導体レーザーは、その発振波長が７９０
〜８２０ｎｍと長波長であるため、これら長波長の光に
十分な感度を有する電子写真感光体の開発が進められて
おり、感度及び耐久性の改良のために電荷発生材料を混
合あるいは積層した電荷発生層を用いる方法が知られて
いる。
【０００５】アゾ顔料とフタロシアニン化合物との組み
合わせとしては、特願平７−１７５２４１号公報に特定
のアゾ顔料とオキシチタニウムフタロシアニンを用いた
感光体が、特開平７−１２８８８８号公報に特定のアゾ
顔料とガリウムフタロシアニンを用いた感光体が開示さ
れている。
合わせとしては、特願平７−１７５２４１号公報に特定
のアゾ顔料とオキシチタニウムフタロシアニンを用いた
感光体が、特開平７−１２８８８８号公報に特定のアゾ
顔料とガリウムフタロシアニンを用いた感光体が開示さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の感光体においては、各々の電荷発生材料の特性が十分
に発揮されなかったり、特に混合して使用した場合、メ
モリー特性の悪化に伴い耐久時の電位変動が大きくなる
という欠点を有しており、ガリウムフタロシアニン化合
物を用いた場合は、帯電能が悪く、ポチやかぶりによる
画像劣化が見られた。また、可視域及び赤外域の感度自
体も十分なものとは言えなかった。
の感光体においては、各々の電荷発生材料の特性が十分
に発揮されなかったり、特に混合して使用した場合、メ
モリー特性の悪化に伴い耐久時の電位変動が大きくなる
という欠点を有しており、ガリウムフタロシアニン化合
物を用いた場合は、帯電能が悪く、ポチやかぶりによる
画像劣化が見られた。また、可視域及び赤外域の感度自
体も十分なものとは言えなかった。
【０００７】本発明の目的は、上記従来の欠点を改善
し、高感度、高画質で耐久使用時の電位変動の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
し、高感度、高画質で耐久使用時の電位変動の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
【０００８】また、本発明の目的は、該電子写真感光体
を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供
することにある。
を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、支持体
上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層
が、下記式（１）または（２）で示されるジスアゾ顔料
及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有すること
を特徴とする電子写真感光体である。
上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層
が、下記式（１）または（２）で示されるジスアゾ顔料
及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有すること
を特徴とする電子写真感光体である。
【００１０】
【外８】
【００１１】また本発明は、上記電子写真感光体、及び
帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群よ
り選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子
写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセ
スカートリッジである。
帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群よ
り選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子
写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセ
スカートリッジである。
【００１２】また、本発明は、上記電子写真感光体、帯
電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有すること
を特徴とする電子写真装置である。
電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有すること
を特徴とする電子写真装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】式（１）及び（２）中、Ａ1 〜Ａ
4 は、フェノール性水酸基を有するカプラー残基を示す
が、特に下記式（３）〜（６）で示されることが好まし
い。
4 は、フェノール性水酸基を有するカプラー残基を示す
が、特に下記式（３）〜（６）で示されることが好まし
い。
【００１４】
【外９】
【００１５】式（３）、（４）及び（５）中、Ｘ1 〜Ｘ
3 は式中のベンゼン環と縮合して置換基を有してもよい
ナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベン
ズカルバゾール環及びジベンゾフラン環等の芳香族炭化
水素環または複素環を形成するのに必要な残基を示す。
3 は式中のベンゼン環と縮合して置換基を有してもよい
ナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベン
ズカルバゾール環及びジベンゾフラン環等の芳香族炭化
水素環または複素環を形成するのに必要な残基を示す。
【００１６】式（３）及び（４）中、Ｒ1 〜Ｒ4 は水素
原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
てもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル
基または置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｒ1 と
Ｒ2 及びＲ3 とＲ4 は結合することによって式中の窒素
原子とともに環状アミノ基を形成してもよい。
原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
てもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル
基または置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｒ1 と
Ｒ2 及びＲ3 とＲ4 は結合することによって式中の窒素
原子とともに環状アミノ基を形成してもよい。
【００１７】式（５）中、Ｒ5 は水素原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいアラルキル基または置換基を
有してもよい複素環基を示す。
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいアラルキル基または置換基を
有してもよい複素環基を示す。
【００１８】式（６）中、Ｒ6 は置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基
を有してもよいアラルキル基または置換基を有してもよ
い複素環基を示す。
アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基
を有してもよいアラルキル基または置換基を有してもよ
い複素環基を示す。
【００１９】上記アルキル基としてはメチル、エチル及
びプロピル等の基、アリール基としてはフェニル、ナフ
チル及びアンスリル等の基、アラルキル基としてはベン
ジル及びフェネチル等の基、複素環基としてはピリジ
ル、チエニル、チアゾリル、カルバゾリル、ベンゾイミ
ダゾリル及びベンゾチアゾリル等の基が挙げられ、環状
アミノ基としてはピロール、ピロリン、ピロリジン、ピ
ロリドン、インドール、インドリン、カルバゾール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピラゾリン、オキサジン及び
フェノキサジン等の基が挙げられる。
びプロピル等の基、アリール基としてはフェニル、ナフ
チル及びアンスリル等の基、アラルキル基としてはベン
ジル及びフェネチル等の基、複素環基としてはピリジ
ル、チエニル、チアゾリル、カルバゾリル、ベンゾイミ
ダゾリル及びベンゾチアゾリル等の基が挙げられ、環状
アミノ基としてはピロール、ピロリン、ピロリジン、ピ
ロリドン、インドール、インドリン、カルバゾール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピラゾリン、オキサジン及び
フェノキサジン等の基が挙げられる。
【００２０】また、これらの基が有してもよい置換基と
しては、メチル、エチル、プロピル及びブチル等のアル
キル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシ等のアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲ
ン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノ等のジアル
キルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シ
アノ基及びトリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙
げられる。
しては、メチル、エチル、プロピル及びブチル等のアル
