JP2000127026A - Wafer polishing device - Google Patents

Wafer polishing device

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JP2000127026A
JP2000127026A JP30384198A JP30384198A JP2000127026A JP 2000127026 A JP2000127026 A JP 2000127026A JP 30384198 A JP30384198 A JP 30384198A JP 30384198 A JP30384198 A JP 30384198A JP 2000127026 A JP2000127026 A JP 2000127026A
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JP
Japan
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wafer
carrier
pad
polishing
fluid pressure
Prior art date
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Pending
Application number
JP30384198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunji Hakomori
駿二 箱守
Hatsuyuki Arai
初雪 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SpeedFam-IPEC Co Ltd
Original Assignee
SpeedFam-IPEC Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by SpeedFam-IPEC Co Ltd filed Critical SpeedFam-IPEC Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a fluid pressure from being directly applied to a wafer at the time of polishing and prevent stains and spots from being left on the polished face of the wafer after polishing is completed. SOLUTION: A wafer 40 is located between an abrasive pad 35 on a surface plate 26 side and a packing pad 5 on a carrier 1 side, a fluid pressure is guided into the carrier 1 to press the wafer 40 between the abrasive pad 35 and the packing pad 5, and the surface plate 26 and the carrier 1 are rotated in different directions in this state to polish the wafer 40 in this wafer polishing device. Multiple notches 7 penetrating in the thickness direction are provided on the packing pad 5, and valve sections 8 are formed with portions surrounded by the notches 7. When the positive fluid pressure is guided into the carrier 1 for polishing the wafer 40, the valve sections 8 are closed, the wafer 40 is pressed between the packing pad 5 and the abrasive pad 35 in this state, and the wafer 40 is prevented from being directly applied with the positive fluid pressure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はウエハ研磨装置に
関し、特に、シリコンウエハ等のウエハの研磨面に汚
れ、染み等が形成されるのを防止できるようにしたウエ
ハ研磨装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly to a wafer polishing apparatus capable of preventing formation of stains, stains, etc. on a polished surface of a wafer such as a silicon wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のウエハ研磨装置として、
表面に研磨パッドが貼着される円盤状の定盤と、定盤を
回転駆動させる回転駆動機構と、定盤との対向面にバッ
キングパッドが装着されるとともに、内部に流体圧を導
入可能な複数のキャリアと、各キャリアを定盤と反対方
向に回転駆動させる回転駆動機構と、各キャリアを上下
方向に移動させる上下移動機構と、各キャリアを水平方
向に移動させる水平移動機構とを具えたものが知られて
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wafer polishing apparatus of this kind,
A disk-shaped surface plate on which a polishing pad is stuck, a rotation drive mechanism for rotating and driving the surface plate, and a backing pad mounted on the surface facing the surface plate, and fluid pressure can be introduced inside. A plurality of carriers, a rotation drive mechanism for rotating each carrier in a direction opposite to the surface plate, a vertical movement mechanism for vertically moving each carrier, and a horizontal movement mechanism for horizontally moving each carrier are provided. Things are known.

【0003】そして、このような構成のウエハ研磨装置
を用いてウエハを研磨するには、まず、水平移動機構に
よってキャリアを水平方向に移動させ、研磨前のウエハ
を収納する収納部に位置させる。そして、この位置にお
いて、上下移動機構によってキャリアを下降させてバッ
キングパッドをウエハに接触させるとともに、キャリア
に負の流体圧を導入してバッキングパッドにウエハを吸
着する。
In order to polish a wafer using a wafer polishing apparatus having such a configuration, first, a carrier is moved in a horizontal direction by a horizontal moving mechanism, and is positioned in a storage section for storing a wafer before polishing. Then, at this position, the carrier is lowered by the up / down moving mechanism to bring the backing pad into contact with the wafer, and a negative fluid pressure is introduced into the carrier to attract the wafer to the backing pad.

【0004】次に、上下移動機構によってキャリアを上
昇させるとともに、水平移動機構によってキャリアを水
平方向に移動させて定盤の上方に位置させる。そして、
この位置において、上下移動機構によってキャリアを下
降させてウエハを研磨パッドに接触させ、キャリアに正
の流体圧を作用させてバッキングパッドと研磨パッドと
の間でウエハを押圧する。
Next, the carrier is raised by a vertical moving mechanism, and the carrier is moved in a horizontal direction by a horizontal moving mechanism to be positioned above a surface plate. And
At this position, the carrier is lowered by the up-down movement mechanism to bring the wafer into contact with the polishing pad, and a positive fluid pressure is applied to the carrier to press the wafer between the backing pad and the polishing pad.