キル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシ等のアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲ
ン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノ等のジアル
キルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シ
アノ基及びトリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙
げられる。
【００２１】式（３）中、Ｚは酸素原子または硫黄原子
を示し、ｐは０または１を示す。
を示し、ｐは０または１を示す。
【００２２】なお、上記カプラー残基のうち、式（３）
で示される基が感度の点で特に好ましい。
で示される基が感度の点で特に好ましい。
【００２３】以下に、式（１）及び（２）で示されるジ
スアゾ顔料の好ましい例を列挙するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
スアゾ顔料の好ましい例を列挙するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
【００２４】
【外１０】
【００２５】
【外１１】
【００２６】
【外１２】
【００２７】
【外１３】
【００２８】
【外１４】
【００２９】
【外１５】
【００３０】
【外１６】
【００３１】
【外１７】
【００３２】
【外１８】
【００３３】
【外１９】 これらの中では、特に例示顔料（１）−８及び（２）−
１５のジスアゾ顔料が好ましい。
１５のジスアゾ顔料が好ましい。
【００３４】式（１）及び（２）で示されるジスアゾ顔
料は、相当するジアミンを常法によりテトラゾ化し、ア
ルカリの存在下、カプラーと水系でカップリングする
か、または前記ジアミンのテトラゾニウム塩をホウフッ
化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適
当な溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジ
メチルスルホキシド等の溶剤中で酢酸ソーダ、トリエチ
ルアミン及びＮ−メチルモルホリン等の塩基の存在下、
前記カプラーとカップリングすることにより容易に合成
できる。
料は、相当するジアミンを常法によりテトラゾ化し、ア
ルカリの存在下、カプラーと水系でカップリングする
か、または前記ジアミンのテトラゾニウム塩をホウフッ
化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適
当な溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジ
メチルスルホキシド等の溶剤中で酢酸ソーダ、トリエチ
ルアミン及びＮ−メチルモルホリン等の塩基の存在下、
前記カプラーとカップリングすることにより容易に合成
できる。
【００３５】本発明において用いられるヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称す）は下
記式で示される。
ウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称す）は下
記式で示される。
【００３６】
【外２０】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 は、Ｃ１またはＢｒ
を示し、ｎ、ｍ、ｋ及びｊは０〜４の整数で示す。）
を示し、ｎ、ｍ、ｋ及びｊは０〜４の整数で示す。）
【００３７】ＨＯＧａＰｃには、様々な結晶形を有する
ものがあるが、本発明においては、いかなる結晶形のＨ
ＯＧａＰｃも使用できる。中でもＣｕＫα特性のＸ線回
折におけるブラック角（２θ）の７．４°±０．２°及
び２８．２°±０．２°に強いピークを有する結晶のＨ
ＯＧａＰｃ（図１。特開平５−２６３００７号公報等）
が高感度で、かつ本発明が有効に作用するため特に好ま
しい。
ものがあるが、本発明においては、いかなる結晶形のＨ
ＯＧａＰｃも使用できる。中でもＣｕＫα特性のＸ線回
折におけるブラック角（２θ）の７．４°±０．２°及
び２８．２°±０．２°に強いピークを有する結晶のＨ
ＯＧａＰｃ（図１。特開平５−２６３００７号公報等）
が高感度で、かつ本発明が有効に作用するため特に好ま
しい。
【００３８】本発明において、ＨＯＧａＰｃと前記特定
のジスアゾ顔料の含有量の比（重量比）は、ＨＯＧａＰ
ｃ／ジスアゾ顔料で２０／１〜１／２０であることが好
ましく、特には１０／１〜１／５であることが好まし
い。
のジスアゾ顔料の含有量の比（重量比）は、ＨＯＧａＰ
ｃ／ジスアゾ顔料で２０／１〜１／２０であることが好
ましく、特には１０／１〜１／５であることが好まし
い。
【００３９】本発明の感光層の構成としては、電荷発生
材料を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電
荷輸送層を有する積層型、あるいは電荷発生材料と電荷
輸送材料の両方を含有する単層型が挙げられる。これら
のうちでは積層型の方が好ましく、更に積層型の場合、
積層の順序が２通りあるが、そのうち、支持体側から電
荷発生層及び電荷輸送層の順で積層する構成が電子写真
特性の点で好ましい。
材料を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電
荷輸送層を有する積層型、あるいは電荷発生材料と電荷
輸送材料の両方を含有する単層型が挙げられる。これら
のうちでは積層型の方が好ましく、更に積層型の場合、
積層の順序が２通りあるが、そのうち、支持体側から電
荷発生層及び電荷輸送層の順で積層する構成が電子写真
特性の点で好ましい。
【００４０】電荷発生層は電荷発生材料としてのＨＯＧ
ａＰｃ及び式（１）または（２）で示されるジスアゾ顔
料及び結着樹脂を含有する。電荷発生材料を混合する場
合は、各材料を上記範囲の比率で適当な結着樹脂と溶剤
に分散するか、あるいは個々に分散した液を所定の比率
になるように混合する。個々に分散する場合、結着樹脂
や溶剤はそれぞれ異なっても差し支えない。積層する場
合は個々に分散した液を、含まれる材料の量が所定の比
率になるように各々塗布する。
ａＰｃ及び式（１）または（２）で示されるジスアゾ顔
料及び結着樹脂を含有する。電荷発生材料を混合する場
合は、各材料を上記範囲の比率で適当な結着樹脂と溶剤
に分散するか、あるいは個々に分散した液を所定の比率
になるように混合する。個々に分散する場合、結着樹脂
や溶剤はそれぞれ異なっても差し支えない。積層する場
合は個々に分散した液を、含まれる材料の量が所定の比
率になるように各々塗布する。
【００４１】用いられる結着樹脂としては、ポリエステ
ル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキ
シ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルベンザール、ポリスチレン、ポリビニルアセテ
ート、ポリスルホン、ポリアリレート及び塩化ビニリデ
ン・アクリロニトリル共重合体等が挙げられる。
ル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキ
シ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルベンザール、ポリスチレン、ポリビニルアセテ
ート、ポリスルホン、ポリアリレート及び塩化ビニリデ
ン・アクリロニトリル共重合体等が挙げられる。
【００４２】電荷輸送層は、主として電荷輸送材料と結
着樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布し、乾燥する
ことによって形成する。用いられる電荷輸送材料として
は、各種のトリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、スチルベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合
物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、トリ
アリルメタン系化合物等が挙げられる。結着樹脂として
は電荷発生層と同様の樹脂を用いることができる。
着樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布し、乾燥する
ことによって形成する。用いられる電荷輸送材料として
は、各種のトリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、スチルベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合
物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、トリ
アリルメタン系化合物等が挙げられる。結着樹脂として
は電荷発生層と同様の樹脂を用いることができる。
【００４３】感光層が単層型の場合、上記電荷発生材
料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含有する溶液を塗布
し、乾燥することによって形成することができる。
料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含有する溶液を塗布
し、乾燥することによって形成することができる。
【００４４】支持体は導電性を有するものであればよ
く、アルミニウム及びステンレス等の金属あるいは導電
層を設けた金属、プラスチック及び紙等が挙げられ、形
状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられる。
く、アルミニウム及びステンレス等の金属あるいは導電
層を設けた金属、プラスチック及び紙等が挙げられ、形
状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられる。
【００４５】また、支持体と感光層との間に、バリヤー
機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリ
エチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロー
ル、カゼイン、ポリアミド、にかわ及びゼラチン等が挙
げられる。これらは、適当な溶剤に溶解して支持体上に
塗布される。
機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリ
エチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロー
ル、カゼイン、ポリアミド、にかわ及びゼラチン等が挙
げられる。これらは、適当な溶剤に溶解して支持体上に
塗布される。
【００４６】更に、支持体と下引き層との間に、支持体
のむらや欠陥の被覆及び画像入力がレーザー光の場合に
は散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設けるこ
とが好適である。これはカーボンブラック、金属粒子及
び金属酸化物等の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形
成することができる。導電層の膜厚は５〜４０μｍであ
ることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが
好ましい。
のむらや欠陥の被覆及び画像入力がレーザー光の場合に
は散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設けるこ
とが好適である。これはカーボンブラック、金属粒子及
び金属酸化物等の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形
成することができる。導電層の膜厚は５〜４０μｍであ
ることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが
好ましい。
【００４７】これらの層の塗布方法としては、浸漬コー
ティング法、スプレーコーティング法、スピンナーティ
ング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング
法及びビームコーティング法等の方法を用いることがで
きる。
ティング法、スプレーコーティング法、スピンナーティ
ング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング
法及びビームコーティング法等の方法を用いることがで
きる。
【００４８】本発明の電子写真感光体は、電子写真複写
機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、
ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター
及びレーザー製版等電子写真応用分野にも広く利用する
ことができる。
機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、
ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター
及びレーザー製版等電子写真応用分野にも広く利用する
ことができる。
【００４９】次に、本発明のプロセスカートリッジ並び
に電子写真装置について説明する。図５に本発明の電子
写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子
写真装置の概略構成を示す。
に電子写真装置について説明する。図５に本発明の電子
写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子
写真装置の概略構成を示す。
【００５０】図において、１はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は回転過程において、一
次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の
均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービー
ム走査露光等の露光手段（不図示）からの露光光４を受
ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成さ
れていく。
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は回転過程において、一
次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の
均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービー
ム走査露光等の露光手段（不図示）からの露光光４を受
ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成さ
れていく。
【００５１】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写
主段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写
材７は感光体面から分離されて像定着主段８へ導入され
て像定着を受けることにより複写物（コピー）として装
置外へプリントアウトされる。
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写
主段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写
材７は感光体面から分離されて像定着主段８へ導入され
て像定着を受けることにより複写物（コピー）として装
置外へプリントアウトされる。
【００５２】像転写後の感光体１の表面は、クリーニン
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、図のように一次帯電手段３が帯電ローラー等
を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも
必要ではない。
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、図のように一次帯電手段３が帯電ローラー等
を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも
必要ではない。
【００５３】本発明においては、上述の感光体１、一次
帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９等の構
成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとし
て一体に支持して構成し、このプロセスカートリッジを
複写機やレーザービームプリンター等の電子写真装置本
体に対して着脱可能にしてもよい。例えば一次帯電手段
３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも１
つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化し、
装置本体のレール１２等の案内手段を用いて装置本体に
着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができ
る。
帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９等の構
成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとし
て一体に支持して構成し、このプロセスカートリッジを
複写機やレーザービームプリンター等の電子写真装置本
体に対して着脱可能にしてもよい。例えば一次帯電手段
３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも１
つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化し、
装置本体のレール１２等の案内手段を用いて装置本体に
着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができ
る。
【００５４】次に、本発明において用いるＨＯＧａＰｃ
の製造例を挙げる。
の製造例を挙げる。
【００５５】製造例１ ｏ−フタロジニトリル７３ｇ、三塩化ガリウム２５ｇ及
びα−クロルナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下、２
００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物をろ過
した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
を用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、ろ過し、メ
タノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニ
ンを４５ｇを得た。この化合物の元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ16Ｎ8 ＣｌＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６１．７８ ２．６６ １８．２８ ６．２５ 計算値（％） ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４
びα−クロルナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下、２
００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物をろ過
した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
を用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、ろ過し、メ
タノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニ
ンを４５ｇを得た。この化合物の元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ16Ｎ8 ＣｌＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６１．７８ ２．６６ １８．２８ ６．２５ 計算値（％） ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４
【００５６】ここで得られたクロロガリウムフタロシア
ニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解し、氷水２
３００ｇ中に撹拌下に滴下して再析出させてろ過した。
２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に
水洗し、ろ別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰｃを１３
ｇ得た。
ニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解し、氷水２
３００ｇ中に撹拌下に滴下して再析出させてろ過した。
２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に
水洗し、ろ別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰｃを１３
ｇ得た。
【００５７】製造例２ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃ１０ｇ及びＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ
４５０ｇと共に室温（２２℃）下、６時間ミリング処理
した。この分散液から固形分を取り出し、メタノール、
次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２
ｇ得た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折に
おける回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．
２°に強いピークを有していた（図１）。この化合物の
元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ17Ｎ8 ＯＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７７ ２．６１ １８．３３ ０．５３ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −
メチルホルムアミド３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ
４５０ｇと共に室温（２２℃）下、６時間ミリング処理
した。この分散液から固形分を取り出し、メタノール、
次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２
ｇ得た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折に
おける回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．
２°に強いピークを有していた（図１）。この化合物の
元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ17Ｎ8 ＯＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７７ ２．６１ １８．３３ ０．５３ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −
【００５８】製造例３ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃ１０ｇ及びテトラヒド
ロフラン３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５０ｇと
共に室温（２２℃）下、２０時間ミリング処理した。こ
の分散液により固形分を取り出し、メタノール、次いで
水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇを得
た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけ
る回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°
に強いピークを有していた（図２）。この化合物の元素
分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ17Ｎ8 ＯＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７４ ２．５３ １８．３２ ０．５４ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −
ロフラン３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５０ｇと
共に室温（２２℃）下、２０時間ミリング処理した。こ
の分散液により固形分を取り出し、メタノール、次いで
水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇを得
た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけ
る回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°
に強いピークを有していた（図２）。この化合物の元素
分析値を示す。 元素分析値（Ｃ32Ｈ17Ｎ8 ＯＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７４ ２．５３ １８．３２ ０．５４ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −
【００５９】製造例４ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃ１０ｇ及びＮ，Ｎ−ジ
メチルアニリン３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５
０ｇと共に室温（２２℃）下、６時間ミリング処理し
た。この分散液から固形分を取り出し、メタノール、次
いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ
得た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折にお
ける回折角（２θ±０．２°）の７．６°、１６．４
°、２５．０°及び２６．５°に強いピークを有してい
た（図３）。
メチルアニリン３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５
０ｇと共に室温（２２℃）下、６時間ミリング処理し
た。この分散液から固形分を取り出し、メタノール、次
いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ
得た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折にお
ける回折角（２θ±０．２°）の７．６°、１６．４
°、２５．０°及び２６．５°に強いピークを有してい
た（図３）。
【００６０】製造例５ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃ１０ｇ及びクロロホル
ム３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５０ｇと共に室
温（２２℃）下、２４時間ミリング処理した。この分散
液から固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分
に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨ
ＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角
（２θ±０．２°）の６．９°、１６．５°及び２６．
７°に強いピークを有していた（図４）。
ム３００ｇを１ｍｍφのガラスビーズ４５０ｇと共に室
温（２２℃）下、２４時間ミリング処理した。この分散
液から固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分