【0005】そして、この状態でウエハと研磨パッドと
の間にスラリー状の研磨剤を供給し、両回転駆動機構を
作動させてキャリアと定盤とを互いに異なる方向に回転
させ、ウエハの一方の面を研磨する。
In this state, a slurry-like abrasive is supplied between the wafer and the polishing pad, and both rotation driving mechanisms are operated to rotate the carrier and the platen in directions different from each other. Polish the surface.

【0006】そして、ウエハの一方の面の研磨が終了し
た後に、両回転駆動機構を停止させてキャリア及び定盤
の回転を停止させ、キャリアに負の流体圧を作用させて
バッキングパッドにウエハを吸着し、上下移動機構によ
ってキャリアを上昇させ、水平移動機構によってキャリ
アを水平方向に移動させ、研磨後のウエハを収納する収
納部に位置させ、キャリアに正の流体圧を導入してバッ
キングパッドからウエハを引き離し、ウエハを収納部に
収納する。
[0006] After the polishing of one surface of the wafer is completed, both the rotation driving mechanisms are stopped to stop the rotation of the carrier and the platen, and a negative fluid pressure is applied to the carrier to place the wafer on the backing pad. The carrier is lifted by the up-down movement mechanism, the carrier is moved horizontally by the horizontal movement mechanism, positioned in the storage section for storing the polished wafer, and a positive fluid pressure is introduced into the carrier to remove the carrier from the backing pad. The wafer is separated and the wafer is stored in the storage section.

【0007】このようにして、ウエハの一方の面を所定
の表面あらさに研磨するとともに、このような研磨作業
をウエハの他方の面についても行うことにより、ウエハ
の両面を所定の表面あらさに研磨することができるもの
である。
In this manner, one surface of the wafer is polished to a predetermined surface roughness, and the polishing operation is also performed on the other surface of the wafer, thereby polishing both surfaces of the wafer to a predetermined surface roughness. Is what you can do.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の従来の研磨装置にあっては、バッキングパ
ッドに複数の貫通孔を設けて、これらの貫通孔を介して
キャリアに導入した流体圧をウエハに直接に作用させる
ようになっているため、特に、正の流体圧を作用させた
場合に、流体中に含まれる不純物(配管内の錆、流体中
の塵芥等)がウエハの表面に付着したり、ウエハの表面
からウエハ内に染み込んでしまう。この結果、研磨終了
後のウエハの研磨面に汚れや染み等が残ってしまい、製
品の品質を著しく低下させてしまう。
However, in the conventional polishing apparatus having the above configuration, a plurality of through holes are provided in the backing pad, and the fluid pressure introduced into the carrier through these through holes is provided. Is applied directly to the wafer, especially when a positive fluid pressure is applied, impurities contained in the fluid (rust in the piping, dust in the fluid, etc.) It adheres or soaks into the wafer from the surface of the wafer. As a result, dirt, stains, and the like remain on the polished surface of the wafer after polishing, and the quality of the product is significantly reduced.

【0009】この発明は前記のような従来のもののもつ
問題点を解決したものであって、ウエハの表面に流体中
に含まれる不純物(配管内の錆、流体中の塵芥等)が付
着したり、染み込んだりするのを阻止することによっ
て、研磨終了後のウエハの研磨面に汚れや染み等が残る
のを阻止し、これにより、高品質の製品を提供すること
ができるウエハ研磨装置を提供することを目的とするも
のである。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, in which impurities (such as rust in piping and dust in the fluid) contained in the fluid adhere to the surface of the wafer. A wafer polishing apparatus capable of preventing dirt, stains, and the like from remaining on the polished surface of the wafer after polishing by preventing the product from being soaked, thereby providing a high-quality product. The purpose is to do so.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明は前記のような
問題点を解決するため、表面に研磨パッドが設けられる
定盤と、該定盤との対向面にバッキングパッドが設けら
れるキャリアとの間にウエハを位置し、前記キャリアに
流体圧を導入することにより前記研磨パッドと前記バッ
キングパッドとの間で前記ウエハを押圧し、この状態で
前記定盤と前記キャリアとを互いに異なる方向に回転さ
せることにより、前記ウエハを研磨するようになってい
るウエハ研磨装置において、前記バッキングパッドに、
前記キャリアに導入する流体圧によって開閉可能な弁部
を設け、前記ウエハの研磨時に前記弁部が閉弁するよう
に構成した手段を採用したものである。また、前記バッ
キングパッドに、厚み方向に貫通する切込みを少なくと
も1箇所に設けて、該切込みによって囲まれる部分で前
記弁部を形成した手段を採用したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a surface plate provided with a polishing pad on a surface thereof and a carrier provided with a backing pad on a surface facing the surface plate. The wafer is positioned between the polishing pad and the backing pad by applying fluid pressure to the carrier, and the wafer is pressed between the polishing pad and the backing pad. In this state, the platen and the carrier are rotated in different directions from each other. By doing so, in the wafer polishing apparatus adapted to polish the wafer, the backing pad,
A means is provided in which a valve unit which can be opened and closed by a fluid pressure introduced into the carrier is provided, and the valve unit is closed when the wafer is polished. Further, the backing pad employs a means in which at least one cut through the thickness direction is provided at the backing pad, and the valve portion is formed at a portion surrounded by the cut.