に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨ
ＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角
（２θ±０．２°）の６．９°、１６．５°及び２６．
７°に強いピークを有していた（図４）。
【００６１】比較製造例１ 特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，
５９２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型といわれる結晶型のオキシチタニウムフタロシアニン
（ＴｉＯＰｃ）を得た。
５９２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型といわれる結晶型のオキシチタニウムフタロシアニン
（ＴｉＯＰｃ）を得た。
【００６２】実施例１−１ １０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸
化チタン粉末５０部（重量部）、レゾール型フェノール
樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部
及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオ
キシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．０
０２部を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで
２時間分散して導電性塗料を調製した。
化チタン粉末５０部（重量部）、レゾール型フェノール
樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部
及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオ
キシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．０
０２部を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで
２時間分散して導電性塗料を調製した。
【００６３】アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することによっ
て、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することによっ
て、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
【００６４】この上に、６−６６−６１０−１２四元系
ポリアミド共重合体５部をメタノール７０部とブタノー
ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布し、乾燥
することによって、膜厚１μｍの下引き層を形成した。
ポリアミド共重合体５部をメタノール７０部とブタノー
ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布し、乾燥
することによって、膜厚１μｍの下引き層を形成した。
【００６５】次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ７
部と例示顔料（１）−８のジスアゾ顔料１部をポリビニ
ルブチラール（商品名エスレックＢＸ−１、積水化学
（株）製）４部をテトラヒドロフラン１００部に溶解し
た液を添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで６時間分散した。これに１００部の酢酸ブチルを
加えて、希釈した後液を回収して、下引き層上に浸漬塗
布し、１００℃で１０分間乾燥することによって、膜厚
０．２５μｍの電荷発生層を形成した。
部と例示顔料（１）−８のジスアゾ顔料１部をポリビニ
ルブチラール（商品名エスレックＢＸ−１、積水化学
（株）製）４部をテトラヒドロフラン１００部に溶解し
た液を添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで６時間分散した。これに１００部の酢酸ブチルを
加えて、希釈した後液を回収して、下引き層上に浸漬塗
布し、１００℃で１０分間乾燥することによって、膜厚
０．２５μｍの電荷発生層を形成した。
【００６６】次に、下記構造式で示される電荷輸送材料
１０部
１０部
【００６７】
【外２１】 とビスフェノールＺ型ポリカーボネート１０部をモノク
ロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生
層上に浸漬塗布し、１１０℃で１時間乾燥することによ
って、膜厚２３μｍの電荷輸送層を形成した。
ロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生
層上に浸漬塗布し、１１０℃で１時間乾燥することによ
って、膜厚２３μｍの電荷輸送層を形成した。
【００６８】作成した電子写真感光体を像露光光源とし
てハロゲンランプを用い、更に半導体レーザー（波長７
８５ｎｍ）によるイレース露光手段を有する複写機（商
品名ＮＰ−４８３５、キヤノン（株）製改造機）に装着
し、電子写真特性を評価した。暗部電位を−６５０Ｖと
した時に明部電位を−１３０Ｖとするのに必要なハロゲ
ン光量、イレース後の感光体の表面電位を−８０Ｖとす
るのに必要なレーザー光量、更に１０００枚連続コピー
を行った時の表面電位（暗部電位、明部電位及びイレー
ス後電位）の変化量を測定した。結果を表１に示す。表
中、電位の変化量の正記号は電位の絶対値の増加を示
し、頁記号は電位の絶対値の減少を示す。
てハロゲンランプを用い、更に半導体レーザー（波長７
８５ｎｍ）によるイレース露光手段を有する複写機（商
品名ＮＰ−４８３５、キヤノン（株）製改造機）に装着
し、電子写真特性を評価した。暗部電位を−６５０Ｖと
した時に明部電位を−１３０Ｖとするのに必要なハロゲ
ン光量、イレース後の感光体の表面電位を−８０Ｖとす
るのに必要なレーザー光量、更に１０００枚連続コピー
を行った時の表面電位（暗部電位、明部電位及びイレー
ス後電位）の変化量を測定した。結果を表１に示す。表
中、電位の変化量の正記号は電位の絶対値の増加を示
し、頁記号は電位の絶対値の減少を示す。
【００６９】比較例１−１ 例示顔料（１）−８のジスアゾ顔料に代えて下記構造式
で示されるジスアゾ顔料を用いた他は、実施例１−１と
同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果を
表１に示す。
で示されるジスアゾ顔料を用いた他は、実施例１−１と
同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果を
表１に示す。
【００７０】
【外２２】
【００７１】比較例１−２ ＨＯＧａＰｃに代えて比較製造例１で得られたＴｉＯＰ
ｃを用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感
光体を作成し、評価した。結果を表１に示す。
ｃを用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感
光体を作成し、評価した。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
【００７３】以上のように、本発明の電子写真感光体
は、可視光光源、赤外レーザー光源共に高い感度を有し
ていると同時に連続コピー時の電位の安定性も十分であ
り、優れた特性を示す。一方、比較例の電子写真感光体
においては、両光源での感度を満足しないと共に、メモ
リー特性の劣化に起因する連続電位変化が大きい。
は、可視光光源、赤外レーザー光源共に高い感度を有し
ていると同時に連続コピー時の電位の安定性も十分であ
り、優れた特性を示す。一方、比較例の電子写真感光体
においては、両光源での感度を満足しないと共に、メモ
リー特性の劣化に起因する連続電位変化が大きい。
【００７４】実施例１−２ ジスアゾ顔料とＨＯＧａＰｃの含有比率を１対１とした
他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体を作成
し、評価した。結果を表２に示す。
他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体を作成
し、評価した。結果を表２に示す。
【００７５】実施例１−３ ジスアゾ顔料として例示顔料（１）−２を用い、ＨＯＧ
ａＰｃとして製造例２で得られたＨＯＧａＰｃを用い、
ジスアゾ顔料対ＨＯＧａＰｃの比率を５対１とし、電荷
輸送材料として下記構造式で示されるヒドラゾン化合物
を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
ａＰｃとして製造例２で得られたＨＯＧａＰｃを用い、
ジスアゾ顔料対ＨＯＧａＰｃの比率を５対１とし、電荷
輸送材料として下記構造式で示されるヒドラゾン化合物
を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００７６】
【外２３】
【００７７】実施例１−４ ＨＯＧａＰｃとして製造例３で得られたＨＯＧａＰｃを
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００７８】実施例１−５ ＨＯＧａＰｃとして製造例４で得られたＨＯＧａＰｃを
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００７９】実施例１−６ ＨＯＧａＰｃとして製造例５で得られたＨＯＧａＰｃを
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００８０】実施例１−７ 電荷輸送材料として下記構造式で示されるフルオレノン
化合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写
真感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
化合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写
真感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００８１】
【外２４】 実施例１−８ 電荷輸送材料として下記構造式で示されるベンジジン化
合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真
感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真
感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００８２】
【外２５】
【００８３】実施例１−９ 電荷輸送材料として下記構造式で示されるヒドラゾン化
合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真
感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
合物を用いた他は、実施例１−１と同様にして電子写真
感光体を作成し、評価した。結果を表２に示す。
【００８４】
【外２６】
【００８５】実施例１−１０ 実施例１と同様にして下引き層まで形成した。
【００８６】次いで、例示顔料（１）−２７のジスアゾ
顔料８部をテトラヒドロフラン１００部に溶解したポリ
ビニル−４−フルオロベンザール４部に加え、１ｍｍφ
のガラスビーズを用いたサンドミルで３０時間分散し
た。これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後
液を回収して、下引き層上に浸漬塗布し、乾燥すること
によって、電荷発生層を形成した。膜厚は、層中のジス
アゾ顔料の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整
した。
顔料８部をテトラヒドロフラン１００部に溶解したポリ
ビニル−４−フルオロベンザール４部に加え、１ｍｍφ
のガラスビーズを用いたサンドミルで３０時間分散し
た。これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後
液を回収して、下引き層上に浸漬塗布し、乾燥すること
によって、電荷発生層を形成した。膜厚は、層中のジス
アゾ顔料の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整
した。
【００８７】次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ５
部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００
部に溶解した実施例１−１で用いたポリビニルブチラー
ル３部に加え、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで３時間分散した。これに２００部の酢酸エチルを
加えて希釈した後液を回収して、上記ジスアゾ顔料含有
電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、Ｈ
ＯＧａＰｃ含有電荷発生層を形成した。膜厚は、層中の
ＨＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように
調整した。
部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００
部に溶解した実施例１−１で用いたポリビニルブチラー
ル３部に加え、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで３時間分散した。これに２００部の酢酸エチルを
加えて希釈した後液を回収して、上記ジスアゾ顔料含有
電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、Ｈ
ＯＧａＰｃ含有電荷発生層を形成した。膜厚は、層中の
ＨＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように
調整した。
【００８８】更に、実施例１−１と同様にして電荷輸送
層を形成し、電子写真感光体を作成し、実施例１−１と
同様にして評価した。結果を表２に示す。
層を形成し、電子写真感光体を作成し、実施例１−１と
同様にして評価した。結果を表２に示す。
【００８９】
【表２】
【００９０】また、目視検査による画像評価で、本発明
の電子写真感光体はポチ及びかぶり等の画像欠陥のない
良好な画像が得られたが、比較例の電子写真感光体によ
る画像には画像欠陥が見られた。
の電子写真感光体はポチ及びかぶり等の画像欠陥のない
良好な画像が得られたが、比較例の電子写真感光体によ
る画像には画像欠陥が見られた。
【００９１】実施例１−２ １０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸
化チタン粉末５０部（重量部）、レゾール型フェノール
樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部
及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオ
キシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．０
０２部を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで
２時間分散して導電性塗料を調整した。
化チタン粉末５０部（重量部）、レゾール型フェノール
樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部
及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオ
キシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．０
０２部を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで
２時間分散して導電性塗料を調整した。
【００９２】アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することによっ
て、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することによっ
て、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
【００９３】この上に、６−６６−６１０−１２四元系
ポリアミド共重合体５部をメタノール７０部とブタノー
ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布し、乾燥
することによって、膜厚１μｍの下引き層を形成した。
ポリアミド共重合体５部をメタノール７０部とブタノー
ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布し、乾燥
することによって、膜厚１μｍの下引き層を形成した。
【００９４】次に、例示顔料（２）−１５のジスアゾ顔
料０．９部とテトラヒドロフラン５０部を１ｍφのガラ
スビーズを用いたサンドミルで６時間分散した。この分
散液に製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ９．１部とポリ
ビニルブチラール（商品名エスレックＢＸ−１、積水化
学（株）製）７部をテトラヒドロフラン７０部に溶解し
た液を添加し、更に１時間分散した。これに１００部の
酢酸ブチルを加えて、希釈した後液を回収して、これを
下引き層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥する
ことによって、膜厚０．２５μｍの電荷発生層を形成し
た。
料０．９部とテトラヒドロフラン５０部を１ｍφのガラ
スビーズを用いたサンドミルで６時間分散した。この分
散液に製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ９．１部とポリ
ビニルブチラール（商品名エスレックＢＸ−１、積水化
学（株）製）７部をテトラヒドロフラン７０部に溶解し
た液を添加し、更に１時間分散した。これに１００部の
酢酸ブチルを加えて、希釈した後液を回収して、これを
下引き層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥する
ことによって、膜厚０．２５μｍの電荷発生層を形成し
た。
【００９５】次に、下記構造式で示される電荷輸送材料
１０部
１０部
【００９６】
【外２７】 とビスフェノールＺ型ポリカーボネート１０部をモノク
ロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生
層上に浸漬塗布し、１３０℃で１時間乾燥することによ
って、膜厚２２μｍの電荷輸送層を形成した。
ロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生
層上に浸漬塗布し、１３０℃で１時間乾燥することによ