【0011】[0011]

【作用】この発明は前記のような手段を採用したことに
より、バッキングパッドの弁部はウエハの研磨時に閉弁
することになるので、キャリアに導入する流体圧が直接
にウエハに作用することはなく、バッキングパッドを介
して流体圧がウエハに作用することになる。
According to the present invention, since the valve means of the backing pad is closed when the wafer is polished, the fluid pressure introduced into the carrier does not directly act on the wafer. Instead, fluid pressure will act on the wafer via the backing pad.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面に示すこの発明の実施
の形態について説明する。図1〜図5には、この発明に
よるウエハ研磨装置の一実施の形態が示されていて、こ
のウエハ研磨装置は、表面に研磨パッド35が貼着され
る定盤26と、定盤26を回転駆動させる回転駆動機構
28と、定盤26との対向面にバッキングパッド5が装
着されるキャリア1と、キャリア1を定盤26と反対方
向に回転駆動させる回転駆動機構10と、キャリア1を
上下方向に移動させる上下移動機構21と、キャリア1
を水平方向に移動させる水平移動機構(図示せず)とを
具えている。
Embodiments of the present invention shown in the drawings will be described below. FIGS. 1 to 5 show an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention. The wafer polishing apparatus comprises a platen 26 on which a polishing pad 35 is adhered, and a platen 26. A rotation drive mechanism 28 for rotating the drive, a carrier 1 having a backing pad 5 mounted on a surface facing the surface plate 26, a rotation drive mechanism 10 for rotating the carrier 1 in a direction opposite to the surface plate 26, and a carrier 1 A vertical moving mechanism 21 for moving the carrier 1 in the vertical direction;
And a horizontal moving mechanism (not shown) for moving the horizontal direction.

【0013】定盤26は、箱体状の基台27の上部に軸
受(図示せず)を介して回転可能に設けられる円盤状を
なすものであって、基台27の内部に設けられる回転駆
動機構28によって水平方向に回転駆動されるようにな
っている。
The surface plate 26 is formed in a disk shape rotatably provided above a box-shaped base 27 via a bearing (not shown), and is provided inside the base 27. The driving mechanism 28 is driven to rotate in the horizontal direction.

【0014】回転駆動機構28は、基台27の底部側に
設けられるモータ29と、基台27の上部側に設けられ
る変速機31と、モータ29の回転軸30と変速機31
の入力軸32との間を連結するプーリー、ベルト等から
なる動力伝達手段34とを具えたものであって、変速機
31の出力軸33に定盤26が連結されるようになって
いる。
The rotary drive mechanism 28 includes a motor 29 provided on the bottom side of the base 27, a transmission 31 provided on the upper side of the base 27, a rotating shaft 30 of the motor 29 and a transmission 31.
And a power transmission means 34 composed of a pulley, a belt, and the like, for connecting with the input shaft 32 of the transmission 31. The surface plate 26 is connected to the output shaft 33 of the transmission 31.

【0015】研磨パッド35は、接着剤等を介して定盤
26の表面全体に貼着される円板状をなすものであっ
て、発泡ポリウレタン、不織布、不織布にポリウレタン
樹脂等を含浸させたもの等を素材として形成されるもの
である。
The polishing pad 35 is a disc-shaped one that is adhered to the entire surface of the platen 26 via an adhesive or the like, and is formed by impregnating a polyurethane resin, a foamed polyurethane, a nonwoven fabric, or a nonwoven fabric. Etc. are formed as a material.