って、膜厚２２μｍの電荷輸送層を形成した。
【００９７】作成した電子写真感光体をデジタル複写機
（商品名ＧＰ−５５、キヤノン（株）製）の改造機に設
置し、暗部電位が−７００Ｖになるように設定し、７８
０ｎｍのレーザー光を照射して−７００Ｖの電位を−１
５０Ｖまで下げるのに必要な光量を測定し感度とした。
更に、２０μＪ／ｃｍ2 の光量を照射したときの電位を
残留電位Ｖｒとして測定した。結果を示す。 感度：０．２３（μＪ／ｃｍ2 ） 残留電位Ｖｒ：−１５Ｖ
（商品名ＧＰ−５５、キヤノン（株）製）の改造機に設
置し、暗部電位が−７００Ｖになるように設定し、７８
０ｎｍのレーザー光を照射して−７００Ｖの電位を−１
５０Ｖまで下げるのに必要な光量を測定し感度とした。
更に、２０μＪ／ｃｍ2 の光量を照射したときの電位を
残留電位Ｖｒとして測定した。結果を示す。 感度：０．２３（μＪ／ｃｍ2 ） 残留電位Ｖｒ：−１５Ｖ
【００９８】次に、湿度１０％温度１５℃、湿度５０％
温度１８℃、湿度８０％温度３５℃の３環境において、
初期の暗部電位を−７００Ｖ、明部電位を−１５０Ｖに
設定し、連続３０００枚の通紙耐久試験を行って、耐久
後の暗部電位及び明部電位を測定し、目視による画質評
価を行ったところ、いずれの環境でも耐久後において初
期と同等の良好な電位特性及び画像が得られた。
温度１８℃、湿度８０％温度３５℃の３環境において、
初期の暗部電位を−７００Ｖ、明部電位を−１５０Ｖに
設定し、連続３０００枚の通紙耐久試験を行って、耐久
後の暗部電位及び明部電位を測定し、目視による画質評
価を行ったところ、いずれの環境でも耐久後において初
期と同等の良好な電位特性及び画像が得られた。
【００９９】実施例２−２ ジスアゾ顔料とＨＯＧａＰｃの使用量をそれぞれ１．７
部と８．３部にした他は、実施例２−１と同様にして電
子写真感光体を作成した。
部と８．３部にした他は、実施例２−１と同様にして電
子写真感光体を作成した。
【０１００】実施例２−３ ジスアゾ顔料とＨＯＧａＰｃの使用量をそれぞれ５部と
５部にした他は、実施例２−１と同様にして電子写真感
光体を作成した。
５部にした他は、実施例２−１と同様にして電子写真感
光体を作成した。
【０１０１】実施例２−４ ジスアゾ顔料とＨＯＧａＰｃの使用量をそれぞれ８．３
部と１．７部にした他は、実施例２−１と同様にして電
子写真感光体を作成した。
部と１．７部にした他は、実施例２−１と同様にして電
子写真感光体を作成した。
【０１０２】実施例２−５ 製造例２で得られたＨＯＧａＰｃの代わりに製造例３で
得られたＨＯＧａＰｃ結晶を用いた他は、実施例２−３
と同様にして電子写真感光体を作成した。
得られたＨＯＧａＰｃ結晶を用いた他は、実施例２−３
と同様にして電子写真感光体を作成した。
【０１０３】実施例２−６ 製造例２で得られたＨＯＧａＰｃの代わりに製造例４で
得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例２−３と同
様にして電子写真感光体を作成した。
得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例２−３と同
様にして電子写真感光体を作成した。
【０１０４】実施例２−７ 製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ結晶の代わりに製造例
５で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例２−３
と同様にして電子写真感光体を作成した。
５で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例２−３
と同様にして電子写真感光体を作成した。
【０１０５】実施例２−８ 例示顔料（２）−１５のジスアゾ顔料に代えて例示顔料
（２）−２３のジスアゾ顔料を用い、また、電荷輸送材
料として下記構造式で示されるスチリル化合物
（２）−２３のジスアゾ顔料を用い、また、電荷輸送材
料として下記構造式で示されるスチリル化合物
【０１０６】
【外２８】 を用いた他は、実施例２−３と同様にして電子写真感光
体を作成した。
体を作成した。
【０１０７】実施例２−９ 例示顔料（２）−１５のジスアゾ顔料に代えて例示顔料
（２）−２のジスアゾ顔料を用い、また、電荷輸送材料
として下記構造式で示されるベンジジン化合物
（２）−２のジスアゾ顔料を用い、また、電荷輸送材料
として下記構造式で示されるベンジジン化合物
【０１０８】
【外２９】 を用いた他は、実施例２−１と同様にして電子写真感光
体を作成した。
体を作成した。
【０１０９】実施例２−１０ 電荷輸送材料として下記構造式で示されるヒドラゾン化
合物を用いた他は、実施例２−１と同様にして電子写真
感光体を作成した。
合物を用いた他は、実施例２−１と同様にして電子写真
感光体を作成した。
【０１１０】
【外３０】
【０１１１】実施例２−１１ 実施例２−１１と同様にして下引き層まで形成した。
【０１１２】次いで、例示顔料（２）−２８のジスアゾ
顔料８部をテトラヒドロフラン１００部に溶解したポリ
ビニル−４−フルオロベンザール４部に加え、１ｍｍφ
のガラスビーズを用いたサンドミルで３０時間分散し
た。これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後
液を回収して、下引き層上に浸漬塗布し、乾燥すること
によって、電荷発生層を形成した。膜厚は、層中のジス
アゾ顔料の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整
した。
顔料８部をテトラヒドロフラン１００部に溶解したポリ
ビニル−４−フルオロベンザール４部に加え、１ｍｍφ
のガラスビーズを用いたサンドミルで３０時間分散し
た。これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後
液を回収して、下引き層上に浸漬塗布し、乾燥すること
によって、電荷発生層を形成した。膜厚は、層中のジス
アゾ顔料の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整
した。
【０１１３】次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ５
部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００
部に溶解した実施例２−１で用いたポリビニルブチラー
ル３部に加え、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで３時間分散した。これに２００部の酢酸エチルを
加えて希釈した後液を回収して、上記ジスアゾ顔料含有
電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、Ｈ
ＯＧａＰｃ含有電荷発生層を形成した。膜厚は層中のＨ
ＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように調
整した。
部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００
部に溶解した実施例２−１で用いたポリビニルブチラー
ル３部に加え、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンド
ミルで３時間分散した。これに２００部の酢酸エチルを
加えて希釈した後液を回収して、上記ジスアゾ顔料含有
電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、Ｈ
ＯＧａＰｃ含有電荷発生層を形成した。膜厚は層中のＨ
ＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように調
整した。
【０１１４】更に実施例２−１と同様にして電荷輸送層
を形成し、電子写真感光体を作成した。
を形成し、電子写真感光体を作成した。
【０１１５】比較例２−１ 製造例２で得られたＨＯＧａＰｃの代わりに比較製造例
１で得られたＴｉＯＰｃを用いた他は、実施例２−３と
同様にして電子写真感光体を作成した。
１で得られたＴｉＯＰｃを用いた他は、実施例２−３と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【０１１６】比較例２−２ ジスアゾ顔料として下記構造式で示されるジスアゾ顔料
【０１１７】
【外３１】 を用いた他は、実施例２−３と同様にして電子写真感光
体を作成した。
体を作成した。
【０１１８】これらの電子写真感光体について、実施例
１と同様にして感度及び残留電位Ｖｒを測定した。結果
を表３に示す。
１と同様にして感度及び残留電位Ｖｒを測定した。結果
を表３に示す。
【０１１９】
【表３】
【０１２０】また、初期の暗部電位を−７００Ｖ、明部
電位を−１５０Ｖに設定し、連続３０００枚の通紙耐久
を行って、初期と３０００枚後の暗部電位と明部電位の
変動量ΔＶｄ及びΔＶ１を測定した。変動量の正記号は
電位の絶対値の増加を示し、負記号は電位の絶対値の減
少を示す。更に、目視による黒ポチ及びかぶりの評価を
耐久後に行った。結果を表４に示す。
電位を−１５０Ｖに設定し、連続３０００枚の通紙耐久
を行って、初期と３０００枚後の暗部電位と明部電位の
変動量ΔＶｄ及びΔＶ１を測定した。変動量の正記号は
電位の絶対値の増加を示し、負記号は電位の絶対値の減
少を示す。更に、目視による黒ポチ及びかぶりの評価を
耐久後に行った。結果を表４に示す。
【０１２１】
【表４】
【０１２２】以上の結果から明らかなように、本発明の
電子写真感光体は残留電位が小さく黒ポチやかぶりとい
った画像欠陥が無く、高感度特性と繰り返し使用時の安
定した電位特性を有していることが解る。