【0016】研磨パッド35には一層型のものと積層型
のものがあり、どちらの型式のものを使用してもよいも
のである。積層型の研磨パッドとしては、例えば、弾性
支持層の上部に表面硬質層を積層した二層型の研磨パッ
ドがある。この場合、硬質研磨パッドには、ショア硬度
が80〜100(好ましくは90〜100)、厚さが
0.5〜1.5mm(好ましくは0.8〜1.3mm)
のものが使用され、弾性支持層には、ショア硬度が50
〜70(好ましくは50〜65)、厚さが0.5〜1.
5mm(好ましくは0.8〜1.3mm)のものが使用
される。
The polishing pad 35 is classified into a single layer type and a multilayer type, and either type may be used. As a laminated polishing pad, for example, there is a two-layer polishing pad in which a surface hard layer is laminated on an elastic support layer. In this case, the hard polishing pad has a Shore hardness of 80 to 100 (preferably 90 to 100) and a thickness of 0.5 to 1.5 mm (preferably 0.8 to 1.3 mm).
Is used, and the elastic support layer has a Shore hardness of 50.
To 70 (preferably 50 to 65) and a thickness of 0.5 to 1.
5 mm (preferably 0.8 to 1.3 mm) is used.

【0017】キャリア1は、上端が閉塞された筒状のケ
ーシング2と、ケーシング2の下端開口部に装着されて
そこを閉塞する円板状のバッキングパッド5とから構成
されるものであって、バッキングパッド5によってケー
シング2の内部に密閉された流体室3が形成されるよう
になっている。
The carrier 1 comprises a cylindrical casing 2 whose upper end is closed, and a disk-shaped backing pad 5 which is mounted on the lower end opening of the casing 2 and closes it. The backing pad 5 forms a sealed fluid chamber 3 inside the casing 2.

【0018】ケーシング2の上端中央部には、流体室3
内外を貫通する貫通孔4が穿設され、この貫通孔4を介
して流体室3内にコンプレッサー等の流体圧供給源20
から負又は正の流体圧が導入されるようになっている。
この場合、流体圧としては空気圧が使用されるが、他の
流体圧を使用してもよいものである。
At the center of the upper end of the casing 2, a fluid chamber 3 is provided.
A through hole 4 penetrating the inside and outside is formed, and a fluid pressure source 20 such as a compressor is inserted into the fluid chamber 3 through the through hole 4.
From which a negative or positive fluid pressure is introduced.
In this case, air pressure is used as the fluid pressure, but other fluid pressures may be used.

【0019】バッキングパッド5は、上面側周縁部がケ
ーシング2の下端開口部に接着剤等を介して貼着される
PET樹脂等から形成される円板状のパッド部6と、パ
ッド部6の下面側周縁部に上面側が貼着される環状のガ
イド部9とを具えたものであって、ガイド部9の内側の
パッド部6の部分に円板状のシリコンウエハ等のウエハ
40が吸着等されるようになっている。
The backing pad 5 has a disk-shaped pad portion 6 made of PET resin or the like whose upper peripheral portion is adhered to the lower end opening of the casing 2 with an adhesive or the like. An annular guide portion 9 having an upper surface side adhered to a lower peripheral edge portion, and a wafer 40 such as a disk-shaped silicon wafer is attracted to the pad portion 6 inside the guide portion 9 by suction or the like. It is supposed to be.

【0020】パッド部6のウエハ吸着部には、複数箇所
(この実施の形態においては5箇所)にパッド部6を厚
み方向に貫通するU字型の切込み7が形成され、各切込
み7によって囲まれる部分で舌状の弁部8がそれぞれ形
成されるようになっている。
In the wafer suction portion of the pad portion 6, U-shaped cuts 7 penetrating the pad portion 6 in the thickness direction are formed at a plurality of places (five places in this embodiment), and are surrounded by the cuts 7. The tongue-shaped valve portions 8 are respectively formed at the portions to be formed.

【0021】この場合、弁部8は5箇所に限らず、5箇
所以下又は5箇所以上に設けてもよいものである。ま
た、切込み7の形状は、U字型に限らず、V字型、I字
型、コ字型等としてもよいものであり、それ以外の形状
としてもよいものである。さらに、パッド部6は一層、
二層又はそれ以上であってもよいものである。
In this case, the number of the valve portions 8 is not limited to five, but may be provided at five or less or at five or more. Further, the shape of the cut 7 is not limited to the U-shape, but may be a V-shape, an I-shape, a U-shape, or the like, and may be any other shape. Further, the pad portion 6 further includes
It may have two or more layers.

【0022】ガイド部9は、エポキシグラス等の樹脂か
ら形成されるものであって、パッド部6の下面側周縁部
に上面側が接着剤等を介して貼着されるようになってい
る。そして、このようにガイド部9を設けることによっ
て、研磨時にウエハ40が水平方向へずれるのを防止す
ることができるとともに、スラリー状の研磨剤がウエハ
40とパッド部6との間に浸入するのを防止することが
できるものである。
The guide portion 9 is made of a resin such as epoxy glass, and has an upper surface attached to a peripheral portion on the lower surface side of the pad portion 6 with an adhesive or the like. By providing the guide portion 9 in this way, it is possible to prevent the wafer 40 from shifting in the horizontal direction during polishing, and to prevent the slurry-like abrasive from entering between the wafer 40 and the pad portion 6. Can be prevented.

【0023】キャリア1は、回転駆動機構10によって
定盤26と反対方向に回転駆動されるようになってい
る。回転駆動機構10は、モータ11と、モータ11の
回転軸12に取り付けられる歯車13と、下端部がキャ
リア1のケーシング2の貫通孔4内に嵌合されるパイプ
状のインナーロッド14と、後述するピストンロッド2
4の外周側に軸受17を介して取り付けられる前記歯車
13と噛合する歯車15と、軸受17の外輪(図示せ
ず)とインナーロッド14の上端部との間を連結する支
持部材16とから構成されている。
The carrier 1 is rotatably driven by the rotary drive mechanism 10 in a direction opposite to the surface plate 26. The rotation drive mechanism 10 includes a motor 11, a gear 13 attached to a rotation shaft 12 of the motor 11, a pipe-shaped inner rod 14 whose lower end is fitted into the through hole 4 of the casing 2 of the carrier 1, Piston rod 2
A gear 15 which meshes with the gear 13 mounted on the outer peripheral side of the bearing 4 via a bearing 17; and a support member 16 which connects between an outer ring (not shown) of the bearing 17 and an upper end of the inner rod 14. Have been.

【0024】そして、モータ11を回転させると、両歯
車13、15、軸受17の外輪、及び支持部材16を介
してインナーロッド14が回転するとともに、インナー
ロッド14と一体にキャリア1が回転するものである。
When the motor 11 is rotated, the inner rod 14 is rotated via the gears 13 and 15, the outer ring of the bearing 17, and the support member 16, and the carrier 1 is rotated integrally with the inner rod 14. It is.

【0025】インナーロッド14の上端は配管19を介
してコンプレッサー等の流体圧供給源20に連結されて
いる。そして、流体圧供給源20を作動させた際に、配
管19及びインナーロッド14を介してキャリア1の流
体室3内に負又は正の流体圧が導入されるものである。
The upper end of the inner rod 14 is connected via a pipe 19 to a fluid pressure supply source 20 such as a compressor. Then, when the fluid pressure supply source 20 is operated, a negative or positive fluid pressure is introduced into the fluid chamber 3 of the carrier 1 via the pipe 19 and the inner rod 14.

【0026】キャリア1は、上下移動機構21によって
上下方向に移動可能となっている。上下移動機構21
は、内部に流体圧を導入可能なシリンダチューブ22
と、シリンダチューブ22内に往復動自在に設けられる
ピストン23と、シリンダチューブ22の中心部を貫通
するとともに、ピストン23に連結されるパイプ状のピ
ストンロッド24とから構成されている。
The carrier 1 is vertically movable by a vertical moving mechanism 21. Vertical movement mechanism 21
Is a cylinder tube 22 into which fluid pressure can be introduced.
And a piston 23 provided reciprocally in the cylinder tube 22, and a pipe-shaped piston rod 24 penetrating through the center of the cylinder tube 22 and connected to the piston 23.

【0027】この場合、ピストンロッド24の下端部は
軸受25を介してキャリア1のケーシング2の貫通孔4
内に取り付けられるとともに、ピストンロッド24の上
端部は前記した軸受17の内輪(図示せず)に嵌合され
るようになっている。また、ピストンロッド24の中心
部をインナーロッド14が挿通するようになっている。
In this case, the lower end of the piston rod 24 is connected to the through hole 4 of the casing 2 of the carrier 1 via a bearing 25.
The upper end of the piston rod 24 is fitted to the inner ring (not shown) of the bearing 17 described above. Further, the inner rod 14 is inserted through the center of the piston rod 24.