電子写真感光体は残留電位が小さく黒ポチやかぶりとい
った画像欠陥が無く、高感度特性と繰り返し使用時の安
定した電位特性を有していることが解る。
【０１２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、複数種
の電荷発生材料の弊害もなく、高感度、高画質で、耐久
使用時の電位変動の少ない電子写真感光体、該電子写真
感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
を提供することができる。
の電荷発生材料の弊害もなく、高感度、高画質で、耐久
使用時の電位変動の少ない電子写真感光体、該電子写真
感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】製造例２で合成したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図２】製造例３で合成したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図３】製造例４で合成したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図４】製造例５で合成したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
シアニンＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図５】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図であ
る。
トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図であ
る。
Claims (11)
- 【請求項１】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該感光層が、下記式（１）または（２）で
示されるジスアゾ顔料及びヒドロキシガリウムフタロシ
アニンを含有することを特徴とする電子写真感光体。 【外１】 - 【請求項２】 感光層が式（１）で示されるジスアゾ顔
料及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する請
求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】 感光層が式（２）で示されるジスアゾ顔
料及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する請
求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 Ａ1 乃至Ａ4 が下記式（３）乃至（６）
からなる群より選ばれる少なくともひとつの式で示され
る請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【外２】 （式中、Ｘ1 は式中のベンゼン環と縮合して置換基を有
してもよい芳香族炭化水素環または置換基を有してもよ
い複素環を示し、Ｒ1 及びＲ2 は同一でも異なってもよ
く、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいア
ラルキル基または置換基を有してもよい複素環基を示
し、Ｒ1 及びＲ2 は結合して式中の窒素原子とともに現
状アミノ基を形成してもよく、Ｚは酸素原子または硫黄
原子を示し、ｐは０または１を示す。） 【外３】 （式中、Ｘ2 は式中のベンゼン環と縮合して置換基を有
してもよい芳香族炭化水素環または置換基を有してもよ
い複素環を示し、Ｒ3 及びＲ4 は同一でも異なってもよ
く、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいア
ラルキル基または置換基を有してもよい複素環基を示
し、Ｒ3 及びＲ4 は結合して式中の窒素原子とともに環
状アミノ基を形成してもよい。） 【外４】 （式中、Ｘ3 は式中のベンゼン環と縮合して置換基を有
してもよい芳香族炭化水素環または置換基を有してもよ
い複素環を示し、Ｒ5 は水素原子、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよいアラルキル基または置換基を有しても
よい複素環基を示す。） 【外５】 （式中、Ｒ6 は置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいア
ラルキル基または置換基を有してもよい複素環基を示
す。） - 【請求項５】 Ａ1 乃至Ａ4 が式（３）で示される請求
項４記載の電子写真感光体。 - 【請求項６】 式（１）で示されるジスアゾ顔料が下記
式で示される請求項５記載の電子写真感光体。 【外６】 - 【請求項７】 式（２）で示されるジスアゾ顔料が下記
式で示される請求項５記載の電子写真感光体。 【外７】 - 【請求項８】 ヒドロキシガリウムフタロシアニンがＣ
ｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック角（２θ）の７．
４°±０．２°及び２８．２°±０．２°に強いピーク
を有する請求項１乃至７のいずれかに記載の電子写真感
光体。 - 【請求項９】 感光層が電荷発生層及び電荷輸送層を有
し、該電荷発生層が式（１）または（２）で示されるジ
スアゾ顔料及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含
有する請求項１乃至８のいずれかに記載の電子写真感光
体。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載の電
子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニン
グ手段からなる群より選択される少なくともひとつの手
段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在である
ことを特徴とするプロセスカートリッジ。 - 【請求項１１】 請求項１乃至９のいずれかに記載の電
子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写
手段を有することを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23982199A JP4194184B2 (ja) | 1998-08-26 | 1999-08-26 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-254669 | 1998-08-26 | ||
| JP10-254670 | 1998-08-26 | ||
| JP25467098 | 1998-08-26 | ||
| JP25466998 | 1998-08-26 | ||
| JP23982199A JP4194184B2 (ja) | 1998-08-26 | 1999-08-26 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000137341A true JP2000137341A (ja) | 2000-05-16 |
| JP4194184B2 JP4194184B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=27332740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23982199A Expired - Fee Related JP4194184B2 (ja) | 1998-08-26 | 1999-08-26 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4194184B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010019972A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成方法、画像形成装置、カラー画像形成方法及びカラー画像形成装置 |
| JP2010262157A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成方法、画像形成装置、カラー画像形成方法及びカラー画像形成装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP5660421B2 (ja) | 2009-12-28 | 2015-01-28 | 株式会社リコー | 複合ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、それを含有する電子写真感光体、及びそれを使用した画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23982199A patent/JP4194184B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010019972A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成方法、画像形成装置、カラー画像形成方法及びカラー画像形成装置 |
| JP2010262157A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成方法、画像形成装置、カラー画像形成方法及びカラー画像形成装置 |
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