【0028】そして、シリンダチューブ22内に流体圧
を導入すると、流体圧に応じてピストン23がシリンダ
チューブ22内を往復動するとともに、ピストン23の
動きに追従してピストンロッド24を介してキャリア1
が上下動し、キャリア1の上下方向の位置に応じた圧力
をウエハ40に加えることができるものである。
Then, when a fluid pressure is introduced into the cylinder tube 22, the piston 23 reciprocates in the cylinder tube 22 in accordance with the fluid pressure, and follows the movement of the piston 23 to move the carrier 1 through the piston rod 24.
Moves up and down, and a pressure corresponding to the vertical position of the carrier 1 can be applied to the wafer 40.

【0029】次に、前記に示すものの作用について説明
する。まず、キャリア1を水平移動機構(図示せず)に
よって水平方向に移動させ、研磨前のウエハ40を収納
する収納部(図示せず)に位置決めする。そして、この
位置において、上下移動機構21によってキャリア1を
下降させて、バッキングパッド5のパッド部6にウエハ
40を接触させる。そして、流体圧供給源20を作動さ
せて、配管19及びインナーロッド14を介してキャリ
ア1の流体室3内に負の流体圧を導入すると、パッド部
6の弁部8が開弁して負の流体圧がウエハ40に作用
し、パッド部6にウエハ40が吸着される。
Next, the operation of the above-described device will be described. First, the carrier 1 is moved in a horizontal direction by a horizontal moving mechanism (not shown) and positioned in a storage section (not shown) for storing the wafer 40 before polishing. Then, at this position, the carrier 1 is lowered by the up-and-down movement mechanism 21 to bring the wafer 40 into contact with the pad portion 6 of the backing pad 5. Then, when the fluid pressure supply source 20 is operated to introduce a negative fluid pressure into the fluid chamber 3 of the carrier 1 via the pipe 19 and the inner rod 14, the valve portion 8 of the pad portion 6 is opened and the negative pressure is opened. Acts on the wafer 40, and the wafer 40 is attracted to the pad portion 6.

【0030】そして、この状態で上下移動機構21によ
ってキャリア1を上昇させるとともに、水平移動機構
(図示せず)によってキャリア1を水平方向へ移動させ
て定盤26の上方に位置決めする。そして、この位置に
おいて、上下移動機構21によってキャリア1を下降さ
せてウエハ40を定盤26上の研磨パッド35に接触さ
せ、キャリア1によってウエハ40を押圧する。
Then, in this state, the carrier 1 is lifted by the vertical moving mechanism 21 and the carrier 1 is moved in the horizontal direction by a horizontal moving mechanism (not shown) to be positioned above the platen 26. Then, at this position, the carrier 1 is lowered by the up-down movement mechanism 21 to bring the wafer 40 into contact with the polishing pad 35 on the surface plate 26, and the wafer 40 is pressed by the carrier 1.

【0031】そして、この状態で流体圧供給源20を作
動させて、配管19及びインナーロッド14を介してキ
ャリア1の流体室3内に正の流体圧を導入すると、バッ
キングパッド5のパッド部6の弁部8が閉弁して、正の
流体圧がパッド部6を介してウエハ40に作用し、ウエ
ハ40がバッキングパッド5のパッド部6と研磨パッド
35との間で押圧される。
In this state, when the fluid pressure supply source 20 is operated to introduce a positive fluid pressure into the fluid chamber 3 of the carrier 1 through the pipe 19 and the inner rod 14, the pad portion 6 of the backing pad 5 Is closed, the positive fluid pressure acts on the wafer 40 via the pad portion 6, and the wafer 40 is pressed between the pad portion 6 of the backing pad 5 and the polishing pad 35.

【0032】そして、この状態でスラリー状の研磨剤を
研磨パッド35とウエハ40との間に供給するととも
に、定盤26の回転駆動機構28とキャリア1の回転駆
動機構10とを作動させて定盤26とキャリア1とを互
いに異なる方向に回転させて、ウエハ40の一方の面の
研磨を行う。
Then, in this state, the slurry-like abrasive is supplied between the polishing pad 35 and the wafer 40, and the rotation drive mechanism 28 of the platen 26 and the rotation drive mechanism 10 of the carrier 1 are actuated. The board 26 and the carrier 1 are rotated in directions different from each other to polish one surface of the wafer 40.

【0033】そして、ウエハ40の一方の面の研磨が終
了した後に、定盤26の回転駆動機構28とキャリア1
の回転駆動機構10とを停止させて、定盤26及びキャ
リア1の回転を停止させる。そして、流体圧供給源20
を作動させて、配管19及びインナーロッド14を介し
てキャリア1の流体室3内に負の流体圧を導入すると、
バッキングパッド5のパッド部6の弁部8が開弁して負
の流体圧がウエハ40に作用し、ウエハ40がパッド部
6に吸着される。
After the polishing of one surface of the wafer 40 is completed, the rotation drive mechanism 28 of the platen 26 and the carrier 1
Is stopped, and the rotation of the platen 26 and the carrier 1 is stopped. And the fluid pressure supply source 20
Is operated to introduce a negative fluid pressure into the fluid chamber 3 of the carrier 1 through the pipe 19 and the inner rod 14,
When the valve portion 8 of the pad portion 6 of the backing pad 5 opens, negative fluid pressure acts on the wafer 40, and the wafer 40 is attracted to the pad portion 6.

【0034】そして、この状態で上下移動機構21によ
ってキャリア1を上昇させるとともに、水平移動機構
(図示せず)によってキャリア1を水平方向に移動させ
て、研磨後のウエハ40を収納する収納部(図示せず)
に位置決めする。そして、この位置において、上下移動
機構21によってキャリア1を下降させるとともに、流
体圧供給源20を作動させて配管19及びインナーロッ
ド14を介して正の流体圧をキャリア1の流体室3内に
導入すると、バッキングパッド5のパッド部6の弁部8
が開弁してパッド部6からウエハ40が引き離され、ウ
エハ40が収納部に収納される。
In this state, the carrier 1 is raised by the up-down moving mechanism 21 and the carrier 1 is moved in the horizontal direction by the horizontal moving mechanism (not shown) to store the polished wafer 40. (Not shown)
Position. At this position, the carrier 1 is lowered by the up-down movement mechanism 21 and the fluid pressure supply source 20 is operated to introduce a positive fluid pressure into the fluid chamber 3 of the carrier 1 via the pipe 19 and the inner rod 14. Then, the valve portion 8 of the pad portion 6 of the backing pad 5
Is opened, the wafer 40 is separated from the pad section 6, and the wafer 40 is stored in the storage section.

【0035】このようにして、ウエハ40の一方の面の
研磨作業が終了するとともに、このような研磨作業をウ
エハ40の他方の面についても行うことにより、複数枚
のウエハ40の両面を連続して所定の表面あらさに研磨
することができるものである。
In this manner, the polishing operation for one surface of the wafer 40 is completed, and the polishing operation is performed for the other surface of the wafer 40, so that both surfaces of the plurality of wafers 40 are continuously connected. Can be polished to a predetermined surface roughness.

【0036】上記のように構成したこの実施の形態によ
るウエハ研磨装置にあっては、ウエハ40の研磨の際
に、バッキングパッド5のパッド部6に設けた弁部8を
キャリア1の流体室3内に導入した正の流体圧によって
閉弁させるようにしたので、ウエハ40に正の流体圧が
直接に作用することがなくなる。したがって、流体中に
含まれる不純物(配管19中の錆、流体中の塵芥等)が
ウエハ40の表面に付着したり、ウエハ40の表面から
内部に染み込んだりすることがなくなり、研磨終了後の
ウエハ40の研磨面に汚れや染みが残るのを防止できる
ことになる。
In the wafer polishing apparatus according to this embodiment configured as described above, when polishing the wafer 40, the valve portion 8 provided on the pad portion 6 of the backing pad 5 is connected to the fluid chamber 3 of the carrier 1. Since the valve is closed by the positive fluid pressure introduced therein, the positive fluid pressure does not directly act on the wafer 40. Therefore, impurities (rust in the pipe 19, dust in the fluid, etc.) contained in the fluid do not adhere to the surface of the wafer 40 or permeate into the inside of the wafer 40, and the wafer after polishing is finished. Dirt and stains can be prevented from remaining on the 40 polished surface.

【0037】また、弁部8は、バッキングパッド5のパ
ッド部6に切込み7を設けただけの簡単な構成のもので
あるので、簡単に製作することができることになる。し
たがって、弁部8の製作に手間がかかるようなことがな
いので、安価なものを提供することができることにな
る。
Further, since the valve portion 8 has a simple configuration in which the notch 7 is provided in the pad portion 6 of the backing pad 5, it can be easily manufactured. Therefore, there is no trouble in manufacturing the valve portion 8, so that an inexpensive product can be provided.

【0038】[0038]

【発明の効果】この発明は、請求項1のように、ウエハ
の研磨時にバッキングパッドに設けた弁部を閉弁させる
ように構成したことにより、ウエハの研磨時に正の流体
がウエハに直接に作用することがなくなる。したがっ
て、ウエハの研磨時に流体中に含まれる不純物(配管中
の錆、流体中に含まれる塵芥等)がウエハに付着した
り、ウエハの表面から内部に染み込んだりすることがな
くなり、研磨終了後のウエハの研磨面に汚れや染みが残
ることがなくなり、高品質のものを提供することができ
ることになる。また、請求項2のように、バッキングパ
ッドに切込みを設けて、切込みによって囲まれる部分で
弁部を形成するように構成したことにより、弁部を簡単
に製作することができることになる。したがって、安価
なものを提供することができることになる。
According to the present invention, the valve portion provided on the backing pad is closed during polishing of the wafer, so that the positive fluid is directly applied to the wafer during polishing of the wafer. No longer works. Therefore, the impurities contained in the fluid during the polishing of the wafer (rust in the piping, dust contained in the fluid, etc.) do not adhere to the wafer or permeate into the wafer from the surface thereof. Dirt and stains do not remain on the polished surface of the wafer, and a high quality wafer can be provided. Further, since the backing pad is provided with a cut in the backing pad and the valve portion is formed in a portion surrounded by the cut, the valve portion can be easily manufactured. Therefore, an inexpensive product can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明によるウエハ研磨装置の一実施の形態
を示した概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示すもののウエハの吸着時の状態を示し
た部分拡大断面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state of the wafer shown in FIG. 1 at the time of wafer suction;

【図3】図1に示すもののウエハの研磨時の状態を示し
た部分拡大断面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged sectional view showing a state of the wafer shown in FIG. 1 at the time of polishing.

【図4】図1に示すもののウエハの引き離し時の状態を
示した部分拡大断面図である。
FIG. 4 is a partially enlarged sectional view showing a state of the wafer shown in FIG. 1 when the wafer is separated.

【図5】バッキングパッドとガイド部との関係を示した
平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a relationship between a backing pad and a guide unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……キャリア 2……ケーシング 3……流体室 4……貫通孔 5……バッキングパッド 6……パッド部 7……切込み 8……弁部 9……ガイド部 10、28……回転駆動機構 11、29……モータ 12、30……回転軸 13、15……歯車 14……インナーロッド 16……支持部材 17、25……軸受 19……配管 20……流体圧供給源 21……上下移動機構 22……シリンダチューブ 23……ピストン 24……ピストンロッド 26……定盤 27……基台 31……変速機 32……入力軸 33……出力軸 34……動力伝達手段 35……研磨パッド 40……ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Carrier 2 ... Casing 3 ... Fluid chamber 4 ... Through-hole 5 ... Backing pad 6 ... Pad part 7 ... Cut 8 ... Valve part 9 ... Guide part 10, 28 ... Rotation drive mechanism 11, 29 ... motor 12, 30 ... rotating shaft 13, 15 ... gear 14 ... inner rod 16 ... support member 17, 25 ... bearing 19 ... pipe 20 ... fluid pressure supply source 21 ... up and down Moving mechanism 22 Cylinder tube 23 Piston 24 Piston rod 26 Surface plate 27 Base 31 Transmission 32 Input shaft 33 Output shaft 34 Power transmission means 35 Polishing pad 40 Wafer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に研磨パッドが設けられる定盤と、
該定盤との対向面にバッキングパッドが設けられるキャ
リアとの間にウエハを位置し、前記キャリアに流体圧を
導入することにより前記研磨パッドと前記バッキングパ
ッドとの間で前記ウエハを押圧し、この状態で前記定盤
と前記キャリアとを互いに異なる方向に回転させること
により、前記ウエハを研磨するようになっているウエハ
研磨装置において、 前記バッキングパッドに、前記キャリアに導入する流体
圧によって開閉可能な弁部を設け、前記ウエハの研磨時
に前記弁部が閉弁するように構成したことを特徴とする
ウエハ研磨装置。
A surface plate on which a polishing pad is provided;
A wafer is located between a carrier provided with a backing pad on a surface facing the surface plate, and the wafer is pressed between the polishing pad and the backing pad by introducing fluid pressure to the carrier, In this state, in the wafer polishing apparatus configured to polish the wafer by rotating the surface plate and the carrier in directions different from each other, the backing pad can be opened and closed by a fluid pressure introduced into the carrier. A wafer polishing apparatus, wherein a simple valve section is provided so that the valve section closes when the wafer is polished.
【請求項2】 前記バッキングパッドに、厚み方向に貫
通する切込みを少なくとも1箇所に設けて、該切込みに
よって囲まれる部分で前記弁部を形成した請求項1記載
のウエハ研磨装置。
2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the backing pad is provided with at least one notch penetrating in the thickness direction, and the valve portion is formed at a portion surrounded by the notch.
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